JP2715793B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置及びその製造
方法に関し、特に半導体チップがフリップチップ方式で
基板に取付けられる半導体装置及びその製造方法に関す
る。
方法に関し、特に半導体チップがフリップチップ方式で
基板に取付けられる半導体装置及びその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路（以下ＩＣと記す）の製
造技術における微小化と、これに伴なう高集積化，高機
能化，多端子化という傾向により、これらの半導体チッ
プの接触端子と回路基板の接続端子間の接続についても
微小化，多端子化が要求されている。半導体チップと回
路基板の接続方法には、ワイヤーボンド方式，ＴＡＢ方
式，フリップチップ方式などが知られているが、多端子
を有する半導体チップの高密度実装方式としてはフリッ
プチップ方式が適している。これはフリップチップ方式
では半導体チップの表面上の全面に接続端子（バンプ）
を設けることができ、周辺部のみに接続端子を設けるワ
イヤーボンド方式やＴＡＢ方式に比べ、多端子化が容易
であるからである。
造技術における微小化と、これに伴なう高集積化，高機
能化，多端子化という傾向により、これらの半導体チッ
プの接触端子と回路基板の接続端子間の接続についても
微小化，多端子化が要求されている。半導体チップと回
路基板の接続方法には、ワイヤーボンド方式，ＴＡＢ方
式，フリップチップ方式などが知られているが、多端子
を有する半導体チップの高密度実装方式としてはフリッ
プチップ方式が適している。これはフリップチップ方式
では半導体チップの表面上の全面に接続端子（バンプ）
を設けることができ、周辺部のみに接続端子を設けるワ
イヤーボンド方式やＴＡＢ方式に比べ、多端子化が容易
であるからである。
【０００３】またこのフリップチップ方式は、接続に必
要な配線長が短いため、電気的特性も優れている。これ
らの理由により１０数年前から実装方式のひとつとし
て、特に大型コンピューター用ＩＣの実装方式としてフ
リップチップ方式が実用化されており、最近では液晶表
示電子部品への実装方式としても検討されている。従来
のフリップチップ方式を用いる半導体チップは、その表
面に形成されたパッド部に、例えば半田バンプをメッキ
法や半田ボール供給法で形成する方式であったが、最近
では半田バンプに代り、金バンプか銅バンプあるいはワ
イヤーボンド方式により金のボールのバンプが用いられ
ている。また半田バンプの形状については球状から鼓状
への変更等各種の研究や実験が行なわれている。
要な配線長が短いため、電気的特性も優れている。これ
らの理由により１０数年前から実装方式のひとつとし
て、特に大型コンピューター用ＩＣの実装方式としてフ
リップチップ方式が実用化されており、最近では液晶表
示電子部品への実装方式としても検討されている。従来
のフリップチップ方式を用いる半導体チップは、その表
面に形成されたパッド部に、例えば半田バンプをメッキ
法や半田ボール供給法で形成する方式であったが、最近
では半田バンプに代り、金バンプか銅バンプあるいはワ
イヤーボンド方式により金のボールのバンプが用いられ
ている。また半田バンプの形状については球状から鼓状
への変更等各種の研究や実験が行なわれている。
【０００４】また従来からフリップチップ方式の半導体
素子は、チップに切断する前のウェハー状態でＤＣ特性
等の電気的評価を行っている。しかし、ＡＣ特性等の電
気的評価は、チップが搭載されているパッケージあるい
は回路基板にフリップチップボンディングを行い、最終
製品の形態に仕上げてから行われている。従ってフリッ
プチップボンディングを行った後に特性評価を行って、
もし異状があった場合、このチップの取り外し（リペ
ア）は非常に困難である。
素子は、チップに切断する前のウェハー状態でＤＣ特性
等の電気的評価を行っている。しかし、ＡＣ特性等の電
気的評価は、チップが搭載されているパッケージあるい
は回路基板にフリップチップボンディングを行い、最終
製品の形態に仕上げてから行われている。従ってフリッ
プチップボンディングを行った後に特性評価を行って、
もし異状があった場合、このチップの取り外し（リペ
ア）は非常に困難である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】フリップチップ方式で
製造される従来の半導体装置においては、上述したよう
に、フリップチップボンディングを実施したあとで最終
的な電気的特性評価が行なわれていた。従ってチップに
異状があった時、製造工程における損失が大きいという
問題があった。これらの原因はフリップチップボンディ
ングを実施する前に、チップ状態で最終的な電気的特性
の評価を十分に実施することが困難であったからであ
る。これは図３に示すように、ウェハー状態でメッキ法
等により半田バンプ２を形成するプロセスでは、ウェハ
ー内またはチップ内においても、半田バンプ２の高さに
ばらつきが生じてしまい、チップ状態で特性検査を行う
時、加圧のみでは検査用基板２０の電極２１と半田バン
プ２との電気的導通が十分に得られないからである。
製造される従来の半導体装置においては、上述したよう
に、フリップチップボンディングを実施したあとで最終
的な電気的特性評価が行なわれていた。従ってチップに
異状があった時、製造工程における損失が大きいという
問題があった。これらの原因はフリップチップボンディ
ングを実施する前に、チップ状態で最終的な電気的特性
の評価を十分に実施することが困難であったからであ
る。これは図３に示すように、ウェハー状態でメッキ法
等により半田バンプ２を形成するプロセスでは、ウェハ
ー内またはチップ内においても、半田バンプ２の高さに
ばらつきが生じてしまい、チップ状態で特性検査を行う
時、加圧のみでは検査用基板２０の電極２１と半田バン
プ２との電気的導通が十分に得られないからである。
【０００６】また他の方法として図４に示すように、半
導体チップ１と検査用基板２０の間に例えば金属細線に
より厚さ方向のみに導電性を有する導電性弾性シート８
等を介在させ、半導体チップ１の半田バンプ２と検査用
基板２０の電極２１とを加圧のみにより電気的導通を得
る方法がある。この方法においては半導体チップ上の半
田バンプの僅かな高さの差を導電性弾性シートにより吸
収でき、半田バンプ２と検査用基板の電極２１の接触が
完全に得られる。しかしながら、導電性弾性シート８の
導電抵抗は例えば、数百ｍΩから数Ω程度と大きい。従
ってＩＣがパワーＩＣ等の場合、検査時の大電流により
導電性弾性シートが発熱し、その物性値が劣化してしま
うという点や、半田バンプに高さの差が有るために各半
田バンプと導電性弾性シートとの接触抵抗に差が生じ
る。特に多端子のＩＣの場合、完全な接続を得るには大
きな圧力、例えば３００ピンのＩＣでは４．５ｋｇ〜６
ｋｇ程の圧力が必要となり、半導体チップ及び検査用基
板が破損する恐れが有る等の問題点があった。
導体チップ１と検査用基板２０の間に例えば金属細線に
より厚さ方向のみに導電性を有する導電性弾性シート８
等を介在させ、半導体チップ１の半田バンプ２と検査用
基板２０の電極２１とを加圧のみにより電気的導通を得
る方法がある。この方法においては半導体チップ上の半
田バンプの僅かな高さの差を導電性弾性シートにより吸
収でき、半田バンプ２と検査用基板の電極２１の接触が
完全に得られる。しかしながら、導電性弾性シート８の
導電抵抗は例えば、数百ｍΩから数Ω程度と大きい。従
ってＩＣがパワーＩＣ等の場合、検査時の大電流により
導電性弾性シートが発熱し、その物性値が劣化してしま
うという点や、半田バンプに高さの差が有るために各半
田バンプと導電性弾性シートとの接触抵抗に差が生じ
る。特に多端子のＩＣの場合、完全な接続を得るには大
きな圧力、例えば３００ピンのＩＣでは４．５ｋｇ〜６
ｋｇ程の圧力が必要となり、半導体チップ及び検査用基
板が破損する恐れが有る等の問題点があった。
【０００７】これらの問題点のため従来は、図５に示す
ように、検査用基板２０又は回路基板と半導体チップ１
は、不活性ガスを使用したリフロー炉で熱処理を行うこ
とにより半田バンプ２を溶融させてフリップチップボン
ディングを実施し、最終的な電気的特性評価が行なわれ
ていた。
ように、検査用基板２０又は回路基板と半導体チップ１
は、不活性ガスを使用したリフロー炉で熱処理を行うこ
とにより半田バンプ２を溶融させてフリップチップボン
ディングを実施し、最終的な電気的特性評価が行なわれ
ていた。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明の半導体装置
は、複数のスルーホールが形成された耐熱性の絶縁シー
トとこのスルーホールをふさぐように絶縁シートの裏面
に設けられたパッドとからなるシート状の中継板と、前
記スルーホールを介し前記パッドに先端部が接続された
半田バンプを有する半導体チップとを含むものである。
は、複数のスルーホールが形成された耐熱性の絶縁シー
トとこのスルーホールをふさぐように絶縁シートの裏面
に設けられたパッドとからなるシート状の中継板と、前
記スルーホールを介し前記パッドに先端部が接続された
半田バンプを有する半導体チップとを含むものである。
【０００９】第２の発明の半導体装置の製造方法は、ス
ルーホールが形成された耐熱性の絶縁シートとこのスル
ーホールをふさぐように絶縁シートの裏面に設けられた
パッドからなる中継板と、半田バンプを有する半導体チ
ップとを用意する工程と、前記中継板のスルーホール内
に前記半導体チップの半田バンプを入れ、熱処理して半
田バンプと前記パッドとを接続する工程とを含むもので
ある。
ルーホールが形成された耐熱性の絶縁シートとこのスル
ーホールをふさぐように絶縁シートの裏面に設けられた
パッドからなる中継板と、半田バンプを有する半導体チ
ップとを用意する工程と、前記中継板のスルーホール内
に前記半導体チップの半田バンプを入れ、熱処理して半
田バンプと前記パッドとを接続する工程とを含むもので
ある。
【００１０】第３の発明の半導体装置の製造方法は、ス
ルーホールが形成された耐熱性の絶縁シートとこのスル
ーホールをふさぐように絶縁シートの裏面に設けられた
パッドからなる中継板と、半田バンプを有する半導体チ
ップとを用意する工程と、前記中継板のスルーホール内
に前記半導体チップの半田バンプを入れ、熱処理して半
田バンプと前記パッドとを接続する工程と、前記中継板
のパッドに直接または導電性弾性シートを介して検査用
基板の電極を接触させ電気的特性を評価する工程とを含
むものである。
ルーホールが形成された耐熱性の絶縁シートとこのスル
ーホールをふさぐように絶縁シートの裏面に設けられた
パッドからなる中継板と、半田バンプを有する半導体チ
ップとを用意する工程と、前記中継板のスルーホール内
に前記半導体チップの半田バンプを入れ、熱処理して半
田バンプと前記パッドとを接続する工程と、前記中継板
のパッドに直接または導電性弾性シートを介して検査用
基板の電極を接触させ電気的特性を評価する工程とを含
むものである。
【００１１】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明
するための断面図である。
る。図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明
するための断面図である。
【００１２】まず図１（ａ）に示すように、複数の半田
バンプ２が形成された半導体チップ１と、スルーホール
４を有する耐熱性の絶縁フィルム３とこのスルーホール
４をふさぐように設けられたパッド５とＣｕ層６とから
なるシート状の中継板１０とを用意する。半田バンプ２
はウェハー状態でメッキ法等により形成されるが、その
高さは例えば平均値が１００μｍに対し±１０〜３０μ
ｍのばらつきが生じている。
バンプ２が形成された半導体チップ１と、スルーホール
４を有する耐熱性の絶縁フィルム３とこのスルーホール
４をふさぐように設けられたパッド５とＣｕ層６とから
なるシート状の中継板１０とを用意する。半田バンプ２
はウェハー状態でメッキ法等により形成されるが、その
高さは例えば平均値が１００μｍに対し±１０〜３０μ
ｍのばらつきが生じている。
【００１３】そこで図１（ｂ）に示すように、半田バン
プ２の先端部にスルーホール４が形成されたシート状の
中継板１０を配置し、この状態で不活性ガスを使用した
リフロー炉で熱処理を行なうことによって、半田バンプ
２を中継板１０のパッド５に接続し、半導体装置を完成
させる。
プ２の先端部にスルーホール４が形成されたシート状の
中継板１０を配置し、この状態で不活性ガスを使用した
リフロー炉で熱処理を行なうことによって、半田バンプ
２を中継板１０のパッド５に接続し、半導体装置を完成
させる。
【００１４】シート状の中継板１０は、２層ＴＡＢテー
プの製法等を用いて製造する。すなわち、ポリイミド等
の絶縁フィルム３上に無電解メッキ等により給電用のＣ
ｕ膜を形成し、このＣｕ膜上にフォトレジストからなる
マスクを設け、電解メッキ法によりＣｕからなるパッド
５を形成する。次で、このパッド５に対応する絶縁フィ
ルム３にウェットエッチング法によりスルーホール４を
形成する。この時スルーホール４の開口部はテーパー状
になる。次で、必要に応じてスルーホール４内に電解メ
ッキ法によりＣｕ層６を、そしてパッド５の表面にＮｉ
またはＡｕメッキを施したのち、パッド５以外のＣｕ膜
を除去して中継板１０を完成させる。
プの製法等を用いて製造する。すなわち、ポリイミド等
の絶縁フィルム３上に無電解メッキ等により給電用のＣ
ｕ膜を形成し、このＣｕ膜上にフォトレジストからなる
マスクを設け、電解メッキ法によりＣｕからなるパッド
５を形成する。次で、このパッド５に対応する絶縁フィ
ルム３にウェットエッチング法によりスルーホール４を
形成する。この時スルーホール４の開口部はテーパー状
になる。次で、必要に応じてスルーホール４内に電解メ
ッキ法によりＣｕ層６を、そしてパッド５の表面にＮｉ
またはＡｕメッキを施したのち、パッド５以外のＣｕ膜
を除去して中継板１０を完成させる。
【００１５】このスルーホール４の開口部がテーパー状
であるため、半田バンプ２の先端部はこのテーパーによ
りガイドされてスムーズにスルーホール４内に入り込
み、半導体チップ１と中継板１０の位置決めが容易かつ
正確に行なわれる。さらに、半田バンプ２の半田量の差
を吸収する事が可能となる。この状態で熱を加えて半田
バンプを溶融するが、チップサイズ，半田バンプの数、
半田バンプの高さのばらつき状態を考慮して、半導体チ
ップ１の上に重り等を載置することにより、半導体チッ
プ１を確実に中継板１０に接続できる。またリフロー炉
での処理時には必要に応じてフラックスを半田バンプ部
に塗布してもよい。このようにして取り付けられた中継
板１０のパッド５が形成された面は、平面度が十分に保
たれ、例えばポリイミドフィルムを用いた場合±１μｍ
以下の平面度が確保できる。次に、このようにして作ら
れた半導体装置を図１（ｃ）に示すように、検査用基板
２０上に配置された電極２１に中継板１０のパッド５を
位置合わせして加圧した状態で電気的導通が十分に得ら
れるようにし、電気的特性を検査する。検査用基板２０
上の電極２１も高さのばらつきは小さい方が良いので、
検査用基板２０の材質が例えばアルミナセラミックの場
合、電極２１の形成前に研磨処理を行ない、その後でス
クリーン印刷法，蒸着法，メッキ法等により電極２１を
形成する。またパワーＩＣ等以外の大電流を検査時に必
要としないＩＣでは、従来と同様に導電性弾性シートを
中継板１０と検査用基板３の間に介在させた形態で電気
特性の検査を行ってもよい。
であるため、半田バンプ２の先端部はこのテーパーによ
りガイドされてスムーズにスルーホール４内に入り込
み、半導体チップ１と中継板１０の位置決めが容易かつ
正確に行なわれる。さらに、半田バンプ２の半田量の差
を吸収する事が可能となる。この状態で熱を加えて半田
バンプを溶融するが、チップサイズ，半田バンプの数、
半田バンプの高さのばらつき状態を考慮して、半導体チ
ップ１の上に重り等を載置することにより、半導体チッ
プ１を確実に中継板１０に接続できる。またリフロー炉
での処理時には必要に応じてフラックスを半田バンプ部
に塗布してもよい。このようにして取り付けられた中継
板１０のパッド５が形成された面は、平面度が十分に保
たれ、例えばポリイミドフィルムを用いた場合±１μｍ
以下の平面度が確保できる。次に、このようにして作ら
れた半導体装置を図１（ｃ）に示すように、検査用基板
２０上に配置された電極２１に中継板１０のパッド５を
位置合わせして加圧した状態で電気的導通が十分に得ら
れるようにし、電気的特性を検査する。検査用基板２０
上の電極２１も高さのばらつきは小さい方が良いので、
検査用基板２０の材質が例えばアルミナセラミックの場
合、電極２１の形成前に研磨処理を行ない、その後でス
クリーン印刷法，蒸着法，メッキ法等により電極２１を
形成する。またパワーＩＣ等以外の大電流を検査時に必
要としないＩＣでは、従来と同様に導電性弾性シートを
中継板１０と検査用基板３の間に介在させた形態で電気
特性の検査を行ってもよい。
【００１６】また図１（ｄ）に示すように、最終的なフ
リップチップボンディングを回路基板３０に行なうと
き、例えば回路基板３０がアルミナセラミックである場
合、中継板１０に用いるポリイミド材は、半導体チップ
がＳｉの時、Ｓｉとアルミナセラミックの熱膨張係数の
中間値のものを選定する。例えば、熱膨張係数が３．０
×１０-6のＳｉと、６．８×１０-6のアルミナセラミッ
ク板を用いる場合は熱膨張係数が４〜５×１０-6のポリ
イミドフィルムを用いる。更に、回路基板３０と中継板
１０の接続部の半田バンプ２Ａは、半田バンプ２よりも
低融点の半田を選定する。これにより中継板のとりはず
し等の工程がなく、回路基板に実装しても熱膨張係数差
による熱応力集中を防止し、信頼性の高いフリップチッ
プボンディングが可能となる。
リップチップボンディングを回路基板３０に行なうと
き、例えば回路基板３０がアルミナセラミックである場
合、中継板１０に用いるポリイミド材は、半導体チップ
がＳｉの時、Ｓｉとアルミナセラミックの熱膨張係数の
中間値のものを選定する。例えば、熱膨張係数が３．０
×１０-6のＳｉと、６．８×１０-6のアルミナセラミッ
ク板を用いる場合は熱膨張係数が４〜５×１０-6のポリ
イミドフィルムを用いる。更に、回路基板３０と中継板
１０の接続部の半田バンプ２Ａは、半田バンプ２よりも
低融点の半田を選定する。これにより中継板のとりはず
し等の工程がなく、回路基板に実装しても熱膨張係数差
による熱応力集中を防止し、信頼性の高いフリップチッ
プボンディングが可能となる。
【００１７】このように第１の実施例によれば、半導体
チップに中継板を接続し、検査用基板と組合せることに
より、最終的なフリップチップボンディングを実施する
前にＩＣに必要な最終的な電気的特性評価を実施できる
ようになる。従来フリップチップ方式の半導体装置は、
フリップチップボンディングを行ってから電気的評価を
行っていたために欠陥品が生じた時には、リペア等が困
難であるために、生産性を非常に悪くしていたが、本実
施例によればこの問題は解決し、製造効率の向上や信頼
性向上に大きな効果がある。
チップに中継板を接続し、検査用基板と組合せることに
より、最終的なフリップチップボンディングを実施する
前にＩＣに必要な最終的な電気的特性評価を実施できる
ようになる。従来フリップチップ方式の半導体装置は、
フリップチップボンディングを行ってから電気的評価を
行っていたために欠陥品が生じた時には、リペア等が困
難であるために、生産性を非常に悪くしていたが、本実
施例によればこの問題は解決し、製造効率の向上や信頼
性向上に大きな効果がある。
【００１８】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施
例を説明するための断面図である。まず図２（ａ）に示
すように、半田バンプ２が形成された半導体チップ１
と、階段状のスルーホール４Ａが設けられた絶縁シート
７とスルーホール４Ａをふさぐように設けられたパッド
５Ａとからなるシート状の中継板１０Ａを用意する。
例を説明するための断面図である。まず図２（ａ）に示
すように、半田バンプ２が形成された半導体チップ１
と、階段状のスルーホール４Ａが設けられた絶縁シート
７とスルーホール４Ａをふさぐように設けられたパッド
５Ａとからなるシート状の中継板１０Ａを用意する。
【００１９】次に図２（ｂ）に示すように、スルーホー
ル４Ａと半田バンプ２とを位置合せした後、不活性ガス
を使用したリフロー炉で熱処理を行うことによって、半
田バンプ２を中継板１０Ａのパッド５Ａに接続する。こ
こでシート状の中継板１０Ａは、例えば耐熱性と電気絶
縁性を有するガラスエポキシ等のシートで構成され、そ
の製法は例えばＣＯＢ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｂｏａｒｄ）
用基板や、Ｐ−ＰＧＡ（プラスチックピングリッドアレ
イ）用基板と同様の製法が適用される。
ル４Ａと半田バンプ２とを位置合せした後、不活性ガス
を使用したリフロー炉で熱処理を行うことによって、半
田バンプ２を中継板１０Ａのパッド５Ａに接続する。こ
こでシート状の中継板１０Ａは、例えば耐熱性と電気絶
縁性を有するガラスエポキシ等のシートで構成され、そ
の製法は例えばＣＯＢ（Ｃｈｉｐ ｏｎ ｂｏａｒｄ）
用基板や、Ｐ−ＰＧＡ（プラスチックピングリッドアレ
イ）用基板と同様の製法が適用される。
【００２０】例えば、スルーホール径の異なる２枚のガ
ラスエポキシシートを貼り合わせ、次にスルーホール径
の小さい側へＣｕ箔等を貼り合わせ、次いで所定のパッ
ド等のパターンを形成し、次で仕上メッキとしてＮｉ，
Ａｕ等を施し中継板を完成させる。このスルーホール４
Ａの形状はテーパー状でなく、階段状であるが、半導体
チップ１上の半田バンプ２の先端部は、この階段状のス
ルーホール４Ａによりガイドされてスムーズに入り込む
ため、半導体チップ１とシート状の中継板１０Ａの位置
決めが容易かつ正確に行なわれる。
ラスエポキシシートを貼り合わせ、次にスルーホール径
の小さい側へＣｕ箔等を貼り合わせ、次いで所定のパッ
ド等のパターンを形成し、次で仕上メッキとしてＮｉ，
Ａｕ等を施し中継板を完成させる。このスルーホール４
Ａの形状はテーパー状でなく、階段状であるが、半導体
チップ１上の半田バンプ２の先端部は、この階段状のス
ルーホール４Ａによりガイドされてスムーズに入り込む
ため、半導体チップ１とシート状の中継板１０Ａの位置
決めが容易かつ正確に行なわれる。
【００２１】この状態で熱を加えてバンプを溶融するこ
とにより半導体チップ１と中継板１０Ａは接続される。
このようにして取り付けられた中継板１０Ａのパッド５
Ａが形成された面は平面度が十分に保たれ、例えばガラ
スエポキシシートでは±２μｍ程度が確保できる。また
ガラスエポキシシートそのものはポリイミドフィルムの
１／１０〜１／２０のコストであるため、中継板１０Ａ
は第１の実施例のものより安価に製造できる。
とにより半導体チップ１と中継板１０Ａは接続される。
このようにして取り付けられた中継板１０Ａのパッド５
Ａが形成された面は平面度が十分に保たれ、例えばガラ
スエポキシシートでは±２μｍ程度が確保できる。また
ガラスエポキシシートそのものはポリイミドフィルムの
１／１０〜１／２０のコストであるため、中継板１０Ａ
は第１の実施例のものより安価に製造できる。
【００２２】このようにして作られた半導体装置は、図
１（ｃ）で説明したと同様に、検査用基板を用いるか、
または図２（ｃ）に示すように、真空吸着口２３を有す
る検査用治具２２と検査用のプローバー２４を用いて、
検査用基板を使用しない電気特性の検査を行う。これは
直接半田バンプの先端部に検査用プローバーを接触させ
る方法ではないために、安定した電気的導通が得られ
る。電気的特性評価後に最終実装用回路基板に実施する
場合は、図１（ｄ）に示したようにバンプ２Ａを用い
る。
１（ｃ）で説明したと同様に、検査用基板を用いるか、
または図２（ｃ）に示すように、真空吸着口２３を有す
る検査用治具２２と検査用のプローバー２４を用いて、
検査用基板を使用しない電気特性の検査を行う。これは
直接半田バンプの先端部に検査用プローバーを接触させ
る方法ではないために、安定した電気的導通が得られ
る。電気的特性評価後に最終実装用回路基板に実施する
場合は、図１（ｄ）に示したようにバンプ２Ａを用い
る。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、スルーホ
ールとパッドとが設けられたシート状の中継板の、この
スルーホールを介して半導体チップの半田バンプをパッ
ドに接続することにより、フリップチップボンディング
前に半導体装置の電気的特性を評価することができる。
このため、従来の最終的なフリップチップボンディング
を行ってから電気的特性評価を行っていたため生じる生
産性の悪化が改善されると共に、信頼性を向上させるこ
とができるという効果がある。
ールとパッドとが設けられたシート状の中継板の、この
スルーホールを介して半導体チップの半田バンプをパッ
ドに接続することにより、フリップチップボンディング
前に半導体装置の電気的特性を評価することができる。
このため、従来の最終的なフリップチップボンディング
を行ってから電気的特性評価を行っていたため生じる生
産性の悪化が改善されると共に、信頼性を向上させるこ
とができるという効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例を説明するための断面
図。
図。
【図２】本発明の第２の実施例を説明するための断面
図。
図。
【図３】従来の半導体装置の電気的特性評価を説明する
ための断面図。
ための断面図。
【図４】従来の半導体装置の電気的特性評価を説明する
ための断面図。
ための断面図。
【図５】従来の半導体装置の電気的特性評価を説明する
ための断面図。
ための断面図。
１ 半導体チップ ２，２Ａ 半田バンプ ３ 絶縁フィルム ４，４Ａ スルーホール ５，５Ａ パッド ６ Ｃｕ層 ７ 絶縁シート ８ 導電性弾性シート １０，１０Ａ 中継板 ２０ 検査用基板 ２１ 電極 ２２ 検査用治具 ２３ 真空吸着口 ２４ プロバー
Claims (7)
- 【請求項１】 複数のスルーホールが形成された耐熱性
の絶縁シートとこのスルーホールをふさぐように絶縁シ
ートの裏面に設けられたパッドとからなるシート状の中
継板と、前記スルーホールを介し前記パッドに先端部が
接続された半田バンプを有する半導体チップとを含むこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 半田バンプが入るスルーホールの開口部
にはテーパが形成されている請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項３】 半田バンプが入るスルーホールの開口部
は階段状に形成されている請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 中継板の熱膨張係数は半導体チップと実
装回路基板との中間値を有する請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項５】 スルーホールが形成された耐熱性の絶縁
シートとこのスルーホールをふさぐように絶縁シートの
裏面に設けられたパッドからなる中継板と、半田バンプ
を有する半導体チップとを用意する工程と、前記中継板
のスルーホール内に前記半導体チップの半田バンプを入
れ、熱処理して半田バンプと前記パッドとを接続する工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 スルーホールが形成された耐熱性の絶縁
シートとこのスルーホールをふさぐように絶縁シートの
裏面に設けられたパッドからなる中継板と、半田バンプ
を有する半導体チップとを用意する工程と、前記中継板
のスルーホール内に前記半導体チップの半田バンプを入
れ、熱処理して半田バンプと前記パッドとを接続する工
程と、前記中継板のパッドに直接または導電性弾性シー
トを介して検査用基板の電極を接触させ電気的特性を評
価する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項７】 中継板のパッドに検査用プローブを接触
させて電気的特性を評価する請求項６記載の半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4062902A JP2715793B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4062902A JP2715793B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267393A JPH05267393A (ja) | 1993-10-15 |
| JP2715793B2 true JP2715793B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=13213651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4062902A Expired - Fee Related JP2715793B2 (ja) | 1992-03-19 | 1992-03-19 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2715793B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2705658B2 (ja) * | 1994-08-31 | 1998-01-28 | 日本電気株式会社 | 電子デバイス組立体およびその製造方法 |
| JP2914308B2 (ja) * | 1996-07-16 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | インターポーザー及び半導体デバイスの試験方法 |
| JPH11160356A (ja) * | 1997-11-25 | 1999-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ウェハ一括型測定検査用プローブカードおよびセラミック多層配線基板ならびにそれらの製造方法 |
| KR20010104147A (ko) * | 2000-05-13 | 2001-11-24 | 윤종광 | 반도체용 멀티플 라인 그리드와 그의 제조 방법 및 그를이용하여 피시비 보드 상에 반도체 칩을 실장하는 방법 |
| JP2006269917A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Kyocera Corp | 積層配線基板及びその実装方法 |
| JP4889464B2 (ja) * | 2006-12-08 | 2012-03-07 | パナソニック株式会社 | 電子部品の実装方法 |
| US7808258B2 (en) * | 2008-06-26 | 2010-10-05 | Freescale Semiconductor, Inc. | Test interposer having active circuit component and method therefor |
| US9177899B2 (en) * | 2012-07-31 | 2015-11-03 | Mediatek Inc. | Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package |
| TWI562295B (en) | 2012-07-31 | 2016-12-11 | Mediatek Inc | Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package |
| US10991669B2 (en) | 2012-07-31 | 2021-04-27 | Mediatek Inc. | Semiconductor package using flip-chip technology |
-
1992
- 1992-03-19 JP JP4062902A patent/JP2715793B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05267393A (ja) | 1993-10-15 |
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