JP2005127961A - テスト用基板及びそれを使用したテスト装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 構造が簡単で、製造コストが低価格で、且つ多ピン化に対応可能な、半導体パッケージやチップを検査するためのテスト用基板を提供する。
【解決手段】 絶縁基板(10)と、この絶縁基板の一面にワイヤボンディングにより形成され被検査対象のバンプ又は端子(14)の配列の対応して配列された、先端に細い突出部を有する複数のボールバンプ(16)と、絶縁基板の他面に配列された複数のマイクロスプリング(22)と、各ボールバンプとマイクロスプリングとの間を電気的に接続するため絶縁基板の一面から他面へ貫通する導通ビア(24)と、から成ることを特徴とする。
【選択図】 図2
【解決手段】 絶縁基板(10)と、この絶縁基板の一面にワイヤボンディングにより形成され被検査対象のバンプ又は端子(14)の配列の対応して配列された、先端に細い突出部を有する複数のボールバンプ(16)と、絶縁基板の他面に配列された複数のマイクロスプリング(22)と、各ボールバンプとマイクロスプリングとの間を電気的に接続するため絶縁基板の一面から他面へ貫通する導通ビア(24)と、から成ることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
本発明は外部接触端子を有する半導体装置及びその使用装置に関し、特に、半導体ソケットのように、多数の外部接触ピン又は端子を有し、インターポーザーや接続用基板のパッドや半田ボール等に接触させて半導体装置やパッケージ、基板等のテストを行うために使用するテスト用基板及びそれを使用したテスト装置に関する。
従来、図4に示すように、テスト用基板は、プリント基板1にプローブ固定用樹脂2でプローブ3を位置決め固定して構成し、プローブ3先端を半導体チップやパッケージ4のパッドや端子5に接触させて、電気的特性の検査を行なっている。プリント基板1としては、例えば基材として樹脂を使用した有機基板やフレキシブル基板等を用いることもある。検査すべき半導体チップやパッケージ4の表面の周囲に配置される多数のパッドや端子5を同時に検査する場合は、枠状又はドーナツ状のプリント基板1の内側に被検査対象の端子5の配列に対応して多数のプローブ3を配置して多ピン化に対応するように形成したテスト用基板もある。
ところが、図4に示すような従来のテスト用基板によると、プローブ3がタングステン等の金属製であるため、被検査対象側のパッドや端子5に傷が付きやすい、プローブ3をパッドや端子5に接触させた際にプローブが変形しやすい、プリント基板1として、有機基板を用いる場合は、位置精度が十分でなく、反りやたわみが生ずる、等々の問題があり、多ピンを同時に且つ適正に接触させることが困難となっていた。
他の従来技術として、特許文献1に記載されているようなものがある。これによると、高性能で、コンパクト、且つ耐久性に優れたICパッケージ検査用ソケットを得るために、個々のコンタクトプローブは、第1の接触部および第2の接触部と、これらの第1および第2の接触部を反発付勢するコイルスプリングとからなり、第1の接触部は第2の接触部の側に延びる軸部を備え、第2の接触部はその軸部に挿入されて摺動する軸穴を備えてなる構造としている。そして、このような構造のコンタクトプローブはソケット基体、即ちテスト用基板にグリッドアレイ状に多数配列されており、且つ個々のコンタクトプローブは、先端のプランジャ、即ち第1の接触部および第2の接触部がテスト用基板の両面から突出しているので、これらの接触部を被検査パッケージのパッドや端子に接触させて検査を行うことができる。
しかしながら、特許文献1に記載されているパッケージ用ソケットによると、個々のコンタクトプローブが、第1の接触部および第2の接触部と、これらを反発付勢するコイルスプリングを備えていなければならず、構造が複雑となり、製造コストが上昇する、検査対象となるパッケージの多ピン化に対応できない、コンタクトプローブの位置を高精度に設定できない、等の問題がある。
また、関連する他の従来技術として、例えば、特許文献2に記載されているように、基板の一方の面にスプリング構造のワイヤ端子を配列・形成し、これらのワイヤ端子をスプリングの反発力を利用して接触させる、いわゆるマイクロスプリング方式のものが知られている。
上述のように、従来のテスト用基板によると、被測定側のパッドや端子に傷が付きやすい、プローブが変形しやすい、またプローブの位置精度が十分でなく、反りやたわみの問題があり、多ピン化を達成するのは困難であった。
本発明は、このような状況の下で案出されたものであって、構造が簡単で、製造コストが低価格で、且つ多ピン化に対応可能なテスト用基板及びそのテスト用基板を使用してテストを実施する装置を提供することを課題とする。
上記の課題を達成するために、本発明によれば、絶縁基板と、該絶縁基板の少なくとも一面に、ワイヤボンディングにより形成され、被検査対象のバンプ又は端子の配列の対応して配列された、先端に細い突出部を有する複数のボールバンプと、から成ることを特徴とするテスト用基板が提供される。
前記ボールバンプが形成されている絶縁基板の前記一面に、前記ボールバンプに接続する引出し配線が形成され、前記一面の周囲部に前記引出し配線に接続する端子部が形成されていることを特徴とする。
また、本発明では、絶縁基板と、該絶縁基板の一面に、ワイヤボンディングにより形成され、被検査対象のバンプ又は端子の配列の対応して配列された、先端に細い突出部を有する複数のボールバンプと、前記絶縁基板の他面に配列された複数のマイクロスプリングと、前記各ボールバンプと前記マイクロスプリングとの間を電気的に接続するため前記絶縁基板の一面から他面へ貫通する導通ビアと、から成ることを特徴とするテスト用基板が提供される。
この場合において、前記ボールバンプが形成されている絶縁基板の前記一面に、前記ボールバンプに接続する引出し配線が形成され、該引出し配線と前記マイクロスプリングとの間が導通ビアにより電気的に接続されていることを特徴とする。
以上のようなテスト用基板において、絶縁基板はシリコン基板であるのが好ましい。
更にまた、本発明によると、絶縁基板と、該絶縁基板の一面に、ワイヤボンディングにより形成され、被検査対象のバンプ又は端子の配列の対応して配列された、先端に細い突出部を有する複数のボールバンプと、前記絶縁基板の他面に配列された複数のマイクロスプリングと、前記各ボールバンプと前記マイクロスプリングとの間を電気的に接続するため前記絶縁基板の一面から他面へ貫通する導通ビアと、から成るテスト用基板と、
該テスト用基板の周囲部を両面から挟み込むように且つ該テスト用基板をその厚さ方向に一定範囲で移動可能となるように支持する筐体と、
表面に前記マイクロスプリングの配列に対応する接触端子が配列・形成された評価用ボードと、から成り、
前記テスト用基板を保持した前記筐体を前記評価用ボードの表面上の所定位置に固定した時、前記マイクムスプリングが弾発的に撓んで前記評価用ボードの表面上に形成された前記接触端子に接触することを特徴とするテスト装置が提供される。
該テスト用基板の周囲部を両面から挟み込むように且つ該テスト用基板をその厚さ方向に一定範囲で移動可能となるように支持する筐体と、
表面に前記マイクロスプリングの配列に対応する接触端子が配列・形成された評価用ボードと、から成り、
前記テスト用基板を保持した前記筐体を前記評価用ボードの表面上の所定位置に固定した時、前記マイクムスプリングが弾発的に撓んで前記評価用ボードの表面上に形成された前記接触端子に接触することを特徴とするテスト装置が提供される。
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図1(a)は本発明のテスト用基板の第1実施形態を示す断面図である。
絶縁基板10はシリコン(Si)基板、又はガラスエポキシ等の樹脂基板、又はセラミック基板等、一般に半導体装置の基板として使用されている各種の基板を使用することができる。絶縁基板10の厚さは概ね150〜200μm程度である。この絶縁基板10の少なくとも一面には、被検査対象である半導体パッケージや半導体チップ12の電極、バンプ又は端子14等の配列に対応したピッチで複数のボールバンプ16がX方向に等間隔及びY方向にも等間隔にアレイ状に配列・形成されている。ボールバンプ16の配列ピッチはフルグリッドで狭ピッチのバンピングを行う場合は、最小限50μmまで小さくすることができる。
これらのボールバンプ16は、ワイヤボンディング法により形成され、図1(b)に示すように、絶縁基板10の表面又は配線18上に接触している基部16aは直径が比較的大きく、上方へ離れるにしたがって直径が徐々に小さくなり、
ボールバンプ16はその先端部に細い突出部16bを形成し、その高さを均一にするためにレベリング処理を施し、上端を平滑化して高さを均一化する。ボールバンプ16の高さtは約70μmである。
ボールバンプ16はその先端部に細い突出部16bを形成し、その高さを均一にするためにレベリング処理を施し、上端を平滑化して高さを均一化する。ボールバンプ16の高さtは約70μmである。
図1(a)に示す第1実施形態では、ボールバンプ16が形成されている絶縁基板10の上面には、各ボールバンプ16に接続された引出し配線18が形成されている。これらの引出し配線18は絶縁基板10の上面の周囲部にまで延びており、周囲部には各引出し配線に接続する端子部20が形成されている。
図2は本発明のテスト用基板の第2実施形態を示す断面図である。
絶縁基板10の材質やサイズ(厚さ)等については、第1実施形態の場合と同様である。また、この絶縁基板10の上面には複数のボールバンプ16がアレイ状に配列・形成されている点も第1実施形態と同様である。また、ボールバンプ16の形成方法、個々のボールバンプ16の形状等も第1実施形態の場合と同様である。
この第2実施形態では、絶縁基板10の下面に、複数のマイクロスプリング(スプリング構造のワイヤ端子)22がアレイ状に配列・形成されている。マイクロスプリング22の配列ピッチは、後述する評価用ボードのピッチ如何にもよるが、この第2実施形態では、ボールバンプ16の配列ピッチより大きくしている。マイクロスプリング22はワイヤボンディング法により形成することができ、金等からなる各ワイヤについて2個所の湾曲部があり、絶縁基板10の下面からわずかに下方の延び、途中からわずかに横方へ延び、更に下方へ延びている。したがって、ワイヤボンディング法によりこれらのマイクロスプリング22を形成する際は、金等のワイヤを繰り出すボンディングヘッドを得るべきマイクロスプリング22の形状に沿って移動させること所定の形状とすることができる。
ワイヤボンディング装置(図示せず)としては、一般の半導体装置の製造工程で半導体チップの電極とリードとの間をワイヤを用いて接続する際に使用されている通常のワイヤボンディング装置を使用することができる。
更に、絶縁基板10の上面の各ボールバンプ16と絶縁基板10の下面の各マイクロスプリング22との間を電気的に接続するために、絶縁基板10の上面から下面へ貫通する導通ビア24が形成されている。これらの導通ビア24は周知の方法で、絶縁基板10にスルーホールを形成し、このスルーホール内へ金属ペースト等を充填することで形成することができる。
ボールバンプ16、マイクロスプリング22、導通ビア24の形成順序としては、先に導通ビア24を形成し、導通ビア24の形成部分に対応する絶縁基板の上下面に、それぞれボールバンプ16およびマイクロスプリング22を形成する。
なお、導通ビア24は絶縁基板10の上面で直接ボールバンプ16に接続していても良く、また絶縁基板10の下面で直接マイクロスプリング22に接触していても良いが、図2に示す第2実施形態では、絶縁基板10の下面では、導通ビア24が直接マイクロスプリング22に接触しており、絶縁基板10の上面では、検査対象である半導体チップ12等の端子の配列に対応して配置されているボールバンプ16の位置関係から、各導通ビア24は各配線18を介して各ボールバンプ16に接続されている。
図示しないが、多数のマイクロスプリング22を、少なくともその先端部分をめっき浴に浸してめっきを施しても良い。例えば、金ワイヤの上に、最初にニッケルめっき層又はニッケル合金めっきを形成し、更にその上に、金めっき層とパラジウムめっき層を交互にめっきにより積層する。或いは、ニッケル又はニッケル合金めっき層の上に、金めっき層とインジウムめっき層を交互にめっきにより積層する。
この場合は、テスト用基板を長期間使用した後に、マイクロスプリング22をエッチング液に浸漬して、エッチング処理する。その際、エッチング液としては、例えばマイクロスプリング22の先端部の最外層が金めっき層であるとすれば、金(Au)を溶解させることができ、パラジウム(Pd)やインジウム(In)には反応しないエッチング液を選定する。また、逆にマイクロスプリング22の先端部の最外層がバラジウム(Pd)やインジウム(In)めっき層であるとすれば、パラジウム(Pd)やインジウム(In)を溶解させることができ、金(Au)には反応しないエッチング液を選定する。このようなエッチング処理により、マイクロスプリング22の先端部の最外層のめっき層と共に、表面に付着した半田汚れ等を除去することができる。
図3は第2実施形態に係るテスト用基板を用いて例えばLGAパッケージ又は半導体チップ26の検査を行うためのテスト装置(第3実施形態)を示す断面図である。
この第3実施形態では、テスト用基板(絶縁基板10)の周囲部を両面から挟み込むように且つテスト用基板をその厚さ方向に一定(遊び)範囲で移動可能となるように支持する枠状の筐体28を設ける。このため、筐体28の内周部には、テスト用基板を上下方向の所定の遊びをもって支持するために、絶縁基板10の厚さよりも幾分大きい幅をもった溝28aを有する。したがって、テスト用基板(絶縁基板10)の周囲部はこの溝28aの中で上下方向には一定範囲で移動可能に、ただし水平方向には実質的に移動不能となるように保持される。
評価用ボード30はその表面にテスト用基板のマイクロスプリング22の配列に対応する接触端子32が配列・形成されている。このため、テスト用基板を保持した筐体28を評価用ボード30の表面上の所定位置に位置決めし固定した時、テスト用基板(絶縁基板10)は筐体の溝28内の移動範囲の上端位置へ移動すると共に、マイクロスプリング22が弾発的に撓んで評価用ボードの接触端子32に接触することとなる。このように、各マイクロスプリング22が弾発的に撓むことができるので、個々のマイクロスプリング22について多少の寸法上の誤差があったとしても、各マイクロスプリング22が確実且つ安定的に接触端子32に接触することができる。
テスト用基板を保持した筐体28を評価用ボード30に固定した状態で、LGAパッケージ又は半導体チップ(被検査対象)26の検査を行う。被検査対象26の電極や端子14がテスト用基板のボールバンプ16に接触するように、被検査対象16をテスト用基板に押しつける。このとき、テスト用基板(絶縁基板10)はマイクロスプリング22のばね力に抗して筐体28の溝28a内で多少下方へ移動することができるが、各マイクロスプリング22と評価用ボード30の接触端子32との間の電気的接触には何んら影響はなく、被検査対象26の各電極や端子14が、テスト用基板のボールバンプ16、導通ビア24、マイクロスプリング22を経て、評価用ボード30の接触端子32に確実且つ安定的に電気的に接続され、LGAパッケージ又は半導体チップ26の検査が可能となる。
以上添付図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の精神ないし範囲内において種々の形態、変形、修正等が可能である。
以上説明したように、本発明によれば、構造が簡単で高密度化を維持することが可能なテスト用基板を得ることができる。また、またマイクロスプリングを用いることにより、プローブ痕等を減少することができ、テスト用基板として長期間にわたり安定して使用することができる。更に、またピン化、高密度化(フルグリッドアレイ状)、狭いピッチ化に対応することが可能となる。
10…絶縁基板
12…パッケージ又は半導体チップ
14…電極又は端子
16…ボールバンプ
18…配線
20…接続パッド
22…マイクロスプリング
24…導通ビア
26…被検査対象
28…筐体
30…評価用ボード
32…接触端子
12…パッケージ又は半導体チップ
14…電極又は端子
16…ボールバンプ
18…配線
20…接続パッド
22…マイクロスプリング
24…導通ビア
26…被検査対象
28…筐体
30…評価用ボード
32…接触端子
Claims (6)
- 絶縁基板と、該絶縁基板の少なくとも一面に、ワイヤボンディングにより形成され、被検査対象のバンプ又は端子の配列の対応して配列された、先端に細い突出部を有する複数のボールバンプと、から成ることを特徴とするテスト用基板。
- 前記ボールバンプが形成されている絶縁基板の前記一面に、前記ボールバンプに接続する引出し配線が形成され、前記一面の周囲部に前記引出し配線に接続する端子部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載のテスト用基板。
- 絶縁基板と、該絶縁基板の一面に、ワイヤボンディングにより形成され、被検査対象のバンプ又は端子の配列の対応して配列された、先端に細い突出部を有する複数のボールバンプと、前記絶縁基板の他面に配列された複数のマイクロスプリングと、前記各ボールバンプと前記マイクロスプリングとの間を電気的に接続するため前記絶縁基板の一面から他面へ貫通する導通ビアと、から成ることを特徴とするテスト用基板。
- 前記ボールバンプが形成されている絶縁基板の前記一面に、前記ボールバンプに接続する引出し配線が形成され、該引出し配線と前記マイクロスプリングとの間が導通ビアにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項3に記載のテスト用基板。
- 前記絶縁基板はシリコン基板であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のテスト用基板。
- 絶縁基板と、該絶縁基板の一面に、ワイヤボンディングにより形成され、被検査対象のバンプ又は端子の配列の対応して配列された、先端に細い突出部を有する複数のボールバンプと、前記絶縁基板の他面に配列された複数のマイクロスプリングと、前記各ボールバンプと前記マイクロスプリングとの間を電気的に接続するため前記絶縁基板の一面から他面へ貫通する導通ビアと、から成るテスト用基板と、
該テスト用基板の周囲部を両面から挟み込むように且つ該テスト用基板をその厚さ方向に一定範囲で移動可能となるように支持する筐体と、
表面に前記マイクロスプリングの配列に対応する接触端子が配列・形成された評価用ボードと、から成り、
前記テスト用基板を保持した前記筐体を前記評価用ボードの表面上の所定位置に固定した時、前記マイクムスプリングが弾発的に撓んで前記評価用ボードの表面上に形成された前記接触端子に接触することを特徴とするテスト装置。
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JP2003366096A JP2005127961A (ja) | 2003-10-27 | 2003-10-27 | テスト用基板及びそれを使用したテスト装置 |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007080592A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Fujitsu Component Ltd | 半導体装置実装用ソケット |
JP2008533441A (ja) * | 2005-02-08 | 2008-08-21 | ナノネクサス インク | Icパッケージおよび相互接続アゼンブリのための高密度の相互接続システム |
JP2008243459A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | ソケット |
CN111938635A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-11-17 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 脑电极后端连接用凸点、测试板的制备方法及测试结构 |
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2003
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JP2007080592A (ja) * | 2005-09-12 | 2007-03-29 | Fujitsu Component Ltd | 半導体装置実装用ソケット |
JP2008243459A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | ソケット |
JP4494429B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2010-06-30 | 日本航空電子工業株式会社 | ソケット |
CN111938635A (zh) * | 2020-08-10 | 2020-11-17 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 脑电极后端连接用凸点、测试板的制备方法及测试结构 |
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