JPH05243233A - バンプの形成方法 - Google Patents
バンプの形成方法Info
- Publication number
- JPH05243233A JPH05243233A JP4080692A JP4080692A JPH05243233A JP H05243233 A JPH05243233 A JP H05243233A JP 4080692 A JP4080692 A JP 4080692A JP 4080692 A JP4080692 A JP 4080692A JP H05243233 A JPH05243233 A JP H05243233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- bump
- plating
- bump electrode
- inexpensive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/1147—Manufacturing methods using a lift-off mask
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 銅等の価格は安いが不安定な金属で形成した
断面方形なバンプ電極を包み込むように金等の安定な金
属をメッキすることにより価格が安く、安定したバンプ
電極を得る。 【構成】 被除去性能の異なる２種類以上のレジスト等
の絶縁被膜１２，１１を重ねて形成し、開口部をつくり
その開口部内に銅等の金属でバンプ５を形成する。その
後上層のレジスト１１のみを除去した後に金等でメッキ
６を行う。その後、下層のレジスト１２を除去する。 【効果】 バンプ電極本体を不安定だが価格の安い金属
で形成でき、かつその表面を薄く安定だが価格の高い金
属で覆うことができるので、価格が安く、表面の安定し
たバンプ電極を形成できる。
断面方形なバンプ電極を包み込むように金等の安定な金
属をメッキすることにより価格が安く、安定したバンプ
電極を得る。 【構成】 被除去性能の異なる２種類以上のレジスト等
の絶縁被膜１２，１１を重ねて形成し、開口部をつくり
その開口部内に銅等の金属でバンプ５を形成する。その
後上層のレジスト１１のみを除去した後に金等でメッキ
６を行う。その後、下層のレジスト１２を除去する。 【効果】 バンプ電極本体を不安定だが価格の安い金属
で形成でき、かつその表面を薄く安定だが価格の高い金
属で覆うことができるので、価格が安く、表面の安定し
たバンプ電極を形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、バンプの形成方法に関
し、特に半導体の電極用バンプのメッキ形成方法に関す
る。
し、特に半導体の電極用バンプのメッキ形成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体の電極用バンプは、図
３に断面図として示す工程フローのように、下地金属２
上に単層の例えばフォトレジスト等の厚い絶縁被膜を形
成し（ａ）、バンプ形成領域に窓を開け（ｂ）、第１の
金属３をメッキし、その上に連続して第２の金属４をメ
ッキして断面方形の２層メッキバンプを形成している
（ｃ）（ｄ）。その後、絶縁被膜１を除いてバンプ電極
が完成する（ｅ）。
３に断面図として示す工程フローのように、下地金属２
上に単層の例えばフォトレジスト等の厚い絶縁被膜を形
成し（ａ）、バンプ形成領域に窓を開け（ｂ）、第１の
金属３をメッキし、その上に連続して第２の金属４をメ
ッキして断面方形の２層メッキバンプを形成している
（ｃ）（ｄ）。その後、絶縁被膜１を除いてバンプ電極
が完成する（ｅ）。
【０００３】また、図４の工程フローのように、目的と
するバンプ高さ以下のフォトレジスト等の薄い絶縁被膜
１ａを形成し（ａ）、バンプ形成領域に窓を開け
（ｂ）、連続して第１の金属３ａ，第２の金属４ａをメ
ッキしてバンプの形状を傘状（マッシュルーム型）にす
ることによって（ｃ）（ｄ）、第１の金属３ａ上に第２
の金属４ａを形成し、かつバンプの側面にも第２の金属
４ａを形成する。
するバンプ高さ以下のフォトレジスト等の薄い絶縁被膜
１ａを形成し（ａ）、バンプ形成領域に窓を開け
（ｂ）、連続して第１の金属３ａ，第２の金属４ａをメ
ッキしてバンプの形状を傘状（マッシュルーム型）にす
ることによって（ｃ）（ｄ）、第１の金属３ａ上に第２
の金属４ａを形成し、かつバンプの側面にも第２の金属
４ａを形成する。
【０００４】その後、絶縁被膜１ａを除いてバンプ電極
が完成する（ｅ）。
が完成する（ｅ）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の断面方
形のバンプ形成方法は、バンプの側面に第２の金属メッ
キをつけることができないという欠点がある。
形のバンプ形成方法は、バンプの側面に第２の金属メッ
キをつけることができないという欠点がある。
【０００６】また、上述した従来の断面マッシュルーム
型のバンプ形成方法は、側面に第２の金属メッキをつけ
ることはできるものの、幅方向寸法を規制しないので、
寸法精度がでにくいという欠点がある。
型のバンプ形成方法は、側面に第２の金属メッキをつけ
ることはできるものの、幅方向寸法を規制しないので、
寸法精度がでにくいという欠点がある。
【０００７】そこで、本発明は寸法精度の高い断面方形
のバンプメッキ法を用い、側面に第２の金属を形成でき
る方法を提供することを目的とする。
のバンプメッキ法を用い、側面に第２の金属を形成でき
る方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のバンプ形成方法
は、被除去性能の異なる２種類以上の絶縁被膜の積層の
所定部分の開口部内に第１の金属のバンプをメッキ形成
し、その後上層の絶縁被膜を除去して第２の金属をメッ
キすることを特徴とする断面方形なバンプの形成方法で
ある。
は、被除去性能の異なる２種類以上の絶縁被膜の積層の
所定部分の開口部内に第１の金属のバンプをメッキ形成
し、その後上層の絶縁被膜を除去して第２の金属をメッ
キすることを特徴とする断面方形なバンプの形成方法で
ある。
【０００９】
【作用】積層状の厚い絶縁被膜の開口部寸法に規制され
て精度よく第１の金属のバンプメッキが行え、その後上
層の絶縁膜を除去して第２の金属を薄くメッキすること
により精度よくバンプ側面も覆うことができる。
て精度よく第１の金属のバンプメッキが行え、その後上
層の絶縁膜を除去して第２の金属を薄くメッキすること
により精度よくバンプ側面も覆うことができる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の工程ごとの断面図であ
る。
る。図１は本発明の一実施例の工程ごとの断面図であ
る。
【００１１】まず、被除去性能の異なる２種類の絶縁被
膜として感光性のフォトレジスト，例えば東京応化製の
BMRS−1000１２を下層側に薄く，東京応化製OMR85 １１
を上層側に厚くバンプを形成しようとする下地金属２に
塗布し（ａ）、その後露光，現像を行いバンプ形成用の
穴を形成する（ｂ）。次に第１の金属３（例えばＣｕ）
のメッキを行う（ｃ）。第１の金属３のメッキが完了し
たら、上層フォトレジスト１１のみを溶かす溶剤，例え
ば東京応化製EGでフォトレジスト１１のみを剥離する
（ｄ）。フォトレジスト１１を剥離したら第２の金属４
ｂ（例えばＡｕ）のメッキを行い第１の金属３の上に第
２の金属４ｂを形成する（ｅ）。第２の金属４ｂのメッ
キが完了後、フォトレジスト１２を剥離してバンプを完
了する（ｆ）。
膜として感光性のフォトレジスト，例えば東京応化製の
BMRS−1000１２を下層側に薄く，東京応化製OMR85 １１
を上層側に厚くバンプを形成しようとする下地金属２に
塗布し（ａ）、その後露光，現像を行いバンプ形成用の
穴を形成する（ｂ）。次に第１の金属３（例えばＣｕ）
のメッキを行う（ｃ）。第１の金属３のメッキが完了し
たら、上層フォトレジスト１１のみを溶かす溶剤，例え
ば東京応化製EGでフォトレジスト１１のみを剥離する
（ｄ）。フォトレジスト１１を剥離したら第２の金属４
ｂ（例えばＡｕ）のメッキを行い第１の金属３の上に第
２の金属４ｂを形成する（ｅ）。第２の金属４ｂのメッ
キが完了後、フォトレジスト１２を剥離してバンプを完
了する（ｆ）。
【００１２】上記の実施例における下層フォトレジスト
１２にかえて、ポリイミドとかＳｉＯ2 とか他の絶縁被
膜としてフォトレジスト１１をマスクとしてエッチング
形成しても良い。
１２にかえて、ポリイミドとかＳｉＯ2 とか他の絶縁被
膜としてフォトレジスト１１をマスクとしてエッチング
形成しても良い。
【００１３】図２は本発明の第２の実施例の工程の断面
図である。まず、最下層のフォトレジスト１３をバンプ
を形成しようとする下地金属２上に薄く塗布する。材質
は例えば前記第１の実施例における上層のフォトレジス
トと同じものでもよい。その上からフォトレジスト１
２，１１を塗布する。フォトレジスト１２，１１は前記
第１の実施例と同じ材質でよい（ａ）。塗布後、露光，
現像を行いバンプ形成用の穴を形成する（ｂ）。次に第
１の金属５のメッキを行う（ｃ）。第１の金属５のメッ
キが完了したら、フォトレジスト１１を剥離して
（ｄ）、第２の金属６のメッキを行う（ｅ）。その後、
フォトレジスト１２を剥離して（ｆ）、第３の金属７の
メッキを行う（ｇ）。第３の金属７のメッキが完了した
らフォトレジスト１３を剥離してバンプを完了する
（ｈ）。
図である。まず、最下層のフォトレジスト１３をバンプ
を形成しようとする下地金属２上に薄く塗布する。材質
は例えば前記第１の実施例における上層のフォトレジス
トと同じものでもよい。その上からフォトレジスト１
２，１１を塗布する。フォトレジスト１２，１１は前記
第１の実施例と同じ材質でよい（ａ）。塗布後、露光，
現像を行いバンプ形成用の穴を形成する（ｂ）。次に第
１の金属５のメッキを行う（ｃ）。第１の金属５のメッ
キが完了したら、フォトレジスト１１を剥離して
（ｄ）、第２の金属６のメッキを行う（ｅ）。その後、
フォトレジスト１２を剥離して（ｆ）、第３の金属７の
メッキを行う（ｇ）。第３の金属７のメッキが完了した
らフォトレジスト１３を剥離してバンプを完了する
（ｈ）。
【００１４】この実施例によれば、下層の金属５と上層
の金属７との間に例えば合金化防止のために中間金属層
６を設ける場合に好適する。
の金属７との間に例えば合金化防止のために中間金属層
６を設ける場合に好適する。
【００１５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、第１の金属メッキで形成した方形バンプの側面に
第２のメッキを形成することができる。これにより、バ
ンプの大部分の体積を銅等の価格は安いが比較的安定性
の悪い金属で形成し、そのバンプを包み込むように金等
の価格は高いが安定性の良い金属で包み込むように形成
することができ、比較的方形で価格が安く、かつ安定性
の良いバンプ電極を形成することができる。
れば、第１の金属メッキで形成した方形バンプの側面に
第２のメッキを形成することができる。これにより、バ
ンプの大部分の体積を銅等の価格は安いが比較的安定性
の悪い金属で形成し、そのバンプを包み込むように金等
の価格は高いが安定性の良い金属で包み込むように形成
することができ、比較的方形で価格が安く、かつ安定性
の良いバンプ電極を形成することができる。
【図１】 本発明の一実施例の工程フローを示す断面図
【図２】 本発明の他の実施例の工程フローを示す断面
図
図
【図３】 従来の一技術の工程フローを示す断面図
【図４】 従来の技術の他の例の工程フローを示す断面
図
図
２ 下地金属 ３，５ 第１の金属 ４ｂ，６ 第２の金属 ７ 第３の金属 １１，１２，１３ フォトレジスト
Claims (2)
- 【請求項１】被除去性能の異なる２種類以上の絶縁被膜
の積層の所定部分の開口部内に第１の金属のバンプをメ
ッキ形成し、その後上層の絶縁被膜を取り除いてから第
１の金属と異なる金属をメッキすることを特徴とする断
面方形なバンプの形成方法。 - 【請求項２】前記被除去性能の異なる絶縁被膜の内の少
なくとも２層がそれぞれフォトレジストであることを特
徴とする請求項１記載のバンプの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4080692A JPH05243233A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | バンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4080692A JPH05243233A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | バンプの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05243233A true JPH05243233A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12590887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4080692A Pending JPH05243233A (ja) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | バンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05243233A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09330995A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-12-22 | Meiko:Kk | 回路基板とその製造方法、その回路基板を用いたバンプ式コンタクトヘッドと半導体部品実装モジュール |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP4080692A patent/JPH05243233A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09330995A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-12-22 | Meiko:Kk | 回路基板とその製造方法、その回路基板を用いたバンプ式コンタクトヘッドと半導体部品実装モジュール |
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