JP2005191157A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体構成体2の周囲におけるベース板1上に設けられた絶縁層21内の上下導通部37を除く部分はデッドスペースであるため、このデッドスペース内におけるベース板1上にコンデンサや抵抗等からなるチップ部品16を設けると、回路基板を含む全体としてのより一層の小型化を図ることができる。
【選択図】 図1
Description
図1はこの発明の第1実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置は、ガラス布基材エポキシ樹脂等からなる平面方形状のベース板(ベース部材)1を備えている。ベース板1の上面の所定の箇所には、ベース板1のサイズよりもある程度小さいサイズの平面方形状の半導体構成体2の下面がダイボンド材からなる接着層3を介して接着されている。
図20はこの発明の第2実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す場合と異なる点は、ベース板1の上面に銅箔からなる上層配線71を設け、上層配線71と下層下地金属層33を含む下層配線34とをベース板1に設けられた上下導通部15を介して適宜に接続した点と、上層配線71の一部からなる接続端子上に両面配線基板72を介してチップ部品16を設けた点である。
図21はこの発明の第3実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図1に示す場合と異なる点は、第1の上層絶縁膜26、第2の上層配線29および半田ボール32を備えておらず、上層配線25をソルダーレジスト等からなる最上層絶縁膜30で覆い、最上層絶縁膜30の上面に半導体チップ81やチップ部品82等の電子部品を搭載し、上層配線25の一部を最上層絶縁膜30で覆わずに露出させて外部接続端子25aとした点である。
図1では、第1の上層絶縁膜22上に設ける上層配線を2層とし、ベース板1下に設ける下層配線を1層とし、図21では、それぞれ1層としているが、これに限らず、第1の上層絶縁膜22上に設ける上層配線を3層以上とし、また、ベース板1下に設ける下層配線を2層以上としてもよい。また、最下層の下層配線を覆う最下層絶縁膜下に半導体チップやチップ部品等の電子部品を搭載するようにしてもよい。
2 半導体構成体
3 接着層
4 シリコン基板
5 接続パッド
11 配線
12 柱状電極
13 封止膜
14 接続端子
15 上下導通部
16 チップ部品
21 絶縁層
22 第1の上層絶縁膜
25 第1の上層配線
26 第2の上層絶縁膜
29 第2の上層配線
30 最上層絶縁膜
32 半田ボール
34 下層配線
35 下層絶縁膜
36 貫通孔
37 上下導通部
Claims (19)
- ベース部材と、前記ベース部材上に設けられ、且つ、半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する少なくとも1つの半導体構成体と、前記ベース部材上に前記半導体構成体に並べて設けられた少なくとも1つのチップ部品と、前記チップ部品を覆い、且つ、前記半導体構成体の周囲における前記ベース部材上に設けられた絶縁層と、前記半導体構成体および前記絶縁層上に前記半導体構成体の外部接続用電極および前記チップ部品に接続されて設けられ、且つ、接続パッド部を有する少なくとも1層の上層配線とを備えていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記チップ部品は、前記ベース部材上に設けられた両面配線基板上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項2に記載の発明において、前記チップ部品は複数であり、これらのチップ部品は1枚の前記両面配線基板上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記ベース部材上に前記半導体構成体が複数個相互に離間して設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記外部接続用電極としての柱状電極を有するものであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記外部接続用電極としての接続パッド部を有する配線を有するものであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記半導体構成体は、配線の接続パッド部上に設けられた前記外部接続用電極としての接続パッドを有するものであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記最上層の上層配線の接続パッド部を除く部分を覆う最上層絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項8に記載の発明において、前記最上層の上層配線の接続パッド部上に半田ボールが設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項8に記載の発明において、前記最上層絶縁膜上に電子部品が前記最上層の上層配線の接続パッド部に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記最下層の下層配線の接続パッド部を除く部分を覆う最下層絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項11に記載の発明において、前記最下層絶縁膜下に電子部品が前記最下層の下層配線の接続パッド部に接続されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の発明において、前記最上層の上層配線と前記最下層の下層配線とのうちのいずれか一方の配線の一部によって外部接続端子が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 上面に少なくとも複数組の接続端子を有するベース部材上に、各々が半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を相互に離間させて配置する工程と、
前記ベース部材上に複数のチップ部品を前記接続端子に接続させて配置する工程と、
前記半導体構成体の周囲における前記ベース部材上に絶縁層を前記チップ部品を覆うように形成する工程と、
前記半導体構成体および前記絶縁層上に少なくとも1層の上層配線を前記半導体構成体の前記外部接続用電極に接続させて形成する工程と、
前記ベース部材下に少なくとも1層の下層配線を前記接続端子に接続させて形成する工程と、
前記絶縁層および前記ベース部材に形成された貫通孔内に前記上層配線の少なくとも一部と前記下層配線の少なくとも一部とを接続する上下導通部を形成する工程と、
前記半導体構成体間における前記絶縁層および前記ベース部材を切断して、前記半導体構成体が少なくとも1つ含まれ、且つ、前記チップ部品が少なくとも1つ含まれる半導体装置を複数個得る工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項14に記載の発明において、前記チップ部品の配置工程は、前記チップ部品が搭載された両面配線基板を前記ベース部材上に前記接続端子に接続されて配置する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項15に記載の発明において、前記両面配線基板は1枚であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項14に記載の発明において、前記切断は、前記半導体構成体が複数個含まれるように切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項14に記載の発明において、前記半導体構成体は、前記外部接続用電極としての柱状電極を有するものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項14に記載の発明において、前記最上層の上層配線と前記最下層の下層配線とのうちのいずれか一方の配線の一部によって外部接続用接続端子を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2007294611A (ja) * | 2006-04-24 | 2007-11-08 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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WO2022196188A1 (ja) * | 2021-03-15 | 2022-09-22 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、撮像装置の製造方法、および電子機器 |
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2003
- 2003-12-25 JP JP2003428530A patent/JP2005191157A/ja active Pending
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