JP2012047674A - 試験用個片基板、プローブ、及び半導体ウェハ試験装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェハの試験に用いられる試験用個片基板30は、本体部31と、本体部31から延在すると共に、本体部よりも相対的に薄い薄肉部321,322と、薄肉部321,322に設けられたバンプ33と、を備えている。
【選択図】図4
Description
図1は本発明の第1実施形態における半導体ウェハ試験装置を示す図、図2は本実施形態におけるプローブを示す図である。
図12及び図13は本発明の第2実施形態におけるプローブチップを示す図である。本実施形態では、プローブチップ30Bの構成が第1実施形態と相違するが、それ以外の構成は第1実施形態と同様である。以下に、第2実施形態におけるプローブチップ30Bについて第1実施形態との相違点についてのみ説明し、第1実施形態と同様の構成である部分については同一符号を付して説明を省略する。
図14及び図15は本発明の第3実施形態におけるプローブチップを示す図、図16は本実施形態におけるプローブチップとDUTの対応関係を示す図、図17はプローブチップとDUTの対応関係の変形例を示す図、図18は図14及び図15に示すプローブチップを用いてDUTを試験している様子を示す図である。
10…テストヘッド
20…プローブ
30,30B,30C…プローブチップ
31,311,312…本体部
32,321,322…薄肉部
33…バンプ
34…配線パターン
35…TSV
36…パッド
37…スリット
38…突起部
40…ピッチ変換基板
41…下パッド
42…TSV
43…配線パターン
44…上パッド
50…パフォーマンスボード
51…パッド
52…接続部材
60…移動装置
61…ステージ
62…アーム
100…半導体ウェハ
110…電極
Claims (13)
- 半導体ウェハの試験に用いられる試験用個片基板であって、
本体部と、
前記本体部から延在すると共に、前記本体部よりも相対的に薄い薄肉部と、
前記薄肉部に設けられた接点部と、を備えたことを特徴とする試験用個片基板。 - 請求項1に記載の試験用個片基板であって、
前記薄肉部は、当該薄肉部の一端で前記本体部に繋がっており、
前記薄肉部の他端は自由端であることを特徴とする試験用個片基板。 - 請求項2に記載の試験用個片基板であって、
前記接点部は、前記薄肉部の他端又は他端近傍に配置されていることを特徴とする試験用個片基板。 - 請求項2又は3に記載の試験用個片基板であって、
複数の前記接点部を備えており、
前記薄肉部は、前記接点部の間に形成されたスリットを有することを特徴とする試験用個片基板。 - 請求項1に記載の試験用個片基板であって、
前記薄肉部は、当該薄肉部の両端で前記本体部に繋がっていることを特徴とする試験用個片基板。 - 請求項5に記載の試験用個片基板であって、
前記接点部は、前記薄肉部の中央又は中央近傍に配置されていることを特徴とする試験用個片基板。 - 請求項5又は6に記載の試験用個片基板であって、
複数の前記接点部を備えており、
前記薄肉部は、前記接点部の間に形成されたスリットを有することを特徴とする試験用個片基板。 - 請求項1〜7の何れかに記載の試験用個片基板であって、
前記接点部に接続された第1の配線と、
前記第1の配線に接続され、前記本体部を一方の主面から他方の主面に貫通する第1の貫通電極と、
前記本体部の他方の主面に設けられ、前記第1の貫通電極に接続された第1のパッドと、をさらに備えた試験用個片基板。 - 請求項1〜8の何れかに記載の試験用個片基板と、
前記試験用個片基板が実装される主基板と、を備えていることを特徴とするプローブ。 - 請求項9記載のプローブであって、
一つの前記試験用個片基板は、前記半導体ウェハに形成された複数の電子部品の中の一つの電子部品に対応していることを特徴とするプローブ。 - 請求項9又は10に記載のプローブであって、
前記主基板は、
前記主基板の一方の主面に設けられ、前記試験用個片基板が実装される第2のパッドと、
前記第2のパッドに接続され、前記主基板を一方の主面から他方の主面に貫通する第2の貫通電極と、
前記主基板の他方の主面に設けられ、前記第2の貫通電極と接続される第2の配線と、
前記第2の配線に接続される第3のパッドと、を備えたことを特徴とするプローブ。 - 請求項9〜11の何れかに記載のプローブであって、
前記主基板が積層される配線基板をさらに備え、
前記配線基板は、前記主基板の第3のパッドに対応する位置に第4のパッドを有しており、
前記第3のパッドと前記第4のパッドとの間に、弾性変形可能であり且つ導電性を有する接続部材が介装されていることを特徴とするプローブ。 - 半導体ウェハを試験する半導体ウェハ試験装置であって、
請求項9〜12の何れかに記載のプローブと、
前記プローブが電気的に接続される試験装置本体と、
前記プローブの前記接点部と前記半導体ウェハの電極とを電気的に接続させる接続手段と、を備えたことを特徴とする半導体ウェハ試験装置。
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