JP2011501185A - 電気検査装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

開示された電気検査装置の製造方法は、犠牲基板をパターニングして貫通ホールを有する犠牲基板パターンで形成する。続いて、前記犠牲基板パターンの貫通ホールに電気検査装置用基板の内部配線が整列するように前記犠牲基板と前記電気検査装置用基板を位置させた後、前記犠牲基板パターンと前記電気検査用基板を固定させる。そして、前記犠牲基板パターンの貫通ホール内に前記電気検査装置用基板の内部配線と電気的に接続される埋め立て構造物を埋めた後、前記犠牲基板パターンを除去して前記電気検査装置用基板上に内部配線と電気的に接続される埋め立て構造物を電気検査装置用プローブ構造物で形成する。

Description

本発明は、電気検査装置の製造方法に関し、より詳しくは電気検査を遂行するとき、被検査体と直接接触するマイクロチップ（ｍｉｃｒｏ ｔｉｐ）を有するプローブ構造物を含む電気検査装置の製造方法に関する。

一般的に、半導体素子はシリコンウエハーなどのような半導体基板上に回路パターンを形成した後、これに対する電気的信頼度を検査するＥＤＳ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｄｉｅ ｓｏｒｔｉｎｇ）工程などのような電気検査を遂行する。そして、電気検査を遂行した結果、回路パターンに対する電気的信頼度に特に問題がない場合、これをチップ（ｃｈｉｐ）単位で整理し、パッケージされる。

前記ＥＤＳ工程などのような電気検査においては、前記プローブカード（ｐｒｏｂｅ ｃａｒｄ）などのような電気検査装置を使用する。特に、前記電気検査装置の場合には回路パターンが形成された半導体基板などのような被検査体と接触可能なマイクロチップ（ｍｉｃｒｏ ｔｉｐ）を有するプローブ構造物が備えられる第１基板、第１基板から印加される電気信号の伝達を受ける第２基板、及び第１基板と第２基板との間を電気的に接続する接続部などを含む。

そして、前記電気検査装置において、前記プローブ構造物は主にはんだのようなボンダー（ｂｏｎｄｅｒ）を使用して前記第１基板と電気的に接続させる。つまり、前記プローブ構造物は、はんだなどを使用したボンディング工程を遂行することによって前記第１基板と電気的に接続させる。

しかし、前記電気検査装置で前記電気的接続のためにはんだなどのようなボンダーを使用する場合には、前記はんだなどのようなボンダーが電気的信号の流れを妨げるために、電気抵抗に影響を与える要素として作用する。それとともに、前記はんだなどを使用したボンディング工程の場合には、約３００℃の温度で工程がなされるため、前記第１基板とプローブ構造物に熱的ストレスを加えることができる。

従って、従来の電気検査装置は、第１基板とプローブ構造物との間にはんだなどのようなボンダーが介在されることによって、電気抵抗の上昇を招いて電気検査による信頼度を低下させ、また、第１基板とプローブ構造物の接続のためのボンディング工程を高温で遂行することによって熱的ストレスを加えることによって電気検査装置の製造による生産性を低下させる。

本発明の目的は、はんだなどのようなボンダーを使用せずに電気検査用基板とプローブ構造物を電気的に接続する電気検査装置の製造方法を提供することにある。

前記目的を達成するための本発明の一実施形態による電気検査装置の製造方法は、犠牲基板を設けた後、前記犠牲基板をパターニングして貫通ホールを含む犠牲基板パターンで形成する。そして、一側表面と他側表面を電気的に接続する内部配線を有する電気検査装置用基板を設ける。続いて、前記犠牲基板パターンの貫通ホールに前記電気検査装置用基板の一側表面に露出された内部配線が位置するように前記犠牲基板パターンと前記電気検査装置用基板を整列させた後、前記犠牲基板パターンと前記電気検査装置用基板を固定させる。そして、前記犠牲基板パターンの貫通ホール内に前記電気検査装置用基板の一側表面に露出された内部配線と電気的に接続される埋め立て構造物を埋めた後、前記犠牲基板パターンを除去して前記電気検査装置用基板上に前記埋め立て構造物を電気検査装置用プローブ構造物で形成する。

前記目的を達成するための本発明の他の実施形態による電気検査装置の製造方法は、シリコン材質の犠牲基板を設け、前記犠牲基板をパターニングして前記犠牲基板の厚さが低くなった肩を具備するひっくり返された「Ｌ」字状の貫通ホールを含む犠牲基板パターンを形成した後に、前記犠牲基板パターンの肩部位上にのみシード薄膜を形成する。そして、一側表面と他側表面を電気的に接続する内部配線を有するセラミック材質の電気検査装置用基板を設け、前記電気検査装置用基板上に前記電気検査装置用基板の一側表面に露出された内部配線と電気的に接続する表面配線を形成した後、前記表面配線を有する基板上にフォトレジスト薄膜を形成する。続いて、前記犠牲基板パターンの貫通ホールに前記電気検査装置用基板の表面配線が形成された部位が位置するように前記電気検査装置用基板上に前記犠牲基板パターンを整列させた後、前記フォトレジスト薄膜をベーキングさせて前記犠牲基板パターンと前記電気検査装置用基板を接着させる。そして、前記犠牲基板パターンの貫通ホールによって露出されるフォトレジスト薄膜を除去して前記表面配線を露出させるフォトレジストパターンを形成した後、前記表面配線が露出された犠牲基板パターンの貫通ホール内に前記電気検査装置用基板の表面配線と電気的に接続された埋め立て構造物を形成する。続いて、前記犠牲基板パターン、フォトレジストパターン、及びシード薄膜を除去して前記電気検査装置用基板上に表面配線と電気的に接続される埋め立て構造物を電気検査装置用プローブ構造物で形成する。

本発明の幾つかの実施形態において、前記犠牲基板パターンと前記電気検査装置用基板の固定と接着は、８０℃乃至１５０℃の温度で前記フォトレジスト組成物をベーキングさせることができ、前記プローブ構造物を形成するための埋め立て構造物は、ニッケル、コバルト、及びこれらの混合物などを含むことができ、前記プローブ構造物上に電気検査を遂行するとき、被検査体と直接接触するマイクロチップ（ｍｉｃｒｏ ｔｉｐ）を形成することをさらに含むことができる。

このように、本発明においては、電気検査装置用基板とプローブ構造物を電気的に接続させるとき、フォトレジスト薄膜を接着構造物として使用する。よって、電気検査装置用基板とプローブ構造物の直接的な接続が可能になる。従って、本発明の電気検査装置の製造方法を適用する場合には、従来のように、はんだなどのようなボンダーの使用を省略することができる。

従って、本発明は、言及したようにはんだなどのようなボンダーの使用を省略することによって電気抵抗の上昇を招く原因を除去することによって電気検査による信頼度を確保することができ、共に、高温のボンディング工程を遂行しないことによって電気検査装置用基板とプローブ構造物に加わる熱的ストレスを減らすことによって、電気検査装置の製造による生産性を確保することができる。

図１は本発明の一実施形態による電気検査装置の製造方法において、犠牲基板パターンを製造する方法を示す概略的な断面図である。 図２は本発明の一実施形態による電気検査装置の製造方法において、犠牲基板パターンを製造する方法を示す概略的な断面図である。 図３は本発明の一実施形態による電気検査装置の製造方法において、犠牲基板パターンを製造する方法を示す概略的な断面図である。 図４は本発明の一実施形態による電気検査装置の製造方法において、犠牲基板パターンを製造する方法を示す概略的な断面図である。 図５は本発明の一実施形態による電気検査装置の製造方法において、電気検査装置用基板を製造する方法を示す概略的な断面図である。 図６は本発明の一実施形態による電気検査装置の製造方法において、電気検査装置用基板を製造する方法を示す概略的な断面図である。 図７は本発明の一実施形態による電気検査装置の製造方法において、電気検査装置用基板を製造する方法を示す概略的な断面図である。 図８は本発明の一実施形態よる電気検査装置の製造方法を示す概略的な断面図である。 図９は本発明の一実施形態よる電気検査装置の製造方法を示す概略的な断面図である。 図１０は本発明の一実施形態よる電気検査装置の製造方法を示す概略的な断面図である。 図１１は本発明の一実施形態よる電気検査装置の製造方法を示す概略的な断面図である。 図１２は本発明の一実施形態よる電気検査装置の製造方法を示す概略的な断面図である。 図１３は本発明の一実施形態よる電気検査装置の製造方法を示す概略的な断面図である。 図１４は本発明の一実施形態よる電気検査装置の製造方法よって収得する電気検査装置を示す概略的な構成図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施形態をより詳しく説明する。本発明は多様な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるため、特定実施形態を図面に例示し、本明細書に詳しく説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に対して限定しようとすることではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均など物、ないしは代替物を含むことと理解されるべきである。各図面を説明しながら類似する参照符号を、類似する構成要素に対して使用した。添付図面において、構造物のサイズは本発明の明確性に基づくために実際より拡大して示した。

第１、第２などの用語は多様な構成要素を説明するにあたって使用することができるが、各構成要素は使用される用語によって限定されるものではない。各用語は１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的で使用されるものであって、例えば、明細書中において、第１構成要素を第２構成要素に書き換えることも可能であり、同様に第２構成要素を第１構成要素とすることができる。

図１乃至図４は、本発明の一実施形態による電気検査装置の製造方法において、犠牲基板パターンを製造する方法を示す概略的な断面図である。

図１を参照すると、プローブ構造物を製造するとき、使用する犠牲基板パターンを収得するための犠牲基板１０を設ける。ここで、前記犠牲基板１０は、主にシリコン基板を含む。このように、前記シリコン基板を犠牲基板１０として設けることは、その加工が容易であるのみでなく、後述する接着構造物であるフォトレジスト薄膜との接着性を確保するためである。

図２を参照すると、前記犠牲基板１０をパターニングして犠牲基板パターン１２で形成する。ここで、前記犠牲基板１０のパターニングは、前記犠牲基板１０の厚さが低くなった肩１３を備えるひっくり返された「Ｌ」字状構造の貫通ホール１４を有するようになされる。特に、前記犠牲基板１０のパターニングは、主にフォトリソグラフィー工程とエッチング工程を遂行することによってなされる。

そして、本発明の一実施形態においては、前記犠牲基板パターン１２の形成のための犠牲基板１０のパターニングを前記肩１３を含むひっくり返された「Ｌ」字状構造の貫通ホール１４を有するようになされるが、本発明の他の実施形態として、前記犠牲基板パターン１２の形成のための犠牲基板１０のパターニングを垂直構造の貫通ホールを有するようになされることもできる。但し、本発明の一実施形態においては、カンチレバー構造を有するプローブ構造物を収得するために前記犠牲基板パターン１２の貫通ホール１４を肩１３を備えるひっくり返された「Ｌ」字状構造有するように形成することである。

図３及び図４を参照すると、前記犠牲基板パターン１２の肩１３部位上にのみシード薄膜１６を形成する。このとき、前記シード薄膜１６として使用できる物質の例としては、チタン、銅などを挙げることができる。特に、これらは単独または複合的に使用することができる。ここで、前記シード薄膜１６を複合的に使用する例は、チタンと銅を順次に積層することである。そして、前記シード薄膜１６を形成することは、後述する埋め立て構造物を形成するとき、前記埋め立て構造物の上部表面の均一度を確保するためである。

具体的に、蒸発（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）工程、蒸着工程、めっき工程などのような薄膜積層工程を遂行して前記犠牲基板パターン１２上に予備シード薄膜１６ａを形成する。ここで、前記犠牲基板パターン１２の上部表面、肩１３部位に前記予備シード薄膜１６ａが形成される。続いて、前記犠牲基板パターン１２の上部表面に形成された予備シード薄膜１６ａを除去する。このとき、前記予備シード薄膜１６ａの除去は主に化学機械的研磨によって達成される。

このように、前記予備シード薄膜１６ａの形成と前記予備シード薄膜１６ａの部分的除去を遂行することによって前記犠牲基板パターン１２の肩１３部位上にのみシード薄膜１６が形成される。

図５乃至図７は、本発明の一実施形態による電気検査装置の製造方法において、電気検査装置用基板を製造する方法を示す概略的な断面図である。

図５を参照すると、内部配線２１を有する電気検査装置用基板２０を設ける。ここで、前記電気検査装置用基板２０は主にセラミック基板を含む。そして、前記電気検査装置用基板２０は、電気検査装置で主に第１基板に該当するものであって、電気的接続のために前記内部配線２１を備える。ここで、前記内部配線２１は、前記電気検査装置用基板２０の一側表面と他側表面を電気的に接続する構造を有する。これに、前記内部配線２１は、前記電気検査装置用基板２０の一側表面と他側表面に露出される構造を有する。そして、前記一側表面に露出される内部配線２１は後述するプローブ構造物と電気的に接続される部分であり、前記他側表面に露出される内部配線２１は後述する第２基板と電気的に接続される部分である。

前記電気検査装置用基板２０は、プローブカードのような電気検査装置で主にマイクロプローブヘッド（ｍｉｃｒｏ ｐｒｏｂｅ ｈｅａｄ：ＭＰＨ）、スペーストランスフォーマー（ｓｐａｃｅ ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ：空間変形器）などとして通称することができる。

図６を参照すると、前記電気検査装置用基板２０上に前記電気検査装置用基板２０の一側表面に露出された内部配線２１と電気的に接続される表面配線２３を形成する。ここで、前記表面配線２３は主に表面配線２３に形成するための薄膜の積層及び薄膜のパターニングを遂行することによって収得することができる。前記表面配線２３の場合には後述するプローブ構造物と電気的に接続する部材として前記内部配線２１を適切に利用してプローブ構造物と直接接続する場合、その省略が可能である。

また、図示はしていないが、本発明の他の実施形態においては、前記表面配線２３が形成される部分の反対面である前記電気検査装置用基板２０の裏面に保護薄膜をさらに形成することができる。このとき、前記保護薄膜は、主にチタン、銅、フォトレジスト薄膜などを含む。そして、前記保護薄膜を形成することは後述する埋め立て構造物を埋めるときに前記電気検査装置用基板２０の裏面に埋め立て構造物が形成されることを防ぐためである。

図７を参照すると、前記表面配線２３が形成された電気検査装置用基板２０上に接着構造物を形成する。このとき、前記接着構造物は、主にフォトレジスト組成物を含む。このように、前記フォトレジスト組成物を接着構造物として使用することは、前記フォトレジスト組成物がベーキング（ｂａｋｉｎｇ）の遂行だけでも充分な接着性を有するためである。

そのため、本発明の一実施形態においては前記表面配線２３が形成された電気検査装置用基板２０上に接着構造物としてフォトレジスト薄膜２４を形成する。

図８乃至図１３は、本発明の一実施形態による電気検査装置の製造方法を示す概略的な断面図である。

図８を参照すると、前記犠牲基板パターン１２と前記電気検査装置用基板２０を製造した後、前記電気検査装置用基板２０上に前記犠牲基板パターン１２を位置させる。このとき、前記犠牲基板パターン１２の貫通ホール１４が前記電気検査装置用基板２０の表面配線２３が形成された部位に位置するように前記電気検査装置用基板２０と前記犠牲基板パターン１２を整列させる。もし、前記表面配線２３が省略される場合には前記犠牲基板パターン１２の貫通ホール１４が前記電気検査装置用基板２０の一側表面に露出された内部配線２１が形成された部位に位置するように前記電気検査装置用基板２０と前記犠牲基板パターン１２を整列させる。

続いて、前記犠牲基板パターン１２と前記電気検査装置用基板２０を固定させる。このとき、前記犠牲基板パターン１２と前記電気検査装置用基板２０の固定は、主にフォトレジスト薄膜２４などのような接着構造物を使用する。前記接着構造物を使用した犠牲基板パターン１２と前記電気検査装置用基板２０の固定、接着は言及したように接着構造物であるフォトレジスト薄膜２４の接着性を活用する。ここで、本発明の一実施形態においては前記電気検査装置用基板２０上に前記犠牲基板パターン１２を位置させた後にベーキングを遂行する。

このように、前記フォトレジスト薄膜２３のような接着構造物を対象にベーキングを遂行することによって前記電気検査装置用基板２０と前記犠牲基板パターン１２は互いに固く固定される状態で接着される。

ここで、前記ベーキングを約８０℃未満の温度で遂行する場合には前記ベーキングによる接着性を確保することができないため望ましくなく、前記ベーキングを約１５０℃を超過する温度で遂行する場合には前記電気検査装置用基板２０に熱的ストレスを加えるため望ましくない。従って、本発明の一実施形態においては前記ベーキングを約８０℃乃至１５０℃の温度で遂行することが望ましく、約９０℃乃至１３０℃の温度で遂行することがより望ましく、約１００℃乃至１２０℃の温度で遂行することがさらに望ましく、約１１０の温度で遂行することが最も望ましい。

また、前記接着構造物として使用するフォトレジスト薄膜２４の場合にはその厚さを充分に厚く形成することができる。よって、前記犠牲基板パターン１２の貫通ホール１４から収得するプローブ構造物の厚さを容易に調整することができる。つまり、前記フォトレジスト薄膜２４を多少高い厚さで形成する場合には、プローブ構造物を形成するための貫通ホール１４の縦横比を充分に確保することができ、従って、プローブ構造物の高さを容易に調整することができる。

図９を参照すると、前記電気検査装置用基板２０上に前記犠牲基板パターン１２を位置させ、充分に接着させることによって前記犠牲基板パターン１２の貫通ホール１４によって露出されるフォトレジスト薄膜２４を除去する。このとき、前記フォトレジスト薄膜２４の除去は、主に前記犠牲基板パターン１２をエッチングマスクとして使用するエッチング工程を遂行することによって達成される。

このように、前記犠牲基板パターン１２の貫通ホール１４のよって露出されるフォトレジスト薄膜２４を除去することによって前記電気検査装置用基板２０と犠牲基板パターン１２との間には前記表面配線２３を部分的に露出させるフォトレジスト薄膜２５を介在して形成される。

図１０を参照すると、前記電気検査装置用基板２０と犠牲基板パターン１２を充分に接着させ、前記表面配線２３を部分的に露出させるフォトレジストパターン２５を形成した後に、前記犠牲基板パターン１２の貫通ホール１４内にプローブ構造物を形成するための埋め立て構造物３０を充分に埋める。このとき、埋め立て構造物３０として使用できる物質の例としては主にニッケル、コバルトなどを挙げることができる。これらは、単独として使用することができるが、本発明の一実施形態においてはこれらの混合物を使用する。

前記埋め立て構造物３０の形成は、主に蒸発、スパッタ法、蒸着、めっきなどの工程を遂行して前記犠牲基板パターン１２の貫通ホール１４内に埋め立て構造物３０を充分に埋めた後、化学機械的研磨などを遂行して前記犠牲基板パターン１２の上部表面が露出するまでその厚さを下げることによって達成することができる。

また、言及したように前記犠牲基板パターン１２の肩１３部位にシード薄膜１６を形成することによってその上部に形成される埋め立て構造物３０の上部表面の均一度を容易に確保することができる。

このように、前記犠牲基板パターン１２の貫通ホール１４内に前記電気検査装置用基板２０の表面配線２３と電気的に接続される埋め立て構造物３０を充分に埋める。

図１１及び図１２を参照すると、前記埋め立て構造物３０の端部に後述するプローブ構造物のマイクロチップ（ｍｉｃｒｏ ｔｉｐ）で収得するためのチップレイヤー（ｔｉｐ ｌａｙｅｒ）３２を形成する。

具体的に、前記マイクロチップを収得するための部分を露出させるフォトレジストパターン３１を前記埋め立て構造物３０を有する結果物上に形成する。つまり、前記犠牲基板パターン１２と前記埋め立て構造物３０上に前記埋め立て構造物３０の端部領域を露出させる開口を有するフォトレジストパターン３１を形成する。続いて、前記フォトレジストパターン３１の開口内に前記マイクロチップで収得するための薄膜３２を埋める。このとき、マイクロチップで収得するための薄膜３２は、前記埋め立て構造物３０と同一物質として、ニッケル、コバルト、これらの混合物などを含む。

そして、本発明の一実施形態においては、前記マイクロチップで収得するための薄膜３２の形成を１回に限定することとして説明しているが、本発明の他の実施形態においては前記マイクロチップの模様によって前記マイクロチップで収得するための薄膜３２の形成を２回以上遂行することもできる。

図１３を参照すると、前記マイクロチップで収得するための薄膜３２を形成した後、前記犠牲基板パターン１２、シード薄膜１６、フォトレジストパターン３１、２５を除去する。そして、前記電気検査装置用基板２０上には表面配線２３と電気的に接続されるプローブ構造物３５が形成される。特に、前記電気検査装置用基板２０上にはその端部にマイクロチップ３７が位置するプローブ構造物３５が形成される。

このように、本発明においては、前記犠牲基板パターン１２と電気検査装置用基板２０をそれぞれ形成した後に、フォトレジスト薄膜２４のような接着構造物を使用して前記犠牲基板パターン１２と電気検査装置用基板２０を接着させた後、前記電気検査装置用基板２０上にプローブ構造物３５を形成する。本発明においては、はんだなどのようなボンダーを使用しなくても前記電気検査装置用基板２０とプローブ構造物３５を電気的に容易に接続させることができる。

＜電気検査装置＞
図１４は、本発明の一実施形態よる電気検査装置の製造方法よって収得する電気検査装置を示す概略的な構成図である。

図１４を参照すると、前記電気検査装置４００は、プローブチップ（ｐｒｏｂｅ ｔｉｐ）３００を含む第１基板２００、前記第１基板２００と電気的に接続する第２基板４０、及び前記第１基板２００と第２基板４０を電気的に接続する電気接続部４２を含む。ここで、前記プローブチップ３００を含む第１基板２００は言及した製造工程によって収得するプローブ構造物３５とマイクロチップ３７を含む電気検査装置用基板２０に該当する。

例えば、前記第２基板４０は、主に印刷回路基板に該当し、前記電気接続部４２は、ポゴピン（ｐｏｇｏ ｐｉｎ）とインターポーザー（ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ）などに該当する。

このように、本発明においては、前記犠牲基板パターン１２と電気検査装置用基板２０をそれぞれ形成して、フォトレジスト薄膜２４のような接着構造物を使用して前記犠牲基板パターン１２と電気検査装置用基板２０を接着した後、前記電気検査装置用基板２０上のプローブ構造物３５を形成する。従って、本発明においては、はんだなどのようばボンダーを使用しなくても前記電気検査装置用基板２０とプローブ構造物３５を電気的に容易に接続させることができる。本発明の電気検査装置の製造方法によって収得するプローブ構造物３５とマイクロチップ３７を含む電気検査装置用基板２０は通常のプローブカードのような電気検査装置に容易に適用することができる。

Claims (12)

1. 犠牲基板を設ける段階と、
   前記犠牲基板をパターニングして貫通ホールを含む犠牲基板パターンで形成する段階と、
   一側表面と他側表面を電気的に接続する内部配線を有する電気検査装置用基板を設ける段階と、
   前記犠牲基板パターンの貫通ホールに前記電気検査装置用基板の一側表面に露出された内部配線が位置するように前記犠牲基板パターンと前記電気検査用基板を結合する段階と、
   前記犠牲基板パターンの貫通ホール内に前記電気検査装置用基板の一側表面に露出された内部配線と電気的に接続される埋め立て構造物を埋める段階と、
   前記犠牲基板パターンを除去して前記電気検査装置用基板上に前記埋め立て構造物を電気検査装置用プローブ構造物で形成する段階と、を含む電気検査装置の製造方法。
2. 前記犠牲基板はシリコン基板を含み、前記電気検査装置用基板はセラミック基板を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気検査装置の製造方法。
3. 前記犠牲基板パターニングの貫通ホールは垂直構造を有するか、または一側に前記犠牲基板の厚さが低くなった肩を具備するひっくり返された「Ｌ」字状の構造を有することを特徴とする請求項１に記載の電気検査装置の製造方法。
4. 前記犠牲基板パターンと前記電気検査装置用基板を固定させる段階は、接着構造物を使用することを特徴とする請求項１に記載の電気検査装置の製造方法。
5. 前記接着構造物は、フォトレジスト組成物を含み、前記犠牲基板パターンと前記電気検査装置用基板を固定させることは、８０乃至１５０℃の温度で前記フォトレジスト組成物をベーキングさせることによって達成することを特徴とする請求項４に記載の電気検査装置の製造方法。
6. 前記プローブ構造物で形成するための埋め立て構造物は、ニッケル、コバルト、またはこれらの混合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気検査装置の製造方法。
7. 前記電気検査装置用基板上に前記電気検査装置用基板の一側表面に露出された内部配線と電気的に接続される表面配線を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電気検査装置の製造方法。
8. 前記プローブ構造物上に電気検査を遂行するとき、被検査体と直接接触するマイクロチップ（ｍｉｃｒｏ ｔｉｐ）を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電気検査装置の製造方法。
9. シリコン材質の犠牲基板を設ける段階と、
   前記犠牲基板をパターニングして前記犠牲基板の厚さが低くなった肩を具備するひっくり返された「Ｌ」字状の貫通ホールを含む犠牲基板パターンを形成する段階と、
   前記犠牲基板パターンの肩部位上にのみシード薄膜を形成する段階と、
   一側表面と他側表面を電気的に接続する内部配線を有するセラミック材質の電気検査装置用基板を設ける段階と、
   前記電気検査装置用基板上に前記電気検査装置用基板の一側表面に露出された内部配線と電気的に接続する表面配線を形成する団塊と、
   前記表面配線を有する基板上にフォトレジスト薄膜を形成する段階と、
   前記犠牲基板パターンの貫通ホールに前記電気検査装置用基板の表面配線が形成された部位が位置するように前記電気検査装置用基板上に前記犠牲基板パターンを整列させる段階と、
   前記フォトレジスト薄膜をベーキングさせて前記犠牲基板パターンと前記電気検査装置用基板を接着させる段階と、
   前記犠牲基板パターンの貫通ホールによって露出されるフォトレジスト薄膜を除去して前記表面配線を露出させるフォトレジストパターンを形成する段階と、
   前記表面配線が露出された犠牲基板パターンの貫通ホール内に前記電気検査装置用基板の表面配線と電気的に接続された埋め立て構造物を形成する段階と、
   前記犠牲基板パターン、フォトレジストパターン、及びシード薄膜を除去して前記電気検査装置用基板上に表面配線と電気的にセされる埋め立て構造物を電気検査装置用プローブ構造物で形成する段階と、を含む電気検査装置の製造方法。
10. 前記シード薄膜は、チタン、銅、またはこれらの混合物を含み、前記埋め立て構造物は、ニッケル、コバルト、またはこれらの混合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気検査装置の製造方法。
11. 前記フォトレジスト薄膜とベーキングさせる段階は、８０乃至１５０℃の温度で遂行することを特徴とする請求項９に記載の電気検査装置の製造方法。
12. 前記プローブ構造物上に電気検査を遂行するとき、被検査体と直接接触するマイクロチップ（ｍｉｃｒｏ ｔｉｐ）を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の電気検査装置の製造方法。

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