JP2006507512A - 平板表示素子検査用プローブおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
前記第3保護膜パターンによって定められる特定の位置に補強材を形成する補強材形成段階と;前記犠牲基板のうち前記トレンチ埋め込み物質により区分された部分を除去し、前記トレンチ埋め込み物質を除去する仕上げ段階とを含んで構成されることを特徴とする単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
第1実施形態では、ダイシングソー工程により、剛性材質を有する四角形状の補強板にトレンチ(スリット)を形成し、このトレンチに導電体を付着固定して平板表示素子検査用プローブを製作する。ここで、前記導電体は、平板素子検査用ニードルとして用いられる。
第2実施形態は、MEMS工程によりプローブが製作される方式であって、プローブの製造方法の具体的な実施形態を説明する前に、前記プローブの製造方法の共通的な段階を先に詳しく説明する。
図6a乃至図6pは、本発明の他の実施形態による平板表示素子検査用プローブを説明するための断面図である。
図7a乃至図7iは、本発明の他の実施形態による平板表示素子検査用プローブの製造方法を説明するための断面図である。
図8a乃至図8tは、本発明の他の実施形態による平板表示素子検査用プローブの製造方法を説明するための斜視図である。
図11は、本発明の他の実施形態による平板表示素子検査用プローブを示した斜視図である。図11に示すように、プローブは、棒状に形成されたビーム部322と、ビーム部322の一端に設けられた検針用チップ324aと、ビーム部322の他端に設けられた連結用チップ324bとから構成される複数の単位導電体320が所定間隔を有して配列される。
次いで、図12hに示すように、スライシングされた犠牲基板330上に透明材質のエポキシまたはパリレンからなる薄膜フィルム342を位置した後、加圧および加熱により、薄膜フィルム342を犠牲基板10に形成されたビーム部340の上面に付着する。
本発明による平板表示素子検査用プローブの製造方法の最初の実施形態は、まず、図13aの(a)に示すように、両面(A,B)を研磨した所定厚さのシリコンウェハーが犠牲基板400として用いられる。このとき、犠牲基板400の厚さは、グラインディングまたは研磨工程により400〜500μm程度になる。
図15aの(a)に示すように、両面が研磨された平らなシリコンウェハーを犠牲基板450として準備する。このとき、犠牲基板450の厚さは、グラインディングまたは研磨工程により400〜500μm程度にする。
図17aの(a)に示すように、両面が研磨されたシリコンウェハーを犠牲基板550として準備する。このとき、犠牲基板550の厚さは、グラインディングまたは研磨工程により400〜500μm程度にする。
図18aの(a)に示すように、両面が研磨されたシリコンウェハーを犠牲基板650として準備する。このとき、犠牲基板650の厚さは、グラインディングまたは研磨工程により240μm程度にする。
図19aの(a)に示すように、両面が研磨されたセラミック板を犠牲基板750として準備する。このとき、犠牲基板750の厚さは、グラインディングまたは研磨工程により400〜500μm程度にする。
図22aは、前述した本発明による平板表示素子検査用プローブを備えた第1プローブ組立体を説明するための斜視図で、図22bは、断面図である。前述したプローブシートの具体的な構成および製造方法に対し、追加的な説明は省略する。
図24aは、前述した本発明による平板表示素子検査用プローブを備えた第2プローブ組立体を説明するための斜視図で、図24bは、断面図である。前述したプローブの具体的な構成および製造方法に対する説明は省略する。
図25は、前述した本発明による平板表示素子検査用プローブを備えたプローブ組立体を説明するための斜視図で、図26は、その断面図である。
本発明は、ダイシングソーおよび導電体(ニードル形状)付着工程などにより、剛性材質からなる補強板にプローブを簡便に製作することで、プローブ工程時間を短縮するとともに、生産性を上昇できるという効果がある。
Claims (79)
- 板状の絶縁体と;
相互平行に形成される多数の導電体と;
前記多数の導電体が所定の配列状態で前記絶縁体に固定結合されるように、前記絶縁体の上部面または下部面のうち少なくとも一面に形成される第1トレンチとから構成されることを特徴とする平板表示素子検査用プローブ。 - 前記絶縁体の一面の上面両側端部に所定広さを有する第1突出領域および第2突出領域が形成されるように、中央に中央溝が形成されており、
前記第1突出領域および第2突出領域の上部に形成された前記第1トレンチは、前記中央溝に連結されることを特徴とする請求項1記載の平板表示素子検査用プローブ。 - 前記プローブ上に重ねられる他のプローブが設けられ、前記重なったプローブの導電体は、相互平行に配置されることを特徴とする請求項1記載の平板表示素子検査用プローブ。
- 前記中央溝は、ダイシング工程により形成されることを特徴とする請求項2記載の平板表示素子検査用プローブ。
- 前記導電体は、その端部が尖った形状を有することを特徴とする請求項1記載の平板表示素子検査用プローブ。
- 前記第1突出領域および第2突出領域上に形成された第1トレンチの配置間隔は、相互異なることを特徴とする請求項2記載の平板表示素子検査用プローブ。
- 前記絶縁体は、セラミック材質からなることを特徴とする請求項1記載の平板表示素子検査用プローブ。
- 前記導電体が前記絶縁体上の第1トレンチに固定結合されるように、前記絶縁体の上部面または下部面に積層される補強材がさらに備わることを特徴とする請求項1記載の平板表示素子検査用プローブ。
- 前記第1トレンチは、フォトリソグラフィ工程、および1次、2次にかけて行われるエッチング工程により形成されることを特徴とする請求項1記載の平板表示素子検査用プローブ。
- 前記1次エッチング工程が行われた第1トレンチの形状は、角錐台状または円錐台状を有し、
角錐台状または円錐台状を有する第1トレンチは、前記2次エッチング工程により所定の深さだけさらにエッチングされ、その底面部がラウンディングされることを特徴とする請求項9記載の平板表示素子検査用プローブ。 - 所定大きさを有する薄膜フィルムの下部には、一端に検針用チップが一体に設けられた棒状のビーム部を備える複数の単位接触体が所定間隔を有して配置されることを特徴とする平板表示素子検査用プローブ。
- 前記ビーム部の他側には、連結用チップがさらに備わることを特徴とする請求項11記載の平板表示素子検査用プローブ。
- 前記薄膜フィルムは、エポキシまたはパリレンからなることを特徴とする請求項12記載の平板表示素子検査用プローブ。
- 犠牲基板と;
フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により形成される第1トレンチと;
導電膜形成工程により前記犠牲基板上の前記第1トレンチに所定間隔を有して配列される導電体と;
前記導電体の上部に形成された第1絶縁体と;
フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により前記犠牲基板の下部面に前記導電体が露出されるように形成される第2トレンチと;
前記第2トレンチに絶縁物質が埋め込まれて形成される第2絶縁体と;からなることを特徴とする平板表示素子検査用プローブ。 - 前記第1絶縁体は、エポキシからなることを特徴とする請求項14記載の平板表示素子検査用プローブ。
- 前記第2絶縁体は、エポキシにより接着されるセラミックプレートであることを特徴とする請求項14記載の平板表示素子検査用プローブ。
- 板状の絶縁体と;
フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により形成されたトレンチに導電物質が埋め込まれることで、前記絶縁体の上部面および下部面に所定間隔を有して配列され、その上下が相互平行に形成される多数の導電体と;を含んで構成されることを特徴とする単一犠牲基板を用いたプローブ。 - 前記導電体の位置を固定するために、前記絶縁体の上部面または下部面に積層される板状の補強材がさらに備わることを特徴とする請求項17記載の単一犠牲基板を用いたプローブ。
- 前記多数の導電体は、同一の長さを有して形成されることを特徴とする請求項17記載の単一犠牲基板を用いたプローブ。
- 前記絶縁体の上部面に形成された同一の長さを有する導電体が、前記絶縁体の一側に所定距離移動されることで、前記絶縁体の上部面に形成される導電体は、前記絶縁体の下部面に形成される導電体に比べると、一側は外側に突出され、他側は陥没されることを特徴とする請求項19記載の単一犠牲基板を用いたプローブ。
- 前記上、下部面に設置された導電体が前記絶縁体から同一の長さだけ外側に突出されるように、前記絶縁体の両端は、断面段差状に形成されることを特徴とする請求項17記載の単一犠牲基板を用いたプローブ。
- 前記上、下部面に設置された導電体が前記絶縁体から同一の長さだけ外側に突出されるように、前記絶縁体の両端は、断面傾斜状に形成されることを特徴とする請求項17記載の単一犠牲基板を用いたプローブ。
- 前記絶縁体の上部面に設置された導電体は、前記絶縁体の下部面に隣接形成された二つの導電体の間に位置されることを特徴とする請求項17記載の単一犠牲基板を用いたプローブ。
- 板状の第1絶縁体と;
前記第1絶縁体の上部に段差部が形成されるように積層される第2絶縁体と;
前記第1および第2絶縁体の内部に所定間隔を有して挿入された多数の導電体と;
前記導電体の一面に所定のメッキ方式によって伝導性物質が積層される伝導層とを含んで構成されることを特徴とする単一犠牲基板を用いたプローブ。 - 前記第1絶縁体の下部面または第2絶縁体の上部面のうち、少なくとも一面に積層される補強材をさらに備えることを特徴とする請求項24記載の単一犠牲基板を用いたプローブ。
- エポキシの上下部面にセラミックプレートを積層して形成される絶縁体と;
前記絶縁体の上下部面に所定間隔を有して形成される多数の導電体と;
前記導電体の一面に所定のメッキ方式によって積層される伝導層と;
前記絶縁体の上下部面に積層されて前記導電体の位置を固定する補強材とを含んで構成されることを特徴とする単一犠牲基板を用いたプローブ。 - 板状の絶縁体と;
前記絶縁体の上下部面に所定間隔を有して配列される多数の導電体と;
前記導電体の一面に所定のメッキ方式によって積層される伝導層と;
前記絶縁体の上下部面に積層されて前記導電体の位置を固定する補強材とを含んで構成されることを特徴とする単一犠牲基板を用いたプローブ。 - 多数の導電体が所定の配列状態で絶縁体に固定結合される第1トレンチを、絶縁体の上部面または下部面のうち少なくとも一面に形成する第1トレンチ形成段階と;
前記導電体が前記絶縁体上の第1トレンチに固定結合されるように、前記絶縁体の上部面または下部面に補強材を積層する補強材形成段階とから構成されることを特徴とする平板表示素子検査用プローブの製造方法。 - 前記絶縁体の一面の上面両側端部に所定広さを有する第1突出領域および第2突出領域を形成するように、前記絶縁体の一面の中央に中央溝を形成する中央溝形成段階をさらに含み、
前記第1突出領域および第2突出領域の上部に形成された前記第1トレンチは、前記中央溝に連結されることを特徴とする請求項28記載の平板表示素子検査用プローブの製造方法。 - 前記プローブ上に重ねられる他のプローブが設けられ、前記重なったプローブの導電体は、相互平行に配置されることを特徴とする請求項28記載の平板表示素子検査用プローブの製造方法。
- 前記第1トレンチおよび中央溝は、ダイシング工程により形成されることを特徴とする請求項29記載の平板表示素子検査用プローブの製造方法。
- 前記第1突出領域および第2突出領域上に形成された第1トレンチの配置間隔は、相互異なることを特徴とする請求項29記載の平板表示素子検査用プローブの製造方法。
- 前記導電体が前記絶縁体上の第1トレンチに固定結合されるように、前記絶縁体の上部面または下部面に積層される補強材がさらに備わることを特徴とする請求項28記載の平板表示素子検査用プローブ。
- 所定厚さを有する単一犠牲基板の上部面または下部面のうち少なくとも一面に、フォトリソグラフィ工程および導電膜形成工程により所定厚さのフォトレジストパターンを形成して導電体を形成する導電体形成段階と;
フォトリソグラフィ工程により前記導電体の中央部位が開放されるようにフォトレジストパターンを形成し、前記開放された導電体の中央部位の上部に絶縁体を形成する絶縁体形成段階と;
フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により前記導電体の下部面が露出されるようにトレンチを形成するトレンチ形成段階と;
前記トレンチの内部に補強物質を埋め込んで補強材を形成する補強材形成段階と;
前記犠牲基板を除去する仕上げ段階とから構成されることを特徴とする平板表示素子用プローブの製造方法。 - 前記導電体形成段階前に、前記犠牲基板の上部にシード層を形成するシード層形成段階をさらに含むことを特徴とする請求項34記載の平板表示素子用プローブの製造方法。
- 前記導電体形成段階では、前記導電体との所定間隔を維持する整列キーおよび前記導電体を同時に形成することを特徴とする請求項34記載の平板表示素子用プローブの製造方法。
- 前記導電体形成段階では、前記導電体を形成する前に、前記犠牲基板の上部にシード層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項34記載の平板表示素子用プローブの製造方法。
- 前記絶縁体形成段階および補強材形成段階では、絶縁体および補強材を形成した後、グラインディングすることを特徴とする請求項34記載の平板表示素子用プローブの製造方法。
- 犠牲基板の上部に、フォトリソグラフィ工程、および1次、2次にかけて行われるエッチング工程により底面部がラウンディング形状を有する第1トレンチを形成する第1トレンチ形成段階と;
フォトリソグラフィ工程により前記第1トレンチを含む中央部位を開放し、開放された領域に導電物質を埋め込んで導電体を形成する導電体形成段階と;
フォトリソグラフィ工程および絶縁膜形成工程により前記導電体の上部に絶縁体を形成する絶縁体形成段階と;
前記犠牲基板を除去する仕上げ段階とから構成されることを特徴とする平板表示素子用プローブの製造方法。 - 前記第1トレンチ形成段階後、前記導電体を形成する前にシード層を形成するシード層形成段階をさらに含むことを特徴とする請求項39記載の平板表示素子用プローブの製造方法。
- 前記1次エッチング工程が行われた第1トレンチの形状は、角錐台状または円錐台状を有し、
角錐台状または円錐台状を有する第1トレンチは、前記2次エッチング工程により所定の深さだけさらにエッチングされ、その底面部がラウンディングされることを特徴とする請求項39記載の平板表示素子検査用プローブの製造方法。 - 犠牲基板上に複数の単位接触体のチップが形成される領域を限定する第1保護膜パターンを形成する段階と;
前記第1保護膜パターンをエッチングマスクとして使用してエッチング工程を行うことで、前記犠牲基板上にトレンチを形成する段階と;
前記第1保護膜パターンを除去する段階と;
前記第1保護膜パターンが除去された犠牲基板上に単位接触体のビーム部が形成される領域を限定する第2保護膜パターンを形成する段階と;
前記第2保護膜パターンが形成された犠牲基板上に金属膜を形成して前記単位接触体のビーム部を形成する段階と;
前記第2保護膜パターンを除去して前記単位接触体のビーム部を開放する段階と;
前記単位接触体のビーム部が開放された犠牲基板を所定大きさでスライシングする段階と;
前記スライシングされた犠牲基板上に所定大きさの薄膜フィルムを位置し、前記薄膜フィルム下に前記単位接触体のビーム部を付着固定する段階と;
前記薄膜フィルムが付着固定された前記犠牲基板を除去することで、前記単位接触体のチップを開放する段階とを含んで構成されることを特徴とする平板表示素子検査用プローブシートの製造方法。 - 前記第1保護膜パターンおよび第2保護膜パターンは、
前記犠牲基板上にフォトレジストをコーティングする段階と;
前記フォトレジストを露光および現像する段階とによって形成されることを特徴とする請求項42記載の平板表示素子検査用プローブの製造方法。 - 前記薄膜フィルムは、エポキシまたはパリレンからなることを特徴とする請求項42記載の平板表示素子検査用プローブの製造方法。
- フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により、所定厚さを有する単一犠牲基板の上下部面に第1トレンチを形成する第1トレンチ形成段階と;
前記第1トレンチを導電物質で埋め込んで導電体を形成する導電体形成段階と;
フォトリソグラフィおよびエッチング工程により前記導電体の下部に第2トレンチを形成する第2トレンチ形成段階と;
前記第2トレンチを絶縁物質で埋め込んで絶縁体を形成する絶縁体形成段階と;
前記絶縁体が形成された前記犠牲基板の上部面または下部面のうち少なくとも一面に補強材を形成する補強材形成段階と;
前記犠牲基板を除去する仕上げ段階とを含んで構成されることを特徴とする単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。 - 前記犠牲基板は、シリコン材質のウェハーであることを特徴とする請求項45記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記絶縁体は、前記トレンチにエポキシを塗布し、前記トレンチに挿入される大きさで予め製作されたセラミックプレートを、前記エポキシが硬化される前に前記トレンチに挿入接合して形成することを特徴とする請求項45記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記絶縁体は、前記トレンチに挿入される大きさで予め製作されたセラミックプレートを前記トレンチに挿入した後、前記トレンチと前記セラミックプレートとの間の隙間にエポキシを塗布接合して形成することを特徴とする請求項45記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記導電体形成工程における導電体は、犠牲基板の上部にシード層を形成した後、電解メッキ工程を施して形成されることを特徴とする請求項45記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記導電体の上部面に、伝導性物質をメッキ工程によって積層して伝導層を形成する伝導層形成段階をさらに含むことを特徴とする請求項45記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 所定厚さを有する単一犠牲基板の上部に導電体を形成するための第1保護膜パターンを形成する第1保護膜形成段階と;
前記第1保護膜パターンの内部に導電性物質を埋め込んで上部導電体を形成する上部導電体形成段階と;
前記導電体が形成された前記犠牲基板の上部に補強材を形成するための第2保護膜パターンを形成する第2保護膜パターン形成段階と:
前記第2保護膜パターンの内部に上部補強材を形成する上部補強材形成段階と;
フォトリソグラフィおよびエッチング工程により前記上部導電体が露出されるように犠牲基板の下部面にトレンチを形成するトレンチ形成段階と;
前記トレンチを絶縁物質として埋め込んで絶縁体を形成する絶縁体形成段階と;
前記犠牲基板を除去する犠牲基板除去段階とを含んで構成されることを特徴とする単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。 - 前記犠牲基板を除去する前に、前記絶縁体形成段階により形成された絶縁体の上部に第3保護膜パターンを形成した後、前記第3保護膜パターンの内部に導電性物質を埋め込んで下部導電体を形成する下部導電体形成段階と;
前記下部導電体形成段階後、前記下部導電体の上部に第4保護膜パターンを形成した後、前記第4保護膜パターンの内部に下部補強材を形成する下部補強材形成段階とを含んで構成されることを特徴とする請求項51記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。 - 前記犠牲基板は、シリコン材質のウェハーであることを特徴とする請求項51記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記絶縁体は、前記トレンチにエポキシを塗布し、前記トレンチに挿入される大きさで予め製作されたセラミックプレートを、前記エポキシが硬化される前に前記トレンチに挿入接合して形成することを特徴とする請求項51記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記絶縁体は、前記トレンチに挿入される大きさで予め製作されたセラミックプレートを前記トレンチに挿入した後、前記トレンチと前記セラミックプレートとの間の隙間にエポキシを塗布接合して形成することを特徴とする請求項51記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記導電体形成工程における導電体は、犠牲基板の上部にシード層を形成した後、電解メッキ工程を施して形成されることを特徴とする請求項51記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記導電体の上部面に、伝導性物質をメッキ工程によって積層して伝導層を形成する伝導層形成段階をさらに含むことを特徴とする請求項51記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記下部補強材形成段階は、フォトリソグラフィ工程およびエッチング工程により前記補強材を形成するためのトレンチを形成した後、前記トレンチ内に補強材物質を塗布して補強材を形成することを特徴とする請求項51記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 所定厚さを有して研磨された所定材質からなる単一犠牲基板の所定部分に、絶縁体を形成するための第1トレンチを形成する第1トレンチ形成段階と;
前記第1トレンチに絶縁物質を埋め込んで絶縁体を形成する絶縁体形成段階と;
前記絶縁体が形成された前記犠牲基板の上下部面に保護膜パターンを形成した後、前記保護膜パターンの内部に導電性物質を埋め込んで導電体を形成する導電体形成段階と;
前記犠牲基板を除去する仕上げ段階とを含んで構成されることを特徴とする単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。 - 前記犠牲基板は、シリコン材質のウェハーであることを特徴とする請求項59記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記第1トレンチは、乾式エッチング工程により形成されることを特徴とする請求項59記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記第1トレンチは、ダイシング工程により形成されることを特徴とする請求項59記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記絶縁体は、前記第1トレンチにエポキシを塗布し、前記第1トレンチに挿入される大きさで予め製作されたセラミックプレートを、前記エポキシが硬化される前に前記第1トレンチに挿入接合して形成することを特徴とする請求項59記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記絶縁体は、前記第1トレンチに挿入される大きさで予め製作されたセラミックプレートを前記第1トレンチに挿入した後、前記第1トレンチと前記セラミックプレートとの間の隙間にエポキシを塗布接合して形成することを特徴とする請求項59記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記導電体形成工程における導電体は、犠牲基板の上部にシード層を形成した後、電解メッキ工程を施して形成されることを特徴とする請求項59記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記犠牲基板の上部面または下部面のうちいずれか一面に補強材を形成する補強材形成段階をさらに含むことを特徴とする請求項59記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記補強材形成段階では、エポキシを塗布した後、前記エポキシの上部面にセラミックプレートをさらに接合することを特徴とする請求項66記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記補強材形成段階では、フォトリソグラフィ工程により前記補強材を形成するためのトレンチを形成した後、前記トレンチ内に補強材物質を塗布して補強材を形成することを特徴とする請求項66記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記導電体の上部面に、伝導性物質をメッキ工程によって積層して伝導層を形成する伝導層形成段階をさらに含むことを特徴とする請求項59記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 単一犠牲基板の上部面の所定部分に所定深さを有するトレンチを形成するトレンチ形成段階と;
前記トレンチが形成された前記犠牲基板上に前記トレンチが開放されるように、第1保護膜パターンを形成する第1保護膜パターン形成段階と;
前記第1保護膜パターンにより開放された前記トレンチに、エッチング工程により除去されるトレンチ埋め込み物質を埋め込むトレンチ埋め込み段階と;
前記犠牲基板の上下部面にフォトリソグラフィ工程により導電体を形成するための第2保護膜パターンを形成する第2保護膜パターン形成段階と;
前記第2保護膜パターンによって定められる特定の位置に導電体を形成する導電体形成段階と;
前記導電体が形成された前記犠牲基板の上下部面に補強材を形成するための第3保護膜パターンを形成する第3保護膜形成段階と;
前記第3保護膜パターンによって定められる特定の位置に補強材を形成する補強材形成段階と;
前記犠牲基板のうち前記トレンチ埋め込み物質により区分された部分を除去し、前記トレンチ埋め込み物質を除去する仕上げ段階とを含んで構成されることを特徴とする単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。 - 前記導電体を形成する前に、犠牲基板の上部面に形成された前記保護膜パターンおよび前記犠牲基板の上部に突出されたトレンチ埋め込み物質をグラインディング工程により除去する平坦化段階をさらに含むことを特徴とする請求項70記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記第2保護膜パターン形成段階では、前記犠牲基板の下部面に前記導電体を形成する前に、前記絶縁体が露出されるように、グラインディング工程により犠牲基板を除去する平坦化段階をさらに含むことを特徴とする請求項70記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記犠牲基板は、セラミック材質からなることを特徴とする請求項70記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記トレンチは、ダイシング工程により形成されることを特徴とする請求項70記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記トレンチ埋め込み物質は、電解メッキ工程により形成されることを特徴とする請求項70記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記導電体形成段階は、前記導電体を形成する前に、前記犠牲基板の上下部面にシード層を先に形成するシード層形成段階をさらに含むことを特徴とする請求項70記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記導電体の上部面に、伝導性物質を用いて伝導層を積層する伝導層形成段階をさらに含むことを特徴とする請求項70記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記伝導層形成段階では、伝導性物質がスパッタリング工程により前記導電体の上部面に積層されることを特徴とする請求項77記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
- 前記仕上げ段階における前記トレンチ埋め込み物質は、湿式エッチング工程により選択的に除去されることを特徴とする請求項70記載の単一犠牲基板を用いたプローブの製造方法。
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