JPH05144895A - プローブカード - Google Patents
プローブカードInfo
- Publication number
- JPH05144895A JPH05144895A JP30430891A JP30430891A JPH05144895A JP H05144895 A JPH05144895 A JP H05144895A JP 30430891 A JP30430891 A JP 30430891A JP 30430891 A JP30430891 A JP 30430891A JP H05144895 A JPH05144895 A JP H05144895A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- semiconductor element
- bonding pad
- probe card
- forked
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】プローブカードの探針1がケルビン接続された
二股構造になっており、半導体素子のボンディングパッ
ド2または7に対しこの二股構造の探針1を接蝕させる
構成を有している。 【効果】半導体素子の電気的特性の検査または測定を安
定した測定精度で行なうことが出来る。また、半導体素
子の小型化に伴なうボンディングパッドの縮小化に対し
ても、安定してケルビン接続した探針をボンディングパ
ッドに接触させることが出来る。
二股構造になっており、半導体素子のボンディングパッ
ド2または7に対しこの二股構造の探針1を接蝕させる
構成を有している。 【効果】半導体素子の電気的特性の検査または測定を安
定した測定精度で行なうことが出来る。また、半導体素
子の小型化に伴なうボンディングパッドの縮小化に対し
ても、安定してケルビン接続した探針をボンディングパ
ッドに接触させることが出来る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子などの電気
的特性を検査または測定する際に用いられるプローブカ
ードに関する。
的特性を検査または測定する際に用いられるプローブカ
ードに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のプローブカードは図2に示す様
に、半導体素子などの電気的特性を検査または測定する
際、精度の上で特に制約の無いボンディングパット2と
測定に精度が求められるボンディングパットが7が存在
する時、前者はプローブカード上で半導体素子検査装置
(以下、電源装置、と称す)のセンスラインとフォース
ラインとをケルビン接続(短絡)して探針4を介してボ
ンディングパット2へ接触させ、後者は電源装置のセン
スラインとフォースラインに対応する探針5と6の2本
をプローブカードに取り付け、電源装置のセンスライン
とフォースラインを各々の探針5と6を介してボンディ
ングパット7へ接触させ、ボンディングパット7上でケ
ルビン接続させる構造を有している。
に、半導体素子などの電気的特性を検査または測定する
際、精度の上で特に制約の無いボンディングパット2と
測定に精度が求められるボンディングパットが7が存在
する時、前者はプローブカード上で半導体素子検査装置
(以下、電源装置、と称す)のセンスラインとフォース
ラインとをケルビン接続(短絡)して探針4を介してボ
ンディングパット2へ接触させ、後者は電源装置のセン
スラインとフォースラインに対応する探針5と6の2本
をプローブカードに取り付け、電源装置のセンスライン
とフォースラインを各々の探針5と6を介してボンディ
ングパット7へ接触させ、ボンディングパット7上でケ
ルビン接続させる構造を有している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のプローブカード
では、半導体素子の電気的特性の検査または測定の際に
要求される測定制度によって、ボンディングパットに対
して1本または2本の探針を接触させる構造になってい
る為、半導体素子の小型化に伴なうボンディングパット
面積の縮小化により、1つのボンディングパットに対し
2本の探針を接触させる事が困難になる問題があった。
では、半導体素子の電気的特性の検査または測定の際に
要求される測定制度によって、ボンディングパットに対
して1本または2本の探針を接触させる構造になってい
る為、半導体素子の小型化に伴なうボンディングパット
面積の縮小化により、1つのボンディングパットに対し
2本の探針を接触させる事が困難になる問題があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
素子などの電気的特性を検査または測定する際に用いら
れるプローブカードに於いて、半導体素子の個々のボン
ディングパットに対して2本ずつ対応させる探針を有
し、その2本の探針の先がケルビン接続されて1本の探
針として半導体素子の個々のボンディングパットに接触
される二股構造の探針を備えたプローブカードにある。
素子などの電気的特性を検査または測定する際に用いら
れるプローブカードに於いて、半導体素子の個々のボン
ディングパットに対して2本ずつ対応させる探針を有
し、その2本の探針の先がケルビン接続されて1本の探
針として半導体素子の個々のボンディングパットに接触
される二股構造の探針を備えたプローブカードにある。
【0005】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の実施例を示す図面である。半導体素
子の電気的特性の検査または測定をする際に、精度の上
で特に制約の無いボンディングパット2に対しても、測
定に精度が求められるボンディングパット7に対しても
電源装置のセンスラインとフォースラインに対応した2
本の探針をケルビン接続して1本の探針とした二股構造
の探針1を接触させる。ケルビン接続された二股構造を
有する探針を用いる事により、ボンディングパットの面
積が縮小化されても、安定な電気的特性の検査または測
定を行なう事が出来る。
る。図1は本発明の実施例を示す図面である。半導体素
子の電気的特性の検査または測定をする際に、精度の上
で特に制約の無いボンディングパット2に対しても、測
定に精度が求められるボンディングパット7に対しても
電源装置のセンスラインとフォースラインに対応した2
本の探針をケルビン接続して1本の探針とした二股構造
の探針1を接触させる。ケルビン接続された二股構造を
有する探針を用いる事により、ボンディングパットの面
積が縮小化されても、安定な電気的特性の検査または測
定を行なう事が出来る。
【0006】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は、半導体素子
の電気的特性を検査または測定する際に、プローブカー
ドのセンスラインおよびフォースラインからの探針を半
導体素子の個々のボンディングパットに対し2本づつ対
応させ、かつ、その2本の探針をケルビン接続して1本
の二股構造の探針としたので、半導体素子の電気的特性
を検査または測定する際の安定化を図れる効果を有す
る。
の電気的特性を検査または測定する際に、プローブカー
ドのセンスラインおよびフォースラインからの探針を半
導体素子の個々のボンディングパットに対し2本づつ対
応させ、かつ、その2本の探針をケルビン接続して1本
の二股構造の探針としたので、半導体素子の電気的特性
を検査または測定する際の安定化を図れる効果を有す
る。
【0007】さらに、半導体素子の小型化に伴うボンデ
ィングパット面積の縮小化に対しても安定してケルビン
接続した探針をボンディングパットに接触させる事が出
来る効果を有する。
ィングパット面積の縮小化に対しても安定してケルビン
接続した探針をボンディングパットに接触させる事が出
来る効果を有する。
【図1】本発明の実施例を示す斜視図。
【図2】従来技術を示す斜視図。
1 ケルビン接続された二股構造の探針 2 ボンディングパッド 3 半導体装置 4 探針 5,6 ボンディングパッド状でケルビン接続した探
針 7 電気的特性の測定に精度が求められるボンディン
グパッド
針 7 電気的特性の測定に精度が求められるボンディン
グパッド
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体素子などの電気的特性を検査また
は測定する際に用いられるプローブカードに於いて、半
導体素子の個々のボンディングパットに対して2本ずつ
対応させる探針を有し、その2本の探針の先がケルビン
接続されて1本の探針として半導体素子の個々のボンデ
ィングパットに接触される二股構造の探針を備える事を
特徴とするプローブカード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30430891A JPH05144895A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | プローブカード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30430891A JPH05144895A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | プローブカード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05144895A true JPH05144895A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17931468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30430891A Withdrawn JPH05144895A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | プローブカード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05144895A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001514756A (ja) * | 1997-03-11 | 2001-09-11 | デラウェア キャピタル フォーメーション,インコーポレイティド | 周辺にリードを有するパッケージ用テストコンタクタ |
US6404213B2 (en) | 1999-01-19 | 2002-06-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Probe stylus |
KR100508376B1 (ko) * | 2001-09-20 | 2005-08-17 | 가부시키가이샤 테섹 | 전자부품 측정장치 및 측정방법 |
US6991948B2 (en) | 2003-11-05 | 2006-01-31 | Solid State Measurements, Inc. | Method of electrical characterization of a silicon-on-insulator (SOI) wafer |
US7564252B2 (en) | 2007-03-29 | 2009-07-21 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor inspection apparatus |
JP2011034999A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014112072A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-06-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | プローブカード及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-11-20 JP JP30430891A patent/JPH05144895A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001514756A (ja) * | 1997-03-11 | 2001-09-11 | デラウェア キャピタル フォーメーション,インコーポレイティド | 周辺にリードを有するパッケージ用テストコンタクタ |
US6404213B2 (en) | 1999-01-19 | 2002-06-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Probe stylus |
US6529024B2 (en) | 1999-01-19 | 2003-03-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Probe stylus |
KR100508376B1 (ko) * | 2001-09-20 | 2005-08-17 | 가부시키가이샤 테섹 | 전자부품 측정장치 및 측정방법 |
US6991948B2 (en) | 2003-11-05 | 2006-01-31 | Solid State Measurements, Inc. | Method of electrical characterization of a silicon-on-insulator (SOI) wafer |
US7564252B2 (en) | 2007-03-29 | 2009-07-21 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor inspection apparatus |
JP2011034999A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-17 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2014112072A (ja) * | 2012-11-05 | 2014-06-19 | Shinko Electric Ind Co Ltd | プローブカード及びその製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990204 |