KR100423683B1 - 인쇄 회로 기판용 상호접속 조립체 및 그 제조 방법 - Google Patents

인쇄 회로 기판용 상호접속 조립체 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100423683B1
KR100423683B1 KR10-2001-7000547A KR20017000547A KR100423683B1 KR 100423683 B1 KR100423683 B1 KR 100423683B1 KR 20017000547 A KR20017000547 A KR 20017000547A KR 100423683 B1 KR100423683 B1 KR 100423683B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
contact element
interconnect assembly
elastic contact
disposed
Prior art date
Application number
KR10-2001-7000547A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20010074710A (ko
Inventor
엘드릿지벤자민엔.
Original Assignee
폼팩터, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 폼팩터, 인크. filed Critical 폼팩터, 인크.
Publication of KR20010074710A publication Critical patent/KR20010074710A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100423683B1 publication Critical patent/KR100423683B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
    • G01R1/0441—Details
    • G01R1/0466—Details concerning contact pieces or mechanical details, e.g. hinges or cams; Shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/70—Coupling devices
    • H01R12/71—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures
    • H01R12/72—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures coupling with the edge of the rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/73—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures coupling with the edge of the rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07364—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
    • G01R1/07378—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate adapter, e.g. space transformers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/50—Fixed connections
    • H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
    • H01R12/55—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals
    • H01R12/57—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures characterised by the terminals surface mounting terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/70—Coupling devices
    • H01R12/71—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures
    • H01R12/712—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures co-operating with the surface of the printed circuit or with a coupling device exclusively provided on the surface of the printed circuit
    • H01R12/714—Coupling devices for rigid printing circuits or like structures co-operating with the surface of the printed circuit or with a coupling device exclusively provided on the surface of the printed circuit with contacts abutting directly the printed circuit; Button contacts therefore provided on the printed circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
    • H01R13/02—Contact members
    • H01R13/22—Contacts for co-operating by abutting
    • H01R13/24—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted
    • H01R13/2407—Contacts for co-operating by abutting resilient; resiliently-mounted characterized by the resilient means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4092—Integral conductive tabs, i.e. conductive parts partly detached from the substrate
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05005—Structure
    • H01L2224/05008—Bonding area integrally formed with a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body, e.g.
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/0502—Disposition
    • H01L2224/05024—Disposition the internal layer being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/0502—Disposition
    • H01L2224/05026—Disposition the internal layer being disposed in a recess of the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05075—Plural internal layers
    • H01L2224/0508—Plural internal layers being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/05001—Internal layers
    • H01L2224/05099—Material
    • H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05569—Disposition the external layer being disposed on a redistribution layer on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/03—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
    • H01R12/70—Coupling devices
    • H01R12/82—Coupling devices connected with low or zero insertion force
    • H01R12/85—Coupling devices connected with low or zero insertion force contact pressure producing means, contacts activated after insertion of printed circuits or like structures
    • H01R12/853—Fluid activated
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10568—Integral adaptations of a component or an auxiliary PCB for mounting, e.g. integral spacer element
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2036—Permanent spacer or stand-off in a printed circuit or printed circuit assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S439/00—Electrical connectors
    • Y10S439/948—Contact or connector with insertion depth limiter

Abstract

본 발명은 인쇄 회로 기판용 상호접속 조립체 및 이를 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일예에서, 상호접속 조립체는 기판, 탄성 접점 요소 및 정지 구조물을 포함한다. 상기 탄성 접점 요소는 기판 상에 배치되고 다른 접점 요소와 기계적 또는 전기적으로 접속하는 탄성 접점 요소를 내재하는 정지 구조물에 의해 형성된 제1 위치까지 이동시킬 수 있는 적어도 일부분을 갖는다. 본 발명의 다른 예에서, 정지 구조물은 제1 접점 요소를 갖춘 제1 기판 상에 배치되고 제1 접점 요소와 기계적 및 전기적으로 접속하는 탄성 접점 요소를 내재하는 제2 기판 상에 배치된 탄성 접점 요소의 제1 위치를 형성한다. 본 발명은 예로써 집적회로의 반도체 웨이퍼를 포함하는 집적회로의 테스팅을 수행하기 위해 정지 구조물을 형성하고 이를 사용하는 방법을 포함한다.

Description

인쇄 회로 기판용 상호접속 조립체 및 그 제조 방법 {INTERCONNECT ASSEMBLY FOR PRINTED CIRCUIT BOARDS AND METHOD OF FABRICATION}
종래 기술에서 상호접속 조립체 및 이러한 상호접속 조립체를 제조하고 이용하기 위한 방법은 상당수 존재한다. 예를 들어, 다이를 패키지 조립하기 이전에, 바람직하게 웨이퍼로부터 단일화되기 이전에 다이가 양호한지를 측정하기 위해 반도체 웨이퍼 상에 복수의 다이를 테스트하는 것이 바람직하다. 이러한 목적에 따라, 웨이퍼 테스트 장치 또는 프로버 장치는 다이 상에서 복수의 유사 개별 접점 요소(예를 들어, 접합 패드)에 복수의 개별 압력 접속부를 제조하기 위해 바람직하게 이용될 수 있다. 이러한 방식으로, 반도체 다이는 웨이퍼로부터 다이를 단일화시키기 이전에 테스트될 수 있다. 다이가 불량으로 작동되는지를 측정하기 위해테스트가 수행된다.
웨이퍼 테스트 장치 및 프로버의 종래의 요소는 복수의 프로브 요소가 접속된 프로브 카드이다. 프로브 요소 또는 접점 요소의 팁부는 반도체 다이의 개별 접합 패드에 압력 접속에 영향을 미친다. 도1은 종래 기술에서 프로브 카드의 일례인 상호접속 조립체(500)를 도시하고 있다. 프로브 핀 또는 접점 요소(524)는 반도체 웨이퍼(508) 상에서 접속 패드(526)를 접속시킨다. 프로브 카드 조립체는 프로브 카드(502), 인터포저(504), 및 공간 변형기(506)를 포함한, 함께 조립된 일부 요소를 포함한다. 프로브 카드(502)는 일반적으로 프로빙되어진 반도체 다이의 전기 테스트를 수행하는데 이용되는 다양한 전기 부품에 회로 트레이스를 포함하는 인쇄 회로 기판이다. 프로브 카드(502) 상에 접점 요소(510)는 도1에 도시되어진 것과 같이 인터포저(504)와 공간 변형기(506)을 포함하는 일련의 중간층을 통해 접합 패드(526)와 접속된다. 인터포즈(504)는 스프링과 유사한 접점 요소(524) 등의 중간층 상에 이용된 접점 요소의 길이와는 관계없이 접합 패드에서 모든 접점 요소에 대해 충분한 접속을 제공하기 위해 수직 또는 z 방향으로 탄성의 스프링 형상의 위치설정을 제공한다. 공간 변형기(506)는 핀치 감소를 수행하며 기판 상에 탄성 접점 요소가 위치된 기판이다. 도1에 도시된 프로브 카드 조립체(500)에 관련한 상세설명은 PCT 국제 공개 WO 제 96/38858호에서 찾아볼 수 있다.
도2a는 접점 요소(312,314,316,318)를 포함한, 탄성 접점 요소가 부착된 기판(302)을 갖는 인터포저 조립체(300)를 보다 상세히 도시하고 있다. 접점 요소(312,316)는 인터포저(300)의 한 측면으로부터 관통 접속부(304A)에 의해 다른측면까지 전기적으로 결합되어 있으며, 접점 요소(314,318)는 관통 접점(306A)에 의해 전기적으로 결합되어 있다. 이러한 탄성 접점 요소의 예는 임의의 다수의 상이한 스프링 형태의 요소를 포함하며, PCT 국제 공보 제 WO96/38858호에 개시되어져 있다. 인터포저가 도1의 조립체(500) 등의 조립체 내에서 이용될 때, 탄성 접점 요소는 그 수직 높이가 감소되는 압축 상태로 굽어지게 된다. 이러한 굽어짐 상태는 접점 요소를 접합 패드(526) 등의 대응 접속점으로 구동시키는 힘을 초래한다. 도2b 및 2c는 종래 기술의 대안의 인터포저 구조를 도시하고 있다. 인터포저(300A)는 기판(302A)를 포함한다. 두 개의 탄성 접점 요소(312A,314A)는 기판(302A)의 일면에 부착된다. 기판(302A)의 바닥부의 탄성 접점 요소는 도면에 도시되어 있지 않다. 기판(302A)의 상부면 상의 탄성 접점 요소는 탄성 접점 요소(312A,314A)를 둘러싸고 있는 채널 구조(302B)에 의해 보호된다. 이는 도2c에 도시되어진 인터포저(300)의 평면도로부터 나타나 있다. 채널(302B)은 채널 내의 탄성 접점 요소를 보호하고 있으나 다른 기판에 접속하도록 설계되어 있지 않으며, 채널(302C)은 탄성 접점 요소(314B)를 보호하나 다른 기판에 접속하도록 설계되어 있지 않다.
도3a는 종래 기술의 인터포저의 다른 실시예를 도시하고 있다. 기판(334)은 상호접속 요소(332)가 구멍(336)을 통해 연장하도록 상호접속 요소(332)위에 위치된다. 상호접속 요소(322)는 구멍(336)을 채우고 지지 기판의 상부면 및 바닥면으로부터 연장하는 탄성재 등의 적합한 재료(338)에 의해 기판 내에 느슨하게 고정된다. 도3b는 구멍(336) 내의 상호접속 요소가 기판(354) 내의 구멍(366)의 중간 부분에 (납땜 등에 의해)부착된 종래 기술의 또 다른 인터포저 구조를 도시하고 있다.
도4는 종래 기술의 또 다른 상호접속 조립체를 도시하고 있다. 이러한 상호접속 조립체는 때때로 안장띠 접속기(cinch connector, 400)로 지칭된다. 도4에 도시되어진 바와 같이, 두 개의 접점 요소(406,407)는 다른 기판(402) 상에 놓여진 두 개의 다른 접점 요소(408,409)와 접속하도록 기판(401) 상에 놓여져 있다. 중간층(403)은 구멍(404,405)을 포함하며, 구멍(405)은 접점 요소(407,409) 사이에서 위치된다. 각각의 구멍은 도4에 도시되어진 바와 같이 각각의 접점 요소 사이에서 접속하도록 이용되는 탄성재를 포함한다. 기판(401,402)이 함께 압축될 때, 접점 요소 또는 패드(406,408)는 접점 요소(407,409)에서와 같이 서로를 향해 이동한다. 이러한 이동은 각각의 요소가 중간층(403)과 기계적으로 접속할 때 중지되며, 전기적인 접속은 두 개의 접점 요소 사이에 위치된 각각의 도전성 스프링에 의해 달성된다.
전술한 사항으로 알 수 있는 바와 같이, 접합 패드 또는 다른 접점 요소에 접속하도록 탄성 접점 요소의 길이가 약간 변경되는 경우에라도 접속이 가능하도록 모든 접점 요소가 수직 또는 z 방향으로의 공차를 허용한다. 그러나, 이러한 공차는 때때로 탄성 접점 요소가 수직 방향으로 압축됨에 따라 탄성 접점 요소의 파괴를 초래한다. 도2b 및 도2c, 그리고 도3a에 도시되어진 조립체가 탄성 접점 요소를 보호하는 경향이 있으나, 모든 접점 요소가 수직으로 접속되는 위치를 한정하지는 않는다. 도4의 안장띠 접속기는 기판(401,402)이 서로 너무 근접하지 않도록함으로써 탄성 접점 요소를 보호하고자 한다. 그러나, 이러한 조립체는 개별 층 내에, 스프링을 포함하고 지지하는 다수의 구멍을 갖는 요구량으로 인해 비교적 복잡하게 된다.
따라서, 탄성 접점 요소의 과다굽힘 또는 파괴를 초래하는 Z 방향으로의 과다한 공차를 갖지 않고 탄성 접점 요소의 특성을 이용한 개선된 상호접속 조립체를 제공하는 것이 바람직하다. 이는 특히, 공차가 상호접속 요소의 제어된 편향을 상이하게 하는 (반도체 웨이퍼 내에서와 같이) 대형의 정합면 상에서의 상호접속시 특히 중요하다.
본 발명은 상호접속 조립체 및 이러한 상호접속물을 제조하고 이용하기 위한 방법에 관한 것이며, 특히 일시적인 방식 또는 영구적인 방식으로 반도체 집적 회로 상에서 접점 요소와 전기적으로 접속하기 위한 상호접속 조립체에 관한 것이다. 보다 상세히 설명하면, 본 발명은 반도체 장치 상에 테스트 및/또는 통전 과정을 수행하거나 반도체 장치에 영구 상호접속을 제조하기 위해 반도체 장치에 상호접속하기 위한 기술 및 조립체에 관한 것이다.
도1은 종래 기술의 탐침 카드 조립체의 예를 도시한 도면.
도2a는 종래 기술의 탐침 카드 조립체의 요소인 인터포저(interposer)의 예를 도시한 도면.
도2b는 종래 기술의 탐침 카드 조립체에 이용될 수 있는 인터포저의 또 다른 예의 단면도.
도2c는 도2b에 도시된 인터포저의 평면도.
도3a는 종래 기술의 인터포저의 또 다른 예의 단면도.
도3b는 종래 기술의 또 다른 인터포저 구조물의 단면도.
도4는 종래 기술의 상호 접속 조립체의 예를 도시한 도면.
도5a는 탄성 접점 요소가 기판 상의 정지 구조물과 함께 기판 상에 배치되어 있는 본 발명에 따른 사시도.
도5b는 탄성 접점 요소가 정지 구조물과 함께 기판 상의 팬-아웃으로 배치되어 있는 본 발명의 일실시예의 사시도.
도6a는 (기계적 및 전기적 접속이 이루어지기 전의) 본 발명의 일실시예의 예를 도시한 도면.
도6b는 기계적 및 전기적 접속이 이루어질 때 도6a의 상호 접속 조립체를 도시한 도면.
도6c는 (기계적 및 전기적 접속이 이루어지기 전의) 본 발명의 또 다른 실시예의 예를 도시한 도면.
도6d는 기계적 및 전기적 접속이 이루어질 때 도6c의 상호 접속 조립체를 도시한 도면.
도7은 본 발명에 따른 상호 접속 조립체의 또 다른 예를 도시한 도면.
도8a는 본 발명에 따른 상호 접속 조립체의 또 다른 실시예의 예를 도시한 도면.
도8b는 본 발명에 따른 정지 구조물의 또 다른 예를 도시한 도면.
도9a는 층이 본 발명에 따른 정지 구조물의 제조에 이용될 수 있는 다이(집적 회로)용 층을 도시한 도면.
도9b는 도9a의 층의 선9b-9b를 통한 단면도.
도9c는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 상의 도9a 및 도9b의 층의 이용법을 도시한 도면.
도9d는 본 발명에 따른 집적 회로용 정지 구조물의 또 다른 예를 도시한 도면.
도9e는 정지 구조물 각각이 도9d의 정지 구조물과 유사한 몇몇 정지 구조물을 동시에 성형하기 위한 재료 시트의 예를 도시한 도면.
도9f는 접착 패드로부터 팬 아웃되는 접점 요소용 개구를 갖는 정지 구조물의 사시도.
도10a, 도10b 및 도10c는 접점 요소를 석판 성형하기 위한 하나의 방법과 본 발명의 하나의 예에 따른 대응 정지 구조물을 도시한 도면.
도10d는 본 발명의 일예에 따른 석판식으로 형성된 접점 요소, 또 다른 접점 요소 및 정지 구조물 간의 상호 작용을 도시한 단면도.
도10e는 다양한 정지 구조물과 2열의 탄성 접점 요소를 구비한 다이의 평면도.
도10f 내지 도10m은 집적 회로와 같은 기판 상에 탄성 접점 요소와 정지 구조물을 석판 성형하기 위한 방법을 단면도를 통해 도시한 도면.
도11은 벨로우즈 척과 함께 본 발명의 상호 접속 조립체의 이용 방법을 도시한 도면.
도12a는 진공 척과 함께 본 발명의 상호 접속 조립체의 이용 예를 도시한 도면.
도12b는 블래더 척 시스템과 함께 본 발명에 따른 상호 접속 조립체의 이용 예를 도시한 도면.
도13은 본 발명의 일실시예에 따른 회로 소자를 구비한 정지 구조물의 예를 도시한 도면.
도14는 본 발명의 일예에 따라 그 각각이 적어도 하나의 회로 소자를 포함하는 2 개의 정지 구조물을 도시한 도면.
본 발명은 다수의 상호 접속 조립체 및 이들 조립체를 제조 및 이용하기 위한 방법을 제공한다. 본 발명의 하나의 예에서, 상호 접속 조립체는 기판과, 제1 위치로 이동할 수 있는 적어도 일부를 구비한 탄성 접점 요소를 포함한다. 탄성 접점 요소는 기판 상에 배치된다. 기판 상에 또한 배치된 정지 구조물은 탄성 접점 요소가 또 다른 접점 요소와 기계적 및 전기적 접속하는 제1 위치를 한정한다.
대개 이러한 예에서, 또 다른 접점 요소는 또 다른 기판 상에 배치되고, 정지 구조물은 탄성 접점 요소가 또 다른 접점 요소와 기계적 및 전기적 접속할 때 기판과 또 다른 기판 간을 최소한으로 분리시킨다.
본 발명의 또 다른 예에 따라, 상호 접속 조립체는 제1 기판과, 제1 기판 상에 배치된 제1 접점 요소를 포함한다. 정지 구조물은 탄성 접점 요소가 제1 접점 요소와 기계적 및 전기적 접속할 때 제2 기판 상에 배치된 제1 탄성 접점 요소의제1 위치를 한정한다. 대개, 탄성 접점 요소는 탄성 접점 요소가 압축될 때 제1 위치로 이동할 수 있는 적어도 일부를 구비한다.
본 발명은 또한 상호 접속 조립체를 성형하기 위한 방법을 포함한 다양한 방법을 포함한다. 이러한 방법에서, 탄성 접점 요소는 기판 상에 형성된다. 탄성 접점 요소는 제1 위치로 이동할 수 있는 적어도 일부를 구비한다. 정지 구조물은 또한 기판 상에 형성되고, 탄성 접점 요소가 또 다른 접점 요소와 기계적 및 전기적 접속할 때 제1 위치를 한정한다.
본 발명의 방법의 또 다른 예에 따라, 제1 접점 요소는 제1 기판 상에 형성되고 정지 구조물은 또한 제1 기판 상에 형성된다. 정지 구조물은 탄성 접점 요소가 제1 접점 요소와 기계적 및 전기적 접속할 때 탄성 접점 요소의 제1 위치를 한정한다.
다양한 다른 조립체 및 방법은 이하의 도면과 관련하여 아래에 설명된다.
본 발명은 예에 의해 설명되고 첨부 도면의 형상에 한정되지 않고 도면에서 유사 도면부호는 유사 요소들을 나타낸다.
본 발명은 상호 접속 조립체 및 방법에 관한 것이고 특히 집적 회로 상의 접점 요소에 기계적 및 전기적 접속되는 상호 접속 조립체에 관한 것이다. 다음의 설명 및 도면은 본 발명의 설명을 위한 것이지 본 발명을 한정하는 것으로 해석되어서는 안된다. 많은 구체적인 상세한 설명은 본 발명의 전체적인 이해를 제공하도록 설명되어 있다. 그러나, 어떠한 경우에서 잘 알려져 있거나 통상적인 상세한 설명에 대해서는 불필요하게 본 발명을 세부적으로 불명료하지 않도록 하기 위해 설명하지 않기로 한다.
도5a는 그 각각이 기판(102A) 상에 배치되어 있는 8 개의 탄성 접점 요소(110)의 사시도이다. 도5a에 도시된 상호 접속 조립체는 임의의 방법들에 의해 성형될 수 있고, 일예로 탄성 접점 요소들은 와이어 본딩 작업에 의해패드(103)에 기계적으로 고정될 수 있다. 달리, 탄성 접점 요소는 석판 성형될 수 있다. 또한, 다수의 정지 구조물은 기판(102A) 상에 배치된다. 좌측 열의 정지 구조물(105)은 우측 열의 정지 구조물(104)이 이러한 정지면 위로 돌출하는 양과 대개 동일한 소정 양 만큼 기판(102A)의 상부면 위로 돌출한다. 이들 정지 구조물은 탄성 접점 요소들에 발생될 수 있는 압축 또는 만곡의 최대량을 결정 및 제한하도록 설계된다. 각각의 탄성 접점 요소는 탄성 접점 요소가 기판(102A)의 상부면을 향해 수직 방향으로 압축될 때 제1 위치로 이동할 수 있는 적어도 일부를 포함한다. 각각의 정지 구조물은 탄성 접점 요소가 제1 접점 요소와 기계적 및 전기적 접속할 때 제1 위치를 한정하도록 하는 수직으로의 크기를 갖게 된다. 일 실시예에서, 각 멈춤 구조는 기부상의 수직 높이가 통계적으로 합리적으로 존재할 수 있는 최단 탄성 접점 요소의 수직 높이보다 작다. (예를 들면, 멈춤부의 높이는 가능한 탄성 접점 요소들의 높이의 99.9%보다 작다)
도5b는 일렬의 접합 패드(103)가 전개선(103A)에 의해 몇몇의 탄성 접점 요소(110A)에 연결되는 본 발명의 다른 실시예의 사시도이다. 전개선(103A)은 (탄성 접점 요소(110)가 공간 분산 요소들과 접속하도록 다른 길이를 갖는 도5a의 경우에서와 같이) 다른 길이를 갖는 탄성 접점 요소의 사용을 요구하지 않고서 일렬로부터 탄성 접점 요소의 공간 분포를 허용한다. 각 접합 패드(103)는 대응 패드(103B)에 전기적으로 연결되는 대응 전개선(103A)에 전기적으로 연결되고, 각 탄성 접점 요소(110A)는 대응 패드(103B)에 전기 기계적으로 연결된다. 몇몇의 멈춤 구조체(105)는 집적 회로(102B)의 표면에 배치된다.
도6a는 본 발명의 상호 연결 조립체(601)의 예를 도시한 것이다. 상호 연결 조립체(601)는 기부(602)와 기부(603)를 포함한다. 기부(603)는 기부(603)에 부착되어 기부(603)에 배치되는 2개의 접점 요소(604, 605)를 포함한다. 기부(602)는 탄성 접점 요소(608, 609)에 비교적 인접하여 배치될 수 있는 2개의 멈춤 구조체(606, 607)를 포함한다. 이 탄성 접점 요소들은 PCT 공보 WO96/38858호에 기재된 스프링 상호 연결 요소들일 수 있다. 각 탄성 접점 요소는 도6a에 도시된 바와 같이 각 멈춤 구조체의 상부 위로 전형적으로 연장하는 팁 또는 최원거리의 연장부를 포함한다. 예를 들면, 탄성 접점 요소(608)의 팁부(608A)는 탄성 접점 부재(608)의 총 수직 길이가 멈춤 구조체(606)의 총 수직 길이를 초과하도록 멈춤 구조체(606)의 상부위로 연장한다. 멈춤 구조체의 높이는 탄성 접점 요소가 다른 접점 요소와 기계 및 전기적 접속을 할 때 제1 위치를 한정하기 위해 사전에 결정된다. 더욱이, 멈춤 구조체의 높이는 탄성 접점 요소가 접점 요소(604, 605) 등의 다른 접점 요소와 기계 및 전기적으로 접속할 때 기부(602)와 다른 기부(603)의 사이에서의 분리를 한정한다. 더욱이, 이는 기부(602, 603)가 상호 연결 조립체(601A)를 생성하도록 함께 가압되는 도6b에 도시되어 있다. 도6b에서 알 수 있는 바와 같이, 멈춤 구조체(606, 607)는 기부(603)와 기계적 접속을 하며, 특히, 각 멈춤 구조체의 상부면은 기부(603)의 상부면과 기계적으로 인접한다. 이는 탄성 접점 요소(608, 609)의 팁부(608A)와 팁부(609A)가 각각 탄성 접점 요소(604, 605)와 접속할 때 탄성 접점 요소(608, 609)의 팁부(608A, 609A)의 제1 위치를 한정한다.
상호 연결 조립체(601)는 다수의 다른 상황에서 사용될 수 있는 것으로 이해되어야 한다. 예를 들면, 기부(602)는 웨이퍼 탐침기 또는 웨이퍼 시험기에 연결되는 탐침 카드 조립체의 부분일 수 있고, 기부(603)는 반도체 집적 회로 또는 반도체 웨이퍼상의 복수의 집적 회로일 수 있다. 대안으로, 기부(602)는 반도체 집적 회로 또는 웨이퍼상의 복수의 집적 회로의 부분일 수 있다. 이러한 경우에, 탄성 접점 요소는 집적 회로상의 접합 패드 또는 다른 접점 요소들에 전형적으로 연결되며, 멈춤 구조체는 집적 회로의 상부면에 부착될 것이다. 기부(603)는 집적 회로 또는 반도체 웨이퍼상의 복수의 집적 회로를 시험 또는 연소하기 위해 다양한 탄성 접점 요소들과 전기 접속을 하도록 설계되는 탐침 카드 구조의 부분일 수 있다. 대안으로, 기부(603)는 도6a에 도시된 요소(608, 609)등의 탄성 접점 요소들을 통하여 영구적 접속을 하도록 사용되는 패키지 조립체의 부분일 수 있다.
도6c 및 도6d는 직선형(외팔보형) 탄성 접점 요소(608B, 609B)를 사용하는 본 발명의 다른 예를 도시한 것이다. 이 직선형 탄성 접점 요소들은 기부(602)에 고정되고 기부(602)가 기부(603)를 향해 가압될 때 도6d에서 도시된 압축 상태로 구부러진다. 멈춤 구조체(606, 607)는 2개의 기부들의 사이의 분리를 결정하고 대응 패드와 기계 및 전기적 접속을 하게 될 때 각 탄성 접점 요소의 압축량을 결정한다.
도7은 본 발명에 따른 다른 상호 연결 조립체의 예를 도시한 것이다. 도7의 상호 연결 조립체(621)는 기부(622)와 기부(623)를 포함한다. 2개의 탄성 접점 요소(628, 629)는 기부(623)의 각 접점 요소(624, 625)와 접속하기 위해 기부(622)의표면에 부착된다. 2개의 멈춤 구조체(626, 627)는 또한 기부(623)에 부착되고 대응 접점 요소(624, 625)에 비교적 인접하여 부착된다. 기부(622)와 기부(623)가 서로 가압될 때, 탄성 접점 요소(628)는 멈춤 구조체의 높이에 의해 결정된 위치로 구부러질 것이다. 한 특정 실시예에서, 멈춤 구조체의 높이는 대략 5 내지 40 mil(0.13 내지 1.02 mm)일 수 있고, 압축 전의 탄성 접점 요소의 높이는 대략 45 mil(1.14 mm)일 수 있다. 압축 전의 탄성 접점 요소의 높이에 대한 멈춤 구조체의 특정 높이는 압축 전 다양한 탄성 접점 요소들의 팁부의 평탄성을 조정하기 위한 능력에 부분적으로 의존한다. 이 평탄성이 매우 큰 정밀도로 조절될 수 있으면, 다음에 멈춤 구조체의 높이는 압축전 탄성 접점 요소의 높이보다 약간 작을 수 있다. 한편, 소형화된 멈춤 구조체는 탄성 접점 요소를 특정 높이로 형성하는 데에 큰 허용 오차를 제공한다. 멈춤 구조체의 높이는 전형적으로 150 mil 보다 작고 바람직하게는 40 mil(1.02 mm)보다 작다.
본 발명은 동일 또는 다른 기판에 배치되는 다수 또는 소수의 탄성 접점 요소와 다수의 멈춤 구조체로 사용될 수 있다. 본 발명는 멈춤 구조체 및 탄성 접점 요소를 갖는 단일 IC나 각 IC가 적어도 하나의 멈춤 구조체 및 탄성 접점 요소를 포함하는 반도체 웨이퍼상의 IC들로 사용될 수 있다. 각 탄성 접점 요소는 대응 멈춤 구조체(예를 들면, 도5b의 포스트형 멈춤 구조체)를 가질 수 있거나, 하나의 멈춤 구조체는 (도9d에 도시된 바와 같이) 몇몇의 탄성 접점 요소들에 의해 분할될 수 있다. 더욱이, 접점 요소 및 탄성 접점 요소는 다양한 회로 요소에 연결되어, 이들 회로 요소가 피시험 직접 회로나 탐침 카드 회로나 패키지된 직접 회로를 포함하는 최종 조립 시스템으로 사용되는 회로에 배치되는 것으로 이해하여야 한다.
도8a는 본 발명에 따른 상호 연결 조립체의 다른 예를 도시한 것이다. 상호 연결 조립체(801)는 2개의 멈춤 구조체(805, 806)에 부착되는 기부(802)를 포함한다. 또한, 기부(802)에는 2개의 탄성 접점 요소(803, 804)가 부착된다. 기판(802)은 일체형 회로의 일부일 수도 있고 또는 프로브 카드 조립체의 일부 또는 다른 시험 혹은 번인 장치일 수 있음이 이해될 수 있다. 도8a에 도시된 바와 같은 각각의 정지 구조물은 접착층 및 접착층 상에 배치된 커버링을 포함한다. 정지 구조물(806)은 정지 구조물의 상면에 배치된 접착층(807)을 포함하고, 커버링(809)은 접착제(807) 상에 배치된다. 이러한 커버링은 접착제로부터 박리로부터 벗겨지거나 제거될 수 있는 포일 또는 플라스틱과 같은 층일 수 있다. 유사하게, 정지 구조물(805)은 접착층(808) 및 커버링 층(810)을 포함한다. 커버링은 접착제를 노출시키도록 벗겨질 수 있고, 그 다음에 접착제는 다른 기판과 같은 다른 대상물 상에 조립체(801)의 나머지뿐만 아니라 정지 구조물을 부착시키는데 사용될 수 있다. 예를 들어, 기판(802)은 구성 요소들이 기계적 및 전기적 접속을 이루도록 집적 회로의 본딩 패드가 탄성 접점 요소들과 결합하도록 집적 회로(도시안됨)에 부착될 수 있다. 기판(802)은 정지 구조물 상의 접착제가 집적 회로의 상면과 접촉되도록 정지 구조물의 상면에 커버링을 제거함으로써 그리고 기판(802)을 집적 회로를 향해 가압함으로써 집적 회로의 상면에 부착될 수 있다. 따라서, 정지 구조물의 상면 위의 접착층은 기판(802)을 집적 회로에 접착시키고 탄성 접점 요소가 집적 회로 상의 대응 본딩 패드 또는 다른 접점 요소와 기계적 및 전기적접촉되게 한다. 이 방식으로, 집적 회로용 패키지는 기판(802) 및 그 대응 구조물 및 집적 회로 사이에 형성될 수 있다. 이 실시예에서, 기판(802)은 기판(802) 및 기판에 부착된 집적 회로에 의해 형성된 패키지 조립체의 외측에 다른 전기 성분들에 대한 상호 접속부를 허용하도록 다양한 탄성 접점 요소로부터 다른 접속 지점을 향한 상호 접속부를 포함한다.
도8a의 상호 접속 조립체의 또 다른 사용은 기판(802) 자체가 집적 회로인 경우를 포함할 수 있고, 접속에 필요한 다른 접점 요소들뿐만 아니라 탄성 접점 요소(803, 804)들은 집적 회로 상의 다양한 본딩 패드 또는 다른 접점 요소들에 부착된다. 정지 구조물은 도8a에 도시된 바와 같은 집적 회로의 상면에 부착될 수 있다. 접착층 위의 커버링이 제거된 후에, 집적 회로는 이 실시예에서 기판(802) 내의 집적 회로의 요소들과 또 다른 기판을 통한 다양한 외부 전기 부품들 사이에 전기 접속을 이루도록 또 다른 배선 기판에 대해 가압될 수 있다. 이러한 또 다른 기판은 프로브 카드 조립체 또는 번인 조립체의 일부일 수 있고 "외부" 환경에 대한 상호 접속부를 포함하는 최종 집적 회로 패키지의 일부일 수 있다.
도8b는 접착층이 정지 구조물(822)의 상부 및 하부층에 접착되는 정지 구조물(821)의 또 다른 실시예를 도시한다. 접착층(824)은 정지 구조물(822)의 상면에 형성되고, 제거 가능한 커버링(826)은 이 접착제 상에 배치된다. 또 다른 접착층(823)은 정지 구조물(822)의 하부면에 형성되고 커버링(825)에 의해 덮여진다. 이러한 정지 구조물은 복수의 정지 구조물을 기판 상에 형성하도록 시트 또는 필름으로 형성될 수 있고 기판에 부착될 수 있다. 이것은 도9a, 도9b 및 도9c와관련하여 설명된다.
도9a에 도시된 층(903)은 시트 또는 필름 내의 2개의 개구 열을 구비한다. 이러한 개구들은 도9c에 도시된 바와 같은 적어도 하나의 탄성 접점 요소를 둘러싸도록 설계된다. 도9a는 시트 또는 필름 내에 형성된 4개의 개구(905, 907, 909, 911)를 도시한다. 층(903)은 도9a에 도시된 이 실시예에서 집적 회로의 반도체 웨이퍼(902) 상에 끼워맞춤되도록 설계된 시트의 일부이다. 층(903)은 예를 들어 폴리이미드 재료를 포함하는 다수의 가능한 재료 중 어느 것으로부터 형성될 수 있다. 개구는 층(903) 내로 에칭 또는 펀칭 또는 절단될 수 있다. 이러한 개구들은 반도체 웨이퍼(또는 다른 형태의 기판 상의 접점 요소)의 집적 회로 상의 접속 회로용의 개구들을 형성하도록 층 내에 형성된다. 또 다른 실시예에서, 층(903)은 단일 집적 회로에 부착되고 덮고 따라서 웨이퍼 상에 복수의 집적 회로를 덮지 않도록 설계될 수 있음이 이해될 수 있다. 도9a에 도시된 라인(9b-9b)은 도9b에 도시된 단면의 층(903)의 단면을 도시한다.
층(903)은 도9c에 도시된 바와 같은 기판(915)에 부착된다. 개구(905, 907)는 접점 요소(912, 911)와 같은 접점 요소를 위한 것이다. 도9c는 접점 요소(912)와 같은 일부 접점 요소들이 탄성 접점 요소를 포함하지 않고, 접점 요소(911)와 같은 다른 접점 요소는 탄성 접점 요소를 포함하는 하이브리드 구성을 도시한다. 그러한 하이브리드 구성은 본 발명의 범주 내에 있을 지라도 그다지 양호하지는 않음이 이해될 것이다. 기판(915)은 복수의 집적 회로를 포함하는 반도체 웨이퍼일 수 있고 단일 집적 회로일 수 있으며 프로브 카드 조립체 또는 번인 시험 조립체의접속 또는 상호접속 구조물일 수 있다. 층(903)은 층(903)과 기판(915)의 인접면 사이에 접착제를 사용하여 기판(915)에 부착될 수 있다. 이 경우에, 층(903)은 2개의 인접면 사이에 접착제에 의해 기판(915)에 부착되어 형성된 시트 재료일 수 있다. 또는, 층(903)은 기판(195) 상에 사진 석판술로 형성될 수 있다. 이 경우에, 층(903)은 정지 구조물을 형성하는 경도로 패턴화 및 경화되는 음 포토레지스트로부터 형성될 수 있다. 층(903)은 도8a 및 도8b의 정지 구조물이 그러한 접착제를 포함하는 동일한 방식으로 그 상면 위에 접착제를 포함할 수도 있다. 기판(915)에 형성된 바와 같은 층(903)은 접점 요소(912)를 둘러싸는 정지 구조물(916)과 같이 본 발명에 따른 정지 구조물을 제공함이 이해될 것이다.
또한, 집적 회로가 환경 조건(즉, 습도)으로부터 보호되도록 층(903)에 의해 덮여지는 집적 회로를 기밀 밀봉하는데 사용될 수 있음이 이해될 것이다. 예를 들어, 층(903)의 하부는 집적 회로에 부착식으로 고정되고 집적 회로 상에 사진 석판술로 형성되면, 층(903)의 상부는 집적 회로를 기밀 밀봉하는 커버와 같은 기판에 접착식으로 부착 또는 고정될 수 있다.
도9d는 일부 탄성 접점 요소들을 둘러싸는 정지 구조물의 또 다른 예를 도시하는 평면도이다. 특히, 도9d는 일부 탄성 접점 요소(923)를 둘러싸는 외주 정지 구조물(922)을 갖는 집적 회로(921)를 도시한다. 이러한 외주 정지 구조물(922)은 집적 회로(921)의 상면에 고정되는 시트로부터 형성될 수 있고 또는 집적 회로(921) 상에 적소에 (예를 들어 사진 석판술로) 형성될 수 있다. 정지 구조물(922)의 상면은 커버 또는 다른 패키지에 정지 구조물(922)을 고정하는데 사용되는 접착제로 코팅될 수 있다.
도9e는 상호 접속 재료의 웨브(936)에 의해 함께 보유되는 일부 외주 정지 구조물(932, 933, 934, 935)을 포함하는 시트(931)의 일예를 도시한다. 시트는 폴리이미드 재료 또는 에폭시 재료 또는 다른 재료로 형성될 수 있다. 시트(931)는 웨이퍼 상의 수 개의 IC의 각각에 주변 정지 구조물을 동시에 배치하도록 IC 웨이퍼 상에 인가될 수 있다. 시트(931)는 접착제에 의해 웨이퍼에 고정될 수 있다. 시트(931)가 웨이퍼 상의 각각의 IC를 위한 정지 구조물을 포함할 수 있음을 알아야 한다. 시트(931)가 웨이퍼에 인가된 후에, 웨브(936)는 통상적으로 각각의 IC가 웨이퍼로부터 절단되는 정상적인 단일화 공정에서 절단된다. 단일화 이후에, 각각의 IC는 도9d에 도시된 바와 같이 주변 정지 구조물을 포함할 것이다.
도9f는 본 발명의 다른 예를 사시도로서 도시한다. 본 예에서, 시트(953)가 IC(또는 스페이스 트랜스포머 또는 다른 구조물)일 수 있는 기판(952)의 상부면에 인가된다. 시트(953)는 시트(953)에 절단되거나 다른 방법에 의해 형성될 수 있는 개구(956, 963) 등의 개구를 포함한다. 개구는 전개형 패드(fan-out pads)와 정렬되는데, 예컨대 시트(953) 내의 개구(956)는 전개형 패드(956A)의 적어도 일부분 상에 개구를 제공하도록 전개형 패드(956A)의 적어도 일부분 상에서 정렬된다. 마찬가지로, 개구(953)는 이러한 전개형 패드 상에 개구를 제공하도록 전개형 패드(963A)의 적어도 일부분 상에서 정렬된다. 요소(957 또는 964) 등의 탄성 접점 요소는 트레이스(955 또는 962)에 전기 연결된 대응하는 전개형 트레이스에 기계적 및 전기적으로 연결된다. 각각의 전개형 트레이스는 패드(954 또는 961) 등의 대응하는 패드를 대응하는 전개형 패드에 전기적으로 연결한다. 따라서, 탄성 접점 요소는 패드(954, 961) 등의 일직선 열의 패드들을 위한 분산된 원격 전기 접속부를 제공한다. 탄성 접점 요소 둘레의 각각의 개구는 탄성 접점 요소를 둘러싸는 정지 구조물을 제공한다. 도9f의 다른 실시예에서, 시트(953)가 기판(952)의 상부면 상의 제위치에 형성된 층(예컨대, (실리콘 이산화물 등의) 포토레지스트 또는 절연 재료로 형성된 패턴 형성 층)으로 대체될 수 있음을 알 수 있다.
도10a, 도10b 및 도10c는 탄성 접점 요소 및 대응하는 정지 구조물 모두를 석판술로 생성하는 방법을 도시한다. 도10a에 도시된 공정은, 접점 요소를 갖는 다른 기판 상에도 사용될 수 있지만, 기판(1001)이 접점 요소(1002)(예컨대, 접합 패드)가 상부에 배치된 반도체 웨이퍼라고 가정한다. 도10a 및 도10b는 접점 요소(1002)를 통해 취해진 단면도를 도시하며, 이러한 접점 요소는 기판(1001)에 형성된 집적 회로의 도시되지 않은 다른 회로 소자와 전기 접속을 이룬다는 것을 알 수 있다. 기판(1001)의 상부면에 도금층 또는 도금 표면(100)이 인가되고, 도금 표면(1000)은 기판(1001) 상에 전도성 금속의 스퍼터링에 의해 인가될 수 있다. 이러한 도금 표면(1000)은 후속의 전기 도금 공정에서 전극으로서 사용된다. 레지스트 층(1003)이 도금 표면(1000) 상에 형성되고 패터닝되어 레지스트 층 내의 개구가 접점 요소(1002) 상에 있도록 한다. 그리고 나서, 도10a에 도시된 바와 같이 제1 금속 층(1004)이 레지스트(1003)의 개구 내의 접점 요소(1002)(및 도금 표면(1000)) 상에 그리고 레지스트(1003)의 일부분 상에 퇴적되어 패터닝된다. 그리고 나서, 금속 층(1004) 위에 도금된 금속 층(1005)을 형성하도록 전기 도금 작업이 사용된다. 이어서, 탄성 접점 요소를 남기는 상태로 레지스트(1003) 및 도금 표면(100)이 벗겨지고, 탄성 접점 요소 부근에 정지 구조물(1003A)이 형성된다. 레지스트(1003A) 내의 정지 구조물을 위한 패턴을 생성하기 위하여 마스크가 사용될 수 있으며, 그리고 나서 레지스트(1003A)가 에칭되어 도10b에 도시된 정지 구조물(1003A)을 남기게 된다. 도10c는 도10b의 탄성 접점 요소 및 대응하는 정지 구조물의 평면도를 도시한다.
도10b의 탄성 접점 요소는 나머지의 도금 표면(1000)에 부착된 기부로부터 가장 멀리 떨어진 범위에서 통상적으로 압축성이고 가요성을 갖는다. 따라서, 탄성 접점 요소의 (낮은 높이로의) 휘어짐은 기부로부터 수직으로 상승하여 있는 요소의 부분에서는 통상적으로 발생하지 않는다. 결과적으로, 이러한 탄성 접점 요소를 위한 정지 구조물은 (이러한 요소들을 형성하는 공차로 인해 이러한 요소들의 높이 범위를 고려하여) 모든 가능한 탄성 접점 요소보다 높은 높이를 가져야 한다. 탄성 접점 요소들을 석판술로 형성하는 여러 방법이 함께 출원 중인 1998년 2월 26일자 미국 특허 출원 제09/032,473호 및 1997년 11월 20일자 공개된 국제공보 제WO97/43654호를 포함하여 본 양수인의 수 개의 출원에 기재되어 있다. 이들 여러 방법은 정지 구조물을 갖는 석판술로 형성된 탄성 접점 요소를 생성하도록 본 발명과 함께 사용될 수 있다.
도10d는 석판술로 형성된 탄성 접점 요소와 다른 기판(1021) 상의 접점 요소(1023) 사이의 상호 접속의 예를 도시한다. 정지 구조물(1003A)은 2개의 구조물이 함께 가압된 때 기판(1001)과 기판(1021) 사이의 분리를 형성하는 크기(탄성접점 요소 이상의 높이)로 되어 있고, 이러한 분리는 탄성 접점 요소의 가장 먼 범위의 점선 표시부(1025)에 의해 도시된 탄성 접점 요소의 휘어짐 양을 결정한다. 탄성 접점 요소는 기판(1001, 1021)이 정지 구조물(1003A)의 높이에 의해 한정된 지점까지 함께 가압된 때 탄성 접점 요소와 기계적 및 전기적으로 접속된 접점 요소(1023)에 의해 이 지점까지 휘어지게 된다.
도10e는 두 종류의 정지 구조물들이 기판(1031) 상에 사용되는 본 발명의 예를 도시한다. 일렬의 지주형 정지 구조물(1034, 1035) 및 지주형 정지 구조물이 기판(1031) 상에 형성되거나 부착된다. 몇몇 경계형 정지 구조물(1037, 1038, 1039, 1040, 1041)이 기판(1031) 상에 형성되거나 부착된다. 통상적으로, 모든 이들 정지 구조물은 기판(1031)의 상부면 위에서 동일한 높이를 갖는다. 2열의 탄성 접점 요소(1032, 1033)가 기판(1031) 상에 배치된다.
탄성 접점 요소를 석판술로 형성하는 다른 방법이 도10f 내지 도10m에 도시되어 있다. 본 방법에 따르면, 탄성 접점 요소는 전개형 패드 또는 전개형 트레이스 상에 형성되어서, 도5b에 도시된 조립체와 유사한 조립체를 생성한다. 본 방법은 다른 기판 상의 다른 접점 요소와 전기적으로 접속할 수 있는 탄성 접점 요소와 접점 요소(1046) 사이의 전기 접속을 이룰 것이다. 접점 요소(1046)는 도시되지 않은 다른 회로 요소와 전기 접속을 이루고 기판(1045)은 IC의 일부, 또는 시험 또는 상호 접속 조립체(예컨대, 인터포저, 스페이스 트랜스포머 또는 탐침 카드)의 일부일 수 있다. 도10g에 도시된 바와 같이, 기판(1045)의 상부면 상에 (예컨대 블랭킷 금속을 스퍼터링함으로써) 도금 층(1047)(예컨대, 블랭킷 금속)이 형성되어, 이러한 상부면을 피복하고 접점 요소(1046)와 전기 접속을 이룬다. 도금 층(1047)의 일부분 상에서 포토레지스트 층(1048) 내에 개구를 남기도록 포토레지스트 층이 퇴적되어 패터닝되며, 다른 금속 층(1049)이 도금 층(1047) 상에 금속을 도금함으로써 형성된다. 도10h는 생성된 구조물을 도시한다. 도10i에 도시된 바와 같이 재료 층(1049) 상에서 개구를 갖는 현상된 포토레지스트 층(1050)을 생성하도록 다른 포토레지스트 층이 퇴적되어 패터닝된다. 이어서, 스퍼터링 마스크(1052)가 금속 층(1051)을 현상된 포토레지스트 층(1050)의 일부 및 금속 층(1049)의 노출된 부분으로 선택적으로 스퍼터링하는 데에 사용된다. 최종 구조( 및 대응 스퍼터링 마스크)가 도10j에 도시된다. 다른 금속 층(1053)이 금속 층(1051)으로 도금되어 도10k에 도시된 구조가 된다. 이어서, 포토레지스트 층은 제거(strip)되고 층(1049)에 의해 보호되지 않는 도금 층(1047)의 부분들은 도금 층(1047)의 이러한 모든 부분들을 제거하기 위해 선택적으로 에칭되어 도10l에 도시된 구조가 된다. 정지 구조(1055)와 팁(1054)은 도10m에 도시된 바와 같이 기판(1045) 및 탄성 접점 요소에 각각 가해질 수 있다.
도11은 본 발명의 상호 연결 조립체를 사용하기 위한 기술을 도시한다. 이 상호 연결부(1101)는 벨로즈 구조(1103)에 의해 지지되는 반도체 웨이퍼(1111) 위에 배치된 척(chuck) 구조(1117)를 구비한다. 벨로즈 구조(1103)는 팽창가능한 벨로즈(1105)와 흡기 및 배기 포트(1107A, 1107B)를 갖는다. 이러한 벨로즈 구조의 사용시, 물(1106)과 같은 유체가 벨로즈 구조(1103)를 통과하여 배출된다. 얇은 강막(steel membrane)은 웨이퍼(1111)의 상부 표면을 정지 구조(1121, 1123)에 대해 가압하도록 웨이퍼의 후방에 대해 균일한 압력을 가하도록 사용될 수 있고, 이럼으로써 웨이퍼 상의 스프링(또는 다른 탄성 접점 요소)과 기판 상의 접점 요소(1117) 사이에 전기적 접속을 향상시킨다. 이러한 균일한 압력은 웨이퍼(1111)의 상부 표면과 같은 접경 표면과 정지 구조(1121) 및 접점 요소(1125, 1127)를 지지하는 표면 사이의 평탄도의 변동을 통상 극복하게 한다. 또한, 이러한 얇은 강막(1109)은 막(1109)의 상부에 배치된 반도체 웨이퍼(1111)로 또는 이로부터의 열 전달을 가능하게 한다. 물(1106)과 같은 유체는 막(1109)을 웨이퍼(1111)의 후측과 직접 접속하게 하도록 가압하에 벨로즈 구조 내로 유입될 수도 있다.
이러한 유체는 웨이퍼의 온도를 제어하거나 영향을 받도록 가열 또는 냉각된다. 예를 들면, 번인 시험(burn-in test)에 있어서, 이 유체는 가열되어 웨이퍼의 온도를 상승시키고 이어서 몇 사이클에 걸쳐 냉각될 수도 있다. 척(1117)은 접점 요소(1125, 1127)에 각각 인접한 정지 구조(1121, 1123)를 구비한다. 유체와 웨이퍼(1111) 사이의 열 전달 효율을 향상시키기 위해 막(1109)과 웨이퍼(1111)의 후방 사이에 열 전달 층을 위치시키는 것이 바람직할 수도 있다. 접점 요소(1125, 1127)는 웨이퍼(1111) 상의 접점 요소(1115, 1113)와 탄성 접속하도록 설계된다. 도11에 도시된 것보다 더 많은 탄성 접점 요소들과 접점 요소들이 있다는 것을 알 수 있다. 척(1117)은 접점 요소(1125, 1127)를 통해 테스터(tester)와 반도체 웨이퍼 사이에서의 동력, 신호 등의 연결을 가능하게 하는 테스터에 탄성 접점 요소(1115, 1113)를 연결시키기 위해 배선 또는 다른 상호 연결부를 구비한다.척(1117)은 벨로즈(1105)의 팽창에 의해 웨이퍼(1111)가 척(1117)에 대해 가압될 수 있도록 포스트(1118)에 의해 정위치에 유지되고, 선택적으로는 척(1117)은 척(1117)의 상부를 후방 판과 접촉시켜 이로써 덮이게 하는 클램셀(clamshell)형 지지부에 의해 가압 및 유지될 수도 있고, 벨로즈(1105)의 측면 및 하부를 또한 둘러쌀 수도 있다.
도12a는 본 발명에 따른 상호 연결 조립체(1201)의 다른 예를 도시한다. 이 경우에, 척(1203)은 반도체 장치(1204)의 웨이퍼를 지지한다. 이 웨이퍼는 배선 기판(1206) 상의 탄성 접점 요소에 대해 접촉하도록 설계 및 배치된 접점 요소(1210A)와 같은 복수의 접점 요소를 포함한다. 탄성 접점 요소(1207, 1209, 1210)는 탄성 요소의 다른 예이고, 이 경우에 이들은 일반적으로 직선의 외팔보 구조를 갖는다. 정지 구조(1214, 1216, 1218)는 배선 기판(1206) 및 웨이퍼(1204) 사이에 간격을 형성하도록 설계된다. 배선 기판(1206) 내의 진공 포트(1212)는 진공이 배선 기판(1206)과 척(1203) 사이의 공간에 형성되게 한다. O-링 밀봉부(1205)는 진공이 배선 기판(1206)과 척(1203) 사이에 형성되는 것을 보장한다. 진공이 형성될 때, 배선 기판(1206)은 다양한 탄성 접점 요소들과 웨이퍼 상의 대응 접점 요소들 사이의 접속이 이루어지도록 웨이퍼(1204)를 향해 하향 가압된다.
도12b는 본 발명에 의한 상호 연결 조립체(1251)의 다른 예를 도시한다. 이 경우에, 압력 블래더(1255)는 배선 기판(1254)이 웨이퍼(1253)와 접촉하게 한다. 클램프(1255A)는 기판(1254)의 블래더를 가압하기 위해 사용된다. 웨이퍼(1253)는척(1252)의 상부에 위치하고, 도12b에 도시된 접점 요소(1257A)와 같은 복수의 접점 요소를 구비한다. 블래더(1255)가 배선 기판(1254)을 가압하여 웨이퍼(1253)와 접촉함에 따라, 정지 구조(1258, 1259, 1260)는 웨이퍼(1253)의 상부 표면과 접촉하게 된다. 이러한 접촉은 배선 기판(1254)과 반도체 웨이퍼(1253) 사이의 간격을 형성한다. 이러한 접촉이 발생할 때, 탄성 접점 요소(1257)는 웨이퍼(1253) 상의 대응 접점 요소들과 기계적 및 전기적으로 접속된다.
도13은 기판(1302)의 집적 회로 내의 회로 소자와 결합되는 회로 요소, 이 경우에는 커패시터를 내장하는 정지 구조(1310)를 구비한 상호 연결 조립체(1301)의 예를 도시한다. 정지 구조(1310)는 탄성 접점 요소(1304, 1305)가 기판(1302) 내의 대응 접점 요소(1306, 1307)와 기계적 및 전기적으로 접속될 때 기판(1302)과 기판(1303) 사이에 최소한의 수직 간격을 형성하도록 설계된다. 접점 요소(1307, 1306)는 집적 회로를 제조하는 데에 사용되는 종래의 유전체 재료일 수도 있는 절연 재료(1308) 내에 보유된다. 정지 구조(1310) 및 기판(1302)을 따라 취한 단면도인 도13에는 기판(1302)의 집적 회로 내의 다양한 다른 회로 요소에 대한 상호 연결부가 도시되지 않는다는 것을 알 수 있다. 정지 구조(1310)는 몇몇 유전체 층과 금속 층일 수도 있는 몇몇 도전성 층을 구비한 다중 층이다. 도13에 도시된 예에 있어서, 금속 (또는 다른 도전성) 층(1314, 1318)은 커패시터를 형성하기 위해 절연 층(1316)에 의해 분리된다. 절연 층(1316, 1322) 뿐만 아니라 금속 층(1314, 1318)은 절연 층(1312) 내에 둘러싸인다. 정지 구조(1310) 그 자체는 둘러싸는 절연 층(1312)에 의해 완전히 덮이는 포스트, 원통 또는 다른 형태(예컨대, 직사각형, 임의의 형태, 지그재그로 연결된 직사각형)와 유사할 수도 있다. 이러한 절연 층은 폴리이미드 재료, 실리콘 디옥사이드 또는 다른 절연체일 수도 있다. 금속 층(1318)은 일 실시예에서 납땜 볼(1321)에 의해 기판(1302) 내의 포스트 또는 다른 접점 요소(1320)에 전기적으로 결합된다. 금속 층(1314)은 기판(1302) 내로 연장하는 포스트 구조(1314A)에 의해 결합된다. 이러한 방법으로, 정지 구조(1310) 내의 커패시터는 기판(1302) 내의 회로 요소에 전기적으로 결합된다. 커패시터와 같은 전기 요소를 포함하도록 정지 구조물(1310)을 제조하는 데 사용될 수 있는 많은 공지 기술이 있다는 것을 알 수 있다. 일 예로서, 포스트 구조물(1314A, 1320)이 기판(1302)에 형성될 수 있다. 그 후, 납땜 볼(1321)과 같은 납땜 볼을 위한 개구를 허용하도록 유전성 층(1322)이 형성되어 패터닝될 수 있다. 또는, 금속 층(1318)이 전체 표면에 스퍼터링되어, 절연 층(1322)의 개구를 충전할 수 있다. 그 후, 금속 층(1318)이 도13에서 도시된 형태로 패터닝되고, 다른 절연 층이 금속 층(1318) 위에 적층된다. 그 후, 이러한 절연 층은 절연 층(1316)을 형성하도록 패터닝되고, 그 후 다른 금속 층이 표면에 적층되어 금속 층(1314)을 형성하도록 패터닝된다. 마지막으로, 절연 층 또는 다른 산화 피막 층이 가해져 절연 층(1312)을 형성하도록 패터닝되어 정지 구조물(1310)의 형성을 완료한다.
도14는 상호접속 조립체의 다른 예를 도시한다. 이러한 상호접속 조립체(1401)는, 기판(1402)의 전기 회로 요소에 결합되는 회로 요소를 각각 포함하는 두 개의 정지 구조물(1404, 1405)을 포함한다. 기판(1402)은 탄성 접점 요소(1403)에 기계적으로 그리고 전기적으로 결합되는 포스트 또는 다른 접점요소(1403A)를 또한 포함한다.
정지 구조물(1404)은 기판(1402)의 접지 버스 또는 다른 회로에 결합되는 접지 실드(1411)를 포함한다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어, 회로 요소는 접지 실드 또는 접지 면을 포함한다. 따라서, 정지 구조물은 도14에서 도시된 본 발명에 따른 접지 실드를 포함할 수도 있다. 정지 구조물(1414)은 기판(1402)의 적어도 하나의 회로 요소에 전기 결합된 도전성 판(1413, 1415)을 갖는 커패시터를 또한 포함한다.
정지 구조물(1405)은 기판(1402)의 접지 회로에 전기 결합된 접지 실드(1421)를 또한 포함한다. 정지 구조물(1405)은 기판(1402)의 적어도 하나의 회로 요소에 전기 결합되는 도전성 판(1427, 1429)에 의해 형성된 커패시터를 또한 포함한다. 또한, 정지 구조물(1405)은 정지 구조물의 외부의 전기 부품에 또는 정지 구조물 내의 전기 부품에 정지 구조물을 통해 버스될 수 있는 Vss및 Vss와 같은 기준 전압을 제공하는 도전성 요소(1423, 1425)를 포함한다.
또한, 도13 및 도14의 조립체에 관련된 특징은, 이고르 와이. 칸드로스, 데이비드 브이. 페더슨, 벤자민 엔. 엘드리지, 리차드 에스. 로이 및 개탄 마티에우에 의한 미국 출원과 동일자에 출원되어 함께 계류중인 미국 특허 출원에서 알 수 있다.
상술된 설명은 본 발명의 예시적인 예이며 본 발명의 상호접속 조립체를 형성하는 데 사용될 수 있는 여러 가지 재질 또는 방법의 한정적인 리스트를 제공하는 것은 아니라는 점을 알아야 한다. 예를 들어, 폴리이미드 재질이 본 발명의 정지 구조물을 형성하도록 사용될 수 있지만, 높은 종횡비(aspect ratio)를 발생시킬 수 있으며 포토레지스트 SU8과 같은 기계적인 요소로서 위치에 경화되어 남겨질 수 있는 포토 레지스트를 포함하는 다른 재질이 사용될 수 도 있다. 또는, 충전-경화된 에폭시 시트 또는 중합체 재질 또는 임의의 재질이 정지 구조물을 형성하기 위한 재질로서 사용될 수도 있다. 즉, 시험 및/또는 번인 환경 및 예상되는 사용 환경을 포함하여 구조물이 노출되는 소정의 온도에서 안정된 임의의 재질로부터 정지 구조물이 형성될 수 있다. 본 발명에 따른 정지 구조물은, 보다 낮은 높이의 정지 구조물도 본 발명의 범위 내에 있지만, 약 80미크론의 최소 높이를 가질 것이다.
상기 명세서에서, 특정 예시적인 실시예를 참조하여 본 발명이 설명되었다. 그러나, 첨부된 특허 청구의 범위에서 기술된 본 발명의 보다 넓은 범위 및 정신으로부터 벗어나지 않고 실시예에 여러 가지 변형 및 변경이 이루어 질 수 있을 것이다. 따라서, 명세서 및 도면은 한정적이 아닌 예시적인 의미로 간주되어야 할 것이다.

Claims (57)

  1. 기판과,
    상기 기판 상에 배치되어 적어도 일부분이 다른 접점 요소와 기계적인 그리고 전기적인 접속 상태에 있는 제1 위치로 이동 가능한 탄성 접점 요소와,
    상기 기판 상에 배치되어 상기 제1 위치를 한정하는 정지 구조물과,
    상기 정지 구조물 내부에 배치된 회로 요소를 포함하는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다른 접점 요소는 다른 기판 상에 배치되며, 상기 정지 구조물은 상기 탄성 접점 요소가 상기 다른 접점 요소와 기계적인 그리고 전기적인 접속 상태에 있을 때 상기 기판과 상기 다른 기판 사이의 분리부를 한정하는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 정지 구조물은 상기 기판 상의 탄성 접점 요소에 인접 배치되는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  4. 제2항에 있어서, 상기 탄성 접점 요소는 스프링 구조물인 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  5. 제2항에 있어서, 상기 정지 구조물은 접착 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  6. 제5항에 있어서, 상기 접착 층은 상기 다른 기판에 접착하기 위한 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  7. 제2항에 있어서, 상기 기판 및 다른 기판은 상기 기판과 다른 기판 사이에 발생된 진공에 의해 서로를 향해 압박되는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  8. 제2항에 있어서, 상기 기판 및 다른 기판은 가압된 블래더 또는 벨로우즈 중 하나에 의해 서로를 향해 압박되며, 상기 블래더 또는 벨로우즈 내의 유체는 상기 기판 및 다른 기판 중 적어도 하나의 온도를 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  9. 제2항에 있어서, 상기 상호접속 조립체는 탐침 카드 조립체의 일부인 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  10. 제2항에 있어서, 상기 상호접속 조립체는 웨이퍼 수평 시험 조립체의 일부인 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  11. 제2항에 있어서, 상기 정지 구조물은 사진석판술로 형성된 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  12. 제2항에 있어서, 상기 정지 구조물은 a) 포토레지스트 재질, b) 에폭시 재질, c) 전기이동 에폭시로 피막된 재질, 또는 d) 중합체 재질 중 하나로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  13. 제2항에 있어서, 상기 정지 구조물은 개구가 존재하는 시트 재질로부터 형성되며, 상기 탄성 접점 요소는 상기 개구 내에 배치되는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  14. 제13항에 있어서, 다수의 탄성 접점 요소가 상기 기판 상에 배치된 시트 재질의 개구에 대응하여 상기 기판 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  15. 제14항에 있어서, 상기 시트 재질은 접착 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  16. 제1 기판과,
    상기 제1 기판 상에 배치된 제1 접점 요소와,
    상기 제1 기판 상에 배치된 정지 구조물과,
    상기 정지 구조물 내부에 배치된 회로 요소를 포함하며,
    상기 정지 구조물은 탄성 요소의 제1 위치를 한정하고, 상기 탄성 접점 요소가 제1 접점 요소에 기계 및 전기적으로 접속되도록 된 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  17. 제16항에 있어서, 상기 탄성 접점 요소가 제2 기판 상에 배치되고, 상기 탄성 접점 요소는 압축되었을 때 적어도 그 일부분이 제1 위치로 이동할 수 있는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  18. 제17항에 있어서, 상기 정지 구조물이 제1 접점 요소에 근접하게 인접하여 배치된 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  19. 제17항에 있어서, 상기 탄성 접점 요소가 스프링 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  20. 제17항에 있어서, 상기 정지 구조물이 접착제 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  21. 제20항에 있어서, 상기 접착제 층이 상기 또 다른 기판에 결합되기 위한 것임을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  22. 제17항에 있어서, 상기 제1 기판 및 제2 기판이 이들 사이에 발생된 진공에 의해 서로를 향해 가압되는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  23. 제17항에 있어서, 상기 제1 기판 및 제2 기판이 가압 블래더 또는 벨로우즈에 의해 서로를 향해 가압되고, 상기 블래더 또는 벨로우즈 내의 유체는 제1 기판 및 제2 기판중 적어도 하나에서의 온도를 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  24. 제17항에 있어서, 상기 상호접속 조립체가 프로브 카드 조립체의 일부인 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  25. 제17항에 있어서, 상기 상호접속 조립체가 웨이퍼 레벨 시험 조립체의 일부인 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  26. 제17항에 있어서, 상기 정지 구조물이 석판술에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  27. 제17항에 있어서, 상기 정지 구조물이 포토레지스트 재료, 에폭시 재료, 전기영동 에폭시로 코팅된 금속 또는 중합체 재료중 하나로부터 형성된 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  28. 제17항에 있어서, 상기 정지 구조물은, 개구가 존재하고 상기 제1 접점 요소가 상기 개구 내에 배치되도록 된 시트 재료로부터 형성된 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  29. 제28항에 있어서, 다수의 제1 접점 요소가 상기 기판 상에 배치되어 있는 시트 재료의 대응 개구의 제1 기판 상에 배치된 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  30. 제29항에 있어서, 상기 시트 재료가 접착제 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  31. 제2항에 있어서, 상기 기판이 반도체 집적회로인 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  32. 제17항에 있어서, 상기 제1 기판이 반도체 집적회로인 것을 특징으로 하는 상호접속 조립체.
  33. 기판 상에 정지 구조물을 형성하는 방법이고,
    시트에 다수의 개구를 형성하는 단계와,
    상기 시트를 기판에 도포하는 단계와,
    상기 다수의 개구에 대응하는 위치에서 상기 기판 상에 다수의 접점 요소를 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 시트는 상기 정지 구조물인 상기 개구중 적어도 하나의 개구 주위에 배치된 적어도 하나의 구역을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제33항에 있어서, 상기 정지 구조물은 또 다른 기판 상의 탄성 접점 요소의 제1 위치를 한정하고, 상기 탄성 접점 요소는 상기 개구중 적어도 하나의 개구에 있는 접점 요소중 하나에 기계 및 전기적으로 접속되도록 된 것을 특징으로 하는 방법.
  35. 제33항에 있어서, 각각의 상기 접점 요소는 상기 기판 상에 배치되고 제1 위치로 이동할 수 있는 탄성 접점 요소를 포함하고, 상기 정지 구조물은 제1 위치를 한정하고, 여기서 상기 탄성 접점 요소는 또 다른 기판 상의 또 다른 접점 요소에 기계 및 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 방법.
  36. 제33항에 있어서, 상기 기판이 반도체 집적회로의 웨이퍼이고, 상기 시트가 상기 웨이퍼 상에 끼워지는 것을 특징으로 하는 방법.
  37. 제33항에 있어서, 상기 시트가 폴리이미드 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  38. 제33항에 있어서, 상기 시트에 접착제 층을 도포하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  39. 제33항에 있어서, 상기 다수의 개구는 시트를 기판에 도포하기 전에 형성되고, 상기 다수의 접점은 시트가 기판에 도포되기 전에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  40. 제33항에 있어서, 상기 다수의 접점은 시트를 기판에 도포한 후에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  41. 상호접속 조립체를 형성하는 방법이고,
    제1 위치로 이동할 수 있는 적어도 일부분을 갖고 기판 상에 형성되는 탄성 접점 부재를 형성하는 단계와,
    탄성 접점 요소가 또 다른 탄성 접점 요소에 기계 및 전기적으로 접속되도록 된 제1 위치를 한정하는 정지 구조물을 상기 기판 상에 형성하는 단계와,
    상기 정지 구조물 내부에 회로 요소를 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  42. 제41항에 있어서, 상기 또 다른 접점 요소가 또 다른 기판 상에 배치되는 것을 특징으로 하는 방법.
  43. 제41항에 있어서, 상기 정지 구조물이 상기 탄성 접점 부재에 근접하게 인접하여 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  44. 제41항에 있어서, 상기 탄성 접점 부재가 스프링 구조물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  45. 제42항에 있어서, 상기 기판과 상기 또 다른 기판을 함께 가압하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  46. 제41항에 있어서, 상기 정지 구조물이 석판술에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  47. 상호접속 조립체를 형성하는 방법이고,
    제1 기판 상에 제1 접점 요소를 형성하는 단계와,
    탄성 접점 요소가 또 다른 탄성 접점 요소에 기계 및 전기적으로 접속되도록 된 탄성 접점 요소의 제1 위치를 한정하는 정지 구조물을 상기 제1 기판 상에 형성하는 단계와,
    상기 정지 구조물 내부에 회로 요소를 배치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  48. 제47항에 있어서, 상기 탄성 접점 요소가 제2 기판 상에 배치된 것을 특징으로 하는 방법.
  49. 제47항에 있어서, 상기 정지 구조물이 제1 접점 요소에 근접하게 인접하여 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  50. 제48항에 있어서, 상기 제1 기판과 제2 기판을 함께 가압하는 단계를 더 포함하고, 상기 정지 구조물이 제1 기판과 제2 기판 사이에 최소의 간격을 형성하고, 상기 탄성 접점이 제1 접점 요소에 기계 및 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 방법.
  51. 반도체 다이스 상에 정지 구조물을 형성하는 방법이고,
    상기 반도체 다이스를 포함하는 반도체 웨이퍼에 시트를 제공하는 단계와,
    상기 각각의 다이스 상에 적어도 하나의 제1 접점 요소를 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 제1 접점 요소는 상기 다이스에 대하여 제1 높이를 갖고, 상기 시트는 상기 다이스에 대하여 제2 높이를 갖고, 상기 시트는 상기 다이스와 다른 기판 사이에서 존재할 수 있는 최소 간격을 한정하고, 상기 다른 기판은 상기 최소 간격이 존재할 때 상기 제1 접점 요소에 기계 및 전기적으로 접속되는 제2 접점 요소를 갖는 것을 특징으로 하는 방법.
  52. 제51항에 있어서, 상기 시트는 주연 정지 구조물인 것을 특징으로 하는 방법.
  53. 제51항에 있어서, 상기 제1 접점 요소는 탄성 접점 요소이고, 상기 제1 높이는 제2 높이보다 높은 것을 특징으로 하는 방법.
  54. 제51항에 있어서, 상기 제2 접점 요소는 탄성 접점 요소이고, 상기 제1 높이는 제2 높이보다 낮은 것을 특징으로 하는 방법.
  55. 제51항에 있어서, 상기 시트는 이를 상기 반도체 웨이퍼에 고정하는 접착제 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  56. 제51항에 있어서, 상기 시트는 상기 각각의 다이스의 일부분만 덮는 것을 특징으로 하는 방법.
  57. 제51항에 있어서, 상기 웨이퍼를 개별적인 다이스로 단일화시키는 단계와,
    상기 다이스 중 하나와 상기 다른 기판이 상기 최소 간격으로 이격되도록 이들을 함께 가압하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
KR10-2001-7000547A 1998-07-13 1999-01-04 인쇄 회로 기판용 상호접속 조립체 및 그 제조 방법 KR100423683B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/114,586 1998-07-13
US09/114,586 US6705876B2 (en) 1998-07-13 1998-07-13 Electrical interconnect assemblies and methods

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010074710A KR20010074710A (ko) 2001-08-09
KR100423683B1 true KR100423683B1 (ko) 2004-03-22

Family

ID=22356165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-7000547A KR100423683B1 (ko) 1998-07-13 1999-01-04 인쇄 회로 기판용 상호접속 조립체 및 그 제조 방법

Country Status (9)

Country Link
US (4) US6705876B2 (ko)
EP (2) EP1583406A3 (ko)
JP (2) JP3949377B2 (ko)
KR (1) KR100423683B1 (ko)
CN (1) CN1203739C (ko)
AU (1) AU2107299A (ko)
DE (1) DE69926241T2 (ko)
TW (1) TW404033B (ko)
WO (1) WO2000003569A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100854617B1 (ko) 2005-07-20 2008-08-27 알프스 덴키 가부시키가이샤 접속 소자 및 상기 접속 소자를 사용한 회로 접속 장치

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6705876B2 (en) * 1998-07-13 2004-03-16 Formfactor, Inc. Electrical interconnect assemblies and methods
US7435108B1 (en) * 1999-07-30 2008-10-14 Formfactor, Inc. Variable width resilient conductive contact structures
US6468098B1 (en) * 1999-08-17 2002-10-22 Formfactor, Inc. Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure
US6827584B2 (en) * 1999-12-28 2004-12-07 Formfactor, Inc. Interconnect for microelectronic structures with enhanced spring characteristics
US6640432B1 (en) * 2000-04-12 2003-11-04 Formfactor, Inc. Method of fabricating shaped springs
US7458816B1 (en) 2000-04-12 2008-12-02 Formfactor, Inc. Shaped spring
JP4509437B2 (ja) * 2000-09-11 2010-07-21 Ｈｏｙａ株式会社 多層配線基板の製造方法
US7396236B2 (en) 2001-03-16 2008-07-08 Formfactor, Inc. Wafer level interposer
US6627980B2 (en) 2001-04-12 2003-09-30 Formfactor, Inc. Stacked semiconductor device assembly with microelectronic spring contacts
DE10143790B4 (de) * 2001-09-06 2007-08-02 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil mit wenigstens einem Halbleiterchip
US6759311B2 (en) 2001-10-31 2004-07-06 Formfactor, Inc. Fan out of interconnect elements attached to semiconductor wafer
US7385821B1 (en) 2001-12-06 2008-06-10 Apple Inc. Cooling method for ICS
US20060006888A1 (en) * 2003-02-04 2006-01-12 Microfabrica Inc. Electrochemically fabricated microprobes
US7273812B2 (en) * 2002-05-07 2007-09-25 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US7531077B2 (en) 2003-02-04 2009-05-12 Microfabrica Inc. Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures
US7363705B2 (en) * 2003-02-04 2008-04-29 Microfabrica, Inc. Method of making a contact
US7265565B2 (en) * 2003-02-04 2007-09-04 Microfabrica Inc. Cantilever microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes
US20060051948A1 (en) * 2003-02-04 2006-03-09 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US20050104609A1 (en) * 2003-02-04 2005-05-19 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US20060238209A1 (en) * 2002-05-07 2006-10-26 Microfabrica Inc. Vertical microprobes for contacting electronic components and method for making such probes
US7412767B2 (en) * 2003-02-04 2008-08-19 Microfabrica, Inc. Microprobe tips and methods for making
US20060053625A1 (en) * 2002-05-07 2006-03-16 Microfabrica Inc. Microprobe tips and methods for making
US7640651B2 (en) * 2003-12-31 2010-01-05 Microfabrica Inc. Fabrication process for co-fabricating multilayer probe array and a space transformer
US20050184748A1 (en) * 2003-02-04 2005-08-25 Microfabrica Inc. Pin-type probes for contacting electronic circuits and methods for making such probes
US7723210B2 (en) * 2002-11-08 2010-05-25 Amkor Technology, Inc. Direct-write wafer level chip scale package
US6905914B1 (en) 2002-11-08 2005-06-14 Amkor Technology, Inc. Wafer level package and fabrication method
US7084650B2 (en) * 2002-12-16 2006-08-01 Formfactor, Inc. Apparatus and method for limiting over travel in a probe card assembly
US8088158B2 (en) * 2002-12-20 2012-01-03 Boston Scientific Scimed, Inc. Radiopaque ePTFE medical devices
US20080157793A1 (en) * 2003-02-04 2008-07-03 Microfabrica Inc. Vertical Microprobes for Contacting Electronic Components and Method for Making Such Probes
US10416192B2 (en) 2003-02-04 2019-09-17 Microfabrica Inc. Cantilever microprobes for contacting electronic components
US7567089B2 (en) * 2003-02-04 2009-07-28 Microfabrica Inc. Two-part microprobes for contacting electronic components and methods for making such probes
US20080211524A1 (en) * 2003-02-04 2008-09-04 Microfabrica Inc. Electrochemically Fabricated Microprobes
US8613846B2 (en) * 2003-02-04 2013-12-24 Microfabrica Inc. Multi-layer, multi-material fabrication methods for producing micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
US9244101B2 (en) * 2003-02-04 2016-01-26 University Of Southern California Electrochemical fabrication process for forming multilayer multimaterial microprobe structures
TW579104U (en) * 2003-04-09 2004-03-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Electrical connector
US9671429B2 (en) 2003-05-07 2017-06-06 University Of Southern California Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
TWM249244U (en) * 2003-07-18 2004-11-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Electrical connector
US7345350B2 (en) 2003-09-23 2008-03-18 Micron Technology, Inc. Process and integration scheme for fabricating conductive components, through-vias and semiconductor components including conductive through-wafer vias
US10641792B2 (en) 2003-12-31 2020-05-05 University Of Southern California Multi-layer, multi-material micro-scale and millimeter-scale devices with enhanced electrical and/or mechanical properties
US20080108221A1 (en) * 2003-12-31 2008-05-08 Microfabrica Inc. Microprobe Tips and Methods for Making
JP4592292B2 (ja) * 2004-01-16 2010-12-01 株式会社日本マイクロニクス 電気的接続装置
US7282932B2 (en) * 2004-03-02 2007-10-16 Micron Technology, Inc. Compliant contact pin assembly, card system and methods thereof
US7128580B2 (en) * 2004-04-09 2006-10-31 Hon Hai Precision Ind. Co., Ltd. Socket connector with supporting housing protrusions
TWM267656U (en) * 2004-08-20 2005-06-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Land grid array electrical connector
US7053644B1 (en) * 2004-12-15 2006-05-30 Aehr Test Systems System for testing and burning in of integrated circuits
US7442049B2 (en) * 2005-02-09 2008-10-28 International Business Machines Corporation Electrical connecting device and method of forming same
WO2006093704A1 (en) * 2005-03-01 2006-09-08 Sv Probe Pte Ltd. Probe card with stacked substrate
JP2006261565A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Alps Electric Co Ltd 電子機能部品実装体及びその製造方法
JP2006261566A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Alps Electric Co Ltd 電子部品用ホルダ及び電子部品用保持シート、これらを用いた電子モジュール、電子モジュールの積層体、電子モジュールの製造方法並びに検査方法
JP4036872B2 (ja) * 2005-05-18 2008-01-23 アルプス電気株式会社 半導体装置の製造方法
US7572681B1 (en) 2005-12-08 2009-08-11 Amkor Technology, Inc. Embedded electronic component package
US7382143B2 (en) * 2006-05-18 2008-06-03 Centipede Systems, Inc. Wafer probe interconnect system
US7902660B1 (en) 2006-05-24 2011-03-08 Amkor Technology, Inc. Substrate for semiconductor device and manufacturing method thereof
US7442045B1 (en) * 2007-08-17 2008-10-28 Centipede Systems, Inc. Miniature electrical ball and tube socket with self-capturing multiple-contact-point coupling
JP2009192309A (ja) * 2008-02-13 2009-08-27 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体検査装置
US7936177B2 (en) * 2008-03-07 2011-05-03 Formfactor, Inc. Providing an electrically conductive wall structure adjacent a contact structure of an electronic device
US20100188825A1 (en) * 2009-01-28 2010-07-29 Honeywell International Inc. Apparatus for isolating multiple circuit boards from vibration
US8796561B1 (en) 2009-10-05 2014-08-05 Amkor Technology, Inc. Fan out build up substrate stackable package and method
US8937381B1 (en) 2009-12-03 2015-01-20 Amkor Technology, Inc. Thin stackable package and method
US9691734B1 (en) 2009-12-07 2017-06-27 Amkor Technology, Inc. Method of forming a plurality of electronic component packages
US8324511B1 (en) 2010-04-06 2012-12-04 Amkor Technology, Inc. Through via nub reveal method and structure
US8294276B1 (en) 2010-05-27 2012-10-23 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and fabricating method thereof
US8440554B1 (en) 2010-08-02 2013-05-14 Amkor Technology, Inc. Through via connected backside embedded circuit features structure and method
US8487445B1 (en) 2010-10-05 2013-07-16 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device having through electrodes protruding from dielectric layer
US8791501B1 (en) 2010-12-03 2014-07-29 Amkor Technology, Inc. Integrated passive device structure and method
US8390130B1 (en) 2011-01-06 2013-03-05 Amkor Technology, Inc. Through via recessed reveal structure and method
DE102011109808B4 (de) 2011-08-08 2022-09-22 Volkswagen Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer Bauteilverbindung durch Elementreibschweißen
US8552548B1 (en) 2011-11-29 2013-10-08 Amkor Technology, Inc. Conductive pad on protruding through electrode semiconductor device
US9048298B1 (en) 2012-03-29 2015-06-02 Amkor Technology, Inc. Backside warpage control structure and fabrication method
US9129943B1 (en) 2012-03-29 2015-09-08 Amkor Technology, Inc. Embedded component package and fabrication method
JP2013080938A (ja) * 2012-11-26 2013-05-02 Japan Electronic Materials Corp 半導体検査装置
JP6500258B2 (ja) * 2015-06-12 2019-04-17 北川工業株式会社 接触部材
US9876307B2 (en) 2015-09-03 2018-01-23 Apple Inc. Surface connector with silicone spring member
US9899757B2 (en) * 2015-09-03 2018-02-20 Apple Inc. Surface connector with silicone spring member
US9801269B1 (en) * 2016-05-10 2017-10-24 Northrop Grumman Systems Corporation Resilient miniature integrated electrical connector
CN109313217B (zh) * 2016-06-09 2021-06-25 日本电产理德股份有限公司 检查辅助具及检查装置及探针
DE102017002150A1 (de) * 2017-03-06 2018-09-06 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Elektrisches Kontaktelement
US11262383B1 (en) 2018-09-26 2022-03-01 Microfabrica Inc. Probes having improved mechanical and/or electrical properties for making contact between electronic circuit elements and methods for making

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2680284A1 (fr) * 1991-08-09 1993-02-12 Thomson Csf Dispositif de connexion a tres faible pas et procede de fabrication.

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US923327A (en) * 1908-10-17 1909-06-01 Frank A Champlin Electrical-connection rosette.
US4205588A (en) * 1958-06-10 1980-06-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method and material for fuze render safe procedure
US3193793A (en) * 1963-03-14 1965-07-06 Kenneth W Plunkett Electronic connector
US3290636A (en) * 1963-09-30 1966-12-06 Northern Electric Co Thin-film circuit connector
US3573617A (en) * 1967-10-27 1971-04-06 Aai Corp Method and apparatus for testing packaged integrated circuits
US3936930A (en) * 1972-07-10 1976-02-10 Rca Corporation Method of making electrical connections for liquid crystal cells
US3842189A (en) * 1973-01-08 1974-10-15 Rca Corp Contact array and method of making the same
US3794953A (en) * 1973-01-22 1974-02-26 Security Instr Inc Electrical terminal for conductive foil
US4029375A (en) * 1976-06-14 1977-06-14 Electronic Engineering Company Of California Miniature electrical connector
US4209745A (en) * 1978-06-12 1980-06-24 Everett/Charles, Inc. Interchangeable test head for loaded test member
US4239312A (en) * 1978-11-29 1980-12-16 Hughes Aircraft Company Parallel interconnect for planar arrays
US4202588A (en) * 1978-11-29 1980-05-13 Technical Wire Products Electrical connector and support means therefor
US4352061A (en) * 1979-05-24 1982-09-28 Fairchild Camera & Instrument Corp. Universal test fixture employing interchangeable wired personalizers
JPS56116282A (en) * 1980-02-19 1981-09-11 Sharp Kk Electronic part with plural terminals
US4403272A (en) * 1980-06-02 1983-09-06 Oak Industries Inc. Membrane switch interconnect tail and printed circuit board connection
US4428633A (en) * 1982-03-01 1984-01-31 Amp Incorporated Dual-in-line socket assembly
JPS5987842A (ja) * 1982-11-10 1984-05-21 Toshiba Corp Ｉｃ／ｌｓｉソケツト
US4553192A (en) * 1983-08-25 1985-11-12 International Business Machines Corporation High density planar interconnected integrated circuit package
US4615573A (en) * 1983-10-28 1986-10-07 Honeywell Inc. Spring finger interconnect for IC chip carrier
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US6043563A (en) 1997-05-06 2000-03-28 Formfactor, Inc. Electronic components with terminals and spring contact elements extending from areas which are remote from the terminals
US5476211A (en) 1993-11-16 1995-12-19 Form Factor, Inc. Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member
US6330164B1 (en) * 1985-10-18 2001-12-11 Formfactor, Inc. Interconnect assemblies and methods including ancillary electronic component connected in immediate proximity of semiconductor device
US5829128A (en) * 1993-11-16 1998-11-03 Formfactor, Inc. Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices
US4770641A (en) * 1986-03-31 1988-09-13 Amp Incorporated Conductive gel interconnection apparatus
US4988306A (en) * 1989-05-16 1991-01-29 Labinal Components And Systems, Inc. Low-loss electrical interconnects
US5264268B1 (en) * 1986-07-15 1998-12-22 Mcneil Ppc Inc Sanitary napkin with composite cover
US4813129A (en) 1987-06-19 1989-03-21 Hewlett-Packard Company Interconnect structure for PC boards and integrated circuits
JPS6447090A (en) * 1987-08-18 1989-02-21 Seiko Epson Corp Circuit board
JPS6447090U (ko) 1987-09-17 1989-03-23
JPH01313969A (ja) * 1988-06-13 1989-12-19 Hitachi Ltd 半導体装置
US4871316A (en) * 1988-10-17 1989-10-03 Microelectronics And Computer Technology Corporation Printed wire connector
US5366380A (en) * 1989-06-13 1994-11-22 General Datacomm, Inc. Spring biased tapered contact elements for electrical connectors and integrated circuit packages
US5030109A (en) * 1990-08-24 1991-07-09 Amp Incorporated Area array connector for substrates
US5136238A (en) * 1990-11-26 1992-08-04 Electro-Fix, Inc. Test fixture with diaphragm board with one or more internal grounded layers
US5172050A (en) 1991-02-15 1992-12-15 Motorola, Inc. Micromachined semiconductor probe card
JPH0564784A (ja) 1991-09-04 1993-03-19 Easy Net:Kk 電極式水処理装置
DE4135887A1 (de) * 1991-10-31 1993-05-06 Wolfram Dr. 4040 Neuss De Seiler Vorrichtung zum abtauen von kaeltetrocknern unter 0(grad) c
US5199889A (en) * 1991-11-12 1993-04-06 Jem Tech Leadless grid array socket
US5309324A (en) * 1991-11-26 1994-05-03 Herandez Jorge M Device for interconnecting integrated circuit packages to circuit boards
US5252916A (en) * 1992-01-27 1993-10-12 Everett Charles Technologies, Inc. Pneumatic test fixture with springless test probes
US5338208A (en) * 1992-02-04 1994-08-16 International Business Machines Corporation High density electronic connector and method of assembly
JPH0669663A (ja) 1992-08-18 1994-03-11 Sony Corp コンデンサ内蔵多層基板
EP0615131A1 (en) 1993-03-10 1994-09-14 Co-Operative Facility For Aging Tester Development Prober for semiconductor integrated circuit element wafer
US5373231A (en) 1993-06-10 1994-12-13 G. G. B. Industries, Inc. Integrated circuit probing apparatus including a capacitor bypass structure
JP3293334B2 (ja) * 1993-08-25 2002-06-17 セイコーエプソン株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2963828B2 (ja) 1993-09-24 1999-10-18 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置
US5573172A (en) * 1993-11-08 1996-11-12 Sawtek, Inc. Surface mount stress relief hidden lead package device and method
JP3400051B2 (ja) * 1993-11-10 2003-04-28 ザ ウィタカー コーポレーション 異方性導電膜、その製造方法及びそれを使用するコネクタ
US6482013B2 (en) 1993-11-16 2002-11-19 Formfactor, Inc. Microelectronic spring contact element and electronic component having a plurality of spring contact elements
US5974662A (en) 1993-11-16 1999-11-02 Formfactor, Inc. Method of planarizing tips of probe elements of a probe card assembly
WO1996015458A1 (en) 1994-11-15 1996-05-23 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of using same
US5772451A (en) 1993-11-16 1998-06-30 Form Factor, Inc. Sockets for electronic components and methods of connecting to electronic components
US5475317A (en) * 1993-12-23 1995-12-12 Epi Technologies, Inc. Singulated bare die tester and method of performing forced temperature electrical tests and burn-in
US5495667A (en) * 1994-11-07 1996-03-05 Micron Technology, Inc. Method for forming contact pins for semiconductor dice and interconnects
KR100335166B1 (ko) 1994-11-15 2002-05-04 이고르 와이. 칸드로스 반도체 장치를 실행시키는 방법
US5633535A (en) * 1995-01-27 1997-05-27 Chao; Clinton C. Spacing control in electronic device assemblies
JP2876106B2 (ja) * 1995-01-31 1999-03-31 タバイエスペック株式会社 バーンイン用複合体及び複合体使用バーンイン装置
US5773986A (en) * 1995-04-03 1998-06-30 Motorola, Inc Semiconductor wafer contact system and method for contacting a semiconductor wafer
WO1997016866A2 (en) 1995-05-26 1997-05-09 Formfactor, Inc. Chip interconnection carrier and methods of mounting spring contacts to semiconductor devices
JP3608795B2 (ja) 1995-05-26 2005-01-12 フォームファクター，インコーポレイテッド より大きな基板にばね接触子を定置させるための接触子担体（タイル）
JP2799973B2 (ja) 1995-07-06 1998-09-21 日本電子材料株式会社 垂直作動式プローブカード
US5869961A (en) * 1995-07-31 1999-02-09 Spinner; Howard D. Smart IC-test receptacle having holes adapted for mounting capacitors arranged adjacent to pin positions
JPH0945740A (ja) 1995-08-01 1997-02-14 Nippon Steel Corp 半導体基板の評価方法及びそれに用いるチェック用ボード
JP2002509604A (ja) 1996-05-17 2002-03-26 フォームファクター，インコーポレイテッド マイクロエレクトロニクス相互接続要素のための接触チップ構造及びその製造方法
WO1998001906A1 (en) 1996-07-05 1998-01-15 Formfactor, Inc. Floating lateral support for ends of elongate interconnection elements
JPH10125857A (ja) 1996-10-18 1998-05-15 Fuji Electric Co Ltd コンデンサ内蔵基板およびその基板を用いた電子装置
US5952840A (en) * 1996-12-31 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Apparatus for testing semiconductor wafers
US6072323A (en) * 1997-03-03 2000-06-06 Micron Technology, Inc. Temporary package, and method system for testing semiconductor dice having backside electrodes
US6224396B1 (en) * 1997-07-23 2001-05-01 International Business Machines Corporation Compliant, surface-mountable interposer
US6114240A (en) * 1997-12-18 2000-09-05 Micron Technology, Inc. Method for fabricating semiconductor components using focused laser beam
US6664628B2 (en) * 1998-07-13 2003-12-16 Formfactor, Inc. Electronic component overlapping dice of unsingulated semiconductor wafer
US6705876B2 (en) 1998-07-13 2004-03-16 Formfactor, Inc. Electrical interconnect assemblies and methods
US6694941B2 (en) * 2001-08-24 2004-02-24 Kioritz Corporation Starter
US7084650B2 (en) 2002-12-16 2006-08-01 Formfactor, Inc. Apparatus and method for limiting over travel in a probe card assembly

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2680284A1 (fr) * 1991-08-09 1993-02-12 Thomson Csf Dispositif de connexion a tres faible pas et procede de fabrication.

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100854617B1 (ko) 2005-07-20 2008-08-27 알프스 덴키 가부시키가이샤 접속 소자 및 상기 접속 소자를 사용한 회로 접속 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US6948941B2 (en) 2005-09-27
CN1203739C (zh) 2005-05-25
US7618281B2 (en) 2009-11-17
EP1097617A1 (en) 2001-05-09
JP4389209B2 (ja) 2009-12-24
EP1097617B1 (en) 2005-07-20
TW404033B (en) 2000-09-01
DE69926241D1 (de) 2005-08-25
DE69926241T2 (de) 2006-04-20
US20010012704A1 (en) 2001-08-09
EP1583406A2 (en) 2005-10-05
US20070123082A1 (en) 2007-05-31
AU2107299A (en) 2000-02-01
US7169646B2 (en) 2007-01-30
US20040127074A1 (en) 2004-07-01
WO2000003569A1 (en) 2000-01-20
JP2002520864A (ja) 2002-07-09
EP1583406A3 (en) 2009-09-23
US6705876B2 (en) 2004-03-16
JP2004251910A (ja) 2004-09-09
US20060024988A1 (en) 2006-02-02
CN1317224A (zh) 2001-10-10
KR20010074710A (ko) 2001-08-09
JP3949377B2 (ja) 2007-07-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100423683B1 (ko) 인쇄 회로 기판용 상호접속 조립체 및 그 제조 방법
EP0752587B1 (en) Electrical connection structure
US7459795B2 (en) Method to build a wirebond probe card in a many at a time fashion
KR100760782B1 (ko) 세그멘트형 접촉자
EP2319129A1 (en) Test contact system for testing integrated circuits with packages having an array of signal and power contacts
EP0901695A1 (en) Connectors for microelectronic elements
US5977784A (en) Method of performing an operation on an integrated circuit
KR100707044B1 (ko) 집적회로 웨이퍼 프로브카드 조립체의 구조물 및 그 제조방법
EP0298219A2 (en) Method and apparatus for testing unpackaged integrated circuits in a hybrid circuit environment
KR102309675B1 (ko) 필름 형태의 프로브카드
JPH06313788A (ja) 半導体チップテスト用ソケット
JP3051599B2 (ja) 半導体チップテスト用ソケット
KR200265544Y1 (ko) 실리콘 러버를 이용한 반도체 패키지 테스트 소켓
JP2000147005A (ja) コンタクトユニット及び電気的接続装置
JPH0783076B2 (ja) 半導体チップテスト用ソケット

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110225

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee