JPH05259223A - フィルムキャリアテープ - Google Patents
フィルムキャリアテープInfo
- Publication number
- JPH05259223A JPH05259223A JP5210092A JP5210092A JPH05259223A JP H05259223 A JPH05259223 A JP H05259223A JP 5210092 A JP5210092 A JP 5210092A JP 5210092 A JP5210092 A JP 5210092A JP H05259223 A JPH05259223 A JP H05259223A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base film
- carrier tape
- lead
- film
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】フィルムキャリアテープのベースフィルム及び
リードの熱膨張係数と半導体チップの熱膨張係数の差を
小さくしてリードの破断を防止する。 【構成】半導体チップの熱膨張係数に近い熱膨張係数を
有する４２合金又はフェルニコからなるリード３と、熱
膨張係数が２．０×１０-6〜７．０×１０-6℃-1である
ポリイミド樹脂からなるベースフィルム２とを接着し、
リード直下のベースフィルム２に設けたスルーホール４
内にバンプ５を形成する。
リードの熱膨張係数と半導体チップの熱膨張係数の差を
小さくしてリードの破断を防止する。 【構成】半導体チップの熱膨張係数に近い熱膨張係数を
有する４２合金又はフェルニコからなるリード３と、熱
膨張係数が２．０×１０-6〜７．０×１０-6℃-1である
ポリイミド樹脂からなるベースフィルム２とを接着し、
リード直下のベースフィルム２に設けたスルーホール４
内にバンプ５を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フィルムキャリアテー
プに関する。
プに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフィルムキャリア方式による半導
体装置は、図４に示すように、搬送及び位置決め用のス
プロケットホール２１と、半導体チップ７が入るデバイ
スホール２２を有するポリイミド樹脂等のベースフィル
ム２３上に銅等の金属箔を接着し、フォトリソグラフィ
技術により金属箔を選択的にエッチングして所望の形状
のリード２６と電気選別のためのパッド２４を形成した
フィルムキャリアテープを構成し、フィルムキャリアテ
ープのリード２６と半導体チップ７に設けたバンプ８と
をインナーリードボンディングし、フィルムキャリアテ
ープの状態でパッド２４に測定機の接触子を接触させて
電気選別やバイアス試験を実施する。
体装置は、図４に示すように、搬送及び位置決め用のス
プロケットホール２１と、半導体チップ７が入るデバイ
スホール２２を有するポリイミド樹脂等のベースフィル
ム２３上に銅等の金属箔を接着し、フォトリソグラフィ
技術により金属箔を選択的にエッチングして所望の形状
のリード２６と電気選別のためのパッド２４を形成した
フィルムキャリアテープを構成し、フィルムキャリアテ
ープのリード２６と半導体チップ７に設けたバンプ８と
をインナーリードボンディングし、フィルムキャリアテ
ープの状態でパッド２４に測定機の接触子を接触させて
電気選別やバイアス試験を実施する。
【０００３】ここで、リード２６の変形防止のためにベ
ースフィルム２３にサスペンダ２５を設けたり、信頼性
向上及び機械的保護のため、半導体チップ８上に、樹脂
膜をポッティングして、封止することが多い。
ースフィルム２３にサスペンダ２５を設けたり、信頼性
向上及び機械的保護のため、半導体チップ８上に、樹脂
膜をポッティングして、封止することが多い。
【０００４】図５は従来の半導体装置の実装状態を示す
断面図である。
断面図である。
【０００５】図５に示すように、樹脂膜２７を設けたフ
ィルムキャリアのベースフィルム２３の不要部を金型等
により切断し、リード２６をプリント配線基板９上のボ
ンディングパッドにアウターリードボンディングする。
ィルムキャリアのベースフィルム２３の不要部を金型等
により切断し、リード２６をプリント配線基板９上のボ
ンディングパッドにアウターリードボンディングする。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のフィル
ムキャリアテープは、ポリイミド樹脂からなるベースフ
ィルム及び銅箔からなるリードから構成されており、ポ
リイミド樹脂の熱膨張係数が約２．０×１０-5℃-1及び
Ｃｕの熱膨張係数が約１．７×１０-5℃-1であるのに対
し、Ｓｉからなる半導体チップは約２．５×１０-6℃-1
であり、熱膨張係数に大きな差がある。このような差は
例えばフィルムキャリア半導体装置を温度サイクル試験
等の熱的な衝撃試験を行なうと、ベースフィルムの膨張
収縮が半導体チップの膨張収縮よりも大きいため、リー
ドに繰返しのストレスが加わって、リードが破断すると
いう問題があった。
ムキャリアテープは、ポリイミド樹脂からなるベースフ
ィルム及び銅箔からなるリードから構成されており、ポ
リイミド樹脂の熱膨張係数が約２．０×１０-5℃-1及び
Ｃｕの熱膨張係数が約１．７×１０-5℃-1であるのに対
し、Ｓｉからなる半導体チップは約２．５×１０-6℃-1
であり、熱膨張係数に大きな差がある。このような差は
例えばフィルムキャリア半導体装置を温度サイクル試験
等の熱的な衝撃試験を行なうと、ベースフィルムの膨張
収縮が半導体チップの膨張収縮よりも大きいため、リー
ドに繰返しのストレスが加わって、リードが破断すると
いう問題があった。
【０００７】これを防止するため、ポリイミド樹脂の熱
膨張係数を小さくすることが考えられる。例えば、ベー
スフィルムとして熱膨張係数が２．０×１０-5℃-1の東
レカプトンと、熱膨張係数が１．５×１０-5℃-1の宇部
興産のユーピレックスＳを使用したフィルムキャリア半
導体装置を−６５℃〜１５０℃の条件で温度サイクル試
験を実施した場合は、カプトンの場合は、約１００サイ
クルでリードが破断するのに対し、ユーピレックスは約
３００サイクルでもリードが破断しないという結果が得
られた。従って、ベースフィルムの熱膨張係数を、さら
に小さくして半導体チップと同等にすれば、寿命がさら
に延びることが考えられるが、この場合はリードである
Ｃｕとの熱膨張差が大きくなり、例えば、フィルムキャ
リアテープの製造段階における、ベースフィルムにＣｕ
箔を貼り合わせた時、熱膨張差によってベースフィルム
が大きく反ってしまい、フィルムキャリアテープの平坦
性が保てないという問題点がある。
膨張係数を小さくすることが考えられる。例えば、ベー
スフィルムとして熱膨張係数が２．０×１０-5℃-1の東
レカプトンと、熱膨張係数が１．５×１０-5℃-1の宇部
興産のユーピレックスＳを使用したフィルムキャリア半
導体装置を−６５℃〜１５０℃の条件で温度サイクル試
験を実施した場合は、カプトンの場合は、約１００サイ
クルでリードが破断するのに対し、ユーピレックスは約
３００サイクルでもリードが破断しないという結果が得
られた。従って、ベースフィルムの熱膨張係数を、さら
に小さくして半導体チップと同等にすれば、寿命がさら
に延びることが考えられるが、この場合はリードである
Ｃｕとの熱膨張差が大きくなり、例えば、フィルムキャ
リアテープの製造段階における、ベースフィルムにＣｕ
箔を貼り合わせた時、熱膨張差によってベースフィルム
が大きく反ってしまい、フィルムキャリアテープの平坦
性が保てないという問題点がある。
【０００８】一般にベースフィルムとＣｕ箔とは接着剤
を介して貼り合わせるが、この時接着剤を加熱しながら
貼り合わせを実施するため、貼り合わせ時は高温で、貼
り合わせ後常温となり熱膨張係数の差により、貼り合わ
せ後のベースフィルムに反りが生じることになる。従っ
て、一般的には、ベースフィルムとＣｕ箔との熱膨張係
数とは、ほぼ同等のものを用いることが多く、温度サイ
クルへの対応は、デバイスホール内のリード長を長くし
て、リード部で応力を吸収するような方法がとられてい
た。但し、この場合は、リード変形が多くなるという問
題があった。
を介して貼り合わせるが、この時接着剤を加熱しながら
貼り合わせを実施するため、貼り合わせ時は高温で、貼
り合わせ後常温となり熱膨張係数の差により、貼り合わ
せ後のベースフィルムに反りが生じることになる。従っ
て、一般的には、ベースフィルムとＣｕ箔との熱膨張係
数とは、ほぼ同等のものを用いることが多く、温度サイ
クルへの対応は、デバイスホール内のリード長を長くし
て、リード部で応力を吸収するような方法がとられてい
た。但し、この場合は、リード変形が多くなるという問
題があった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
アテープは、ポリイミド樹脂からなるベースフィルム
と、前記ベースフィルム上に設けた４２合金又はフェル
ニコからなるリードと、前記リード直下のベースフィル
ムに設けたスルーホールと、前記スルーホール内のリー
ドに接続して設けたバンプとを有する。
アテープは、ポリイミド樹脂からなるベースフィルム
と、前記ベースフィルム上に設けた４２合金又はフェル
ニコからなるリードと、前記リード直下のベースフィル
ムに設けたスルーホールと、前記スルーホール内のリー
ドに接続して設けたバンプとを有する。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施
例の製造方法を説明するための工程順に示した断面図で
ある。
例の製造方法を説明するための工程順に示した断面図で
ある。
【００１２】まず、図１（ａ）に示すように、熱膨張係
数４．５×１０-6〜５．０×１０-6℃-1の４２合金（Ｆ
ｅ−Ｎｉ合金）又は熱膨張係数４．０×１０-6〜４．７
×１０-6℃-1のフェルニコ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）か
らなる金属箔１の表面に液状のポリイミド樹脂を均一に
塗布して加熱硬化させ熱膨張係数２．０×１０-6〜７．
０×１０-6℃-1のベースフィルム２を形成する。
数４．５×１０-6〜５．０×１０-6℃-1の４２合金（Ｆ
ｅ−Ｎｉ合金）又は熱膨張係数４．０×１０-6〜４．７
×１０-6℃-1のフェルニコ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金）か
らなる金属箔１の表面に液状のポリイミド樹脂を均一に
塗布して加熱硬化させ熱膨張係数２．０×１０-6〜７．
０×１０-6℃-1のベースフィルム２を形成する。
【００１３】次に、図１（ｂ）に示すように、フォトリ
ソグラフィ技術を用いて金属箔１を選択的にパターニン
グしてリード３を形成し、ベースフィルム２を同様にパ
ターニングしてリード３の表面を露出させるスルーホー
ル４を形成する。
ソグラフィ技術を用いて金属箔１を選択的にパターニン
グしてリード３を形成し、ベースフィルム２を同様にパ
ターニングしてリード３の表面を露出させるスルーホー
ル４を形成する。
【００１４】次に、図１（ｃ）に示すように、スルーホ
ール４内のリード３の表面にめっき法によりＡｕ又は半
田からなるバンプ５を形成し、リード３の表面にＡｕ又
は半田からなるめっき膜６を形成してフィルムキャリア
テープを構成する。
ール４内のリード３の表面にめっき法によりＡｕ又は半
田からなるバンプ５を形成し、リード３の表面にＡｕ又
は半田からなるめっき膜６を形成してフィルムキャリア
テープを構成する。
【００１５】図２は本発明の第２の実施例を説明するた
めの断面図である。
めの断面図である。
【００１６】図２に示すように、厚さ１００μｍの４２
合金又はフェルニコからなる金属箔１０の両面に熱膨張
係数が２．０×１０-6〜７．０×１０-6℃-1のポリイミ
ド樹脂１１を２０μｍ未満の厚さに被覆してベースフィ
ルム２を形成し、ベースフィルム２の上に接着剤１２を
介してリード形成用の金属箔１を貼付けた以外は第１の
実施例と同様の構成を有しており、金属箔１０と金属箔
１の熱膨張係数を近付けることができ熱の影響による反
りを無くしたキャリアテープを実現できる利点がある。
なお、接着剤１２の厚さは１０μｍ未満と薄くするのが
好ましい。
合金又はフェルニコからなる金属箔１０の両面に熱膨張
係数が２．０×１０-6〜７．０×１０-6℃-1のポリイミ
ド樹脂１１を２０μｍ未満の厚さに被覆してベースフィ
ルム２を形成し、ベースフィルム２の上に接着剤１２を
介してリード形成用の金属箔１を貼付けた以外は第１の
実施例と同様の構成を有しており、金属箔１０と金属箔
１の熱膨張係数を近付けることができ熱の影響による反
りを無くしたキャリアテープを実現できる利点がある。
なお、接着剤１２の厚さは１０μｍ未満と薄くするのが
好ましい。
【００１７】図３（ａ），（ｂ）は本発明のフィルムキ
ャリアテープの実装方法を説明するための工程順に示し
た断面図である。
ャリアテープの実装方法を説明するための工程順に示し
た断面図である。
【００１８】図３（ａ）に示すように、フィルムキャリ
アテープのリード３に半導体チップ７のバンプ８をボン
ディングしてフィルムキャリアテープに半導体チップ７
をマウントする。
アテープのリード３に半導体チップ７のバンプ８をボン
ディングしてフィルムキャリアテープに半導体チップ７
をマウントする。
【００１９】次に、図３（ｂ）に示すように、フィルム
キャリアテープを選択的に裁断した後プリント配線基板
９の配線にバンプ５を接合して実装する。
キャリアテープを選択的に裁断した後プリント配線基板
９の配線にバンプ５を接合して実装する。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体チ
ップの熱膨張係数が近いベースフィルムとリードにより
フィルムキャリアテープを形成することにより、熱工程
後も、熱膨張差による応力破断を防止できるという効果
を有する。
ップの熱膨張係数が近いベースフィルムとリードにより
フィルムキャリアテープを形成することにより、熱工程
後も、熱膨張差による応力破断を防止できるという効果
を有する。
【図１】本発明の第１の実施例の製造方法を説明するた
めの工程順に示した断面図。
めの工程順に示した断面図。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図。
【図３】本発明のフィルムキャリアテープの実装方法を
説明するための工程順に示した断面図。
説明するための工程順に示した断面図。
【図４】従来のフィルムキャリアテープの一例を示す平
面図。
面図。
【図５】従来のフィルムキャリアテープの実装例を示す
断面図。
断面図。
１，１０ 金属箔 ２，２３ ベースフィルム ３，２６ リード ４ スルーホール ５，８ バンプ ６ めっき膜 ７ 半導体チップ ９ プリント配線基板 １１ ポリイミド樹脂膜 １２ 接着剤 ２１ スプロケットホール ２２ デバイスホール ２４ パッド ２５ サスペンダ ２７ 樹脂膜
Claims (2)
- 【請求項１】 ポリイミド樹脂からなるベースフルム
と、前記ベースフィルム上に設けた４２合金又はフェル
ニコからなるリードと、前記リード直下のベースフィル
ムに設けたスルーホールと、前記スルーホール内のリー
ドに接続して設けたバンプとを有することを特徴とする
フィルムキャリアテープ。 - 【請求項２】 ベースフィルムの熱膨張係数が２．０×
１０-6℃-1乃至７０×１０-6℃-1である請求項１記載の
フィルムキャリアテープ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5210092A JPH05259223A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | フィルムキャリアテープ |
| US07/967,790 US5350947A (en) | 1991-11-12 | 1992-10-28 | Film carrier semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5210092A JPH05259223A (ja) | 1992-03-11 | 1992-03-11 | フィルムキャリアテープ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05259223A true JPH05259223A (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=12905433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5210092A Pending JPH05259223A (ja) | 1991-11-12 | 1992-03-11 | フィルムキャリアテープ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05259223A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08153751A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-06-11 | Nec Corp | 電子デバイス組立体およびその製造方法 |
| JPH08153750A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-06-11 | Nec Corp | 電子デバイス組立体およびその製造方法 |
| EP0755075A2 (en) * | 1995-06-29 | 1997-01-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | A tape carrier package |
| US6204565B1 (en) | 1998-06-10 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Semiconductor carrier and method for manufacturing the same |
| US10575692B2 (en) | 2016-06-02 | 2020-03-03 | Lg Electronics Inc. | Vacuum cleaner |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03177034A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-08-01 | Casio Comput Co Ltd | 電子部品の接続方法 |
-
1992
- 1992-03-11 JP JP5210092A patent/JPH05259223A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03177034A (ja) * | 1989-12-05 | 1991-08-01 | Casio Comput Co Ltd | 電子部品の接続方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08153751A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-06-11 | Nec Corp | 電子デバイス組立体およびその製造方法 |
| JPH08153750A (ja) * | 1994-08-31 | 1996-06-11 | Nec Corp | 電子デバイス組立体およびその製造方法 |
| EP0755075A2 (en) * | 1995-06-29 | 1997-01-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | A tape carrier package |
| EP0755075A3 (en) * | 1995-06-29 | 1998-12-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | A tape carrier package |
| US6204565B1 (en) | 1998-06-10 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Semiconductor carrier and method for manufacturing the same |
| US10575692B2 (en) | 2016-06-02 | 2020-03-03 | Lg Electronics Inc. | Vacuum cleaner |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6333469B1 (en) | Wafer-scale package structure and circuit board attached thereto | |
| KR100285117B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JPH09260527A (ja) | チップキャリアおよびこれを用いた半導体装置 | |
| JPH09298255A (ja) | セラミック回路基板及びこれを用いた半導体装置 | |
| US5109601A (en) | Method of marking a thin film package | |
| US20020041021A1 (en) | Semiconductor device, semiconductor module and hard disk | |
| JP3392992B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH05259223A (ja) | フィルムキャリアテープ | |
| JP2570468B2 (ja) | Ｌｓｉモジュールの製造方法 | |
| US4965700A (en) | Thin film package for mixed bonding of chips | |
| JPH04315458A (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 | |
| JP2002324873A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2001007236A (ja) | ウェハー状積層体および半導体素子パッケージならびにウェハー状積層体の製造方法 | |
| JP3331146B2 (ja) | Ｂｇａ型半導体装置の製造方法 | |
| KR20010057046A (ko) | 캐비티를 갖는 패키지 기판 | |
| JP2748771B2 (ja) | フィルムキャリア半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS586951B2 (ja) | 電子回路装置 | |
| US5973398A (en) | Semiconductor device and fabrication method employing a palladium-plated heat spreader substrate | |
| JPH0574943B2 (ja) | ||
| JPH07122589A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2001085802A (ja) | 配線基板及びそれを用いた電子装置及びその製造方法 | |
| JPH0685003A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11102942A (ja) | Ｔ−ｂｇａ用ｔａｂテープの製造方法 | |
| JP2675077B2 (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JP2666569B2 (ja) | 半導体搭載用リード付き基板の製造法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980310 |