JP6189187B2 - プローブカード及びプローブカードの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、プローブカード及びプローブカードの製造方法に関するものである。
従来、半導体装置の製造工程は、半導体チップの電気的特性を検査する検査工程を含む。この検査工程に用いられる検査装置は、ウェハ状態の半導体チップに形成された電極パッドと電気的に接続されるプローブ針（接触端子）を有している。検査装置は、例えば、プローブ針を介して半導体チップに形成された回路に電気信号を供給するとともに、プローブ針を介して同回路から出力される信号を受け取り、この受け取った信号に基づいて回路の動作を検査することにより、半導体チップの良否を判定する。
近年、半導体チップにおいては、素子の高集積化及び処理信号数の増加によって、半導体チップに形成される電極パッドの数が増加（多ピン化）するとともに、電極パッドの狭ピッチ化が進んでいる。従って、個々の電極パッドにプローブ針を精度良く接触させることが難しくなっている。
そこで、接続のための複数の接触端子を基板に形成し、複数の電極パッドに対する接続を一括して行うことが各種提案されている（例えば、特許文献１参照）。例えば、電極パッドと電気的に接続される接触端子が複数形成されたフィルム状の絶縁層を、テスタ等に接続される基板にケースを介して接合したプローブカードが提案されている。このプローブカードでは、ケース内に充填された樹脂層を貫通するリード線を介して、上記接触端子と基板に形成された配線とが電気的に接続されている。
ところが、上記プローブカードでは、複数の接触端子が形成された基板がケースに固定されているため、検査対象物の反りやうねりに追従したプロービングが困難である。すなわち、検査対象物に反りやうねりなどの変形が生じた場合には、検査対象物の電極パッドに接触端子を精度良く接触させることが困難となる。
本発明の一観点によれば、第１絶縁層と、前記第１絶縁層に形成され、前記第１絶縁層の下面から突出する第１接触端子と、前記第１絶縁層の上面に形成され、一端部に前記第１接触端子が接続され、他端部に第１パッドが接続された再配線を有する配線パターンと、中央に空洞部を有するとともに、配線層と層間絶縁層とが交互に複数層積層された構造を有し、前記空洞部内に設けられた前記第１絶縁層と離間して設けられた配線基板と、前記空洞部を充填し、前記第１絶縁層と前記配線基板とを支持する第２絶縁層と、前記第２絶縁層内に設けられ、前記第１接触端子と前記配線層とを電気的に接続する導体ワイヤと、を有し、前記第１パッドには、前記導体ワイヤが接合され、前記第２絶縁層は、前記層間絶縁層よりも弾性率の低い絶縁層である。
本発明の一観点によれば、検査対象物が変形した場合であっても、検査対象物の電極パッドに接触端子を精度良く接触させることができるという効果を奏する。
以下、一実施形態を添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを省略している。
なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを省略している。
（半導体検査装置の構造）
図１（ａ）に示すように、検査対象物７０を検査する半導体検査装置は、テスタ１０と、そのテスタ１０に接続されたプローブカード２０とを有している。
図１（ａ）に示すように、検査対象物７０を検査する半導体検査装置は、テスタ１０と、そのテスタ１０に接続されたプローブカード２０とを有している。
検査対象物７０は、例えば、複数個の半導体チップが形成された１枚の半導体ウェハであって、個々の半導体チップに切断される前の状態（ウェハ状態）のものである。検査対象物７０は、例えば、シリコン基板７１に形成された回路素子（図示略）に接続された複数の電極パッド７０Ｐを有している。また、検査対象物７０には、例えば、パッシベーション膜７２が形成され、電極パッド７０Ｐはパッシベーション膜７２に形成された開口部７２Ｘから露出されている。
図２に示すように、複数の電極パッド７０Ｐは、例えば、平面視でマトリクス状に配置されている。各電極パッド７０Ｐの直径Φ１は、例えば２０μｍ程度とすることができる。また、電極パッド７０ＰのピッチＰ１は、例えば４０μｍ程度とすることができる。
図１（ａ）に示した半導体検査装置では、プローブカード２０と検査対象物７０との間の電気的な接触を通じて、検査対象物７０に対する検査が行われる。プローブカード２０は、検査対象物７０と対向する面（ここでは、下面）に形成された複数の接触端子３３を有している。例えば、本例のプローブカード２０は、測定精度の高い四端子抵抗測定法を用いて検査対象物７０の検査を行うプローブカードである。すなわち、本例のプローブカード２０は、検査対象物７０の１つの電極パッド７０Ｐに対して２つで１組になって接続される接触端子３３を有している。
（プローブカードの構造）
次に、プローブカード２０の構造について説明する。
図１（ａ）に示すように、プローブカード２０は、基板３０と、その基板３０と離間して設けられた配線基板４０と、基板３０と配線基板４０とを電気的に接続する導体ワイヤＷ１と、基板３０の一部及び配線基板４０の一部を被覆し、それら基板３０と配線基板４０とを支持する絶縁層６０とを有している。
次に、プローブカード２０の構造について説明する。
図１（ａ）に示すように、プローブカード２０は、基板３０と、その基板３０と離間して設けられた配線基板４０と、基板３０と配線基板４０とを電気的に接続する導体ワイヤＷ１と、基板３０の一部及び配線基板４０の一部を被覆し、それら基板３０と配線基板４０とを支持する絶縁層６０とを有している。
基板３０は、絶縁層３１と、配線パターン３２と、接触端子３３と、絶縁層３４とを有している。例えば、基板３０の側面及び上面は絶縁層６０によって被覆され、基板３０の下面は絶縁層６０から露出されている。
絶縁層３１は、例えば薄膜状（フィルム状）に形成されている。絶縁層３１の厚さは、例えば３〜１０μｍ程度とすることができる。絶縁層３１の平面形状は、任意の形状とすることができる。絶縁層３１は、例えば平面視略矩形状に形成されている。絶縁層３１の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂やノボラック系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層３１は、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のフィラーを含有していてもよい。なお、絶縁層３１の材料としては、弾性率の比較的低い材料であることが好ましい。例えば、絶縁層３１の材料としては、上記配線基板４０内の層間絶縁層４６〜５０を構成する有機樹脂よりも弾性率の低い低弾性材料であることが好ましい。
絶縁層３１の下面３１Ａは、上記絶縁層６０から露出されている。例えば、絶縁層３１の下面３１Ａは、絶縁層６０の下面６０Ａと略面一に形成されている。さらに、絶縁層３１の下面３１Ａは、例えば、絶縁層６０の下面６０Ａだけではなく、上記配線基板４０の下面（具体的には、層間絶縁層４６の下面４６Ａ）とも略面一に形成されている。
図１（ｂ）に示すように、絶縁層３１には、所要の箇所に、当該絶縁層３１を厚さ方向に貫通して配線パターン３２の下面を露出する貫通孔３１Ｘが形成されている。複数の貫通孔３１Ｘは、検査対象物７０に形成された複数の電極パッド７０Ｐ（図１（ａ）参照）と対応する位置に形成されている。貫通孔３１Ｘの開口径は、例えば５〜７μｍ程度とすることができる。
絶縁層３１の上面３１Ｂには、配線パターン３２が多数形成されている。配線パターン３２の厚さは、例えば５〜２０μｍ程度とすることができる。配線パターン３２の下面の一部には接触端子３３が形成されている。具体的には、貫通孔３１Ｘから露出する配線パターン３２の下面には、接触端子３３が形成されている。例えば、配線パターン３２と接触端子３３とは一体に形成されている。なお、これら配線パターン３２及び接触端子３３は、絶縁層３１によって支持されている。
各接触端子３３は、例えば、貫通孔３１Ｘから露出する配線パターン３２の下面から下方に延びる柱状の接触端子である。本例の各接触端子３３は、貫通孔３１Ｘを充填するとともに、絶縁層３１の下面３１Ａから下方に突出するように形成されている。すなわち、本例の各接触端子３３は、貫通孔３１Ｘを充填するビア配線３３Ａと、絶縁層３１の下面３１Ａから下方に突出する突起部３３Ｂとが一体に形成された構造を有している。このような本例の各接触端子３３は、例えば略円柱状に形成されている。ビア配線３３Ａは、例えば断面視略矩形状に形成されている。また、突起部３３Ｂは、例えば略半球状や略逆円錐台形状（図示の例では、略半球状）に形成されている。
図３に示すように、複数の接触端子３３は、検査対象物７０に形成された複数の電極パッド７０Ｐと対応する位置に形成されている。接触端子３３は、検査工程時に上記電極パッド７０Ｐと接続（接触）される端子である。本例では、１つの電極パッド７０Ｐに対して２つの接触端子３３が接続されるように、各接触端子３３の直径Φ２及び上記２つの接触端子３３の間隔Ｐ２が設定されている。各接触端子３３の直径Φ２は、例えば５〜７μｍ程度とすることができる。また、１つの電極パッド７０Ｐに接続される２つの（同じ組の）接触端子３３の間隔Ｐ２は、異なる電極パッド７０Ｐに接続される２つの接触端子３３（異なる組の隣接する接触端子３３）の間隔Ｐ３よりも短く設定されている。換言すると、１組の例えば、１つの電極パッド７０Ｐに接続される２つの接触端子３３の間隔Ｐ２は５〜６μｍ程度とすることができ、異なる電極パッド７０Ｐに接続される２つの接触端子３３の間隔Ｐ３は８〜１０μｍ程度とすることができる。また、各接触端子３３の高さは、例えば８〜２０μｍ程度とすることができる。例えば、図１（ｂ）に示した各ビア配線３３Ａの高さは３〜１０μｍ程度とすることができ、突起部３３Ｂの高さは５〜１０μｍ程度とすることができる。
ここで、配線パターン３２及び接触端子３３の例としては、例えば金（Ａｕ）層を用いることができる。ここで、上記Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層である。Ａｕ層は、例えば、電解めっき法により形成された金属層（電解めっき金属層）を用いることができる。なお、配線パターン３２及び接触端子３３の下面に、上記Ａｕ層を被覆するシード層（例えば、チタン（Ｔｉ）層とＣｕ層の積層体）を形成するようにしてもよい。
図４に示すように、配線パターン３２の一部は、複数の接触端子３３のうちの一部の接触端子３３（第１接触端子）と接続される接続部３５と、その接続部３５から当該配線パターン３２を平面方向（基板３０の厚さ方向と断面視で直交する方向）に引き回す再配線３６と、再配線３６により引き回された先の端部に形成されたパッド３７とを有している。換言すると、配線パターン３２の一部では、接触端子３３から平面方向に引き回され、その引き回された先にパッド３７が形成されている。これら接続部３５、再配線３６及びパッド３７は一体に形成されている。その一方で、配線パターン３２の他の一部は、複数の接触端子３３のうちの一部の接触端子３３（第２接触端子）の直上に形成されたパッド３８のみを有している。なお、以下の説明及び図面上では、パッド３７及びパッド３８を総称して「パッド３２Ｐ」と示す場合もある。
接続部３５は、接触端子３３の直上に形成されている。接続部３５の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。接続部３５の平面形状は、例えば、直径が上記接触端子３３の直径と同程度の円形状とすることができる。例えば、接続部３５の平面形状は、直径が５〜８μｍ程度の円形状とすることができる。
再配線３６は、一方の端部に接続部３５が形成され、他方の端部にパッド３７が形成されている。再配線３６は、パッド３２Ｐのピッチ（パッド３７のピッチ、及びパッド３７，３８間のピッチ）として所望の距離、つまりワイヤボンディングが可能な距離（例えば、４０μｍ以上）を確保するために、配線パターン３２を平面方向に引き回す配線である。例えば、再配線３６は、接触端子３３（接続部３５）を、その接触端子３３よりも外側の領域に形成されたパッド３７まで他のパッド３７，３８の間を通過するように平面方向に引き回す配線である。なお、再配線３６のライン／スペース（Ｌ／Ｓ）は、例えば５μｍ／５μｍ程度とすることができる。
パッド３７は、ワイヤボンディング用のパッドであり、導体ワイヤＷ１（図１参照）と接合されている。パッド３７の平面形状は、例えば、接続部３５（接触端子３３）の平面形状よりも大きく形成されている。このようなパッド３７の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、パッド３７の平面形状は、直径が２０〜３０μｍ程度の円形状とすることができる。また、パッド３７のピッチは、例えば４０〜５０μｍ程度とすることができる。
一方、パッド３８は、ワイヤボンディング用のパッドであり、導体ワイヤＷ１（図１参照）と接合されている。パッド３８は、接触端子３３（ビア配線３３Ａ）の上面とその周囲の絶縁層３１の上面３１Ｂとを被覆するように形成されている。パッド３８は、その一部が接触端子３３と平面視で重なる位置に形成され、接触端子３３よりも平面形状が大きく形成されている。このようなパッド３８の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさとすることができる。例えば、パッド３８の平面形状は、直径が２０〜３０μｍ程度の円形状とすることができる。また、パッド３８のピッチは、例えば４０μｍ以上となるように設定されている。例えば、図中左右方向におけるパッド３２Ｐ（パッド３７，３８）のピッチは４０μｍ程度に設定され、図中上下方向におけるパッド３２Ｐのピッチは５０μｍ程度に設定されている。
図１（ｂ）に示すように、絶縁層３４は、配線パターン３２の上面の一部と、配線パターン３２から露出する絶縁層３１の上面３１Ｂ全面を被覆するように形成されている。絶縁層３４には、配線パターン３２の一部、具体的にはパッド３２Ｐを露出させる開口部３４Ｘが形成されている。なお、絶縁層３４の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂やノボラック系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層３４は、例えば、シリカ（ＳｉＯ２）やアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のフィラーを含有していてもよい。
図１（ａ）に示すように、以上説明した基板３０は、当該プローブカード２０の外周領域に形成された枠状の配線基板４０と離間して設けられている。すなわち、基板３０は配線基板４０に直接接合されておらず、基板３０と配線基板４０との間には間隙Ｓ１が形成されている。具体的には、基板３０の外側面と配線基板４０の内側面との間には、環状の間隙Ｓ１が形成されている。
配線基板４０は、複数の配線層と複数の層間絶縁層とが交互に積層された多層配線基板である。本例の配線基板４０は、５層の配線層４１，４２，４３，４４，４５と５層の層間絶縁層４６，４７，４８，４９，５０とが交互に積層された構造を有している。
なお、配線層４１〜４５の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。層間絶縁層４６〜５０の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの有機樹脂を用いることができる。また、層間絶縁層４６〜５０の材料としては、例えば、ガラス、アラミド、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）繊維の織布や不織布などの補強材に、エポキシ系やポリイミド系の熱硬化性樹脂を含浸させた補強材入りの絶縁性樹脂を用いることもできる。
図５に示すように、配線基板４０は、その中央部に空洞部Ｂが形成されており、枠状に形成されている。具体的には、配線基板４０の中央部には、側面に複数の段差部を有する空洞部Ｂが形成されている。
詳述すると、図１（ａ）に示すように、配線基板４０の最下層には、開口部Ｂ１を有する層間絶縁層４６が形成されている。層間絶縁層４６の下面４６Ａは、絶縁層６０から露出され、外部に露出されている。層間絶縁層４６の下面４６Ａは、例えば、上記絶縁層６０の下面６０Ａと略面一に形成されている。さらに、層間絶縁層４６の下面４６Ａは、例えば、絶縁層６０の下面６０Ａだけではなく、絶縁層３１の下面３１Ａとも略面一に形成されている。
層間絶縁層４６の上面には、開口部Ｂ１の近傍に配置された接続パッド４１Ｐを有する配線層４１が積層されている。この配線層４１は、層間絶縁層４７，４８，４９，５０を厚さ方向（積層方向）に貫通するビア配線Ｖ１を介して、層間絶縁層５０の上面５０Ｂに積層された最上層の配線層４５と電気的に接続されている。なお、上記ビア配線Ｖ１の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
層間絶縁層４６の上面には、配線層４１の一部を被覆する層間絶縁層４７が積層されている。層間絶縁層４７には、上記接続パッド４１Ｐが当該層間絶縁層４７よりも内側にはみ出すように上記開口部Ｂ１よりも開口径が一回り大きい開口部Ｂ２が形成されている。このため、開口部Ｂ１の近傍に形成された層間絶縁層４６の上面がその上層の層間絶縁層４７の開口部Ｂ２から枠状に露出されている。そして、この枠状に露出された層間絶縁層４６の上面に上記接続パッド４１Ｐが配置されている。
層間絶縁層４７の上面には、開口部Ｂ２の近傍に配置された接続パッド４２Ｐを有する配線層４２が積層されている。この配線層４２は、層間絶縁層４８，４９，５０を厚さ方向に貫通するビア配線Ｖ２を介して配線層４５と電気的に接続されている。なお、上記ビア配線Ｖ２の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
層間絶縁層４７の上面には、配線層４２の一部を被覆する層間絶縁層４８が積層されている。層間絶縁層４８には、上記接続パッド４２Ｐが当該層間絶縁層４８よりも内側にはみ出すように上記開口部Ｂ２よりも開口径が一回り大きい開口部Ｂ３が形成されている。このため、開口部Ｂ２の近傍に形成された層間絶縁層４７の上面がその上層の層間絶縁層４８の開口部Ｂ３から枠状に露出されている。そして、この枠状に露出された層間絶縁層４７の上面に上記接続パッド４２Ｐが配置されている。
層間絶縁層４８の上面には、開口部Ｂ３の近傍に配置された接続パッド４３Ｐを有する配線層４３が積層されている。この配線層４３は、層間絶縁層４９，５０を貫通するビア配線Ｖ３を介して配線層４５と電気的に接続されている。なお、上記ビア配線Ｖ３の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
層間絶縁層４８の上面には、配線層４３の一部を被覆する層間絶縁層４９が積層されている。層間絶縁層４９には、上記接続パッド４３Ｐが当該層間絶縁層４９よりも内側にはみ出すように上記開口部Ｂ３よりも開口径が一回り大きい開口部Ｂ４が形成されている。このため、開口部Ｂ３の近傍に形成された層間絶縁層４８の上面がその上層の層間絶縁層４９の開口部Ｂ４から枠状に露出されている。そして、この枠状に露出された層間絶縁層４８の上面に上記接続パッド４３Ｐが配置されている。
層間絶縁層４９の上面には、開口部Ｂ４の近傍に配置された接続パッド４４Ｐを有する配線層４４が積層されている。この配線層４４は、層間絶縁層５０を貫通するビア配線Ｖ４を介して配線層４５と電気的に接続されている。なお、上記ビア配線Ｖ４の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
層間絶縁層４９の上面には、配線層４４の一部を被覆する層間絶縁層５０が積層されている。層間絶縁層５０には、上記接続パッド４４Ｐが当該層間絶縁層５０よりも内側にはみ出すように上記開口部Ｂ４よりも開口径が一回り大きい開口部Ｂ５が形成されている。このため、開口部Ｂ４の近傍に形成された層間絶縁層４９の上面がその上層の層間絶縁層５０の開口部Ｂ５から枠状に露出されている。そして、この枠状に露出された層間絶縁層４９の上面に上記接続パッド４４Ｐが配置されている。
最上層の層間絶縁層５０の上面５０Ｂには、最外層の上記配線層４５が形成されている。この配線層４５は、例えば、テスタ１０と電気的に接続されている。また、層間絶縁層５０の上面と配線層４５の上面及び側面とは、上記絶縁層６０から露出されている。例えば、層間絶縁層５０の上面５０Ｂは、絶縁層６０の上面６０Ｂと略面一に形成されている。
このように、配線基板４０の中央部には、内側面に階段状の段差部を有する空洞部Ｂが形成されている。具体的には、空洞部Ｂの内側面は、層間絶縁層４６の内側面及び上面と、層間絶縁層４７の内側面及び上面と、層間絶縁層４８の内側面及び上面と、層間絶縁層４９の内側面及び上面と、層間絶縁層５０の内側面及び上面とによって階段状に形成されている。そして、このような空洞部Ｂ内に上記基板３０が配置されている。
配線基板４０の空洞部Ｂには、基板３０に形成されたパッド３２Ｐと、配線基板４０に形成された接続パッド４１Ｐ，４２Ｐ，４３Ｐ，４４Ｐとを接続する導体ワイヤＷ１が設けられている。換言すると、パッド３２Ｐと接続パッド４１Ｐ，４２Ｐ，４３Ｐ，４４Ｐとは、導体ワイヤＷ１により３次元的（立体的）に接続されている。この導体ワイヤＷ１により、配線パターン３２と配線層４１〜４４とが電気的に接続されている。ひいては、最上層の配線層４５が、配線層４１〜４４のいずれか１つの配線層と、導体ワイヤＷ１と、配線パターン３２とを介して接触端子３３と電気的に接続されている。導体ワイヤＷ１の材料としては、立体的に湾曲可能な材料を用いることができる。例えば、導体ワイヤＷ１としては、Ｃｕワイヤ、Ａｕワイヤやアルミニウム（Ａｌ）ワイヤを用いることができる。
絶縁層６０は、上記間隙Ｓ１を含む空洞部Ｂ（具体的には、開口部Ｂ１〜Ｂ５）を充填するように形成されている。絶縁層６０は、配線基板４０の内側面（空洞部Ｂの内側面）と、基板３０の上面及び側面（具体的には、絶縁層３１の外側面と、絶縁層３４の上面及び外側面と、パッド３２Ｐの上面）と、導体ワイヤＷ１とを被覆するように形成されている。このような絶縁層６０は、離間して設けられた基板３０及び配線基板４０を支持する機能を有するとともに、基板３０と配線基板４０とを接着する機能を有している。
ここで、絶縁層６０は、ゴム状弾性を有する絶縁層である。例えば、絶縁層６０は、配線基板４０の層間絶縁層４６〜５０よりも弾性率の低い絶縁層である。すなわち、絶縁層６０は、層間絶縁層４６〜５０を構成する有機樹脂よりも弾性率の低い低弾性材料によって形成されている。この低弾性材料としては、例えば、室温（２０〜３０℃）付近におけるヤング率が１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の材料であることが好ましい。このような低弾性材料としては、例えば、シリコーン系、フッ素系、ポリオレフィン系やウレタン系のエラストマーを用いることができる。
（プローブカードの作用）
以上説明したプローブカード２０は、図示しない検査台上に固定された検査対象物７０と平行に支持される。そして、プローブカード２０は、接触端子３３が検査対象物７０の電極パッド７０Ｐに対向するように相互に位置決めされ、図１（ａ）に一点鎖線で示すように、接触端子３３の先端が電極パッド７０Ｐと接触される。具体的には、本例のプローブカード２０では、１つの電極パッド７０Ｐに対して２つの接触端子３３が接触される。このとき、複数の接触端子３３を支持する絶縁層３１は、配線基板４０に直接接合されておらず、ゴム状弾性を有する絶縁層６０を介して配線基板４０と接着されている。このため、絶縁層３１（基板３０）の変形が配線基板４０によって制限されることが抑制される。したがって、検査対象物７０に反りやうねりが生じた場合には、その検査対象物７０の反りやうねりに追従して絶縁層６０を好適に変形させることができる。この結果、検査対象物７０に反りやうねりが生じた場合であっても、検査対象物７０の電極パッド７０Ｐに接触端子３３を精度良く接触させることができる。
以上説明したプローブカード２０は、図示しない検査台上に固定された検査対象物７０と平行に支持される。そして、プローブカード２０は、接触端子３３が検査対象物７０の電極パッド７０Ｐに対向するように相互に位置決めされ、図１（ａ）に一点鎖線で示すように、接触端子３３の先端が電極パッド７０Ｐと接触される。具体的には、本例のプローブカード２０では、１つの電極パッド７０Ｐに対して２つの接触端子３３が接触される。このとき、複数の接触端子３３を支持する絶縁層３１は、配線基板４０に直接接合されておらず、ゴム状弾性を有する絶縁層６０を介して配線基板４０と接着されている。このため、絶縁層３１（基板３０）の変形が配線基板４０によって制限されることが抑制される。したがって、検査対象物７０に反りやうねりが生じた場合には、その検査対象物７０の反りやうねりに追従して絶縁層６０を好適に変形させることができる。この結果、検査対象物７０に反りやうねりが生じた場合であっても、検査対象物７０の電極パッド７０Ｐに接触端子３３を精度良く接触させることができる。
（プローブカードの製造方法）
次に、上記プローブカード２０の製造方法について説明する。
図６（ａ）に示す工程では、まず、支持基板８０を準備する。この支持基板８０は、例えば平面視略矩形状の平板である。この支持基板８０としては、例えば金属板や金属箔を用いることができ、本実施形態では、例えば銅板を用いる。この支持基板８０の厚さは、例えば７０〜２００μｍ程度である。ここで、支持基板８０の上面８０Ａは平坦に形成されている。
次に、上記プローブカード２０の製造方法について説明する。
図６（ａ）に示す工程では、まず、支持基板８０を準備する。この支持基板８０は、例えば平面視略矩形状の平板である。この支持基板８０としては、例えば金属板や金属箔を用いることができ、本実施形態では、例えば銅板を用いる。この支持基板８０の厚さは、例えば７０〜２００μｍ程度である。ここで、支持基板８０の上面８０Ａは平坦に形成されている。
次に、図６（ｂ）に示す工程では、支持基板８０の上面８０Ａに、貫通孔３１Ｘを有する絶縁層３１を形成する。絶縁層３１は、図７（ａ）に示すエッチング処理においてエッチングマスクとして機能するとともに、図８（ａ）〜図８（ｃ）に示すめっき処理においてめっきレジストとして機能する。この絶縁層３１を上記めっき処理の後も除去せずに残す場合には、絶縁層３１としては、各接触端子３３（図１参照）を絶縁する絶縁層としてそのまま使用できる永久レジストを好適に使用することができる。このような絶縁層３１の材料としては、所望の解像性があり、耐エッチング性及び耐めっき性がある材料であれば、特に限定されない。例えば、絶縁層３１の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂やノボラック系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。
例えば、感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、支持基板８０の上面８０Ａにドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記絶縁層３１を形成する。このとき、上記ドライフィルムを真空雰囲気中でラミネートすることにより、ボイドの巻き込みを抑制することができる。また、液状のフォトレジストを用いる場合には、例えば、支持基板８０の上面８０Ａに液状のフォトレジストをスピンコート法などにより塗布し、そのフォトレジストを露光・現像によりパターニングして上記絶縁層３１を形成する。
図６（ｃ）に示すように、本工程では、貫通孔３１Ｘを、その貫通孔３１Ｘの底部である下側（支持基板８０側）から上側に向かうに連れて径が小さくなる逆テーパ状に形成するようにしてもよい。例えば、上記貫通孔３１Ｘを形成する際の露光時の光は支持基板８０（銅板）で反射するため、その反射光を利用して絶縁層３１の下面３１Ａ（支持基板８０と接する面）側を除去することにより逆テーパ状の貫通孔３１Ｘを形成することができる。
続いて、図６（ｄ）に示す工程では、絶縁層３１よりも外周領域における支持基板８０の上面８０Ａ全面を被覆するようにマスク材８１を形成する。マスク材８１の材料としては、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。例えば、マスク材８１としては、マスキングテープやレジスト層を用いることができる。マスキングテープの材料としては、例えば塩化ビニルやＰＥＴフィルムを用いることができる。例えば、マスク材８１としてマスキングテープを用いる場合には、支持基板８０の上面８０Ａに、中央部に開口部を有するマスキングテープを貼り付けることにより上記マスク材８１を形成することができる。なお、この場合のマスク材８１（マスキングテープ）は、例えば、後工程において支持基板８０から容易に剥離できる状態で仮接着される。
次いで、図７（ａ）に示す工程では、絶縁層３１及びマスク材８１をエッチングマスクとして、支持基板８０を上面８０Ａ側からエッチング（ハーフエッチング）し、支持基板８０の上面８０Ａに凹部８０Ｘを形成する。具体的には、絶縁層３１の貫通孔３１Ｘから露出された支持基板８０の上面８０Ａに凹部８０Ｘを形成する。本工程のエッチング処理は、例えば、ウェットエッチング（等方性エッチング）により行うことができる。このようなウェットエッチングにより支持基板８０を薄化する場合には、そのウェットエッチングで使用されるエッチング液は、支持基板８０の材質に応じて適宜選択することができる。例えば、支持基板８０の材料として銅を用いる場合には、エッチング液として塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液や過硫酸アンモニウム水溶液を使用することができ、支持基板８０の上面８０Ａ側からスプレーエッチングにて支持基板８０の薄化を行うことができる。このようにウェットエッチングにより支持基板８０がパターニングされると、エッチングが支持基板８０の面内方向に進行するサイドエッチ現象により凹部８０Ｘの断面形状が半円状又は台形状（図示の例では、半円状）に形成される。
次に、図７（ｂ）に示す工程では、マスク材８１の表面全面及び絶縁層３１の上面３１Ｂを被覆するシード層８２を形成する。このシード層８２は、例えばスパッタ法や蒸着法により形成することができる。例えば、スパッタ法によりシード層８２を形成する場合には、まず、マスク材８１の表面全面及び絶縁層３１の上面３１Ｂ全面を被覆するように、それらマスク材８１及び絶縁層３１の上面３１Ｂにチタン（Ｔｉ）をスパッタリングにより堆積させてＴｉ層を形成する。その後、Ｔｉ層上に銅をスパッタリングにより堆積させてＣｕ層を形成する。これにより、２層構造（Ｔｉ層／Ｃｕ層）のシード層８２を形成することができる。ここで、図７（ｃ）に示すように、絶縁層３１の貫通孔３１Ｘは、底部である下側（支持基板８０側）から上側に向かうに連れて径が小さくなる逆テーパ状に形成されている。このため、シード層８２は、貫通孔３１Ｘの内側面の一部に形成されることはあっても、貫通孔３１Ｘの内側面全面を被覆するようには形成されない。すなわち、シード層８２は、マスク材８１の上面及び側面と、絶縁層３１の上面３１Ｂとを連続的に被覆するが、絶縁層３１の上面３１Ｂと、貫通孔３１Ｘの内側面と、凹部８０Ｘの内面とを連続的に被覆しない。換言すると、本工程では、貫通孔３１Ｘの内側面全面を被覆しないようにシード層８２を形成するようにしている。
続いて、図７（ｄ）に示す工程では、シード層８２の上面に、所定の箇所に開口パターン８３Ｘを有するレジスト層８３を形成する。開口パターン８３Ｘは、配線パターン３２（図１参照）の形成領域に対応する部分のシード層８２の上面を露出するように形成される。レジスト層８３の材料としては、所望の解像性があり、耐めっき性がある材料であれば、特に限定されない。例えば、レジスト層８３の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えば、エポキシ系樹脂、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。このレジスト層８３は、上記絶縁層３１と同様の方法により形成することができる。
次いで、図８（ａ）に示す工程では、絶縁層３１及びレジスト層８３をめっきマスクとして、支持基板８０の上面８０Ａに、その支持基板８０をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、絶縁層３１の貫通孔３１Ｘから露出された凹部８０Ｘの内面と、レジスト層８３の開口パターン８３Ｘから露出されたシード層８２の上面とに電解めっき法を施すことにより、貫通孔３１Ｘ内及び凹部８０Ｘ内に接触端子３３を形成するとともに、その接触端子３３及びシード層８２上に配線パターン３２を形成する。
図８（ｂ）に示すように、上記電解めっき法では、凹部８０Ｘの底部から上方に向かってめっき膜が析出成長され、凹部８０Ｘ及び貫通孔３１Ｘを充填する接触端子３３が形成される。その一方で、上記電解めっき法の開始時には、絶縁層３１の上面３１Ｂに形成されたシード層８２からはめっき膜が析出成長されない。これは、上述したように、シード層８２が貫通孔３１Ｘの内面及び凹部８０Ｘの内面において連続的に形成されておらず、絶縁層３１の上面３１Ｂに形成されたシード層８２には支持基板８０を通じて給電が行われないためである。続いて、上記接触端子３３が形成され、その接触端子３３とシード層８２が電気的に接続されると、それら接触端子３３の上面及びシード層８２の上面から上方に向かってめっき膜が析出成長され、レジスト層８３の開口パターン８３Ｘから露出された接触端子３３の上面及びシード層８２の上面を被覆する導電層８４が形成される。このように、めっき開始時にシード層８２の上面からめっき膜を析出成長させないようにしたため、凹部８０Ｘ及び貫通孔３１Ｘをめっき膜（接触端子３３）で充填した後に、配線パターン３２となる導電層８４を形成することができる。これにより、導電層８４（配線パターン３２）を所望の厚さに容易に調整することができる。
次に、図８（ｄ）に示す工程では、図８（ａ）に示したレジスト層８３を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
続いて、図９（ａ）に示す工程では、導電層８４をエッチングマスクとして、不要なシード層８２をエッチングにより除去する。以上の工程により、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、凹部８０Ｘ及び貫通孔３１Ｘを充填する接触端子３３が形成されるとともに、その接触端子３３の上面及び絶縁層３１の上面３１Ｂに、シード層８２と導電層８４とからなる配線パターン３２が形成される。
続いて、図９（ａ）に示す工程では、導電層８４をエッチングマスクとして、不要なシード層８２をエッチングにより除去する。以上の工程により、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、凹部８０Ｘ及び貫通孔３１Ｘを充填する接触端子３３が形成されるとともに、その接触端子３３の上面及び絶縁層３１の上面３１Ｂに、シード層８２と導電層８４とからなる配線パターン３２が形成される。
次いで、図９（ｃ）に示す工程では、図９（ａ）に示したマスク材８１を除去する。例えば、マスク材８１としてマスキングテープを用いる場合には、支持基板８０からマスク材８１（マスキングテープ）を機械的に剥離する。
続いて、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す工程では、配線パターン３２の所要の箇所に画定されるワイヤボンディング用のパッド３２Ｐを露出させるための開口部３４Ｘを有する絶縁層３４を絶縁層３１の上面３１Ｂに積層する。絶縁層３４の材料としては、例えば、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂やノボラック系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。この絶縁層３４は、上記絶縁層３１と同様の方法により形成することができる。
以上の製造工程により、支持基板８０の上面８０Ａに、基板３０を製造することができる。
次に、図１０（ｃ）に示す工程では、支持基板８０の周縁部における上面８０Ａに、中央部に空洞部Ｂを有する枠状の配線基板４０を形成する。例えば、層間絶縁層４６，４７，４８，４９，５０と配線層４１，４２，４３，４４，４５とが交互に積層された配線基板４０を準備し、その配線基板４０を接着剤（図示略）によって支持基板８０の上面８０Ａに接着する。また、ビルドアップ工法により、支持基板８０の上面８０Ａに、４６，４７，４８，４９，５０と配線層４１，４２，４３，４４，４５とを交互に積層するようにしてもよい。このとき、配線基板４０は、基板３０と接しないように、基板３０と離間して設けられる。すなわち、配線基板４０と基板３０との間には、平面視略環状の間隙Ｓ１が形成される。さらに、本工程により、配線基板４０の内側面と、支持基板８０の上面８０Ａとで囲まれた収容部Ａ１が形成され、その収容部Ａ１内に基板３０が配置された状態となる。
次に、図１０（ｃ）に示す工程では、支持基板８０の周縁部における上面８０Ａに、中央部に空洞部Ｂを有する枠状の配線基板４０を形成する。例えば、層間絶縁層４６，４７，４８，４９，５０と配線層４１，４２，４３，４４，４５とが交互に積層された配線基板４０を準備し、その配線基板４０を接着剤（図示略）によって支持基板８０の上面８０Ａに接着する。また、ビルドアップ工法により、支持基板８０の上面８０Ａに、４６，４７，４８，４９，５０と配線層４１，４２，４３，４４，４５とを交互に積層するようにしてもよい。このとき、配線基板４０は、基板３０と接しないように、基板３０と離間して設けられる。すなわち、配線基板４０と基板３０との間には、平面視略環状の間隙Ｓ１が形成される。さらに、本工程により、配線基板４０の内側面と、支持基板８０の上面８０Ａとで囲まれた収容部Ａ１が形成され、その収容部Ａ１内に基板３０が配置された状態となる。
続いて、図１１（ａ）に示す工程では、収容部Ａ１において、配線層４１，４２，４３，４４とパッド３２Ｐとを、導体ワイヤＷ１を用いてワイヤボンディングにより電気的に接続する。具体的には、配線層４１，４２，４３，４４の接続パッド４１Ｐ，４２Ｐ，４３Ｐ，４４Ｐとパッド３２Ｐとを、導体ワイヤＷ１を用いてワイヤボンディングにより電気的に接続する。
次いで、図１１（ｂ）に示す工程では、収容部Ａ１を充填するように絶縁層６０を形成する。例えば、絶縁層６０は、収容部Ａ１（空洞部Ｂ）を完全に塞ぎ、配線層４１，４２，４３，４４，４５と層間絶縁層４６，４７，４８，４９，５０との上面及び側面と、基板３０の上面及び側面と、支持基板８０の上面８０Ａと、導体ワイヤＷ１とを被覆するのに十分な量で収容部Ａ１を充填するように形成される。この絶縁層６０は、その上面６０Ｂが配線基板４０の最上層の層間絶縁層５０の上面５０Ｂと略面一になるように形成される。例えば、絶縁層６０は、液状の絶縁樹脂をポッティングにより収容部Ａ１（空洞部Ｂ）内に塗布し、５０〜１００℃程度の温度を維持して上記絶縁樹脂を硬化させることにより形成することができる。このとき、支持基板８０の上面８０Ａと接する、配線基板４０の最下層の層間絶縁層４６の下面４６Ａ及び絶縁層３１，６０の下面３１Ａ，６０Ａは、支持基板８０の上面８０Ａ（平坦面）に沿った形状に形成される。すなわち、層間絶縁層４６の下面４６Ａ及び絶縁層３１，６０の下面３１Ａ，６０Ａには、支持基板８０の上面８０Ａの形状が転写される。このため、層間絶縁層４６の下面４６Ａ及び絶縁層３１，６０の下面３１Ａ，６０Ａは平坦に形成され、それら下面３１Ａ，４６Ａ，６０Ａが面一になるように形成される。
次に、図１２に示す工程では、図１１（ｂ）に示した支持基板８０を除去する。例えば、支持基板８０として銅板を用いる場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液、過硫酸アンモニウム水溶液等を用いたウェットエッチングにより、支持基板８０の除去を行うことができる。この際、図１１（ｂ）に示した支持基板８０と接する面には、接触端子３３（例えば、Ａｕ層）、絶縁層３１，６０及び層間絶縁層４６が形成されており、それら接触端子３３、絶縁層３１，６０及び層間絶縁層４６がエッチングストッパ層として機能するため、銅板である支持基板８０のみを選択的にエッチングすることができる。
以上の製造工程により、図１に示したプローブカード２０を製造することができる。
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）複数の接触端子３３を支持する絶縁層３１は、配線基板４０に直接接合されておらず、ゴム状弾性を有する絶縁層６０を介して配線基板４０と接着されている。このため、絶縁層３１（基板３０）の変形が配線基板４０によって制限されることが抑制される。したがって、検査対象物７０に反りやうねりが生じた場合には、その検査対象物７０の反りやうねりに追従して絶縁層３１を好適に変形させることができる。この結果、検査対象物７０に反りやうねりが生じた場合であっても、検査対象物７０の電極パッド７０Ｐに接触端子３３を精度良く接触させることができる。
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）複数の接触端子３３を支持する絶縁層３１は、配線基板４０に直接接合されておらず、ゴム状弾性を有する絶縁層６０を介して配線基板４０と接着されている。このため、絶縁層３１（基板３０）の変形が配線基板４０によって制限されることが抑制される。したがって、検査対象物７０に反りやうねりが生じた場合には、その検査対象物７０の反りやうねりに追従して絶縁層３１を好適に変形させることができる。この結果、検査対象物７０に反りやうねりが生じた場合であっても、検査対象物７０の電極パッド７０Ｐに接触端子３３を精度良く接触させることができる。
（２）ところで、上述した従来のプローブカードでは、フィルム状の絶縁層に形成された接触端子と基板に形成された配線とが、樹脂層内に設けられたリード線を用いてワイヤボンディングにより電気的に接続されている。このため、ワイヤボンディングにおけるパッドピッチの制約によって接触端子のピッチが制約され、検査対象物の電極パッドの狭ピッチ化に対応することが困難であった。具体的には、上記電極パッドのピッチが５０μｍを下回る狭ピッチとなった場合には、その電極パッドを四端子測定法で検査するための接触端子を製造することが困難であった。なお、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いて接触端子（プローブ端子）を製造することにより、上述した狭ピッチの接触端子を製造することは可能であるが、その場合には検査対象物の反りやうねりに追従することができないという問題がある。また、ＭＥＭＳ技術では、製造コストが増大するという問題もある。
これに対し、本例のプローブカード２０では、配線パターン３２の再配線３６によって配線パターン３２（接触端子３３）が平面方向に引き回され、接触端子３３から離間した位置にワイヤボンディング用のパッド３７が形成されている。このため、検査対象物７０の電極パッド７０Ｐのピッチが５０μｍを下回る狭ピッチとなり、接触端子３３が狭ピッチ化された場合であっても、上記再配線３６により接触端子３３を平面方向に引き回すことによって、パッド３２Ｐのピッチとしてワイヤボンディングが可能な距離を容易に確保することができる。換言すると、パッド３２Ｐのピッチとしてワイヤボンディングが可能な距離を容易に確保することができるため、電極パッド７０Ｐの狭ピッチ化に対応して接触端子３３を容易に狭ピッチ化することができる。これにより、電極パッド７０Ｐの狭ピッチ化が進んだ場合であっても、それら電極パッド７０Ｐを四端子測定法で検査するための接触端子３３を有するプローブカード２０を製造することができる。さらに、接触端子３３を、ＭＥＭＳ技術ではなく、電解めっき法などの手法により製造することが可能であるため、ＭＥＭＳ技術を使用する場合に比べて、プローブカード２０の製造コストを低減することができる。
（３）シード層８２を、絶縁層３１の上面３１Ｂ全面を被覆するように、且つ絶縁層３１の貫通孔３１Ｘの内面及び支持基板８０の凹部８０Ｘの内面を連続的に被覆しないように形成した。これにより、支持基板８０を給電層に利用した電解めっき法により接触端子３３及び配線パターン３２を形成する際に、めっき処理の開始時にシード層８２の上面からめっき膜を析出成長させないようにできる。このため、凹部８０Ｘ及び貫通孔３１Ｘをめっき膜（接触端子３３）で充填した後に、その接触端子３３上及び貫通孔３１Ｘから露出するシード層８２上に配線パターン３２を形成することができる。これにより、配線パターン３２を所望の厚さに容易に調整することができる。
（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記実施形態では、貫通孔３１Ｘを逆テーパ状に形成するようにしたが、これに限定されない。
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記実施形態では、貫通孔３１Ｘを逆テーパ状に形成するようにしたが、これに限定されない。
例えば、図１３に示すように、貫通孔３１Ｘを、ストレート形状（断面視略矩形状）に形成するようにしてもよい。この場合には、シード層８２を、絶縁層３１の上面３１Ｂと、貫通孔３１Ｘの内側面と、凹部８０Ｘの内面とを連続的に被覆するように形成するようにしてもよい。また、貫通孔３１Ｘを、その貫通孔３１Ｘの底部である下側（支持基板８０側）から上側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成するようにしてもよい。この場合にも、シード層８２を、絶縁層３１の上面３１Ｂと、貫通孔３１Ｘの内側面と、凹部８０Ｘの内面とを連続的に被覆するように形成するようにしてもよい。
・上記実施形態では、配線パターン３２及び接触端子３３の例としてＡｕ層を挙げたが、これに限定されない。例えば、配線パターン３２及び接触端子３３としては、配線パターン３２の上面側から、Ａｕ層／ニッケル（Ｎｉ）層／Ｃｕ層／Ｎｉ層／Ａｕ層を順に積層した金属層や、銀（Ａｇ）層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ｎｉ層／Ｃｕ層／Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層を順に積層した金属層を用いることができる。ここで、上記Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、上記Ａｇ層はＡｇ又はＡｇ合金からなる金属層、上記Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、上記Ｃｕ層はＣｕ又はＣｕ合金からなる金属層、Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層である。これらＡｕ層、Ａｇ層、Ｎｉ層、Ｃｕ層及びＰｄ層は、例えば、電解めっき法により形成された金属層（電解めっき金属層）を用いることができる。このように、配線パターン３２及び接触端子３３としては、Ａｕ層やＡｇ層のように、上記支持基板８０をエッチング除去する際にエッチングストッパとなる金属又は合金からなる金属層が、絶縁層３１から露出された金属層を用いることができる。
ここで、図１３を参照して、配線パターン３２及び接触端子３３が、接触端子３３の下端面側から、シード層８２、Ａｕ層８５、Ｎｉ層８６、Ｃｕ層８７、Ｎｉ層８６、Ａｕ層８５が順に積層された金属層である場合の製造方法について説明する。なお、ここでは、絶縁層３１の上面３１Ｂと、貫通孔３１Ｘの内側面と、凹部８０Ｘの内面とを連続的に被覆するようにシード層８２を形成した場合の製造方法について説明する。
図１３に示す工程は、先の図８（ａ）に示した工程の代わりに実施される。この図１３に示す工程では、絶縁層３１及びレジスト層８３をめっきマスクとして、シード層８２の上面に、支持基板８０をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、まず、レジスト層８３の開口パターン８３Ｘから露出されたシード層８２の上面に、支持基板８０をめっき給電層に利用する電解Ａｕめっき法を施すことにより、開口パターン８３Ｘから露出されたシード層８２の上面にＡｕ層８５を形成する。続いて、Ａｕ層８５の上面に、支持基板８０をめっき給電層に利用する電解Ｎｉめっき法を施すことによりＮｉ層８６を形成する。次いで、Ｎｉ層８６の上面に、支持基板８０をめっき給電層に利用する電解Ｃｕめっき法を施すことによりＣｕ層８７を形成する。このとき、Ｃｕ層８７は、例えば、シード層８２、Ａｕ層８５及びＮｉ層８６よりも内側の凹部８０Ｘ及び貫通孔３１Ｘを充填するように形成される。これにより、凹部８０Ｘ内及び貫通孔３１Ｘ内に形成された、シード層８２、Ａｕ層８５、Ｎｉ層８６及びＣｕ層８７によって接触端子３３が形成される。
次に、Ｃｕ層８７の上面に、支持基板８０をめっき給電層に利用する電解Ｎｉめっき法を施すことによりＮｉ層８８を形成する。続いて、Ｎｉ層８８の上面に、支持基板８０をめっき給電層に利用する電解Ａｕめっき法を施すことによりＡｕ層８９を形成する。これにより、開口パターン８３Ｘから露出する絶縁層３１の上面３１Ｂ及び接触端子３３の上面に、シード層８２、Ａｕ層８５、Ｎｉ層８６、Ｃｕ層８７、Ｎｉ層８８及びＡｕ層８９からなる配線パターン３２が形成される。
・上記実施形態及び上記各変形例では、四端子測定法が可能な接触端子３３を有するプローブカード２０に具体化したが、これに限らず、例えば二端子測定法が可能な接触端子を有するプローブカードに具体化してもよい。
この場合には、図１４に示すように、１つの電極パッド７０Ｐに対して１つの接触端子３３が接触される。この場合であっても、配線パターン３２の一部は、接触端子３３と接続される接続部３５と、接触端子３３（接続部３５）を平面方向に引き回す再配線３６と、再配線３６により引き回された先の端部に形成されたパッド３７とを有している。このような再配線３６を有する配線パターン３２を形成することにより、上記実施形態の（１）〜（３）と同様の効果を奏することができる。なお、この場合であっても、接続部３５の直上に形成されたパッド３８のみを有する配線パターン３２を形成するようにしてもよい。
・上記実施形態及び上記各変形例では、配線パターン３２の一部を、接続部３５の直上に形成されたパッド３８のみを有する配線パターンとした。これに限らず、例えば、全ての配線パターン３２を、接続部３５と、再配線３６と、パッド３７とを有する配線パターンとしてもよい。換言すると、図４や図１４に示した例では、導体ワイヤＷ１と接続するパッド３８が接触端子３３の直上に形成された構成と、導体ワイヤＷ１と接続するパッド３７が接触端子３３から離間した位置に形成された構成とが混在しているが、全ての接触端子３３と、導体ワイヤＷ１と接続するパッドとが離間して形成されていてもよい。
・上記実施形態及び上記各変形例における絶縁層３４を省略してもよい。
・上記実施形態では、配線基板４０の空洞部Ｂ内において、基板３０（絶縁層３１）を配線基板４０と離間して設けるようにしたが、これに限定されない。
・上記実施形態では、配線基板４０の空洞部Ｂ内において、基板３０（絶縁層３１）を配線基板４０と離間して設けるようにしたが、これに限定されない。
例えば、図１５に示すように、絶縁層３１の代わりに、配線基板４０の層間絶縁層４６の下面４６Ａ全面及び絶縁層６０の下面６０Ａ全面を被覆する絶縁層９１を形成するようにしてもよい。この場合には、接触端子３３が形成される絶縁層９１が配線基板４０に直接接合される。なお、接触端子３３は、絶縁層９１の下面９１Ａよりも下方に突出するように形成されている。このような場合であっても、上記実施形態及び上記各変形例と同様の配線パターン３２を絶縁層９１の上面９１Ｂに形成することにより、上記実施形態の（２）と同様の効果を奏することができる。
・上記実施形態では、シリコン基板に形成された回路素子に接続された電極パッド７０Ｐを有する構造体を検査対象物７０としたが、検査対象物７０の構造は特に限定されない。例えば、有機樹脂によって形成された基板上に上記接触端子３３と接触される電極が形成された配線基板等を検査対象物７０としてもよい。
２０ プローブカード
３０ 基板
３１ 絶縁層（第１絶縁層）
３１Ｘ 貫通孔
３２ 配線パターン
３２Ｐ パッド
３３ 接触端子
３４ 絶縁層（第３絶縁層）
３４Ｘ 開口部
３５ 接続部
３６ 再配線
３７ パッド（第１パッド）
３８ パッド（第２パッド）
４０ 配線基板
４１〜４５ 配線層
４１Ｐ〜４４Ｐ 接続パッド
４６〜５０ 層間絶縁層
６０ 絶縁層（第２絶縁層）
７０ 検査対象物
７０Ｐ 電極パッド（電極）
８０ 支持基板
８０Ｘ 凹部
８２ シード層
８３ レジスト層
８３Ｘ 開口パターン
Ｂ 空洞部
Ｓ１ 間隙
Ｗ１ 導体ワイヤ
３０ 基板
３１ 絶縁層（第１絶縁層）
３１Ｘ 貫通孔
３２ 配線パターン
３２Ｐ パッド
３３ 接触端子
３４ 絶縁層（第３絶縁層）
３４Ｘ 開口部
３５ 接続部
３６ 再配線
３７ パッド（第１パッド）
３８ パッド（第２パッド）
４０ 配線基板
４１〜４５ 配線層
４１Ｐ〜４４Ｐ 接続パッド
４６〜５０ 層間絶縁層
６０ 絶縁層（第２絶縁層）
７０ 検査対象物
７０Ｐ 電極パッド（電極）
８０ 支持基板
８０Ｘ 凹部
８２ シード層
８３ レジスト層
８３Ｘ 開口パターン
Ｂ 空洞部
Ｓ１ 間隙
Ｗ１ 導体ワイヤ
Claims (10)
- 第１絶縁層と、
前記第１絶縁層に形成され、前記第１絶縁層の下面から突出する第１接触端子と、
前記第１絶縁層の上面に形成され、一端部に前記第１接触端子が接続され、他端部に第１パッドが接続された再配線を有する配線パターンと、
中央に空洞部を有するとともに、配線層と層間絶縁層とが交互に複数層積層された構造を有し、前記空洞部内に設けられた前記第１絶縁層と離間して設けられた配線基板と、
前記空洞部を充填し、前記第１絶縁層と前記配線基板とを支持する第２絶縁層と、
前記第２絶縁層内に設けられ、前記第１接触端子と前記配線層とを電気的に接続する導体ワイヤと、を有し、
前記第１パッドには、前記導体ワイヤが接合され、
前記第２絶縁層は、前記層間絶縁層よりも弾性率の低い絶縁層であることを特徴とするプローブカード。 - 前記第１絶縁層には、前記第１絶縁層の下面から突出する第２接触端子が形成され、
前記第１絶縁層の上面、及び前記第２接触端子の直上に形成され、前記導体ワイヤが接合される第２パッドを有することを特徴とする請求項１に記載のプローブカード。 - 前記第１接触端子を含む接触端子は２つで１組となって検査対象物の一つの電極に接触され、
前記２つの接触端子のうち少なくとも一方の接触端子が前記第１パッドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブカード。 - 前記２つの接触端子の間隔は、異なる組の隣接する前記接触端子の間隔よりも小さいことを特徴とする請求項３に記載のプローブカード。
- 前記第１絶縁層は、前記層間絶縁層よりも弾性率の低い絶縁層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のプローブカード。
- 前記第１絶縁層の上面に形成され、前記配線パターンのうち前記第１パッドを露出する開口部を有する第３絶縁層を有していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のプローブカード。
- 前記第１接触端子と前記配線パターンとは一体に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のプローブカード。
- 前記空洞部の内側面には、複数の前記層間絶縁層によって階段状の段差部が形成され、
前記段差部を構成し、直上の層間絶縁層から露出する前記層間絶縁層の上面には、前記配線層の一部が前記導体ワイヤと接合される接続パッドとして露出されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のプローブカード。 - 支持基板を準備する工程と、
前記支持基板の上面に、貫通孔を有する第１絶縁層を形成する工程と、
前記貫通孔から露出する前記支持基板の上面に凹部を形成する工程と、
前記凹部及び前記貫通孔を充填する接触端子と、前記接触端子の上面及び前記第１絶縁層の上面に配線パターンとを形成する工程と、
中央に空洞部を有するとともに、配線層と層間絶縁層とが交互に複数層積層された構造を有する配線基板を、前記空洞部内に前記第１絶縁層が配置されるように、且つ前記第１絶縁層と離間されるように前記支持基板の上面に形成する工程と、
前記空洞部内に、前記接触端子と前記配線層とを電気的に接続する導体ワイヤを形成する工程と、
前記第１絶縁層と前記配線基板との間に形成された間隙を含む前記空洞部を充填する、前記層間絶縁層よりも弾性率の低い第２絶縁層を形成する工程と、
前記支持基板を除去する工程と、を有し、
前記配線パターンの一部は、一端部が前記接触端子に接続され、他端部が前記導体ワイヤと接合されるパッドを有していることを特徴とするプローブカードの製造方法。 - 前記第１絶縁層を形成する工程では、前記支持基板側から上方に向かうに連れて径が小さくなる前記貫通孔を形成し、
前記接触端子及び前記配線パターンを形成する工程は、
前記第１絶縁層の上面全面を被覆するとともに、前記貫通孔の内側面を被覆しない、又は前記貫通孔の内側面の一部のみを被覆するシード層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、前記配線パターンに対応する開口パターンを有するレジスト層を形成する工程と、
前記第１絶縁層及び前記レジスト層をマスクとし、前記支持基板を給電層とする電解めっき法により、前記接触端子と前記配線パターンとを形成する工程と、を有することを特徴とする請求項９に記載のプローブカードの製造方法。
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