JP4480258B2 - 半導体デバイス検査装置における電気的接触装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体デバイス検査装置において接触子を半導体デバイスの突起電極に電気的に接触させる装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
集積回路(IC)のような半導体デバイスは、プローブカードやICソケットのような電気的接触装置を用いて、回路が仕様書通りに動作するか否かの通電試験(検査)をされる。そのような通電試験は、ウエーハからチップに切り離す前、チップに切り離した後、チップをモールドした後等に、行われる。電気的接触装置は、チップの電極に押圧される複数の接触子を備えている。
【0003】
チップ・スケール・パッケージ(CSP)、ボール・グリッド・アレイ(BRG)のように、電気的接触装置の側に突出する半球状の突起電極(バンプ電極)をチップの電極とした半導体デバイスにおいては、検査時に突起電極を接触子により損傷しないことが重要である。特に、突起電極が半田で形成されている場合、突起電極の頂部が潰されると、突起電極の高さ寸法(突出高さ)が突起電極毎に異なるから、後の実装時に半導体デバイスの突起電極が基板の配線に電気的に正しく接続されないことが多い。
【0004】
接触子を半導体デバイスの半球状突起電極に接触させる技術の1つとして、角錐状、円錐状又は針状の接触子を用い、その接触子の先鋭な頂部を突起電極に押圧する技術がある。
【0005】
接触子を半導体デバイスの半球状突起電極に接触させる技術の他の1つとして、リング状の接触面を有する接触子を用い、その接触子の接触面を突起電極に押圧する技術がある。
【0006】
【解決しようとする課題】
しかし、前者では、接触子の頂部を半導体デバイス側の突起電極に押圧するから、接触子の先鋭な頂部が突起電極に突き刺さり、その結果突起電極の頂部が損傷され、高さ寸法が突起電極毎に異なってしまう。
【0007】
また、後者では、接触子の環状接触面を半導体デバイス側の突起電極に押圧するから、突起電極の基部が接触面で押し潰され、その結果突起電極の頂部は損傷されないものの、高さ寸法が突起電極毎に異なってしまう。
【0008】
それゆえに、本発明の目的は、半導体デバイスを検査する技術においては、半導体デバイスの突起電極が接触子により損傷されることを可能な限り防止することにある。
【0009】
【解決手段、作用及び効果】
本発明に係る、半導体デバイス検査装置における電気的接触装置は、板状又はフィルム状のベースと、半導体デバイスの各突起電極に対応された複数の角錐状接触子であって前記ベースの一方の面から前記半導体デバイスに向けて突出する複数の角錐状接触子とを含む。
【0010】
前記突起電極毎の前記複数の角錐状接触子は、対応する突起電極の中心軸線の周りに角度的に間隔をおいており、また稜線を前記中心軸線の側に向けている。
【0011】
斜面は多角錐形の底面以外の傾斜した面部分であり、稜線は隣り合う斜面の境界部分である。斜面及び稜線は、いずれも、多角錐形の頂部に収斂する。
【0012】
角錐状接触子の稜線は、半導体デバイス側の突起電極の中心軸線に対し角度を有するから、突起電極の頂部を押圧することなく、突起電極頂部の周りの側部に接触し、その箇所を突起電極の中心軸線に対し角度を有する状態で押圧する。このため、角錐状接触子の押圧に起因する突起電極の損傷が防止される。
【0014】
また、1つの突起電極に対し、複数の角錐状接触子の稜線が接触されていると、突起電極の大きさが相互に異なっていても、突起電極はいずれかの角錐状接触子に確実に接触する。
【0015】
さらに、1つの突起電極に対し、2以上の角錐状接触子を備えている場合、それら複数の角錐状接触子は突起電極毎に突起電極の中心軸線の周りに角度的に間隔をおいてベースに配置されていると、突起電極の大きさが相互に異なっていても、及び、大きさが異なる突起電極であっても、角錐状接触子に確実に接触する。
【0016】
さらに、前記突起電極毎の複数の前記角錐状接触子の稜線が前記突起電極の中心軸線の側に向けられていると、角錐状接触子の稜線が突起電極に確実に接触する。
【0017】
前記ベースは、前記複数の角錐状接触子の配置領域の内側領域に形成されて少なくとも前記対応する突起電極の側に開放する開口を有することができる。そのようにすれば、ベースの開口が突起電極の頂部の逃げとして作用するから、突起電極の頂部がベースに当接することに起因する頂部の損傷が防止される。
【0018】
電気的接触装置は、さらに、前記ベースに配置された配線であって前記角錐状接触子に電気的に接続された1以上の配線を含むことができる。そのような配線は、フラットケーブル、基板等の適宜な手段により検査用電気回路に接続される。
【0019】
前記1以上の接触子は、前記ベースに配置されていてもよいし、前記ベースに配置された座部に装着されていてもよい。
【0020】
電気的接触装置は、さらに、前記突起電極に個々に対応されかつ少なくとも一部を一方の面に露出された複数の配線を備える基板を含み、前記ベースは、その他方の面に形成された錐形の補助接触子であって前記基板の各配線に対応されて対応する配線に電気的に接触されかつ前記角錐状接触子に電気的に接続された補助接触子を有することができる。そのようにすれば、電気的接触装置を半導体デバイスの通電試験に用いるプローブカード又はソケットに形成することができる。
【0021】
電気的接触装置は、さらに、前記基板の前記一方の面に配置されたフレームであって前記ベースを前記角錐状接触子が当該フレームの側となる状態に前記基板に組み付けているフレームを含むことができる。
【0022】
前記フレームは前記半導体デバイスを受け入れる開口を有することができる。そのようにすれば、電気的接触装置をソケットに形成することができる。
【0023】
電気的接触装置は、さらに、前記ベースと前記基板との間に配置された板状のスペーサを含むことができる。
【0024】
電気的接触装置は、さらに、前記ベースへの前記補助接触子の配置個所と前記フレームとの間に配置されたゴム板を含むことができる。そのようにすれば、ゴム板の弾性力を利用して補助接触子を基板の配線に押圧することができる。
【0025】
電気的接触装置は、さらに、前記ベースに配置された座部を含み、前記突起電極毎の前記複数の角錐状接触子は前記座部に配置されていることができる。
【0026】
上記の電気的接触装置において、前記座部は、前記ベースから突出しており、また隣り合う前記接触子の間に開口を有することができる。また、前記ベースは前記座部の周りを伸びるスリットを有することができる。
【0027】
【発明の実施の形態】
図1及び図2を参照するに、電気的接触装置10は、例えば、半導体デバイス12の通電試験(検査)に用いられるワイヤタイプのプローブ要素を用いた縦型プローブカードに適用することができる。半導体デバイス12は、集積回路(IC)チップのように、平板状の被検査体であり、また平板状の基部14の上に複数の電極ランド16を有しており、さらに各電極ランド16に半球状の突起電極18を形成している。各突起電極18は、半田のように低融点の導電性接着剤により形成されている。
【0028】
電気的接触装置10は、円形又は矩形の基板22と、基板22の下面に配置されたケース24と、ケース24の下端に配置された板状又はフィルム状のベース26と、ケース24内に充填されたゴム状の弾性体27と、ケース24、ベース26及び弾性体27を基板22の厚さ方向に貫通して基板22に達する複数のプローブ要素30とを含む。
【0029】
基板22は、プローブ要素30に個々に対応された複数の配線を電気絶縁性のシート状部材又は板状部材に一層又は多層に形成した接続基板である。ケース24は、合成樹脂のような電気絶縁材料により下方に開放する浅い箱の形に形成されており、また箱の底に対応する部位(上壁)において基板22に組み付けられている。ケース24は、円形又は矩形の平面形状を有する。
【0030】
ベース26は、図示の例では、ポリイミドのような電気絶縁材料から形成されたフィルム層であり、またケース24にその開放端を閉鎖する状態に組み付けられている。弾性体27は、シリコーンゴムのような電気絶縁材料から形成されている。プローブ要素30は、検査すべき半導体デバイスの電極に個々に対応されており、その半導体デバイスの電極の配列パターンに対応した配列パターンに配置されている。
【0031】
各プローブ要素30は、突起電極18に個々に対応されている。各プローブ要素30は、ベース26をその厚さ方向に貫通する座部(ランド部)32と、座部32から弾性体27及びケース24の底部(上壁)を基板22の厚さ方向(上下方向)に貫通して基板22に達するリード部(配線)34と、座部32からリード部34と反対側(下方側)に突出する角錐状の接触子36とを備える。
【0032】
座部32は、導電性材料で円板状のような適宜な形状に形成されている。座部32は、その周りを伸びると共にベース26を厚さ方向に貫通する状態にベース26に形成された環状のスリット38により、ベース26から完全に分離されて、ベース26及び隣の座部32から独立されている。スリット38に続くスリット40が弾性体27に形成されている。
【0033】
配線すなわちリード部34は、金のように導電性の軟質金属線から形成することができる。リード部34は、ケース24内において弧状に湾曲されている。しかし、リード部34は、ケース24内において、他の適宜な形状に湾曲されていてもよいし、湾曲されていなくてもよい。いずれの場合も、座部32はベース26と平行に維持されている。
【0034】
上記のようなリード部34は、いずれも、半導体デバイスの接続工程に用いられているワイヤボンディング技術を用いて形成することができる。リード部34は、その上端において、基板22の対応する配線に電気的に接続されている。リード部34を接着剤のような適宜な手段によりケース24の底部(上壁)に固定してもよい。
【0035】
各接触子36は、図示の例では、四角錐形であり、したがって四角形状の底面と、4つの稜線42と、4つの斜面44とを有する。各接触子36は、座部32から半導体デバイス12に向けて突出する状態に、角錐形の底面において座部32に装着されている。
【0036】
各プローブ要素30は、接触子36が対応する突起電極18に対しベース26と平行の面内で一方向に変位する位置に形成されている。このため、各接触子36の中心軸線46は、対応する突起電極18の中心軸線48に対し、突起電極18の外周面の曲率半径r(ベース26と平行な方向における突起電極18の最大外径寸法の2分の1)以下である距離Lだけ変位している。各接触子36は、1つの稜線42が突起電極18の中心軸線48の側に向くように、方向付けられている。
【0037】
電気的接触装置10は、基板22を例えば基板として作用するカード基板に装着することにより、プローブカードに組み立てられる。電気的接触装置10において、プローブ要素30の接触子36は、検査すべき半導体デバイス12の突起電極18に押圧されるコンタクト部として用いられる。
【0038】
半導体デバイス12の通電試験時、電気的接触装置10と半導体デバイス12とは、各プローブ要素30の接触子36が対応する突起電極18に押圧されるように、相対的に移動される。これにより、各接触子36は、図2に示すように、中心軸線48側に向く稜線42及びその近傍において、対応する突起電極18の外周面に接触し、その外周面に押圧される。
【0039】
この際、接触子36の稜線42が半導体デバイス12側の突起電極18の中心軸線48に対し角度を有するから、その稜線42は、突起電極18の頂部を押圧することなく、突起電極18の頂部周囲の側部に接触し、その箇所を中心軸線48に対し角度を有する状態で押圧する。このため、接触子36による押圧に起因する突起電極18の損傷が防止される。
【0040】
上記の装置10によれば、座部32がフィルム状のベース26をその厚さ方向に貫通しているから、座部32がベース26に対して大きく変位するおそれがないし、接触子36が半導体デバイス12に対し大きく変位するおそれもなく、したがって半導体デバイス12に対する接触子36の位置が安定する。また、座部32がベース26から下方に突出しているから、接触子36が突起電極18に押圧されたとき、座部32がケース24側に多少変位しても、ベース26が突起電極18に接触するおそれがない。
【0041】
接触子36が突起電極18に押圧されると、プローブ要素30は、座部32がケース24側に斜めに移動するように、変位される。このとき、座部32がその周りを伸びるスリット38によりベース26及び隣りの座部32から独立されているから、ベース26に対する隣り合うプローブ要素30の変位の相互干渉は小さい。
【0042】
接触子36が突起電極18に押圧されると、座部32は弾性体27を圧縮する。これにより、接触子36と突起電極18との間に作用する針圧が大きくなる。このとき、リード部34がケース24内において変形するが、リード部34の大きな変形は弾性体27により防止され、その結果半導体デバイス12及びベース26に対する接触子36の位置がより安定する。
【0043】
上記の実施例では、座部32が環状のスリット38によりベース26から完全に切り離されているが、スリット38をC字状とすることにより座部32をその周りの一部においてベース26に接触させてもよい。また、スリット38を形成しないことにより、座部32をベース26から分離しなくてもよい。
【0044】
スリット38に続くスリット40を弾性体27に形成しなくてもよい。しかし、環状又はC字状のスリット40を弾性体27に形成するならば、座部32とこれに接する弾性体27の部位とが独立するから、ベース26に対するプローブ要素30の変位の相互干渉が著しく小さくなる。
【0045】
上記の実施例では、1つの突起電極18に対し1つの接触子36を設けているが、1つの接触子18に対し複数の接触子36を設けてもよい。
【0046】
図3を参照するに、プローブ要素50は、上記実施例における配線として作用するリード部34の代わりとしての帯状の配線52と、配線52の一端に続く座部(ランド部)54とを、電気絶縁材料製の板状(又は、フィルム状)のベース26の一方の面に形成した帯状配線タイプのプローブ要素であり、また1つの突起電極18に対しその突起電極18の中心軸線48の周りに等角度間隔をおいた4つの接触子36を利用している。
【0047】
4つの接触子36は、多角錐状の形状を有しており、座部54から半導体デバイス12に向けて突出する状態に、角錐形の底面において座部54に装着されている。各接触子36は、1つの稜線42を突起電極18の中心軸線48に向けている。座部54は、矩形のような適宜な形状を有する。
【0048】
座部54及びベース26は、それぞれ、対応する突起電極の側に開放する開口56及び58を複数の接触子36の配置領域の内側領域に有する。開口56,58は、接触子36が突起電極18に押圧されたとき、突起電極18の頂部の逃げとして作用する。
【0049】
通電試験時、プローブ要素50においても、各接触子36の1つの稜線42が突起電極18に押圧される。この際、各接触子36が突起電極18に正しく押圧されると、図4(A)に示すように、接触子36の稜線の押圧に起因する接触痕60が突起電極18に形成される。また、突起電極18の頂部の逃げとして作用することにより、突起電極18の頂部がベース26及び座部54に当接することに起因する頂部の損傷が防止される。
【0050】
角錐形の複数の接触子36を中心軸線48の周りに角度的間隔をおいて配置したプローブ要素50は、図4(B)に示すように、突起電極18の大きさが相互に異なっても、及び、大きさが異なる突起電極であっても、接触子36はそれらの突起電極18に確実に接触する。また、図4(C)に示すように、半導体デバイス12と平行な面内における突起電極18と接触子36との相対的な位置が多少変位していても、いずれかの接触子36が突起電極18に必ず接触する。
【0051】
上記の作用及び効果は、図5に示すプローブ要素62のように角錐形の2つの接触子36を用いても、得ることができるし、図6に示すプローブ要素64のように3つの接触子36を用いた場合等、角錐形の複数の接触子36を突起電極18の中心軸線の周り角度的間隔をおいて配置しても(好ましくは、等角度間隔に配置しても)、得ることができる。
【0052】
また、図6に示す三角錐形の1以上の接触子36を用いたプローブ要素64のように、三角錐形、六角錐形、八角錐形等、四角錐形以外の多角錐形の1以上の接触子36を用いても、上記の作用及び効果を得ることができる。
【0053】
さらに、図7に示すプローブ要素66のように、角錐形をした1以上の接触子36のいずれかの斜面44を突起電極18に接触させるように、いずれかの接触子36の斜面44を突起電極18の中心軸線48の側に向けても、上記の作用及び効果を得ることができる。
【0054】
図8に示すプローブ要素68のように、接触子36毎に補助座70を設けることにより、座部54からの各接触子36の突出高さを大きくしてもよい。補助座70の形状は、接触子36の底面と異なる形状であってもよいし、同じ形状であってもよい。また、1つの補助座70に2以上の接触子36を配置してもよい。
【0055】
プローブ要素50,62,64,66において、図1及び図2に示すプローブ要素30と同様のスリット38,40を、各接触子36の周りに形成してもよいし、共通の突起電極18に対応する複数の接触子36の配置領域の周りに形成してもよい。また、いずれのプローブ要素においても、座部は、円形や四角形以外に、三角形、六角形等の形状であってもよい。
【0056】
図9から図16を参照するに、電気的接触装置100は、パッケージで封鎖された集積回路(IC)、未封鎖の集積回路等、半導体デバイス12の通電試験に用いるICソケットとして組み立てられている。
【0057】
電気的接触装置100は、円形又は矩形の基板22と、基板22のほぼ中央部の上に配置されたフィルム状のベース28と、ベース28に形成された複数のプローブ要素68と、基板22及びベース28の間に配置されたスペーサ102と、基板の上側に配置されたケースすなわちフレーム104と、フレーム104に配置された複数のゴム板106とを含む。
【0058】
基板22は、互いに電気的に分離された複数の配線108を上面に有する配線基板である。配線108は、検査すべき半導体デバイス12の突起電極に個々に対応されており、またベース28の配置領域から異なる方向へ伸びる4つの配線群に分けられている。
【0059】
ベース28は、電気的接触装置10で用いたベース26とほぼ同じものであり、また図8に示す複数のプローブ要素68を一方の面に有する。プローブ要素68は、その一部を形成する角錐状接触子36が半導体デバイス12とほぼ同じ大きさの矩形の領域内にマトリックス状に位置するように、配線52の一端部に配置されている。
【0060】
プローブ要素68及びその一部を形成する配線52は、半導体デバイス12の突起電極18に対応されている。配線52は、基板22の配線108と同様に、接触子36の配置領域から異なる方向へ伸びる4つの配線群に分けられており、また配線108に個々に対応されている。プローブ要素68の代わりに、他のプローブ要素を用いてもよい。
【0061】
ベース28は、プローブ要素68が配置された矩形の領域の各辺から延在する長方形の延長部28aを有しており、また、配線52及びプローブ要素68の組に個々に対応された複数の補助プローブ要素110を各延長部28aに有する。各補助プローブ要素110は、配線112と、この配線112に形成された1以上の補助接触子114とにより、プローブ要素68と反対側の面(下面)に形成されている(図14参照)。
【0062】
図示の例では、複数の補助接触子114が各配線112に一列に形成されている。各補助接触子114は、図示の例では、角錐形の形状を有しており、また対応する配線112に配置された他の補助接触子114と共に基板22の対応する配線108に先端を押圧されてその配線108に電気的に接触されている。
【0063】
基板22の配線108が基板22の中心の周りに角度的間隔をおいて半径方向へ伸びている場合、補助プローブ要素110の配線112もベース28の中心の周りに角度的間隔をおいて半径方向へ伸びる。
【0064】
各配線112は、ベース28を厚さ方向に貫通する導電部116により、対応する配線52に電気的に接続されている。このため、各補助プローブ要素110の補助接触子114は、対応するプローブ要素68の角錐状接触子36に電気的に接続されている。補助接触子114は、円錐形、截頭角錐形、截頭円錐形等、他の形状を有していてもよい。
【0065】
スペーサ102は、板状の基台118と、基台118に配置された板状の弾性体120とにより、全体的に矩形の板形に形成されている。基台118は、検査すべき半導体デバイス12の平面形状より大きい矩形の平面形状をしており、また弾性体120が配置された凹所を上面に有する。弾性体120は、板状のゴムにより半導体デバイス12の平面形状とほぼ同じ大きさの矩形に形成されており、また上面を基台118の上面とほぼ面一にされている。
【0066】
フレーム104は、矩形をした厚板の形を有しており、また半導体デバイス12を受け入れる開口122と、この開口122の下端に続く凹所124(図11参照)とを中央に有しており、またゴム板106が配置された切欠部126を凹所124の周りの部分に有する。
【0067】
開口122は、ほぼ矩形の平面形状を有しており、また半導体デバイス12のためのガイド面128を開口122の各隅角部に有する。各ガイド面128は、半導体デバイス12を開口122の中央に案内する上部の傾斜面部と、これの下端に続く垂直面部とから構成されており、また半導体デバイス12を受けるストッパ130を下部に有する。
【0068】
凹所124は、開口122より大きい矩形の形状を有する。ゴム板106は、図11及び図13においてフレーム104の突出部分104aの下面とほぼ同じ大きさを有しており、また切欠部126に接着されている。
【0069】
基板22は、また、ベース28を基板22に対して位置決める複数のガイドピン132と、フレーム104を基板22に対して位置決める複数のガイドピン134とを有すると共に、組み付け用ボルト136が螺合される複数のねじ穴138とを有する。ガイドピン132及び134は、基板22から上方へ伸びている。
【0070】
ベース28は、各ガイドピン132を受け入れるガイド穴140を各延長部28aに有する。フレーム104は、各ガイドピン134を受け入れるガイド穴142と、各ボルト136が貫通するガイド穴144とを有する。ゴム板106は、各ガイドピン132の上部を受け入れる凹所146を有する(図13参照)。
【0071】
スペーサ102は、また、ベース28、スペーサ102及びフレーム104を相互に位置決める複数のガイドピン148を基台118に有する。各ガイドピン148は、基台118から上方へ突出しており、またベース28を貫通してフレーム104に一部を受け入れられている。ベース28及びフレーム104は、それぞれ、ガイドピン148を受け入れる穴150及び152を有する(図13参照)。
【0072】
電気的接触装置100の組立は、以下のように行われる。
【0073】
先ず、ガイドピン148がベース28の穴150に通されて、ベース28とスペーサ102とが位置決められる。このとき、ベース28は、角錐状接触子36が上となり、補助接触子114が下方となる状態に、スペーサ102に組み合わされる。これにより、ベース28とスペーサ102とは、弾性体120がプローブ要素68の配置領域に対応する中央に位置し、ベース28の延長部28aがスペーサ102の周りに位置するように、組み合わされる。
【0074】
次いで、ガイドピン132がベース28の穴140に通されて、ベース28及びスペーサ102が基板22に対して位置決められる。これにより、基板22、ベース28及びスペーサ102が図16のように組み立てられ、ベース28の各補助接触子114が基板22の対応する配線108の端部に当接される。
【0075】
次いで、フレーム104が、ガイドピン134及び148をそれぞれ穴142及び152に受け入れるように、ベース28の上側に配置される。これにより、フレーム104が、基板22、ベース28、スペーサ102に対して位置決められる。
【0076】
次いで、ボルト136が、フレーム104の穴144に通されて、基板22のねじ穴138にねじ込まれる。これにより、図9から図11に示す電気的接触装置100が組み立てられる。
【0077】
組み立てられた状態において、角錐状接触子36は、フレーム104の凹所124内に突出している。また、補助接触子114は、基板22の対応する配線108に押圧されて、対応する配線108に電気的に確実に接続される。
【0078】
上記のような組み立て作業は、部材相互間の位置決めがガイドピンと穴とにより行われ、しかも最終的にボルトにより基板とフレームとを結合するだけであるから、容易である。電気的接続装置100は、上記と逆の作業を行うことにより、容易に分解することができる。
【0079】
半導体デバイス12の通電試験時、半導体デバイス12は、電気的接触装置100の上方からフレーム104の開口122に落とし込まれる。これにより、半導体デバイス12は、先ずフレーム104のガイド面128の傾斜面部により開口122の中央側へ案内され、次いでガイド面124の垂直面部に沿って自重により下方へ移動する。
【0080】
その後、半導体デバイス12は、各突起電極18を角錐状接触子36に押圧される。この際、角錐状接触子36の稜線(又は、傾斜面)が半導体デバイス12側の突起電極18の中心軸線に対し角度を有するから、その稜線(又は、傾斜面)は、突起電極18の頂部を押圧することなく、突起電極18の頂部周囲の側部に接触し、その箇所を突起電極18の中心軸線に対し角度を有する状態で押圧する。このため、角錐状接触子36による押圧に起因する突起電極18の損傷が防止される。
【0081】
角錐状接触子36が突起電極18に押圧されると、各プローブ要素68は、スペーサ102の弾性体120を圧縮する。これにより、角錐状接触子36と突起電極18との間に作用する針圧が大きくなる。
【0082】
図17から図19を参照するに、電気的接触装置170は、一般的な半導体デバイス12の通電試験に用いるプローブカードとして組み立てられており、したがって上下方向を電気的接触装置100と逆にして用いられる。
【0083】
電気的接触装置170は、電気的接触装置100と同様に、基板22と、基板22のほぼ中央部の上に配置されたフィルム状のベース28と、ベース28に形成された複数のプローブ要素68と、基板22及びベース28の間に配置されたスペーサ102と、基板の上側に配置されたフレーム104と、フレーム104に配置された複数のゴム板106とを含む。
【0084】
基板22は、互いに電気的に分離された複数の配線108を上面に有し検査装置の電気回路に接続される複数のテスターランド172を周縁部に有する円形の配線基板である点を除いて、電気的接触装置100の基板と同じである。
【0085】
ベース28は、電気的接触装置10で用いたベース26とほぼ同じである。したがって、この実施例においては、ベース28は、複数のプローブ要素68を、その一部を形成する角錐状接触子36が半導体デバイス12とほぼ同じ大きさの矩形の領域内にマトリックス状に位置するように、プローブ要素68の一部を形成する配線52の一端部に配置しており、プローブ要素68が配置された矩形の領域の各辺から延在する長方形の延長部28aを有し、配線52及びプローブ要素68の組に個々に対応された複数の補助プローブ要素110を各延長部28aに有する。
【0086】
しかし、各補助プローブ要素110は、ベース28の上面に形成されている点において、電気的接触装置10の補助プローブ要素と異なる。各補助接触子114は、基板22の対応する配線108に先端を押圧されてその配線108に電気的に接触されており、またベース28を厚さ方向に貫通する導電部116により、対応する配線52に電気的に接続されている。
【0087】
スペーサ102は、電気的接触装置100のスペーサと同じである。したがって、スペーサ102は、基台118と板状の弾性体120とにより、全体的に厚板状に形成されている。
【0088】
フレーム104は、板材により、検査すべき半導体デバイス12の平面形状より大きい矩形の枠の形に形成されている。各ゴム板106は、ベース28の延長部28aとほぼ同じ大きさを有する長方形の板の形に形成されており、矩形の辺に対応する箇所に上面に配置されている。
【0089】
電気的接続装置170においても、電気的接続装置100と同様に、基板22はガイドピン132,134を有し、ベース28はガイド穴140,150を有し、フレーム104はガイド穴142を有し、ゴム板106は凹所146を有し、スペーサ102はガイドピン148を有する。
【0090】
しかし、電気的接続装置170においては、組み付け用ボルト136を、基板22を貫通させて、フレーム104に螺合させることから、ねじ穴138をフレームに形成し、ガイド穴144を基板22に形成している。また、フレーム104はガイドピン148用のガイド穴を有していない。組み付け用ボルト136は、電気的接続装置100のそれよりやや短い。
【0091】
電気的接続装置170も、電気的接続装置100と同様に組み立て及び分解をすることができ、また電気的接続装置100と同様の作用及び効果を奏する。
【0092】
電気的接続装置100及び170のいずれにおいても、スペーサ102を基板22にねじ部材や接着剤により予め装着しておいてもよいし、ベース28をスペーサ102又はフレーム104にねじ部材や接着剤により予め装着しておいてもよい。
【0093】
リード部34を配線として用いる図1に示す電気的接続装置10においても、図3、図5及び図6に示すプローブ要素50,62及び64と同様に、複数の角錐状接触子36を突起電極18毎に備えたプローブ要素を用いることができる。
【0094】
図20,図21及び図22に示すプローブ要素は、それぞれ、図3、図5及び図6に示すプローブ要素50,62及び64と同様に、配線52の代わりの円形の座32と、対応する突起電極18の中心軸線48の周りに角度的に間隔をおいた4つの四角錐状接触子36、2つの四角錐状接触子36及び3つの三角錐状接触子36とを突起電極18毎に備えている。
【0095】
図23に示すように、プローブ要素70,72,74のいずれにおいても、座部32は、ベース26に配置された平面円形のランド部76と、ランド部76からリード部34と反対側(下方)へ突出するバンプ座78とを備えており、隣り合う角錐状接触子36の間に凹所すなわち開口56を有する。
【0096】
また、ベース26及び弾性体28は、それぞれ、座部32の周りにスリット38及び40を有する。リード部34は、ワイヤボンディング技術を用いて形成された金線のような導電性の心線80の周りにニッケルの膜のような被服層82とを有している。
【0097】
プローブ要素70,72及び74においては、それぞれ、プローブ要素50,62及び64と同様に、4つ、2つ又は3つの接触子36の1つの稜線が突起電極18に押圧される。このため、プローブ要素70,72及び74においても、それぞれ、プローブ要素50,62,64と同様に、それらに関連して説明した作用効果、特に図4に関連して説明した作用効果が得られる。しかし、プローブ要素70,72及び74においても、接触子36の1つの斜面を突起電極18に押圧してもよい。
【0098】
本発明は、上記実施例に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない限り、種々変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電気的接続装置の一実施例を示す断面図である。
【図2】図1の電気的接続装置で用いるプローブ要素の一実施例を示す図であって、(A)は断面図、(B)は底面図である。
【図3】プローブ要素の第2の実施例を示す図であって、(A)は底面図、(B)は断面図である。
【図4】図3のプローブ要素を用いたときの突起電極と接触子との関係を説明するための図であって、(A)は突起電極に形成された接触痕の一例を示す図、(B)は大きさの異なる突起電極に対する接触子の関係を示す図、(C)は接触子と突起電極とが相対的に位置ずれを生じていたときの関係を示す図である。
【図5】プローブ要素の第3の実施例を示す図である。
【図6】プローブ要素の第4の実施例を示す図である。
【図7】プローブ要素の第5の実施例を示す図である。
【図8】プローブ要素の第6の実施例を示す図である。
【図9】本発明に係る電気的接続装置の第2の実施例を示す平面図である。
【図10】図9に示す電気的接続装置の正面図である。
【図11】図9に示す電気的接続装置の断面図である。
【図12】図9の12−12線に沿って得た断面図である。
【図13】図9の13−13線に沿って得た断面図である。
【図14】図9に示す電気的接続装置おける補助接触子近傍の拡大断面図である。
【図15】図9に示す電気的接続装置の分解斜視図である。
【図16】図9に示す電気的接続装置の基板、ベース及びスペーサを組み立てた状態を示す斜視図である。
【図17】本発明に係る電気的接続装置の第3の実施例を示す平面図である。
【図18】図17に示す電気的接続装置の正面図である。
【図19】図17に示す電気的接続装置の断面図である。
【図20】プローブ要素の第7の実施例を示す図である。
【図21】プローブ要素の第8の実施例を示す図である。
【図22】プローブ要素の第9の実施例を示す図である。
【図23】図20,図21及び図22に示すプローブ要素の主要部の断面図である。
【符号の説明】
10,100,170 電気的接続装置
12 半導体デバイス
14 半導体デバイスの基部
16 半導体デバイスの電極ランド
18 半導体デバイスの突起電極
22 基板
24 ケース
26,28 ベース
27 弾性体
30,50,62,64,66,68,70,72,74 プローブ要素
32,54 座部
34 リード部(配線)
36 接触子
38,40 スリット
42 稜線
44 斜面
46 接触子の中心軸線
48 突起電極の中心軸線
52 配線
56,58 開口
60 接触痕
102 スペーサ
104 フレーム
106 ゴム板
108 基板の配線
110 補助プローブ要素
112 補助プローブ要素の配線
114 補助プローブ要素の補助接触子
116 導電部
120 スペーサの弾性体
128 ガイド面
130 ストッパ
132,134,148 ガイドピン
136 組み付け用ボルト
138 ねじ穴
140,142,144,150,152 ガイド穴
Claims (12)
- 半導体デバイス検査装置において接触子を半導体デバイスの複数の突起電極に電気的に接触させる装置であって、
板状又はフィルム状のベースと、前記各突起電極に対応された複数の角錐状接触子であって前記ベースの一方の面から前記半導体デバイスに向けて突出する複数の角錐状接触子とを含み、
前記突起電極毎の前記複数の角錐状接触子は、対応する突起電極の中心軸線の周りに角度的に間隔をおいており、また稜線を前記中心軸線の側に向けている、半導体デバイス検査装置における電気的接触装置。 - 前記ベースは、前記突起電極毎の前記複数の角錐状接触子の配置領域の内側領域に形成されて少なくとも前記対応する突起電極の側に開放する開口を有する、請求項1に記載の装置。
- さらに、前記ベースに配置された配線であって前記突起電極毎の前記複数の角錐状接触子に電気的に接続された配線を含む、請求項1及び2のいずれか1項に記載の装置。
- 前記突起電極毎の前記複数の角錐状接触子は前記ベースに配置された座部に装着されている、請求項1から3のいずれか1項に記載の装置。
- さらに、前記ベースに対し前記被検査体と反対の側に配置された基板であって前記突起電極に個々に対応されかつ少なくとも一部を前記一方の面に露出された複数の配線を備える基板を含み、
前記ベースは、前記基板の側の面に形成された錐形の補助接触子であって前記基板の各配線に対応されて対応する配線に電気的に接触されかつ前記角錐状接触子に電気的に接続された補助接触子を有する、請求項1から4のいずれか1項に記載の装置。 - さらに、前記基板の前記一方の面に配置されたフレームであって前記ベースを前記角錐状接触子が当該フレームの側となる状態に前記基板に組み付けているフレームを含む、請求項5に記載の装置。
- 前記フレームは前記半導体デバイスを受け入れる開口を有する、請求項6に記載の装置。
- さらに、前記ベースと前記基板との間に配置された板状のスペーサを含む、請求項5から7のいずれか1項に記載の装置。
- さらに、前記ベースへの前記補助接触子の配置個所と前記フレームとの間に配置されたゴム板を含む、請求項5から8のいずれか1項に記載の装置。
- さらに、前記ベースに配置された座部を含み、前記突起電極毎の前記複数の角錐状接触子は前記座部に配置されている、請求項1に記載の装置。
- 前記座部は、前記ベースから突出しており、また隣り合う前記角錐状接触子の間に開口を有する、請求項10に記載の装置。
- 前記ベースは前記座部の周りを伸びるスリットを有する、請求項10及び11のいずれか1項に記載の装置。
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