JP2009192309A - 半導体検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 被測定物である半導体装置に形成された電極パッドと電気的に接続される接触子と、前記接触子が設けられた基板と、を有する半導体検査装置であって、前記接触子は、前記基板の主面に対して斜めに設けられていることを特徴とする。
【選択図】 図3
Description
図3は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体検査装置10を例示する正面図である。図4は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体検査装置10を例示する左側面図である。図5は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体検査装置10におけるプローブ40の配列を例示する底面図である。図6は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体検査装置10を例示する断面図である。
図17は、本発明の第2の実施の形態に係る半導体検査装置70を例示する左側面図である。本発明の第2の実施の形態に係る半導体検査装置70を例示する平面図及び断面図、本発明の第2の実施の形態に係る半導体検査装置70におけるプローブ75の配列を例示する底面図は、本発明の第1の実施の形態に係る半導体検査装置10における図3、図5、図6と同一であるため、図及びその説明は省略する。
図18は、本発明の第3の実施の形態に係る半導体検査装置80を例示する断面図である。図18を参照するに、本発明の第3の実施の形態に係る半導体検査装置80は、第1の実施の形態に係る半導体検査装置10の中継基板30の下面に、プローブ位置決め部85が追加された以外は、半導体検査装置10と同様に構成される。図19は、半導体検査装置80におけるプローブ40及びプローブ位置決め部85のみを例示する底面図である。
図20は、本発明の第4の実施の形態に係る半導体検査装置90を例示する断面図である。図20を参照するに、本発明の第4の実施の形態に係る半導体検査装置90は、第1の実施の形態に係る半導体検査装置10のプローブ40の代わりにプローブ95が形成されている以外は、半導体検査装置10と同様に構成される。
20,101 支持基板
21,31,41 母基板
21a 母基板21の下面
21b 母基板21の上面
22,32,42,76,96,104c 絶縁層
23a,23b,33,43,77,104d 配線
24 スルーホール
30,102 中継基板
31a 母基板31の下面
40,75,95,104 プローブ
41a 母基板41の下面
41b 母基板41の側面
50 ボンディングワイヤ
51 スペーサ
52 封止部
53 接続ケーブル
58,108 半導体装置
59,104g,109 電極パッド
60 シリコン基板
61 V溝部
62 角溝部
85 プローブ位置決め部
85a,85b 貫通穴
97 抵抗体
103 接続端子
104a プローブ形成基板
104b グランド層
104e プローブ104の突起部
104f プローブ104の片持ち梁部
L1〜L3 長さ
T1〜T5 厚さ
W1 幅
θ1,2 角度
Claims (10)
- 被測定物である半導体装置に形成された電極パッドと電気的に接続される接触子と、前記接触子が設けられた基板と、を有する半導体検査装置であって、
前記接触子は、前記基板の主面に対して斜めに設けられていることを特徴とする半導体検査装置。 - 前記接触子は、前記基板の主面に行列状に複数個設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体検査装置。
- 前記接触子は、一行分又は一列分が一体的に形成されていることを特徴とする請求項2記載の半導体検査装置。
- 前記接触子は、シリコン単結晶からなる基板上に絶縁層を介して配線が形成された構造であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一項記載の半導体検査装置。
- 前記配線は、前記基板の主面に形成されている配線とワイヤボンディングにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項4記載の半導体検査装置。
- 更に、前記接触子を挿入する貫通穴が一定の間隔で形成されている接触子位置決め部を有することを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項記載の半導体検査装置。
- 前記貫通穴は、それぞれの前記接触子を分離するように行列状に形成されていることを特徴とする請求項6記載の半導体検査装置。
- 前記貫通穴は、一行分又は一列分の前記接触子を分離するようにスリット状に形成されていることを特徴とする請求項6記載の半導体検査装置。
- 前記接触子位置決め部は、前記基板と前記半導体装置との間隔が、所定の値よりも狭くなることを防止するストッパーとして機能することを特徴とする請求項6乃至8の何れか一項記載の半導体検査装置。
- 更に、前記接触子及び/又は前記基板には、発熱体として機能する抵抗体が設けられていることを特徴とする請求項1乃至9の何れか一項記載の半導体検査装置。
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