KR20200079805A - 전기접속용 커넥터 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 위치하여 검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는 커넥터가 제공된다. 커넥터는 상하 방향으로 적층되고 상하 방향으로 도전 가능한 제1 및 제2 도전 시트를 갖는다. 제1 도전 시트는 절연 물질을 포함하며, 상하 방향으로 도전 가능하다. 제2 도전 시트는 절연 물질을 포함하며 상하 방향으로 도전 가능하다. 제1 도전 시트와 제2 도전 시트가 상하 방향으로 도전 가능하도록 적층되어 접합된다. 접합은 제1 도전 시트의 절연 물질 분자와 제2 도전 시트의 절연 물질 분자 간의 화학 결합에 의해 이루어진다.

Description

전기접속용 커넥터 및 그 제조 방법{CONNECTOR FOR ELECTRICAL CONNECTION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}

본 개시는 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 위치하여 검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는 커넥터에 관한 것이다.

피검사 디바이스의 전기적 검사를 위해, 피검사 디바이스와 검사 장치에 접촉되어 피검사 디바이스와 검사 장치를 전기적으로 접속시키는 커넥터가 당해 분야에서 사용되고 있다. 커넥터는 검사 장치의 전기 신호를 피검사 디바이스에 전달하고, 피검사 디바이스의 전기 신호를 검사 장치에 전달한다. 이러한 커넥터로서, 포고핀 테스트 소켓과 도전성 러버 시트가 당해 분야에 알려져 있다.

포고핀 테스트 소켓은 피검사 디바이스에 가해지는 외력에 응해 상하 방향으로 눌러지는 포고핀을 갖는다. 포고핀 테스트 소켓은, 포고핀을 수용하는 부품을 필요로 하므로, 얇은 두께를 갖기 어렵고, 미세 피치를 갖는 피검사 디바이스의 단자들에 적용되기 어렵다.

도전성 러버 시트는 피검사 디바이스에 가해지는 외력에 응해 탄성 변형할 수 있다. 도전성 러버 시트는 피검사 디바이스와 검사 장치를 전기적으로 접속시키는 복수의 도전부와 도전부들을 이격시키는 절연부를 가진다. 절연부는 경화된 실리콘 러버로 이루어질 수 있다. 도전성 러버 시트는, 포고핀 테스트 소켓에 비해, 적은 제조 비용으로 제조될 수 있고, 피검사 디바이스의 단자를 손상시키지 않으며, 매우 얇은 두께를 가지는 점에서, 유리하다. 따라서, 포고핀 테스트 소켓을 도전성 러버 시트로 대체하는 시도가 피검사 디바이스의 검사 분야에서 시도되고 있다.

포고핀 테스트 소켓은 포고핀을 수용하는 구조로 인해 도전성 러버 시트보다 두꺼운 두께를 갖는다. 그러므로, 포고핀 테스트 소켓을 도전성 러버 시트로 대체하기 위해서는, 포고핀 테스트 소켓을 검사 장치에 부착하는 부품들이 도전성 러버 시트에 적합하도록 필수적으로 재설계되어야 하다. 이로 인해, 대체 비용이 증가할 수 밖에 없고, 검사 장치는 원 설계대로 사용될 수 없다. 이러한 불리함을 해결하기 위한 하나의 대안으로서, 포고핀 테스트 소켓의 두께만큼의 두께를 갖는 도전성 러버 시트가 고려될 수도 있다. 그러나, 도전성 러버 시트의 구조를 고려할 때, 도전성 러버 시트는 소정 두께 이상으로 제조되기가 어렵다.

포고핀 테스트 소켓을 도전성 러버 시트로 대체하는 것에 관련해, 공개특허공보 제10-2006-0123910호는 하나의 도전성 러버 시트의 아래에 이와 유사한 도전성 러버 시트를 배치하는 것을 제안한다. 그러나, 두개의 러버 시트를 단순히 상하로 배치하거나 두개의 러버 시트를 접착제로 접착하는 것은, 저항 증가, 전도성의 저하, 상하로 배치된 시트들의 상대적 위치 변경과 같은 불리함을 해결하지 못한다.

공개특허공보 제10-2006-0123910호

본 개시의 일 실시예는, 저항 증가로 인한 전도성의 저하 없이 증가된 두께를 갖는 적층형 커넥터를 제공한다. 본 개시의 일 실시예는, 물리적 접합을 사용하지 않고 커넥터를 구성하는 재료들이 화학적 결합에 의해 접합된 적층형 커넥터를 제공한다. 본 개시의 일 실시예는, 반복적 가압을 받아도 접합 구조가 손상되지 않는 적층형 커넥터를 제공한다. 본 개시의 일 실시예는 전술한 실시예에 따른 커넥터의 제조 방법을 제공한다.

본 개시의 실시예들의 일 측면은, 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 위치하여 검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는 커넥터에 관련된다. 일 실시예에 따른 커넥터는 상하 방향으로 적층된 제1 도전 시트와 제2 도전 시트를 포함한다. 제1 도전 시트는 절연 물질을 포함하며, 상하 방향으로 도전 가능하다. 제2 도전 시트는 절연 물질을 포함하며 상하 방향으로 도전 가능하다. 제1 도전 시트와 제2 도전 시트가 상하 방향으로 도전 가능하도록 적층되어 접합된다. 접합은, 제1 도전 시트의 절연 물질 분자와 제2 도전 시트의 절연 물질 분자 간의 화학 결합에 의해 이루어진다.

일 실시예에 있어서, 제1 도전 시트와 제2 도전 시트가 접합된 영역에는, 제1 도전 시트의 절연 물질 분자의 원자와 산소 원자와 제2 도전 시트의 절연 물질 분자의 원자가 결합된 원자단이 포함되어 있다. 원자단은 제1 도전 시트의 일부 영역과 제2 도전 시트의 일부 영역에도 포함되어 있다.

일 실시예에 있어서, 제1 도전 시트와 제2 도전 시트 각각은, 상하 방향으로 도전 가능하고 적어도 절연 물질을 포함하는 복수의 도전부와 복수의 도전부를 수평 방향으로 이격시키고 절연 물질을 포함하는 절연부를 포함한다. 제1 도전 시트의 도전부와 제2 도전 시트의 도전부가 절연 물질 분자 간의 화학 결합에 의해 접합된다. 또한, 제1 도전 시트의 절연부와 제2 도전 시트의 절연부가 절연 물질 분자 간의 화학 결합에 의해 접합된다.

일 실시예에 있어서, 제1 도전 시트와 제2 도전 시트 중 하나는 상하 방향으로 돌출한 적어도 하나의 돌출부를 갖고 제1 도전 시트와 제2 도전 시트 중 다른 하나는 돌출부가 상하 방향에서 끼워맞춤되는 오목부를 갖는다. 돌출부와 오목부 간의 끼워맞춤에 의해 제1 도전 시트의 복수의 도전부와 제2 도전 시트의 복수의 도전부가 상하 방향으로 정렬된다.

일 실시예에 있어서, 커넥터의 절연 물질은 실리콘 러버일 수 있다.

본 개시의 실시예들의 또 하나의 측면은, 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 위치하여 검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는 커넥터의 제조 방법에 관련된다. 일 실시예에 따른 커넥터의 제조 방법은, 상하 방향으로 면하는 제1 표면을 갖고 상하 방향으로 도전 가능하며 절연 물질을 포함하는 제1 도전 시트 및 상하 방향으로 제1 표면에 대응하는 제2 표면을 갖고 상하 방향으로 도전 가능하며 절연 물질을 포함하는 제2 도전 시트를 제공하는 단계와, 제1 표면의 절연 물질 분자와 제2 표면의 절연 물질 분자가 접착성 작용기를 갖도록 제1 표면 및 제2 표면을 개질하는 단계와, 제1 표면과 제2 표면이 제1 표면의 접착성 작용기와 제2 표면의 접착성 작용기 간의 화학 결합에 의해 접합되도록 제1 도전 시트와 제2 도전 시트를 상하 방향으로 도전 가능하게 적층시키는 단계를 포함한다.

일 실시예에 있어서, 접착성 작용기는 히드록시기이며, 제1 표면과 제2 표면은 제1 표면의 히드록시기와 제2 표면의 히드록시기 간의 화학 결합에 의해 접합된다.

일 실시예에 있어서, 제1 표면 및 제2 표면을 개질하는 단계에 의해, 제1 표면의 절연 물질 분자의 원자와 제2 표면의 절연 물질 분자의 원자에 접착성 작용기가 결합된다. 제1 도전 시트와 제2 도전 시트를 적층시키는 단계에 의해, 제1 표면의 접착성 작용기와 제2 표면의 접착성 작용기 간의 화학 결합후 생성되고 제1 도전 시트의 절연 물질 분자의 원자와 산소 원자와 제2 도전 시트의 절연 물질 분자의 원자가 결합된 원자단이 제1 표면과 제2 표면이 접합된 영역에 포함된다.

일 실시예에 있어서, 제1 표면과 제2 표면을 개질하는 단계는, 산소를 포함하는 분위기 내에서 제1 표면과 제2 표면에 자외선을 조사함으로써 수행된다.

일 실시예에 있어서, 제1 표면과 제2 표면을 개질하는 단계는, 산소를 포함하는 분위기 내에서 제1 표면과 제2 표면 상에 플라스마를 발생함으로써 수행된다.

일 실시예에 있어서, 제1 표면과 제2 표면을 개질하는 단계는, 산소를 포함하는 분위기 내에서 제1 표면과 제2 표면에 코로나 방전을 행함으로써 수행된다.

일 실시예에 따른 커넥터에 의하면, 도전 시트들이 적층되어 있고, 도전 시트의 표면들이 접착성 작용기를 갖도록 개질되고 접착성 작용기 간의 화학적 결합에 의해 접합된다. 표면들의 접합은, 도전 시트를 구성하는 절연 물질 분자들이 접착성 작용기를 매개로 화학적으로 결합됨으로써 실현된다. 이와 같이 도전 시트들이 접합됨으로써, 접합 및 적층된 도전 시트들은 견고하고 신뢰성 높은 접합 구조를 가질 수 있다. 특히, 일 실시예에 따른 적층형 커넥터는, 접착제를 사용하는 도전 시트들의 접착을 배제시켜, 접착제가 유발하는 전도성의 저하 없이 증가된 두께를 가질 수 있다. 또한, 도전 시트들은 서로 접합되는 표면들의 전부에서 화학적 결합에 의해 결합되므로, 피검사 디바이스들의 반복적 검사로 인해 커넥터에 반복적인 가압이 가해져도, 적층된 도전 시트들을 가지는 커넥터는 장기간 견고한 접합 구조를 유지할수 있다.

도 1은 일 실시예에 따른 커넥터가 적용되는 예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 도전 시트들이 분리된 일 실시예에 따른 커넥터를 도시하는 단면도이다.
도 3은 일 실시예에 따른 커넥터의 도전 시트들을 도시하는 단면 사시도이다.
도 4는 제1 도전 시트와 제2 도전 시트의 적층 및 접합을 개략적으로 도시한다.
도 5는 일 실시예에 따른 커넥터를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 제1 및 제2 도전 시트에 제공되는 정렬부를 도시한다.
도 6은 일 실시예에 따른 커넥터를 개략적으로 도시하는 단면도이며, 제1 및 제2 도전 시트에 제공되는 정렬부의 또 하나의 예를 도시한다.
도 7은 일 실시예에 따른 커넥터의 제조 방법의 단계들을 도시하는 블록도이다.
도 8은 도전 시트를 성형하는 일 예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 9는 도전 시트를 성형하는 또 하나의 예를 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 10은 표면 개질의 제1 예를 개략적으로 도시한다.
도 11은 표면 개질의 제2 예를 개략적으로 도시한다.
도 12는 표면 개질의 제3 예를 개략적으로 도시한다.
도 13은 제3 예에 따른 표면 개질에서의 플라스마 발생기의 또 하나의 예를 도시한다.
도 14는 표면 개질의 제4 예를 개략적으로 도시한다.
도 15는 표면 개질된 제1 및 제2 도전 시트의 적층 및 접합을 개략적으로 도시하는 단면도이다.
도 16은 도전 시트의 표면 개질 및 개질 분자의 일 예를 개략적으로 도시한다.

본 개시의 실시예들은 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것이다. 본 개시에 따른 권리범위가 이하에 제시되는 실시예들이나 이들 실시예들에 대한 구체적 설명으로 한정되는 것은 아니다.

본 개시에 사용되는 모든 기술적 용어들 및 과학적 용어들은, 달리 정의되지 않는 한, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 의미를 갖는다. 본 개시에 사용되는 모든 용어들은 본 개시를 더욱 명확히 설명하기 위한 목적으로 선택된 것이며 본 개시에 따른 권리범위를 제한하기 위해 선택된 것이 아니다.

본 개시에서 사용되는 "포함하는", "구비하는", "갖는" 등과 같은 표현은, 해당 표현이 포함되는 어구 또는 문장에서 달리 언급되지 않는 한, 다른 실시예를 포함할 가능성을 내포하는 개방형 용어(open-ended terms)로 이해되어야 한다.

본 개시에서 기술된 단수형의 표현은 달리 언급하지 않는 한 복수형의 의미를 포함할 수 있으며, 이는 청구범위에 기재된 단수형의 표현에도 마찬가지로 적용된다.

본 개시에서 사용되는 "제1", "제2" 등의 표현들은 복수의 구성요소들을 상호 구분하기 위해 사용되며, 해당 구성요소들의 순서 또는 중요도를 한정하는 것은 아니다.

본 개시에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 경우, 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로 연결될 수 있거나 접속될 수 있는 것으로, 또는 새로운 다른 구성요소를 매개로 하여 연결될 수 있거나 접속될 수 있는 것으로 이해되어야 한다.

본 개시에서 사용되는 "상방"의 방향지시어는 커넥터가 검사 장치에 대해 위치하는 방향에 근거하고, "하방"의 방향지시어는 상방의 반대 방향을 의미한다. 본 개시에서 사용되는 "상하 방향"의 방향지시어는 상방 방향과 하방 방향을 포함하지만, 상방 방향과 하방 방향 중 특정한 하나의 방향을 의미하지는 않는 것으로 이해되어야 한다.

첨부한 도면에 도시된 예들을 참조하여, 실시예들이 설명된다. 첨부된 도면에서, 동일하거나 대응하는 구성요소에는 동일한 참조부호가 부여되어 있다. 또한, 이하의 실시예들의 설명에 있어서, 동일하거나 대응하는 구성요소를 중복하여 기술하는 것이 생략될 수 있다. 그러나, 구성요소에 관한 기술이 생략되어도, 그러한 구성요소가 어떤 실시예에 포함되지 않는 것으로 의도되지는 않는다. 또한, 개시된 제조 방법의 실시예들은 도면에 도시하는 단계들의 일부 또는 전부를 포함할 수 있다. 도면에 도시하는 단계들은 순차적으로 행해질 수 있거나, 도면에 도시하는 단계들 중 적어도 두 개 이상의 단계가 동시에 행해질 수 있거나, 도면에 도시하는 단계들 중 하나의 단계가 다른 단계에 종속되어 행해질 수 있다.

이하에 설명되는 실시예들과 첨부된 도면에 도시된 예들은, 두개의 전자 디바이스의 전기적 접속을 위한 커넥터에 관련된다. 실시예들의 커넥터의 적용예에 있어서, 상기 두개의 전자 디바이스 중 하나는 검사 장치일 수 있고, 상기 두개의 전자 디바이스 중 다른 하나는 검사 장치에 의해 검사되는 피검사 디바이스일 수 있다. 따라서, 실시예들의 커넥터는 피검사 디바이스의 전기적 검사 시에 검사 장치와 피검사 디바이스의 전기적 접속을 위해 사용될 수 있다. 일 예로, 실시예들의 커넥터는, 피검사 디바이스의 제조 공정 중 후공정에서, 피검사 디바이스의 최종적인 전기적 검사를 위해 사용될 수 있다. 그러나, 실시예들의 커넥터가 적용되는 검사의 예가 전술한 검사에 한정되지는 않는다.

도 1은 일 실시예에 따른 커넥터가 적용되는 예를 도시한다. 도 1은, 실시예의 설명을 위해, 커넥터, 커넥터가 배치되는 전자 디바이스, 커넥터와 접촉되는 전자 디바이스의 예시적 형상을 도시한다.

도 1을 참조하면, 일 실시예에 따른 커넥터(100)는 두개의 전자 디바이스의 사이에 배치되며 두개의 전자 디바이스를 전기적으로 접속시킨다. 도 1에 도시된 예에서, 두개의 전자 디바이스 중 하나는 검사 장치(10)일 수 있고, 다른 하나는 검사 장치(10)에 의해 검사되는 피검사 디바이스(20)일 수 있다. 피검사 디바이스(20)의 전기적 검사 시에, 커넥터(100)는 검사 장치(10)와 피검사 디바이스(20)에 각각 접촉되어 검사 장치(10)와 피검사 디바이스(20)를 서로 전기적으로 접속시킨다.

일 예로, 커넥터(100)는 시트(sheet) 형상의 구조물로서 테스트 소켓(30)에 결합될 수 있다. 테스트 소켓(30)은 커넥터(100)를 유지하고 지지하는 프레임(31)을 가질 수 있으며, 프레임(31)을 통해 소켓 하우징(40)에 제거 가능하게 부착될 수 있다. 소켓 하우징(40)은 검사 장치(10)에 제거가능하게 장착될 수 있다. 소켓 하우징(40)은 운반 장치에 의해 검사 장치(10)로 운반된 피검사 디바이스(20)를 그 안에 수용하고 피검사 디바이스(20)를 검사 장치(10)에 위치시킨다.

피검사 디바이스(20)는 반도체 패키지일 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 반도체 패키지는, 반도체 IC 칩과 다수의 리드 프레임(lead frame)과 다수의 단자를 수지 재료를 사용하여 육면체 형태로 패키징한 반도체 디바이스이다. 상기 반도체 IC 칩은 메모리 IC 칩 또는 비메모리 IC 칩이 될 수 있다. 상기 단자로서, 핀, 솔더볼(solder ball) 등이 사용될 수 있다. 도 1에 도시된 피검사 디바이스(20)는 그 하측에 반구형의 다수의 단자(21)를 가진다.

검사 장치(10)는 피검사 디바이스(20)의 전기적 특성, 기능적 특성, 동작 속도 등을 검사할 수 있다. 검사 장치(10)는, 검사가 수행되는 보드 내에, 전기적 테스트 신호를 출력할 수 있고 응답 신호를 받을 수 있는 다수의 단자(11)를 가질 수 있다.

커넥터(100)는 테스트 소켓(30)과 소켓 하우징(40)에 의해 검사 장치(10)의 단자(11)와 접촉되도록 배치될 수 있다. 피검사 디바이스(20)의 단자(21)는 커넥터(100)를 통해 대응하는 검사 장치(10)의 단자(11)와 전기적으로 접속된다. 커넥터(100)가 피검사 디바이스의 단자(21)와 이것에 대응하는 검사 장치의 단자(11)를 상하 방향(VD)으로 전기적으로 접속시킴으로써, 검사 장치(10)에 의해 피검사 디바이스(20)의 검사가 수행된다.

일 실시예의 커넥터(100)는 각각 상하 방향(VD)으로 도전 가능한 제1 도전 시트(110) 및 제2 도전 시트(120)를 포함한다. 커넥터(100)에 있어서, 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)는 상하 방향(VD)으로 도전 가능하도록 적층되어 있으며 상하 방향(VD)으로 접합되어 있다. 도 1은 제2 도전 시트가 제1 도전 시트의 위에 배치된 적층 형태를 도시하지만, 이는 단지 예시적이다.

제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)는 탄성을 갖는 절연 물질을 포함하며, 상하 방향(VD)의 도전을 행하는 구성 요소 이외의 대부분이 절연 물질 분자로 이루어질 수 있다. 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)의 접합은, 도전 시트들의 상하 방향(VD)으로 면하는 대응하는 표면들에서 도전 시트를 형성하는 재료들의 분자(예컨대, 절연 물질 분자) 간의 화학 결합에 의해 이루어진다.

적층된 제1 및 제2 도전 시트(110, 120)를 커넥터(100)가 포함하므로, 커넥터(100)는 탄성을 가지면서, 상하 방향(VD)에서 증가된 두께 및 증가된 눌림량을 가진다. 외력이 상하 방향(VD)에서의 하방으로 커넥터(100)에 가해지면, 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)는 하방 방향과 수평 방향(HD)으로 탄성 변형될 수 있다. 상기 외력은, 푸셔 장치가 피검사 디바이스(20)를 검사 장치(10) 측으로 눌러서 발생될 수 있다. 이러한 외력에 의해, 피검사 디바이스의 단자(21)와 커넥터(100)가 상하 방향(VD)으로 접촉될 수 있고, 커넥터(100)와 검사 장치의 단자(11)가 상하 방향(VD)으로 접촉될 수 있다. 상기 외력이 제거되면, 커넥터(100)는 그 원래 형상으로 복원될 수 있다.

제1 도전 시트(110)는 복수의 제1 도전부(111)와, 제1 절연부(112)를 포함한다. 복수의 제1 도전부(111)는 상하 방향(VD)으로 도전 가능하도록 구성되며, 제1 절연부(112)는 복수의 제1 도전부(111)를 절연시킨다. 제2 도전 시트(120)는 제1 도전 시트(110)와 유사한 구성을 갖는다. 제2 도전 시트(120)는 복수의 제2 도전부(121)와, 제2 절연부(122)를 포함한다. 복수의 제2 도전부(121)는 상하 방향(VD)으로 도전 가능하도록 구성되며, 제2 절연부(122)는 복수의 제2 도전부(121)를 절연시킨다.

접합된 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)에서, 제1 도전부(111)와 제2 도전부(121)는 절연 물질 분자 간의 화학 결합에 의해 적어도 부분적으로 접합되어 있고, 제1 절연부(112)와 제2 절연부(122)는 절연 물질 분자 간의 화학 결합에 의해 접합되어 있다. 또한, 접합된 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)에서, 제1 도전부(111)와 제2 도전부(121)들이 상하 방향(VD)으로 정렬되어 있으며, 제1 도전부(111)와 제2 도전부(121)들은 각자의 단부에서 도전 가능하게 접촉되어 있다. 제1 도전부(111)는 그 상단에서 제2 도전부(121)의 하단과 도전 가능하게 접촉되고, 그 하단에서 검사 장치(10)의 단자(11)와 접촉된다. 제2 도전부(121)는 그 상단에서 피검사 디바이스(20)의 단자(21)와 접촉되고, 그 하단에서 제1 도전부(111)의 상단과 도전 가능하게 접촉된다. 이에 따라, 커넥터(100)에서는, 상하 방향(VD)으로 접촉 및 접합된 제1 도전부(111)와 제2 도전부(121)를 매개로 하여, 이들에 대응하는 단자(11)와 단자(21)의 사이에서 상하 방향의 도전로가 형성된다. 따라서, 검사 장치(10)의 테스트 신호는 단자(11)로부터 제1 및 제2 도전부(111, 121)를 통해 피검사 디바이스(20)의 단자(21)에 전달될 수 있고, 피검사 디바이스(20)의 응답 신호는 단자(21)로부터 제1 및 제2 도전부(111, 121)를 통해 검사 장치(10)의 단자(11)에 전달될 수 있다. 제1 도전부(111)의 상단과 하단은 제1 절연부(112)의 상면 및 하면과 동일 평면을 형성하거나 그보다 약간 돌출할 수 있다. 제2 도전부(121)의 상단과 하단은 제2 절연부(122)의 상면 및 하면과 동일 평면을 형성하거나 그보다 약간 돌출할 수 있다.

상기 도전부들의 평면 배열은 피검사 디바이스(20)의 단자(21)의 배열에 따라 다양할 수 있다. 제1 도전 시트(110) 내에서, 제1 도전부(111)들은 사각형의 제1 절연부(112) 내에서 하나의 행렬 또는 한 쌍의 행렬 형태로 배열될 수 있다. 또는, 제1 도전부(111)들은 사각형의 제1 절연부(112)의 각 변을 따라 복수 열로 배열될 수 있다. 제2 도전 시트(120)의 제2 도전부(121)들은 제1 도전부(111)들의 평면 배열과 동일한 평면 배열을 가질 수 있다.

커넥터의 실시예들의 설명을 위해 도 2 내지 도 6이 참조된다. 도 2 내지 도 6은 커넥터의 형상, 도전부의 형상, 도전부를 구성하는 요소의 형상, 절연부의 형상을 개략적으로 도시하며, 이들은 실시예의 이해를 위해 선택된 예에 불과하다.

도 2 및 도 3은 도전 시트들이 분리된 일 실시예에 따른 커넥터를 도시하고, 도 4는 도 2에 도시된 도전 시트들의 접합 및 적층을 도시한다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 커넥터(100)는 상하 방향(VD)으로 접합 및 적층되는 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)를 포함한다. 제1 도전 시트(110)는 복수의 제1 도전부(111)와 제1 절연부(112)를 포함한다. 복수의 제1 도전부(111)는 제1 절연부(112)에 의해 수평 방향(HD1, HD2)으로 서로 이격되며, 제1 절연부(112)에 의해 서로에 대해 절연된다. 제2 도전 시트(120)는 복수의 제2 도전부(121)와 제2 절연부(122)를 포함한다. 복수의 제2 도전부(121)는 제2 절연부(122)에 의해 복수의 제2 도전부(121)가 수평 방향(HD1, HD2)으로 서로 이격되며, 제2 절연부(122)에 의해 서로에 대해 절연된다.

적층된 제1 및 제2 도전 시트(110, 120)에 있어서, 서로 접촉된 제1 및 제2 도전부(111, 121)가 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에서 도전부로서 기능하고 상하 방향(VD)에서의 신호 전달을 실행한다. 제1 및 제2 도전부(111, 121)는 상하 방향(VD)으로 연장하는 원기둥 형상을 가질 수 있다. 이러한 원기둥 형상에 있어서, 중간에서의 직경은 상단 및 하단에서의 직경보다 작을 수 있다. 또는, 피검사 디바이스의 단자 또는 검사 장치의 단자에 접촉하는 단부에서의 직경은, 이러한 단부의 반대 측에 위치한 단부에서의 직경보다 같거나 작을 수 있다.

각 도전부는 상하 방향으로 접촉된 다수의 도전성 입자를 포함할 수 있거나, 상하 방향으로 배열되고 와이어 형상 또는 섬유 형상을 갖는 하나 이상의 도전체를 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 제1 도전부(111)는 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉된 다수의 제1 도전성 금속 입자(113)를 포함하고, 제2 도전부(121)는 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉된 다수의 제2 도전성 금속 입자(123)를 포함한다. 제1 및 제2 도전성 금속 입자(113, 123)는 동일하거나 상이할 수 있다. 상하 방향으로 도전 가능하게 접촉된 도전성 금속 입자들이 하나의 도전부 내에서 상하 방향에서의 신호 전달을 실행하는 도전로를 형성한다.

전술한 도전성 금속 입자는 코어 입자의 표면을 고전도성 금속으로 피복하여 이루어질수 있다. 코어 입자는 철, 니켈, 코발트 등의 금속 재료로 이루어지거나, 탄성을 지닌 수지 재료로 이루어질 수 있다. 코어 입자의 표면에 피복되는 고전도성 금속으로는, 금, 은, 로듐, 백금, 크롬 등이 사용될 수 있다.

각 도전부에서, 절연 물질이 도전성 금속 입자의 사이를 채울 수 있다. 이러한 절연 물질은 절연부를 형성하는 절연 물질과 동일할 수 있다. 즉, 도전부는 절연부를 형성하는 절연 물질을 부분적으로 포함하며, 이러한 도전부의 절연 물질은 도전부의 일단부터 타단까지 존재할 수 있다. 또한, 절연부를 형성하는 절연 물질이 다수의 도전성 금속 입자를 도전부의 형상으로 유지할 수 있다. 따라서, 절연 물질을 포함하는 각 도전부는 상하 방향(VD)과 수평 방향(HD1, HD2)으로 탄성을 가진다. 피검사 디바이스의 단자에 의해 각 도전부가 하방으로 눌릴 때, 각 도전부는 수평 방향(HD1, HD2)으로 약간 팽창될 수 있고, 각 절연부는 도전부의 이러한 팽창을 허용할 수 있다.

각 절연부는 각 도전 시트의 사각형의 탄성 영역을 형성할 수 있다. 각 절연부는 하나의 탄성체로서 형성되어 있으며, 상하 방향(VD)과 수평 방향(HD)으로 탄성을 가진다. 절연부는 도전부의 형상을 유지하고 도전부를 상하 방향으로 유지시킨다.

각 절연부는 절연 물질로 이루어진다. 제1 절연부(112)와 제2 절연부(122)는 동일하거나 상이한 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상세하게는, 각 절연부는 액상의 절연 물질이 경화됨으로써 성형된다. 일 예로서, 전술한 도전성 금속 입자가 분산된 액상 절연 물질이 도전 시트를 성형하기 위한 금형 내에 주입된 후, 도전부의 위치마다 인가되는 자기장에 의해 도전성 금속 입자들이 상하 방향으로 배열 및 접촉되어 전술한 도전부가 형성되고, 그 후 액상 절연 물질이 경화되어 전술한 절연부가 형성될 수 있다. 또 다른 예로서, 도전성 금속 입자를 포함하지 않는 액상 절연 물질이 경화되어 성형되고 도전 시트 형상을 갖는 소재에 도전부의 위치마다 관통 홀이 형성되고, 이러한 관통 홀을 도전성 금속 입자들이 분산된 액상 절연 물질로 충전시키고 자기력에 의해 관통 홀 내의 도전성 금속 입자들을 상하 방향으로 도전 가능하게 접촉시킴으로써, 도전부가 형성될 수 있다.

도전 시트들을 구성하는 절연 물질은 절연성과 탄성을 갖는다. 이러한 절연 물질이 도전 시트의 절연부를 구성하고 도전 시트의 도전부의 일부를 구성한다. 일 실시예의 커넥터에 있어서, 절연 물질은 실리콘 러버일 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 절연 물질로서, 절연성과 탄성을 갖는 물질이 채용될 수 있다.

실리콘 러버가 절연 물질로서 사용되는 경우, 절연부를 성형하기 위한 액상의 실리콘 러버 재료로서, 부가형 액상 실리콘 고무, 축합형 액상 실리콘 고무, 비닐기를 포함하는 액상 실리콘 고무 등이 사용될 수 있다. 구체적인 예로서, 액상 실리콘 러버 재료는, 디메틸실리콘 생고무, 메틸비닐실리콘 생고무, 메틸페닐비닐실리콘 생고무 등을 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다.

실시예들의 커넥터에 있어서, 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)는 상하 방향(VD)으로 적층 및 접합된다. 적층된 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)에서, 제1 도전부(111)와 제2 도전부(121)는 상하 방향(VD)으로 정렬 및 도전 가능하게 접촉되며 적어도 부분적으로 서로 접합된다. 따라서, 커넥터(100)는 피검사 디바이스의 단자와 검사 장치의 단자의 사이에서 상하 방향(VD)으로 도전 가능하다. 서로 접합된 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)를 갖는 커넥터(100)는 증가된 두께를 갖는 하나의 적층 구조물로서 피검사 디바이스와 검사 장치의 사이에 배치될 수 있다.

도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 도전 시트(110)는 제2 도전 시트(120)와 접합되는 제1 표면(114)을 가질 수 있고, 제2 도전 시트(120)는 제1 도전 시트(110)와 접합되는 제2 표면(124)을 가질 수 있다. 제1 표면(114)은 상하 방향(VD)으로 면하는 제1 도전 시트(110)의 표면 중 하나의 표면이다. 제2 표면(124)은 상하 방향(VD)으로 면하는 제2 도전 시트(120)의 표면 중 하나의 표면이며 상하 방향(VD)으로 제1 표면(114)에 대응한다. 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 표면(114)은 상하 방향에서의 제1 도전 시트(110)의 상면이 될 수 있고, 제2 표면(124)은 상하 방향에서의 제2 도전 시트(120)의 하면이 될 수 있다. 따라서, 제1 표면(114)은 제1 절연부(112)의 상하 방향(VD)에서의 상면 및 제1 도전부(111)들의 상하 방향(VD)에서의 상단면들을 포함할 수 있다. 제2 표면(124)은 제2 절연부(122)의 상하 방향(VD)에서의 하면 및 제2 도전부(121)들의 상하 방향(VD)에서의 하단면들을 포함할 수 있다. 제1 표면(114)과 제2 표면(124)이 상호 접합됨으로써, 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)가 상하 방향으로 접합 및 적층된다.

실시예들의 커넥터를 구성하는 접합 전의 도전 시트에 있어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 표면(114)과 제2 표면(124)에 존재하는 절연 물질의 분자는 화학 결합으로 인한 접합을 가능하게 하는 접착성 작용기(115, 215)를 갖는다. 제1 표면(114)의 접착성 작용기(115)와 제2 표면(124)의 접착성 작용기(215) 간의 화학 결합에 의해, 제1 표면(114)과 제2 표면(124)이 상호 접합될 수 있다. 일 예로, 상기 접착성 작용기는 친수성 작용기일 수 있다. 구체적인 예로서, 상기 접착성 작용기는 히드록시기(-OH)일 수 있다. 실시예들에 채용되는 접착성 작용기가 히드록시기에 한정되지는 않으며, 화학 결합될 수 있는 작용기를 포함할 수 있다.

제1 표면(114)과 제2 표면(124)은 표면 개질에 의해 접착성 작용기(115, 215)를 가질 수 있다. 여기서, 표면 개질은, 제1 도전 시트의 표면과 제2 도전 시트의 표면의 화학적 상태를 변경하는 것, 예컨대 낮은 표면 에너지를 증가시키는 것을 의미한다. 제1 표면(114)은, 제1 도전 시트(110)의 표면 중, 상하 방향(VD)에 면하는 하나의 표면이 접착성 작용기(115)를 갖도록 개질된 표면이다. 제2 표면(124)은, 제2 도전 시트(120)의 표면 중, 상하 방향(VD)에 면하는 하나의 표면이 접착성 작용기(215)를 갖도록 개질된 표면이다. 이와 같이 접착성 작용기를 갖도록 제1 및 제2 표면이 개질되므로, 제1 및 제2 표면에 존재하는 절연 물질의 분자에 접착성 작용기가 형성된다. 따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 표면(114)은 절연 물질 분자의 원자에 접착성 작용기(115)가 결합된 제1 개질 분자(116)를 갖고, 제2 표면(124)은 절연 물질 분자의 원자에 접착성 작용기(215)가 결합된 제2 개질 분자(126)를 갖는다. 절연 물질이 실리콘 러버인 경우, 제1 및 제2 표면에서의 실리콘 러버 분자는, 실리콘 러버 분자의 실리콘 원자에 접착성 작용기가 결합되도록 개질된다.

제1 개질 분자(116)와 제2 개질 분자(126)는, 산소를 포함하는 분위기 내에서 도전 시트의 표면에, 자외선을 조사하거나, 플라스마를 발생시키거나, 코로나 방전을 하여 절연 물질 분자의 원자(예컨대, 실리콘 러버 분자의 실리콘 원자)에 접착성 작용기가 결합됨으로써, 형성될 수 있다. 제1 개질 분자(116)와 제2 개질 분자(126)는 제1 표면과 제2 표면의 거의 전체에 형성될 수 있다. 제1 개질 분자(116)와 제2 개질 분자(126)는 수십 내지 수백 나노마이크로미터의 두께로 제1 표면과 제2 표면에 형성될 수 있다. 도 4는 이러한 개질 분자를 단순화하여 도시한다.

일 실시예에 의하면, 제1 표면(114)과 제2 표면(124)에서의 개질된 절연 물질 분자에서는, 접착성 작용기(115, 215)로서의 히드록시기(-OH)가 절연 물질 분자의 원자에 결합되어 있다. 절연 물질이 실리콘 러버인 경우, 제1 표면(114)과 제2 표면(124)에서의 개질된 실리콘 러버 분자에서는, 히드록시기(-OH)가 실리콘 원자에 결합되어 있다. 히드록시기(-OH)로 인해 제1 및 제2 표면(114, 124)은 친수성을 갖는다. 제1 표면(114)과 제2 표면(124)을 소정 시간 접촉시키거나 또는 서로를 향해 가압시킴으로써, 제1 표면(114)의 히드록시기와 제2 표면(124)의 히드록시기는 화학 결합될 수 있다. 따라서, 제1 표면(114)의 제1 개질 분자(116)와 제2 표면(124)의 제2 개질 분자(126)는, 제1 개질 분자의 히드록시기와 제2 개질 분자의 히드록시기 간의 화학 결합에 의해 서로 결합될 수 있고, 이에 따라 제1 표면(114)과 제2 표면(124)이 접합될 수 있다.

절연 물질 분자가 접착성 작용기를 갖도록 개질된 제1 및 제2 표면(114, 124)에서, 개질된 절연 물질 분자는 절연 물질 분자를 구성하는 원자에, 산소 원자 및 수소 원자가 결합된 원자단(-O-H의 원자단, 히드록시기)이 결합되어 있다. 절연 물질 분자가 실리콘 러버 분자인 경우, 실리콘 원자에 산소 원자 및 수소 원자가 결합된 원자단이 결합되어, 개질된 실리콘 러버 분자는 -Si-O-H의 원자단을 갖는다. 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)를 적층 및 접합시킴에 따라, 제1 표면(114)의 -Si-O-H의 원자단과 제2 표면(124)의 -Si-O-H의 원자단이 화학적으로 결합하여, 실리콘 원자, 산소 원자 및 실리콘 원자가 결합된 원자단(즉, -Si-O-Si-의 원자단) 및 H2O를 생성한다. 상세하게는, 제1 표면(114)에서의 -Si-O-H의 원자단과 제2 표면(124)에서의 -Si-O-H의 원자단 간에 수소 결합이 작용한다. 수소 결합 후, H2O가 생성되고, 실리콘 원자와 산소 원자와 실리콘 원자가 공유 결합을 이룬다. H2O는 접합된 제1 표면(114)과 제2 표면(124)으로부터 증발될 수 있다. 그러면, 제1 및 제2 표면이 접합된 영역에는 -Si-O-Si-의 원자단이 남는다. 즉, 제1 표면(114)과 제2 표면(124)은 -Si-O-Si-의 원자단을 공유하면서 상호 접합될 수 있다. -Si-O-Si-의 원자단에서, 하나의 실리콘 원자는 제1 표면에서의 실리콘 러버 분자의 실리콘 원자이고, 또 하나의 실리콘 원자는 제2 표면에서의 실리콘 러버 분자의 실리콘 원자이다.

그러므로, 제1 도전 시트(110)의 제1 표면(114)과 제2 도전 시트(120)의 제2 표면(124)이 접합된 영역에는, 제1 표면(114)에서의 절연 물질 분자의 원자와 산소 원자와 제2 표면(124)에서의 절연 물질 분자의 원자가 결합된 원자단(절연 물질이 실리콘 러버인 경우, -Si-O-Si-의 원자단)이 포함된다. 이러한 원자단은 제1 표면(114)과 제2 표면(124)의 내측으로 미세한 깊이로 확산되어 존재할 수도 있다. 따라서, 이러한 원자단은 제1 도전 시트(110)의 일부 영역과 제2 도전 시트(120)의 일부 영역에 확산되어서 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)가 접합된 영역에 포함될 수 있다.

도 4를 참조하면, 제1 표면(114)과 제2 표면(124)이 서로 접합됨에 따라, 커넥터(100)는, 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)의 사이에, 제1 도전 시트(110)의 개질된 절연 물질 분자와 제2 도전 시트(120)의 개질된 절연 물질 분자 간의 화학 결합에 의해 생성된 접합 영역(141)을 포함할 수 있다. 접합 영역(141)은 제1 및 제2 도전 시트의 사이에서 수평 방향(HD)으로 층상으로 형성될 수 있으며, 수십 내지 수백 나노마이크로미터의 두께를 가질 수 있다. 도 4에서 접합 영역(141)은 과장된 치수로 도시되어 있다. 접합 영역(141)은, 제1 절연부(112)의 상면, 제1 도전부(111)들의 상단면, 제2 절연부(122)의 하면 및 제2 도전부(112)들의 하단면에 걸쳐서 형성될 수 있다. 접합 영역(141)은 제1 및 제2 개질 분자의 접착성 작용기(히드록시기) 간의 화학 결합 후 생성된 원자단을 포함할 수 있다. 절연 물질이 실리콘 러버인 경우, 접합 영역(141)에는 제1 도전 시트의 실리콘 원자와 산소 원자와 제2 도전 시트의 실리콘 원자가 결합된 원자단(-Si-O-Si의 원자단)이 접합 영역(141)에 포함된다. 이러한 원자단은 접합 영역(141)에 전체적으로 확산되어 포함될 수 있다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 제1 표면(114)은 제1 절연부의 개질된 상면과 제1 도전부의 개질된 상단면을 포함하고, 제2 표면(124)은 제2 절연부의 개질된 하면과 제2 도전부의 개질된 하단면을 포함한다. 적층된 제1 및 제2 도전 시트(110, 120)에서는, 상하로 위치하는 절연부들과 도전부들이 접착성 작용기의 화학 결합에 의해 접합되어 있어, 적층된 제1 및 제2 도전 시트에 견고한 접합 구조를 부여한다. 이러한 접합 구조로 인해, 적층 및 접합된 제1 및 제2 도전 시트에 하방으로 반복적인 누름이 장시간 가해져도, 접합된 제1 및 제2 도전 시트(110, 120)는 분리되지 않는다. 상하 방향(VD)으로 접촉 및 접합된 제1 도전부(111)와 제2 도전부(121)에는, 제1 도전부의 절연 물질과 제2 도전부의 절연 물질 간의 결합 구조가 존재하고 전도성을 악화시키는 물질이 존재하지 않는다. 이에 따라, 커넥터(100)는 전도성의 저하가 없는 접합 구조를 가진다.

일 실시예의 커넥터는 제1 도전 시트와 제2 도전 시트에 각각 마련된 정렬부들을 가질 수 있다. 상기 정렬부들에 의해, 제1 도전 시트와 제2 도전 시트가 적층될 때, 제1 도전 시트와 제2 도전 시트의 수평 방향에서의 위치가 고정될 수 있고 제1 도전부와 제2 도전부가 상하 방향으로 정렬될 수 있다. 상기 정렬부들의 예로서, 제1 도전 시트와 제2 도전 시트 중 하나는 상하 방향으로 돌출한 적어도 하나의 돌출부를 가질 수 있고, 제1 도전 시트와 제2 도전 시트 중 다른 하나는 상기 돌출부에 보완되는 형상을 갖고 상기 돌출부가 상하 방향에서 끼워맞춤되는 오목부를 가질 수 있다. 돌출부의 횡단면 형상은, 원형, 타원형, 장타원형, 사각형 중 어느 하나를 가질 수 있고, 오목부의 횡단면 형상은 돌출부의 횡단면 형상에 대응할 수 있다. 도 5와 도 6은 제1 및 제2 도전 시트에 도전부의 정렬을 위한 정렬부가 제공된 예를 도시한다.

도 5를 참조하면, 복수의 제1 도전부(111) 중 적어도 하나는 상하 방향(VD)으로 돌출한 돌출부(117)를 가질 수 있고, 복수의 제2 도전부(121) 중 적어도 하나는 오목부(127)를 가질 수 있다. 돌출부(117)는 제1 도전부(111)의 상단부로 될 수 있고, 오목부(127)는 제2 도전부(121)의 하단부로 될 수 있다. 돌출부(117)와 오목부(127)는, 상하 방향(VD)에서 돌출부(117)가 오목부(127)에 끼워맞춤되도록 형성된다. 따라서, 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)가 적층될 때, 돌출부(117)와 오목부(127) 간의 상하 방향(VD)에서의 끼워맞춤에 의해, 제1 도전부(111)와 제2 도전부(121)가 상하 방향(VD)에서 정렬 및 접촉될 수 있다. 제1 도전 시트의 개질된 제1 표면(114)은 돌출부(117)의 표면을 포함하고, 제2 도전 시트의 개질된 제2 표면(124)은 오목부(127)의 표면을 포함한다. 돌출부(117)와 오목부(127) 또한 접착성 작용기 간의 화학 결합에 의해 접합될 수 있다.

복수의 제1 도전부(111) 중 하나만이 돌출부(117)를 가질 수 있고, 돌출부(117)를 갖는 제1 도전부에 대응하는 제2 도전부(121)만이 오목부(127)를 가질 수 있다. 돌출부(117)는 일렬로 위치하는 제1 도전부(111)들에 제공될 수 있거나, 모든 제1 도전부(111)들에 제공될 수 있다. 이러한 제1 도전부(111)들에 대응하는 제2 도전부(121)들이 오목부(127)를 가질 수 있다. 돌출부(117)는 둘 이상의 제1 도전부(111)에 걸쳐 형성될 수도 있고, 오목부(127)는 이러한 돌출부(117)의 형상에 대응하도록 형성될 수 있다. 제2 도전 시트(120)의 제2 도전부(121)가 전술한 돌출부(117)를 가질 수 있고, 제1 도전 시트(110)의 제1 도전부(111)가 전술한 오목부(127)를 가질 수 있다.

도 6을 참조하면, 제1 절연부(112)는 상하 방향(VD)으로 돌출한 적어도 하나의 돌출부(118)를 가질 수 있고, 제2 절연부(122)는 상하 방향(VD)으로 오목한 적어도 하나의 오목부(128)를 가질 수 있다. 돌출부(118)와 오목부(128)는, 상하 방향(VD)에서 돌출부(118)가 오목부(128)에 끼워맞춤되도록 형성된다. 따라서, 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)가 적층될 때, 돌출부(118)와 오목부(128) 간의 상하 방향(VD)에서의 끼워맞춤에 의해, 제1 도전부(111)와 제2 도전부(121)가 상하 방향(VD)에서 정렬 및 접촉될 수 있다. 제1 도전 시트의 개질된 제1 표면(114)은 돌출부(118)의 표면을 포함하고, 제2 도전 시트의 개질된 제2 표면(124)은 오목부(128)의 표면을 포함한다. 돌출부(118)와 오목부(128) 또한 접착성 작용기 간의 화학 결합에 의해 접합될 수 있다.

제1 절연부(112)는 하나의 돌출부(118)를 가질 수 있고, 제2 절연부(122)는 돌출부(118)의 위치에 대응하는 위치에 형성된 하나의 오목부(128)를 가질 수 있다. 돌출부(118)는 제1 절연부(112)의 중앙 또는 각 코너에 형성될 수 있고, 오목부(128)는 이러한 돌출부(118)의 위치에 대응하는 위치에 형성될 수 있다. 제2 도전부(121)가 전술한 돌출부(118)를 가질 수 있고, 제1 도전부(111)가 전술한 오목부(128)를 가질 수 있다.

커넥터(100)는 적층된 제1 도전 시트(110) 및 제2 도전 시트(120) 중 어느 하나에 상하 방향으로 도전 가능하게 적층되는 제3 도전 시트를 가질 수 있다. 이러한 제3 도전 시트로 인해, 커넥터(100)는 더욱 두꺼운 두께를 가질 수 있고 더욱 큰 상하 방향의 눌림량을 가질 수 있다. 제3 도전 시트는 제1 도전 시트(110) 또는 제2 도전 시트(120)와 유사하게 구성될 수 있으며, 전술한 표면 개질을 통해 접착성 작용기에 의해 제1 도전 시트(110) 또는 제2 도전 시트(120)에 상하 방향으로 도전 가능하게 접합될 수 있다.

도 7 내지 도 16을 참조하여 커넥터의 제조 방법의 실시예들을 설명한다. 실시예들에 따른 제조 방법에 의해, 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 위치하여 검사 장치와 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는 커넥터가 제조될 수 있다. 도 8 내지 도 16은 커넥터의 형상, 커넥터의 구성 요소의 형상, 장치의 형상을 개략적으로 도시하며, 이들은 실시예의 이해를 위해 선택된 예에 불과하다.

도 7은 일 실시예에 따른 커넥터의 제조 방법의 단계들을 도시한다. 도 7을 참조하면, 일 실시예에 따른 커넥터의 제조 방법은, 상하 방향으로 도전 가능하며 절연 물질을 포함하는 제1 및 제2 도전 시트를 제공하는 단계(S100)와, 제1 및 제2 도전 시트들의 대응하는 표면들에서의 절연 물질 분자가 접착성 작용기를 갖도록 상기 대응하는 표면들을 개질하는 단계(S200)와, 상기 대응하는 표면들이 접착성 작용기 간의 화학 결합에 의해 접합되도록 제1 도전 시트와 제2 도전 시트를 상하 방향으로 도전 가능하게 적층시키는 단계(S300)를 포함한다.

단계(S100)에 의해, 일 실시예의 커넥터를 구성하는 도 2에 도시된 제1 도전 시트와 제2 도전 시트가 제공될 수 있다. 도 8 및 도 9는 도전 시트를 성형하는 예를 개략적으로 도시한다.

도 8을 참조하면, 일 실시예의 도전 시트는 성형 금형(511)과 성형 금형(511)에 상하로 배치된 제1 및 제2 자기장 인가부(521, 522)를 사용하여 성형될 수 있다. 성형 금형(511)의 성형 공동(512)에 액상 성형 재료(513)가 주입될 수 있다. 액상 성형 재료(513)는, 액상 절연 물질과 위에서 예시한 도전성 금속 입자 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 액상 절연 물질로서 위에서 예시한 액상 실리콘 러버 중 하나가 사용될 수 있다. 도전성 금속 입자들은 액상 실리콘 러버 재료 내에 분산되어 있다. 액상 성형 재료(513)가 성형 공동(512)에 주입된 후, 제1 및 제2 자기장 인가부(521, 522)에 의해 상하 방향(VD)으로 도전부의 위치마다 자기장이 인가된다. 제1 자기장 인가부(521)와 제2 자기장 인가부(522)는 성형 금형(511)의 상하 방향(즉, 커넥터의 상하 방향)으로 서로 대향하도록 배치된다. 자기장이 인가되면, 각 도전부의 위치마다 도전성 금속 입자들이 자기력에 의해 상하 방향으로 배열 및 접촉되어, 도전부를 형성할 수 있다. 다수의 도전성 금속 입자들이 상하 방향(VD)으로 도전 가능하게 접촉된 후, 액상 성형 재료(513)의 액상 절연 물질이 경화된다. 이에 따라, 단계(S100)에 의해, 도 2 및 도 3 에 도시된 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)가 제공될 수 있다.

도 9를 참조하면, 도전성 금속 입자를 포함하지 않는 액상 절연 물질(일 예로, 전술한 액상 실리콘 러버)로부터 성형 금형을 사용하여, 도전 시트의 형상으로 된 소재(531)가 성형될 수 있다. 성형된 소재(531)에 도전부의 위치마다 관통 홀(532)이 형성된다. 관통 홀(532)은, 전술한 도전성 금속 입자들이 분산된 액상 절연 물질로 충전된다. 자기력에 의해 관통 홀(532) 내의 도전성 금속 입자들을 상하 방향으로 배열 및 접촉시키고, 관통 홀 내의 액상 절연 물질을 경화시킨다. 이에 따라, 단계(S100)에 의해, 도 2에 도시된 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)가 제공될 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이, 제1 도전 시트(110)는, 상하 방향(VD)으로 도전 가능하고 적어도 절연 물질을 포함하는 복수의 제1 도전부(111)와, 복수의 제1 도전부(111)를 수평 방향(HD)으로 이격시키고 서로 절연시키며 절연 물질을 포함하는 제1 절연부(112)를 구비한다. 제1 도전 시트(110)는 상하 방향(VD)으로 면하는 표면 중 하나의 표면으로 되는 제1 표면(114)을 갖는다. 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 도전 시트(120)는, 상하 방향(VD)으로 도전 가능하고 적어도 절연 물질을 포함하는 복수의 제2 도전부(121)와, 복수의 제2 도전부(121)를 수평 방향(HD)으로 이격시키고 서로 절연시키며 절연 물질을 포함하는 제2 절연부(122)를 구비한다. 제2 도전 시트(120)는, 상하 방향(VD)으로 면하는 표면 중 하나의 표면으로 되고 제1 표면(114)에 대응하는 제2 표면(124)을 갖는다.

단계(S200)에 의해, 제1 도전 시트의 제1 표면에서 절연 물질 분자(일 예로, 실리콘 러버 분자)와 제2 도전 시트의 제2 표면에서의 절연 물질 분자(일 예로, 실리콘 러버 분자)가 접착성 작용기를 갖도록 개질된다. 제1 표면의 접착성 작용기와 제2 표면의 접착성 작용기가 화학 결합에 의한 접착을 가능하게 한다. 일 실시예로서, 접착성 작용기는 히드록시기(-OH)이지만, 이에 한정되지는 않는다. 제1 표면과 제2 표면은, 제1 표면에서의 절연 물질 분자에 결합된 히드록시기와 제2 표면에서의 절연 물질 분자에 결합된 히드록시기 간의 화학 결합에 의해 접합될 수 있다.

제1 표면과 제2 표면이 개질되면, 제1 표면과 제2 표면은 절연 물질 분자에 히드록시기(-OH)가 형성된 개질 분자들을 가질 수 있다. 이러한 개질 분자들은 제1 표면과 제2 표면에 걸쳐 표면 개질 시간에 따라 수십 내지 수백 나노마이크로미터의 두께를 가질 수 있다. 표면 개질 시간이 긴 경우, 개질 분자들은 수 마이크로미터의 두께로 형성될 수도 있다. 히드록시기로 인해 제1 표면과 제2 표면은 친수성을 가진다. 표면 개질된 제1 표면과 제2 표면을 접촉시키면, 히드록시기간의 화학 결합을 통해 제1 표면의 개질 분자와 제2 표면의 개질 분자가 결합될 수 있다. 또한, 아래에 개시된 표면 개질의 예들에 의하면, 제1 표면과 제2 표면의 표면 거칠기가 증가되어, 접합력을 향상시킬 수 있다. 제1 표면 및 제2 표면을 개질하는 단계(S200)는 다양한 표면 개질 방법에 의해 제1 표면에서의 절연 물질 분자와 제2 표면에서의 절연 물질 분자가 히드록시기를 갖도록 수행될 수 있다.

표면 개질의 제1 예로서, 제1 표면 및 제2 표면을 개질하는 단계(S200)는, 산소를 포함하는 분위기 내에서 제1 도전 시트의 제1 표면과 제2 도전 시트의 제2 표면에 자외선을 조사함으로써 수행될 수 있다. 도 10은 표면 개질의 제1 예를 개략적으로 도시한다.

도 10을 참조하면, 산소를 포함하는 분위기 내에서 자외선 광원(611)으로부터 자외선(612)을 제1 표면(114)과 제2 표면(124)에 조사함으로써, 제1 표면(114)과 제2 표면(124)에서의 절연 물질 분자(일 예로, 실리콘 러버 분자)는 접착성 작용기(히드록시기)(115, 215)를 갖도록 개질될 수 있다. 상기 산소를 포함하는 분위기는 대기 분위기일 수 있다. 자외선 광원(611)으로서 예컨대 엑사이머 램프가 사용될 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 광원(611)은 예컨대 10nm 내지 400nm의 파장을 갖는 자외선을 조사할 수 있다. 자외선 조사는 실온 하에서 행해질 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 자외선을 조사하는 시간은, 광원(611)의 출력에 따라 다양하게 설정될 수 있다.

광원(611)으로부터 자외선(612)이 제1 표면(114)과 제2 표면(124)에 조사되면, 분위기 내의 산소가 자외선을 흡수해 오존으로 변화한다. 오존은 제1 표면(114)과 제2 표면(124)의 유기물을 분해하여 세정 효과를 발휘한다. 자외선을 흡수한 제1 표면(114)과 제2 표면(124)에서는, 절연 물질 분자의 원자(일 예로, 실리콘 러버 분자의 실리콘 원자)에 히드록시기가 결합되어, 전술한 개질 분자가 각 표면에 형성될 수 있다. 이와 같이, 산소를 포함하는 분위기 내에서 자외선 광원(611)으로부터 자외선(612)을 제1 표면(114)과 제2 표면(124)에 조사함으로써, 제1 표면(114)과 제2 표면(124)은 히드록시기를 갖도록 개질될 수 있다.

표면 개질은, 산소를 포함하는 분위기 내에서 플라스마를 이용하여 수행될 수 있다. 플라스마는 제1 표면과 제2 표면 상에 발생되거나, 제1 표면과 제2 표면에 분사될 수 있다.

표면 개질의 제2 예로서, 제1 표면 및 제2 표면을 개질하는 단계(S200)는, 산소를 포함하는 분위기 내에서 제1 표면과 제2 표면 상에 플라스마를 발생함으로써 수행될 수 있다. 도 11은 표면 개질의 제2 예를 개략적으로 도시한다.

도 11을 참조하면, 상기 플라스마는 진공 챔버(621) 내에서 생성될 수 있다. 진공 챔버(621) 내에는 상부 전극(622)과 하부 전극(623)이 설치된다. 하부 전극(623) 상에 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)가 각각 제1 표면(114)과 제2 표면(124)이 상부를 향하도록 적재된다. 진공 챔버(621)에는 처리 가스로서 공기 또는 산소 가스가 주입되어, 진공 챔버(621) 내에 산소를 포함하는 분위기를 형성한다. 진공 챔버(621) 내에서 플라스마(624)가 점화된다. 플라스마(624)는 저온 플라스마일 수 있다. 플라스마(624)에 의해 제1 표면(114)과 제2 표면(124)이 개질된다. 이에 따라, 제1 및 제2 표면(114, 124)에는 전술한 개질 분자가 형성되고, 이 개질 분자의 원자(일 예로, 실리콘 러버 분자의 실리콘 원자)에 히드록시기가 결합된다.

표면 개질의 제3 예로서, 제1 표면 및 제2 표면을 개질하는 단계(S200)는, 산소를 포함하는 분위기 내에서 제1 표면과 제2 표면에 대기압 플라스마를 분사함으로써 수행될 수 있다. 도 12는 표면 개질의 제3 예를 개략적으로 도시한다.

도 12를 참조하면, 플라스마 발생기(631)로부터 대기압 플라스마(atmospheric plasma)(632)를 제1 도전 시트(110)의 제1 표면(114)(또는 제2 도전 시트의 제2 표면)에 분사함으로써, 제1 도전 시트의 제1 표면(114)과 제2 도전 시트의 제2 표면에서의 절연 물질 분자(일 예로, 실리콘 러버 분자)가 접착성 작용기(히드록시기)를 갖도록 개질되어, 전술한 개질 분자가 각 표면에 형성될 수 있다. 분사된 대기압 플라스마(632)는 제1 표면(114)을 세정하고 활성화시킨다. 대기압 플라스마(632)의 분사는 대기 분위기 내에서 행해질 수 있다. 또는, 산소를 포함하는 처리 가스의 분위기 내에서 대기압 플라스마(632)의 분사가 행해질 수 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 플라스마 발생기(631)는 토치 형상을 취할 수 있다. 토치 형상의 플라스마 발생기(631)는 제1 표면(114)을 따라 수평 방향으로 반복적으로 이송되어 대기압 플라스마(632)를 제1 표면(114)에 분사할 수도 있다.

도 13은 제3 예에 따른 표면 개질 방법에서의 플라스마 발생기의 또 하나의예를 도시한다. 도 13을 참조하면, 플라스마 발생기(633)는 막대(bar) 형상을 취하여, 수평 방향에서 제1 표면(114) 또는 제2 표면을 개질할 수 있다.

표면 개질의 제4 예로서, 제1 표면 및 제2 표면을 개질하는 단계(S200)는, 산소를 포함하는 분위기 내에서 제1 표면과 제2 표면에 코로나 방전을 행함으로써 수행될 수 있다. 도 14는 표면 개질의 제4 예를 개략적으로 도시한다.

도 14를 참조하면, 산소를 포함하는 분위기 내에서 제1 표면(114)(또는 제2 표면)에 코로나 방전을 행함으로서, 제1 표면(114)은 접착성 작용기(히드록시기)를 갖도록 개질되어, 절연 물질 분자의 원자(일 예로, 실리콘 러버 분자의 실리콘 원자)에 히드록시가 결합된 개질 분자가 형성될 수 있다. 제1 도전 시트(110)(또는 제2 도전 시트)는 접지 전극(641) 상에 적재되며, 코로나 방전 전극(642)으로부터 제1 표면(114)(또는 제2 표면)에 코로나 염(643)을 발생시킨다. 코로나 방전 처리에 의해 제1 표면(114)(또는 제2 표면)은 접착성 작용기(히드록시기)를 갖도록 개질되고, 절연 물질 분자의 원자에 히드록시기가 결합된 개질 분자가 형성될 수 있다. 코로나 방전 전극(642)은 토치 형상을 가질 수 있고, 제1 표면(114)을 따라 이송될 수 있다. 또는, 코로나 방전 전극(642)은 막대 형상을 가질 수도 있다. 이 예에서의 산소를 포함하는 분위기는, 대기 분위기 또는 산소 가스의 분위기일 수 있다. 코로나 염(643)은 고주파에 의해 이온화되어 전하를 띤 입자들을 포함하며, 이러한 입자들이 제1 표면(114)에 충돌함으로써 제1 표면(114)을 산화시킨다. 표면 산화에 의해 제1 표면(114)의 실리콘 러버 분자에 접착성 작용기(히드록시기)가 형성되고, 제1 표면(114)의 표면에너지가 증가되어 접합성을 가질 수 있다.

단계(S300)에 의하면, 제1 표면과 제2 표면이 접합되도록, 제1 도전 시트와 제2 도전 시트가 상하 방향으로 도전 가능하게 적층된다. 단계(S300)에 관련하여, 도 15와 도 16이 참조된다. 도 15는 표면 개질된 제1 및 제2 도전 시트의 적층 및 접합을 개략적으로 도시하고, 도 16은 도전 시트의 표면 개질 및 개질 분자의 일 예를 개략적으로 도시한다.

제1 도전 시트(110)의 제1 표면(114)과 제2 도전 시트(120)의 제2 표면(124)은 접착성 작용기(히드록시기(-OH))(115, 215)를 갖도록 개질되어 친수성을 가진다. 친수성의 히드록시기가 제1 표면(114)과 제2 표면(124)에 형성되어 있으므로, 단순히 제1 도전 시트와 제2 도전 시트를 상하 방향(VD)으로 접촉시키는 것 만으로 제1 표면(114)과 제2 표면(124)은 접착성 작용기(115, 215) 간의 화학 결합(히드록시기 간의 화학 결합)에 의해 접합될 수 있다. 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)는 도전 가능하게 적층된다. 즉, 제1 도전 시트(110)의 제1 도전부(111)와 제2 도전 시트(120)의 제2 도전부(121)가 상하 방향(VD)으로 정렬 및 접촉된다.

도 16을 참조하면, 제1 표면(114)의 제1 개질 분자(116)에 있어서, 절연 물질 분자의 원자(일 예로, 실리콘 러버 분자의 실리콘 원자)에 접착성 작용기(히드록시기(-OH))가 결합되어 있고, 제2 표면(124)의 제2 개질 분자(126)에 있어서, 절연 물질 분자의 원자(일 예로, 실리콘 러버 분자의 실리콘 원자)에 접착성 작용기(히드록시기(-OH))가 결합되어 있다. 따라서, 제1 표면(114)의 제1 개질 분자(116)와 제2 표면(124)의 제2 개질 분자(126)는 절연 물질 분자의 원자와 산소 원자 및 수소 원자가 결합된 원자단을 포함한다. 절연 물질 분자가 실리콘 러버 분자인 경우, 제1 개질 분자(116)와 제2 개질 분자(126)는, 실리콘 원자에 결합된 -O-H의 원자단(히드록시기)를 포함한다.

제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)를 상하 방향(VD)으로 적층시킴에 따라, 제1 표면(114)과 제2 표면(124)이 상하 방향(VD)으로 접촉된다. 제1 개질 분자(116)의 -Si-O-H의 원자단과 제2 개질 분자(126)의 -Si-O-H의 원자단이 화학 결합되면서, 제1 표면(114)의 제1 개질 분자(116)와 제2 표면(124)의 제2 개질 분자(126)가 화학 결합된다. 이에 따라, 제1 표면(114)과 제2 표면(124)이 상하 방향으로 접합된다. 제1 표면(114)과 제2 표면(124)이 접합됨에 따라, 접합 영역(141)이 제1 도전 시트(110)와 제2 도전 시트(120)의 사이에 형성될 수 있다. 접합 영역(141)은 제1 표면의 제1 개질 분자(116)와 제2 표면의 제2 개질 분자(126)가 화학 결합되어 생성된다. 즉, 접합 영역(141)은, 제1 개질 분자(116)의 히드록시기와 제2 개질 분자(126)의 히드록시기 간의 화학 결합 후 생성되며, 접합 영역(141)에서는 제1 표면(114)의 절연 물질 분자와 제2 표면(124)의 절연 물질 분자가 결합되어 있다.

제1 개질 분자(116)와 이에 대응하는 제2 개질 분자(126)가 화학 결합되면서, 접착성 작용기가 결합된 원자들과 산소 원자가 결합된 원자단 및 H2O가 생성된다. 이 경우, 상기 원자단은, 접착성 작용기가 결합된 제1 개질 분자(116)의 원자와, 산소 원자와, 접착성 작용기가 결합된 제2 개질 분자(126)의 원자를 포함한다. 절연 물질 분자가 실리콘 러버 분자인 경우, 제1 개질 분자(116)의 -Si-O-H의 원자단과, 이에 대응하는 제2 개질 분자(126)의 H-O-Si-의 원자단이 수소 결합의 작용에 의해 화학 결합되면서, 실리콘 원자, 산소 원자 및 실리콘 원자가 결합된 원자단(즉, -Si-O-Si-의 원자단)과 H2O를 생성한다. 상세하게는, 제1 개질 분자(116)에서의 -Si-O-H의 원자단과 제2 개질 분자(126)에서의 -Si-O-H의 원자단 간에 수소 결합이 작용한다. 수소 결합 후, H2O가 생성되고, 실리콘 원자와 산소 원자와 실리콘 원자가 공유 결합을 이룬다. 생성된 H2O는 소정 시간이 경과하면 접합 영역(141)으로부터 증발될 수 있거나, 가열에 의해 접합 영역(141)으로부터 증발될 수 있다. 혹은, 극히 미량의 H2O가 접합 영역(141) 내에 존재할 수도 있다.

접합된 제1 및 제2 표면(114, 124)에서, 제1 표면(114)에서의 실리콘 러버 분자와 제2 표면(124)에서의 실리콘 러버 분자는 -Si-O-Si-의 원자단으로 공유 결합될 수 있다. 즉, 제1 및 제2 표면(114, 124)은 -Si-O-Si-의 원자단을 공유하면서 서로 접합된다. 따라서, 제1 및 제2 표면(114, 124)이 접합된 영역(예컨대, 접합 영역(141))에는, 제1 개질 분자(116)의 히드록시기와 제2 개질 분자(126)의 히드록시기 간의 화학 결합 후 생성되고 실리콘 원자와 산소 원자가 결합된 원자단(-Si-O-Si-의 원자단)이 포함된다. -Si-O-Si-의 원자단에서, 하나의 실리콘 원자는 제1 표면(114)에서의 실리콘 러버 분자의 실리콘 원자이고, 또 하나의 실리콘 원자는 제2 표면(124)에서의 실리콘 러버 분자의 실리콘 원자이다.

도 15에 도시된 바와 같이, 적층된 제1 및 제2 도전 시트(110, 120)에서는, 상하로 위치하는 절연부들과 도전부들은 거의 전부에 걸쳐 접착성 작용기의 화학 결합에 의해 접합될 수 있다. 따라서, 적층된 제1 및 제2 도전 시트(120)는 견고하고 신뢰성 높은 접합 구조를 가져, 피검사 디바이스의 반복적 검사로 인해 하방으로 반복적인 누름이 가해져도, 서로 분리되지 않는다. 또한, 적층된 제1 및 제2 도전 시트(120)는 전도성의 저하 없는 접합 구조를 가진다.

단계(S300)에 관련하여, 적절한 지그를 사용하여 제1 도전 시트와 제2 도전 시트는 상하 방향으로 도전 가능하게 정렬될 수 있다. 또는, 제1 도전 시트와 제2 도전 시트가 도 5 또는 도 6을 참조하여 설명한 정렬부를 구비하는 경우, 제1 도전 시트와 제2 도전 시트는 오정렬 없이 상하 방향으로 도전 가능하게 적층될 수 있다.

제1 및 제2 도전 시트의 적층 단계 후에, 적층된 제1 및 제2 도전 시트 중 하나는 다른 하나를 향해 가압될 수 있다. 제1 도전 시트의 개질된 제1 표면과 제2 도전 시트의 개질된 제2 표면은 완전한 평탄면으로 형성되지 않을 수 있고, 약간의 표면 거칠기와 미세한 요철을 가질 수 있다. 상기의 가압에 의해, 제1 표면과 제2 표면은 더욱 높은 수준으로 접합될 수 있다.

제1 및 제2 도전 시트의 적층 단계 후에, 접합된 제1 및 제2 표면은 절연 물질의 안정화를 위해 가열에 의해 경화될 수도 있다. 이러한 경화는, 절연 물질의 물성 변화를 일으키지 않는 온도 이하의 소정 온도에서 소정 시간 동안 행해질 수 있다.

제1 및 제2 도전 시트의 적층 후에, 제3 도전 시트가 제1 도전 시트 또는 제2 도전 시트에 상하 방향으로 도전 가능하게 접합 및 적층될 수 있다. 제3 도전 시트는, 제1 도전 시트 또는 제2 도전 시트와 유사한 구성을 가질 수 있다. 제1 도전 시트 또는 제2 도전 시트의 상하 방향에서의 또 하나의 표면에서의 절연 물질 분자가 접착성 작용기를 갖도록 개질될 수 있고, 이에 대응하는 제3 도전 시트의 표면에서의 절연 물질 분자가 접착성 작용기를 갖도록 개질될 수 있다. 적층된 제1 및 제2 도전 시트 중 하나의 도전 시트와 제3 도전 시트가 적층될 수 있다.

이상 일부 실시예들과 첨부된 도면에 도시하는 예에 의해 본 개시의 기술적 사상이 설명되었지만, 본 개시가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이해할 수 있는 본 개시의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위에서 다양한 치환, 변형 및 변경이 이루어질 수 있다는 점을 알아야 할 것이다. 또한, 그러한 치환, 변형 및 변경은 첨부된 청구범위 내에 속하는 것으로 생각되어야 한다.

10: 검사 장치, 20: 피검사 디바이스, 100: 커넥터, 110: 제1 도전 시트, 111: 제1 도전부, 112: 제1 절연부, 114: 제1 표면, 115: 접착성 작용기, 116: 제1 개질 분자, 117: 돌출부, 118: 돌출부, 120: 제2 도전 시트, 121: 제2 도전부, 122: 제2 절연부, 124: 제2 표면, 125: 접착성 작용기, 126: 제2 개질 분자, 127: 오목부, 128: 오목부, 129: 제4 표면, 141: 접합부, 200: 커넥터, 230: 제3 도전 시트, 234: 제3 표면, 235: 접착성 작용기, VD: 상하 방향, HD: 수평 방향

Claims (12)

1. 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 위치하여 상기 검사 장치와 상기 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는 커넥터이며,
   절연 물질을 포함하며 상하 방향으로 도전 가능한 제1 도전 시트와,
   절연 물질을 포함하며 상기 상하 방향으로 도전 가능한 제2 도전 시트를 포함하고,
   상기 제1 도전 시트와 상기 제2 도전 시트가 상기 상하 방향으로 도전 가능하도록 적층되어 접합되고,
   상기 접합은 상기 제1 도전 시트의 절연 물질 분자와 상기 제2 도전 시트의 절연 물질 분자 간의 화학 결합에 의해 이루어진,
   커넥터.
2. 제1항에 있어서,
   상기 제1 도전 시트와 상기 제2 도전 시트가 접합된 영역에는, 상기 제1 도전 시트의 절연 물질 분자의 원자와 산소 원자와 상기 제2 도전 시트의 절연 물질 분자의 원자가 결합된 원자단이 포함되어 있고,
   상기 원자단은 상기 제1 도전 시트의 일부 영역과 상기 제2 도전 시트의 일부 영역에도 포함되어 있는,
   커넥터.
3. 제1항에 있어서,
   상기 제1 도전 시트와 상기 제2 도전 시트 각각은, 상기 상하 방향으로 도전 가능하고 적어도 절연 물질을 포함하는 복수의 도전부와 상기 복수의 도전부를 수평 방향으로 이격시키고 절연 물질을 포함하는 절연부를 포함하고,
   상기 제1 도전 시트의 도전부와 상기 제2 도전 시트의 도전부가 절연 물질 분자 간의 화학 결합에 의해 접합된,
   커넥터.
4. 제3항에 있어서,
   상기 제1 도전 시트의 절연부와 상기 제2 도전 시트의 절연부가 절연 물질 분자 간의 화학 결합에 의해 접합된,
   커넥터.
5. 제3항에 있어서,
   상기 제1 도전 시트와 상기 제2 도전 시트 중 하나는 상기 상하 방향으로 돌출한 적어도 하나의 돌출부를 갖고 상기 제1 도전 시트와 상기 제2 도전 시트 중 다른 하나는 상기 돌출부가 상기 상하 방향에서 끼워맞춤되는 오목부를 가지며,
   상기 돌출부와 상기 오목부 간의 끼워맞춤에 의해 상기 제1 도전 시트의 복수의 도전부와 상기 제2 도전 시트의 복수의 도전부가 상기 상하 방향으로 정렬되는,
   커넥터.
6. 제1항에 있어서,
   상기 절연 물질은 실리콘 러버인,
   커넥터.
7. 검사 장치와 피검사 디바이스의 사이에 위치하여 상기 검사 장치와 상기 피검사 디바이스를 전기적으로 접속시키는 커넥터의 제조 방법이며,
   상하 방향으로 면하는 제1 표면을 갖고 상기 상하 방향으로 도전 가능하며 절연 물질을 포함하는 제1 도전 시트 및 상기 상하 방향으로 상기 제1 표면에 대응하는 제2 표면을 갖고 상기 상하 방향으로 도전 가능하며 절연 물질을 포함하는 제2 도전 시트를 제공하는 단계와,
   상기 제1 표면의 절연 물질 분자와 상기 제2 표면의 절연 물질 분자가 접착성 작용기를 갖도록 상기 제1 표면 및 상기 제2 표면을 개질하는 단계와,
   상기 제1 표면과 상기 제2 표면이 상기 제1 표면의 접착성 작용기와 상기 제2 표면의 접착성 작용기 간의 화학 결합에 의해 접합되도록 상기 제1 도전 시트와 상기 제2 도전 시트를 상기 상하 방향으로 도전 가능하게 적층시키는 단계를 포함하는,
   커넥터의 제조 방법.
8. 제7항에 있어서,
   상기 접착성 작용기는 히드록시기이고,
   상기 제1 표면과 상기 제2 표면은 상기 제1 표면의 히드록시기와 상기 제2 표면의 히드록시기 간의 화학 결합에 의해 접합된,
   커넥터의 제조 방법.
9. 제7항에 있어서,
   상기 제1 표면 및 상기 제2 표면을 개질하는 단계에 의해, 상기 제1 표면의 절연 물질 분자의 원자와 상기 제2 표면의 절연 물질 분자의 원자에 상기 접착성 작용기가 결합되고,
   상기 제1 도전 시트와 상기 제2 도전 시트를 적층시키는 단계에 의해, 상기 제1 표면의 접착성 작용기와 상기 제2 표면의 접착성 작용기 간의 화학 결합후 생성되고 상기 제1 도전 시트의 절연 물질 분자의 원자와 산소 원자와 상기 제2 도전 시트의 절연 물질 분자의 원자가 결합된 원자단이 상기 제1 표면과 상기 제2 표면이 접합된 영역에 포함되는,
   커넥터의 제조 방법.
10. 제7항에 있어서,
    상기 제1 표면과 상기 제2 표면을 개질하는 단계는, 산소를 포함하는 분위기 내에서 상기 제1 표면과 상기 제2 표면에 자외선을 조사함으로써 수행되는,
    커넥터의 제조 방법.
11. 제7항에 있어서,
    상기 제1 표면과 상기 제2 표면을 개질하는 단계는, 산소를 포함하는 분위기 내에서 상기 제1 표면과 상기 제2 표면 상에 플라스마를 발생함으로써 수행되는,
    커넥터의 제조 방법.
12. 제7항에 있어서,
    상기 제1 표면과 상기 제2 표면을 개질하는 단계는, 산소를 포함하는 분위기 내에서 상기 제1 표면과 상기 제2 표면에 코로나 방전을 행함으로써 수행되는,
    커넥터의 제조 방법.

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