JP6246507B2 - プローブカード及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明はプローブカード及びその製造方法に関する。

配線基板などの被検査対象の電気特性の測定は、被検査対象の多数の電極パッドにプローブカードの接触端子を接触させて導通をとることにより行われる。

特開２０１１−６４７０５号公報 特開２０１１−１２２８４３号公報 特開２０１１−２３７３９１号公報

近年では、被検査対象の電極パッドの狭ピッチ化が進められており、それに対応するためにプローブカードの接触端子の狭ピッチ化が必要になる。また、被検査対象の電極パッドが損傷したり、コンタクト不良が発生しないように、プローブカードの接触端子の接触圧を制御する技術が求められる。

接触端子を狭ピッチ化できると共に、信頼性よく被検査対象の電気測定を行うことができるプローブカード及びその製造方法を提供することを目的とする。

以下の開示の一観点によれば、絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された配線層とを備えた配線基板と、前記配線基板の絶縁層及び配線層を厚み方向に貫通して形成された開口部と、前記開口部の周辺の前記配線基板の上面に配置されると共に、前記開口部の内面から露出して形成され、かつ、前記配線層に接続された接続パッドと、前記配線基板の開口部に形成されると共に、弾性を有する材料から形成され、かつ、前記接続パッドを埋め込む樹脂部と、前記樹脂部の下面から突出する柱状の接触部と、前記接触部の上に配置されると共に、前記樹脂部に埋め込まれ、かつ、前記接触部よりも幅広な凸状部とを備えた接触端子であって、先端の接触面が平坦面となった前記接触端子と、前記樹脂部の中に埋め込まれ、前記接触端子と前記接続パッドとを接続するワイヤとを有し、前記接触端子と前記ワイヤとは同じ金属から形成され、前記接触端子の直径は前記ワイヤの直径よりも大きく、前記接触端子の一方の端側の前記ワイヤとの接続部が前記樹脂部に埋め込まれ、前記接触端子の他方の端側は前記樹脂部から露出しているプローブカードが提供される。

また、その開示の他の観点によれば、第１金属層の上にめっきレジストをパターニングする工程と、電解めっきにより、前記第１金属層の露出面に第２金属層を形成する工程と、前記めっきレジストを除去して、前記第２金属層に凹部を形成する工程とを含む方法により、表面領域に複数の前記凹部を形成した金属基材を用意する工程と、絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された配線層と、前記絶縁層及び配線層を厚み方向に貫通して形成された開口部と、前記開口部の周辺の前記配線基板の上面に配置されると共に、前記開口部の内面から露出して形成され、かつ、前記配線層に接続された接続パッドとを備えた配線基板を用意する工程と、前記配線基板の開口部から前記金属基材の複数の凹部が露出するように、前記配線基板を前記金属基材の上に接着する工程と、ワイヤボンディング法により、前記金属基材の凹部の全体にワイヤの先端部からなる金属電極を埋め込んで接触端子を形成すると共に、前記接触端子と前記配線基板の接続パッドとを前記ワイヤで接続する工程と、前記配線基板の開口部内に、弾性を有する材料からなる樹脂部を形成して、前記ワイヤを前記樹脂部で埋め込む工程と、前記金属基材を除去して、前記ワイヤと一体的に繋がり、前記樹脂部の下面から突出する前記接触端子を露出させる工程とを有し、前記接触端子と前記ワイヤとは同じ金属から形成され、前記接触端子の直径は前記ワイヤの直径よりも大きく形成されるプローブカードの製造方法が提供される。

以下の開示によれば、プローブカードにおいて、配線基板の開口部に樹脂部が充填され、樹脂部の下面に配置された接触端子が樹脂部に埋め込まれたワイヤを介して配線基板の接続パッドに接続されている。弾性を有する樹脂部を採用することにより、樹脂部を押圧することで接触端子に適切な接触圧をかけることができる。

また、ワイヤはワイヤボンディング法で形成されるので、接触端子の狭ピッチ化を図ることができる。さらには、４端子検査にも容易に対応することができる。

図１（ａ）〜（ｃ）は第１実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その１）である。 図２（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その２）である。 図３（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その３）である。 図４（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その４）である。 図５は第１実施形態のプローブカードを示す断面図である。 図６（ａ）は図５のプローブカードを上側からみた縮小平面図であり、図６（ｂ）は図５のプローブカードを下側からみた縮小平面図である 図７は図５のプローブカードで配線基板の電気特性を測定する様子を示す断面図である。 図８は第１実施形態の４端子検査に対応するプローブカードの接触端子の様子を示す断面図である。 図９（ａ）〜（ｅ）は４端子検査における配線基板の接続パッド及びプローブカードの接触端子の様子を示す平面図（その１）である。 図１０（ａ）〜（ｅ）は４端子検査における配線基板の接続パッド及びプローブカードの接触端子の様子を示す平面図（その２）である。 図１１は第１実施形態の疑似４端子検査に対応するプローブカードの接触端子の様子を断面図である。 図１２（ａ）〜（ｃ）は第２実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その１）である。 図１３（ａ）及び（ｂ）は第２実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その２）である。 図１４は第２実施形態のプローブカードを示す断面図である。 図１５は図１４のプローブカードで配線基板の電気特性を測定する様子を示す断面図である。 図１６は第３実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その１）である。 図１７は第３実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その２）である。 図１８（ａ）及び（ｂ）は第３実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その３）である。 図１９（ａ）及び（ｂ）は第３実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その４）である。 図２０は第３実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その５）である。 図２１は第３実施形態のプローブカードを示す断面図である。 図２２（ａ）〜（ｃ）は第４実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その１）である。 図２３（ａ）〜（ｃ）は第４実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その２）である。 図２４（ａ）及び（ｂ）は第４実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その３）である。 図２５は第４実施形態のプローブカードを示す断面図である。 図２６（ａ）及び（ｂ）は第５実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その１）である。 図２７は第５実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その２）である。 図２８（ａ）〜（ｃ）は第５実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その３）である。 図２９は第５実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その４）である。 図３０は第５実施形態のプローブカードを示す断面図である。 図３１（ａ）及び（ｂ）は第６実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その１）である。 図３２（ａ）及び（ｂ）は第６実施形態のプローブカードの製造方法を示す断面図（その２）である。 図３３は第６実施形態のプローブカードを示す断面図である。

以下、実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。

（第１実施形態）
図１〜図４は第１実施形態のプローブカードの製造方法を示す図、図５は第１実施形態のプローブカードを示す図である。本実施形態では、プローブカードの製造方法を説明しながらプローブカードの構造について説明する。

第１実施形態のプローブカードの製造方法では、図１（ａ）に示すように、まず、金属基材として、厚みが２００μｍ程度の銅（Ｃｕ）箔１０を用意する。銅箔１０の代わりに、ニッケル（Ｎｉ）箔などの他の金属基材を使用してもよい。

次いで、図１（ｂ）に示すように、銅箔１０の上に、その四角状の表面領域に複数の開口部１１ａが配置されためっきレジスト１１をフォトリソグラフィに基づいて形成する。さらに、図１（ｃ）に示すように、めっきレジスト１１の開口部１１ａを通して銅箔１０を厚みの途中までウェットエッチングすることにより凹部１０ｘを形成する。

これにより、銅箔１０の四角状の表面領域に複数の凹部１０ｘが並んで配置される。例えば、凹部１０ｘの直径は３０μｍ程度であり、凹部１０ｘの深さは２０μｍ〜５０μｍであり、凹部１０ｘの配置ピッチは４０μｍ程度である。

続いて、図２（ａ）に示すように、銅箔１０をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、銅箔１０の凹部１０ｘの内面に厚みが２μｍ〜５μｍの金（Ａｕ）めっき層１２を形成する。金めっき層１２は、銅箔１０の凹部１０ｘの内面に沿って形成され、凹部１０ｘ内に孔が残される。

その後に、図２（ｂ）に示すように、めっきレジスト１１が除去される。これにより、銅箔１０の表面の四角領域に、内面に金めっき層１２が形成された複数の凹部１０ｘが配置される。このようにして、表面領域に複数の凹部１０ｘを形成した銅箔１０を用意する。

次いで、図３（ａ）に示すように、厚み方向に貫通する開口部５ａが中央に設けられた枠状の配線基板５を用意する。配線基板５では、第１絶縁層２１の上に第１配線層３１が形成されている。

第１絶縁層２１の上には、第１配線層３１に到達する第１ビアホールＶＨ１が設けられた第２絶縁層２２が形成されている。第２絶縁層２２の上には第１ビアホールＶＨ１を介して第１配線層３１に接続される第２配線層３２が形成されている。

さらに同様に、第２絶縁層２２の上には、第２配線層３２に到達する第２ビアホールＶＨ２が設けられた第３絶縁層２３が形成されている。第３絶縁層２３の上には第２ビアホールＶＨ２を介して第２配線層３２に接続される第３配線層３３が形成されている。

第１〜第３絶縁層２１，２２，２３は樹脂などから形成され、第１〜第３配線層３１，３２、３３は銅などから形成される。

配線基板５の開口部５ａの側面は階段状に形成されている。第１絶縁層２１は第２絶縁層２２の端から内側に突き出るリング状の第１階段面Ｓ１を備えている。そして、第１絶縁層２１の第１階段面Ｓ1の上に第１接続パッドＰ１が形成されている。

また、第２絶縁層２２は第３絶縁層２３の端から内側に突き出るリング状の第２階段面Ｓ２を備えている。そして同様に、第２絶縁層２２の第２階段面Ｓ２の上に第２接続パッドＰ２が形成されている。

第１、第２接続パッドＰ１、Ｐ２は、第１、第２配線層３１、３２にそれぞれ繋がっている。また、第１、第２接続パッドＰ１、Ｐ２は、表面にニッケル／金めっき層などのコンタクト層を備えている。

配線基板５の開口部５ａの面積は、前述した複数の凹部１０ｘが配置された銅箔１０の四角領域よりも一回り大きな面積に設定される。

配線基板５としては各種のものを使用できるが、例えば、ガラスエポキシ樹脂を基板として使用するプリント配線板を使用することで低コスト化を図ることができる。

このようにして、開口部５ａとその周辺の上面に配置された第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２とを備えた配線基板５を用意する。

続いて、図３（ｂ）に示すように、図３（ａ）の配線基板５の下面を接着層１３によって銅箔１０の上に接着する。これにより、配線基板５の開口部５ａ内に銅箔１０の複数の凹部１０ｘが一括して露出した状態となる。接着層１３としては、例えば、エポキシ樹脂系の接着シート、又はエポキシ樹脂系の液状の接着剤などが使用される。

次いで、図４（ａ）に示すように、ワイヤボンディング法に基づいて、ワイヤボンダのキャピラリ（不図示）からはみ出した金ワイヤ１６の先端部を放電により球状に丸める。そして、キャピラリを下降して金ワイヤ１６の先端球状部を銅箔１０の凹部１０ｘの金めっき層１２に接触させ、加熱及び超音波振動によって金めっき層１２に接合する。

その後に、キャピラリを上昇させ、金ワイヤ１６を配線基板５の第１接続パッドＰ１に移動し、金ワイヤ１６と第１接続パッドＰ１との接合を行う。

このようにして、銅箔１０の凹部１０ｘ内と配線基板５の第１接続パッドＰ１とを金ワイヤ１６で接続する。これにより、銅箔１０の凹部１０ｘが金めっき層１２及びワイヤボンダからの金電極１４によって埋め込まれ、金めっき層１２及び金電極１４からプローブカードの接触端子Ｔが得られる。この時点では、プローブカードの接触端子Ｔは銅箔１０に埋め込まれた状態となっている。

接触端子Ｔはそれに接続される金ワイヤ１６を介して配線基板５の第１接続パッドＰ１に電気的に接続される。

同様なワイヤボンディング工程を繰り返すことにより、銅箔１０の全ての凹部１０ｘ内に接触端子Ｔを形成すると共に、各接触端子Ｔを配線基板５の第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２に金ワイヤ１６を介して電気的に接続する。

接触端子Ｔの数によって配線基板５の階段面の数が調整される。本実施形態では、２つの第１、第２階段面Ｓ１，Ｓ２に第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２を配置しているが、接触端子Ｔの数に合わせて、階段数を増やすことで接続パッドの数を増加させることができる。

本実施形態では、接触端子Ｔの配置ピッチはワイヤボンディング技術の限界スペックにより決定される。直径が１８μｍのワイヤを使用する場合は、ワイヤの配置ピッチを４０μｍ程度に狭ピッチ化することが可能である。さらには、直径が１５μｍのワイヤを使用する場合は、配置ピッチを３５μｍ程度にさらに狭ピッチ化することができる。

本実施形態では、ワイヤボンディング法で信頼性よく銅箔１０の凹部１０ｘに金電極１４を充填するために、銅箔１０の凹部１０ｘに金めっき層１２を形成した後に、金電極１４を形成している。これ以外に、金めっき層１２を省略して、銅箔１０の凹部１０ｘにワイヤボンディング法で金電極１４を直接形成することも可能である。この場合は、接触端子Ｔは金電極１４のみから形成される。

また、銅箔１０の凹部１０ｘに埋め込まれる金属電極として金電極１４を例示するが、金ワイヤ１６の代わりに銅ワイヤを使用し、銅箔１０の凹部１０ｘの金めっき層１２の上に銅電極を埋め込んでもよい。

次いで、図４（ｂ）に示すように、複数の金ワイヤ１６が配置された配線基板５の開口部５ａに粘度の低い液状樹脂を塗布して開口部５ａ内に液状樹脂を充填する。その後に、液状樹脂を加熱処理によって硬化させることにより、複数の金ワイヤ１６を樹脂部４０の中に埋め込む。

樹脂部４０は弾性を有する樹脂材料又はゴム材料から形成される。好適な一例としては、シリコーン系の低弾性樹脂又はフッ素ゴムなどのヤング率が１ＭＰａ〜１０ＭＰａの材料が使用される。あるいは、アクリル系の低弾性樹脂、又はウレタンゴムなどを使用してもよい。

次いで、図５に示すように、銅箔１０をウェットエッチングにより除去する。銅箔１０のエッチャントとしては、塩化第二鉄水溶液、又は塩化第二銅水溶液などがある。これにより、接触端子Ｔの金めっき層１２、樹脂部４０及び接着層１３に対して銅箔１０を選択的に除去することができる。このようにして、樹脂部４０の下面に金めっき層１２及び金電極１４から形成される複数の接触端子Ｔが得られる。

あるいは、銅箔１０の代わりに、ニッケル箔を使用する場合は、エッチャントとして、過酸化水素水と硝酸の混合液などが使用され、同様に下地に対して選択的に除去することができる。

金属基材として、銅箔１０やニッケル層を例示するが、接触端子Ｔ、樹脂部４０及び接着層１３に対して選択的に除去できる金属であればよく、他の金属材料を使用することも可能である。

以上により、図５に示すように、第１実施形態のプローブカード１が得られる。

図５に示すように、第１実施形態のプローブカード１は、前述した図３（ａ）で説明した中央に開口部５ａが設けられた枠状の配線基板５を備えている。

配線基板５の開口部５ａの側面は階段状になっており、下から順に、第１階段面Ｓ１及び第２階段面Ｓ２を備えている。第１階段面Ｓ１に第１接続パッドＰ１が形成され、第２階段面Ｓ２に第２接続パッドＰ２が形成されている。このように、配線基板５は開口部５ａの周辺の上面に第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２を備えている。

図６（ａ）は図５を上面側Ａからみた縮小平面図、図６（ｂ）は図５を下面側Ｂからみた縮小平面図である。

図６（ａ）を加えて参照すると、配線基板５の中央の四角状の開口部５ａに樹脂部４０が充填されている。図６（ａ）の例では、配線基板５の上面側のリング状の領域にパッド状の複数の第３配線層３３が並んで配置されている。

さらに、図６（ｂ）を加えて参照すると、配線基板５の開口部５ａに充填された樹脂部４０の下面側に、金めっき層１２及び金電極１４から形成された複数の接触端子Ｔが並んで配置されている。接触端子Ｔの金めっき層１２は電解めっきで形成され、金電極１４はワイヤボンディング法で形成される。

金めっき層１２を省略し、接触端子Ｔが金電極１４のみから形成されるようにしてもよい。

さらに、図５に示すように、各接触端子Ｔは金ワイヤ１６を介して配線基板５の第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２にそれぞれ電気的に接続されている。各金ワイヤ１６は樹脂部４０の中に埋め込まれて樹脂部４０で保持されている。配線基板５の接続パッドが配置される階段面の数は、接触端子Ｔの数に合わせて適宜調整される。

樹脂部４０はシリコーン系の低弾性樹脂やフッ素ゴムなどから形成され、適度な弾性を有する。金ワイヤ１６は樹脂部４０の中で引き回しされて、金ワイヤ１６の先端に配置された接触端子Ｔが樹脂部４０の下面から突出して露出している。これにより、弾性を有する樹脂部４０を下側に押圧することにより、接触端子Ｔに適切な接触圧をかけることができる。

また、本実施形態のプローブカード１は、プリント配線板、ワイヤボンディング技術、樹脂封止、銅箔のウェットエッチングなどの従来の工場ラインで実施可能な技術によって製造することができる、このため、プローブカードを歩留りよく低コストで製造することができる。

次に、第1実施形態のプローブカード１を使用して被検査対象の電気特性を測定する方法について説明する。

図７に示すように、プローブカード１の第３配線層３３（パッド）に計測器などの検査用装置（不図示）の端子が電気的に接続され、検査用装置からプローブカード１を介して被検査対象に各種の試験信号が供給されて被検査対象の電気特性が測定される。

図７には、インターポーザなどの配線基板の電気特性を測定する例が示されている。ステージ６の上に配置された測定用の配線基板５０の電極パッド５２にプローブカード１の接触端子が接触するように、プローブカード１を配線基板５０の上に配置する。

さらに、プローブカード１の樹脂部４０の上に押圧機構５４を配置し、樹脂部４０を下側に押圧する。押圧機構５４の押圧力は、ロードセルなどの荷重検出手段で検出されて調整される。

前述したように、樹脂部４０は適度な弾性を有するため、押圧機構５４からの押圧力に追随して全ての接触端子Ｔを適度な接触圧で配線基板５０の電極パッド５２に押し付けることができる。

このように、本実施形態のプローブカード１は、接触端子Ｔの接触圧を調整するための押圧機構５４を備えている。これにより、検査用装置から電流を配線基板５０に供給することに基づいて、配線基板５０の抵抗値の測定などの電気的な検査を信頼性よく行うことができる。

また、本実施形態のプローブカード１は、接触端子Ｔが樹脂部４０の水平な下面から突出する構造であり、移動機構（不図示）によって被検査対象の表面上を水平方向に走査できる。このため、検査ポイントの多い被検査対象であっても迅速に検査することができる。

また、本実施形態のプローブカード１は、４端子検査によって配線基板５０の抵抗値を測定することができる。一般的な２端子検査では、プローブカード１の配線抵抗、及び接触端子Ｔと配線基板５０の電極パッド５２との接触抵抗を含むため、配線基板５０のみの抵抗値を精密に測定することは困難である。

しかし、４端子検査を採用することにより、電流を流す回路と電圧を測定する回路とを独立させるため、配線抵抗や接触抵抗を無視できるようなり、配線基板５０の抵抗値を精密に測定することができる。

図８に示すように、本実施形態のプローブカード１は４端子検査に対応するようになっている。配線基板５０の一つの電極パッド５２に、第１ワイヤ１６ａに接続された第1接触端子Ｔ１と、第２ワイヤ１６ｂに接続された第２接触端子Ｔ２とが分離された状態でペアになって接触する。例えば、第1接触端子Ｔ１に接続される回路が電流供給回路となり、第２接触端子Ｔ２に接続される回路が電圧測定回路となる。

図９（ａ）には、配線基板５０の電極パッド５２の配置の第1例が示されており、複数の電極パッド５２が横方向及び縦方向の直線上に整列された格子配列で配置されている。

図９（ａ）の配線基板５０の各電極パッド５２に配置される図８のプローブカード１のペアの第1、第２接触端子Ｔ１，Ｔ２の配置は、図９（ｂ）のように横方向に並んで配置されてもよいし、あるいは、図９（ｃ）のように、縦方向に並んで配置されてもよい。

あるいは、図９（ｄ）のように、図８のプローブカード１のペアの第1、第２接触端子Ｔ１，Ｔ２の配置は、左斜め上方向に並んで配置されてもよいし、図９（ｅ）のように右斜め上方向に並んで配置されてもよい。

また、図１０（ａ）には、配線基板５０の電極パッド５２の配置の第２例が示されており、複数の電極パッド５２がパッド間のピッチの半分の位置に交互に整列された千鳥配列で配置されている。

この場合も同様に、図８のプローブカード１のペアの第1、第２接触端子Ｔ１，Ｔ２の配置は、図１０（ｂ）のように横方向に並んで配置されてもよいし、あるいは、図１０（ｃ）のように、縦方向に並んで配置されてもよい。

あるいは、図１０（ｄ）のように、図８のプローブカード１のペアの第1、第２接触端子Ｔ１，Ｔ２の配置は、左斜め上方向に並んで配置されてもよいし、図１０（ｅ）のように右斜め上方向に並んで配置されてもよい。

また、図１１に示すように、配線基板５０の一つの電極パッド５２にプローブカード１の一つの接触端子Ｔを接触させ、その接触端子Ｔに第１ワイヤ１６ａ及び第２ワイヤ１６ｂが分離されて接続されるようにしてもよい。例えば、第１ワイヤ１６ａが電流供給回路となり、第２ワイヤ１６ｂが電圧測定回路となる。

このように、プローブカードの一つの接触端子に、分離された２本のワイヤを接続するようにしてもよい。

この場合は、接触端子Ｔで電流回路及び電圧回路を共用しているため、疑似４端子検査となり、接触端子Ｔと配線基板５０の電極パッド５２との接触抵抗が含まれるが、２端子検査より精密に電気的な検査を行うことができる。

なお、本実施形態では、被検査対象として、インターポーザなどの配線基板５０を例示した。この他に、半導体回路が形成されたシリコンウェハなどの半導体基板、あるいは、配線基板に半導体チップが実装されたモジュール基板などの各種の電子部品の電気的な検査に使用することができる。

また、プローブカード１の接触端子Ｔをエリアアレイ型で配置する例を示したが、接触端子Ｔを周縁のみに配置するペリフェラル型で配置してもよい。

（第２実施形態）
図１２〜図１３は第２実施形態のプローブカードの製造方法を示す図、図１４は第２実施形態のプローブカードを示す図である。第２実施形態では、配線基板から樹脂部が外側に突出し、樹脂部の突出部に接触端子が配置される。

第２実施形態のプローブカードの製造方法では、図１２（ａ）に示すように、まず、第1実施形態と同様な銅箔１０を用意する。そして、第1実施形態で説明した複数の凹部１０ｘが配置される銅箔１０の四角領域に開口部１５ａが一括して設けられた第1レジスト１５をフォトリソグラフィに基づいて形成する。

続いて、図１２（ｂ）に示すように、第1レジスト１５の開口部１５ａを通して銅箔１０の四角領域を厚みの途中までエッチングすることによりへこみ領域１０ｙを形成する。銅箔１０の厚みが２００μｍ程度の場合は、銅箔１０のへこみ領域１０ｙの深さは１００μｍ〜１５０μｍ程度に設定される。

次いで、図１２（ｃ）に示すように、第1レジスト１５を除去した後に、銅箔１０のへこみ領域１０ｙに複数の開口部１７ａが配置された第２レジスト１７を銅箔１０の上にフォトリソグラフィに基づいて形成する。

続いて、同じく図１２（ｃ）に示すように、第２レジスト１７の開口部１７ａ通して銅箔１０を厚みの途中までウェットエッチングすることにより複数の凹部１０ｘを形成する。さらに、同じく図１２（ｃ）に示すように、第１実施形態の図２（ａ）の工程と同様に、電解めっきにより複数の凹部１０ｘの内面に金めっき層１２を形成する。

その後に、図１３（ａ）に示すように、第２レジスト１７が除去される。これより、銅箔１０のへこみ領域１０ｙに、内面に金めっき層１２が形成された複数の凹部１０ｘが配
置された状態となる。

次いで、図１３（ｂ）に示すように、第１実施形態の図３（ａ）及び（ｂ）の工程と同様な方法により、中央に開口部５ａが設けられた配線基板５を銅箔１０の上に接着層１３によって接着する。

続いて、同じく図１３（ｂ）に示すように、第１実施形態の図４（ａ）の工程と同様に、銅箔１０の凹部１０ｘ内の金めっき層１２に金電極１４を接合し、金ワイヤ１６によって金電極１４と配線基板５の第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２とを接続する。これにより、銅箔１０の凹部１０ｘに接触端子Ｔを得る。

さらに、同じく図１３（ｂ）に示すように、第１実施形態の図４（ｂ）の工程と同様に、配線基板５の開口部５ａに樹脂部４０を形成して金ワイヤ１６を樹脂部４０内に埋め込む。

その後に、図１４に示すように、第1実施形態の図５の工程と同様に、銅箔１０を除去して接触端子Ｔを露出させる。

以上により、図１４に示すように、第２実施形態のプローブカード２が得られる。

図１４に示すように、第２実施形態のプローブカード２では、樹脂部４０が配線基板５の下面の接着層１３から下側に突き出る突出部４０ｘを備えている。

そして、樹脂部４０の突出部４０ｘの露出面に複数の接触端子Ｔが配置されている。樹脂部４０の突出部４０ｘの突出高さは、図１２（ｂ）の工程で銅箔１０の厚みやエッチング量によって調整することができる。

その他の構造は、第1実施形態のプローブカード１と同一であるので、それらの説明は省略する。

図１５に示すように、第２実施形態のプローブカード２は、第１実施形態と同様に、配線基板５０の上に配置され、押圧機構５４によって下側に押圧された状態で配線基板５０の電気特性が測定される。

第２実施形態のプローブカード２は、接触端子Ｔが樹脂部４０の突出部４０ｘに配置されるため、ステージ６と配線基板５との間隔ｄを第１実施形態よりも広くすることができる。

これにより、ステージ６とプローブカード２と間から接触端子Ｔが配置された領域に光を照射することで、接触端子Ｔの接触状況を目視や画像認識によってチェックしやすくなる。

また、電気特性を測定する際、プローブカード２の接触端子Ｔと測定用の配線基板５０との接触状態を向上させるために、例えば、押圧機構５４の荷重を増大させる場合がある。

このとき、第１実施形態のプローブカード１のように、樹脂部４０の下面と配線基板５の下面とが面一である構造では、プローブカード２の配線基板５の下面が測定用の配線基板５０に接触してしまうおそれがある。

しかし、第２実施形態では、プローブカード２の配線基板５は樹脂部４０の突出部４０ｘの存在により測定用の配線基板５０からより離れて配置される。しかも、樹脂部４０の突出部４０ｘを備えることで、押圧機構５４の荷重を増大させても、突出部４０ｘの弾性により荷重を小さく抑制することができる。

このため、プローブカード２の配線基板５が測定用の配線基板５０に接触することなく、接触端子Ｔの接触状態を向上させることができ、安定して電気特性の測定を行うことができる。

第２実施形態のプローブカード２は第１実施形態と同様な効果を奏する。

（第３実施形態）
図１６〜図２０は第３実施形態のプローブカードの製造方法を示す図、図２１は第３実施形態のプローブカードを示す図である。

第３実施形態が第１、第２実施形態と異なる点は、接触端子に接続される金ワイヤを同軸構造で形成することである。第３実施形態では、第１実施形態と同一工程及び同一要素については同一符号を付してその詳しい説明を省略する。

第３実施形態のプローブカードの製造方法では、図１６に示すように、まず、第１実施形態の図４（ａ）と同一の構造体を用意し、配線基板５の第３絶縁層２３及び第３配線層３３の上に保護テープ１８を貼り付ける。

次いで、図１７に示すように、蒸着法により金ワイヤ１６の外面に樹脂層６０を形成する。樹脂層６０として、パラキシレン樹脂が好適に使用される。図１７の部分拡大図に示すように、蒸着による樹脂形成は等方的に付着するため、樹脂層６０は金ワイヤ１６の外面全体を被覆して形成される。

また、特に図示されていないが、樹脂層６０は金ワイヤ１６だけではなく、銅箔１０、配線基板５の第１、第２階段面Ｓ１，Ｓ２、第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２を含む開口部５ａの内壁全体、及び保護テープ１８の上にも付着する。

続いて、図１８（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線基板５のグランドパッドＧＰの上に形成された樹脂層６０を除去して、グランドパッドＧＰを露出させる開口部６０ａを形成する。図１８（ａ）及び（ｂ）では、配線基板５の第１階段面Ｓ１の様子が示されており、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＩ−Ｉに沿った拡大断面図である。

配線基板５のグランドパッドＧＰは第１、第２階段面Ｓ１，Ｓ２（図１７）にそれぞれ配置されており、両者のグランドパッドＧＰ上の樹脂層６０に開口部６０ａがそれぞれ形成される。

次いで、図１９（ａ）に示すように、無電解めっきにより、金ワイヤ１６の外面を被覆する樹脂層６０の外面に銅層６２を形成する。

特に図示されていないが、銅層６２は、金ワイヤ１６だけではなく、銅箔１０上の樹脂層６０、配線基板５の第１、第２階段面Ｓ１，Ｓ２、第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２を含む開口部５ａの内壁及び保護テープ１８を被覆する樹脂層６０の上にも付着する。無電解めっきの代わりに、蒸着法によって銅層６２を形成してもよい。あるいは、銅層６２の代わりに、金層を形成してもよい。

このようにして、金ワイヤ１６と、それを被覆する樹脂層６０と、それを被覆する銅層６２とにより、同軸型ワイヤＣＷが形成される。

なお、金ワイヤ１６、樹脂層６０及び銅層６２から形成される同軸型ワイヤＣＷを例示したが、金ワイヤ１６の代わりに銅ワイヤなどを使用してもよいし、銅層６２の代わりに金層などの他の金属層を使用してもよい。

このとき、図１９（ｂ）に示すように、上記した図１８（ｂ）の断面構造に金ワイヤ１６を被覆する銅層６２が同時に形成され、その銅層６２がグランドパッドＧＰに樹脂層６０の開口部６０ａを通して電気的に接続される。

このようにして、同軸型ワイヤＣＷの最外の銅層６２が配線基板５のグランドパッドＧＰに接続されてグランド電位になる。

次いで、図２０に示すように、配線基板５から保護テープ１８を除去する。さらに、第１実施形態の図４（ｂ）の工程と同様に、配線基板５の開口部５ａに樹脂部４０を形成して同軸型ワイヤＣＷを樹脂部４０内に埋め込む。

その後に、図２１に示すように、第１実施形態の図５の工程と同様に、図２０の構造体から銅箔１０を除去することにより、接触端子Ｔを露出させる。

以上により、第３実施形態のプローブカード３が得られる。

図２１の部分拡大図に示すように、第３実施形態のプローブカード３は、接触端子Ｔに繋がるワイヤが同軸型ワイヤＣＷとなっている。同軸型ワイヤＣＷは、金ワイヤ１６と、それを被覆する樹脂層６０と、それを被覆する銅層６２とから形成される。そして、全ての同軸型ワイヤＣＷの銅層６２は配線基板５のグランドパッドＧＰに電気的に接続されている。

本実施形態のプローブカードは、エリアアレイ型の電極パッドを備えた被検査対象の電気特性の測定を可能にしており、各接触端子に接続されるワイヤの配置ピッチが１００μｍ以下、さらには４０μｍ〜３５μｍ程度に狭ピッチ化されている。そして、第１実施形態の図７と同様な方法で、被検査対象の電気測定が行われる。

このようにワイヤが狭ピッチで配置された状態で被検査対象の電気測定を行うと、近接するワイヤ間での容量結合が問題になる。つまり、近接するワイヤ間にキャパシタが形成されて、それが電気測定に悪影響を与えることになる。

第３実施形態のプローブカード３では、接触端子Ｔに接続されるワイヤが同軸型ワイヤＣＷとなっているため、複数のワイヤ間の容量結合がなくなり、ワイヤを狭ピッチで配置する際に生じるノイズの問題を解決することができる。

また、同軸型ワイヤＣＷの最外の銅層６２を配線基板５のグランドパッドＧＰに接続してグランド電位としているので、ノイズをより低減化することができる。

（第４実施形態）
図２２〜図２４は第４実施形態のプローブカードの製造方法を示す図、図２５は第４実施形態のプローブカードを示す図である。第４実施形態では、銅箔の凹部内に密着用の金めっき層を形成することなく、ワイヤボンディング法によって凹部に接触端子となる金電極を密着性よく形成する方法について説明する。

第４実施形態のプローブカードの製造方法では、図２２（ａ）に示すように、まず、第1実施形態の図１（ａ）と同様に、第１金属層として銅箔１０を用意する。さらに、銅箔１０の上にめっきレジスト１９をパターニングする。めっきレジスト１９は、第１実施形態の図１（ｃ）で説明した銅箔１０の凹部１０ｘに対応する位置に島状に残される。

次いで、図２２（ｂ）に示すように、銅箔１０をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、銅箔１０の露出面に第２金属層として銅層７０を形成する。銅層７０の厚みは、例えば、２０μｍ〜５０μｍに設定される。その後に、図２２（ｃ）に示すように、めっきレジスト１９をレジスト剥離液によって除去する。

これにより、銅箔１０の上にかさ上げされた銅層７０に複数の凹部７０ｘが形成される。凹部７０ｘの直径は、例えば、１０μｍ〜２０μｍ程度である。

銅層７０の複数の凹部７０ｘは、平坦な銅箔１０の上に配置された島状のめっきレジスト１９に対応して形成されるため、凹部７０ｘはその底面が平坦面となって形成される。

このように、第４実施形態では、銅箔１０（第１金属層）の上に凹部７０ｘを備えた銅層７０（第２金属層）をかさ上げして形成することにより、複数の凹部を形成した金属基材を得る。

なお、第１金属層として、銅箔１０の代わりにニッケル箔を使用してもよい。この場合は、第２金属層として、銅層７０以外に、同様な方法で、ニッケル層を電解めっきで形成し、ニッケル層に凹部を形成してもよい。

次いで、図２３（ａ）に示すように、第１実施形態の図３（ａ）及び（ｂ）の工程と同様な方法により、中央に開口部５ａが設けられた配線基板５を銅層７０の上に接着層１３によって接着する。

図２３（ｂ）及び（ｃ）は、図２３（ａ）の銅層７０の凹部７０ｘにワイヤボンディング法に基づいて金電極を埋め込む様子を示す部分拡大断面図である。図２３（ｂ）に示すように、第１実施形態の図４（ａ）の工程と同様に、ワイヤボンディング法に基づいて、ワイヤボンダのキャピラリ（不図示）からはみ出した金ワイヤ８０の先端部を放電により丸めて球状部８２ａを得る。

さらに、図２３（ｃ）に示すように、キャピラリを下降して金ワイヤ８０の球状部８２ａを銅層７０の凹部７０ｘに配置し、加圧しながら加熱及び超音波振動を行うことによって球状部８２ａを凹部７０ｘ内に押し込んで埋め込む。

これにより、第１実施形態と同様に，銅層７０の凹部７０ｘがワイヤボンダからの金電極８２によって埋め込まれ、金電極８２から接触端子Ｔが得られる。

続いて、図２４（ａ）に示すように、キャピラリ（不図示）を上昇させ、金ワイヤ８０を配線基板５の第１接続パッドＰ１に移動し、金ワイヤ８０と第１接続パッドＰ１との接合を行う。

このようにして、第１実施形態と同様に、銅層７０の各凹部７０ｘ内と配線基板５の各第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２とを金ワイヤ８０でそれぞれ接続する。

上記した図２３（ｂ）及び（ｃ）の工程では、金ワイヤ８０の球状部８２ａの直径は、凹部７０ｘの直径と同等又はそれより大きく設定される。例えば、凹部７０ｘの直径が１０μｍ〜２０μｍの場合は、金ワイヤ８０の球状部８２ａの直径は、２０μｍ〜３０μｍ程度に設定される。

このようにすることにより、図２３（ｃ）に示したように、凹部７０ｘに配置される金電極８２は、凹部７０ｘ内の全体にわたって充填され、凹部７０ｘの上方から銅層７０の上面に延びて形成される。

このため、金電極８２は、銅層７０の凹部７０ｘの内壁及び銅層７０の上面に十分に接着した状態となる。これにより、金ワイヤ８０を配線基板５の第１接続パッドＰ１に移動する際に、金電極８２が凹部７０ｘから抜けるおそれがなくなる。

このように、銅層７０の凹部７０ｘ内に密着用の金めっき層を形成することなく、銅層７０の凹部７０ｘに金電極８２を密着性よく配置することができる。

続いて、図２４（ｂ）に示すように、第１実施形態の図４（ｂ）の工程と同様に、配線基板５の開口部５ａに樹脂部４０を形成して金ワイヤ８０を樹脂部４０内に埋め込む。

その後に、図２５に示すように、第1実施形態の図５の工程と同様に、銅箔１０及び銅層７０を除去して接触端子Ｔを露出させる。

以上により、第４実施形態のプローブカード４が得られる。前述したように、第４実施形態のプローブカード４の接触端子Ｔは、底面が平坦になった銅層７０の凹部７０ｘに金ワイヤの球状部８２ａが埋め込まれて形成される。

このため、接触端子Ｔは、樹脂部４０の下面から突出する柱状の接触部Ｔａと、その上に樹脂部４０に埋め込まれた状態で配置された曲面をもった凸状部Ｔｂとを備えて形成される。そして、接触端子Ｔの先端の接触面ＣＳは平坦面となって形成される。曲面をもった凸状部Ｔｂとしては、半球状の凸状部であることが好ましい。

また、前述したように、第４実施形態では、銅層７０の凹部７０ｘに密着用の金めっき層を形成しないため、プローブカード４の接触端子Ｔはワイヤボンディング法による金電極のみから形成される。

また、第４実施形態では、接触端子Ｔの先端の接触面ＣＳが平坦面であるため、電気特性を測定する際の接触面積を球形状の接触端子よりも大きく確保することができる。このため、より安定して電気特性を測定することができる。

また、接触端子Ｔは、柱状の接触部Ｔａよりも幅広な半球状の凸状部Ｔｂを備えているため、半球状の凸状部Ｔｂでは樹脂部４０との接触面積が大きくなる。

このため、接触端子Ｔを測定用の配線基板５０に接触させる際の応力がワイヤ８０との接点に集中せずに、その応力を半球状の凸状部Ｔｂから樹脂部４０に分散することができる。このため、ワイヤ８０と接触端子Ｔとの接続部分の破損を防止することができる。

第４実施形態のプローブカード２は第１実施形態と同様な効果を奏する。

第４実施形態のプローブカード４においても、第１実施形態の図７と同様に、配線基板５０の上に配置され、押圧機構５４によって下側に押圧された状態で配線基板５０の電気特性が測定される。また、図８及び図９で説明したように、４端子検査に適用してもよい。

（第５実施形態）
図２６〜図２９は第５実施形態のプローブカードの製造方法を示す図、図３０は第５実施形態のプローブカードを示す図である。第５実施形態では、第４実施形態に続いて、銅箔の凹部内に密着用の金めっき層を形成することなく、ワイヤボンディング法によって凹部に接触端子となる金電極を密着性よく形成する別の方法について説明する。

第５実施形態のプローブカードの製造方法では、図２６（ａ）に示すように、まず、第４実施形態の図２２（ａ）と同様に、銅箔１０の上にめっきレジスト１９をパターニングする。

次いで、図２６（ｂ）に示すように、第４実施形態の図２２（ｂ）と同様に、電解めっきにより銅箔１０の露出面に銅層７０を形成する。第５実施形態では、銅層７０の厚みをめっきレジスト１９の厚みより厚くなるように設定する。

このとき、図２６（ｂ）の部分拡大図に示すように、めっきレジスト１９よりも上の部分の銅層７０は等方的にめっきされることから、銅層７０の上端部はめっきレジスト１９のパターンエッジから横方向に突き出る突起部７１となって形成される。

続いて、図２７に示すように、めっきレジスト１９をレジスト剥離液によって除去する。これにより、第４実施形態の図２２（ｃ）と同様に、銅層７０に複数の凹部７０ｘが形成される。図２７の部分拡大図に示すように、銅層７０の各凹部７０ｘは、その上端の内壁に内側に突き出る突起部７１を備えて形成される。

このようにして、開口上部の幅がそれよりも下側の幅よりも狭く設定されたオーバーハング形状の凹部７０ｘが得られる。

次いで、図２８（ａ）に示すように、第１実施形態の図３（ａ）及び（ｂ）の工程と同様な方法により、中央に開口部５ａが設けられた配線基板５を銅層７０の上に接着層１３によって接着する。

図２８（ｂ）及び（ｃ）は、図２８（ａ）の銅層７０の凹部７０ｘにワイヤボンディング法に基づいて金電極を埋め込む様子を示す部分拡大断面図である。図２８（ｂ）に示すように、第４実施形態の図２３（ｂ）の工程と同様に、金ワイヤ８０の先端部を放電により丸めて球状部８２ａを得る。

さらに、図２８（ｃ）に示すように、第４実施形態の図２３（ｃ）の工程と同様な方法により、金ワイヤ８０の球状部８２ａを凹部７０ｘ内に押し込んで、凹部７０ｘに金属電極として金電極８２を埋め込んで接触端子Ｔとする。

続いて、図２９に示すように、第４実施形態の図２４（ａ）と同様に、金ワイヤ８０を配線基板５の第１接続パッドＰ１に移動し、金ワイヤ８０と第１接続パッドＰ１との接合を行う。

このようにして、第１実施形態と同様に、銅層７０の各凹部７０ｘ内と配線基板５の各第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２とを金ワイヤ８０でそれぞれ接続する。

第５実施形態では、図２８（ｃ）に示したように、銅層７０の各凹部７０ｘは、内壁の上部に内側に突き出る突起部７１を備えている。凹部７０ｘの突起部７１が金電極８２の抜けを防止するストッパとして機能する。

このため、金ワイヤ８０を配線基板５の第１接続パッドＰ１に移動する際に、金電極８２が凹部７０ｘから抜けるおそれがなくなる。第５実施形態では、金電極８２が凹部７０ｘに突起部７１の下に回り込んで配置されるため、第４実施形態よりも金電極８２の抜けをより確実に防止することができる。

このように、第４実施形態と同様に、銅層７０の凹部７０ｘ内に、密着用の金めっき層を形成することなく、銅層７０の凹部７０ｘに金電極８２を密着性よく形成することができる。

さらに、同じく図２９に示すように、第１実施形態の図４（ｂ）の工程と同様に、配線基板５の開口部５ａに樹脂部４０を形成して金ワイヤ８０を樹脂部４０内に埋め込む。その後に、図３０に示すように、第1実施形態の図５の工程と同様に、銅箔１０及び銅層７０を除去して接触端子Ｔを露出させる。

以上により、第５実施形態のプローブカード４ａが得られる。第５実施形態のプローブカード４ａでは、第４実施形態のプローブカード４と同様に、接触端子Ｔは、樹脂部４０の下面から突出する柱状の接触部Ｔａと、その上に樹脂部４０に埋め込まれた状態で配置された半球状の凸状部Ｔｂとを備えて形成される。そして、接触端子Ｔの先端の接触面ＣＳが平坦面となって形成される。

また、接触端子Ｔは、接触部Ｔａと凸状部Ｔｂとの間のリング状の部分が内側に食い込むくびれ部Ｔｘとなって形成される。

第５実施形態のプローブカード４ａは第１実施形態と同様な効果を奏する。

第５実施形態のプローブカード４ａにおいても、第１実施形態の図７と同様に、配線基板５０の上に配置され、押圧機構５４によって下側に押圧された状態で配線基板５０の電気特性が測定される。また、図８及び図９で説明したように、４端子検査に適用してもよい。

（第６実施形態）
図３１〜図３２は第６実施形態のプローブカードの製造方法を示す図、図３３は第６実施形態のプローブカードを示す図である。第６実施形態では、第４又は第５実施形態の製造方法を使用し、周辺領域よりも樹脂部を外側に突出させ、樹脂部の突出部に接触端子が配置される形態について説明する。

第６実施形態のプローブカードの製造方法では、図３１（ａ）に示すように、まず、第４実施形態の図２２（ａ）と同様に、銅箔１０の上にめっきレジスト１９をパターニングする。

次いで、図３１（ｂ）に示すように、第４実施形態の図２２（ｂ）と同様に、電解めっきにより銅箔１０の露出面に銅層７０を形成する。一般的に、電解めっきは、被めっき基板の周辺領域で電流密度が高くなることから、中央部よりも周辺領域の方がめっき層の厚みが厚くなる傾向がある。

この傾向が顕著になる電解めっき条件を採用することにより、めっきレジスト１９が配置されていない銅箔１０の周辺領域の銅層７０の厚みｔ１が中央部の銅層７０の厚みｔ２よりも厚く設定することができる。

次いで、図３２（ａ）に示すように、その後に、めっきレジスト１９がレジスト剥離液によって除去されて、銅層７０に凹部７０ｘが形成される。さらに、第１実施形態の図３（ａ）及び（ｂ）の工程と同様な方法により、中央に開口部５ａが設けられた配線基板５を銅層７０の上に接着層１３によって接着する。

さらに、図３２（ｂ）に示すように、第４実施形態の図２４（ａ）に示すように、銅層７０の各凹部７０ｘ内と配線基板５の第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２とを金ワイヤ８０でそれぞれ接続する。その後に、同じく図３２（ｂ）に示すように、第１実施形態の図４（ｂ）の工程と同様に、配線基板５の開口部５ａに樹脂部４０を形成して金ワイヤ８０を樹脂部４０内に埋め込む。

その後に、図３３に示すように、第1実施形態の図５の工程と同様に、銅箔１０及び銅層７０を除去して接触端子Ｔを露出させる。

以上により、第６実施形態のプローブカード４ｂが得られる。第６実施形態のプローブカード４ｂは、第４実施形態のプローブカード４と同様に、接触端子Ｔの先端の接触面ＣＳが平坦面となって形成される。

また、第２実施形態と同様に、樹脂部４０は周辺領域よりも下側に突き出る突出部４０ｘを備え、その突出部４０ｘに接触端子Ｔが配置されている。このため、接触端子Ｔの接触状況を目視や画像認識によってチェックしやすくなる。

第６実施形態のプローブカード４ｂにおいても、第１実施形態の図７と同様に、配線基板５０の上に配置され、押圧機構５４によって下側に押圧された状態で配線基板５０の電気特性が測定される。また、図８及び図９で説明したように、４端子検査に適用してもよい。

第６実施形態のプローブカード４ｂは第１、２実施形態と同様な効果を奏する。

１，２，３，４，４ａ，４ｂ…プローブカード、５…配線基板、６…ステージ、１０…銅箔、１０ｘ，７０ｘ…凹部、１０ｙ…へこみ領域、１１…めっきレジスト、５ａ，１１ａ，１５ａ，１７ａ，６０ａ…開口部、１２…金めっき層、１３…接着層、１４…金電極、１５…第１レジスト、１６…金ワイヤ、１７…第２レジスト、１８…保護テープ、１９…めっきレジスト、２１…第１絶縁層、２２…第２絶縁層、２３…第３絶縁層、３１…第１配線層、３２…第２配線層、３３…第３配線層、４０…樹脂部、４０ｘ…突出部、５０…測定用の配線基板、５２…電極パッド、５４…押圧機構、６０…樹脂層、６２，７０…銅層、７１…突起部、８０…金ワイヤ、８２…金電極、８２ａ…球状部、ＣＳ…接触面、ＧＰ…グランドパッド、Ｐ１…第１接続パッド、Ｐ２…第２接続パッド、Ｓ１…第１階段面、Ｓ２…第２階段面、Ｔ…接触端子、Ｔａ…接触部、Ｔｂ…凸状部、Ｔｘ…くびれ部、ＶＨ１…第１ビアホール、ＶＨ２…第２ビアホール。

Claims (10)

1. 絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された配線層とを備えた配線基板と、
   前記配線基板の絶縁層及び配線層を厚み方向に貫通して形成された開口部と、
   前記開口部の周辺の前記配線基板の上面に配置されると共に、前記開口部の内面から露出して形成され、かつ、前記配線層に接続された接続パッドと、
   前記配線基板の開口部に形成されると共に、弾性を有する材料から形成され、かつ、前記接続パッドを埋め込む樹脂部と、
   前記樹脂部の下面から突出する柱状の接触部と、前記接触部の上に配置されると共に、前記樹脂部に埋め込まれ、かつ、前記接触部よりも幅広な凸状部とを備えた接触端子であって、先端の接触面が平坦面となった前記接触端子と、
   前記樹脂部の中に埋め込まれ、前記接触端子と前記接続パッドとを接続するワイヤと
   を有し、
   前記接触端子と前記ワイヤとは同じ金属から形成され、前記接触端子の直径は前記ワイヤの直径よりも大きく、
   前記接触端子の一方の端側の前記ワイヤとの接続部が前記樹脂部に埋め込まれ、前記接触端子の他方の端側は前記樹脂部から露出していることを特徴とするプローブカード。
2. 絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された配線層とを備えた配線基板と、
   前記配線基板の絶縁層及び配線層を厚み方向に貫通して形成された開口部と、
   前記開口部の周辺の前記配線基板の上面に配置されると共に、前記開口部の内面から露出して形成され、かつ、前記配線層に接続された接続パッドと、
   前記配線基板の開口部に形成されると共に、弾性を有する材料から形成され、かつ、前記接続パッドを埋め込む樹脂部と、
   前記樹脂部の下面から突出する柱状の接触部と、前記接触部の上に配置されると共に、前記樹脂部に埋め込まれ、かつ、前記接触部よりも幅広な凸状部とを備えた接触端子であって、前記接触部と前記凸状部との間のリング状の部分に内側に食い込むくびれ部が形成され、先端の接触面が平坦面となった前記接触端子と、
   前記樹脂部の中に埋め込まれ、前記接触端子と前記接続パッドとを接続するワイヤと
   を有し、
   前記接触端子と前記ワイヤとは同じ金属から形成され、前記接触端子の直径は前記ワイヤの直径よりも大きく、
   前記接触端子の一方の端側の前記ワイヤとの接続部が前記樹脂部に埋め込まれ、前記接触端子の他方の端側は前記樹脂部から露出していることを特徴とするプローブカード。
3. 前記樹脂部は、前記配線基板の下面から突出していることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブカード。
4. 前記ワイヤは、金属ワイヤの外面に樹脂層と金属層とが被覆された同軸型ワイヤであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のプローブカード。
5. 前記プローブカードを用いて被検査対象の電気測定を行う際に、
   前記被検査対象の一つの電極パッドと、隣接する２つの前記接触端子とを接触させて行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプローブカード。
6. 前記プローブカードを用いて被検査対象の電気測定を行う際に、
   前記被検査対象の一つの電極パッドと、２本の前記ワイヤが接続された一つの前記接触端子とを接触させて行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプローブカード。
7. 第１金属層の上にめっきレジストをパターニングする工程と、
   電解めっきにより、前記第１金属層の露出面に第２金属層を形成する工程と、
   前記めっきレジストを除去して、前記第２金属層に凹部を形成する工程とを含む方法により、表面領域に複数の前記凹部を形成した金属基材を用意する工程と、
   絶縁層と、
   前記絶縁層の上に形成された配線層と、
   前記絶縁層及び配線層を厚み方向に貫通して形成された開口部と、
   前記開口部の周辺の前記配線基板の上面に配置されると共に、前記開口部の内面から露出して形成され、かつ、前記配線層に接続された接続パッドと
   を備えた配線基板を用意する工程と、
   前記配線基板の開口部から前記金属基材の複数の凹部が露出するように、前記配線基板を前記金属基材の上に接着する工程と、
   ワイヤボンディング法により、前記金属基材の凹部の全体にワイヤの先端部からなる金属電極を埋め込んで接触端子を形成すると共に、前記接触端子と前記配線基板の接続パッドとを前記ワイヤで接続する工程と、
   前記配線基板の開口部内に、弾性を有する材料からなる樹脂部を形成して、前記ワイヤを前記樹脂部で埋め込む工程と、
   前記金属基材を除去して、前記ワイヤと一体的に繋がり、前記樹脂部の下面から突出する前記接触端子を露出させる工程と
   を有し、
   前記接触端子と前記ワイヤとは同じ金属から形成され、前記接触端子の直径は前記ワイヤの直径よりも大きく形成されることを特徴とするプローブカードの製造方法。
8. 前記接触端子と前記接続パッドとを接続する工程の後であって、前記樹脂部を形成する工程の前に、
   前記ワイヤの外面を樹脂層で被覆する工程と、
   前記樹脂層の外面を金属層で被覆する工程とを有し、
   前記ワイヤが同軸型ワイヤとして形成されることを特徴とする請求項７に記載のプローブカードの製造方法。
9. 前記第２金属層を形成する工程は、
   前記第２金属層の厚みを前記めっきレジストの厚みより厚く設定して、前記第２金属層の上端部に横方向に突き出る突起部を形成することを含むことを特徴とする請求項７に記載のプローブカードの製造方法。
10. 前記金属基材は銅箔であり、前記接触端子及びワイヤは金から形成されることを特徴とする請求７乃至９のいずれか一項に記載のプローブカードの製造方法。

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