JP6246507B2 - Probe card and manufacturing method thereof - Google Patents
Probe card and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- JP6246507B2 JP6246507B2 JP2013129815A JP2013129815A JP6246507B2 JP 6246507 B2 JP6246507 B2 JP 6246507B2 JP 2013129815 A JP2013129815 A JP 2013129815A JP 2013129815 A JP2013129815 A JP 2013129815A JP 6246507 B2 JP6246507 B2 JP 6246507B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wire
- layer
- probe card
- contact
- contact terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07314—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Description
本発明はプローブカード及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a probe card and a manufacturing method thereof.
配線基板などの被検査対象の電気特性の測定は、被検査対象の多数の電極パッドにプローブカードの接触端子を接触させて導通をとることにより行われる。 Measurement of electrical characteristics of an object to be inspected such as a wiring board is performed by bringing a contact terminal of a probe card into contact with a number of electrode pads to be inspected for electrical connection.
近年では、被検査対象の電極パッドの狭ピッチ化が進められており、それに対応するためにプローブカードの接触端子の狭ピッチ化が必要になる。また、被検査対象の電極パッドが損傷したり、コンタクト不良が発生しないように、プローブカードの接触端子の接触圧を制御する技術が求められる。 In recent years, the pitch of electrode pads to be inspected has been reduced, and in order to cope with this, it is necessary to reduce the pitch of the contact terminals of the probe card. In addition, a technique for controlling the contact pressure of the contact terminal of the probe card is required so that the electrode pad to be inspected is not damaged or contact failure does not occur.
接触端子を狭ピッチ化できると共に、信頼性よく被検査対象の電気測定を行うことができるプローブカード及びその製造方法を提供することを目的とする。 It is an object of the present invention to provide a probe card that can narrow the pitch of contact terminals and can reliably perform electrical measurement of an object to be inspected, and a manufacturing method thereof.
以下の開示の一観点によれば、絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された配線層とを備えた配線基板と、前記配線基板の絶縁層及び配線層を厚み方向に貫通して形成された開口部と、前記開口部の周辺の前記配線基板の上面に配置されると共に、前記開口部の内面から露出して形成され、かつ、前記配線層に接続された接続パッドと、前記配線基板の開口部に形成されると共に、弾性を有する材料から形成され、かつ、前記接続パッドを埋め込む樹脂部と、前記樹脂部の下面から突出する柱状の接触部と、前記接触部の上に配置されると共に、前記樹脂部に埋め込まれ、かつ、前記接触部よりも幅広な凸状部とを備えた接触端子であって、先端の接触面が平坦面となった前記接触端子と、前記樹脂部の中に埋め込まれ、前記接触端子と前記接続パッドとを接続するワイヤとを有し、前記接触端子と前記ワイヤとは同じ金属から形成され、前記接触端子の直径は前記ワイヤの直径よりも大きく、前記接触端子の一方の端側の前記ワイヤとの接続部が前記樹脂部に埋め込まれ、前記接触端子の他方の端側は前記樹脂部から露出しているプローブカードが提供される。 According to one aspect of the following disclosure, a wiring board including an insulating layer and a wiring layer formed on the insulating layer, and the insulating layer and the wiring layer of the wiring board are formed through the thickness direction. An opening, a connection pad that is disposed on the upper surface of the wiring substrate around the opening, is exposed from the inner surface of the opening, and is connected to the wiring layer; and the wiring A resin part which is formed in the opening of the substrate and is formed of an elastic material and embeds the connection pad, a columnar contact part protruding from the lower surface of the resin part, and disposed on the contact part And a contact terminal embedded in the resin part and having a convex part wider than the contact part, the contact terminal having a flat contact surface at the tip, and the resin Embedded in the part, the contact terminal and the connection The contact terminal and the wire are formed of the same metal, and the diameter of the contact terminal is larger than the diameter of the wire, and the contact terminal has one end side. A probe card is provided in which a connecting portion with a wire is embedded in the resin portion, and the other end side of the contact terminal is exposed from the resin portion.
また、その開示の他の観点によれば、第１金属層の上にめっきレジストをパターニングする工程と、電解めっきにより、前記第１金属層の露出面に第２金属層を形成する工程と、前記めっきレジストを除去して、前記第２金属層に凹部を形成する工程とを含む方法により、表面領域に複数の前記凹部を形成した金属基材を用意する工程と、絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された配線層と、前記絶縁層及び配線層を厚み方向に貫通して形成された開口部と、前記開口部の周辺の前記配線基板の上面に配置されると共に、前記開口部の内面から露出して形成され、かつ、前記配線層に接続された接続パッドとを備えた配線基板を用意する工程と、前記配線基板の開口部から前記金属基材の複数の凹部が露出するように、前記配線基板を前記金属基材の上に接着する工程と、ワイヤボンディング法により、前記金属基材の凹部の全体にワイヤの先端部からなる金属電極を埋め込んで接触端子を形成すると共に、前記接触端子と前記配線基板の接続パッドとを前記ワイヤで接続する工程と、前記配線基板の開口部内に、弾性を有する材料からなる樹脂部を形成して、前記ワイヤを前記樹脂部で埋め込む工程と、前記金属基材を除去して、前記ワイヤと一体的に繋がり、前記樹脂部の下面から突出する前記接触端子を露出させる工程とを有し、前記接触端子と前記ワイヤとは同じ金属から形成され、前記接触端子の直径は前記ワイヤの直径よりも大きく形成されるプローブカードの製造方法が提供される。 According to another aspect of the disclosure, a step of patterning a plating resist on the first metal layer, a step of forming a second metal layer on the exposed surface of the first metal layer by electrolytic plating, and removing the plating resist, the method comprising the step of forming a recess in the second metal layer, a step of preparing a metal substrate to form a plurality of the recesses in the surface region, an insulating layer, said insulating A wiring layer formed on the layer; an opening formed through the insulating layer and the wiring layer in a thickness direction; and the upper surface of the wiring board around the opening, and the opening A step of preparing a wiring board that is formed to be exposed from the inner surface of the portion and connected to the wiring layer, and a plurality of recesses of the metal base material are exposed from the opening of the wiring board. The wiring board to the metal A step of adhering onto the wood, the wire bonding method, to form the contact terminals embedded metal electrodes made of wire of the tip across the recess of the metal substrate, the connection of the wiring board and the contact terminals a step of connecting the pad in the wire in the opening of the wiring substrate, by forming a resin portion made of a material having elasticity, a step of embedding the wire in the resin portion, removing the metal substrate And the step of exposing the contact terminal integrally connected to the wire and protruding from the lower surface of the resin portion, wherein the contact terminal and the wire are formed of the same metal, and the diameter of the contact terminal is A method of manufacturing a probe card formed larger than the diameter of the wire is provided.
以下の開示によれば、プローブカードにおいて、配線基板の開口部に樹脂部が充填され、樹脂部の下面に配置された接触端子が樹脂部に埋め込まれたワイヤを介して配線基板の接続パッドに接続されている。弾性を有する樹脂部を採用することにより、樹脂部を押圧することで接触端子に適切な接触圧をかけることができる。 According to the following disclosure, in a probe card, a resin part is filled in an opening of a wiring board, and a contact terminal disposed on the lower surface of the resin part is connected to a connection pad of the wiring board via a wire embedded in the resin part. It is connected. By adopting the resin part having elasticity, an appropriate contact pressure can be applied to the contact terminal by pressing the resin part.
また、ワイヤはワイヤボンディング法で形成されるので、接触端子の狭ピッチ化を図ることができる。さらには、４端子検査にも容易に対応することができる。 In addition, since the wire is formed by a wire bonding method, the pitch of the contact terminals can be reduced. Furthermore, it is possible to easily cope with a four-terminal inspection.
以下、実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments will be described with reference to the accompanying drawings.
（第１実施形態）
図１〜図４は第１実施形態のプローブカードの製造方法を示す図、図５は第１実施形態のプローブカードを示す図である。本実施形態では、プローブカードの製造方法を説明しながらプローブカードの構造について説明する。
(First embodiment)
1 to 4 are diagrams illustrating a method of manufacturing the probe card according to the first embodiment, and FIG. 5 is a diagram illustrating the probe card according to the first embodiment. In the present embodiment, the structure of the probe card will be described while explaining the method for manufacturing the probe card.
第１実施形態のプローブカードの製造方法では、図１（ａ）に示すように、まず、金属基材として、厚みが２００μｍ程度の銅（Ｃｕ）箔１０を用意する。銅箔１０の代わりに、ニッケル（Ｎｉ）箔などの他の金属基材を使用してもよい。
In the probe card manufacturing method according to the first embodiment, as shown in FIG. 1A, first, a copper (Cu)
次いで、図１（ｂ）に示すように、銅箔１０の上に、その四角状の表面領域に複数の開口部１１ａが配置されためっきレジスト１１をフォトリソグラフィに基づいて形成する。さらに、図１（ｃ）に示すように、めっきレジスト１１の開口部１１ａを通して銅箔１０を厚みの途中までウェットエッチングすることにより凹部１０ｘを形成する。
Next, as shown in FIG. 1B, a plating resist 11 in which a plurality of
これにより、銅箔１０の四角状の表面領域に複数の凹部１０ｘが並んで配置される。例えば、凹部１０ｘの直径は３０μｍ程度であり、凹部１０ｘの深さは２０μｍ〜５０μｍであり、凹部１０ｘの配置ピッチは４０μｍ程度である。
Thereby, the plurality of
続いて、図２（ａ）に示すように、銅箔１０をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、銅箔１０の凹部１０ｘの内面に厚みが２μｍ〜５μｍの金（Ａｕ）めっき層１２を形成する。金めっき層１２は、銅箔１０の凹部１０ｘの内面に沿って形成され、凹部１０ｘ内に孔が残される。
Subsequently, as shown in FIG. 2A, a gold (Au) plating
その後に、図２（ｂ）に示すように、めっきレジスト１１が除去される。これにより、銅箔１０の表面の四角領域に、内面に金めっき層１２が形成された複数の凹部１０ｘが配置される。このようにして、表面領域に複数の凹部１０ｘを形成した銅箔１０を用意する。
Thereafter, as shown in FIG. 2B, the plating resist 11 is removed. Thereby, a plurality of
次いで、図３（ａ）に示すように、厚み方向に貫通する開口部５ａが中央に設けられた枠状の配線基板５を用意する。配線基板５では、第１絶縁層２１の上に第１配線層３１が形成されている。
Next, as shown in FIG. 3A, a frame-
第１絶縁層２１の上には、第１配線層３１に到達する第１ビアホールＶＨ１が設けられた第２絶縁層２２が形成されている。第２絶縁層２２の上には第１ビアホールＶＨ１を介して第１配線層３１に接続される第２配線層３２が形成されている。
On the first insulating
さらに同様に、第２絶縁層２２の上には、第２配線層３２に到達する第２ビアホールＶＨ２が設けられた第３絶縁層２３が形成されている。第３絶縁層２３の上には第２ビアホールＶＨ２を介して第２配線層３２に接続される第３配線層３３が形成されている。
Similarly, a third insulating
第１〜第３絶縁層２１，２２，２３は樹脂などから形成され、第１〜第３配線層３１，３２、３３は銅などから形成される。
The first to third insulating
配線基板５の開口部５ａの側面は階段状に形成されている。第１絶縁層２１は第２絶縁層２２の端から内側に突き出るリング状の第１階段面Ｓ１を備えている。そして、第１絶縁層２１の第１階段面Ｓ1の上に第１接続パッドＰ１が形成されている。
The side surface of the
また、第２絶縁層２２は第３絶縁層２３の端から内側に突き出るリング状の第２階段面Ｓ２を備えている。そして同様に、第２絶縁層２２の第２階段面Ｓ２の上に第２接続パッドＰ２が形成されている。
The second insulating
第１、第２接続パッドＰ１、Ｐ２は、第１、第２配線層３１、３２にそれぞれ繋がっている。また、第１、第２接続パッドＰ１、Ｐ２は、表面にニッケル／金めっき層などのコンタクト層を備えている。 The first and second connection pads P1 and P2 are connected to the first and second wiring layers 31 and 32, respectively. Further, the first and second connection pads P1, P2 are provided with a contact layer such as a nickel / gold plating layer on the surface.
配線基板５の開口部５ａの面積は、前述した複数の凹部１０ｘが配置された銅箔１０の四角領域よりも一回り大きな面積に設定される。
The area of the
配線基板５としては各種のものを使用できるが、例えば、ガラスエポキシ樹脂を基板として使用するプリント配線板を使用することで低コスト化を図ることができる。
このようにして、開口部５ａとその周辺の上面に配置された第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２とを備えた配線基板５を用意する。
In this way, the
続いて、図３（ｂ）に示すように、図３（ａ）の配線基板５の下面を接着層１３によって銅箔１０の上に接着する。これにより、配線基板５の開口部５ａ内に銅箔１０の複数の凹部１０ｘが一括して露出した状態となる。接着層１３としては、例えば、エポキシ樹脂系の接着シート、又はエポキシ樹脂系の液状の接着剤などが使用される。
Subsequently, as shown in FIG. 3B, the lower surface of the
次いで、図４（ａ）に示すように、ワイヤボンディング法に基づいて、ワイヤボンダのキャピラリ（不図示）からはみ出した金ワイヤ１６の先端部を放電により球状に丸める。そして、キャピラリを下降して金ワイヤ１６の先端球状部を銅箔１０の凹部１０ｘの金めっき層１２に接触させ、加熱及び超音波振動によって金めっき層１２に接合する。
Next, as shown in FIG. 4A, based on the wire bonding method, the tip of the
その後に、キャピラリを上昇させ、金ワイヤ１６を配線基板５の第１接続パッドＰ１に移動し、金ワイヤ１６と第１接続パッドＰ１との接合を行う。
Thereafter, the capillary is raised, the
このようにして、銅箔１０の凹部１０ｘ内と配線基板５の第１接続パッドＰ１とを金ワイヤ１６で接続する。これにより、銅箔１０の凹部１０ｘが金めっき層１２及びワイヤボンダからの金電極１４によって埋め込まれ、金めっき層１２及び金電極１４からプローブカードの接触端子Ｔが得られる。この時点では、プローブカードの接触端子Ｔは銅箔１０に埋め込まれた状態となっている。
In this way, the inside of the
接触端子Ｔはそれに接続される金ワイヤ１６を介して配線基板５の第１接続パッドＰ１に電気的に接続される。
The contact terminal T is electrically connected to the first connection pad P1 of the
同様なワイヤボンディング工程を繰り返すことにより、銅箔１０の全ての凹部１０ｘ内に接触端子Ｔを形成すると共に、各接触端子Ｔを配線基板５の第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２に金ワイヤ１６を介して電気的に接続する。
By repeating the same wire bonding process, the contact terminals T are formed in all the
接触端子Ｔの数によって配線基板５の階段面の数が調整される。本実施形態では、２つの第１、第２階段面Ｓ１，Ｓ２に第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２を配置しているが、接触端子Ｔの数に合わせて、階段数を増やすことで接続パッドの数を増加させることができる。
The number of step surfaces of the
本実施形態では、接触端子Ｔの配置ピッチはワイヤボンディング技術の限界スペックにより決定される。直径が１８μｍのワイヤを使用する場合は、ワイヤの配置ピッチを４０μｍ程度に狭ピッチ化することが可能である。さらには、直径が１５μｍのワイヤを使用する場合は、配置ピッチを３５μｍ程度にさらに狭ピッチ化することができる。 In this embodiment, the arrangement pitch of the contact terminals T is determined by the limit specification of the wire bonding technique. When a wire having a diameter of 18 μm is used, the arrangement pitch of the wires can be narrowed to about 40 μm. Furthermore, when a wire having a diameter of 15 μm is used, the arrangement pitch can be further reduced to about 35 μm.
本実施形態では、ワイヤボンディング法で信頼性よく銅箔１０の凹部１０ｘに金電極１４を充填するために、銅箔１０の凹部１０ｘに金めっき層１２を形成した後に、金電極１４を形成している。これ以外に、金めっき層１２を省略して、銅箔１０の凹部１０ｘにワイヤボンディング法で金電極１４を直接形成することも可能である。この場合は、接触端子Ｔは金電極１４のみから形成される。
In the present embodiment, the
また、銅箔１０の凹部１０ｘに埋め込まれる金属電極として金電極１４を例示するが、金ワイヤ１６の代わりに銅ワイヤを使用し、銅箔１０の凹部１０ｘの金めっき層１２の上に銅電極を埋め込んでもよい。
Moreover, although the
次いで、図４（ｂ）に示すように、複数の金ワイヤ１６が配置された配線基板５の開口部５ａに粘度の低い液状樹脂を塗布して開口部５ａ内に液状樹脂を充填する。その後に、液状樹脂を加熱処理によって硬化させることにより、複数の金ワイヤ１６を樹脂部４０の中に埋め込む。
Next, as shown in FIG. 4B, a liquid resin having a low viscosity is applied to the
樹脂部４０は弾性を有する樹脂材料又はゴム材料から形成される。好適な一例としては、シリコーン系の低弾性樹脂又はフッ素ゴムなどのヤング率が１ＭＰａ〜１０ＭＰａの材料が使用される。あるいは、アクリル系の低弾性樹脂、又はウレタンゴムなどを使用してもよい。
The
次いで、図５に示すように、銅箔１０をウェットエッチングにより除去する。銅箔１０のエッチャントとしては、塩化第二鉄水溶液、又は塩化第二銅水溶液などがある。これにより、接触端子Ｔの金めっき層１２、樹脂部４０及び接着層１３に対して銅箔１０を選択的に除去することができる。このようにして、樹脂部４０の下面に金めっき層１２及び金電極１４から形成される複数の接触端子Ｔが得られる。
Next, as shown in FIG. 5, the
あるいは、銅箔１０の代わりに、ニッケル箔を使用する場合は、エッチャントとして、過酸化水素水と硝酸の混合液などが使用され、同様に下地に対して選択的に除去することができる。
Or when using nickel foil instead of the
金属基材として、銅箔１０やニッケル層を例示するが、接触端子Ｔ、樹脂部４０及び接着層１３に対して選択的に除去できる金属であればよく、他の金属材料を使用することも可能である。
Although the
以上により、図５に示すように、第１実施形態のプローブカード１が得られる。
As described above, as shown in FIG. 5, the
図５に示すように、第１実施形態のプローブカード１は、前述した図３（ａ）で説明した中央に開口部５ａが設けられた枠状の配線基板５を備えている。
As shown in FIG. 5, the
配線基板５の開口部５ａの側面は階段状になっており、下から順に、第１階段面Ｓ１及び第２階段面Ｓ２を備えている。第１階段面Ｓ１に第１接続パッドＰ１が形成され、第２階段面Ｓ２に第２接続パッドＰ２が形成されている。このように、配線基板５は開口部５ａの周辺の上面に第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２を備えている。
The side surface of the
図６（ａ）は図５を上面側Ａからみた縮小平面図、図６（ｂ）は図５を下面側Ｂからみた縮小平面図である。 6A is a reduced plan view of FIG. 5 viewed from the upper surface side A, and FIG. 6B is a reduced plan view of FIG.
図６（ａ）を加えて参照すると、配線基板５の中央の四角状の開口部５ａに樹脂部４０が充填されている。図６（ａ）の例では、配線基板５の上面側のリング状の領域にパッド状の複数の第３配線層３３が並んで配置されている。
6A, the
さらに、図６（ｂ）を加えて参照すると、配線基板５の開口部５ａに充填された樹脂部４０の下面側に、金めっき層１２及び金電極１４から形成された複数の接触端子Ｔが並んで配置されている。接触端子Ｔの金めっき層１２は電解めっきで形成され、金電極１４はワイヤボンディング法で形成される。
Furthermore, referring to FIG. 6 (b), a plurality of contact terminals T formed of the
金めっき層１２を省略し、接触端子Ｔが金電極１４のみから形成されるようにしてもよい。
The
さらに、図５に示すように、各接触端子Ｔは金ワイヤ１６を介して配線基板５の第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２にそれぞれ電気的に接続されている。各金ワイヤ１６は樹脂部４０の中に埋め込まれて樹脂部４０で保持されている。配線基板５の接続パッドが配置される階段面の数は、接触端子Ｔの数に合わせて適宜調整される。
Further, as shown in FIG. 5, each contact terminal T is electrically connected to the first and second connection pads P <b> 1 and P <b> 2 of the
樹脂部４０はシリコーン系の低弾性樹脂やフッ素ゴムなどから形成され、適度な弾性を有する。金ワイヤ１６は樹脂部４０の中で引き回しされて、金ワイヤ１６の先端に配置された接触端子Ｔが樹脂部４０の下面から突出して露出している。これにより、弾性を有する樹脂部４０を下側に押圧することにより、接触端子Ｔに適切な接触圧をかけることができる。
The
また、本実施形態のプローブカード１は、プリント配線板、ワイヤボンディング技術、樹脂封止、銅箔のウェットエッチングなどの従来の工場ラインで実施可能な技術によって製造することができる、このため、プローブカードを歩留りよく低コストで製造することができる。
Further, the
次に、第1実施形態のプローブカード１を使用して被検査対象の電気特性を測定する方法について説明する。
Next, a method for measuring the electrical characteristics of the inspection target using the
図７に示すように、プローブカード１の第３配線層３３（パッド）に計測器などの検査用装置（不図示）の端子が電気的に接続され、検査用装置からプローブカード１を介して被検査対象に各種の試験信号が供給されて被検査対象の電気特性が測定される。
As shown in FIG. 7, a terminal of an inspection device (not shown) such as a measuring instrument is electrically connected to the third wiring layer 33 (pad) of the
図７には、インターポーザなどの配線基板の電気特性を測定する例が示されている。ステージ６の上に配置された測定用の配線基板５０の電極パッド５２にプローブカード１の接触端子が接触するように、プローブカード１を配線基板５０の上に配置する。
FIG. 7 shows an example of measuring electrical characteristics of a wiring board such as an interposer. The
さらに、プローブカード１の樹脂部４０の上に押圧機構５４を配置し、樹脂部４０を下側に押圧する。押圧機構５４の押圧力は、ロードセルなどの荷重検出手段で検出されて調整される。
Further, a
前述したように、樹脂部４０は適度な弾性を有するため、押圧機構５４からの押圧力に追随して全ての接触端子Ｔを適度な接触圧で配線基板５０の電極パッド５２に押し付けることができる。
As described above, since the
このように、本実施形態のプローブカード１は、接触端子Ｔの接触圧を調整するための押圧機構５４を備えている。これにより、検査用装置から電流を配線基板５０に供給することに基づいて、配線基板５０の抵抗値の測定などの電気的な検査を信頼性よく行うことができる。
As described above, the
また、本実施形態のプローブカード１は、接触端子Ｔが樹脂部４０の水平な下面から突出する構造であり、移動機構（不図示）によって被検査対象の表面上を水平方向に走査できる。このため、検査ポイントの多い被検査対象であっても迅速に検査することができる。
Further, the
また、本実施形態のプローブカード１は、４端子検査によって配線基板５０の抵抗値を測定することができる。一般的な２端子検査では、プローブカード１の配線抵抗、及び接触端子Ｔと配線基板５０の電極パッド５２との接触抵抗を含むため、配線基板５０のみの抵抗値を精密に測定することは困難である。
Moreover, the
しかし、４端子検査を採用することにより、電流を流す回路と電圧を測定する回路とを独立させるため、配線抵抗や接触抵抗を無視できるようなり、配線基板５０の抵抗値を精密に測定することができる。
However, by adopting the four-terminal inspection, the circuit for passing the current and the circuit for measuring the voltage are made independent, so that the wiring resistance and contact resistance can be ignored, and the resistance value of the
図８に示すように、本実施形態のプローブカード１は４端子検査に対応するようになっている。配線基板５０の一つの電極パッド５２に、第１ワイヤ１６ａに接続された第1接触端子Ｔ１と、第２ワイヤ１６ｂに接続された第２接触端子Ｔ２とが分離された状態でペアになって接触する。例えば、第1接触端子Ｔ１に接続される回路が電流供給回路となり、第２接触端子Ｔ２に接続される回路が電圧測定回路となる。
As shown in FIG. 8, the
図９（ａ）には、配線基板５０の電極パッド５２の配置の第1例が示されており、複数の電極パッド５２が横方向及び縦方向の直線上に整列された格子配列で配置されている。
FIG. 9A shows a first example of the arrangement of the
図９（ａ）の配線基板５０の各電極パッド５２に配置される図８のプローブカード１のペアの第1、第２接触端子Ｔ１，Ｔ２の配置は、図９（ｂ）のように横方向に並んで配置されてもよいし、あるいは、図９（ｃ）のように、縦方向に並んで配置されてもよい。
The arrangement of the first and second contact terminals T1, T2 of the pair of the
あるいは、図９（ｄ）のように、図８のプローブカード１のペアの第1、第２接触端子Ｔ１，Ｔ２の配置は、左斜め上方向に並んで配置されてもよいし、図９（ｅ）のように右斜め上方向に並んで配置されてもよい。
Alternatively, as shown in FIG. 9D, the first and second contact terminals T1, T2 of the pair of
また、図１０（ａ）には、配線基板５０の電極パッド５２の配置の第２例が示されており、複数の電極パッド５２がパッド間のピッチの半分の位置に交互に整列された千鳥配列で配置されている。
FIG. 10A shows a second example of the arrangement of the
この場合も同様に、図８のプローブカード１のペアの第1、第２接触端子Ｔ１，Ｔ２の配置は、図１０（ｂ）のように横方向に並んで配置されてもよいし、あるいは、図１０（ｃ）のように、縦方向に並んで配置されてもよい。
Similarly, in this case, the first and second contact terminals T1 and T2 of the pair of
あるいは、図１０（ｄ）のように、図８のプローブカード１のペアの第1、第２接触端子Ｔ１，Ｔ２の配置は、左斜め上方向に並んで配置されてもよいし、図１０（ｅ）のように右斜め上方向に並んで配置されてもよい。
Alternatively, as shown in FIG. 10 (d), the first and second contact terminals T1 and T2 of the pair of
また、図１１に示すように、配線基板５０の一つの電極パッド５２にプローブカード１の一つの接触端子Ｔを接触させ、その接触端子Ｔに第１ワイヤ１６ａ及び第２ワイヤ１６ｂが分離されて接続されるようにしてもよい。例えば、第１ワイヤ１６ａが電流供給回路となり、第２ワイヤ１６ｂが電圧測定回路となる。
Further, as shown in FIG. 11, one contact terminal T of the
このように、プローブカードの一つの接触端子に、分離された２本のワイヤを接続するようにしてもよい。 In this way, two separated wires may be connected to one contact terminal of the probe card.
この場合は、接触端子Ｔで電流回路及び電圧回路を共用しているため、疑似４端子検査となり、接触端子Ｔと配線基板５０の電極パッド５２との接触抵抗が含まれるが、２端子検査より精密に電気的な検査を行うことができる。
In this case, since the current circuit and the voltage circuit are shared by the contact terminal T, a pseudo 4-terminal inspection is performed, and the contact resistance between the contact terminal T and the
なお、本実施形態では、被検査対象として、インターポーザなどの配線基板５０を例示した。この他に、半導体回路が形成されたシリコンウェハなどの半導体基板、あるいは、配線基板に半導体チップが実装されたモジュール基板などの各種の電子部品の電気的な検査に使用することができる。
In the present embodiment, the
また、プローブカード１の接触端子Ｔをエリアアレイ型で配置する例を示したが、接触端子Ｔを周縁のみに配置するペリフェラル型で配置してもよい。
Moreover, although the example which arrange | positions the contact terminal T of the
（第２実施形態）
図１２〜図１３は第２実施形態のプローブカードの製造方法を示す図、図１４は第２実施形態のプローブカードを示す図である。第２実施形態では、配線基板から樹脂部が外側に突出し、樹脂部の突出部に接触端子が配置される。
(Second Embodiment)
12 to 13 are diagrams showing a method of manufacturing the probe card according to the second embodiment, and FIG. 14 is a diagram showing the probe card according to the second embodiment. In the second embodiment, the resin portion protrudes outward from the wiring board, and the contact terminal is disposed on the protruding portion of the resin portion.
第２実施形態のプローブカードの製造方法では、図１２（ａ）に示すように、まず、第1実施形態と同様な銅箔１０を用意する。そして、第1実施形態で説明した複数の凹部１０ｘが配置される銅箔１０の四角領域に開口部１５ａが一括して設けられた第1レジスト１５をフォトリソグラフィに基づいて形成する。
In the probe card manufacturing method of the second embodiment, as shown in FIG. 12A, first, a
続いて、図１２（ｂ）に示すように、第1レジスト１５の開口部１５ａを通して銅箔１０の四角領域を厚みの途中までエッチングすることによりへこみ領域１０ｙを形成する。銅箔１０の厚みが２００μｍ程度の場合は、銅箔１０のへこみ領域１０ｙの深さは１００μｍ〜１５０μｍ程度に設定される。
Subsequently, as shown in FIG. 12B, the recessed
次いで、図１２（ｃ）に示すように、第1レジスト１５を除去した後に、銅箔１０のへこみ領域１０ｙに複数の開口部１７ａが配置された第２レジスト１７を銅箔１０の上にフォトリソグラフィに基づいて形成する。
Next, as shown in FIG. 12C, after removing the first resist 15, the second resist 17 in which a plurality of
続いて、同じく図１２（ｃ）に示すように、第２レジスト１７の開口部１７ａ通して銅箔１０を厚みの途中までウェットエッチングすることにより複数の凹部１０ｘを形成する。さらに、同じく図１２（ｃ）に示すように、第１実施形態の図２（ａ）の工程と同様に、電解めっきにより複数の凹部１０ｘの内面に金めっき層１２を形成する。
Subsequently, as shown in FIG. 12C, a plurality of
その後に、図１３（ａ）に示すように、第２レジスト１７が除去される。これより、銅箔１０のへこみ領域１０ｙに、内面に金めっき層１２が形成された複数の凹部１０ｘが配
置された状態となる。
Thereafter, as shown in FIG. 13A, the second resist 17 is removed. As a result, a plurality of
次いで、図１３（ｂ）に示すように、第１実施形態の図３（ａ）及び（ｂ）の工程と同様な方法により、中央に開口部５ａが設けられた配線基板５を銅箔１０の上に接着層１３によって接着する。
Next, as shown in FIG. 13 (b), the
続いて、同じく図１３（ｂ）に示すように、第１実施形態の図４（ａ）の工程と同様に、銅箔１０の凹部１０ｘ内の金めっき層１２に金電極１４を接合し、金ワイヤ１６によって金電極１４と配線基板５の第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２とを接続する。これにより、銅箔１０の凹部１０ｘに接触端子Ｔを得る。
Subsequently, as shown in FIG. 13B, similarly to the process of FIG. 4A of the first embodiment, the
さらに、同じく図１３（ｂ）に示すように、第１実施形態の図４（ｂ）の工程と同様に、配線基板５の開口部５ａに樹脂部４０を形成して金ワイヤ１６を樹脂部４０内に埋め込む。
Further, as shown in FIG. 13B, similarly to the step of FIG. 4B of the first embodiment, the
その後に、図１４に示すように、第1実施形態の図５の工程と同様に、銅箔１０を除去して接触端子Ｔを露出させる。
Thereafter, as shown in FIG. 14, the
以上により、図１４に示すように、第２実施形態のプローブカード２が得られる。
Thus, as shown in FIG. 14, the
図１４に示すように、第２実施形態のプローブカード２では、樹脂部４０が配線基板５の下面の接着層１３から下側に突き出る突出部４０ｘを備えている。
As shown in FIG. 14, in the
そして、樹脂部４０の突出部４０ｘの露出面に複数の接触端子Ｔが配置されている。樹脂部４０の突出部４０ｘの突出高さは、図１２（ｂ）の工程で銅箔１０の厚みやエッチング量によって調整することができる。
A plurality of contact terminals T are arranged on the exposed surface of the protruding
その他の構造は、第1実施形態のプローブカード１と同一であるので、それらの説明は省略する。
Since other structures are the same as those of the
図１５に示すように、第２実施形態のプローブカード２は、第１実施形態と同様に、配線基板５０の上に配置され、押圧機構５４によって下側に押圧された状態で配線基板５０の電気特性が測定される。
As shown in FIG. 15, the
第２実施形態のプローブカード２は、接触端子Ｔが樹脂部４０の突出部４０ｘに配置されるため、ステージ６と配線基板５との間隔ｄを第１実施形態よりも広くすることができる。
In the
これにより、ステージ６とプローブカード２と間から接触端子Ｔが配置された領域に光を照射することで、接触端子Ｔの接触状況を目視や画像認識によってチェックしやすくなる。
Thereby, it becomes easy to check the contact state of the contact terminal T by visual observation or image recognition by irradiating the region where the contact terminal T is disposed between the stage 6 and the
また、電気特性を測定する際、プローブカード２の接触端子Ｔと測定用の配線基板５０との接触状態を向上させるために、例えば、押圧機構５４の荷重を増大させる場合がある。
Further, when measuring the electrical characteristics, in order to improve the contact state between the contact terminal T of the
このとき、第１実施形態のプローブカード１のように、樹脂部４０の下面と配線基板５の下面とが面一である構造では、プローブカード２の配線基板５の下面が測定用の配線基板５０に接触してしまうおそれがある。
At this time, in the structure in which the lower surface of the
しかし、第２実施形態では、プローブカード２の配線基板５は樹脂部４０の突出部４０ｘの存在により測定用の配線基板５０からより離れて配置される。しかも、樹脂部４０の突出部４０ｘを備えることで、押圧機構５４の荷重を増大させても、突出部４０ｘの弾性により荷重を小さく抑制することができる。
However, in the second embodiment, the
このため、プローブカード２の配線基板５が測定用の配線基板５０に接触することなく、接触端子Ｔの接触状態を向上させることができ、安定して電気特性の測定を行うことができる。
For this reason, the contact state of the contact terminal T can be improved without the
第２実施形態のプローブカード２は第１実施形態と同様な効果を奏する。
The
（第３実施形態）
図１６〜図２０は第３実施形態のプローブカードの製造方法を示す図、図２１は第３実施形態のプローブカードを示す図である。
(Third embodiment)
16 to 20 are views showing a method of manufacturing the probe card according to the third embodiment, and FIG. 21 is a view showing the probe card according to the third embodiment.
第３実施形態が第１、第２実施形態と異なる点は、接触端子に接続される金ワイヤを同軸構造で形成することである。第３実施形態では、第１実施形態と同一工程及び同一要素については同一符号を付してその詳しい説明を省略する。 The third embodiment is different from the first and second embodiments in that a gold wire connected to the contact terminal is formed with a coaxial structure. In the third embodiment, the same steps and the same elements as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
第３実施形態のプローブカードの製造方法では、図１６に示すように、まず、第１実施形態の図４（ａ）と同一の構造体を用意し、配線基板５の第３絶縁層２３及び第３配線層３３の上に保護テープ１８を貼り付ける。
In the probe card manufacturing method of the third embodiment, as shown in FIG. 16, first, the same structure as that of FIG. 4A of the first embodiment is prepared, and the third insulating
次いで、図１７に示すように、蒸着法により金ワイヤ１６の外面に樹脂層６０を形成する。樹脂層６０として、パラキシレン樹脂が好適に使用される。図１７の部分拡大図に示すように、蒸着による樹脂形成は等方的に付着するため、樹脂層６０は金ワイヤ１６の外面全体を被覆して形成される。
Next, as shown in FIG. 17, a
また、特に図示されていないが、樹脂層６０は金ワイヤ１６だけではなく、銅箔１０、配線基板５の第１、第２階段面Ｓ１，Ｓ２、第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２を含む開口部５ａの内壁全体、及び保護テープ１８の上にも付着する。
Although not particularly illustrated, the
続いて、図１８（ａ）及び（ｂ）に示すように、配線基板５のグランドパッドＧＰの上に形成された樹脂層６０を除去して、グランドパッドＧＰを露出させる開口部６０ａを形成する。図１８（ａ）及び（ｂ）では、配線基板５の第１階段面Ｓ１の様子が示されており、図１８（ｂ）は図１８（ａ）のＩ−Ｉに沿った拡大断面図である。
Subsequently, as shown in FIGS. 18A and 18B, the
配線基板５のグランドパッドＧＰは第１、第２階段面Ｓ１，Ｓ２（図１７）にそれぞれ配置されており、両者のグランドパッドＧＰ上の樹脂層６０に開口部６０ａがそれぞれ形成される。
The ground pads GP of the
次いで、図１９（ａ）に示すように、無電解めっきにより、金ワイヤ１６の外面を被覆する樹脂層６０の外面に銅層６２を形成する。
Next, as shown in FIG. 19A, a
特に図示されていないが、銅層６２は、金ワイヤ１６だけではなく、銅箔１０上の樹脂層６０、配線基板５の第１、第２階段面Ｓ１，Ｓ２、第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２を含む開口部５ａの内壁及び保護テープ１８を被覆する樹脂層６０の上にも付着する。無電解めっきの代わりに、蒸着法によって銅層６２を形成してもよい。あるいは、銅層６２の代わりに、金層を形成してもよい。
Although not particularly illustrated, the
このようにして、金ワイヤ１６と、それを被覆する樹脂層６０と、それを被覆する銅層６２とにより、同軸型ワイヤＣＷが形成される。
Thus, the coaxial wire CW is formed by the
なお、金ワイヤ１６、樹脂層６０及び銅層６２から形成される同軸型ワイヤＣＷを例示したが、金ワイヤ１６の代わりに銅ワイヤなどを使用してもよいし、銅層６２の代わりに金層などの他の金属層を使用してもよい。
Although the coaxial wire CW formed from the
このとき、図１９（ｂ）に示すように、上記した図１８（ｂ）の断面構造に金ワイヤ１６を被覆する銅層６２が同時に形成され、その銅層６２がグランドパッドＧＰに樹脂層６０の開口部６０ａを通して電気的に接続される。
At this time, as shown in FIG. 19B, a
このようにして、同軸型ワイヤＣＷの最外の銅層６２が配線基板５のグランドパッドＧＰに接続されてグランド電位になる。
In this way, the
次いで、図２０に示すように、配線基板５から保護テープ１８を除去する。さらに、第１実施形態の図４（ｂ）の工程と同様に、配線基板５の開口部５ａに樹脂部４０を形成して同軸型ワイヤＣＷを樹脂部４０内に埋め込む。
Next, as shown in FIG. 20, the
その後に、図２１に示すように、第１実施形態の図５の工程と同様に、図２０の構造体から銅箔１０を除去することにより、接触端子Ｔを露出させる。
Thereafter, as shown in FIG. 21, the contact terminal T is exposed by removing the
以上により、第３実施形態のプローブカード３が得られる。
The
図２１の部分拡大図に示すように、第３実施形態のプローブカード３は、接触端子Ｔに繋がるワイヤが同軸型ワイヤＣＷとなっている。同軸型ワイヤＣＷは、金ワイヤ１６と、それを被覆する樹脂層６０と、それを被覆する銅層６２とから形成される。そして、全ての同軸型ワイヤＣＷの銅層６２は配線基板５のグランドパッドＧＰに電気的に接続されている。
As shown in the partially enlarged view of FIG. 21, in the
本実施形態のプローブカードは、エリアアレイ型の電極パッドを備えた被検査対象の電気特性の測定を可能にしており、各接触端子に接続されるワイヤの配置ピッチが１００μｍ以下、さらには４０μｍ〜３５μｍ程度に狭ピッチ化されている。そして、第１実施形態の図７と同様な方法で、被検査対象の電気測定が行われる。 The probe card of the present embodiment enables measurement of the electrical characteristics of an object to be inspected having an area array type electrode pad, and the arrangement pitch of the wires connected to each contact terminal is 100 μm or less, and further 40 μm to The pitch is narrowed to about 35 μm. Then, the electrical measurement of the object to be inspected is performed by the same method as in FIG. 7 of the first embodiment.
このようにワイヤが狭ピッチで配置された状態で被検査対象の電気測定を行うと、近接するワイヤ間での容量結合が問題になる。つまり、近接するワイヤ間にキャパシタが形成されて、それが電気測定に悪影響を与えることになる。 In this way, when electrical measurement is performed on an object to be inspected with the wires arranged at a narrow pitch, capacitive coupling between adjacent wires becomes a problem. That is, a capacitor is formed between adjacent wires, which adversely affects the electrical measurement.
第３実施形態のプローブカード３では、接触端子Ｔに接続されるワイヤが同軸型ワイヤＣＷとなっているため、複数のワイヤ間の容量結合がなくなり、ワイヤを狭ピッチで配置する際に生じるノイズの問題を解決することができる。
In the
また、同軸型ワイヤＣＷの最外の銅層６２を配線基板５のグランドパッドＧＰに接続してグランド電位としているので、ノイズをより低減化することができる。
In addition, since the
（第４実施形態）
図２２〜図２４は第４実施形態のプローブカードの製造方法を示す図、図２５は第４実施形態のプローブカードを示す図である。第４実施形態では、銅箔の凹部内に密着用の金めっき層を形成することなく、ワイヤボンディング法によって凹部に接触端子となる金電極を密着性よく形成する方法について説明する。
(Fourth embodiment)
22 to 24 show a method for manufacturing a probe card according to the fourth embodiment, and FIG. 25 shows a probe card according to the fourth embodiment. In the fourth embodiment, a method will be described in which a gold electrode serving as a contact terminal is formed in a recess with good adhesion by a wire bonding method without forming a gold plating layer for adhesion in the recess of the copper foil.
第４実施形態のプローブカードの製造方法では、図２２（ａ）に示すように、まず、第1実施形態の図１（ａ）と同様に、第１金属層として銅箔１０を用意する。さらに、銅箔１０の上にめっきレジスト１９をパターニングする。めっきレジスト１９は、第１実施形態の図１（ｃ）で説明した銅箔１０の凹部１０ｘに対応する位置に島状に残される。
In the probe card manufacturing method of the fourth embodiment, as shown in FIG. 22A, first, as in FIG. 1A of the first embodiment, a
次いで、図２２（ｂ）に示すように、銅箔１０をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、銅箔１０の露出面に第２金属層として銅層７０を形成する。銅層７０の厚みは、例えば、２０μｍ〜５０μｍに設定される。その後に、図２２（ｃ）に示すように、めっきレジスト１９をレジスト剥離液によって除去する。
Next, as shown in FIG. 22B, a
これにより、銅箔１０の上にかさ上げされた銅層７０に複数の凹部７０ｘが形成される。凹部７０ｘの直径は、例えば、１０μｍ〜２０μｍ程度である。
Thereby, a plurality of
銅層７０の複数の凹部７０ｘは、平坦な銅箔１０の上に配置された島状のめっきレジスト１９に対応して形成されるため、凹部７０ｘはその底面が平坦面となって形成される。
Since the plurality of
このように、第４実施形態では、銅箔１０（第１金属層）の上に凹部７０ｘを備えた銅層７０（第２金属層）をかさ上げして形成することにより、複数の凹部を形成した金属基材を得る。
As described above, in the fourth embodiment, the copper layer 70 (second metal layer) including the
なお、第１金属層として、銅箔１０の代わりにニッケル箔を使用してもよい。この場合は、第２金属層として、銅層７０以外に、同様な方法で、ニッケル層を電解めっきで形成し、ニッケル層に凹部を形成してもよい。
In addition, you may use nickel foil instead of the
次いで、図２３（ａ）に示すように、第１実施形態の図３（ａ）及び（ｂ）の工程と同様な方法により、中央に開口部５ａが設けられた配線基板５を銅層７０の上に接着層１３によって接着する。
Next, as shown in FIG. 23A, the
図２３（ｂ）及び（ｃ）は、図２３（ａ）の銅層７０の凹部７０ｘにワイヤボンディング法に基づいて金電極を埋め込む様子を示す部分拡大断面図である。図２３（ｂ）に示すように、第１実施形態の図４（ａ）の工程と同様に、ワイヤボンディング法に基づいて、ワイヤボンダのキャピラリ（不図示）からはみ出した金ワイヤ８０の先端部を放電により丸めて球状部８２ａを得る。
FIGS. 23B and 23C are partial enlarged cross-sectional views showing a state in which a gold electrode is embedded in the
さらに、図２３（ｃ）に示すように、キャピラリを下降して金ワイヤ８０の球状部８２ａを銅層７０の凹部７０ｘに配置し、加圧しながら加熱及び超音波振動を行うことによって球状部８２ａを凹部７０ｘ内に押し込んで埋め込む。
Further, as shown in FIG. 23C, the capillary is lowered to place the
これにより、第１実施形態と同様に，銅層７０の凹部７０ｘがワイヤボンダからの金電極８２によって埋め込まれ、金電極８２から接触端子Ｔが得られる。
As a result, as in the first embodiment, the
続いて、図２４（ａ）に示すように、キャピラリ（不図示）を上昇させ、金ワイヤ８０を配線基板５の第１接続パッドＰ１に移動し、金ワイヤ８０と第１接続パッドＰ１との接合を行う。
Subsequently, as shown in FIG. 24A, the capillary (not shown) is raised, the
このようにして、第１実施形態と同様に、銅層７０の各凹部７０ｘ内と配線基板５の各第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２とを金ワイヤ８０でそれぞれ接続する。
In this manner, as in the first embodiment, the inside of each
上記した図２３（ｂ）及び（ｃ）の工程では、金ワイヤ８０の球状部８２ａの直径は、凹部７０ｘの直径と同等又はそれより大きく設定される。例えば、凹部７０ｘの直径が１０μｍ〜２０μｍの場合は、金ワイヤ８０の球状部８２ａの直径は、２０μｍ〜３０μｍ程度に設定される。
In the steps of FIGS. 23B and 23C described above, the diameter of the
このようにすることにより、図２３（ｃ）に示したように、凹部７０ｘに配置される金電極８２は、凹部７０ｘ内の全体にわたって充填され、凹部７０ｘの上方から銅層７０の上面に延びて形成される。
Thus, as shown in FIG. 23C, the
このため、金電極８２は、銅層７０の凹部７０ｘの内壁及び銅層７０の上面に十分に接着した状態となる。これにより、金ワイヤ８０を配線基板５の第１接続パッドＰ１に移動する際に、金電極８２が凹部７０ｘから抜けるおそれがなくなる。
For this reason, the
このように、銅層７０の凹部７０ｘ内に密着用の金めっき層を形成することなく、銅層７０の凹部７０ｘに金電極８２を密着性よく配置することができる。
Thus, the
続いて、図２４（ｂ）に示すように、第１実施形態の図４（ｂ）の工程と同様に、配線基板５の開口部５ａに樹脂部４０を形成して金ワイヤ８０を樹脂部４０内に埋め込む。
Subsequently, as shown in FIG. 24B, as in the step of FIG. 4B of the first embodiment, the
その後に、図２５に示すように、第1実施形態の図５の工程と同様に、銅箔１０及び銅層７０を除去して接触端子Ｔを露出させる。
Thereafter, as shown in FIG. 25, the
以上により、第４実施形態のプローブカード４が得られる。前述したように、第４実施形態のプローブカード４の接触端子Ｔは、底面が平坦になった銅層７０の凹部７０ｘに金ワイヤの球状部８２ａが埋め込まれて形成される。
Thus, the probe card 4 of the fourth embodiment is obtained. As described above, the contact terminal T of the probe card 4 of the fourth embodiment is formed by embedding the
このため、接触端子Ｔは、樹脂部４０の下面から突出する柱状の接触部Ｔａと、その上に樹脂部４０に埋め込まれた状態で配置された曲面をもった凸状部Ｔｂとを備えて形成される。そして、接触端子Ｔの先端の接触面ＣＳは平坦面となって形成される。曲面をもった凸状部Ｔｂとしては、半球状の凸状部であることが好ましい。
For this reason, the contact terminal T includes a columnar contact portion Ta projecting from the lower surface of the
また、前述したように、第４実施形態では、銅層７０の凹部７０ｘに密着用の金めっき層を形成しないため、プローブカード４の接触端子Ｔはワイヤボンディング法による金電極のみから形成される。
Further, as described above, in the fourth embodiment, since the gold plating layer for adhesion is not formed in the
また、第４実施形態では、接触端子Ｔの先端の接触面ＣＳが平坦面であるため、電気特性を測定する際の接触面積を球形状の接触端子よりも大きく確保することができる。このため、より安定して電気特性を測定することができる。 Moreover, in 4th Embodiment, since the contact surface CS of the front-end | tip of the contact terminal T is a flat surface, the contact area at the time of measuring an electrical property can be ensured larger than a spherical contact terminal. For this reason, electrical characteristics can be measured more stably.
また、接触端子Ｔは、柱状の接触部Ｔａよりも幅広な半球状の凸状部Ｔｂを備えているため、半球状の凸状部Ｔｂでは樹脂部４０との接触面積が大きくなる。
In addition, since the contact terminal T includes a hemispherical convex portion Tb that is wider than the columnar contact portion Ta, the contact area with the
このため、接触端子Ｔを測定用の配線基板５０に接触させる際の応力がワイヤ８０との接点に集中せずに、その応力を半球状の凸状部Ｔｂから樹脂部４０に分散することができる。このため、ワイヤ８０と接触端子Ｔとの接続部分の破損を防止することができる。
For this reason, the stress at the time of bringing the contact terminal T into contact with the
第４実施形態のプローブカード２は第１実施形態と同様な効果を奏する。
The
第４実施形態のプローブカード４においても、第１実施形態の図７と同様に、配線基板５０の上に配置され、押圧機構５４によって下側に押圧された状態で配線基板５０の電気特性が測定される。また、図８及び図９で説明したように、４端子検査に適用してもよい。
Also in the probe card 4 of the fourth embodiment, as in FIG. 7 of the first embodiment, the electrical characteristics of the
（第５実施形態）
図２６〜図２９は第５実施形態のプローブカードの製造方法を示す図、図３０は第５実施形態のプローブカードを示す図である。第５実施形態では、第４実施形態に続いて、銅箔の凹部内に密着用の金めっき層を形成することなく、ワイヤボンディング法によって凹部に接触端子となる金電極を密着性よく形成する別の方法について説明する。
(Fifth embodiment)
26 to 29 are views showing a method for manufacturing a probe card according to the fifth embodiment, and FIG. 30 is a view showing a probe card according to the fifth embodiment. In the fifth embodiment, subsequent to the fourth embodiment, a gold electrode serving as a contact terminal is formed with good adhesion in the recess by wire bonding without forming a gold plating layer for adhesion in the recess of the copper foil. Another method will be described.
第５実施形態のプローブカードの製造方法では、図２６（ａ）に示すように、まず、第４実施形態の図２２（ａ）と同様に、銅箔１０の上にめっきレジスト１９をパターニングする。
In the probe card manufacturing method of the fifth embodiment, as shown in FIG. 26A, first, the plating resist 19 is patterned on the
次いで、図２６（ｂ）に示すように、第４実施形態の図２２（ｂ）と同様に、電解めっきにより銅箔１０の露出面に銅層７０を形成する。第５実施形態では、銅層７０の厚みをめっきレジスト１９の厚みより厚くなるように設定する。
Next, as shown in FIG. 26B, a
このとき、図２６（ｂ）の部分拡大図に示すように、めっきレジスト１９よりも上の部分の銅層７０は等方的にめっきされることから、銅層７０の上端部はめっきレジスト１９のパターンエッジから横方向に突き出る突起部７１となって形成される。
At this time, as shown in the partial enlarged view of FIG. 26 (b), the
続いて、図２７に示すように、めっきレジスト１９をレジスト剥離液によって除去する。これにより、第４実施形態の図２２（ｃ）と同様に、銅層７０に複数の凹部７０ｘが形成される。図２７の部分拡大図に示すように、銅層７０の各凹部７０ｘは、その上端の内壁に内側に突き出る突起部７１を備えて形成される。
Subsequently, as shown in FIG. 27, the plating resist 19 is removed by a resist stripping solution. Thereby, the several recessed
このようにして、開口上部の幅がそれよりも下側の幅よりも狭く設定されたオーバーハング形状の凹部７０ｘが得られる。
In this way, an overhang-shaped
次いで、図２８（ａ）に示すように、第１実施形態の図３（ａ）及び（ｂ）の工程と同様な方法により、中央に開口部５ａが設けられた配線基板５を銅層７０の上に接着層１３によって接着する。
Next, as shown in FIG. 28A, the
図２８（ｂ）及び（ｃ）は、図２８（ａ）の銅層７０の凹部７０ｘにワイヤボンディング法に基づいて金電極を埋め込む様子を示す部分拡大断面図である。図２８（ｂ）に示すように、第４実施形態の図２３（ｂ）の工程と同様に、金ワイヤ８０の先端部を放電により丸めて球状部８２ａを得る。
FIGS. 28B and 28C are partial enlarged cross-sectional views showing a state in which a gold electrode is embedded in the
さらに、図２８（ｃ）に示すように、第４実施形態の図２３（ｃ）の工程と同様な方法により、金ワイヤ８０の球状部８２ａを凹部７０ｘ内に押し込んで、凹部７０ｘに金属電極として金電極８２を埋め込んで接触端子Ｔとする。
Further, as shown in FIG. 28 (c) , the
続いて、図２９に示すように、第４実施形態の図２４（ａ）と同様に、金ワイヤ８０を配線基板５の第１接続パッドＰ１に移動し、金ワイヤ８０と第１接続パッドＰ１との接合を行う。
Subsequently, as shown in FIG. 29, as in FIG. 24A of the fourth embodiment, the
このようにして、第１実施形態と同様に、銅層７０の各凹部７０ｘ内と配線基板５の各第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２とを金ワイヤ８０でそれぞれ接続する。
In this manner, as in the first embodiment, the inside of each
第５実施形態では、図２８（ｃ）に示したように、銅層７０の各凹部７０ｘは、内壁の上部に内側に突き出る突起部７１を備えている。凹部７０ｘの突起部７１が金電極８２の抜けを防止するストッパとして機能する。
In the fifth embodiment, as shown in FIG. 28C, each
このため、金ワイヤ８０を配線基板５の第１接続パッドＰ１に移動する際に、金電極８２が凹部７０ｘから抜けるおそれがなくなる。第５実施形態では、金電極８２が凹部７０ｘに突起部７１の下に回り込んで配置されるため、第４実施形態よりも金電極８２の抜けをより確実に防止することができる。
For this reason, when the
このように、第４実施形態と同様に、銅層７０の凹部７０ｘ内に、密着用の金めっき層を形成することなく、銅層７０の凹部７０ｘに金電極８２を密着性よく形成することができる。
Thus, as in the fourth embodiment, the
さらに、同じく図２９に示すように、第１実施形態の図４（ｂ）の工程と同様に、配線基板５の開口部５ａに樹脂部４０を形成して金ワイヤ８０を樹脂部４０内に埋め込む。その後に、図３０に示すように、第1実施形態の図５の工程と同様に、銅箔１０及び銅層７０を除去して接触端子Ｔを露出させる。
29, similarly to the process of FIG. 4B of the first embodiment, the
以上により、第５実施形態のプローブカード４ａが得られる。第５実施形態のプローブカード４ａでは、第４実施形態のプローブカード４と同様に、接触端子Ｔは、樹脂部４０の下面から突出する柱状の接触部Ｔａと、その上に樹脂部４０に埋め込まれた状態で配置された半球状の凸状部Ｔｂとを備えて形成される。そして、接触端子Ｔの先端の接触面ＣＳが平坦面となって形成される。
The
また、接触端子Ｔは、接触部Ｔａと凸状部Ｔｂとの間のリング状の部分が内側に食い込むくびれ部Ｔｘとなって形成される。 Further, the contact terminal T is formed as a constricted portion Tx in which a ring-shaped portion between the contact portion Ta and the convex portion Tb bites inward.
第５実施形態のプローブカード４ａは第１実施形態と同様な効果を奏する。
The
第５実施形態のプローブカード４ａにおいても、第１実施形態の図７と同様に、配線基板５０の上に配置され、押圧機構５４によって下側に押圧された状態で配線基板５０の電気特性が測定される。また、図８及び図９で説明したように、４端子検査に適用してもよい。
Also in the
（第６実施形態）
図３１〜図３２は第６実施形態のプローブカードの製造方法を示す図、図３３は第６実施形態のプローブカードを示す図である。第６実施形態では、第４又は第５実施形態の製造方法を使用し、周辺領域よりも樹脂部を外側に突出させ、樹脂部の突出部に接触端子が配置される形態について説明する。
(Sixth embodiment)
FIGS. 31 to 32 are views showing a probe card manufacturing method according to the sixth embodiment, and FIG. 33 is a view showing a probe card according to the sixth embodiment. In the sixth embodiment, a description will be given of a mode in which the manufacturing method of the fourth or fifth embodiment is used, the resin portion is protruded outward from the peripheral region, and the contact terminal is disposed on the protruding portion of the resin portion.
第６実施形態のプローブカードの製造方法では、図３１（ａ）に示すように、まず、第４実施形態の図２２（ａ）と同様に、銅箔１０の上にめっきレジスト１９をパターニングする。
In the probe card manufacturing method of the sixth embodiment, as shown in FIG. 31A, first, the plating resist 19 is patterned on the
次いで、図３１（ｂ）に示すように、第４実施形態の図２２（ｂ）と同様に、電解めっきにより銅箔１０の露出面に銅層７０を形成する。一般的に、電解めっきは、被めっき基板の周辺領域で電流密度が高くなることから、中央部よりも周辺領域の方がめっき層の厚みが厚くなる傾向がある。
Next, as shown in FIG. 31B, a
この傾向が顕著になる電解めっき条件を採用することにより、めっきレジスト１９が配置されていない銅箔１０の周辺領域の銅層７０の厚みｔ１が中央部の銅層７０の厚みｔ２よりも厚く設定することができる。
By adopting the electroplating conditions in which this tendency becomes remarkable, the thickness t1 of the
次いで、図３２（ａ）に示すように、その後に、めっきレジスト１９がレジスト剥離液によって除去されて、銅層７０に凹部７０ｘが形成される。さらに、第１実施形態の図３（ａ）及び（ｂ）の工程と同様な方法により、中央に開口部５ａが設けられた配線基板５を銅層７０の上に接着層１３によって接着する。
Next, as shown in FIG. 32A, thereafter, the plating resist 19 is removed by the resist stripping solution, and a
さらに、図３２（ｂ）に示すように、第４実施形態の図２４（ａ）に示すように、銅層７０の各凹部７０ｘ内と配線基板５の第１、第２接続パッドＰ１，Ｐ２とを金ワイヤ８０でそれぞれ接続する。その後に、同じく図３２（ｂ）に示すように、第１実施形態の図４（ｂ）の工程と同様に、配線基板５の開口部５ａに樹脂部４０を形成して金ワイヤ８０を樹脂部４０内に埋め込む。
Further, as shown in FIG. 32 (b), as shown in FIG. 24 (a) of the fourth embodiment, the first and second connection pads P1 , P2 in the
その後に、図３３に示すように、第1実施形態の図５の工程と同様に、銅箔１０及び銅層７０を除去して接触端子Ｔを露出させる。
Thereafter, as shown in FIG. 33, the
以上により、第６実施形態のプローブカード４ｂが得られる。第６実施形態のプローブカード４ｂは、第４実施形態のプローブカード４と同様に、接触端子Ｔの先端の接触面ＣＳが平坦面となって形成される。
The
また、第２実施形態と同様に、樹脂部４０は周辺領域よりも下側に突き出る突出部４０ｘを備え、その突出部４０ｘに接触端子Ｔが配置されている。このため、接触端子Ｔの接触状況を目視や画像認識によってチェックしやすくなる。
Further, similarly to the second embodiment, the
第６実施形態のプローブカード４ｂにおいても、第１実施形態の図７と同様に、配線基板５０の上に配置され、押圧機構５４によって下側に押圧された状態で配線基板５０の電気特性が測定される。また、図８及び図９で説明したように、４端子検査に適用してもよい。
Also in the
第６実施形態のプローブカード４ｂは第１、２実施形態と同様な効果を奏する。
The
１，２，３，４，４ａ，４ｂ…プローブカード、５…配線基板、６…ステージ、１０…銅箔、１０ｘ，７０ｘ…凹部、１０ｙ…へこみ領域、１１…めっきレジスト、５ａ，１１ａ，１５ａ，１７ａ，６０ａ…開口部、１２…金めっき層、１３…接着層、１４…金電極、１５…第１レジスト、１６…金ワイヤ、１７…第２レジスト、１８…保護テープ、１９…めっきレジスト、２１…第１絶縁層、２２…第２絶縁層、２３…第３絶縁層、３１…第１配線層、３２…第２配線層、３３…第３配線層、４０…樹脂部、４０ｘ…突出部、５０…測定用の配線基板、５２…電極パッド、５４…押圧機構、６０…樹脂層、６２，７０…銅層、７１…突起部、８０…金ワイヤ、８２…金電極、８２ａ…球状部、ＣＳ…接触面、ＧＰ…グランドパッド、Ｐ１…第１接続パッド、Ｐ２…第２接続パッド、Ｓ１…第１階段面、Ｓ２…第２階段面、Ｔ…接触端子、Ｔａ…接触部、Ｔｂ…凸状部、Ｔｘ…くびれ部、ＶＨ１…第１ビアホール、ＶＨ２…第２ビアホール。 1, 2, 3, 4, 4a, 4b ... probe card, 5 ... wiring board, 6 ... stage, 10 ... copper foil, 10x, 70x ... recess, 10y ... recessed area, 11 ... plating resist, 5a, 11a, 15a , 17a, 60a ... opening, 12 ... gold plating layer, 13 ... adhesive layer, 14 ... gold electrode, 15 ... first resist, 16 ... gold wire, 17 ... second resist, 18 ... protective tape, 19 ... plating resist , 21 ... 1st insulating layer, 22 ... 2nd insulating layer, 23 ... 3rd insulating layer, 31 ... 1st wiring layer, 32 ... 2nd wiring layer, 33 ... 3rd wiring layer, 40 ... Resin part, 40x ... Projection, 50 ... Wiring board for measurement, 52 ... Electrode pad, 54 ... Pressing mechanism, 60 ... Resin layer, 62, 70 ... Copper layer, 71 ... Projection, 80 ... Gold wire, 82 ... Gold electrode, 82a ... Spherical part, CS ... contact surface, GP ... ground pad, P1 ... 1 connection pad, P2 ... 2nd connection pad, S1 ... 1st step surface, S2 ... 2nd step surface, T ... contact terminal, Ta ... contact part, Tb ... convex part, Tx ... constriction part, VH1 ... 1st Via hole, VH2 ... second via hole.
Claims (10)
前記配線基板の絶縁層及び配線層を厚み方向に貫通して形成された開口部と、
前記開口部の周辺の前記配線基板の上面に配置されると共に、前記開口部の内面から露出して形成され、かつ、前記配線層に接続された接続パッドと、
前記配線基板の開口部に形成されると共に、弾性を有する材料から形成され、かつ、前記接続パッドを埋め込む樹脂部と、
前記樹脂部の下面から突出する柱状の接触部と、前記接触部の上に配置されると共に、前記樹脂部に埋め込まれ、かつ、前記接触部よりも幅広な凸状部とを備えた接触端子であって、先端の接触面が平坦面となった前記接触端子と、
前記樹脂部の中に埋め込まれ、前記接触端子と前記接続パッドとを接続するワイヤと
を有し、
前記接触端子と前記ワイヤとは同じ金属から形成され、前記接触端子の直径は前記ワイヤの直径よりも大きく、
前記接触端子の一方の端側の前記ワイヤとの接続部が前記樹脂部に埋め込まれ、前記接触端子の他方の端側は前記樹脂部から露出していることを特徴とするプローブカード。 A wiring board comprising an insulating layer and a wiring layer formed on the insulating layer;
An opening formed through the insulating layer and the wiring layer of the wiring board in the thickness direction;
A connection pad that is disposed on the upper surface of the wiring substrate around the opening, is exposed from the inner surface of the opening, and is connected to the wiring layer;
A resin part formed in the opening of the wiring board, formed of an elastic material, and embedded in the connection pad;
A contact terminal including a columnar contact portion protruding from the lower surface of the resin portion, and a convex portion that is disposed on the contact portion and is embedded in the resin portion and wider than the contact portion. The contact terminal having a flat contact surface at the tip;
A wire embedded in the resin portion and connecting the contact terminal and the connection pad;
The contact terminal and the wire are formed of the same metal, and the diameter of the contact terminal is larger than the diameter of the wire,
A probe card characterized in that a connection portion with the wire on one end side of the contact terminal is embedded in the resin portion, and the other end side of the contact terminal is exposed from the resin portion.
前記配線基板の絶縁層及び配線層を厚み方向に貫通して形成された開口部と、
前記開口部の周辺の前記配線基板の上面に配置されると共に、前記開口部の内面から露出して形成され、かつ、前記配線層に接続された接続パッドと、
前記配線基板の開口部に形成されると共に、弾性を有する材料から形成され、かつ、前記接続パッドを埋め込む樹脂部と、
前記樹脂部の下面から突出する柱状の接触部と、前記接触部の上に配置されると共に、前記樹脂部に埋め込まれ、かつ、前記接触部よりも幅広な凸状部とを備えた接触端子であって、前記接触部と前記凸状部との間のリング状の部分に内側に食い込むくびれ部が形成され、先端の接触面が平坦面となった前記接触端子と、
前記樹脂部の中に埋め込まれ、前記接触端子と前記接続パッドとを接続するワイヤと
を有し、
前記接触端子と前記ワイヤとは同じ金属から形成され、前記接触端子の直径は前記ワイヤの直径よりも大きく、
前記接触端子の一方の端側の前記ワイヤとの接続部が前記樹脂部に埋め込まれ、前記接触端子の他方の端側は前記樹脂部から露出していることを特徴とするプローブカード。 A wiring board comprising an insulating layer and a wiring layer formed on the insulating layer;
An opening formed through the insulating layer and the wiring layer of the wiring board in the thickness direction;
A connection pad that is disposed on the upper surface of the wiring substrate around the opening, is exposed from the inner surface of the opening, and is connected to the wiring layer;
A resin part formed in the opening of the wiring board, formed of an elastic material, and embedded in the connection pad;
A contact terminal provided with a columnar contact portion protruding from the lower surface of the resin portion, and a convex portion that is disposed on the contact portion, embedded in the resin portion, and wider than the contact portion. The constricted part that bites into the ring-shaped part between the contact part and the convex part is formed, and the contact terminal whose tip contact surface is a flat surface,
A wire embedded in the resin portion and connecting the contact terminal and the connection pad;
The contact terminal and the wire are formed of the same metal, and the diameter of the contact terminal is larger than the diameter of the wire,
A probe card characterized in that a connection portion with the wire on one end side of the contact terminal is embedded in the resin portion, and the other end side of the contact terminal is exposed from the resin portion.
前記被検査対象の一つの電極パッドと、隣接する２つの前記接触端子とを接触させて行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプローブカード。 When performing the electrical measurement of the inspection target using the probe card,
5. The probe card according to claim 1 , wherein the probe card is formed by bringing one electrode pad to be inspected into contact with two adjacent contact terminals. 6.
前記被検査対象の一つの電極パッドと、２本の前記ワイヤが接続された一つの前記接触端子とを接触させて行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプローブカード。 When performing the electrical measurement of the inspection target using the probe card,
The probe according to any one of claims 1 to 4 , wherein the probe is performed by bringing one electrode pad to be inspected into contact with one contact terminal to which the two wires are connected. card.
電解めっきにより、前記第１金属層の露出面に第２金属層を形成する工程と、
前記めっきレジストを除去して、前記第２金属層に凹部を形成する工程とを含む方法により、表面領域に複数の前記凹部を形成した金属基材を用意する工程と、
絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成された配線層と、
前記絶縁層及び配線層を厚み方向に貫通して形成された開口部と、
前記開口部の周辺の前記配線基板の上面に配置されると共に、前記開口部の内面から露出して形成され、かつ、前記配線層に接続された接続パッドと
を備えた配線基板を用意する工程と、
前記配線基板の開口部から前記金属基材の複数の凹部が露出するように、前記配線基板を前記金属基材の上に接着する工程と、
ワイヤボンディング法により、前記金属基材の凹部の全体にワイヤの先端部からなる金属電極を埋め込んで接触端子を形成すると共に、前記接触端子と前記配線基板の接続パッドとを前記ワイヤで接続する工程と、
前記配線基板の開口部内に、弾性を有する材料からなる樹脂部を形成して、前記ワイヤを前記樹脂部で埋め込む工程と、
前記金属基材を除去して、前記ワイヤと一体的に繋がり、前記樹脂部の下面から突出する前記接触端子を露出させる工程と
を有し、
前記接触端子と前記ワイヤとは同じ金属から形成され、前記接触端子の直径は前記ワイヤの直径よりも大きく形成されることを特徴とするプローブカードの製造方法。 Patterning a plating resist on the first metal layer;
Forming a second metal layer on the exposed surface of the first metal layer by electrolytic plating;
And removing the plating resist, the method comprising the step of forming a recess in the second metal layer, a step of preparing a metal substrate to form a plurality of the recesses in the surface region,
An insulating layer;
A wiring layer formed on the insulating layer;
An opening formed through the insulating layer and the wiring layer in the thickness direction;
A step of preparing a wiring board that is disposed on the upper surface of the wiring board around the opening, and is formed to be exposed from the inner surface of the opening and connected to the wiring layer. When,
Bonding the wiring board onto the metal base so that a plurality of recesses of the metal base are exposed from the opening of the wiring board;
By a wire bonding method, to form the contact terminals embedded metal electrodes made of wire of the tip across the recess of the metal substrate, the step of connecting the connection pads of the wiring board and the contact terminals in the wire When,
Forming a resin part made of a material having elasticity in the opening of the wiring board and embedding the wire in the resin part;
Removing the metal base material, integrally connecting with the wire, and exposing the contact terminal protruding from the lower surface of the resin part,
The method of manufacturing a probe card, wherein the contact terminal and the wire are made of the same metal, and the diameter of the contact terminal is larger than the diameter of the wire.
前記ワイヤの外面を樹脂層で被覆する工程と、
前記樹脂層の外面を金属層で被覆する工程とを有し、
前記ワイヤが同軸型ワイヤとして形成されることを特徴とする請求項７に記載のプローブカードの製造方法。 After the step of connecting the contact terminal and the connection pad, before the step of forming the resin portion,
Coating the outer surface of the wire with a resin layer;
Coating the outer surface of the resin layer with a metal layer,
8. The method of manufacturing a probe card according to claim 7 , wherein the wire is formed as a coaxial wire.
前記第２金属層の厚みを前記めっきレジストの厚みより厚く設定して、前記第２金属層の上端部に横方向に突き出る突起部を形成することを含むことを特徴とする請求項７に記載のプローブカードの製造方法。 The step of forming the second metal layer includes
8. The method according to claim 7 , further comprising forming a protrusion protruding laterally at an upper end of the second metal layer by setting the thickness of the second metal layer to be greater than the thickness of the plating resist. Manufacturing method of probe card.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013129815A JP6246507B2 (en) | 2012-11-05 | 2013-06-20 | Probe card and manufacturing method thereof |
| US14/064,608 US9488677B2 (en) | 2012-11-05 | 2013-10-28 | Probe card having a wiring substrate |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012243681 | 2012-11-05 | ||
| JP2012243681 | 2012-11-05 | ||
| JP2013129815A JP6246507B2 (en) | 2012-11-05 | 2013-06-20 | Probe card and manufacturing method thereof |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014112072A JP2014112072A (en) | 2014-06-19 |
| JP2014112072A5 JP2014112072A5 (en) | 2016-05-12 |
| JP6246507B2 true JP6246507B2 (en) | 2017-12-13 |
Family
ID=50621789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013129815A Active JP6246507B2 (en) | 2012-11-05 | 2013-06-20 | Probe card and manufacturing method thereof |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9488677B2 (en) |
| JP (1) | JP6246507B2 (en) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6208486B2 (en) * | 2013-07-19 | 2017-10-04 | 新光電気工業株式会社 | Probe card and manufacturing method thereof |
| JP6092729B2 (en) * | 2013-07-19 | 2017-03-08 | 新光電気工業株式会社 | Probe card and manufacturing method thereof |
| JP6455022B2 (en) * | 2014-08-22 | 2019-01-23 | 大日本印刷株式会社 | Probe card and semiconductor device manufacturing method using the same |
| WO2018118075A1 (en) | 2016-12-23 | 2018-06-28 | Intel Corporation | Fine pitch probe card methods and systems |
| US11268983B2 (en) | 2017-06-30 | 2022-03-08 | Intel Corporation | Chevron interconnect for very fine pitch probing |
| US10775414B2 (en) | 2017-09-29 | 2020-09-15 | Intel Corporation | Low-profile gimbal platform for high-resolution in situ co-planarity adjustment |
| US11061068B2 (en) | 2017-12-05 | 2021-07-13 | Intel Corporation | Multi-member test probe structure |
| US11204555B2 (en) | 2017-12-28 | 2021-12-21 | Intel Corporation | Method and apparatus to develop lithographically defined high aspect ratio interconnects |
| US11073538B2 (en) | 2018-01-03 | 2021-07-27 | Intel Corporation | Electrical testing apparatus with lateral movement of a probe support substrate |
| US10488438B2 (en) | 2018-01-05 | 2019-11-26 | Intel Corporation | High density and fine pitch interconnect structures in an electric test apparatus |
| US10866264B2 (en) * | 2018-01-05 | 2020-12-15 | Intel Corporation | Interconnect structure with varying modulus of elasticity |
| US11543454B2 (en) | 2018-09-25 | 2023-01-03 | Intel Corporation | Double-beam test probe |
| US10935573B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-03-02 | Intel Corporation | Slip-plane MEMS probe for high-density and fine pitch interconnects |
Family Cites Families (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3911361A (en) * | 1974-06-28 | 1975-10-07 | Ibm | Coaxial array space transformer |
| US4566184A (en) * | 1981-08-24 | 1986-01-28 | Rockwell International Corporation | Process for making a probe for high speed integrated circuits |
| JPS59154054A (en) * | 1983-02-23 | 1984-09-03 | Hitachi Ltd | Wire and semiconductor device using it |
| JPH05144895A (en) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Nec Yamagata Ltd | Probe card |
| US20070228110A1 (en) * | 1993-11-16 | 2007-10-04 | Formfactor, Inc. | Method Of Wirebonding That Utilizes A Gas Flow Within A Capillary From Which A Wire Is Played Out |
| US5785538A (en) * | 1995-11-27 | 1998-07-28 | International Business Machines Corporation | High density test probe with rigid surface structure |
| JP3307823B2 (en) * | 1996-02-23 | 2002-07-24 | 松下電器産業株式会社 | Manufacturing method of contact parts for electronic component inspection |
| JP3128199B2 (en) * | 1996-06-28 | 2001-01-29 | 信越ポリマー株式会社 | Inspection probe |
| US6100815A (en) * | 1997-12-24 | 2000-08-08 | Electro Scientific Industries, Inc. | Compound switching matrix for probing and interconnecting devices under test to measurement equipment |
| JP3302635B2 (en) * | 1998-01-30 | 2002-07-15 | 信越ポリマー株式会社 | Electrical connector and method of manufacturing the same |
| JP2008076402A (en) * | 1998-10-27 | 2008-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Inspecting board |
| JP2001343426A (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Seiko Epson Corp | Method for inspecting semiconductor device |
| JP2002184934A (en) * | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP4014912B2 (en) * | 2001-09-28 | 2007-11-28 | 株式会社ルネサステクノロジ | Semiconductor device |
| JP2005091065A (en) * | 2003-09-16 | 2005-04-07 | Oki Electric Ind Co Ltd | Apparatus and method for supplying semiconductor device with operating voltage |
| JP2006058157A (en) * | 2004-08-20 | 2006-03-02 | Toyota Motor Corp | Probe card |
| US7119571B2 (en) * | 2004-11-24 | 2006-10-10 | Applied Materials, Inc. | Test structure design for reliability test |
| US7030633B1 (en) * | 2004-12-03 | 2006-04-18 | Chunong Qiu | Four-terminal methods for resistivity measurement of semiconducting materials |
| US20070152685A1 (en) * | 2006-01-03 | 2007-07-05 | Formfactor, Inc. | A probe array structure and a method of making a probe array structure |
| JP4774071B2 (en) * | 2007-04-05 | 2011-09-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Probe resistance measurement method and semiconductor device having probe resistance measurement pad |
| JP2009192309A (en) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Semiconductor inspection device |
| WO2010117058A1 (en) * | 2009-04-09 | 2010-10-14 | 日本発條株式会社 | Contact probe and probe unit |
| JP2011061112A (en) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Semiconductor chip laminate and method of manufacturing the same |
| JP5465516B2 (en) | 2009-12-08 | 2014-04-09 | 日本電子材料株式会社 | Probe and probe manufacturing method |
| JP2011237391A (en) | 2010-05-13 | 2011-11-24 | Renesas Electronics Corp | Probe card |
| JP4919365B2 (en) | 2010-12-16 | 2012-04-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit |
| JP6208486B2 (en) * | 2013-07-19 | 2017-10-04 | 新光電気工業株式会社 | Probe card and manufacturing method thereof |
| JP6092729B2 (en) * | 2013-07-19 | 2017-03-08 | 新光電気工業株式会社 | Probe card and manufacturing method thereof |
| JP6189187B2 (en) * | 2013-11-19 | 2017-08-30 | 新光電気工業株式会社 | Probe card and probe card manufacturing method |
-
2013
- 2013-06-20 JP JP2013129815A patent/JP6246507B2/en active Active
- 2013-10-28 US US14/064,608 patent/US9488677B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014112072A (en) | 2014-06-19 |
| US20140125372A1 (en) | 2014-05-08 |
| US9488677B2 (en) | 2016-11-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6246507B2 (en) | Probe card and manufacturing method thereof | |
| KR101045671B1 (en) | Probe Card with Spatial Transducer | |
| JP2013238578A (en) | Space transformer for probe card and method of manufacturing the same | |
| US9459289B2 (en) | Probe card and method for manufacturing probe card | |
| JP5276895B2 (en) | Probe card and manufacturing method thereof | |
| JP4343256B1 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP5408602B2 (en) | Multilayer wiring board | |
| TW201443455A (en) | Substrate of electronic device and electronic device including the same | |
| JP6092729B2 (en) | Probe card and manufacturing method thereof | |
| JP4919365B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit | |
| JP2007212472A (en) | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit, and probe card | |
| KR100906497B1 (en) | Substrate for mounting probe in probe card, probe card and manufacturing method thereof | |
| JP6208486B2 (en) | Probe card and manufacturing method thereof | |
| JP2009099782A (en) | Semiconductor-chip laminating structure, and semiconductor apparatus | |
| KR102276512B1 (en) | Jig for electric inspection and method of manufacturing the same | |
| JP5164543B2 (en) | Probe card manufacturing method | |
| KR100947916B1 (en) | Printed circuit board for probe card | |
| KR100821674B1 (en) | Probe assembly | |
| KR101010672B1 (en) | Interposer unit and manufacturing method for the same | |
| JP2007311624A (en) | Semiconductor integrated circuit package and its manufacturing method | |
| KR101786782B1 (en) | Film for testing panel | |
| JP2009122123A (en) | Contact probe | |
| JP4716454B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device | |
| KR20130004754A (en) | Manufacturing method of a probe unit for a image display pannel and probe unit manufacturered by the method | |
| JP2011501185A (en) | Manufacturing method of electrical inspection device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160317 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160317 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170123 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170301 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170808 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170904 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170911 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171107 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171115 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6246507 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |