JP2009231848A - 半導体ウェハのテスト装置、半導体ウェハのテスト方法及び半導体ウェハ用プローブカード - Google Patents
半導体ウェハのテスト装置、半導体ウェハのテスト方法及び半導体ウェハ用プローブカード Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】プローブカード10の配線基板を、外側配線基板11及び内側配線基板12から構成する。内側配線基板12の周縁部にゴム材などの弾性体により形成した環状のシールリング16aを形成しておく。外側配線基板11に真空バルブ17aを搭載し、この真空バルブ17aから延びる真空導路30aを、シールリング16aの内側で外側配線基板11の内面に開口するようにしておく。
【選択図】図1
Description
圧力のもとで、例えば、ピンの正確かつ確実なコンタクトに必要な距離間誤差20〜40μmに、プローブカードとステージの間隔を全面にわたって一定にするのは困難であった
。なお、特許文献3及び非特許文献1には、ウェハのすべての検査用端子にプローブ端子を同時に接触させる技術が記載されているが、この技術は、プローバ装置とプローブカードとを備えたテスト装置に関するものではない。また、特許文献4は、2つの配線基板を有するプローブカードを記載している。
ため安定コンタクトに必要な双方間の距離間誤差20〜40μmの実現が困難であった。
本発明によるテスト装置及びテスト方法では、真空圧による加圧を利用しているので、加圧力が、ステージ及びプローブカード双方で、全面にわたって均一に作用する。これにより、すべての接点で確実な電気的接触が可能となるウェハ一括コンタクトが実現される。
形成するのが好ましい。さらに、半導体ウェハ34に形成されているチップの直径(5mm乃至10mm)に等しい長さを有する桁橋試験片に、1kg/cm2の圧力を加えると、中央部の撓み量が5μm以下となる場合の材料及び厚さで内側配線基板12を形成する
のが効果的である。これにより、バンプ32、32間で内側配線基板12が撓みすぎるといったことがないので(図4参照、図4のLはチップの直径、Wは撓み量で、Wが大きくなりすぎない)、バンプ32の間隔の差異により異なったバンプ圧が加わることはなくなる。このように、配線基板を外側配線基板11と内側配線基板12とから構成し、内側配線基板12を外側配線基板11に較べ厚みを薄くするなどして剛性の低いものとすることにより、空間内を減圧した際の適度な内側配線基板12の撓み量を得ることができ、半導体ウェハ34面内での均一な圧力印加が可能となる。外側配線基板11はガラスエポキシ基板、内側配線基板12は低熱膨張率及び微細パターンを実現できるセラミック基板とすることができ、この場合には、内側配線基板12は外側配線基板11よりも薄く形成される。
10 プローブカード
11 外側配線基板
12 内側配線基板
13 IF−PCR層
14 PCR層
15 バンプ付きメンブレンシート
16a、16b、16c、16d シールリング
17a、17b 真空バルブ
19 プローバ装置
20 プローバ装置の筐体
21 XYZ駆動装置
22、42 ステージ
23 パフォーマンスボード
24 テストヘッド
30a、30b、30c、30d 真空導路
32 バンプ
34 半導体ウェハ
35 案内ピン
44 板バネ
Claims (5)
- 半導体ウェハを載せるためのステージと、このステージに向き合うように配置されるプローブカードと、を備え、前記プローブカードは、配線基板と、前記ステージ上に載せられた前記半導体ウェハの複数の集積回路端子に電気的に接触する複数のバンプと、を有している、半導体ウェハのテスト装置であって、
前記プローブカードの周縁部には、前記半導体ウェハの外周で、前記ステージと接触してこのステージ及び前記プローブカードの間に閉じた空間を形成するシールリングが設けられ、閉じた前記空間内を減圧することにより、前記集積回路端子と前記バンプとの電気的コンタクトに必要な圧力を確保する、ことを特徴とする半導体ウェハのテスト装置。 - 前記ステージは、内側ステージと、この内側ステージ上に配置された外側ステージと、を備え、前記シールリングは、前記外側ステージと接触してこの外側ステージ及び前記プローブカードの間に閉じた空間を形成するように構成されていて、前記ステージは、前記外側ステージ上に前記半導体ウェハを載せた状態で、閉じた前記空間が形成されるまでプローブカード側に移動するよう駆動され、閉じた前記空間内を減圧すると、前記外側ステージが前記内側ステージから離れるように前記プローブカードの側に引き寄せられる、ことを特徴とする請求項1記載の半導体ウェハのテスト装置。
- 前記配線基板は、外側配線基板と、この外側配線基板の内側に、導電性層を介して設けられた内側配線基板と、を有し、この内側配線基板は、前記外側配線基板よりも可撓性が大きくなるように形成されている、ことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体ウェハのテスト装置。
- 前記シールリングは、前記内側配線基板の周縁部に設けられている、ことを特徴とする請求項3記載の半導体ウェハのテスト装置。
- ステージ上に載せられた半導体ウェハの複数の集積回路端子に、プローブカードの配線基板に設けられた複数のバンプを電気的に接触させて前記半導体ウェハを検査する半導体ウェハのテスト方法であって、
前記プローブカード、前記ステージ及び前記プローブカードの周縁部に設けられた、前記半導体ウェハの外周のシールリングにより閉じた空間を形成し、閉じたこの空間内を減圧することにより、前記集積回路端子と前記バンプとの電気的コンタクトに必要な圧力を確保する、ことを特徴とする半導体ウェハのテスト方法。
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