JP2705658B2 - 電子デバイス組立体およびその製造方法 - Google Patents

電子デバイス組立体およびその製造方法

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JP2705658B2
JP2705658B2 JP7223480A JP22348095A JP2705658B2 JP 2705658 B2 JP2705658 B2 JP 2705658B2 JP 7223480 A JP7223480 A JP 7223480A JP 22348095 A JP22348095 A JP 22348095A JP 2705658 B2 JP2705658 B2 JP 2705658B2
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pad
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solder
resin
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浩悦 田村
真一 長谷川
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子デバイス組立体に
関し、特に第1の基板と、この第1の基板上に実装され
た第2の基板と、この第2の基板上に実装された電子デ
バイスを含む電子デバイス組立体に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の電子デバイス組立体の一例は、米
国特許公報5,203,075号に掲載されている。
【0003】同公報図10を参照すると、半導体デバイ
ス43は、柔軟性基板31上に実装されている。柔軟性
基板31は、ハンダにより、基板13に接続されてい
る。
【0004】同公報図6および図9を参照すると、柔軟
性基板31と基板13とは、ハンダ付け部材32および
ハンダペースト27により接続されている。ハンダ付け
部材32の一部は、柔軟性基板31に設けられたスルー
ホール内に侵入している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上述の構造では、以下
のような問題があった。
【0006】第1に、柔軟性基板31と基板13とがハ
ンダのみにより接続されているため、ハンダバンプの信
頼性が低い。具体的には、ハンダバンプの剥離、ハンダ
バンプの破壊、および、隣接するハンダバンプ間のショ
ート(マイグレーション)が生じやすい。
【0007】この問題は、ヒートシンクなどの重い部材
が半導体デバイス43上に設けられた場合に深刻であ
る。また、ハンダバンプの破壊は、運転時の加熱と、休
止時の冷却の繰り返しによっても生じる。さらに、雰囲
気中の湿気によっても、ハンダバンプの信頼性が低下す
る。
【0008】第2に、柔軟性基板31の平坦性が低いた
め、柔軟性基板31と基板13の間に所定の隙間を設け
るのが困難である。この隙間の誤差が大きくなると、ハ
ンダ接続部の信頼性が大幅に低下する。
【0009】このため、本発明の第1の目的は、第1の
基板と第2の基板の間の接続部分の信頼性を向上するこ
とにある。より具体的には、機械的ストレス、加熱・冷
却の繰り返し、または、雰囲気中の湿気などによる接続
部分の劣化を防止することにある。
【0010】本発明の第2の目的は、第1の基板と第2
の基板を接続する部分の接続不良を減少することにあ
る。より具体的には、第1の基板と第2の基板の間の隙
間を正確に調節することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】以上の問題に鑑み、本発
明の電子デバイス組立体は、第1および第2の面を有し
この第2の面に接続構造が設けられた第1の基板と、第
1および第2の面を有しこの第1の面に第1のパッドが
設けられこの第1のパッドが前記第1の基板の前記接続
構造と対向する第2の基板と、前記第1および第2の基
板の間に設けられ前記第1の基板の前記接続構造と前記
第2の基板の第1のパッドとを接続する接続部材と、前
記第1の基板と前記第2の基板の間に設けられ前記第1
の基板を前記第2の基板に固定する樹脂とを含む。
【0012】前記接続部材として、ハンダ、上下面に突
出する導体を含むフィルム、または、異方性導電シート
などを使用できる。
【0013】前記接続部材としてハンダが用いられた場
合は、前記接続構造にスルーホールが設けられてもよ
い。スルーホールが設けられた場合、前記ハンダの一部
がスルーホールに侵入し、第1の基板の上面に出現する
かもしれない。
【0014】前記第1の基板として、柔軟性基板を用い
てもよい。
【0015】前記熱硬化性樹脂として、シート状のもの
を用いても良い。
【0016】また、前記接続部材としてハンダが用いら
れたとき、本発明の電子デバイス組立体の製造方法は、
前記第2の基板の前記第1のパッド上にハンダを設ける
第1のステップと、前記ハンダ上に前記接続部材が位置
するように前記第1の基板を位置づける第2のステップ
と、前記第1の基板と前記第2の基板の間に熱硬化性樹
脂を注入する第3のステップと、前記ハンダおよび前記
熱硬化性樹脂を同時に加熱することにより前記第1のパ
ッドと前記接続構造とを前記ハンダにより接続するとと
もに前記熱硬化性樹脂を硬化させて前記第1の基板を前
記第2の基板上に固定する第4のステップとを含む。
【0017】前記熱硬化性樹脂がシート状の場合、本発
明の電子デバイス組立体の製造方法は、前記第2の基板
の前記第1のパッド上にハンダを設ける第1のステップ
と、前記第2の基板の上に熱硬化性樹脂を位置づける第
2のステップと、前記ハンダ上に前記接続部材が位置す
るように前記第1の基板を位置づける第3のステップ
と、前記ハンダおよび前記熱硬化性樹脂を同時に加熱す
ることにより、前記第1のパッドと前記接続構造とを前
記ハンダにより接続するとともに前記熱硬化性樹脂を硬
化させて前記第1の基板を前記第2の基板上に固定する
第4のステップとを含む。
【0018】前記接続部材として導体を有するシートが
用いられた場合、本発明の電子デバイス組立体の製造方
法は、前記第2の基板の前記第1のパッド上に前記導体
が位置するように前記フィルムを位置づける第1のステ
ップと、前記導体上に前記接続構造が位置するように前
記第1の基板を位置づける第2のステップと、前記第1
のパッドと前記導体とを接続するとともに前記導体と前
記接続構造とを接続する第3のステップと、前記第1の
基板と前記フィルムの間の隙間と前記フィルムと前記第
2の基板の間の隙間に樹脂を充填する第4のステップ
と、前記樹脂を硬化させて前記第1の基板を前記第2の
基板に固定する第5のステップとを含む。
【0019】前記接続部材として異方性導電シートが用
いられた場合、本発明の電子デバイス組立体の製造方法
は、前記第2の基板の前記第1の面の上に異方性導電シ
ートを載置する第1のステップと、前記第1および第2
のパッドが電気的に接続されるように前記異方性導電シ
ートの上に前記第1の基板を位置づける第2のステップ
と、前記第1の基板と前記異方性導電シートの間の隙間
と前記異方性導電シートと前記第2の基板の間の隙間に
樹脂を充填する第4のステップと、前記樹脂を硬化させ
て前記第1の基板を前記第2の基板に固定する第5のス
テップとを含む。
【0020】
【実施例】次に、本発明の第1の実施例について、図面
を参照して説明する。
【0021】図1を参照すると、本発明の第1の実施例
の電子デバイス組立体は、基板7と、基板7上に実装さ
れたチップキャリア13とを含む。
【0022】この実施例では、基板7としてガラスエポ
キシ基板が使用されている。基板7の材料には特に制限
はない。例えば、セラミック基板を使用することもでき
る。基板7の上面には、銅などによりパッド8および8
1が形成されている。
【0023】チップキャリア13は、柔軟性基板2と、
柔軟性基板2上に実装されたLSIチップ1と、柔軟性
基板2の下面を封止する樹脂6とを含む。
【0024】本実施例では、LSIチップ1は、一辺1
7.5mmの正方形を呈する。LSIチップ1の周辺部
には、80μmピッチで、約800の入出力端子が形成
されている。柔軟性基板2上に実装される電子デバイス
には特に制限はなく、LSIチップ1以外のデバイスが
実装されて構わない。
【0025】柔軟性基板2は、有機絶縁フィルムであ
る。柔軟性基板2は、耐熱性に優れ、熱膨張率が小さ
く、後述する配線パターン3が容易に装着できる材料か
ら形成されるのが好ましい。具体的には、ポリイミド、
フッ素系材料、および、エポキシ系材料などを挙げるこ
とが出来る。本実施例では、柔軟性基板2の厚さは約5
0μmである。
【0026】柔軟性基板2は、中央部にデバイスホール
を有する。柔軟性基板2の上面には、内部リード5が設
けられ、デバイスホール内に突出している。内部リード
5の一端は、LSIチップ1の入出力端子に接続され
る。内部リード5は、樹脂6により封止される。
【0027】図1および図2 (a)を参照すると、柔軟
性基板2は、接続構造4を有する。接続構造4は、スル
ーホール44、導体パターン41、42、および、43
を含む。導体パターン41は、柔軟性基板2の下面のス
ルーホール44の周囲に設けられる。導体パターン42
は、スルーホール44の内側面に設けられる。導体パタ
ーン43は、柔軟性基板2の上面のスルーホール44の
周囲に設けられる。導体パターン41、42、および、
43は、金メッキされた銅により形成される。
【0028】各接続構造4は、柔軟性基板2上面に設け
られた配線パターン3により、対応する内部リード5に
接続される。配線パターン3は金メッキされた銅により
形成される。配線パターン3の厚さは、約10〜25μ
mである。
【0029】図1および図2 (b)を参照すると、柔軟
性基板2は、デバイスホールの周囲に接続構造45を有
する。接続構造45は、柔軟性基板2上面に設けられた
導体パターン48と、柔軟性基板2下面に設けられた導
体パターン(グランドプレーン)46と、導体パターン
46および48を接続するヴィア47とを含む。接続構
造45は、配線パターン3により、対応する内部リード
5に接続される。接続構造45を介して、LSIチップ
1に電源を供給すると、LSIチップ1の動作に影響を
与えるノイズを抑制することが出来る。また、接続構造
45は、インピーダンスの整合、および、クロストーク
の抑制にも効果がある。
【0030】再び図1を参照すると、ハンダペースト1
2により、接続構造45と対応するパッド81とが接続
される。ハンダ9により、接続構造4と対応するパッド
8とが接続される。ハンダ9の一部は、スルーホール4
4内に侵入し、柔軟性基板2の上面に出現している。
【0031】柔軟性基板2と基板7の間には、熱硬化性
樹脂10が充填される。熱硬化性樹脂10により、柔軟
性基板2が基板7に固定される。また、熱硬化性樹脂1
0はハンダ9およびハンダペースト12を封止する。こ
れにより、柔軟性基板2と基板7が一体化する。熱硬化
性樹脂10の熱膨張率は、柔軟性基板2の熱膨張率と、
基板7の熱膨張率の間にあることか、または近いことが
好ましい。また、熱硬化性樹脂10の硬化温度は130
℃〜230℃、ハンダ9およびハンダペースト12の溶
解温度は180℃〜240℃であることが好ましい。具
体的には、熱硬化性樹脂10の材料としてエポキシ系フ
ッ素樹脂を挙げることが出来る。
【0032】次に、第1の実施例の製造方法について説
明する。
【0033】図3 (A)を参照すると、第1のステップ
において、パッド8および81の上に、ハンダ9および
ハンダペースト12が載置される。ハンダ9を載置する
前に、パッド8上に予めハンダペースト12を塗布して
おいても良い。
【0034】図3 (B)を参照すると、第2のステップ
において、ハンダ9およびハンダペースト12の上に接
続構造4および接続構造45が位置するように、チップ
キャリア13が位置づけられる。予め、テープ・オート
メイティッド・ボンディングにより、LSIチップ1が
柔軟性基板2に実装されている。
【0035】図3 (C)を参照すると、第3のステップ
において、ハンダペースト12およびハンダ9を除く基
板7の上面に、熱硬化性樹脂10が設けられる。熱硬化
性樹脂10は、柔軟性基板2と基板7の間の隙間から注
入される。また、柔軟性基板2に注入穴を設け、この注
入穴から熱硬化性樹脂10を注入しても良い。
【0036】図3 (D)を参照すると、第4のステップ
において、リフロー加熱が行われる。
【0037】この加熱により、ハンダ9は溶解する。溶
解したハンダ9の一部は、スルーホール44に侵入し、
柔軟性基板2の上面に出現する。柔軟性基板2の上面に
ハンダ9が出現したことを確認することにより、ハンダ
9の接続異常を識別できる。ハンダ9の一部がスルーホ
ール44に侵入したことにより、チップキャリア13の
一部が下降し、柔軟性基板2の下面が熱硬化性樹脂10
と接触する。また、ハンダペースト12も溶解し、パッ
ド81と接続構造45とを接続する。
【0038】また、この加熱により、熱硬化性樹脂10
が硬化する。熱硬化性樹脂10が硬化することにより、
チップキャリア13が基板7に固定され、両者は一体化
する。
【0039】以上のように、本実施例では、熱硬化性樹
脂10により、チップキャリア13が基板7に固定され
るので、機械的ストレスまたは加熱・冷却の繰り返しに
よるハンダ9の信頼性低下を防止できる。
【0040】また、本実施例では、ハンダ9が熱硬化性
樹脂10により封止されるので、雰囲気中の湿気による
ハンダ9の信頼性低下を防止できる。
【0041】さらに、1回の加熱により、ハンダ9の溶
解と熱硬化性樹脂10の硬化とが同時に行われるので、
製造工程が簡略化される。
【0042】次に、本発明の第2の実施例について、図
面を参照して説明する。
【0043】第2の実施例の特徴は、熱硬化性樹脂シー
ト11により、柔軟性基板2が基板7に固定されること
にあり、他の構造および機能は第1の実施例のものと同
じである。
【0044】図4を参照すると、第2の実施例では、熱
硬化性樹脂シート11により、柔軟性基板2が基板7に
固定されている。熱硬化性樹脂シート11のうち、デバ
イスホール、パッド8および81に対応する部分には、
穴が設けられている。この穴を通して、ハンダ9が、パ
ッド8および接続構造4を接続する。
【0045】熱硬化性樹脂シート11の厚さは、柔軟性
基板2と基板7の間の望ましい間隔を考慮して決定され
る。熱硬化性樹脂シート11の厚さを調節することによ
り、柔軟性基板2と基板7の間の隙間を調節することが
出来る。
【0046】次に、第2の実施例の製造方法について説
明する。
【0047】図5 (A)を参照すると、第1のステップ
において、パッド8および81の上に、ハンダ9および
ハンダペースト12が載置される。
【0048】図5 (B)を参照すると、第2のステップ
において、基板7の上面に熱硬化性樹脂シート11が載
置される。熱硬化性樹脂シート11に設けられた穴のた
めに、ハンダ9およびハンダペースト12は、熱硬化性
樹脂シート11に被覆されない。
【0049】図5 (C)を参照すると、第3のステップ
において、ハンダ9およびハンダペースト12の上に接
続構造4および接続構造45が位置するように、チップ
キャリア13が位置づけられる。
【0050】図5 (D)を参照すると、第4のステップ
において、リフロー加熱が行われる。
【0051】第1の実施例の製造方法と同様に、ハンダ
9が溶解し、パッド8と接続構造4とを接続する。ま
た、ハンダペースト12が溶解し、パッド81と接続構
造45とを接続する。チップキャリア13の位置が下降
し、柔軟性基板2の下面が熱硬化性樹脂シート11に接
触する。
【0052】同時に、この加熱により、熱硬化性樹脂シ
ート11が硬化する。熱硬化性樹脂シート11の硬化に
より、チップキャリア13が基板7に固定され、両者は
一体化する。
【0053】第2の実施例は、第1の実施例の効果に加
え、熱硬化性樹脂シート11の厚さにより、柔軟性基板
2と基板7の間の隙間を正確に調節できるという効果を
有する。
【0054】次に、本発明の第3の実施例について、図
面を参照して説明する。
【0055】第3の実施例の特徴は、柔軟性基板2と基
板7とが接続部材を介して接続されることにあり、他の
構造および特徴は第1の実施例のものと同じである。
【0056】図6を参照すると、柔軟性基板2と基板7
の間には、接続部材93が挿入されている。接続部材9
3は、フィルム90と、フィルム90内に設けられた導
体91とを含む。
【0057】本実施例では、フィルム90は、エポキ
シ、ポリイミド系材料から形成される。このほかにも、
フィルム90に代えて、セラミックシートを用いること
もでき。本実施例の場合、フィルム90の厚さは約0.
1〜0.5mmである。
【0058】導体91は、金または銅などの金属で形成
され、表面にはハンダ層が形成されている。導体91の
上部および下部は、フィルム90の上面および下面か
ら、それぞれ突出している。パッド8および接続構造4
は、導体91を介して接続される。パッド81および接
続構造45も、導体91を介して接続される。導体91
の上部は、スルーホール44に挿入されている。導体9
1を受け入れやすくするために、スルーホール44には
テーパが設けられている。導体91とスルーホール44
が係合することにより、チップキャリア13を正確に位
置づけることが出来る。接続部材91の高さは、柔軟性
基板2と基板7の間の望ましい間隔を考慮して決定され
る。本実施例では、約0.2〜0.5mmである。
【0059】基板7とフィルム90の間には、樹脂10
1が充填される。樹脂101の熱膨張率は、基板7の熱
膨張率とフィルム90の熱膨張率の間にあることか近い
ことが好ましい。フィルム90と柔軟性基板2の間に
は、樹脂102が充填される。樹脂102の熱膨張率
は、フィルム90の熱膨張率とLSIチップ1の熱膨張
率に近いことが好ましい。本実施例では、樹脂101お
よび樹脂102は、熱硬化性樹脂である。しかし、樹脂
101および102は、熱硬化性樹脂に限定されない。
何らかの方法により硬化する樹脂封止用材料であれば、
樹脂101および102として使用できる。
【0060】次に、第3の実施例の製造方法について説
明する。
【0061】図7 (A)を参照すると、第1のステップ
において、基板7が用意される。
【0062】図7 (B)を参照すると、第2のステップ
において、導体91が対応するパッド8の上に位置する
ように、接続部材93が位置づけられる。
【0063】図7 (C)を参照すると、第3のステップ
において、接続構造4が対応する導体91上に位置する
ように、チップキャリア13が位置づけられる。導体9
1の上部は、スルーホール44に挿入される。位置決め
の後、リフローが実施され、接続構造4が接続部材91
に接続される。
【0064】図7 (D)を参照すると、第4のステップ
において、基板7とフィルム90の間に、樹脂101が
充填される。フィルム90と柔軟性基板2の間に、樹脂
102が充填される。この後、樹脂101および102
が加熱される。この加熱により樹脂101および102
が硬化する。樹脂101および102の硬化により、チ
ップキャリア13、接続部材93、および、基板7は一
体化される。導体91の金属部分は、この加熱により溶
解しない。
【0065】第3の実施例では、チップキャリア13、
接続部材93、および、基板7が、樹脂101および1
02により一体化されるので、機械的ストレスまたは加
熱・冷却の繰り返しによる接続部分の信頼性低下を防止
できる。
【0066】また、接続部分が樹脂101および102
で封止されるので、雰囲気中の湿気による接続部分の信
頼性低下も防止できる。
【0067】さらに、導体91の高さにより、柔軟性基
板2と基板7の間の隙間を正確に調節できる。
【0068】次に、本発明の第4の実施例について、図
面を参照して説明する。
【0069】第4の実施例の特徴は、柔軟性基板と基板
7とが異方性導電シート112により接続されることに
ある。
【0070】図8を参照すると、LSIチップ1、樹脂
6、および、基板7の構造および機能は、第1の実施例
のものと同じである。
【0071】チップキャリア131は、柔軟性基板2
0、および、柔軟性基板20上に実装されたLSIチッ
プ1を含む。
【0072】柔軟性基板20は中央部にデバイスホール
を有する。柔軟性基板20の下面には、内部リード5が
設けられる。内部リード5の一端は、デバイスホールに
突出し、LSIチップ1の入出力端子に接続される。柔
軟性基板20の下面には、金メッキされた銅により、パ
ッド21が形成される。内部リード5とパッド21と
は、柔軟性基板20下面に設けられた図示しない配線導
体により接続される。
【0073】基板7の上には、異方性導電シート112
が設けられる。異方性導電シート112は、熱硬化性樹
脂と、この熱硬化性樹脂に混入された金属粒子15とを
含む。異方性導電シート112の厚さは、柔軟性基板2
0と基板7の間の望ましい間隔に応じて決定される。
【0074】異方性導電シート112の上に、チップキ
ャリア131が設けられる。柔軟性基板20のパッド2
1と、基板7の対応するパッド8とは、異方性導電シー
ト112を介して接続される。
【0075】基板7と異方性導電シート112の間に
は、樹脂103が充填される。樹脂103の熱膨張率
は、基板7の熱膨張率と異方性導電シート112の熱膨
張率の間にあることが望ましい。異方性導電シート11
2と柔軟性基板20の間には、樹脂104が充填され
る。樹脂104の熱膨張率は異方性導電シート112の
熱膨張率と柔軟性基板20の熱膨張率の間にあることが
望ましい。本実施例では、樹脂103および104は、
熱硬化性樹脂である。
【0076】次に、第4の実施例の製造方法について説
明する。
【0077】図9 (A)を参照すると、第1のステップ
において、基板7が用意される。
【0078】図9 (B)および図10 (A)を参照する
と、第2のステップにおいて、パッド8の上に異方性導
電シート112が載置される。取り扱いを容易にするた
め、異方性導電シート112の上面にはセパレータ14
が取り付けられている。
【0079】図9 (C)および図10(B)を参照する
と、第3のステップにおいて、異方性導電シート112
からセパレータ14が取り除かれる。
【0080】図9 (D)および図10 (C)を参照する
と、第4のステップにおいて、異方性導電シート112
の上にチップキャリア131が載置される。この後、異
方性導電シート112にパッド21が熱圧着される。こ
の熱圧着により、異方性導電シート112に含まれる熱
硬化性樹脂は硬化する。また、この熱圧着により、パッ
ド8とパッド21の間に金属粒子15が集中する。この
結果、パッド21と、これに対応するパッド8とが電気
的に接続される。
【0081】図9 (E)および図10 (D)を参照する
と、第5のステップにおいて、基板7と異方性導電シー
ト112の間には、樹脂103が充填される。異方性導
電シート112と柔軟性基板20の間には、樹脂104
が充填される。この後、樹脂103および104が加熱
される。この加熱により樹脂103および104は硬化
し、チップキャリア131、異方性導電シート112、
および、基板7を一体化する。
【0082】第4の実施例では、チップキャリア13
1、異方性導電シート112、および、基板7が、樹脂
101および102により一体化されるので、機械的ス
トレスまたは加熱・冷却の繰り返しによる接続部分の信
頼性低下を防止できる。
【0083】また、接続部分が樹脂103および104
で封止されるので、雰囲気中の湿気による接続部分の信
頼性低下も防止できる。
【0084】さらに、異方性導電シート112の高さに
より、柔軟性基板20と基板7の間の隙間を正確に調節
できる。
【0085】さらに、異方性導電シート112の導入に
よりハンダ付けの必要がなくなったので、製造工程を簡
略化できる。
【0086】
【発明の効果】以上のように、本発明は、樹脂により、
チップキャリアが基板に固定されるので、機械的ストレ
スまたは加熱・冷却の繰り返しによる接続部分の信頼性
低下を防止できるという効果を有する。
【0087】また、本発明は、接続部分が樹脂により封
止されるので、雰囲気中の湿気による接続部分の信頼性
低下を防止できるという効果を有する。
【0088】第1の実施例は、1回の加熱により、ハン
ダの溶解と熱硬化性樹脂の硬化とが同時に行われるの
で、製造工程が簡略化されるという効果を有する。
【0089】第2乃至第4の実施例は、柔軟性基板と基
板の間の隙間を正確に調節できるという効果を有する。
【0090】第4の実施例は、製造工程において、ハン
ダ付けが不要であるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の構造を示す図。
【図2】第1の実施例の詳細な構造を示す図。
【図3】第1の実施例の製造方法を示す図。
【図4】本発明の第2の実施例の構造を示す図。
【図5】第2の実施例の製造方法を示す図。
【図6】本発明の第3の実施例の構造を示す図。
【図7】第3の実施例の製造方法を示す図。
【図8】本発明の第4の実施例の構造を示す図。
【図9】第4の実施例の製造方法を示す図。
【図10】第4の実施例の製造方法を示す図。
【符号の説明】
1 LSIチップ 10 熱硬化性樹脂 101 樹脂 102 樹脂 103 樹脂 104 樹脂 11 熱硬化性樹脂シート 112 異方性導電シート 12 ハンダペースト 13 チップキャリア 131 チップキャリア 14 セパレータ 15 金属粒子 2 柔軟性基板 20 柔軟性基板 21 パッド 3 配線パターン 4 接続構造 41 導体パターン 42 導体パターン 43 導体パターン 44 スルーホール 45 接続構造 46 導体パターン 47 ヴィア 48 導体パターン 5 内部リード 6 樹脂 7 基板 8 パッド 81 パッド 9 ハンダ 90 フィルム 91 導体 93 接続部材

Claims (13)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スルーホールが設けられた第1の基板
    と、 第1および第2の面を有し、この第1の面に第1のパッ
    ドが設けられ、この第1のパッドが前記第1の基板の前
    スルーホールと対向する第2の基板と、 前記第1および第2の基板の間に設けられ、一部が前記
    第1の基板の前記スルーホール内に進入し該スルーホー
    と前記第2の基板の第1のパッドとを接続するハンダ
    と、 前記第1の基板と前記第2の基板の間隙に充填され、前
    記第1の基板を前記第2の基板に固定する樹脂とを含む
    ことを特徴とする電子デバイス組立体。
  2. 【請求項2】 第1および第2の面を有し、スルーホー
    が設けられた第1の基板と、 第1および第2の面を有し、この第1の面に第1のパッ
    ドが設けられ、この第1のパッドが前記第1の基板の前
    記接続構造と対向する第2の基板と、前記第1の基板の前記第2の面および前記第2の基板の
    前記第1の面とそれぞれ対向する第1および第2の面を
    有するフィルムと、このフィルムに設けられ該フィルム
    の前記第1および第2の面から突出した第1および第2
    の部分を有し、該第1の部分が前記第1の基板の前記ス
    ルーホールに挿入され、該第2の部分が、前記第2の基
    板の前記第1のパッドにそれぞれ接続された導体とを含
    接続部材と、前記第1の基板と前記フィルムの間の隙間と、前記フィ
    ルムと前記第2の基板の隙間とに充填された 樹脂とを含
    むことを特徴とする電子デバイス組立体。
  3. 【請求項3】 第1および第2の面を有し、この第2の
    面に第2のパッドが設けられた第1の基板と、 第1および第2の面を有し、この第1の面に第1のパッ
    ドが設けられ、この第1のパッドが前記第1の基板の前
    記接続構造と対向する第2の基板と、 前記第1および第2の基板の間に設けられ、前記第1の
    基板の前記第2のパッドと前記第2の基板の第1のパッ
    ドとを電気的に接続する異方性導電シートと、前記第1の基板と前記異方性導電シートの間の隙間と、
    前記異方性導電シート と前記第2の基板の間の隙間とに
    充填された 樹脂とを含むことを特徴とする電子デバイス
    組立体。
  4. 【請求項4】 第1および第2の面を有し、この第2の
    面に接続構造が設けられた柔軟性基板と、 第1および第2の面を有し、この第1の面に第1のパッ
    ドが設けられ、この第1のパッドが前記柔軟性基板の前
    記接続構造と対向する第2の基板と、 前記柔軟性基板および第2の基板の間に設けられ、前記
    柔軟性基板の前記接続構造と前記第2の基板の第1のパ
    ッドとを接続する接続部材と、 前記柔軟性基板と前記第2の基板の間に設けられ、前記
    柔軟性基板を前記第2の基板に固定する樹脂とを含むこ
    とを特徴とする電子デバイス組立体。
  5. 【請求項5】 第1および第2の面を有し、この第2の
    面に接続構造が設けられた第1の基板と、 第1および第2の面を有し、この第1の面に第1のパッ
    ドが設けられ、この第1のパッドが前記第1の基板の前
    記接続構造と対向する第2の基板と、 前記第1および第2の基板の間に設けられ、前記第1の
    基板の前記接続構造と前記第2の基板の第1のパッドと
    を接続する接続部材と、 前記第1の基板と前記第2の基板の間に設けられ、前記
    第1の基板を前記第2の基板に固定する樹脂と 前記第1の基板の前記第1の面に実装された電子デバイ
    とを含むことを特徴とする電子デバイス組立体。
  6. 【請求項6】 第1および第2の面を有し前記第2の面
    に接続構造が設けられた第1の基板と、第1および第2
    の面を有し前記第1の面に第1のパッドが設けられた第
    2の基板とを含む電子デバイス組立体の製造方法におい
    て、 前記第2の基板の前記第1のパッド上にハンダを設ける
    第1のステップと、 前記ハンダ上に前記接続部材が位置するように、前記第
    1の基板を位置づける第2のステップと、 前記第1の基板と前記第2の基板の間に熱硬化性樹脂を
    注入する第3のステップと、 前記ハンダおよび前記熱硬化性樹脂を同時に加熱するこ
    とにより、前記第1のパッドと前記接続構造とを前記ハ
    ンダにより接続するとともに、前記熱硬化性樹脂を硬化
    させて前記第1の基板を前記第2の基板上に固定する第
    4のステップとを含むことを特徴とする電子デバイス組
    立体の製造方法。
  7. 【請求項7】 前記接続構造がスルーホールを含み、 前記第4のステップにおいて、前記ハンダの少なくとも
    一部が前記スルーホールに侵入することを特徴とする請
    求項7記載の電子デバイス組立体の製造方法。
  8. 【請求項8】 第1および第2の面を有し前記第2の面
    に接続構造が設けられた第1の基板と、第1および第2
    の面を有し前記第1の面に第1のパッドが設けられた第
    2の基板とを含む電子デバイス組立体の製造方法におい
    て、 前記第2の基板の前記第1のパッド上にハンダを設ける
    第1のステップと、 前記第2の基板の上に熱硬化性樹脂を載置する第2のス
    テップと、 前記ハンダ上に前記接続部材が位置するように、前記第
    1の基板を位置づける第3のステップと、 前記ハンダおよび前記熱硬化性樹脂を同時に加熱するこ
    とにより、前記第1のパッドと前記接続構造とを前記ハ
    ンダにより接続するとともに、前記熱硬化性樹脂を硬化
    させて前記第1の基板を前記第2の基板上に固定する第
    4のステップとを含むことを特徴とする電子デバイス組
    立体の製造方法。
  9. 【請求項9】 前記第2のステップにおいて、前記樹脂
    がシート状であることを特徴とする請求項8記載の電子
    デバイス組立体の製造方法。
  10. 【請求項10】 前記接続構造が、前記第1の基板の前
    記第2の面の前記スルーホールの周囲に設けられた第1
    の導体パターンと、前記スルーホールの内側面に設けら
    れた第2の導体パターンとを含み、 前記第4のステップにおいて、前記ハンダの少なくとも
    一部が前記スルーホールに侵入することを特徴とする請
    求項8記載の電子デバイス組立体の製造方法。
  11. 【請求項11】 第1および第2の面を有し前記第2の
    面に接続構造が設けられた第1の基板と、第1および第
    2の面を有し前記第1の面に第1のパッドが設けられた
    第2の基板とを含み、前記第1のパッドおよび前記接続
    構造がフィルムとこのフィルム内に設けられた導体とを
    含む接続部材により接続される電子デバイス組立体の製
    造方法において、 前記第2の基板の前記第1のパッド上に前記導体が位置
    するように前記フィルムを位置づける第1のステップ
    と、 前記導体上に前記接続構造が位置するように前記第1の
    基板を位置づける第2のステップと、 前記第1のパッドと前記導体とを接続するとともに、前
    記導体と前記接続構造とを接続する第3のステップと、 前記第1の基板と前記フィルムの間の隙間と、前記フィ
    ルムと前記第2の基板の間の隙間に樹脂を充填する第4
    のステップと、 前記樹脂を硬化させて、前記第1の基板を前記第2の基
    板に固定する第5のステップとを含むことを特徴とする
    電子デバイス組立体の製造方法。
  12. 【請求項12】 前記接続構造がスルーホールを含み、 前記第2のステップにおいて、前記導体の少なくとも一
    部が前記スルーホールに挿入されることを特徴とする請
    求項11記載の電子デバイス組立体の製造方法。
  13. 【請求項13】 第1および第2の面を有し前記第2の
    面に第1のパッドが設けられた第1の基板と、第1およ
    び第2の面を有し前記第1の面に第2のパッドが設けら
    れた第2の基板とを含む電子デバイス組立体の製造方法
    において、 前記第2の基板の前記第1の面の上に異方性導電シート
    を載置する第1のステップと、 前記第1および第2のパッドが電気的に接続されるよう
    に、前記異方性導電シートの上に前記第1の基板を位置
    づける第2のステップと、 前記第1の基板と前記異方性導電シートの間の隙間と、
    前記異方性導電シートと前記第2の基板の間の隙間に樹
    脂を充填する第4のステップと、 前記樹脂を硬化させて、前記第1の基板を前記第2の基
    板に固定する第5のステップとを含むことを特徴とする
    電子デバイス組立体の製造方法。
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