JPH09330995A

JPH09330995A - 回路基板とその製造方法、その回路基板を用いたバンプ式コンタクトヘッドと半導体部品実装モジュール

Info

Publication number: JPH09330995A
Application number: JP27101696A
Authority: JP
Inventors: Noboru Shinkai; 昇新開; Tatsuo Wada; 辰男和田; Katsuro Aoshima; 克郎青島
Original assignee: MACH AKUTEIBU CONTACT KK; Meiko Co Ltd
Current assignee: MACH AKUTEIBU CONTACT KK; Meiko Co Ltd
Priority date: 1995-10-13
Filing date: 1996-10-14
Publication date: 1997-12-22
Anticipated expiration: 2016-10-14
Also published as: JP2977124B2

Abstract

(57)【要約】【課題】表面に高さのばらつきが小さいバンプのパタ
ーンが形成されていて、そこに半導体部品を高密度実装
することが可能な回路基板を提供する。【解決手段】この回路基板は、レジスト層と絶縁基板
とから成る絶縁基材１の中に、電気めっき法で形成され
た導体回路２ａが埋設され、その表面にはバンプ３が表
出し、これらの間は、いずれも、電気めっき法で形成さ
れる柱状導体５₁で電気的に接続されており、またバン
プ３は異なる導電材料を電気めっき法で層状体３ａ，３
ｂとして２層以上積層して成る多層構造体であり、この
回路基板でバンプの形成個所に弾性部材を配置するとコ
ンタクトヘッドとして使用することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、少なくとも一方の
表面に高さのばらつきが非常に小さいバンプのパターン
が突設されている回路基板とその製造方法に関し、更に
詳しくは、回路基板の全体的な出入力端子と導体回路と
の間に信頼性の高い導通構造が形成されており、そして
半導体素子の高密度実装が可能である回路基板、更に
は、その回路基板を用いることによって得られるバンプ
式コンタクトヘッドであって、ＬＳＩ，液晶パネル，Ｔ
ＡＢ，ＰＤＰなどの回路部品の配線回路における障害点
の有無を検査するときに、それら回路部品がファインピ
ッチのものであっても充分に対応することができ、検査
端子間のピッチ精度が高く、また高周波特性に優れてい
るバンプ式コンタクトヘッドと、それらを高い生産性の
下で安価に製造する方法に関する。

【０００２】また、本発明は、前記した回路基板を実装
用の基板とし、ここに各種の半導体部品をダイボンド方
式で実装した新規な接続構造の半導体部品実装モジュー
ルに関する。

【０００３】

【従来の技術】コンピュータ，携帯用通信機器，液晶パ
ネルなどの各種電子機器に組み込まれる半導体素子パッ
ケージは、導体回路の所定パターンが形成されている回
路基板の上にベアチップのような半導体素子を通常は１
個搭載し、当該素子と導体回路の出入力端子との間の導
通をとって半導体素子を実装し、全体を樹脂モールドし
た構造になっているのが通例である。

【０００４】そして、半導体素子の実装に関しては、回
路基板に半導体素子をダイボンドし、回路基板の出入力
端子と半導体素子の端子（ランド部）をワイヤボンディ
ングする方法，フリップチップを回路基板の出入力端子
に例えばはんだを用いて接続する方法，回路基板の出入
力端子と半導体素子のリード端子を直接はんだで接続す
る方法などが実施されている。

【０００５】このようにして製造された半導体素子パッ
ケージは、所定パターンの導体回路が配線されているマ
ザーボード（実装用基板）に実装されて実機に組み込ま
れる。その場合、１個の半導体素子パッケージのマザー
ボードに対する面積比は、通常、１／１０〜１／５程度
であり、そのため、マザーボードには複数個の半導体素
子パッケージが実装される。

【０００６】マザーボードへの実装に関しては、従来は
ワイヤボンディング法が一部適用されていたが、最近で
は、高密度実装の要請に応えるために、マザーボードの
ランド部へクリームはんだをパターン印刷し、そこに半
導体素子パッケージの端子（リード端子やボールグリッ
ドアレイ）を位置合わせして載せ、ついで全体をリフロ
ー装置に通して一括はんだ付けを行うという方法が広く
採用されている。

【０００７】ところで、最近は電子機器の小型化，高速
化，多機能化が進んでいるが、そのことに伴って、全体
形状は小型であっても半導体部品の高密度実装を可能と
する回路基板への要請が一層強まっている。そのために
は、回路基板が多層回路基板であり、形成される導体回
路がファインパターンになっていることが好ましいこと
になる。しかしながら、従来から知られている多層回路
基板は、通常、いわゆるビルドアップ方式で製造されて
いるため次のような問題がある。

【０００８】ビルドアップ方式で多層回路基板を製造す
る場合には、まず、最下層の絶縁基板の表面に信号パタ
ーンとして機能する導体回路を形成して単位回路基板を
製造し、更にその上に、別の信号パターンとして機能す
る導体回路が形成されている別の単位回路基板を重ね合
わせて一体化する作業を順次行い、下の方から上の方へ
順次組み立てていく。

【０００９】その場合、上層の導体回路と下層の導体回
路との導通構造は、通常、単位回路基板の厚み方向に複
数のスルーホールを所定の平面パターンで穿設し、この
スルーホールの壁面に例えば無電解めっきを行って導電
性を付与したのち、下層の導体回路を導電路にして電気
めっきを行い、そのめっき層で上層の導体回路のランド
部と下層の導体回路のランド部とを電気的に接続してい
る。

【００１０】したがって、高密度実装を実現するために
は、前記したスルーホールを細径化することが必要にな
るが、実際問題としては、その孔径には限界がある。ま
ず、スルーホールは、一般に、ドリル研削によって穿設
されているので、ドリル強度との関係もあってその孔径
をあまり小径にすることができない。ドリル研削による
孔径は、通常、１５０〜２００μｍ程度である。なお、
ホトリソグラフィーを適用した場合でも１００〜１５０
μｍ程度である。

【００１１】また、穿設したスルーホールの壁面に、前
記した無電解めっきと電気めっきを組み合わせてめっき
層を形成した場合、このめっき層の厚みが薄すぎると、
下層の導体回路と上層の導体回路との電気的な導通は満
足すべき状態にならないので、このめっき層の厚みはあ
る程度の厚みが確保されていなければならない。回路基
板の種類によっても異なるが、導体回路間に良好な導通
を実現するために、めっき層の厚みは通常２０〜３０μ
ｍ程度に設定されている。

【００１２】したがって、スルーホールによる導通構造
では孔径１５０〜２００μｍのスルーホールの壁面に厚
み１５〜２０μｍのめっき層が形成されているのが通例
であるが、その場合、スルーホールの中心部には、導体
回路間の導通に全く無関係で直径が１００〜１５０μｍ
程度の死空間が存在していることになる。また、インナ
ーバイヤホールの場合であっても、その孔径が例えば１
００μｍであると、死空間の孔は６０〜７０μｍ程度に
なる。すなわち、従来のスルーホールやインナーバイヤ
ホールの場合は、その細径化の実現に限界があり、しか
も導体回路間の導通にとっては無駄な孔径にならざるを
得なくなる。

【００１３】また、ビルドアップされていく各内層のス
ルーホールの壁面にめっき層を形成する場合には、通
常、次のような操作が行われている。すなわち、まず対
象とする内層の表面（形成されているスルーホールやイ
ンナーバイヤホールの壁面も含む）の全面に亘って無電
解めっきを行って導電性を付与したのちそこに電気めっ
きを行って薄いめっき層を形成する。ついで、そのめっ
き層の表面を被覆して例えばドライフィルムを貼着し、
それに露光・現像処理を行ってスルーホールの個所だけ
を表出させ、他の個所はマスキングした状態にし、更に
電気めっきを行ってスルーホールの壁面（およびランド
部）に所定厚みのめっき層を形成する。そして、前記し
たドライフィルムを剥離し、表出した内層の表面の薄い
めっき層と無電解めっきを例えばソフトエッチングして
除去する。

【００１４】したがって、各内層をビルドアップして多
層回路基板を製造する場合、各内層ごとに上記操作を反
復することが必要となり、その製造工程は複雑である。
そのため、製造には長大な時間が必要となり、製造コス
トは高価格にならざるを得ない。ところで、インナーバ
イヤホールの場合、バイヤホールの壁面にめっき層を形
成したのち、その中央に残っている前記死空間に例えば
導電ペーストを埋め込んで各層間に中実の導通構造を形
成することも行われている。

【００１５】その場合、前記導電ペーストの埋め込みに
代えて電気めっきで全てのバイヤホールの中に同時に導
電材料を電着・充填することにより前記中実の導通構造
を形成することも考えられるが、ビルドアップ方式の場
合には、電気めっき用の入力端子用の導電路を製造時に
おける最初の段階から別途設けておくことが必要であ
り、製造工程は一層複雑になってしまう。

【００１６】また、半導体素子パッケージなどの実装用
基板や、マザーボードのようにその実装面にバンプパタ
ーンが突設されている回路基板をビルドアップ方式で形
成する場合には、ビルドアップしてきた導体回路のうち
の最上層の導体回路の所定個所に、例えば電気めっき法
でバンプ用の材料を電着して目的とする高さのバンプパ
ターンを形成することになる。

【００１７】しかしなから、実際の電気めっきにおいて
は、めっき条件の微妙な変動を受けたり、また、各バン
プ形成個所への電流の流れ具合がそれぞれ異なることな
どの影響を受けて、バンプパターンを構成する各バンプ
の全てが同じ高さで形成されることはなく、それぞれの
バンプの高さにばらつきが生じてくる。例えば、高さ0.
０３mmを目標とするバンプの場合、その高さのばらつき
は、一般に、±0.００３mm程度になる。

【００１８】このバンプの高さのばらつきが大きくなる
と、ここに半導体素子パッケージのランド部を位置決め
して載せてリフロー処理を行っても、前記ランド部と接
続しないバンプも存在することになる。すなわち、信頼
性に富む実装の実現はできなくなる。このようなことか
ら、実装面にバンプパターンが形成されている回路基板
においては、形成されているバンプの高さのばらつきを
極力小さくすることが要請されることになる。

【００１９】ところで、ＬＳＩや液晶パネルなどにおけ
る配線回路の障害点の有無を検査するコンタクトヘッド
も１種の回路基板であり、それは、従来、絶縁性のリジ
ット材料でピンプローブやＬ型針を埋込み、これらの先
端が検査対象の配線回路における所定の検査個所に接触
できるように所定のピッチでヘッド本体に固定し、他端
には配線をはんだ付けして、そこから検査個所における
信号を検出して使用するというものである。また一方で
は、所定の回路パターンを有する回路基板における所定
の回路個所に例えば電気めっきでバンプを形成したり、
または半導体分野で使用されている成膜法などによって
バンプを形成して、このバンプを前記したピンプローブ
やＬ型針に代えて動作させるというバンプ方式のものも
ある。

【００２０】ところで、最近は、検査対象である各種の
回路部品における回路パターンのファイン化が進み、そ
れに伴って、検査個所相互間のピッチもファイン化して
いる。このような検査個所のファインピッチ化に対し、
ピンプローブ式のヘッドの場合は、ピンプローブの先端
を突出させるための穴をヘッドの面に微小間隔をなして
千鳥模様に形成して対応している。また、Ｌ型針を用い
るヘッドの場合は、固定するＬ型針を階層構造にして対
応している。

【００２１】しかしながら、上記したこれらの対策の場
合、いずれも、検査個所のファインピッチ化に対応して
著しく増加してくるピンプローブやＬ型針の１本１本を
一定のピッチで固定する作業が必要であり、また、それ
ら１本１本に配線をはんだ付けする作業も必要であるた
め、製品の完成には高度の熟練と長大な作業時間を要
し、得られたヘッドは不可避的に極めて高価格となって
しまう。更には、ピンプローブやＬ型針をヘッドに固定
したのちであっても、それぞれの先端の正確な位置確認
とそのための手直し作業が必要であり、また出荷までの
保管時には、上記先端を他の物品にぶつけないようにす
る細心の注意を払うことも必要になる。

【００２２】そして、階層構造になっているＬ型針を有
するヘッドの場合、各Ｌ型針は長さ部分が平行して配列
された状態にあるので、例えば検査スピードを高めるた
めに入出力信号の高周波化を進めると、得られる信号特
性に悪影響が及び、検査誤差を引き起こすことがある。
一方、バンプ方式のヘッドにおいて、そのバンプを電気
めっき法で形成する場合には、前記したようにバンプの
高さのばらつきが大きくなる。このバンプ高さのばらつ
きが大きいことは、配線回路の検査個所に全てのバンプ
を確実に接触させることを至上課題とするヘッドにとっ
て、致命的な問題になってしまう。

【００２３】また、半導体分野で使用されている薄膜製
造装置でバンプを形成する場合には、前記薄膜製造装置
は非常に高価であるため、得られるヘッドもまた非常に
高価となり、しかも、プローブカードと一体にするため
の機構が必要であり、また、検査時には配線回路の検査
個所に接触させるためにバンプを上方に移動させ、検査
終了後にはバンプを下方に移動させるための駆動機構が
必要になる。そのため、得られたヘッドはその機構が複
雑になり、しかも高価格化する。

【００２４】また、実装用基板においては、それに半導
体部品を高密度実装しようとしても、部品を実装する個
所が増加すればするほど、従来の基板ではその導通構造
が前記したようにスルーホールやインナーバイヤホール
を主体としているため不可避的に死空間が増大する。そ
のため、ある規格サイズの実装用基板においては、部品
の実装に必要なバンプパターン（またはランド部）の形
成個所やその広さは限定されることになり、高密度実装
への努力は制限されざるを得なくなる。そして、高密度
実装の実現を意図した場合、更なる信号パターンの引回
しなどが必要になり、そのために、基板は一層多層化せ
ざるを得ず、そのことにより信号パターンの配線は一層
長くなり、その結果として、得られた実装用基板の電気
特性面における信頼性の低下が引き起こされることもあ
る。

【００２５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、少なくとも
一方の表面にバンプパターンが形成されていて、そこを
ベアチップまたは半導体素子パッケージの実装面とする
ことにより、半導体素子パッケージ用の基板またはマザ
ーボードとして機能させることができる回路基板を提供
することを目的とする。

【００２６】また本発明は、バンプ高さのばらつきが非
常に小さい回路基板を提供すること、導体回路間の導通
構造を確実に保持しつつそれが細径化しているので、ベ
アチップや半導体素子パッケージの高密度実装が可能に
なる回路基板を提供すること、および、ベアチップや半
導体素子パッケージを直接バンプを介して実装すること
ができるので、部品の実装時における省力化を可能にす
る回路基板を提供することを目的とする。

【００２７】また、本発明は、従来のビルドアップ方式
で多層回路基板を製造するときに採用される機械加工を
行うことなく、いわば逆ビルドアップ方式ともいうべき
方法で、少なくとも一方の表面に高さのばらつきの小さ
いバンプパターンが形成されている回路基板の製造方法
の提供、および導体回路や導通構造の形成を電流密度の
高い電気めっき法で行うことができるので、目的とする
回路基板を高い生産性の下で製造することができる回路
基板の製造方法の提供を目的とする。

【００２８】更に本発明は、検査対象がファインピッチ
化していても容易にそのことに対処することができ、高
周波検査時においても検査誤差を生ずることがなく、し
かも安価に製造することができるバンプ式コンタクトヘ
ッドとその製造方法の提供を目的とする。また、本発明
は、バンプを介してベアチップや半導体素子パッケージ
が実装されている半導体部品実装モジュールにおいて、
バンプと、ベアチップや半導体素子パッケージのランド
部とが機械的に接触して導通している新規な構造の半導
体部品実装モジュールの提供を目的とする。

【００２９】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、絶縁基材の少なくとも片
面には少なくともバンプが形成され、前記絶縁基材の少
なくとも片面または／および内部には少なくとも１層の
導体回路が配線され、前記バンプと導体回路の間または
／および各導体回路間にはそれらを電気的に接続する導
通構造が形成されている回路基板において、少なくとも
前記バンプは、少なくとも２種類の導電材料を順次電着
して成る多層構造体であることを特徴とする回路基板が
提供される。

【００３０】とくに、前記導通構造は柱状導体から成
り、また、前記バンプは、外層部が金，ニッケル，ニッ
ケル合金などの耐食性の導電材料から成り、内層部が銅
から成る２層構造体である回路基板が提供される。ま
た、本発明においては、導電基板と、前記導電基板の少
なくとも片面に形成された導体薄層と、前記導体薄層の
表面に形成された電着層と、前記電着層の所定個所に埋
設して形成され、少なくとも２種類の導電材料を順次電
着して成る多層構造体のバンプと、前記電着層を被覆し
て形成されたレジスト部Ａと、前記レジスト部Ａに埋設
して形成され、前記バンプに接続する第１の柱状導体ま
たは導体回路もしくはランド部回路と、前記レジスト部
Ａに埋設して形成され、前記導体回路または前記ランド
部回路に接続し、その端面は前記レジスト部Ａの表面に
表出している第２の柱状導体と、から成る部材Ａを製造
する工程Ａ；前記部材Ａのレジスト部Ａの表面に１層の
導体回路が形成されている部材Ｂ(1)、または、複数層
の導体回路とそれら導体回路間を接続する柱状導体が別
のレジスト部Ｂに埋設して形成され、かつ、最後の導体
回路は前記レジスト部Ｂの表面に形成されている部材Ｂ
(2)を製造する工程Ｂ；前記部材Ｂ(1)または部材Ｂ
(2)の前記導体回路側の表面を絶縁基材の表面に熱圧着
して、前記導体回路が前記絶縁基材に埋設されて成る一
体化物Ｃを製造する工程Ｃ；ならびに、前記一体化物Ｃ
から前記導電基板を剥離したのち、前記導体薄層および
前記電着層を順次エッチング除去してバンプを表出させ
る工程Ｄ；を備えている回路基板の製造方法が提供され
る。

【００３１】とくに、前記した工程Ａが、電気めっき法
で、導電基板の少なくとも片面を被覆して導体薄層を形
成する工程Ａ₁；前記導体薄層を被覆してレジスト層ａ₁
を形成したのち露光・現像処理を行って、前記レジスト
層ａ₁をバンプ形成予定個所にのみ残置せしめて前記導
体薄層の他の表面を露出させる工程Ａ₂；前記導体薄層
の露出表面に、電気めっき法で、前記バンプ形成予定個
所に残置するレジスト層ａ₁と面一に導電材料を電着し
て電着層を形成する工程Ａ₃；前記バンプ形成予定個所
に残置する前記レジスト層ａ₁を除去して、前記電着層
に、前記導体薄層の表面が露出しているバンプ用凹みを
形成する工程Ａ₄；前記電着層の表面を被覆してレジス
ト層ａ₂を形成したのち露光・現像処理を行って、前記
レジスト層ａ₂に、前記バンプ用凹みに連通する第１の
孔と、形成すべきランド部回路の回路パターンに相当す
る平面パターンを形成する工程Ａ₅；電気めっきを行っ
て、前記バンプ用凹みと前記第１の孔と前記平面パター
ンに第１の導電材料を層状に電着し、ついで、形成され
た層状体の上に、前記第１の導電材料とは異なる少なく
とも１種の導電材料を更に順次電着し、前記バンプ用凹
みと前記第１の孔と前記平面パターンを、２種以上の導
電材料が積層して成る多層構造体で充填してバンプと第
１の柱状導体とランド部回路を一括して形成する工程Ａ
₆；前記レジスト層ａ₂を除去して前記電着層の表面を露
出させる工程Ａ₇；前記電着層の露出表面を被覆して前
記第１の柱状導体の端面が表出する厚みでレジスト層ａ
₃を形成する工程Ａ₈；前記レジスト層ａ₃と前記第１の
柱状導体の端面を被覆して、無電解めっき法で、めっき
薄膜を形成する工程Ａ₉；前記めっき薄膜を被覆してレ
ジスト層ａ₄を形成したのち露光・現像処理を行って、
前記レジスト層ａ₄に、形成すべき導体回路の回路パタ
ーンに相当する平面パターン、および前記ランド部回路
に連通する孔の平面パターンを形成して、それらの平面
パターンから前記めっき薄膜の表面を露出させる工程Ａ
₁₀；電気めっきを行って、前記平面パターンに導電材料
を電着して導体回路、および前記ランド部回路に接続す
る柱状導体を一括して形成する工程Ａ₁₁；前記レジスト
層ａ₄を除去し、露出した前記めっき薄膜をエッチング
除去して前記レジスト層ａ₃を露出させる工程Ａ₁ ₂；前
記導体回路、ランド部回路に接続する前記柱状導体、お
よび前記レジスト層ａ₃を、レジスト層ａ₅で被覆して前
記レジスト層ａ₃と前記レジスト層ａ₅とから成るレジス
ト部Ａを形成したのち露光・現像処理を行って、前記導
体回路、およびランド部回路に接続する前記柱状導体に
連通する第２の孔を形成する工程Ａ ₁₃；ならびに、電気
めっきを行って、前記第２の孔の中に導電材料を充填し
て第２の柱状導体を形成する工程Ａ₁₄；ら成る回路基板
の製造方法が提供される。

【００３２】また、本発明においては、前記した工程Ｂ
(1)が、前記部材Ａにおける前記レジスト層ａ₅の全面を
被覆して、無電解めっき法で、めっき薄膜を形成する工
程Ｂ₁；前記めっき薄膜を被覆してレジスト層ｂ₁を形成
したのち露光・現像処理を行って、形成すべき導体回路
の回路パターンに相当する平面パターンを形成して、そ
の平面パターンから前記めっき薄膜の表面を露出させる
工程Ｂ₂；電気めっきを行って、前記めっき薄膜の露出
表面に導電材料を電着して導体回路を形成する工程
Ｂ₃；および、前記レジスト層ｂ₁を除去し、露出した前
記めっき薄膜をエッチング除去して前記レジスト層ａ₅
を露出させる工程Ｂ₄；から成る回路基板の製造方法が
提供される。

【００３３】また、本発明においては、前記工程Ｂ(2)
が、前記部材Ｂ(1)に対し、レジスト層ａ₅と前記導体回
路を被覆してレジスト層ｂ₂を形成したのち露光・現像
処理を行って、前記レジスト層ｂ₂に、前記導体回路に
連通する孔を形成する工程Ｂ₅；電気めっきを行って、
前記孔の中に導電材料を電着して柱状導体を形成する工
程Ｂ₆；前記レジスト層ｂ₂の全面を被覆して、無電解め
っき法で、めっき薄膜を形成する工程Ｂ₇；前記めっき
薄膜を被覆してレジスト層ｂ₃を形成したのち露光・現
像処理を行って、前記レジスト層ｂ₃に、形成すべき導
体回路の回路パターンに相当する平面パターンを形成し
て、その平面パターンから前記めっき薄膜の表面を露出
させる工程Ｂ₈；電気めっきを行って、前記平面パター
ンに、導電材料を電着して導体回路を形成する工程
Ｂ₉；および、前記レジスト層ｂ₃を除去し、露出した前
記めっき薄膜をエッチング除去して前記レジスト層ｂ₂
を露出させる工程Ｂ₁₀；を少なくとも１回行う工程であ
る、請求項８の回路基板の製造方法が提供される。

【００３４】更に本発明においては、前記工程Ａが、導
電基板の少なくとも片面を被覆して、電気めっき法で、
導体薄層を形成する工程Ａ₁；前記導体薄層を被覆して
レジスト層ａ₁を形成したのち露光・現像処理を行っ
て、前記レジスト層ａ₁を、バンプ形成予定個所にのみ
残置せしめて前記導体薄層の他の表面を露出させる工程
Ａ ₂；前記導体薄層の露出表面に、電気めっき法で、前
記バンプ形成予定個所に残置する前記レジスト層ａ₁と
面一に導電材料を電着して電着層を形成する工程Ａ₃；
前記バンプ形成予定個所に残置するレジスト層ａ₁を除
去して、前記電着層に、前記導体薄層の表面が露出して
いるバンプ用凹みを形成する工程Ａ₄；前記電着層の表
面を被覆してレジスト層ａ₂を形成したのち露光・現像
処理を行って、前記レジスト層ａ₂に、前記バンプ用凹
みに連通する平面パターンであって、形成すべき導体回
路の回路パターンに相当する平面パターン、および、必
要に応じてはランド回路の回路パターンに相当する平面
パターンを形成する工程Ａ₁₅；電気めっきを行って、前
記バンプ用凹みと前記平面パターンに第１の導電材料を
層状に電着し、ついで、形成された層状体の上に、前記
第１の導電材料とは異なる少なくとも１種の導電材料を
順次電着し、前記バンプ用凹みと前記導体回路と必要に
応じては前記ランド部回路を２種以上の導電材料が積層
して成る多層構造体で充填して、バンプと導体回路と必
要に応じてはランド部回路を一括して形成する工程
Ａ₁₆；前記導体回路および必要に応じてはランド部回路
を被覆してレジスト層ａ₃を形成したのち露光・現像処
理を行って、前記レジスト層ａ₃に、前記導体回路およ
び必要に応じてはランド部回路に連通する第１の孔を形
成する工程Ａ ₁₇；ならびに、電気めっきを行って、前記
第１の孔の中に導電材料を電着して柱状導体を形成する
工程Ａ₁₈；から成る回路基板の製造方法が提供される。

【００３５】また、本発明においては、絶縁基板の所定
個所には、少なくとも上面が上下動可能な可動部位が形
成され、前記可動部位の上面は前記絶縁基板の上面と面
一状態にあり、前記絶縁基板の上面または／および内部
には、前記可動部位にまで延在する複数本の信号導体が
配線され、少なくともその先端は前記可動部位に位置し
ており、前記信号導体の前記先端の上面には、少なくと
も２種類の導電材料を順次電着して成る多層構造体のバ
ンプが突設されていることを特徴とするバンプ式コンタ
クトヘッドが提供される。

【００３６】とくに、前記可動部位が、前記絶縁基板の
厚み方向に形成された貫通孔と、前記貫通孔に配設され
た弾性部材とから成り、前記弾性部材の上面は前記貫通
孔の上部開口から表出している、バンプ式コンタクトヘ
ッドが提供され、また、前記可動部位が、前記絶縁基板
の上面側が薄肉部となるように前記絶縁基板の厚み方向
に段差構造をなして形成された貫通孔の前記薄肉部であ
り、前記貫通孔の上部開口の平面視形状は四角形をな
し、その四角形の四隅には前記絶縁基板の周縁部方向に
延びるスリットが少なくとも前記段差構造における前記
薄肉部の基部にまで刻設され、前記薄肉部の平面視形状
は舌片形状をなしている、バンプ式コンタクトヘッドが
提供され、更に前記可動部位が、前記絶縁基板の上面側
が薄肉部となるように前記絶縁基板の厚み方向に段差構
造をなして形成され、上部開口の平面視形状は四角形で
あり、その四角形の四隅には前記絶縁基板の周縁部方向
に延びるスリットが少なくとも前記段差構造における前
記薄肉部の基部にまで刻設され、前記薄肉部の平面視形
状は舌片形状をなしている貫通孔と、前記貫通孔に配設
された弾性部材とから成り、前記弾性部材の上面は前記
貫通孔の上部開口から表出し、前記弾性部材の上面にま
で前記信号導体が配線されている、バンプ式コンタクト
ヘッドが提供される。

【００３７】また、本発明においては、導電薄板の表面
を被覆して第１のレジスト層を形成したのち露光・現像
処理を行って、形成すべきバンプの位置に相当する個所
に前記導電薄板の表面を露出させる工程；前記導電薄板
の露出表面にエッチング処理を行って前記導電薄板の露
出表面にバンプ用凹みを形成したのち、前記第１のレジ
スト層を除去する工程；表出した導電薄板の表面を被覆
して第２のレジスト層を形成したのち露光・現像処理を
行って、形成すべき信号導体のパターンに相当する平面
パターンで前記導電薄板の表面を露出させる工程；電気
めっきを行って、前記バンプ用凹みと前記平面パターン
に第１の導電材料を層状に電着し、ついで、形成された
層状体の上に、前記第１の導電材料とは異なる少なくと
も１種の導電材料を更に順次電着し、前記バンプ用凹み
と前記平面パターンを２種以上の導電材料が積層して成
る多層構造体で充填してバンプと信号導体を一括して形
成する工程；前記第２のレジスト層を除去したのち、そ
の表出面を、所定形状の開口を有する貫通孔が形成され
ている絶縁基板の前記開口側の表面に熱圧着する工程；
ならびに、前記貫通孔と前記導電薄板が形成する空洞部
に弾性部材を充填したのち、前記導電薄板をエッチング
除去して前記バンプと前記信号導体の上面を表出させる
工程；を備えていることを特徴とするバンプ式コンタク
トヘッドの製造方法が提供される。

【００３８】また、本発明においては、導電基板の少な
くとも片面を被覆して、電気めっき法で、導体薄層を形
成する工程；前記導体薄層を被覆して第１のレジスト層
を形成したのち露光・現像処理を行って、前記第１のレ
ジスト層を、バンプ形成予定個所にのみ残置せしめて前
記導体薄層の他の表面を露出させる工程；前記導体薄層
の露出表面に、電気めっき法で、前記バンプ形成予定個
所に残置する前記第１のレジスト層と面一に導電材料を
電着して電着層を形成する工程；前記バンプ形成予定個
所に残置する前記第１のレジスト層を除去して、前記電
着層に、前記導体薄層の表面が露出しているバンプ用凹
みを形成する工程；前記電着層の表面を被覆して第２の
レジスト層を形成したのち露光・現像処理を行って、前
記第２のレジスト層に、形成すべき信号導体のパターン
に相当する平面パターンで前記電着層の表面を露出させ
る工程；電気めっきを行って、前記バンプ用凹みと前記
平面パターンに第１の導電材料を層状に電着し、つい
で、形成された層状体の上に、前記第１の導電材料とは
異なる少なくとも１種の導電材料を更に順次電着し、前
記バンプ用凹みと前記平面パターンを２種以上の導電材
料が積層して成る多層構造体で充填してバンプと信号導
体を一括して形成する工程；前記第２のレジスト層を除
去したのち、その表出面を、所定形状の開口を有する貫
通孔が形成されている絶縁基板の前記開口側の表面に熱
圧着する工程；前記貫通孔と前記電着層が形成する空洞
部に弾性部材を充填したのち、前記導電基板を剥離し、
ついで、前記導体薄層および電着層を順次エッチング除
去してバンプおよび信号導体を表出させる工程；を備え
ていることを特徴とするバンプ式コンタクトヘッドの製
造方法が提供される。

【００３９】そして、本発明においては、絶縁基材の少
なくとも片面に、少なくとも２種類の導電材料を層状に
電着して成る多層構造体のバンプが形成されている回路
基板と、前記回路基板に接着剤を用いて実装された半導
体部品とを有し、前記半導体部品のランド部は、前記バ
ンプと機械的に接触していることを特徴とする半導体部
品実装モジュールが提供される。とくに、実装時に用い
る接着材が、硬化時に寸法収縮する接着剤である半導体
部品実装モジュールが提供される。

【００４０】

【発明の実施の形態】以下、図面に則して、まず最初
に、本発明の回路基板とその製造方法について詳細に説
明する。図１と図１のII−II線に沿う断面図である図２
は、本発明の回路基板Ｍ₁を示し、また、図３と図３のI
V−IV線に沿う断面図である図４は、本発明の別の回路
基板Ｍ₂を示している。

【００４１】そして、図５は本発明の更に別の回路基板
（マルチチップバンプボード）Ｍ₃を示す斜視図であ
り、図６は本発明の他の回路基板（マルチチップバンプ
ボード）Ｍ₄を示す斜視図である。これらの回路基板
Ｍ₁，Ｍ₂，Ｍ₃，Ｍ₄は、いずれも共通して、絶縁基材１
の表面１ａに、所定の平面パターンを形成してバンプ３
が突設されている。そして、回路基板Ｍ₁，Ｍ₂，Ｍ
₃は、いずれも、絶縁基材１の表面１ａにランド部回路
４が表出している。しかし、回路基板Ｍ₄では前記ラン
ド部回路は表出しておらず、絶縁基材１の内部に形成さ
れている。

【００４２】また、回路基板Ｍ₁，Ｍ₂を比較すると、回
路基板Ｍ₁の場合は、絶縁基材１の表面１ａに後述する
導体回路は表出していないが、回路基板Ｍ₂の場合は絶
縁基材１の表面１ａに導体回路２ａが表出した構造にな
っている。これら回路基板のうち、その基本構造は回路
基板Ｍ₁，Ｍ₂で代表させることができる。回路基板（マ
ルチチップバンプボード）Ｍ₃は、回路基板Ｍ₁に比べて
バンプパターンの数が異なるだけであり、回路基板Ｍ₁
の変形例として位置づけることができ、また回路基板
（マルチチップバンプボード）Ｍ₄は、後述する製造方
法において、ランド部回路４を絶縁基板１に所定のパタ
ーンで内設することによって得ることができる。

【００４３】このようなことから、まずもって回路基板
Ｍ₁，Ｍ₂について詳細に説明する。まず、回路基板
Ｍ₁，Ｍ₂の場合、いずれも、絶縁基材１の内部には複数
層（図では２層）の導体回路２ａ，２ｂが前記絶縁基材
１の厚み方向に対して互いに所定の間隔を置いて埋設さ
れている。そして、回路基板Ｍ₁の場合は、絶縁基材１
の表面１ａにバンプ３が突出し、かつランド部回路４が
表出していて、表面側に位置する最上層の導体回路２ａ
は表面１ａに表出しておらず、バンプ３と導体回路２
ａ，ランド部回路４と導体回路２ｂ，各導体回路２ａ，
２ｂ間はいずれも後述する柱状導体５₁，５で電気的に
接続されている。

【００４４】その場合、バンプ３と最上層の導体回路２
ａの導通構造を形成する最初の柱状導体５₁は、後述す
る製造方法との関係で、その断面の大きさがバンプ３の
断面の大きさよりも大きくなっている。しかし、それ以
外の柱状導体は、いずれも小径である。また、回路基板
Ｍ₂の場合は、最上層の導体回路２ａとランド部回路４
が絶縁基材１の表面１ａにいずれも表出しており、かつ
前記導体回路２ａの先端にバンプ３が一体的に形成され
ている。

【００４５】この構造の回路基板Ｍ₂は、導体回路を複
数層形成することなく、最上層の導体回路２ａの１層だ
けにすることにより、後述する本発明のバンプ式コンタ
クトヘッドとして使用することができる。これらの回路
基板Ｍ₁，Ｍ₂は、いずれも、図の仮想線で示したよう
に、バンプパターンの個所に所定の半導体部品Ｓが実装
される。その場合、半導体部品Ｓがベアチップであれ
ば、これら回路基板Ｍ₁，Ｍ₂は半導体素子パッケージを
組み立てるときの実装用基板として使用することがで
き、また、半導体部品Ｓが既に組み立てられた半導体素
子パッケージであれば、これら回路基板Ｍ₁，Ｍ₂をマザ
ーボードとして使用することができる。

【００４６】そして、回路基板Ｍ₁の場合、図７で示し
たように、バンプ３は別種の導電材料を順次電着して形
成される層状体３ａ，３ｂが積層して成る多層構造体
（図では２層構造体）になっており、またランド部回路
４も別種の導電材料を順次電着して形成される層状体４
ａ，４ｂが積層して成る多層構造体（図では２層構造
体）になっている。そして、バンプ３における外層部を
形成する層状体３ａの導電材料とランド部回路４におけ
る外層部を形成する層状体４ａの導電材料とはいずれも
同一の材料で構成されており、バンプ３における内層部
を形成する層状体３ｂの導電材料とランド部回路４にお
ける内層部を形成する層状体４ｂの導電材料とはいずれ
も同一の材料になっている。

【００４７】その場合、外層部３ａ，４ａは、後述する
製造方法で用いるエッチャントに対するバリヤ層として
機能させることからして、それを構成する導電材料はそ
のエッチャントに対して耐食性を有する材料になってい
る。例えば前記エッチャントとして銅をエッチング除去
するものを使用する場合には、外層部３ａ，４ａを構成
する導電材料としては金，ニッケル，ニッケル−コバル
トのようなニッケル合金を好適例とすることができる。
また、内層部３ｂ，４ｂは導電性に優れる銅で形成する
ことが好ましい。

【００４８】なお、最初の柱状導体５₁の場合、バンプ
３よりも断面形状が大きいので、バンプ３との間で形成
されている段差構造の境界部付近は前記した外層部３ａ
を形成する導電材料の層が形成されているが、他の部分
は全て内層部３ｂと同じ導電材料をもって形成されてい
る。一方、回路基板Ｍ₂の場合は、図８で示したよう
に、絶縁基材１の表面１ａに表出しているバンプ３と導
体回路２ａは、いずれも、回路基板Ｍ₁の場合と同じよ
うに外層部３ａ（４ａ）と内層部３ｂ（４ｂ）の多層構
造体になっており、同時に、表面１ａに表出しているラ
ンド部回路４もまた、その上面は前記した外層部３ａ
（４ａ）と同じ導電材料の層になっており、その下に位
置する部分が前記した内層部３ｂ（４ｂ）と同じ材料で
構成されている。

【００４９】なお、上記多層構造体の説明においては、
多層構造体が２層構造体である場合について行ったが、
この多層構造体は２層構造に限定されるものではなく、
例えば外層部が異なる導電材料を２種以上層状に電着し
て形成した２層以上の層状体であってもよい。しかし、
その場合でも、最上層を構成する層は、前記したよう
に、後述する工程で用いるエッチャントに対する耐食性
を備えた導電材料であることが必要である。

【００５０】これらの回路基板Ｍ₁，Ｍ₂において、柱状
導体５₁，５は後述する方法で形成された孔の中に導電
材料を電気めっき法で電着することによりその導電材料
を充填したものである。したがって、例えば前記孔が従
来のスルーホールやインナーバイヤホールと同径であっ
た場合には、従来のようにスルーホールやインナーバイ
ヤホール壁面にめっき層を形成して成る導通構造に比べ
て、その電流容量は超かに大きくなる。逆にいえば、回
路基板を動作させるために必要な電流容量を確保しよう
とした場合でも、従来のスルーホールやインナーバイヤ
ホールの構造に比べて、柱状導体５の直径を小さくする
ことができる。

【００５１】このことは、従来のスルーホールやインナ
ーバイヤホールの構造のような導通構造に比べて前記死
空間を極少化することが可能になるため、回路基板の表
面に形成できるバンプ３の分布密度を高めることが可能
となり、ひいては半導体部品の高密度実装を可能にす
る。また、回路基板Ｍ₁，Ｍ₂の場合、上記した柱状導体
５で導体回路間の導通をとるので、それらの製造に際し
ては、従来のように、導体回路の間を貫通するスルーホ
ールやインナーバイヤホールをドリル研削によって形成
するというような機械加工が不要になる。そのため、導
体回路の平面パターンをファイン化することができ、こ
のことからも、半導体部品の高密度実装が可能となる。

【００５２】本発明の回路基板の製造方法における最大
の特徴は、まず最初にバンプが形成され、そのバンプの
下に、前記した柱状導体を介して複数層の導体回路が順
次形成されていくところにある。その場合、本発明の回
路基板は、前記した工程Ａ，工程Ｂ，工程Ｃ、そして工
程Ｄをこの順序で進めることによって製造されるが、工
程Ａでは、バンプと第１の柱状導体と最上層の導体回路
または／およびランド部回路がレジスト部に埋設されて
いる後述する部材Ａが製造され、工程Ｂで前記部材Ａに
更なる導体回路と柱状導体が付加された後述する部材Ｂ
(1)またはＢ(2)が製造され、工程Ｃで前記部材Ｂ(1)ま
たはＢ(2)と絶縁基板を一体化した一体化物Ｃが製造さ
れ、そして最後に、工程Ｄで目的とする回路基板が製造
されるのである。

【００５３】その場合、工程Ａを前記した工程Ａ₁〜工
程Ａ₁₄として構成することにより、回路基板Ｍ₁を製造
することができ、また、工程Ａとして、前記した工程Ａ
₁〜工程Ａ₁₄において工程Ａ₅以降を工程Ａ₁₅〜工程Ａ₁₈
に代替することによって回路基板Ｍ₂を製造することが
できる。最初に、回路基板Ｍ₁の製造方法を説明する。

【００５４】まず、部材Ａが次のようにして製造され
る。以下、各工程につき順次説明する。工程Ａ₁：図９で示したように、例えばステンレス鋼板
のような導電基板６の片面６ａに、通常の電気めっき法
によって、例えば銅をめっきして厚みが２〜３μｍ程度
の導体薄層７を形成する。なお、導電基板としては銅板
であってもよい。

【００５５】工程Ａ₂：ついで、導体薄層７の表面７ａ
を被覆してレジスト層ａ₁を形成する（図１０）。この
レジスト層ａ₁の形成に関しては、例えば公知のドライ
フィルムを使用したり、また液体レジストを印刷して形
成する。そして、このレジスト層ａ₁の厚みは、形成す
べきバンプの高さとほぼ同じとなるような厚みに設定さ
れる。

【００５６】そして、このレジスト層ａ₁に露光・現像
処理を行って、バンプ形成予定個所のレジスト層は残
し、それ以外の前記レジスト層ａ₁を除去して、図１１
で示したように、前記レジスト層ａ₁を除去した個所に
導体薄層７の表面７ａを露出させる。工程Ａ₃：ついで、導電基板６をマイナス極にした状態
で電気めっきを行って、導体薄層７の露出表面７ａに、
残置しているレジスト層ａ₁と面一になるように所定の
導電材料を電着して電着層８を形成する（図１２）。

【００５７】このときに用いる導電材料は格別限定され
るものではなく、例えば銅，銀，アルミニウム，金など
をあげることができる。通常、銅が好適である。工程Ａ₄：ついで、バンプ形成予定個所に残置している
レジスト層ａ₁を除去する。その結果、図１３で示した
ように、電着層８には導体薄層７の表面７ａが露出する
バンプ用凹み３Ａが所定の平面パターンをなして形成さ
れる。

【００５８】工程Ａ₅：ついで、電着層８の表面８ａ
に、形成すべき第１の柱状導体の高さとほぼ同じとなる
厚みでレジスト層ａ₂を形成し、それに露光・現像処理
を行って、図１４で示したように、バンプ用凹み３Ａに
連通する第１の孔５Ａ₁と、形成すべきランド部回路の
回路パターンに相当する平面パターン４Ａとを前記レジ
スト層ａ₂に同時に形成する。

【００５９】なお、このときに形成される第１の孔５Ａ
₁の断面形状は、バンプ用凹み３Ａの断面形状より大き
くなっている。したがって、この第１の孔５Ａ₁とバン
プ用凹み３Ａは全体として１個の空洞になっている。そ
して、バンプ用凹み３Ａの底部には導体薄層７の表面７
ａと電着層８の側壁８ｂが表出し、また平面パターン４
Ａからは電着層８の表面８ａが露出している。また、第
１の孔５Ａ₁の断面形状はそれが連通するバンプ用凹み
３Ａよりも大きいので、バンプ用凹み３Ａと第１の孔５
Ａ₁とから成る空洞は段差構造をなしており、その境界
部では、電着層８の一部表面８ｃが第１の孔５Ａ₁に表
出していることになる。なお、この工程Ａ₅におけるレ
ジスト層ａ₂の形成に関しては、液体レジストを用いて
もよいが、通常、ドライフィルムが用いられる。

【００６０】なお、この工程Ａ₅において、永久レジス
トでレジスト層ａ₂を形成した場合には、後述する工程
Ａ₇と工程Ａ₈を行うことは必ずしも必要ではなくなる。工程Ａ₆：つぎに、全体を所定のめっき浴に浸漬し、導
電基板６をマイナス極にした状態で電気めっきが行われ
る。

【００６１】そのときの電気めっきは、めっき浴を変え
て少なくとも２回行われる。すなわち、電着層８が銅か
ら成る場合には、最初の電気めっきでは、金，ニッケ
ル，ニッケル−コバルト合金のように、後述する工程Ｄ
で行うエッチング処理時に、用いるエッチャントによっ
て侵食されないような耐食性を有する第１の導電材料の
電着が行われる。この最初の電気めっきで、前記したバ
ンブ用凹み３Ａと第１の孔５Ａ₁とから成る空洞では、
導体薄層７の露出表面７ａ，電着層８の側壁８ｂ、およ
び段差部における電着層８の一部表面８ｃに前記した第
１の導電材料が層状に電着する。また、平面パターン４
Ａでも同様な電着が進行する。

【００６２】そして、上記した最初の電気めっきに続け
て、更に次の電気めっきが行われ、前記した第１の導電
材料で形成されている層状体の上に別の導電材料が電着
される。このときに電着される導電材料は、導電性が優
れているものであれば何であってもよく、例えば、銅，
アルミニウムなどを好適な材料としてあげることができ
る。

【００６３】この電気めっきの過程で、バンプ用凹み３
Ａと第１の孔５Ａ₁とから成る空洞、および、平面パタ
ーン４Ａでは、まず最初に、工程Ｄで用いるエッチャン
トに対して耐食性を有する第１の導電材料が層状に堆積
し、更にその上に別の導電材料が堆積していき、結果と
して、前記空洞と平面パターンがこれら導電材料で充填
されることになる。

【００６４】したがって、工程Ａ₆の終了時にあって
は、図１５で示したように、バンプ用凹み３Ａの中には
層状体（外層部）３ａと層状体（内層部）３ｂが積層し
て成る２層構造体が充填された状態でバンプ３が形成さ
れ、また平面パターン４Ａにも、前記層状体３ａと同じ
材料から成る層状体（外層部）４ａと、前記層状体３ｂ
と同じ材料から成る層状体（内層部）４ｂが積層して成
る２層構造体がランド部回路４として形成される。そし
て、第１の孔５Ａ₁の中には、段差部近傍は層状体３ａ
から成り、その下は全て層状体３ｂと同じ材料から成る
２層構造体として第１の柱状導体５₁が一括して形成さ
れる。

【００６５】この電気めっきの過程では、第１の孔５Ａ
₁の方がバンプ用凹み３Ａよりも断面形状が大きくなっ
ているので、それぞれの導電材料の電着に際しては、バ
ンプ用凹みへの堆積、ついで第１の孔への堆積が円滑に
進行する。なお、この電気めっきの過程で、めっき浴に
超音波振動を与えると、第１の孔５Ａ₁やバンプ用凹み
３Ａが小形状であっても、その中にめっき浴を確実に侵
入させることができ、また電気めっきの過程で発生する
ガスは第１の孔５Ａ₁やバンプ用凹み３Ａから速やかに
除去するので、信頼性の高いめっきを行うことができ
る。

【００６６】この電気めっき時における導電路は、大き
な面積の導電基板６，導体薄層７および電着層８であ
る。そのため、大電流を流すことができ、電気めっき時
の電流密度を高くすることができる。その結果、バンプ
用凹み３Ａと第１の孔５Ａ₁と平面パターン４Ａは短時
間で導電材料によって満たされる。なお、この工程Ａ₆
において、電気めっきは２回行うことに限定されるもの
ではなく、必要に応じて２回以上行ってもよい。しか
し、その場合でも、最初の電気めっきでは、前記したよ
うな耐食性の第１の導電材料を層状に電着することが必
要である。

【００６７】工程Ａ₇：バンプ用凹み３Ａと第１の孔５
Ａ₁と平面パターン４Ａが導電材料の多層構造体で満た
された時点、すなわち全体のめっき面がレジスト層ａ₂
と面一状態になった時点で電気めっきを停止し、ついで
レジスト層ａ₂を除去する。その結果、図１６で示した
ように、電着層８の表面８ａは露出し、その所定個所に
はバンプ用凹みに充填された導電材料の多層構造体から
成るバンプ３と、このバンプから突設した状態で第１の
柱状導体５₁とが一体的に形成され、同時に導電材料の
多層構造体から成るランド部回路４が形成される。

【００６８】工程Ａ₈：ついで、図１７で示したよう
に、電着層８の露出表面８ａを被覆して、第１の柱状導
体５₁の断面とランド部回路４の表面が表出するような
厚みでレジスト層ａ₃を形成する。具体的には、例えば
液体レジストを塗布し、露光・現像処理を行って絶縁層
にする。

【００６９】工程Ａ₉：このレジスト層ａ₃の表面を粗面
化したのち、そこに、例えば銅の無電解めっきを行うこ
とにより、図１８で示したように、レジスト層ａ₃と第
１の柱状導体５₁とランド部回路４の表面を被覆してめ
っき薄膜９を形成する。工程Ａ₁₀：ついで、前記めっき薄膜９の表面を被覆し
て、形成すべき導体回路の厚みと略同じ厚みでレジスト
層ａ₄を形成し、ここに露光・現像処理を行って、形成
すべき導体回路の回路パターンに相当する平面パターン
２Ａ，ランド部回路４に導通すべき柱状導体に相当する
平面パターン５Ａ₁'を同時に形成する。

【００７０】その結果、図１９で示したように、めっき
薄膜９の表面には所定の平面パターンをなして導体回路
と柱状導体の平面パターン２Ａ，５Ａ₁'が形成され、そ
れらの平面パターンからはめっき薄膜９の表面９ａが露
出することになる。なお、この工程におけるレジスト層
ａ₄の形成に関しては、ドライフィルムと液体レジスト
のいずれを用いても行うことができる。

【００７１】工程Ａ₁₁：ついで、導電基板６をマイナス
極にした状態で電気めっきを行い、平面パターン２Ａ，
平面パターン５Ａ₁'から露出しているめっき薄膜９の表
面９ａに例えば銅のような導電性が優れた導電材料を、
図２０で示したように、前記レジスト層ａ₄の表面と面
一になるように導体回路２ａとして電着する。

【００７２】工程Ａ₁₂：ついで、レジスト層ａ₄を除去
してめっき薄膜９の表面９ａを露出させたのち、その露
出表面のみを例えばソフトエッチングして除去する。そ
の結果、図２１で示したように、レジスト層ａ₃の表面
が表出し、そこに、導体回路２ａとランド部回路４に接
続する柱状導体５₁'が形成される。

【００７３】工程Ａ₁₃：ついで、図２２で示したよう
に、レジスト層ａ₃の露出表面と、導体回路２ａおよび
柱状導体５₁'の全体を被覆してレジスト層ａ₅を形成す
る。このレジスト層ａ₅の形成に際しては、ドライフィ
ルム，液体レジストのいずれを用いてもよいが、液体レ
ジストを用いることを好適とする。

【００７４】したがって、既に形成されているレジスト
層ａ₃と前記レジスト層ａ₅とは一体化して、１個の絶縁
層であるレジスト部Ａを形成し、この中に、導体回路２
ａと柱状導体５₁'が埋設された状態になる。この場合、
導体回路２ａと柱状導体５₁'の個所におけるレジスト層
ａ₅の厚みは、形成すべき第２の柱状導体（後述）の高
さと略同じとなるような厚みに設定される。

【００７５】その後、レジスト層ａ₅に露光・現像処理
を行って、図２３で示したように、導体回路２ａと、柱
状導体５₁'に連通する第２の孔５Ａ₂をレジスト層ａ₅に
形成する。したがって、これらの第２の孔５Ａ₂からは
導体回路２ａの表面と柱状導体５₁'の端面が露出する。工程Ａ₁₄：そして最後に、導電基板６をマイナス極にし
た状態で電気めっきを行って、第２の孔５Ａ₂から露出
している導体回路２ａと柱状導体５₁'の各表面に導電材
料を電着し、当該第２の孔５Ａ₂に充填して第２の柱状
導体５₂を形成し、工程Ａを終了する。この場合、ラン
ド部回路４に導通する第２の柱状導体５₂は、既に形成
されている柱状導体５₁'と一緒になった状態で形成され
る。

【００７６】以上の工程Ａが終了した時点では、図２４
に示したように、バンプ３は電着層８の中に位置し、第
１の柱状導体５₁とランド部回路４と導体回路２ａと第
２の柱状導体５₂がレジスト層ａ₃，ａ₅から成るレジス
ト部Ａの中に埋設され、レジスト層ａ₅の表面には、第
２の柱状導体５₂の端面が所定のパターンをなして表出
している部材Ａが製造される。

【００７７】したがって、この部材Ａにおいては、バン
プ３−第１の柱状導体５₁−めっき薄膜９−導体回路２
ａ−第２の柱状導体５₂の間と、ランド部回路４−めっ
き薄膜９−第２の柱状導体５₂でそれぞれ導通構造が形
成されている。ついで、得られた部材Ａに対して、次の
ような工程Ｂを行うことにより、部材Ａに更に別の導体
回路が付加される。

【００７８】その場合、工程Ｂは、前記した工程Ｂ(1)
または工程Ｂ(2)のいずれかをもって構成され、後述す
る工程Ｂ₁〜工程Ｂ₄から成る工程Ｂ(1)を採用した場合
には、図１と図２で示したように２個の導体回路が埋設
されている回路基板Ｍ₁用の中間部材Ｂ(1)を製造するこ
とができ、また、工程Ｂ₅〜工程Ｂ₁₀から成る工程Ｂ(2)
を採用した場合には、３個以上の導体回路が埋設されて
いる回路基板Ｍ₁用の中間部材Ｂ(2)を製造することがで
きる。

【００７９】まず、工程Ｂ(1)について説明する。工程Ｂ₁：まず最初に、図２５で示したように、工程Ａ
で製造された部材Ａのレジスト層ａ₅の表面に無電解め
っきを行って、その全面を被覆するめっき薄膜１０を形
成する。

【００８０】工程Ｂ₂：ついで、このめっき薄膜１０の
表面１０ａを被覆してレジスト層ｂ₁を形成し、ここに
露光・現像処理を行って、形成すべき導体回路の回路パ
ターンに相当する平面パターン２Ｂを形成する。その結
果、図２６で示したように、めっき薄膜１０の表面１０
ａには所定の平面パターンをなして導体回路のパターン
２Ｂが形成され、そこからめっき薄膜１０の表面１０ａ
が露出する。なお、このときのレジスト層ｂ₁の形成に
関しては、ドライフィルム，液体レジストのいずれをも
使用することができる。

【００８１】工程Ｂ₃：ついで、導電基板６をマイナス
極にして電気めっきを行い、めっき薄膜１０の前記露出
表面１０ａに例えば銅のように導電性が優れている導電
材料を、前記レジスト層ｂ₁と面一になるような厚みで
電着する。その結果、図２７で示したように、前記平面
パターン２Ｂには導体回路２ｂが形成される。

【００８２】工程Ｂ₄：ついで、レジスト層ｂ₁を除去す
る。その結果、図２８で示したように、レジスト層ｂ₁
が存在していた個所には、めっき薄膜１０の表面１０ａ
が露出する。そして、この露出しているめっき薄膜１０
を例えばソフトエッチングして除去する。

【００８３】その結果、図２９で示したように、レジス
ト層ａ₅の表面に所定の平面パターンをなして導体回路
２ｂが形成されている部材Ｂ(1)が製造される。この部
材Ｂ(1)では、バンプ３−第１の柱状導体５₁−めっき薄
膜９−導体回路２ａ−第２の柱状導体５₂−めっき薄膜
１０−導体回路２ｂの間と、ランド部回路４−めっき薄
膜９−第２の柱状導体５₂−めっき薄膜１０−導体回路
２ｂの間でそれぞれ導通構造が形成されている。

【００８４】この部材Ｂ(1)に対し、次に工程Ｃを行え
ば、得られる回路基板Ｍ₁は２個の導体回路が埋設され
たものになるが、更に多くの導体回路を埋設する場合に
は、この部材Ｂ(1)に以下で説明する工程Ｂ(2)を行えば
よい。工程Ｂ₅：まず、図３０で示したように、部材Ｂ(1)にお
ける導体回路２ｂとレジスト層ａ₅の全体を被覆してレ
ジスト層ｂ₂を形成する。なお、このレジスト層ｂ₂は、
ドライフィルム，液体レジストのいずれを使用しても形
成することができるが、液体レジストを用いることが好
適である。

【００８５】したがって、部材Ｂ(1)のレジスト層ａ₃，
ａ₅と前記レジスト層ｂ₂とは一体化してここに１個の絶
縁層を形成し、この中に、導体回路２ａ，ランド部回路
４と導体回路２ｂとが埋設された状態になる。そしてこ
の場合、導体回路２ｂを埋設している個所におけるレジ
スト層ｂ₂の厚みは、次に形成すべき柱状導体（後述）
の高さと略同じとなるような厚みに設定される。

【００８６】ついで、レジスト層ｂ₂に露光・現像処理
を行って、図３１で示したように、導体回路２ｂに連通
する孔５Ｂ₁をレジスト層ｂ₂に形成する。したがって、
この孔５Ｂ₁からは、導体回路２ｂの表面が露出する。工程Ｂ₆：ついで、導電基板６をマイナス極にして電気
めっきを行い、孔５Ｂ₁から露出している導体回路２ｂ
の表面に導電材料を電着して、当該孔５Ｂ₁の中に導電
材料を充填する。その結果、図３２で示したように、導
体回路２ｂと一体化した柱状導体５₃がその表面をレジ
スト層ｂ₂に表出した状態で形成される。

【００８７】工程Ｂ₇：そして、このレジスト層ｂ₂の全
面を被覆して、無電解めっき法でめっき薄膜１１を形成
する（図３３）。工程Ｂ₈：ついで、このめっき薄膜１１の表面１１ａを
被覆してレジスト層ｂ₃を形成し、ここに露光・現像処
理を行って、導体回路２ｂの下層に形成すべき導体回路
の回路パターンに相当する平面パターン２Ｃを形成す
る。その結果、図３４で示したように、形成された平面
パターン２Ｃからはめっき薄膜１１の表面１１ａが露出
する。なお、レジスト層ｂ₃の形成に関しては、ドライ
フィルム，液体レジストのいずれを使用してもよい。

【００８８】工程Ｂ₉：そして、導電基板６をマイナス
極にして電気めっきを行い、めっき薄膜１１の前記露出
表面１１ａに例えば銅のような導電材料を、残置するレ
ジスト層ｂ₃の厚みだけ電着する。その結果、図３５で
示したように、めっき薄膜１１の表面１１ａには、所定
の平面パターンをなして導体回路２ｃが形成される。

【００８９】工程Ｂ₁₀：ついで、レジスト層ｂ₃を除去
する。その結果、図３６で示したように、除去したレジ
スト層ｂ₃の個所にはめっき薄膜１１の表面１１ａが露
出する。ついで、露出しているこのめっき薄膜を例えば
ソフトエッチングして除去する。その結果、図３７で示
したように、レジスト層ｂ₂の表面に所定の平面パター
ンをなして導体回路２ｃが形成されている部材Ｂ(2)が
製造される。

【００９０】この部材Ｂ(2)では、レジスト層ａ₃，ａ₅
の中に２個の導体回路２ａ，２ｂが埋設され、導体回路
２ｃはレジスト層ｂ₂の表面に形成されている。その場
合、部材Ａに付加された新しい導体回路２ｂと新たな柱
状導体５₃はレジスト層ｂ₂から成るレジスト部Ｂの中に
埋設されている。そして、バンプ３−第１の柱状導体５
₁−めっき薄膜９−導体回路２ａ−第２の柱状導体５₂−
めっき薄膜１０−導体回路２ｂ−柱状導体５₃−めっき
薄膜１１−導体回路２ｃの間と、ランド部回路４−めっ
き薄膜９−第２の柱状導体５₂−めっき薄膜１０−導体
回路２ｂ−柱状導体５₃−めっき薄膜１１−導体回路２
ｃの間でそれぞれ導通構造が形成されている。

【００９１】この導体回路２ｃに更に導体回路を付加す
る場合には、図３０〜図３７に基づいて説明した方法を
所望の回数だけ反復して行えばよい。このように、工程
Ｂを終了した時点では、工程Ｂ(1)，工程Ｂ(2)のいずれ
においても、最後に形成したレジスト層の表面に所定の
導体回路が形成されている中間部材が製造される。

【００９２】そして、この中間部材に対し、次に、工程
Ｃが適用される。それを、図２９で示した部材Ｂ(1)の
場合を例にして説明する。すなわち、図３８で示したよ
うに、絶縁基板１２を用意し、その一方の面１２ａと、
部材Ｂ(1)の導体回路２ｂが形成されている方の面とを
熱圧着する。その結果、導体回路２ｂは絶縁基板１２の
中に埋設され、図３９で示したように、部材Ｂ(1)と絶
縁基板１２とが一体化した一体化物Ｃが製造される。

【００９３】なお、このときに用いる絶縁基板１２とし
ては、常温下では半硬化状態にあり、加熱されると軟化
する材料であることが好適である。例えばブリブレグで
ある。その理由は、導体回路２ｂのパターンはレジスト
層ａ₅の表面に突起した状態で形成されているため、こ
こに絶縁基板１２が圧着されたときに、前記導体回路２
ｂのパターンは、その時点では可塑性を有する当該絶縁
基板１２の上面１２ａに埋没することができ、その後基
板が熱硬化して固定されるからである。

【００９４】しかし、絶縁基板１２がリジットな材料か
ら成る場合であっても、例えば、前記した部材Ｂ(1)の
導体回路２ｂのパターンが形成されている面に例えば未
硬化のエポキシ樹脂から成る層を形成して導体回路２ｂ
のパターン全体を被覆し、ここに、リジットな絶縁基板
１２を熱圧着して部材Ｂ(1)と絶縁基板１２を一体化す
ることができる。

【００９５】この場合、両者を圧着した時点では、例え
ばエポキシ樹脂から成る層は未硬化で軟質な状態にある
ため、ここに導体回路２ｂのパターンは埋没させること
ができ、同時に、前記層は絶縁基板１２の上面１２ａと
接着する。そして、層が熱硬化することにより、導体回
路２ｂのパターンは熱硬化した層に埋没した状態で絶縁
基板１２と一体化する。

【００９６】この工程Ｃで用いる絶縁基板としては、電
気絶縁性のものであれば何であってもよく、例えば、ガ
ラスエポキシ樹脂基板，フレキシブルプリント基板や、
エポキシ樹脂系，ポリイミド系，ポリエステル系，ウレ
タン樹脂系，フェノール樹脂系などから成る樹脂基板や
シート、またセラミックス板などをあげることができ
る。これらのうち、前記したように、導体回路２ｂのパ
ターンを熱圧着時に埋没させるということからすると軟
質なガラスエポキシ樹脂のプリプレグが好適である。ま
た、上記した絶縁基板は、例えば複数枚のプリプレグを
積層して適当な厚みに形成してもよい。

【００９７】このようにして製造された一体化物Ｃに対
し、次に、工程Ｄが適用される。すなわち、工程Ｄにお
いては、まず、導電基板６を剥離する。得られた部材の
表面は、図４０で示したように、導体薄層７で覆われた
状態にある。ついで、導体薄層７とその下に位置する電
着層８を順次エッチングして除去する。その結果、図４
１で示したように、導体回路２ａ，２ｂが、いずれもレ
ジスト層ａ₃とレジスト層ａ₅と絶縁基板１２とから成る
絶縁基材１の中に埋設しており、レジスト層ａ₃の表面
にのみバンプ３が突出し、またランド部回路４が表出し
ている回路基板Ｍ₁が製造される。

【００９８】なお、上記した導体薄層７と電着層８のエ
ッチング除去時に、バンプ３とランド部回路４の表面は
エッチャントと接触する。しかし、バンプ３の外層部３
ａとランド部回路４の外層部４ａは、前記したように、
いずれもエッチャントに対して耐食性を備えた前記第１
の導電材料で形成されているので、バンプやランド部回
路がこのエッチング過程でエッチャントによって侵食さ
れるという問題は起こらない。

【００９９】そして、全てのバンプ３は、所定厚みの電
着層８に刻設された同じ深さのバンプ用凹みの中に充填
された多層構造体であるので、その高さは前記バンプ用
凹みの深さと同等であり、高さのばらつきは極めて小さ
くなっている。次に、回路基板Ｍ₂の製造方法について
説明する。この製造方法においては、前記した工程Ａを
後述する工程に変化させることを除けば、他の工程、す
なわち、工程Ｂ，工程Ｃ，工程Ｄは回路基板Ｍ₁の場合
と同じように進められる。

【０１００】そこで、回路基板Ｍ₂を製造する工程Ａに
つき、図面に則して説明する。まず、回路基板Ｍ₁の製
造時と同様にして工程Ａ₁〜工程Ａ₄が進められ、図４２
で示したように、導体薄層７の表面７ａのバンプ形成予
定個所にレジスト層ａ ₁を残置せしめたのち他の表面に
電気めっき法で電着層を形成し、ついで、前記レジスト
層ａ₁を除去することにより、図４３で示したように、
電着層８にバンプ用凹み３Ａを形成してそこから導体薄
層７の表面７ａを露出させる。

【０１０１】なお、この工程では、レジスト層ａ₁は液
体レジスト，ドライフィルムのいずれを用いて形成して
もよい。その後、以下の工程Ａ₁₅〜工程Ａ₁₈を順次進め
ることにより、部材Ａが製造される。工程Ａ₁₅：この電着層８の表面８ａを被覆してレジスト
層ａ₂を形成し、それに露光・現像処理を行って、図４
４で示したように、形成すべき導体回路の回路パターン
に相当する平面パターン２Ａをバンプ用凹み３Ａと連通
する状態で形成し、同時に、形成すべきランド部回路の
回路パターンに相当する平面パターン４Ａを形成する。
したがって、平面パターン２Ａと平面パターン４Ａから
は電着層８の表面８ａが露出し、また、バンプ用凹み３
Ａからは導体薄層７の表面７ａと電着層８の側壁８ｂが
露出する。

【０１０２】なお、この工程において、前記レジスト層
ａ₂の形成においては通常ドライフィルムが用いられ
る。工程Ａ₁₆：ついで、回路基板Ｍ₁の製造時における工程
Ａ₆と同じ態様で、全体をめっき浴に浸漬し、導電基板
６をマイナス極にした状態で少なくとも２回の電気めっ
きが行って異種導電材料の多層構造体を形成する。

【０１０３】この電気めっきが終了した時点では、図４
５で示したように、ランド部回路の平面パターン４Ａに
は耐食性の第１の導電材料の層状体４ａと他の導電材料
の層状体４ｂの２層構造体が充填されてランド部回路４
が形成される。そして、バンプ用凹み３Ａと導体回路の
平面パターン２Ａでは、最初の電気めっきにより、耐食
性の第１の導電材料が電着層８の表面８ａとバンプ用凹
みの側壁８ｂと導体薄層７の表面７ａに層状に電着して
層状体（外層部）３ａを形成し、次の電気めっきでこの
層状体３ａの上に別の導電材料が電着して層状体（内層
部）３ｂを形成し、ここに、これら層状体の２層構造体
であるバンプ３と導体回路２ａが一括して形成される。

【０１０４】工程Ａ₁₇：ついで、図４６で示したよう
に、導体回路２ａとランド部回路４を被覆してレジスト
層ａ₃を形成し、ここに露光・現像処理を行って、それ
ぞれは導体回路２ａ（またはランド部回路４）に連通す
る第１の孔５Ａ₁を当該レジスト層ａ₃に形成する。した
がって、第１の孔５Ａ₁からは導体回路２ａ（またはラ
ンド部回路４）の表面が露出する。なお、このときのレ
ジスト層ａ₃の厚みは形成すべき柱状導体の高さと略同
じとなるように設定され、またレジスト層ａ₃の形成に
おいては、ドライフィルム，液体レジストのいずれを用
いてもよい。

【０１０５】工程Ａ₁₈：そして最後に、導電基板６をマ
イナス極にして電気めっきを行い、第１の孔５Ａ₁から
露出する導体回路２ａ（またはランド部回路４）の表面
に導電材料を電着し、当該第１の孔５Ａ₁の中に充填し
て柱状導体を形成する。その結果、図４７で示したよう
に、レジスト層ａ₃の表面には第１の柱状導体５₁の端面
が所定のパターンをなして表出している部材Ａが製造さ
れる。この部材Ａにおいては、バンプ３−導体回路２ａ
−第１の柱状導体５₁の間で導通構造が形成されてい
る。

【０１０６】以後、この部材Ａに、前記した工程Ｂ，工
程Ｃ，工程Ｄを順次行うことにより、絶縁基材の表面に
は所定の平面パターンで表出する導体回路２ａとランド
部回路４、および導体回路２ａの先端表面に突設された
バンプ３を備えている回路基板Ｍ₂（図３）が製造され
る。なお、図６で示した回路基板Ｍ₄、すなわち絶縁基
材１の表面１ａにランド部回路が表出していない回路基
板を製造する場合には、回路基板Ｍ₁の製造において、
工程Ａ₅（図１４）を実施するときに、ランド部回路の
回路パターンに相当する平面パターン４Ａを形成するこ
となく、それ以降の工程、例えば工程Ｂで上記平面パタ
ーン４Ａを形成し、更にそこに導電材料を電着してラン
ド部回路とし、そのランド部回路を表出しているバンプ
パターンと接続するようにレジスト部に内設すればよ
い。

【０１０７】以上の説明は、いずれも片面実装用の回路
基板を製造する場合であるが、必要に応じては、更に次
のようにして両面実装用の回路基板を製造することがで
きる。それを、回路基板Ｍ₁の製造時に得られた部材Ｂ
(1)と部材Ｂ(2)を使用する場合を例として以下に説明す
る。すなわち、図４８で示したように、部材Ｂ(1)と部
材Ｂ(2)のそれぞれの導体回路側の面を絶縁基板１２の
各片面にまず熱圧着して、部材Ｂ(1)と部材Ｂ(2)と絶縁
基板１２とを一体化する。ついで、一体化物の両面にあ
る導電基板を剥離し、更に導体薄層，電着層を順次エッ
チング除去したのち、図示しないスルーホールを形成す
ることにより、図４９で示したような両面実装用回路基
板Ｍ₅が得られる。

【０１０８】また、図３９で示した部材に対し、その絶
縁基板１２に従来のサブトラクティブ法やアディティブ
法などを適用して別の導体回路をビルドアップしたの
ち、導電基板６を剥離し、導体薄層７と電着層８を順次
エッチング除去することによっても、目的とする両面実
装用の回路基板にすることもできる。更には、図４８で
示したような絶縁基板１２を用いることなく、例えば部
材Ｂ(1)の導体回路２ｂの方の面に永久レジストを用い
て所定の導体回路と柱状導体を順次積層していき、最後
に、所定の導体回路やランド部回路を形成して両面実装
用回路基板にすることもできる。

【０１０９】また、次のようにしても製造することがで
きる。すなわち、まず、図５０で示したように、例えば
部材Ｂ(2)の導体回路２ｃ側の面に、片面に接着剤層１
３ａが形成されているフィルム１３を貼着する。つい
で、フィルム１３と接着剤層１３ａに対し、例えばレー
ザ加工，機械加工などを施して当該フィルムに柱状導体
用の孔パターンを形成し、ここに電気めっきを行って柱
状導体を形成し、更に全面に無電解めっきを行い、その
表面に一般的な方法、例えばサブトラクティブ法やアデ
ィティブ法などで所定の回路パターンを形成したのち、
導電基板６をマイナス極にした電気めっきにより導電材
料を電着し、導電基板６を剥離し、導体薄層７，電着層
８を順次除去する。その結果、図５１で示したように、
下面１ｂにランド部回路が形成されている両面実装用回
路基板Ｍ₆を得ることができる。

【０１１０】更に、図３７で示した部材Ｂ(2)の導体回
路２ｃを形成するときに、この導体回路２ｃに代えて柱
状導体を形成し、そこに、熱硬化型の軟質な樹脂シート
をホットプレスして前記柱状導体をこの樹脂シートに突
き刺して反対面に突出させたり、また突出させない場合
でも樹脂シートの表面を機械研摩して柱状導体の表面を
表出させたのち、その全面に無電解めっきを施し、つい
で、前記した一般的な方法で所定の回路パターンを形成
することにより、両面実装用回路基板Ｍ₆を製造するこ
ともできる。

【０１１１】また、本発明の方法によれば、図５２で示
したように、半導体部品を接続するバンプ３の位置にヒ
ートシンク１４が形成され、また絶縁基材１の表面１ａ
にグランド線回路１５のパターンが表出している回路基
板Ｍ₇を得ることができる。例えば、図１４〜図１６で
示した工程において、ランド部回路４を形成するに際
し、同時にヒートシンク１４を一緒に形成し、それ以降
の工程においては、導体回路と柱状導体を形成していく
際に、同時に導電材料から成る中実の柱を電気めっき法
で形成してそれを伝熱路１６とし、この伝熱路１６を絶
縁基材１の他方の面１ｂにまで表出させるように形成す
ればよい。この場合、バンプ３とヒートシンク１４とラ
ンド部回路４はいずれも少なくとも２回の電気めっきで
同時に形成されるので、ヒートシンク１４もまた導電材
料の多層構造体になっている。

【０１１２】なお、図５２のように、途中まで中実の伝
熱路１６を形成し、その後更に厚み１００μｍ程度の導
体膜部１６ｃを形成し、絶縁基材１の他方の面１ｂには
例えば機械加工によって導体膜部１６ｃにまで至る穴１
６ａを穿設し、その壁面に同じく電気めっき法で導電材
料を例えば厚み１０〜３０μｍ程度めっきしてめっき層
１６ｂを形成すれば、全体の放熱面積は増加して優れた
放熱効果を得ることができるので好適である。

【０１１３】この回路基板Ｍ₇の場合、バンプ３に半導
体部品を例えばダイボンドしたときに、半導体部品の発
熱を、ヒートシンク１４−中実の伝熱路１６−導体膜部
１６ｃ−めっき層１６ｂを伝達せしめることにより回路
基板Ｍ₇の面１ｂから放熱させることができる。また、
グランド線回路１５は、図１４〜図１６で示した工程に
おいて、ランド部回路４を形成する際に、同時に所定の
パターンとして形成すればよい。その場合、グランド線
回路１５もまた導電材料の多層構造体になる。そして、
以降の工程において、導体回路と柱状導体を形成すると
きに、同時に信号導体１５ａと信号グランド１５ｂを所
定のパターンで形成すればよい。

【０１１４】このように、回路基板Ｍ₇ではグランド線
回路１５を基板表面に設けることにより、ＥＭＳ対策が
講じられていることになる。とくに、回路基板が図５で
示したようなマルチチップバンプボードＭ₃である場合
には、部品実装側の面にはバンプが突出しているのみで
あるため、残りの表面個所に信号導体回路を形成するこ
とは不要となり、したがって、残りの表面個所の全体に
亘ってこのグランド線回路１５を形成することができ、
絶縁基材１に埋設される信号導体１５ａと信号グランド
１５ｂと一緒になって電磁波対策が講じられていること
になる。

【０１１５】このことは、現在のマルチチップバンプボ
ードの電磁波対策が、実装回路基板を枠やケースに固定
する方法であることに比べて、アセンブリ工数の低減を
実現することが可能になって有用である。次に、前記し
た回路基板を用いた本発明のバンプ式コンタクトヘッド
とその製造方法につき図面に則して詳細に説明する。

【０１１６】図５３は、本発明ヘッドの１例Ｃ₁を示す
斜視図であり、図５４は図５３のＹ₁−Ｙ₁線に沿う断面
図である。このヘッドＣ₁の場合、円板形状をした絶縁
基板１７の所定個所（図では中央部）に、絶縁基板１７
の上面１７ａから下面１７ｂにかけて貫通する貫通孔１
８が形成され、上部には適宜な形状（図では四角形）の
上部開口１８Ａが形成されている。この貫通孔１８には
弾性部材１９が充填され、その弾性部材１９の上面１９
ａは絶縁基板１７の上面１７ａと面一状態になってい
る。

【０１１７】したがって、上記した弾性部材１９に下方
から上方にかけて所定の上向きの力を加えると、当該弾
性部材１９は変形してその上面１９ａが上方に膨出し、
そして、その上向きの力を解除すると、弾性部材１９の
上面１９ａは元の位置に復元して絶縁基板１７の上面１
７ａと面一状態に戻る。すなわち、上記弾性部材１９は
少なくともその上面１９ａが上下動可能な可動部位Ｅと
して機能する。

【０１１８】絶縁基板１７の上面１７ａには所定の幅と
長さを有する信号導体２０と、信号導体２０に高周波入
力したときのノイズ発生を軽減するためのグランド線２
０’が所定のピッチで配線され、これらの信号導体２０
とグランド線２０’のうち、信号導体２０は、絶縁基板
の上面１７ａから弾性部材１９の上面１９ａにまで所定
の長さだけ延在して配線され、その延在部２０ａの先端
上面２０ｂには所定高さのバンプ２１が突設されてい
る。

【０１１９】このヘッドＣ₁においては、信号導体２０
は、図５４で示したように、その上面２０ｃを除いた部
分は全て絶縁基板１７と弾性部材１９の中に埋没し、か
つ、上面２０ｃのみが、絶縁基板１７の上面１７ａと弾
性部材１９の上面１９ａと面一状態をなして露出するよ
うに配線されている。そして、信号導体２０の他端に位
置する端部２０ｄは信号導体２０の端子として図示しな
い信号処理装置の端子に接続されている。

【０１２０】なお、信号導体２０の延在部２０ａは、弾
性部材１９の上面１９ａに２〜３mm程度相互に平行して
配線され、絶縁基板１７の上面１７ａでは相互に平行と
ならないように近放射状に配線されている。このような
配線形態を採用することにより、絶縁基板１７の上面１
７ａでは信号導体２０の間にグランド線２０’となるパ
ターン（ライン）を設けることが可能となり、そのこと
によって、可動部位Ｅに位置する信号導体の延在部２０
ａが相互に平行となる長さを２〜３mm程度にまで短くす
ることができ、検査時の入出力信号が高周波化しても、
得られる検査信号の誤差は従来のＬ型針のヘッドに比べ
て著しく小さくなり、ヘッドの高周波特性は優れたもの
になる。

【０１２１】弾性部材１９の上面１９ａを上方に膨出さ
せると、それに伴って、弾性部材１９の上面１９ａに配
線されている信号導体２０の延在部２０ａとその先端上
面２０ｂに形成されているバンプ２１とは上方に動く。
そして、バンプ２１は所定の検査箇所と接触することに
より接続端子として機能し、そこから検査信号を取り出
すことができる。そして、弾性部材への上向きの力を解
除すると、弾性部材の上面は元の位置まで復元すること
により、前記バンプは下方に移動して検査箇所との接触
状態が解除される。

【０１２２】また、このヘッドＣ₁の場合、弾性部材１
９の上面１９ａに配列している多数のバンプ２１は、互
いに規制しあうことなく、それぞれが独立して上下動で
きる自由度が大きいという特徴を備えている。例えば図
５５において、仮にバンプ２１（２）が矢印のように上
下動したとしても、その上下動の周囲への影響は弾性部
材１９の弾性によって吸収されることになり、隣接する
バンプ２１（１），２１（３）への伝播は大きく減退す
る。したがって、バンプ２１（１），２１（３）は、バ
ンプ２１（２）が上下動しても、その上下動に引きづら
れて一緒に上下動するということは起こりづらくなって
いる。

【０１２３】このことは、検査箇所に高さばらつきがあ
った場合でも、個々のバンプは、その高さばらつきに対
応して、それぞれが自由に独立して上下動することがで
きるということを可能とし、しかもその場合、隣接する
バンプに悪影響を及ぼすことなく上下動することができ
るということを意味しており、従来のヘッドではみられ
ない特徴である。

【０１２４】このヘッドＣ₁は、検査対象の配線回路の
所定個所に配置され、後述する押上げ手段で弾性部材１
９の上面１９ａを弾性的に押上げて膨出させることによ
りバンプ２１を検査個所に接触させ、実使用に供され
る。検査終了後は、弾性部材１９を元の状態に復元する
ことにより、検査個所へのバンプ２１の接触を解除す
る。

【０１２５】また、予め、上向きの力が作用するように
押上げ手段を弾性部材１９の下部に配置することによ
り、貫通孔１８の上部開口１８Ａでは、バンプ２１が所
定量だけ上部に持ち上がった状態にしてヘッドを製造し
ておき、そのヘッドを測定装置にそのままセットして実
使用に供してもよい。この押上げ手段としては、図５６
に示したように、弾性部材１９の下に形成した密閉空気
室２２をあげることができる。具体的には、絶縁基板１
７の下部に所定体積の密閉空間を形成し、そこに圧縮空
気を圧入する構造にしてもよく、また、その密閉空間に
例えば風船袋を収容し、その風船袋に圧縮空気を圧入す
る構造にしてもよい。

【０１２６】この密閉空気室２２を加圧状態にすること
により、弾性部材１９は自らの弾性によって変形して上
方に膨出し、そのことによって信号導体の延在部２０ａ
とバンプ２１は上方へ動く。通常、バンプ２１が上方へ
２００〜３００μｍ程度移動するような処置がとられ
る。密閉空気室２２の内部の加圧状態を解除すると、弾
性部材１９は自らの弾性で元の状態に復元し、バンプ２
１と検査個所との接触は解除される。

【０１２７】図５７は別の押上げ手段を示す断面図であ
る。この場合には、図５３で示したヘッドＣ₁が、所定
径の貫通孔２３ａを有するマザーボード２３の当該貫通
孔２３ａの上に配置され、信号導体２０の他端はマザー
ボード２３に配線されている回路の端子に接続されてい
る。そして、貫通孔２３ａの下には、多数の押上げピン
２４ａが弾性部材１９の下面と接触した状態で林立して
いる押上げ治具２４を固定し、この押上げピン２４ａで
弾性部材１９を上方に２００〜３００μｍ程度膨出させ
る。なお、押上げピン２４ａは、弾性部材１９の上面に
所定のピッチで配列するバンプ列を一括して押上げるこ
とができるように配列することが好ましい。

【０１２８】ところで、前記した押上げ手段を動作させ
ると、弾性部材１９の上面１９ａは上下動し、それに伴
って、当該上面に埋設されている信号導体の延在部２０
ａは、弾性部材１９と絶縁基板１７との境界、すなわ
ち、貫通孔１８の上部開口１８Ａの四辺を形成する絶縁
基板の縁部１８ａの位置を支点にして上下方向に屈曲運
動をする。そのため、弾性部材１９に埋設されている信
号導体の延在部２０ａには前記弾性部材１９から剥離す
るような力が作用する。

【０１２９】しかしながら、ヘッドＣ₁の場合、信号導
体２０はその上面２０ｃを除いた部分が全て絶縁基板と
弾性部材の上面に埋設されているので、上記屈曲運動を
受けても、延在部２０ａは他の３面が弾性部材１９で確
保されていることにより弾性部材１９から剥離するとい
う事態は大幅に抑制される。したがって、本発明構造の
ヘッドにとって、ヘッドＣ₁の場合のように信号導体２
０を絶縁基板と弾性部材の上面に埋設させることは、実
使用にとって有用である。

【０１３０】更には、信号導体２０を上記したように埋
設すると次のような効果を奏することもできる。すなわ
ち、ヘッドＣ₁の実使用時における環境温度は通常７０
〜８０℃であるため、実使用過程でバンプ２１と検査個
所との接触個所や信号導体の周辺の温度上昇が進む。そ
して、その温度上昇に伴い、絶縁基板，弾性部材，信号
導体とバンプはそれぞれの熱膨張係数に応じて特有の長
さに熱膨張するので、例えば信号導体が絶縁基板や弾性
部材との間で剥離することも起こり得る。

【０１３１】しかしながら、ヘッドＣ₁の場合、例え
ば、絶縁基板１７としてガラスエポキシ樹脂基板を用
い、弾性部材として各種ゴム材を用いた場合、ガラスエ
ポキシ樹脂基板の方がゴム材よりも熱膨張係数は小さい
ので、ゴム材の熱膨張はその周囲に位置するガラスエポ
キシ樹脂基板によって抑制される。そのため、弾性部材
に埋設されている信号導体（熱膨張係数が最も大きい金
属）のピッチ方向への熱膨張が抑制されることにもな
り、ピッチ精度の熱変化は抑制されるようになる。

【０１３２】図５８は、本発明の別のヘッド例Ｃ₂を示
す断面図である。このヘッドＣ₂は、絶縁基板１７と弾
性部材１９の上面に埋設されている信号導体４の他端
に、絶縁基板１７を厚み方向に貫通するスルーホール２
５を穿設し、その内壁には公知の方法で導電性を付与す
ることにより、絶縁基板１７の下面１７ｂにまで信号導
体２０を引き出し、その導出ランドに別のバンプ２１’
を突設した構造になっている。なお、このバンプ２１’
の形成に関しては、例えばバンプ材料としてはんだを選
択すれば、形成すべきバンプ２１’が多数であっても一
括はんだ付け処理によって同時に形成することができ
る。

【０１３３】このヘッドＣ₂は、図５９で示したよう
に、所定径の貫通孔２３ａが形成されているマザーボー
ド２３やサブボートの所定の端子（図示しない）の上
に、前記バンプ２１’が接触するようにヘッドＣ₂を直
接載置し、更に、例えばねじのような押さえ治具２６で
ヘッドＣ₂をマザーボード２３に固定した状態で信号導
体２０とバンプ５に所定の入出力信号を通信して実使用
に供することができる。

【０１３４】このヘッドＣ₂の場合は上記した使用が可
能であるため、例えば、検査機種が変更となりヘッド交
換が必要になったときでも、押さえ治具２６による固定
を解除してヘッドＣ₂をマザーボード２３から取り外し
て別のヘッドに交換することができるという利点を有し
ている。図６０は他のヘッド例Ｃ₃を示す断面図であ
る。

【０１３５】このヘッドＣ₃の場合、絶縁基板１７の厚
み方向に形成される貫通孔１８の断面形状は、上部開口
１８Ａの方が下部開口１８Ｂより小径となるような段差
構造になっていることを除いては前記したヘッドＣ₁と
同じ構造になっている。すなわち、上記したような段差
構造の貫通孔１８が形成されているので、絶縁基板１７
の上面側は全体の厚みより薄い薄肉部１７ｃになってい
て、他の部分よりも上下方向への弾性変形を起こしやす
い構造になっている。

【０１３６】そして、この貫通孔１９に弾性部材１９が
充填されることにより、上記薄肉部１７ｃと弾性部材１
９をもって可動部位Ｅが形成されている。弾性部材１９
を上方に膨出させた場合、信号導体２０の延在部２０ａ
とバンプ２１は、弾性部材１９の上面１９ａによる上方
への押上げ力を受けるとともに、段差部１８ｂの上方に
位置する薄肉部１７ｃからも上方への押上げ力を受ける
ことができる状態になっているので、ヘッドＣ₁の場合
よりもバンプ２１の上下動は円滑に進む。

【０１３７】このヘッドＣ₃に関しては、弾性部材の下
部に図５６で示したような密閉空気室を形成するととも
に、図６１〜図６３で示したような構造にすることが好
ましい。図６１〜図６３において、図６１はヘッドＣ₃
を示す斜視図であり、図６２は図６１の丸印Ｙ₂の領域
を示す部分拡大図であり、図６３は図６１のＹ₃−Ｙ₃線
に沿う断面図である。

【０１３８】このヘッドＣ₃の場合、貫通孔１８の上部
開口１８Ａの平面視形状は四角形になっていて、その四
隅には、図６１，図６２で示したように、所定の幅と長
さを有するスリット２７が絶縁基板１７の周縁部方向に
向かって、前記した薄肉部１７ｃの基部にまで刻設され
ている。このヘッドＣ₃における貫通孔１８は、図６３
で示したように、その断面形状が図６０で示したような
段差構造をなしており、その上部開口１８Ａには、充填
された弾性部材１９の上面１９ａが絶縁基板１７の上面
と面一状態をなして表出し、下部には密閉空気室２２の
ような押上げ手段が配置されている。

【０１３９】したがって、上部開口１８Ａの縁部１８ａ
では、絶縁基板１７のうち、図６２と図６３で示した長
さｌ₁の部分が、薄肉部１７ｃとして段差部１８ｂの上
に位置しており、この部分が絶縁基板１７の舌片部分と
して形成されている。そして、絶縁基板１７に配線され
た信号導体２０は、舌片部分（薄肉部）１７ｃの上面を
通り、弾性部材１９の上面１９ａにまで延在し、その先
端にはバンプ２１が突設されている。

【０１４０】この構造のヘッドＣ₃の場合、段差部１８
ｂの上に位置する絶縁基板の舌片部分１７ｃは薄肉であ
るため弾性的に上下動が可能であり、上部開口１８Ａの
縁部１８ａから長さｌ₁だけ離隔している個所（薄肉部
の基部）Ｐを支点として縁部１８ａは図６３の矢印ｐで
示したような円弧運動をすることができ、舌片部分（薄
肉部）１７ｃは全体として板ばね作用を発揮する。すな
わち、密閉空気室２２内を加圧状態にして弾性部材１９
を上方に膨出させた場合、弾性部材の上面１９ａも上方
に膨出して、信号導体の延在部２０ａは上方に押上げら
れるとともに、舌片部分（薄肉部：図６２，図６３にお
ける長さｌ₁の部分）１７ｃも上方に押上げられ、それ
に応じて信号導体２０の延在部２０ａも上方に押上げら
れる。

【０１４１】したがって、バンプ２１の上下動の度合
は、弾性部材１９の上面１９ａの膨出と復元によって規
定されるだけではなく、それに加えて絶縁基板１７の舌
片部分（薄肉部）１７ｃの反り上がりと復元によっても
規定されることになるので、この舌片部分（薄肉部）１
７ｃが存在しない場合に比べて、バンプ２１の上下動に
対する調整作用は向上する。例えば、バンプ２１の高さ
にばらつきがあった場合でも、舌片部分（薄肉部）１７
ｃの長さｌ₁や厚みを適切に選定して反り上がりの程度
を調節することにより、バンプ２１の全てを検査個所に
確実に接触させることができる。

【０１４２】また、この舌片部分（薄肉部）１７ｃは全
体として薄肉であり、そのため非常に屈曲しやすい状態
にあるため、前記した円弧運動ｐだけではなく、図６２
で示したように、縁部１８ａの辺方向における任意の個
所Ｑでも独立した上下動が可能になっている。したがっ
て、例えば、検査個所に大きな凹凸があった場合でも、
その凹凸の状態に対応して、４個の舌片部分（薄肉部）
１７ｃは、辺方向においても、上下方向においてもそれ
ぞれ独立して弾性変形することができ、そのため、検査
個所に確実にバンプ２１の全てを接触させることができ
る。なお、検査個所の小さな凹凸に対しては、弾性部材
１９の上下動だけでも充分にバンプ２１を検査個所に接
触させることができる。

【０１４３】また、ヘッドＣ₃の場合、密閉空気室２２
を加圧状態にして弾性部材１９や舌片部分（薄肉部）１
７ｃを予め上方に膨出させた状態にして検査個所と接触
させておき、検査個所だけを上下動して使用することも
できる。更に、この構造のヘッドの場合には、バンプ２
１を検査個所に接触して実使用したときに、前記バンプ
２１と検査個所との接触抵抗を安定化できるという効果
を奏する。

【０１４４】例えば、図６４で示したように、弾性部材
１９を上方に膨出させてその上面１９ａを仮想線で示し
たように高さｈだけ上方に移動させたとする。このと
き、長さｌ₁の舌片部分（薄肉部）１７ｃは個所Ｐを支
点にしてｐ方向への円弧運動を行うことにより上方に反
り上がり、それに伴って、バンプ２１も高さｈだけ上方
に移動する。このとき、バンプ２１もｐ方向への円弧運
動をするので、このバンプ２１は、仮想線で示したよう
に、水平位置は距離ｄだけ元の位置よりもずれることに
なる。すなわち、バンプ２１は、高さｈだけ上方に移動
していく過程で距離ｄだけ水平移動することになる。

【０１４５】したがって、バンプ２１が検査個所に接触
している場合には、上記した過程でバンプ２１は検査個
所に圧接しながら距離ｄだけ検査個所を引っ掻くことに
なる。そのため、検査個所とバンプ２１との電気的な接
触は確実となり、例えば検査個所に塵埃や酸化膜などの
抵抗増加要素が存在している場合であっても、上記した
引っ掻き効果によりバンプ２１はこれら抵抗増加要素を
取り除いて検査個所と接触することができるので、接触
抵抗は安定化する。

【０１４６】図６５は、本発明の更に別のヘッドＣ₄を
示す断面図である。前記したヘッドＣ₁〜Ｃ₃の場合は絶
縁基板１７と弾性部材１９とを異なる材料で構成するこ
とを前提としているが、図６５で示したヘッドＣ₄の場
合は、絶縁基板と弾性部材を同一材料で構成している。
すなわち、信号導体２０が配線される材料は、全体が弾
性部材１９で構成され、その上面１９ａには所定のパタ
ーンで信号導体２０が埋設され、その先端上面２０ｂに
バンプ２１が突設されている。

【０１４７】このヘッドの場合、前記したヘッドＣ₁〜
Ｃ₃のように貫通孔は形成されていないが、信号導体２
０の先端は、例えば図５３で示したような平面パターン
をなして配線されていて、これら信号導体２０の配線個
所全体、少なくともその先端が配線されている個所全体
でバンプ２１の上下動が可能な可動部位Ｅを形成してい
る。

【０１４８】このヘッドＣ₄の場合、弾性部材１９を薄
いシート形状にすると全体が可撓性に富んでいて自由に
屈曲させることができるため、その下面１９ｂを所定形
状のベース部材に貼着して使用することができ、各種形
状のコンクタトヘッドを製造するときの設計自由度を高
めることができる。例えば、図６６で示したように、信
号導体２０の他端にバンプ２１’を形成した状態で、こ
のヘッドＣ₄のシートの下面１９ｂを例えば表面が台形
形状をしたリジットなベース部材２８に貼着してコンタ
クトヘッドにすることができる。

【０１４９】また、図６５で示したヘッドＣ₄を用いる
と図６７で示したような構造のコンタクトヘッドＣ₅を
製造することができる。まず、弾性部材１９の薄いシー
トを用いて図６５で示したヘッドＣ₄を製造し、バンプ
２１を上下動させるための個所、すなわち可動部位Ｅと
して機能させるべき個所を開口状態にする。

【０１５０】一方、弾性部材１９の前記した開口部に相
当する個所に、段差構造をした貫通孔２９ａが形成さ
れ、全体の形状は前記した弾性部材１９のシート形状よ
りも小さいリジッドな絶縁板２９を用意する。そして、
この絶縁板２９の表面２９ｂに弾性部材１９のシートの
下面１９ｂを貼着して一体化し、形成された空洞部２９
ａの中に別の弾性部材１９Ａを充填し、かつその下部に
密閉空気室２２を配置してヘッドＣ₅にする。

【０１５１】したがって、このヘッドＣ₅の場合、絶縁
基板２９の周縁からは、信号導体２０が埋設されている
可撓性に富む弾性部材１９のシートが張り出した構造に
なっており、別の弾性部材１９Ａの充填されている個所
がバンプ２１の上下動可能な可動部位Ｅになっている。
このヘッドＣ₅は図６８で示したようにして実使用に供
することができる。

【０１５２】すなわち、信号導体２０の他端に別のバン
プ２１’を形成し、絶縁基板２９の裏面２９ｃの周縁に
ベース部材２８を例えばねじを用いて機械的に固定し、
更にそのベース部材２８の上に別のベース部材２８ａを
機械的に固定し、そして前記した弾性部材１９のシート
の張り出した部分を屈曲させてその裏面１９ｂを前記し
た別のベース部材２８ａに重ね合わせてそれを例えばね
じ止めのような機械的手段で固定し、バンプ２１Ｃを図
示しないマザーボードと接続して使用する。

【０１５３】なお、このとき、ベース部材２８，２８ａ
の一方を軟質な材料にすればクッション効果が得られて
好適である。ヘッドＣ₅をこのように使用することによ
り、バンプ２１とバンプ２１’とを接続するためにスル
ーホールを弾性部材１９に穿設することも不要になり、
また検査機種の変換に伴うヘッドの交換に際しても、ベ
ース部材２８，２８ａを容易に分解してヘッド交換を行
うことができる。

【０１５４】図６９は、本発明の別のヘッドＣ₆を示す
斜視図であり、図７０は図６９のＹ₄−Ｙ₄線に沿う断面
図である。このヘッドＣ₆は、図６０〜図６３で示した
ヘッドＣ₃において、貫通孔１８に弾性部材を充填しな
い構造のものである。すなわち、絶縁基板１７の厚み方
向には段差構造の貫通孔１８が形成されている。この貫
通孔１８の上部開口１８Ａの平面視形状は四角形であ
り、その四隅にはスリット２７が刻設されていることに
より、ヘッドＣ₃の場合と同じように、絶縁基板１７の
上面側は薄肉部（舌片部分）１７ｃになっている。

【０１５５】そして、この薄肉部（舌片部分）１７ｃの
周縁近くにまで信号導体２０が配線され、その先端上面
２０ｂにバンプ２１が突設されている。したがって、こ
のヘッドＣ₆では、可撓性に富む薄肉部（舌片部分）１
７ｃそれ自体でバンプ２１の上下動を可能にする可動部
位Ｅを構成している。すなわち、薄肉部（舌片部分）１
７ｃの厚みや張り出しの長さ（スリット２７の長さ）な
どを適宜に調節することにより、そして、貫通孔（空
洞）１８の中に例えば風船袋などを配置し、その風船袋
を膨張させたり収縮させたりすれば、薄肉部（舌片部
分）１７ｃは上下動し、その結果、バンプ２１の上下動
を行わせることができる。

【０１５６】上記列記したヘッドＣ₁〜Ｃ₆において、可
動部位Ｅに位置する少なくともバンプ２１は、前記した
回路基板Ｍ₁〜Ｍ₆におけるバンプ３の場合と同じよう
に、外層部が耐食性の第１の導電材料から成る多層構造
体で形成されている。次に、本発明のバンプ式コンタク
トヘッドの製造方法を説明する。まず、第１の製造方法
は以下の通りであり、それを図面に則して説明する。

【０１５７】図７１で示したように、例えばリン青銅か
ら成り厚みが１００〜１５０μｍ程度の導電薄板３０Ａ
を用意し、そこに公知のドライフィルムを貼着したりま
たは液体レジストを塗布することにより、表面３０ａの
全面を被覆して所定厚みの第１のレジスト層３１Ａを形
成する。ついで、このレジスト層３１Ａに、露光・現像
処理を行って、図７２で示したように、バンプを形成す
べき個所に相当する個所のレジスト層３１Ａに所定形状
の貫通孔３１ａを形成してそこから導電薄板３０Ａの表
面３０ａを露出させる。続いて、貫通孔３１ａから露出
する表面３０ａにエッチング処理を行い、貫通孔３１ａ
から露出している表面３０ａの部分のみを所定の深さだ
けエッチングしたのち、レジスト層３１Ａを除去する。

【０１５８】その結果、図７３で示したように、導電薄
板３０Ａの表面３０ａのうち、バンプを形成すべき個所
には所定深さのバンプ用凹み２１ａが形成される。つい
で、上記した表面３０ａの全面に公知のドライフィルム
を貼着したりまたは液体レジストを塗布して所定厚みの
レジスト層３１Ｂを形成したのち露光・現像処理を行
い、図７４で示したように、形成すべき信号導体のパタ
ーンに相当する個所のレジスト層３１Ｂを除去し、深さ
が導電薄板３０Ａの表面３０ａにまで至る溝パターン
（平面パターン）３１ｂを形成して導電薄板３０Ａの表
面を部分的に露出させる。形成した溝パターン３１ｂの
先端ではバンプ用凹み２１ａが表出することになる。こ
のとき、レジスト層３１Ｂの厚みは形成すべき信号導体
の厚みと略等しい厚みに設定される。

【０１５９】また、溝パターン３１ｂの幅は、その下に
位置するバンプ用凹み２１ａよりも大きく設定する。し
たがって、バンプ用凹み２１ａと溝パターン３１ｂとで
形成される凹部の断面形状は段差構造になっていて、溝
パターン３１ｂには段差構造の底部、すなわち導電薄板
３０Ａの部分が露出している。ついで、全体を所定のめ
っき浴に浸漬し、導電薄板３０Ａをマイナス極にした状
態で電気めっきが行われる。

【０１６０】そのときの電気めっきは、めっき浴を変え
て少なくとも２回行われる。すなわち、最初の電気めっ
きでは、金，ニッケル，ニッケル−コバルト合金のよう
に、後述するエッチング処理時に用いるエッチャントに
よって侵食されないような耐食性を備えた第１の導電材
料の電着が行われる。この最初の電気めっきで、前記し
たバンプ用凹み２１ａと溝パターン３１ｂから成る凹部
では、導電薄板３０Ａの露出表面に前記した第１の導電
材料が層状に電着する。

【０１６１】そして、上記した最初の電気めっきに続け
て、更に次の電気めっきを行い、前記した耐食性の導電
材料で形成されている層状体の上に別の導電材料を、レ
ジスト層３１Ｂと面一状態になるように電着する。この
ときに電着される導電材料は、導電性が優れているもの
であれば何であってもよく、例えば、銅，アルミニウム
などを好適な材料としてあげることができる。

【０１６２】この電気めっきの過程で、バンプ用凹み２
１ａと溝パターン３１ｂとから成る凹部では、まず最初
に、バンプ用凹み２１ａに第１の導電材料が層状に堆積
し、更にその上に別の導電材料が堆積していき、結果と
して、前記凹部がこれら導電材料で充填されることにな
る。したがって、電気めっきの終了時にあっては、図７
５で示したように、バンプ用凹みの中には導電薄板３０
Ａの露出表面を覆う層状体２１ｂとその上に形成される
層状体２１ｃが積層して成る２層構造体が充填された状
態でバンプ２１が形成され、また溝パターンにも、導電
薄板３０Ａの露出表面に層状に電着した層状体とその上
に堆積した別の導電材料とから成る２層構造体が形成さ
れる。

【０１６３】ついで、レジスト層３１Ｂを除去する。そ
の結果、図７６で示したように、導電薄板３０Ａの表面
３０ａには、表面３０ａから突起した状態で所定のパタ
ーンを有する信号導体２０と、その先端では信号導体２
０と一体化した状態で導電薄板３０Ａの中に埋没してい
るバンプ２１とが形成される。

【０１６４】ついで、図７７で示したように、断面形状
が段差構造となっていて、上方からの平面視形状が四角
形でその四隅にはスリットが刻設されている貫通孔１８
が上面１７ａから下面１７ｂまでを貫いて形成されてい
る絶縁基板１７の上面１７ａと、信号導体２０のパター
ンが形成されている導電薄板３０Ａの表面３０ａとを熱
圧着して両者を一体化する。信号導体２０のパターンの
うち、バンプ２１が形成されている先端部分は、貫通孔
１８の上部開口１８Ａの個所に位置し、残りの部分は絶
縁基板１７の中に埋没し、貫通孔１８自体は空洞部とし
て存在することになる。

【０１６５】なお、このときに用いる絶縁基板１７とし
ては、常温下では半硬化状態にあり、加熱されると軟化
する材料であることが好適である。例えばブリブレグで
ある。その理由は、信号導体２０のパターンは導電薄板
３０Ａの表面３０ａに突起した状態で形成されているた
め、ここに絶縁基板１７が圧着されたときに、前記信号
導体２０のパターンは、その時点では可塑性を有する当
該絶縁基板１７の上面１７ａに埋没することができ、そ
の後基板が熱硬化して固定されるからである。

【０１６６】しかし、絶縁基板１７がリジットな材料か
ら成る場合であっても、例えば、図７８で示したよう
に、導電薄板３０Ａの表面３０ａに、信号導体２０のパ
ターンを埋設するようにして例えば未硬化のエポキシ樹
脂から成る層１７Ａを形成し、ここに、上部開口１８Ａ
が所定形状をした貫通孔１８を有するリジットな絶縁基
板１７を熱圧着して一体化することができる。

【０１６７】この場合、両者を圧着した時点では、層１
７Ａは未硬化で軟質な状態にあるため、ここに信号導体
２０のパターンは埋没することができ、同時に、前記層
１７Ａは絶縁基板１７の上面１７ａと接着する。そし
て、層１７Ａが熱硬化することにより、信号導体２０の
パターンは熱硬化した層１７Ａに埋没した状態で絶縁基
板１７と一体化する。

【０１６８】このときの絶縁基板としては、電気絶縁性
のものであれば何であってもよく、例えば、ガラスエポ
キシ樹脂基板，フレキシブルプリント基板や、エポキシ
樹脂系，ポリイミド系，ポリエステル系，ウレタン樹脂
系，フェノール樹脂系などから成る樹脂基板やシート、
またセラミックス板などをあげることができる。これら
のうち、前記したように導電薄板３０Ａの上に形成され
ている信号導体２０のパターンを熱圧着時に埋没させる
ということからすると軟質なガラスエポキシ樹脂のプリ
プレグが好適である。

【０１６９】また、上記した絶縁基板は、例えば複数枚
のプリプレグを積層して適当な厚みに形成してもよい。
導電薄板３０Ａと絶縁基板１７との一体化を終了したの
ち、導電薄板３０Ａと絶縁基板１７の貫通孔１８とによ
って形成された空洞部１８Ｃに弾性部材１９が充填され
る。

【０１７０】例えば、図７９で示したように、絶縁基板
１７の下面１７ｂに所定の弾性部材１９を配置し、この
弾性部材１９を例えば矢印ｑ方向に移動するスキージ３
２で空洞部１８Ｃに充填しそれを固化すればよい。ま
た、図８０で示したように、空洞部１８Ｃの下部を密閉
構造にし、ここに減圧装置３３ａを配置して前記密閉空
間内を減圧とし、かつ、弾性部材１９の収容容器３３ｂ
を前記密閉空間に接続し、収容されている弾性部材１９
を密閉空間の中に差圧注入してから固化してもよい。

【０１７１】このような充填処理を行うことにより、図
８１で示したように、空洞部１８Ｃの中には、上面１９
ａが導電薄板３０Ａの表面３０ａと接触し、段差部１８
ｂで絶縁基板１７の薄肉部（舌片部分）１７ｃの下面と
接触し、かつ、貫通孔１８の上部開口１８Ａでは信号導
体２０の先端とバンプ２１が埋設された状態で弾性部材
１９が充填される。

【０１７２】なお、図６３で示したように、弾性部材１
９の下部に密閉空気室２２を形成する場合には、図８２
で示したように、空洞部１８Ｃに充填されている弾性部
材１９を包み込むような大きさの貫通孔２２Ａが形成さ
れている別の絶縁基板１７Ｂを、絶縁基板１７の下面に
接着または熱圧着すればよい。このときに用いる弾性部
材の材料としては、前記した空洞部に充填して固化した
のちでも適正な弾性を備えているものが好ましく、例え
ば、フッ素ゴム，シリコーンゴム，アクリルゴム，エチ
レン−プロピレンゴム，エチレン−酢酸ビニルゴム，ク
ロロプレンゴム，ニトリルゴム，スチレン−ブタジエン
ゴム，天然ゴムのようなものを使用することができる。
また、液状ポリブタジエン，液状シリコーンのような液
状ゴムや、ポリスチレン，ポリブタジエンのような熱可
塑性エラストマーを使用することもできる。

【０１７３】なお、信号導体の弾性部材への埋設に関し
ては、上記したように、導電薄板３０Ａと絶縁基板１７
を熱圧着し、そのときに形成される空洞部１８Ｃに弾性
部材を充填する方法に限らず、例えば、図７６で示した
ような導電薄板３０Ａにおいて、信号導体２０の先端部
部を含む所定の個所を弾性部材で選択的にモールド成形
し、更に固化したのち脱型して、図７７で示したように
絶縁基板１７と熱圧着して一体化してもよい。

【０１７４】最後に、空洞部１８Ｃに充填された弾性部
材１９を固化したのち、全体を所定のエッチャントに浸
漬して導電薄板３０Ａをエッチング除去する。かくし
て、図８３で示したように、信号導体２０はその上面の
みが露出した状態で絶縁基板１７の上面１７ａと弾性部
材１９の上面１９ａに埋設された状態で転写され、その
信号導体２０の先端の所定位置にはバンプ２１が上方に
突設しているヘッドが得られる。そして、表出している
信号導体のパターンの上面を電気めっきや無電解めっき
法で例えばＡｕで被覆することにより目的とするヘッド
が得られる。

【０１７５】このとき、バンプ２１の外層部２１ｂは、
用いるエッチャントに侵食されない導電材料で形成され
ていて、エッチャントに対するバリヤ層として機能する
ので、このエッチング処理時にバンプ２１がエッチング
されてしまうという事態は起こらない。なお、上記した
製造方法は、図７１で示したような導電薄板３０Ａを用
意し、ここに、バンプ用凹みと信号導体のパターンを形
成した例である。

【０１７６】しかし、本発明のバンプ式コンタクトヘッ
ドは、前記した回路基板Ｍ₂の製造方法で製造すること
もできる。すなわちまず、図４２〜図４５で示したよう
に、回路基板Ｍ₂の工程Ａに従って、電着層８にバンプ
用凹み３Ａを形成し、その下のレジスト層ａ₂に信号導
体用の平面パターン（溝パターン）２Ａを形成したの
ち、前記した少なくとも２回の電気めっきを行って、バ
ンプ用凹みに多層構造体のバンプ３を形成し、同時に溝
パターンに多層構造体から成る導体回路２ａを形成す
る。

【０１７７】そして、得られた部材を、図７７で示した
ように、絶縁基板と一体化したのち絶縁基板の貫通孔が
形成する空洞部に弾性部材を充填し、その後、導電基板
を剥離し、更に続けて、導体薄層とその下に位置する電
着層を順次エッチング除去すればよい。また、図６５で
示したヘッドＣ₄を製造する場合には、図７７で示した
一体化処理時に、絶縁基板１７として弾性部材から成る
シートを用いればよい。

【０１７８】更に、図６９で示したヘッドＣ₆を製造す
る場合には、図７７で示した一体化処理を行うときに、
導電薄板３０Ａの表面３０ａに形成されている信号導体
２０は、絶縁基板１７の薄肉部（舌片部分）１７ｃの上
面に位置せしめて一体化し、かつ、絶縁基板１７の貫通
孔１８には弾性部材を充填しなければよい。また、本発
明構造のヘッドの場合、図８４で示したように、絶縁基
板１７の貫通孔の上部開口１８Ａの平面形状を矩形と
し、そこから弾性部材１９の表面１９ａを絶縁基板１７
と面一状態に表出させ、そこに、複数本の信号導体２０
とグランド線２０’を平行配置して先端にバンプ２１を
形成したものにしてもよい。この構造のヘッドの場合、
液晶パネル，ＰＤＰ，ＴＡＢなどの回路部品の検査に使
用しやすいので好適である。

【０１７９】次に、本発明の半導体部品実装モジュール
について説明する。図８５は、本発明の回路基板Ｍ
₁に、図１で示したようにして半導体部品Ｓを実装した
状態を示す断面図である。すなわち、このモジュールに
おいては、半導体部品Ｓは接着剤３４で回路基板Ｍ₁の
表面にダイボンドされ、図の仮想線で示したように、実
装個所は樹脂モールドされている。

【０１８０】そして、回路基板Ｍ₁の表面１ａに所定の
パターンを形成して突設されているバンプ３と半導体部
品Ｓの下面に形成されているランド部Ｓ₁とは、単に、
機械的に接触した構造になっている。このことは、半導
体部品Ｓをダイボンドするときに用いる接着剤３４とし
て、硬化時に寸法収縮する接着剤を用いることによって
実現することができる。

【０１８１】すなわち、半導体部品Ｓをそのランド部Ｓ
₁とバンプ３とを位置合わせした状態で上記した性質を
有する接着剤３４を用いて絶縁基材１の表面に接着する
と、前記接着剤３４が硬化していく過程で進む接着剤３
４の寸法収縮により、半導体部品Ｓは下方に引っ張ら
れ、半導体部品Ｓのランド部Ｓ₁とバンプ３とは前記接
着剤３４が発揮する収縮力によって、直接、機械的に接
触し、ここに導通構造が形成される。

【０１８２】その場合、回路基板Ｍ₁におけるバンプ３
の高さばらつきは非常に小さいので、全てのバンプ３は
半導体部品Ｓの全てのランド部Ｓ₁と確実に機械的な接
触を実現している。すなわち、数多くのバンプと半導体
部品のランド部のうち、互いに接触しないこともあると
いう事態は事実上皆無になって全てが確実に接触するた
め、実装時における接続信頼性は非常に高くなる。

【０１８３】このような働きをする接着剤３４として
は、硬化時に寸法収縮するものであれば何であってもよ
く、例えば通常ダイボンド方式に用いられている接着剤
であってよい。なお、モジュールの実働時に、半導体部
品Ｓと回路基板Ｍ₁との熱膨張差により、ランド部Ｓ₁と
バンプ３の接触個所には熱負荷が加わる。しかし、その
場合でも、ランド部Ｓ₁とバンプ３の間では互いにこす
れ合う力が働くのみであり、半導体部品Ｓとバンプ３と
を引きはがす力は働かないので両者間の導通構造が破壊
されるという事態は起こらない。

【０１８４】なお、上記説明は、実装用の基板として回
路基板Ｍ₁の場合で行ったが、本発明のモジュールはこ
れに限定されるものではなく、表面にバンプパターンが
突設している回路基板であれば、前記したような回路基
板を含めて、どのような回路基板を用いても組み立てる
ことができる。

【０１８５】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
回路基板において、その表面に突設されるバンプは、均
一な厚みで形成される電着層の所定個所にその電着層の
厚みと同じ寸法の高さを有する多層構造体として形成さ
れる。そのため、バンプの高さのばらつきは極めて小さ
く、そこに半導体部品を接続するときの実装信頼性は非
常に高くなる。

【０１８６】そして、本発明の回路基板は、機械加工を
全く行うことなく、従来の回路基板の製造時に適用され
ている露光・現像処理、そして無電解めっきや電気めっ
きを組み合わせて製造することができるので、導体回路
や導体回路間の導通構造をファイン化することができ半
導体部品の高密度実装が可能になる。とくに導体回路間
を柱状導体で接続しているので、その電流容量は従来の
スルーホール構造に比べて大きくなり、バンプの分布密
度の向上、そしてそれに基づく半導体部品の高密度実装
を実現することができ、更にバンプによる実装部品を直
接接することができるため、部品実装の省力化が可能に
なる。また、インナーバイヤホール内を空洞にすること
が全く不要となるため、ホールを従来に比べて一層小径
化（例えば３０〜５０μｍ）することができる。

【０１８７】電気めっきは、いずれの場合においても、
大きな面積の導電基板をマイナス極にした状態で行われ
るので、小孔は全て一括して導電材料で埋めることがで
き、スルーホールめっきの場合に比べて著しく生産性が
高くなる。また、本発明のバンプ式コンタクトヘッド
は、絶縁基板と面一状態にある可動部位にまで信号導体
が延在して配線され、その先端にバンプが形成されてい
るので、前記可動部位の上面を押上げることによりバン
プを検査個所に接触させ、また押上げを解除することに
よりバンプの接触を解除することができる。

【０１８８】本発明のヘッドは、いずれも、信号導体の
上面のみが表出し、他の部分は絶縁基板と弾性部材（可
動部位）に埋設された状態にあるので、検査時における
バンプの上下動に伴って発生する信号導体の剥離応力に
対し強い抵抗を示し、使用時における信頼性は高く、ま
た使用寿命も長くなる。ヘッドＣ₃の場合は、貫通孔の
上部開口近辺に位置する絶縁基板の部分がスリットで画
分された薄肉の独立した舌片形状をしているため、その
舌片部分はそれぞれ独立した状態で自由度の高い板ばね
作用を発揮することができる。そのため、バンプの上下
動の調節機能は向上する。

【０１８９】また、本発明のヘッドは、弾性部材を押上
げる手段を内蔵していて、全体の構造は簡素であり、ま
た従来のように複雑な機構を必要としない。そして、本
発明のヘッドの場合、弾性部材（可動部位）の働きによ
り、その上面に配列しているバンプはそれぞれ独立して
上下動することができる。更に、本発明のヘッドは、ス
ルーホールを介して信号導体を反対側の面に導出し、そ
こにバンプを形成した構造にすることもでき、このバン
プをマザーボードに着脱自在に取り付けて実使用するこ
とができ、検査時における機種変更に伴って、簡単にヘ
ッド交換ができるという利点がある。

【０１９０】また、ヘッドＣ₄は、絶縁基板が弾性部材
で構成されているので可撓性に富み、各種形状のベース
部材に取り付けることが容易であり、設計自由度を高め
ることができるヘッドとして有用である。また、これら
のヘッドは、いずれも、従来の回路基板の製造時に適用
されている露光・現像処理、そして電気めっき法を組み
合わせて製造することができるので、信号導体やバンプ
をファインピッチで多数形成する場合であっても、高い
ピッチ精度で設計基準どおりにそれらを一括して形成す
ることができる。そして、従来のような手直し作業など
は不要となる。また、製造に際しては、従来からプリン
ト基板の製造に用いられていた設備などを転用すること
が可能であり、従来のヘッド製造時に比べ、全体として
の製造コストを大幅に低減することができる。

【０１９１】また、本発明の半導体部品実装モジュール
は、半導体部品を回路基板に接着剤でダイボンドするだ
けで組み立てることができ、従来のダイボンド方式のよ
うに、半導体部品のランド部と回路基板の接続端子（例
えばバンプ）とを例えば溶融はんだを介して間接的に接
触していないので、製造は非常に簡便化する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の回路基板Ｍ₁を示す斜視図である。

【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。

【図３】本発明の別の回路基板Ｍ₂を示す斜視図であ
る。

【図４】図３のIV−IV線に沿う断面図である。

【図５】回路基板Ｍ₁の変形例であるマルチチップバン
プボードＭ₃を示す斜視図である。

【図６】本発明の別のマルチチップバンプボードＭ₄を
示す斜視図である。

【図７】回路基板Ｍ₁の上面近傍の断面構造を示す部分
断面図である。

【図８】回路基板Ｍ₂の上面近傍の断面構造を示す部分
断面図である。

【図９】導電基板の表面を被覆して導体薄層を形成した
状態を示す断面図である。

【図１０】導体薄層の表面にレジスト層ａ₁を形成した
状態を示す断面図である。

【図１１】バンプ形成予定個所にレジスト層ａ₁を残置
せしめた状態を示す断面図である。

【図１２】導体薄層の表面に電着層を形成した状態を示
す断面図である。

【図１３】電着層にバンプ用凹みを形成した状態を示す
断面図である。

【図１４】レジスト層ａ₂を形成し、そこにバンプ用凹
みに連通する第１の孔と、ランド部回路に相当する平面
パターンを形成した状態を示す断面図である。

【図１５】バンプと第１の柱状導体とランドブ回路を形
成した状態を示す断面図である。

【図１６】レジスト層ａ₂を除去して電着層の表面を露
出させた状態を示す断面図である。

【図１７】電着層の表面を被覆してレジスト層ａ₃を形
成した状態を示す断面図である。

【図１８】レジスト層ａ₃の表面と第１の柱状導体の端
面とランド部回路の表面に無電解めっきを行ってめっき
薄膜を形成した状態を示す断面図である。

【図１９】図１８のめっき薄膜にレジスト層ａ₄を形成
し、そこに、形成すべき導体回路と同じパターンの平面
パターン、および、柱状導体用の孔を形成した状態を示
す断面図である。

【図２０】図１９の平面パターンと柱状導体用の孔に導
電材料を電気めっきした状態を示す断面図である。

【図２１】レジスト層ａ₄を除去し、ついでめっき薄膜
をエッチング除去してレジスト層ａ₃に導体回路と柱状
導体を形成した状態を示す断面図である。

【図２２】導体回路と柱状導体を被覆してレジスト層ａ
₅を形成した状態を示す断面図である。

【図２３】レジスト層ａ₅に孔を形成した状態を示す断
面図である。

【図２４】図２３の孔に電気めっき法で導電材料を充填
して柱状導体を形成して成る部材Ａを示す断面図であ
る。

【図２５】部材Ａのレジスト層ａ₅と柱状導体の端面を
被覆して無電解めっき法でめっき薄膜を形成した状態を
示す断面図である。

【図２６】めっき薄膜にレジスト層ｂ₁を形成し、そこ
に、形成すべき導体回路と同じパターンの平面パターン
を形成した状態を示す断面図である。

【図２７】図２６の平面パターンに導電材料を電気めっ
きした状態を示す断面図である。

【図２８】レジスト層ｂ₁を除去した状態を示す断面図
である。

【図２９】レジスト層ａ₅に導体回路を形成して成る部
材Ｂ(1)を示す断面図である。

【図３０】図２９の導体回路を被覆してレジスト層ｂ₂
を形成した状態を示す断面図である。

【図３１】レジスト層ｂ₂に柱状導体用の孔を形成した
状態を示す断面図である。

【図３２】図３１の孔に電気めっき法で導電材料を充填
して柱状導体を形成した状態を示す断面図である。

【図３３】レジスト層ｂ₂の表面と柱状導体の端面に無
電解めっき法でめっき薄膜を形成した状態を示す断面図
である。

【図３４】図３３のめっき薄膜にレジスト層ｂ₃を形成
し、そこに、形成すべき導体回路と同じパターンで平面
パターンを形成した状態を示す断面図である。

【図３５】図３４の平面パターンに導電材料を電気めっ
きした状態を示す断面図である。

【図３６】レジスト層ｂ₃を除去した状態を示す断面図
である。

【図３７】レジスト層ｂ₂に導体回路を形成して成る部
材Ｂ(2)を示す断面図である。

【図３８】部材Ｂ(1)の表面と絶縁基板とを熱圧着する
状態を示す断面図である。

【図３９】部材Ｂ(1)と絶縁基板との一体化物Ｃを示す
断面図である。

【図４０】一体化物Ｃから導電基板を剥離した状態を示
す断面図である。

【図４１】本発明の回路基板Ｍ₁を示す断面図である。

【図４２】導体薄層のバンプ形成予定個所にレジスト層
ａ₁を残置せしめた状態を示す断面図である。

【図４３】電着層にバンプ用凹みを形成した状態を示す
断面図である。

【図４４】レジスト層ａ₂を形成し、そこに、バンプ用
凹みに連通する導体回路用と、ランド部回路用の各平面
パターンを形成した状態を示す断面図である。

【図４５】図４４の平面パターンに電気めっきしてバン
プと導体回路とランド部回路を形成した状態を示す断面
図である。

【図４６】導体回路とランド部回路とレジスト層ａ₂を
被覆してレジスト層ａ₃を形成したのち、そこに、柱状
導体用の孔を形成した状態を示す断面図である。

【図４７】図４６の柱状導体用の孔に電気めっき法で導
電材料を充填して柱状導体を形成して成る部材Ａを示す
断面図である。

【図４８】部材Ｂ(1)と部材Ｂ(2)を絶縁基板に熱圧着す
る状態を示す断面図である。

【図４９】本発明方法で製造した両面実装用回路基板Ｍ
₅を示す断面図である。

【図５０】両面実装用回路基板を製造するに際し、部材
Ｂ(2)にフィルムを貼着する状態を示す断面図である。

【図５１】本発明の回路基板を用いて製造した両面実装
用回路基板例Ｍ₆を示す斜視図である。

【図５２】ヒートシンクと伝熱路を備えた本発明の回路
基板Ｍ₇を示す断面図である。

【図５３】本発明のヘッドＣ₁を示す斜視図である。

【図５４】図５３のＹ₁−Ｙ₁線に沿う断面図である。

【図５５】弾性部材の上面におけるバンプの配列状態を
示す部分断面図である。

【図５６】ヘッドＣ₁に押上げ手段（密閉空気室）を配
設した状態を示す断面図である。

【図５７】ヘッドＣ₁に別の押上げ手段を配設した状態
を示す断面図である。

【図５８】本発明のヘッドＣ₂を示す断面図である。

【図５９】ヘッドＣ₂をマザーボードに配置した状態を
示す断面図である。

【図６０】本発明のヘッドＣ₃を示す断面図である。

【図６１】本発明のヘッドＣ₃の好適例を示す斜視図で
ある。

【図６２】図６１の丸印の領域Ｙ₂の部分拡大図であ
る。

【図６３】図６１のＹ₃−Ｙ₃線に沿う部分断面図であ
る。

【図６４】ヘッドＣ₃におけるバンプ動作を示す部分断
面図である。

【図６５】本発明のヘッドＣ₄を示す断面図である。

【図６６】図６５のヘッドＣ₄を用いて製造したコンタ
クトヘッドの断面図である。

【図６７】本発明のヘッドＣ₅を示す断面図である。

【図６８】図６７のヘッドＣ₅をマザーボードに取り付
けた状態を示す断面図である。

【図６９】本発明のヘッドＣ₆を示す斜視図である。

【図７０】図６９のＹ₄−Ｙ₄線に沿う断面図である。

【図７１】導電薄板に第１のレジスト層を形成した状態
を示す断面図である。

【図７２】第１のレジスト層に貫通孔を形成した状態を
示す断面図である。

【図７３】導電薄板にバンプ用凹みを形成した状態を示
す断面図である。

【図７４】導電薄板に第２のレジスト層を形成し、そこ
に、形成すべき信号導体の溝パターンに相当するパター
ンを形成した状態を示す断面図である。

【図７５】バンプ用凹みと信号導体用の溝パターンに導
電材料を電着した状態を示す断面図である。

【図７６】導電薄板の表面にバンプと信号導体を形成し
た状態を示す断面図である。

【図７７】図７６の導電薄板の表面と絶縁基板を熱圧着
する状態を示す断面図である。

【図７８】導電薄板と絶縁基板を熱圧着する別の状態を
示す断面図である。

【図７９】図７６の導電薄板と絶縁基板を一体化したと
きに形成される空洞部に弾性部材を充填する状態を示す
断面図である。

【図８０】弾性部材の別の充填方法を示す断面図であ
る。

【図８１】図７９で示した空洞部に弾性部材が充填され
た状態を示す断面図である。

【図８２】図８１で示した部材に更に別の絶縁基板を配
置する状態を示す断面図である。

【図８３】導電薄板を剥離除去した状態を示す断面図で
ある。

【図８４】本発明の別のコンタクトヘッドＣ₇を示す部
分平面図である。

【図８５】本発明の半導体部品実装モジュールの１例を
示す断面図である。

【符号の説明】

ａ₁，ａ₂，ａ₃，ａ₄，ａ₅，ｂ₁，ｂ₂，ｂ₃レジスト１絶縁基材１ａ，１ｂ絶縁基材１の表面２ａ，２ｂ，２ｃ導体回路２Ａ，２Ｂ，２Ｃ導体回路用の平面パターン３バンプ（多層構造体）３ａ，３ｂ導電材料の層状体３Ａバンプ用凹み４ランド部回路４ａ，４ｂ導電材料の層状体４Ａランド部回路用の平面パターン５，５₁，５₁’，５₂，５₃ 柱状導体５Ａ₁，５Ａ₁’，５Ａ₂，５Ｂ₁柱状導体用の孔６導電基板６ａ導電基板６の表面７導体薄層７ａ導体薄層７の表面８電着層８ａ電着層８の表面８ｂバンプ用凹み３Ａに表出した電
着層８の壁面８ｃ孔５Ａ₁に表出した電着層８の
一部表面９，１０，１１めっき薄膜９ａ，１０ａ，１１ａめっき薄膜の表面１２絶縁基板１２ａ絶縁基板１２の表面１３フィルム１３ａ接着剤層１４ヒートシンク１５グランド線回路１５ａ信号導体１５ｂ信号グランド１６伝熱路１６ａ穴１６ｂめっき層１６ｃ導体膜部１７絶縁基板１７ａ絶縁基板１７の上面１７ｂ絶縁基板１７の下面１７Ａ未硬化の樹脂１７Ｂ絶縁基板１８貫通孔１８Ａ貫通孔１８の上部開口１８Ｂ貫通孔１８の下部開口１８Ｃ空洞部１８ａ貫通孔１８の上部縁部１９弾性部材１９ａ弾性部材の上面１９ｂ弾性部材の下面２０信号導体２０ａ信号導体２０の延在部２０ｂ信号導体２０の延在部における
先端上面２０ｃ信号導体２０の上面２０ｄ信号導体の端部２０’ グランド線２１，２１（１），２１（２），２１（３），２１’
バンプ２１ａバンプ用凹み２１ｂ，２１ｃ導電材料の層状体２２密閉空気室２３マザーボード２３ａマザーボード２３の貫通孔２４治具２４ａ押上げピン２５スルーホール２６押さえ治具２７スリット２８，２８ａベース部材２９絶縁板２９ａ絶縁板２９に形成した貫通孔
（空洞部）２９ｂ，２９ｃ絶縁板２９の表面３０Ａ導電薄板３０ａ導電薄板３０Ａの表面３１Ａレジスト層３１ａレジスト層３１Ａに形成した貫
通孔３１Ｂレジスト層３１ｂ信号導体用の平面パターン３２スキージ３３ａ減圧装置３３ｂ弾性部材の収容容器３４接着剤

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者青島克郎神奈川県綾瀬市大上５丁目14番15号株式会社メイコー内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁基材の少なくとも片面には少なくと
もバンプが形成され、前記絶縁基材の少なくとも片面または／および内部には
少なくとも１層の導体回路が配線され、前記バンプと導体回路の間または／および各導体回路間
にはそれらを電気的に接続する導通構造が形成されてい
る回路基板において、少なくとも前記バンプは、少なくとも２種類の導電材料
を順次電着して成る多層構造体であることを特徴とする
回路基板。
【請求項２】前記導通構造は柱状導体から成る請求項
１の回路基板。
【請求項３】前記多層構造体は２層構造体であり、前
記２層構造体の外層部は金，ニッケル，ニッケル合金の
群から選ばれるいずれか１種から成り、かつ内層部は銅
から成る請求項１の回路基板。
【請求項４】前記絶縁基材の少なくとも片面にはバン
プとランド部回路が表出して形成されている請求項１の
回路基板。
【請求項５】前記絶縁基材の少なくとも片面にはバン
プとランド部回路と導体回路とが表出して形成されてい
る請求項１の回路基板。
【請求項６】前記バンプが形成されている前記絶縁基
材の表面にはグランド線回路または／およびヒートシン
クが形成されている請求項１の回路基板。
【請求項７】前記絶縁基材の内部には、前記ヒートシ
ンクから他方の面にかけて前記他方の面に表出する伝熱
路が形成されている請求項１の回路基板。
【請求項８】導電基板と、前記導電基板の少なくとも
片面に形成された導体薄層と、前記導体薄層の表面に形
成された電着層と、前記電着層の所定個所に埋設して形
成され、少なくとも２種類の導電材料を順次電着して成
る多層構造体のバンプと、前記電着層を被覆して形成さ
れたレジスト部Ａと、前記レジスト部Ａに埋設して形成
され、前記バンプに接続する第１の柱状導体または導体
回路もしくはランド部回路と、前記レジスト部Ａに埋設
して形成され、前記導体回路または前記ランド部回路に
接続し、その端面は前記レジスト部Ａの表面に表出して
いる第２の柱状導体とから成る部材Ａを製造する工程
Ａ；前記部材Ａのレジスト部Ａの表面に１層の導体回路
が形成されている部材Ｂ(1)、または、複数層の導体回
路とそれら導体回路間を接続する柱状導体が別のレジス
ト部Ｂに埋設して形成され、かつ、最後の導体回路は前
記レジスト部Ｂの表面に形成されている部材Ｂ(2)を製
造する工程Ｂ；前記部材Ｂ(1)または部材Ｂ(2)の前記導
体回路側の表面を絶縁基材の表面に熱圧着して、前記導
体回路が前記絶縁基材に埋設されて成る一体化物Ｃを製
造する工程Ｃ；ならびに、前記一体化物Ｃから前記導電基板を剥離したのち、前記
導体薄層および電着層を順次エッチング除去してバンプ
を表出させる工程Ｄ；を備えていることを特徴とする回
路基板の製造方法。
【請求項９】前記工程Ａが、電気めっき法で、導電基板の少なくとも片面を被覆して
導体薄層を形成する工程Ａ₁；前記導体薄層を被覆して
レジスト層ａ₁を形成したのち露光・現像処理を行っ
て、前記レジスト層ａ₁をバンプ形成予定個所にのみ残
置せしめて前記導体薄層の他の表面を露出させる工程Ａ
₂；前記導体薄層の露出表面に、電気めっき法で、前記
バンプ形成予定個所に残置するレジスト層ａ₁と面一に
導電材料を電着して電着層を形成する工程Ａ₃；前記バ
ンプ形成予定個所に残置する前記レジスト層ａ₁を除去
して、前記電着層に、前記導体薄層の表面が露出してい
るバンプ用凹みを形成する工程Ａ₄；前記電着層の表面
を被覆してレジスト層ａ₂を形成したのち露光・現像処
理を行って、前記レジスト層ａ₂に、前記バンプ用凹み
に連通する第１の孔と、形成すべきランド部回路の回路
パターンに相当する平面パターンを形成する工程Ａ₅；
電気めっきを行って、前記バンプ用凹みと前記第１の孔
と前記平面パターンに第１の導電材料を層状に電着し、
ついで、形成された層状体の上に、前記第１の導電材料
とは異なる少なくとも１種の導電材料を更に順次電着
し、前記バンプ用凹みと前記第１の孔と前記平面パター
ンを、２種以上の導電材料が積層して成る多層構造体で
充填してバンプと第１の柱状導体とランド部回路を一括
して形成する工程Ａ₆；前記レジスト層ａ₂を除去して前
記電着層の表面を露出させる工程Ａ₇；前記電着層の露
出表面を被覆して前記第１の柱状導体の端面が表出する
厚みでレジスト層ａ₃を形成する工程Ａ₈；前記レジスト
層ａ₃と前記第１の柱状導体の端面を被覆して、無電解
めっき法で、めっき薄膜を形成する工程Ａ₉；前記めっ
き薄膜を被覆してレジスト層ａ₄を形成したのち露光・
現像処理を行って、前記レジスト層ａ₄に、形成すべき
導体回路の回路パターンに相当する平面パターン、およ
び、前記ランド部回路に連通する孔の平面パターンを形
成して、それらの平面パターンから前記めっき薄膜の表
面を露出させる工程Ａ₁₀；電気めっきを行って、前記平
面パターンに導電材料を電着して導体回路、および、前
記ランド部回路に接続する柱状導体を一括して形成する
工程Ａ₁₁；前記レジスト層ａ₄を除去し、露出した前記
めっき薄膜をエッチング除去して前記レジスト層ａ₃を
露出させる工程Ａ₁₂；前記導体回路、ランド部回路に接
続する前記柱状導体および前記レジスト層ａ ₃を、レジ
スト層ａ₅で被覆して前記レジスト層ａ₃と前記レジスト
層ａ₅から成るレジスト部Ａを形成したのち露光・現像
処理を行って、前記導体回路、および、ランド部回路に
接続する前記柱状導体に連通する第２の孔を形成する工
程Ａ₁₃；ならびに、電気めっきを行って、前記第２の孔の中に導電材料を充
填して第２の柱状導体を形成する工程Ａ₁₄；から成る請
求項８の回路基板の製造方法。
【請求項１０】前記工程Ｂ(1)が、前記部材Ａにおける前記レジスト層ａ₅の全面を被覆し
て、無電解めっき法で、めっき薄膜を形成する工程
Ｂ₁；前記めっき薄膜を被覆してレジスト層ｂ₁を形成し
たのち露光・現像処理を行って、形成すべき導体回路の
回路パターンに相当する平面パターンを形成して、その
平面パターンから前記めっき薄膜の表面を露出させる工
程Ｂ₂；電気めっきを行って、前記めっき薄膜の露出表
面に導電材料を電着して導体回路を形成する工程Ｂ₃；
および、前記レジスト層ｂ₁を除去し、露出した前記めっき薄膜
をエッチング除去して前記レジスト層ａ₅を露出させる
工程Ｂ₄；から成る請求項８の回路基板の製造方法。
【請求項１１】前記工程Ｂ(2)が、前記部材Ｂ(1)に対し、レジスト層ａ₅と前記導体回路を被覆してレジスト層ｂ₂
を形成したのち露光・現像処理を行って、前記レジスト
層ｂ₂に、前記導体回路に連通する孔を形成する工程
Ｂ₅；電気めっきを行って、前記孔の中に導電材料を電
着して柱状導体を形成する工程Ｂ₆；前記レジスト層ｂ₂
の全面を被覆して、無電解めっき法で、めっき薄膜を形
成する工程Ｂ₇；前記めっき薄膜を被覆してレジスト層
ｂ₃を形成したのち露光・現像処理を行って、前記レジ
スト層ｂ₃に、形成すべき導体回路の回路パターンに相
当する平面パターンを形成して、その平面パターンから
前記めっき薄膜の表面を露出させる工程Ｂ₈；電気めっ
きを行って、前記平面パターンに、導電材料を電着して
導体回路を形成する工程Ｂ₉；および、前記レジスト層ｂ₃を除去し、露出した前記めっき薄膜
をエッチング除去して前記レジスト層ｂ₂を露出させる
工程Ｂ₁₀；を少なくとも１回行う工程である、請求項８
の回路基板の製造方法。
【請求項１２】前記工程Ａが、導電基板の少なくとも片面を被覆して、電気めっき法
で、導体薄層を形成する工程Ａ₁；前記導体薄層を被覆
してレジスト層ａ₁を形成したのち露光・現像処理を行
って、前記レジスト層ａ₁を、バンプ形成予定個所にの
み残置せしめて前記導体薄層の他の表面を露出させる工
程Ａ₂；前記導体薄層の露出表面に、電気めっき法で、
前記バンプ形成予定個所に残置する前記レジスト層ａ₁
と面一に導電材料を電着して電着層を形成する工程
Ａ₃；前記バンプ形成予定個所に残置するレジスト層ａ₁
を除去して、前記電着層に、前記導体薄層の表面が露出
しているバンプ用凹みを形成する工程Ａ₄；前記電着層
の表面を被覆してレジスト層ａ₂を形成したのち露光・
現像処理を行って、前記レジスト層ａ₂に、前記バンプ
用凹みに連通する平面パターンであって、形成すべき導
体回路の回路パターンに相当する平面パターン、およ
び、必要に応じてはランド回路の回路パターンに相当す
る平面パターンを形成する工程Ａ₁₅；電気めっきを行っ
て、前記バンプ用凹みと前記平面パターンに第１の導電
材料を電着し、ついで、形成された層状体の上に、前記
第１の導電材料とは異なる少なくとも１種の導電材料を
順次電着し、前記バンプ用凹みと前記導体回路と必要に
応じては前記ランド部回路を２種以上の導電材料が積層
して成る多層構造体で充填して、バンプと導体回路と必
要に応じてはランド部回路を一括して形成する工程
Ａ₁₆；前記導体回路および必要に応じてはランド部回路
を被覆してレジスト層ａ₃を形成したのち露光・現像処
理を行って、前記レジスト層ａ₃に、前記導体回路およ
び必要に応じてはランド部回路に連通する第１の孔を形
成する工程Ａ₁₇；ならびに、電気めっきを行って、前記第１の孔の中に導電材料を電
着して柱状導体を形成する工程Ａ₁₈；から成る請求項８
の回路基板の製造方法。
【請求項１３】絶縁基板の所定個所には、少なくとも
上面が上下動可能な可動部位が形成され、前記可動部位の上面は前記絶縁基板の上面と面一状態に
あり、前記絶縁基板の上面または／および内部には、前記可動
部位にまで延在する複数本の信号導体が配線され、少な
くともその先端は前記可動部位に位置しており、前記信号導体の前記先端の上面には、少なくとも２種類
の導電材料を順次電着して成る多層構造体のバンプが突
設されていることを特徴とするバンプ式コンタクトヘッ
ド。
【請求項１４】前記可動部位が、前記絶縁基板の厚み方向に形成された貫通孔と前記貫通
孔に配設された弾性部材とから成り、前記弾性部材の上面は前記貫通孔の上部開口から表出し
ている請求項１３のバンプ式コンタクトヘッド。
【請求項１５】前記可動部位が、前記絶縁基板の上面側が薄肉部となるように前記絶縁基
板の厚み方向に段差構造をなして形成された貫通孔の前
記薄肉部であり、前記貫通孔の上部開口の平面視形状は四角形をなし、そ
の四角形の四隅には前記絶縁基板の周縁部方向に延びる
スリットが少なくとも前記段差構造における前記薄肉部
の基部にまで刻設され、前記薄肉部の平面視形状は舌片
形状をなしている請求項１３のバンプ式コンタクトヘッ
ド。
【請求項１６】前記可動部位が、前記絶縁基板の上面側が薄肉部となるように前記絶縁基
板の厚み方向に段差構造をなして形成され、上部開口の
平面視形状は四角形であり、その四角形の四隅には前記
絶縁基板の周縁部方向に延びるスリットが少なくとも前
記段差構造における前記薄肉部の基部にまで刻設され、
前記薄肉部の平面視形状は舌片形状をなしている貫通孔
と、前記貫通孔に配設された弾性部材とを有し、前記弾性部材の上面は前記貫通孔の上部開口から表出
し、前記弾性部材の上面にまで前記信号導体が配線され
ている請求項１３のバンプ式コンタクトヘッド。
【請求項１７】前記信号導体は、その上面のみが前記
絶縁基板と前記可動部位のそれぞれの上面に表出してい
る請求項１３のバンプ式コンタクトヘッド。
【請求項１８】前記可動部位の下部には、前記可動部
位の上面を上方に膨出させる押上げ手段が配設されてい
る請求項１３のバンプ式コンタクトヘッド。
【請求項１９】前記押上げ手段が密閉空気室である請
求項１３のバンプ式コンタクトヘッド。
【請求項２０】前記絶縁基板にはスルーホールが形成
され、前記信号導体の他端は前記スルーホールを介して
前記絶縁基板の他方の面にまで導出され、その先端には
バンプが形成されている請求項１３のバンプ式コンタク
トヘッド。
【請求項２１】前記絶縁基板は全体が弾性部材から成
る請求項１３のバンプ式コンタクトヘッド。
【請求項２２】導電薄板の表面を被覆して第１のレジ
スト層を形成したのち露光・現像処理を行って、形成す
べきバンプの位置に相当する個所に前記導電薄板の表面
を露出させる工程；前記導電薄板の露出表面にエッチン
グ処理を行って前記導電薄板の露出表面にバンプ用凹み
を形成したのち、前記第１のレジスト層を除去する工
程；表出した導電薄板の表面を被覆して第２のレジスト
層を形成したのち露光・現像処理を行って、形成すべき
信号導体のパターンに相当する平面パターンで前記導電
薄板の表面を露出させる工程；電気めっきを行って、前
記バンプ用凹みと前記平面パターンに第１の導電材料を
層状に電着し、ついで、形成された層状体の上に、前記
第１の導電材料とは異なる少なくとも１種の導電材料を
更に順次電着し、前記バンプ用凹みと前記平面パターン
を２種以上の導電材料が積層して成る多層構造体で充填
してバンプと信号導体を一括して形成する工程；前記第
２のレジスト層を除去したのち、その表出面を、所定形
状の開口を有する貫通孔が形成されている絶縁基板の前
記開口側の表面に熱圧着する工程；ならびに、前記貫通孔と前記導電薄板によって形成された空洞部に
弾性部材を充填したのち、前記導電薄板をエッチング除
去して前記バンプと前記信号導体の上面を表出させる工
程；を備えていることを特徴とするバンプ式コンタクト
ヘッドの製造方法。
【請求項２３】導電基板の少なくとも片面を被覆し
て、電気めっき法で、導体薄層を形成する工程；前記導
体薄層を被覆して第１のレジスト層を形成したのち露光
・現像処理を行って、前記第１のレジスト層を、バンプ
形成予定個所にのみ残置せしめて前記導体薄層の他の表
面を露出させる工程；前記導体薄層の露出表面に、電気
めっき法で、前記バンプ形成予定個所に残置する前記第
１のレジスト層と面一に導電材料を電着して電着層を形
成する工程；前記バンプ形成予定個所に残置する前記第
１のレジスト層を除去して、前記電着層に、前記導体薄
層の表面が露出しているバンプ用凹みを形成する工程；
前記電着層の表面を被覆して第２のレジスト層を形成し
たのち露光・現像処理を行って、前記第２のレジスト層
に、形成すべき信号導体のパターンに相当する平面パタ
ーンで前記電着層の表面を露出させる工程；電気めっき
を行って、前記バンプ用凹みと前記平面パターンに第１
の導電材料を層状に電着し、ついで、形成された層状体
の上に、前記第１の導電材料とは異なる少なくとも１種
の導電材料を更に順次電着し、前記バンプ用凹みと前記
平面パターンを２種以上の導電材料が積層して成る多層
構造体で充填してバンプと信号導体を一括して形成する
工程；前記第２のレジスト層を除去したのち、その表出
面を、所定形状の開口を有する貫通孔が形成されている
絶縁基板の前記開口側の表面に熱圧着する工程；前記貫
通孔と前記電着層とによって形成された空洞部に弾性部
材を充填したのち、前記導電基板を剥離し、ついで、前
記導体薄層および電着層を順次エッチング除去してバン
プおよび信号導体を表出させる工程；を備えていること
を特徴とするバンプ式コンタクトヘッドの製造方法。
【請求項２４】絶縁基材の少なくとも片面にバンプが
形成されている回路基板と、前記回路基板に接着剤を用いて実装された半導体部品と
を有し、前記半導体部品のランド部は、前記バンプと機械的に接
触していることを特徴とする半導体部品実装モジュー
ル。
【請求項２５】前記接着剤は、硬化時に寸法収縮する
接着剤である請求項２４の半導体部品実装モジュール。
【請求項２６】前記バンプが、少なくとも２種類の導
電材料を層状に電着して成る多層構造体である請求項２
４の半導体部品実装モジュール。