JP4486248B2 - プローブカード及びその製造方法 - Google Patents

プローブカード及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4486248B2
JP4486248B2 JP2000347593A JP2000347593A JP4486248B2 JP 4486248 B2 JP4486248 B2 JP 4486248B2 JP 2000347593 A JP2000347593 A JP 2000347593A JP 2000347593 A JP2000347593 A JP 2000347593A JP 4486248 B2 JP4486248 B2 JP 4486248B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
base
seat
probe card
case
photosensitive agent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2000347593A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2001249145A (ja
Inventor
義栄 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Micronics Japan Co Ltd
Original Assignee
Micronics Japan Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micronics Japan Co Ltd filed Critical Micronics Japan Co Ltd
Priority to JP2000347593A priority Critical patent/JP4486248B2/ja
Publication of JP2001249145A publication Critical patent/JP2001249145A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4486248B2 publication Critical patent/JP4486248B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイスの検査に用いるプローブカード及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
集積回路(IC)のような半導体デバイスは、回路が仕様書通りに動作するか否かの通電試験(検査)をされる。そのような通電試験は、ウエーハからチップに切り離す前に行われることが多く、また針先(接触子)をチップの電極に押圧される複数のプローブ(又はプローブ要素)を備えたプローブカードを用いて行われる。
【0003】
この種のプローブカードの1つとして、ICチップの接続工程に用いられているワイヤボンディング技術を用いて複数のプローブ要素を製作したいわゆるワイヤタイプのプローブカードがある。ワイヤタイプの縦型プローブカードにおいて、各プローブ要素は、途中において湾曲されてはいるものの、全体的に縦型に形成されている。
【0004】
ワイヤタイプの縦型プローブカードは、金属細線から形成されたプローブをカード基板に配置したプローブカード、ブレード状のプローブをブロックに配置したプローブカード、複数のプローブ要素を有するフィルム状プローブユニット(プローブシート)を用いたプローブカード等に比べ、プローブ要素を公知のワイヤボンディング技術により製作することができることから、製作が容易で、廉価になる等の利点を有する。
【0005】
【解決しようとする課題】
しかし、従来のワイヤタイプの縦型プローブカードでは、ボンディングワイヤ自体をプローブ要素としているから、半導体デバイスの電極に押圧されるコンタクト部が半導体デバイスに対し変位しやすく、したがって正確な検査が行われないことが多い。
【0006】
それゆえに、ワイヤタイプの縦型プローブカードにおいては、半導体デバイスに対するコンタクト部の位置を安定させることが重要である。
【0007】
【解決手段、作用及び効果】
本発明に係るプローブカードは、基板と、該基板の一方の面に配置されかつ前記基板と反対側に開放するケースと、該ケースの開放部に配置されたフィルム状のベースと、前記ケース及び前記ベースを前記基板の厚さ方向に貫通する複数のプローブ要素とを含む。前記プローブ要素は、前記ベースをその厚さ方向に貫通する板状の座部と、該座部から前記ケースを前記基板の厚さ方向に貫通して前記基板に達するリード部と、前記座部から前記リード部と反対側に突出する複数の突起とを備える。前記突起は仮想的な中心線の周りに角度的に間隔をおいている。前記ベースは各座部の周りを延びるスリットを有する。
【0008】
上記のプローブカードにおいて、プローブ要素の突起は、半導体デバイスの電極に押圧されるコンタクト部として用いられる。突起すなわちコンタクト部は、フィルム状のベースをその厚さ方向に貫通する座部に設けられているから、半導体デバイスに対し大きく変位するおそれはない。このため、本発明によれば、半導体デバイスに対するコンタクト部の位置が安定する。
【0009】
前記リード部は、導電性の心線と、該心線の周りに形成された被覆層とを備えることができる。そのようにすれば、心線として金のような軟質金属を用いても、リード部の機械的強度は被覆層により維持される。
【0010】
前記突起は錐形の形状を有することができる。そのようにすれば、コンタクト部が半導体デバイスの電極に押圧されたことにより、突起の先端が電極に確実に食い込むから、プローブ要素と半導体デバイスの電極との電気的接続が確実になる。
【0011】
前記座部は前記ベースから前記ケース体と反対の側に突出していることができる。そのようにすれば、コンタクト部が半導体デバイスの電極に押圧されたとき、座部がケース側に多少変位しても、ベースが半導体デバイスの電極に接触するおそれがない。
【0012】
前記ベースが各座部の周りを伸びるスリットを有すると、プローブ要素、特に座部が独立するから、ベースに対するプローブ要素の変位の相互干渉が小さくなる。
【0013】
前記座部は、前記スリットにより前記ベースから完全に切り離されていてもよいし、前記座部の周りの一部において前記ベースに当接していてもよく、さらには前記ベースから切り離されていなくてもよい。
【0014】
プローブカードは、さらに、前記ケース内に配置されたゴムや合成樹脂のような弾性体を含むことができる。そのようにすれば、ケース内におけるリード部の大きな変形が防止されるから、ベースに対する突起の位置がより安定する。
【0015】
前記弾性体は、前記ベースの前記スリットに続く第2のスリットを有することができる。そのようにすれば、プローブ要素の座部と、これに接する弾性体の部位とが独立するから、ベースに対するプローブ要素の変位の相互干渉が著しく小さくなる。
【0016】
前記突起が仮想的な中心線の周りに角度的に間隔をおいていると、突起の外周部の少なくとも一部を半導体デバイスの半球状のバンプ電極に接触させることができるから、そのようなバンプ電極の頂部を損傷するおそれがない。
【0017】
前記座部は、前記ベースから前記ケースと反対側に突出しており、また隣り合う前記突出部の間に凹所を有することができる。そのようにすれば、凹所がバンプ電極の頂部の逃げとして作用するから、バンプ電極の頂部をより損傷するおそれがない。
【0018】
本発明に係るプローブカードの製造方法は、平板状の基材に該基材を厚さ方向に貫通する貫通穴を形成すると共に、前記貫通穴の周りに角度的間隔をおいた錐形の複数の凹所を基材の一方の面側に形成し、電気的絶縁性の棒状部材を前記貫通穴に前記棒状部材の先部が前記基材の一方の面側に突出する状態に挿入し、感光剤を前記基材の一方の面に前記棒状部材が隠蔽される状態に配置し、前記棒状部材の先端及び前記凹所を含む前記感光剤の領域に感光及びエッチング処理を行って前記領域の感光剤を除去し、座及び該座から突出する複数の突起を前記除去された領域にメッキにより形成し、残存する前記感光剤を除去した後、前記座部から前記突起と反対の側に突出するリード部を形成し、第2の感光剤を前記基材の前記座部及び前記突起の側の面に塗布した後、該第2の感光剤にベースとなる膜を形成し、前記第2の感光剤を除去した後、前記膜に前記座部の周りを延びるスリットを形成することを含む。このような製造方法によれば、レーザ加工によることなく、凹所を座部に形成することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
図1から図3を参照するに、プローブカード10は、半導体デバイスとしての集積回路(IC)チップの通電試験(検査)に用いられるワイヤタイプの縦型プローブカードである。
【0020】
プローブカード10は、円形又は矩形の基板12と、基板12の下面に配置されたケース14と、ケース14の下端に配置されたフィルム状のベース16と、ケース14内に充填されたゴム状の弾性体18と、ケース14、ベース16及び弾性体18を基板12の厚さ方向に貫通して基板12に達する複数のプローブ要素20とを含む。
【0021】
基板12は、プローブ要素20に個々に対応された複数の配線を電気絶縁性のシート状部材又は板状部材に一層又は多層に形成した接続基板である。ケース14は、合成樹脂のような電気絶縁材料により下方に開放する浅い箱の形に形成されており、また箱の底に対応する部位(上壁)において基板12に組み付けられている。ケース14は、円形又は矩形の平面形状を有する。
【0022】
ベース16は、ポリイミドのような電気絶縁材料から形成されたフィルム層であり、またケース14にその開放端を閉鎖する状態に組み付けられている。弾性体18は、シリコーンゴムのような電気絶縁材料から形成されている。プローブ要素20は、検査すべきICチップの電極に個々に対応されており、そのICチップの電極の配列パターンに対応した配列パターンに配置されている。
【0023】
各プローブ要素20は、ベース16をその厚さ方向に貫通する円板状の座部22と、座部22から弾性体18及びケース14の底部(上壁)を基板12の厚さ方向(上下方向)に貫通して基板12に達するリード部24と、座部22からリード部24と反対側(下方側)に突出する角錐状の突起26とを備える。
【0024】
座部22は、その周りを伸びると共にベース16を厚さ方向に貫通する状態にベース16に形成された環状のスリット28により、ベース16から完全に切り離されて、ベース16及び隣の座部22から独立されている。
【0025】
リード部24は、図4に示すように、導電性の心線30の周りに補強層すなわち被覆層32を形成している。そのようなリード部24は、金のような材料を用いた心線30の周りにニッケルのような金属材料をメッキすることにより得ることができる。これにより、金のように導電性の軟質金属線を心線30として用いても、リード部24の機械的強度は補強層32により維持される。
【0026】
リード部24は、ケース14内において弧状に湾曲されている。しかし、リード部24は、図5(A)に示すようにケース14内において湾曲されていなくてもよいし、図5(B)から(G)に示すようにケース14内おいて他の適宜な形状に湾曲されていてもよい。いずれの場合も、座部22はベース16と平行に維持されている。
【0027】
上記のようなリード部24は、いずれも、ICチップの接続工程に用いられているワイヤボンディング技術を用いて形成することができる。リード部24は、その上端において、基板12の対応する配線に電気的に接続されている。リード部24を接着剤のような適宜な手段によりケース14の底部(上壁)に固定してもよい。
【0028】
プローブカード10は、基板12を例えば配線基板として作用するカード基板に装着することにより、プローブカードに組み立てられる。プローブカード10において、プローブ要素20の突起26は、検査すべきICチップの電極に押圧されるコンタクト部として用いられる。
【0029】
コンタクト部すなわち突起26が設けられている座部22は、フィルム状のベース16をその厚さ方向に貫通している。このため、座部22がベース16に対して大きく変位するおそれがないから、突起26がICチップに対し大きく変位するおそれもなく、したがってICチップに対するコンタクト部の位置が安定する。
【0030】
突起26がICチップの電極に押圧されると、プローブ要素20は、座部22がケース14側に移動するように、変位される。しかし、このとき、座部22がその周りを伸びるスリット28によりベース16及び隣りの座部22から独立されているから、ベース16に対する隣り合うプローブ要素20の変位の相互干渉は小さい。
【0031】
また、突起26がICチップの電極に押圧されると、座部22は弾性体18を圧縮する。これにより、突起26とICチップの電極との間に作用する針圧が大きくなる。このとき、リード部24がケース14内において変形するが、リード部の大きな変形は弾性体18により防止され、その結果ベース16に対する突起26の位置がより安定する。
【0032】
突起26は、図示の例では角錐形であるが、円錐形のような他の錐形を有していてもよい。いずれの場合も、突起26がICチップの電極に押圧されたことにより、突起26の鋭い先端が電極に確実に食い込むから、プローブ要素20とICチップの電極との電気的接続が確実になる。
【0033】
上記実施例では、座部22が環状のスリット28によりベース16から完全に切り離されているが、図6に示すようにC字状のスリット34とすることにより座部22をその周りの一部においてベース16に接触させてもよい。また、スリット28又は34をベース16に形成しないことにより、座部22をベース16から切り離さなくてもよい。
【0034】
また、図7に示すようにスリット28に続く環状のスリット36を弾性体18に形成してもよいし、図8に示すようにスリットに続くC字状のスリット38を弾性体18に形成してもよい。さらには、C字状のスリットに続くC字状のスリットを弾性体に形成してもよい。
【0035】
図7又は図8に示すように、環状又はC字状のスリット36又は38を弾性体18に形成するならば、座部22とこれに接する弾性体18の部位とが独立するから、ベース16に対するプローブ要素20の変位の相互干渉が著しく小さくなる。
【0036】
図9に示す実施例においては、座部40をベース16から下方に突出させている。このようにすれば、突起26がICチップの電極に押圧されたとき、座部40がケース14側に多少変位しても、ベース16がICチップの電極に接触するおそれがない。
【0037】
次に、図1から図3に示すプローブカードの製造方法を、図10から図13を参照して説明する。
【0038】
先ず、図10(A)に示すように、角錐形をした複数の穴すなわち凹所50が金属製の基材52の上面にあけられる。凹所50は、プローブ要素20の突起26に個々に対応し、したがって検査すべきICチップの電極配列に対応した配列に形成される。
【0039】
次いで、図10(B)に示すように基材52の上面にホトレジストすなわち感光剤54が塗布される。
【0040】
次いで、その感光剤54が所定のパターンに露光されて、感光剤54が図10(C)に示すように所定のパターンに除去される。感光剤54が除去される領域は、凹所50の位置を中央とする領域である。
【0041】
次いで、図10(D)に示すように、感光剤54の除去された箇所にメッキをされて、座部22及び突起26が形成される。
【0042】
次いで、図10(E)に示すように、感光剤54が除去される。
【0043】
次いで、図11(A)に示すように、座部22から伸びるリード部24がワイヤボンディング技術により形成される。これにより、複数のプローブ要素20が形成される。
【0044】
次いで、図11(B)に示すように、ポリイミドの膜56が基材52の上面に形成される。この膜56は、ベース16として作用する。
【0045】
次いで、図12(A)に示すように、リード部24がケース14の上壁に形成された穴に通されてケース14に固定され、ベース16がケースの開放端に装着される。これらの作業は、基材52をベース16に装着させた状態で行うことができるから、容易である。
【0046】
次いで、図12(B)に示すように、シリコーンゴムのような弾性体18がケース14内に充填される。
【0047】
次いで、図13(A)に示すように基材52が取り除かれ、その後図13(B)に示すようにスリット28が座部22の周りに形成される。スリット28は、レーザ加工又はエッチング加工により形成される。
【0048】
次に、図9に示す突出した座部40を用いるプローブカードの製造方法を、図14及び図15を参照して説明する。
【0049】
先ず、図10(A)、(B)及び(C)に示す工程が行われる。
【0050】
次いで、図14(A)に示すように、感光剤54の除去された箇所にメッキをされて、第1の座部40a及び突起26が形成される。
【0051】
次いで、図14(B)に示すように、第1の座部40a及び感光剤54の上面に第2の感光剤60が塗布される。
【0052】
次いで、第2の感光剤60が所定のパターンに露光されて、第2の感光剤60が図14(C)に示すように所定のパターンに除去される。第2の感光剤60が除去される領域は、第1の座部40aに対応する領域である。
【0053】
次いで、図14(D)に示すように、第2の感光剤60の除去された箇所にメッキをされて、第2の座部40bが形成される。
【0054】
次いで、図10(E)に示すように、第2の感光剤60が除去される。
【0055】
次いで、図11(A)及び(B)、図12(A)及び(B)並びに図13(A)の工程が行われる。これにより、図15(A)に示すように弾性体18がケース14内に充填され、基材52が取り除かれる。
【0056】
次いで、図15(B)に示すように、感光剤54が除去される。これにより、第1の座部40aがベース16から突出される。
【0057】
次いで、図15(C)に示すように、スリット28がレーザ加工又はエッチング加工により、座部22の周りに形成される。これにより、プローブカードが形成される。
【0058】
突起26は、上記の実施例では角錐形(又は、円錐形)をした突起電極であるが、半球状、短い円柱状、リング状、直方体状等、他の形状を有する突起電極であってもよい。
【0059】
図16及び図17に示すプローブ要素70のように、各プローブ要素は、、座部からリード部と反対側に突出してかつ仮想的な中心線の周りに等角度的に間隔をおいた複数の突起26を有していてもよい。
【0060】
図16及び図17に示すプローブ要素70において、座部40は、ベース16からリード部24と反対側に突出しており、またスリット28によりベース16から切り離されており、さらに突出部26の間に凹所72を有している。弾性体18は、スリット28に続くスリット36を有している。
【0061】
プローブ要素70によれば、突起26の外周部の少なくとも一部を半導体デバイスの半球状のバンプ電極に接触させることができるから、そのようなバンプ電極の頂部を損傷するおそれがない。また、凹所72がバンプ電極の頂部の逃げとして作用するから、バンプ電極の頂部をより損傷するおそれがない。
【0062】
次に、図16及び図17に示すプローブ要素70の製造方法の一例を、図18及び図19を参照して以下に説明する。
【0063】
先ず、図18(A)に示すように、金属製の平板状基材80に基材80を厚さ方向に貫通する複数の貫通穴82が形成されると共に、貫通穴82の周りに角度的間隔をおいた錐形の複数の穴すなわち凹所84が基材80の上面側に形成される。
【0064】
次いで、図18(B)に示すように、電気的絶縁性の棒状部材86が貫通穴82に、棒状部材86の先部が基材80の上方に突出する状態に、挿入される。
【0065】
次いで、図18(C)に示すように、感光剤88が基材80の上面に、棒状部材86が隠蔽される状態に、塗布される。
【0066】
次いで、図18(D)に示すように、棒状部材86の先端及び凹所84を含む感光剤88の箇所90が所定のパターンに感光され、エッチング処理をされて、その箇所90の感光剤88が除去される。、
次いで、図18(E)に示すように、感光剤88を除去された箇所90にメッキがされて、座40及び座40から突出する複数の突起26が形成される。
【0067】
次いで、図18(F)に示すように、残存する感光剤88が除去される。これにより、座40及び複数の突起26が露出される。
【0068】
次いで、座部40から伸びるリード部24がワイヤボンディング技術により形成される。この工程は図11(A)に示す工程と同じである。これにより、複数のプローブ要素20が形成される。
【0069】
次いで、図19(A)に示すように、感光剤92が基材80の上面にプローブ要素70におけるベース16からの座部40の突出高さに対応する厚さ寸法に塗布される。
【0070】
次いで、図19(B)に示すように、ポリイミドの膜94が感光剤92の上面に形成される。この膜94は、プローブ要素70においてベース16として作用する。
【0071】
次いで、リード部24がケース14の上壁に形成された穴に通されてケース14に固定され、ベース16がケース14の開放端に装着される。この工程は、図12(A)に示す工程と同じである。これらの作業は、基材80をベース16に装着させた状態で行うことができるから、容易である。
【0072】
次いで、シリコーンゴムのような弾性体18がケース14内に充填される。この工程は、図12(B)に示す工程と同じである。
【0073】
次いで、図19(C)に示すように基材80及び棒状部材86が取り除かれた後、図19(D)に示すように感光剤92が除去される。
【0074】
その後、図16及び図17に示すスリット28,36がレーザ加工又はエッチング加工により座部40の周りに形成される。
【0075】
本発明は、半導体ウエーハの未切断チップのみならず、切断後のチップ、パッケージされた集積回路等、他の半導体デバイスの通電試験に用いるプローブカードにも適用することができる。
【0076】
本発明は、上記実施例に限定されない。本発明は、その趣旨を逸脱しない限り、種々変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るプローブカードの要部の縦断面図である。
【図2】図1に示すプローブカードの要部の拡大した縦断面図である。
【図3】図2に示す要部の底面図である。
【図4】プローブ要素の拡大断面図である。
【図5】リード部の伸長状態の各種の変形例を示す図である。
【図6】ベースに形成されたスリットの他の実施例を示す図であって、(A)は縦断面図、(B)は一部を破断して底面側を示す斜視図である。
【図7】スリットを弾性体にも形成した実施例を示す図であって、(A)は縦断面図、(B)は底面図である。
【図8】弾性体に形成されたスリットの他の実施例を示す図であって、(A)は縦断面図、(B)は一部を破断して底面側を示す斜視図である。
【図9】座部をベースから突出させた実施例を示す図であって、(A)は縦断面図、(B)は一部を破断して底面側を示す斜視図である。
【図10】図1から図3に示すプローブカードの製造工程を説明するための図である。
【図11】図10に続く製造工程を説明するための図である。
【図12】図11に続く製造工程を説明するための図である。
【図13】図12に続く製造工程を説明するための図である。
【図14】図9に示すプローブカードの製造工程を説明するための図である。
【図15】図14の製造工程後の製造工程を説明するための図である。
【図16】プローブ要素の他の実施例を示す断面図である。
【図17】図16に示すプローブ要素の底面図である。
【図18】図16に示すプローブ要素の製造工程を説明するための図である。
【図19】図18に続く製造工程を説明するための図である。
【符号の説明】
10 プローブカード
12 基板
14 ケース
16 ベース
18 弾性体
20,70 プローブ要素
22,40 座部
24 リード部
26 突起
28,34 ベースのスリット
30 心線
32 被覆層
36,38 弾性体のスリット

Claims (10)

  1. 基板と、該基板の一方の面に配置されかつ前記基板と反対側に開放するケースと、該ケースの開放部に配置されたフィルム状のベースと、前記ケース及び前記ベースを前記基板の厚さ方向に貫通する複数のプローブ要素とを含み、
    前記プローブ要素は、前記ベースをその厚さ方向に貫通する板状の座部と、該座部から前記ケースを前記基板の厚さ方向に貫通して前記基板に達するリード部と、前記座部から前記リード部と反対側に突出する複数の突起とを備え、
    前記突起は仮想的な中心線の周りに角度的に間隔をおいており、
    前記ベースは各座部の周りを延びるスリットを有する、プローブカード。
  2. 前記リード部は、導電性の心線と、該心線の周りに形成された被覆層とを備える、請求項1に記載のプローブカード。
  3. 前記突起は錐形の形状を有する、請求項1又は2に記載のプローブカード。
  4. 前記座部は前記ベースから前記ケースと反対の側に突出している、請求項1から3のいずれか1項に記載のプローブカード。
  5. 前記座部は前記スリットにより前記ベースから完全に切り離されている、請求項1に記載のプローブカード。
  6. 前記座部はその周りの少なくとも一部において前記ベースに当接している、請求項1に記載のプローブカード。
  7. さらに、前記ケース内に配置された弾性体を含む、請求項1から6のいずれか1項に記載のプローブカード。
  8. 前記弾性体は、前記ベースの前記スリットに続く第2のスリットを有する、請求項7に記載のプローブカード。
  9. 前記座部は、前記ベースから前記ケースと反対側に突出しており、また隣り合う前記突出部の間に凹所を有する、請求項1に記載のプローブカード。
  10. 平板状の基材に該基材を厚さ方向に貫通する貫通穴を形成すると共に、前記貫通穴の周りに角度的間隔をおいた錐形の複数の凹所を基材の一方の面側に形成し、
    電気的絶縁性の棒状部材を前記貫通穴に前記棒状部材の先部が前記基材の一方の面側に突出する状態に挿入し、
    感光剤を前記基材の一方の面に前記棒状部材が隠蔽される状態に配置し、
    前記棒状部材の先端及び前記凹所を含む前記感光剤の領域に感光及びエッチング処理を行って前記領域の感光剤を除去し、
    座部及び該座部から突出する複数の突起を前記除去された領域にメッキにより形成し、
    残存する前記感光剤を除去した後、前記座部から前記突起と反対の側に突出するリード部を形成し、
    第2の感光剤を前記基材の前記座部及び前記突起の側の面に塗布した後、該第2の感光剤にベースとなる膜を形成し、
    前記第2の感光剤を除去した後、前記膜に前記座部の周りを延びるスリットを形成することを含む、プローブカードの製造方法。
JP2000347593A 1999-12-28 2000-11-15 プローブカード及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4486248B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000347593A JP4486248B2 (ja) 1999-12-28 2000-11-15 プローブカード及びその製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37445599 1999-12-28
JP11-374455 1999-12-28
JP2000347593A JP4486248B2 (ja) 1999-12-28 2000-11-15 プローブカード及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001249145A JP2001249145A (ja) 2001-09-14
JP4486248B2 true JP4486248B2 (ja) 2010-06-23

Family

ID=26582586

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000347593A Expired - Fee Related JP4486248B2 (ja) 1999-12-28 2000-11-15 プローブカード及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4486248B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103901240A (zh) * 2014-03-24 2014-07-02 上海华力微电子有限公司 探针卡识别芯片安装方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5685413B2 (ja) * 2010-10-26 2015-03-18 日本電子材料株式会社 プローブカード
JP6189187B2 (ja) 2013-11-19 2017-08-30 新光電気工業株式会社 プローブカード及びプローブカードの製造方法
KR101678366B1 (ko) * 2015-01-09 2016-12-07 (주)메리테크 컨택터 제조방법
KR101785428B1 (ko) * 2016-04-21 2017-10-16 (주) 마이크로프랜드 반도체소자 테스트소켓

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0831873A (ja) * 1994-07-15 1996-02-02 Furukawa Electric Co Ltd:The スーパーマイクロコネクタ及びその製造方法
JPH09199208A (ja) * 1996-01-23 1997-07-31 Shin Etsu Polymer Co Ltd 電気コネクタ
JPH10300786A (ja) * 1997-04-21 1998-11-13 Nippon Denshi Zairyo Kk 垂直作動型プローブカード及びそれに用いるプローブユニット
JP3302635B2 (ja) * 1998-01-30 2002-07-15 信越ポリマー株式会社 電気コネクタ及びその製造方法
JPH11295342A (ja) * 1998-04-06 1999-10-29 Japan Electronic Materials Corp プローブカード及びその製造方法
JPH11326371A (ja) * 1998-05-15 1999-11-26 Toppan Printing Co Ltd 検査治具

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103901240A (zh) * 2014-03-24 2014-07-02 上海华力微电子有限公司 探针卡识别芯片安装方法
CN103901240B (zh) * 2014-03-24 2017-05-24 上海华力微电子有限公司 探针卡识别芯片安装方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2001249145A (ja) 2001-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6876212B2 (en) Methods and structures for electronic probing arrays
US5811982A (en) High density cantilevered probe for electronic devices
US5828226A (en) Probe card assembly for high density integrated circuits
US6499216B1 (en) Methods and structures for electronic probing arrays
US6329827B1 (en) High density cantilevered probe for electronic devices
US7332922B2 (en) Method for fabricating a structure for making contact with a device
US6722032B2 (en) Method of forming a structure for electronic devices contact locations
JPH09281144A (ja) プローブカードとその製造方法
US7888953B2 (en) Probe card
US9052341B2 (en) Probe card and manufacturing method thereof
KR101582956B1 (ko) 반도체 테스트 소켓 및 그 제조방법
JP4480258B2 (ja) 半導体デバイス検査装置における電気的接触装置
JP4486248B2 (ja) プローブカード及びその製造方法
KR100473430B1 (ko) 수직형 프로브 카드
KR100496583B1 (ko) 반도체 검사용 프로브카드
JPH08220140A (ja) プローブカードの製造方法及びプローブカード
KR100475468B1 (ko) 전자소자 검사용 전기적 접촉체
JP2000235062A (ja) バーンイン試験装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法
JPS6362343A (ja) プロ−ブ・カ−ド
KR100465348B1 (ko) 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁
JP2001201516A (ja) プローブ要素の製作方法及び装置並びに窪み形成装置
KR100448316B1 (ko) 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁의제조방법
KR20210059861A (ko) 프로브 카드 및 이를 이용한 반도체 칩 테스트 방법
JPH10185955A (ja) 検査用ヘッド
JP2003060122A (ja) 半導体チップ搭載用基板及びそれを用いた半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060202

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071001

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091124

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100119

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100204

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100302

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100326

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4486248

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130402

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140402

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees