JP2013083620A - プローブカード及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、プローブピンが接合される電極パッドがプローブ基板から剥離されることを防止できるプローブカード及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施例によるプローブカードは、一面に少なくとも一つのパッド用溝が形成され、上記パッド用溝に埋め込まれる形態に形成される電極パッドを具備するセラミック基板と、上記電極パッドに接合されるプローブピンと、を含むことができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、プローブカードに関するもので、より詳細には、プローブピンが接合される電極パッドがプローブ基板から剥離されることを防止できるプローブカード及びその製造方法に関する。

最近、半導体回路の集積技術開発により、半導体サイズの小型化が引き続き進行されるにつれて、半導体チップの検査装置も高い精密度が求められている。

ウェハ組立工程（ｗａｆｅｒ ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）を経て半導体ウェハに形成された集積回路チップは、ウェハ状態で進行される電気的特性検査（ＥＤＳ：Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｄｉｅ Ｓｏｒｔｉｎｇ）によって良品または不良品に分類される。

このような電気的特性検査には、一般的に検査信号の発生及び検査結果の判定を担当するテスター（ｔｅｓｔｅｒ）と、半導体ウェハのローディング（ｌｏａｄｉｎｇ）及びアンローディング（ｕｎｌｏａｄｉｎｇ）を担当するプローブステーション（ｐｒｏｂｅ ｓｔａｔｉｏｎ）と、半導体ウェハとテスターとの電気的連結を担当するプローブカード（ｐｒｏｂｅ ｃａｒｄ）に構成された検査装置が主に用いられている。

このうち、プローブカードは、一般的にセラミックグリーンシートに回路パターン及び電極パッド、ビア電極等を形成し積層した後、それを焼成し製造したセラミック基板にプローブピンを接合した形態が主に用いられる。

このようなセラミック基板としては、主に高温同時焼成処理されたセラミック基板が主に用いられてきたが、最近では、低温同時焼成処理されたセラミック基板も用いられる趨勢にある。

しかしながら、低温同時焼成処理されたセラミック基板を用いる場合、高温同時焼成処理されたセラミック基板に比べ、基板上に形成された電極パッドと基板との固着力が弱まるという短所がある。

また、このような短所は、セラミック基板上にプローブピンを付着させた後、必要に応じてプローブピンを再び除去する過程においてプローブピンのみが除去されず、プローブピンが付着された電極パッドが基板から剥離される問題をもたらす。

本発明の目的は、セラミック基板に形成される電極パッドと基板との固着力を確保することができるプローブカード及びその製造方法を提供することにある。

本発明によるプローブカードは、一面に少なくとも一つのパッド用溝が形成され、上記パッド用溝に埋め込まれる形態に形成される電極パッドを具備するセラミック基板と、上記電極パッドに接合されるプローブピンと、を含むことができる。

本発明において、上記セラミック基板は、一面に一端が露出する複数のビア電極と、上記ビア電極の一端と上記電極パッドとを電気的に連結する回路パターンと、をさらに具備することができる。

本発明において、上記電極パッドは、上記セラミック基板の外部に露出する上部面が上記プローブピンの接合面より広い面積に形成されることができる。

本発明において、上記プローブピンは、上記セラミック基板の外部に露出する上記電極パッドの上部面中心に接合されることができる。

本発明において、上記セラミック基板は、上記電極パッドの一部を覆って形成される絶縁保護層をさらに含むことができる。

本発明において、上記絶縁保護層は、上記プローブピンが接合される部分に貫通孔が形成されることができる。

本発明において、上記絶縁保護層は、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）材質で形成されることができる。

また、本発明によるプローブカードの製造方法は、セラミック基板を用意する段階と、上記セラミック基板の一面に少なくとも一つのパッド用溝を形成する段階と、上記パッド用溝に埋め込まれる形態に電極パッドを形成する段階と、上記電極パッド上にプローブピンを接合する段階と、を含むことができる。

本発明において、上記セラミック基板を用意する段階は、一面に一端が露出する複数のビア電極が形成されたセラミック基板を用意する段階であることができる。

本発明において、上記電極パッドを形成する段階は、上記セラミック基板上に金属層を形成し、上記パッド用溝の内部を埋める段階と、上記パッド用溝外部に形成された金属層を除去する段階と、を含むことができる。

本発明において、上記金属層を形成する段階以前に、上記セラミック基板の一面全体に金属材質の基底層を形成する段階をさらに含むことができる。

本発明において、上記金属層を形成する段階は、上記基底層を用いて上記セラミック基板の一面全体をめっきして上記金属層を形成する段階であることができる。

本発明発明において、上記電極パッドを形成する段階以後に、上記ビア電極と上記電極パッドとを電気的に連結する回路パターンを形成する段階をさらに含むことができる。

本発明において、上記電極パッドを形成する段階以後に、上記セラミック基板の上部面に絶縁保護層を形成する段階をさらに含むことができる。

本発明において、上記絶縁保護層を形成する段階は、上記プローブピンが接合される部分に貫通孔が具備されるように上記絶縁保護層を形成する段階であることができる。

本発明において、上記絶縁保護層を形成する段階は、上記電極パッドの周りに沿って一部分を覆い、上記絶縁保護層を形成する段階であることができる。

本発明において、上記絶縁保護層を形成する段階は、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）の材質で上記絶縁保護層を形成する段階であることができる。

本発明によるプローブカードは、セラミック基板本体の一面に電極パッドが埋め込まれはめ込まれる形態にセラミック基板上に配置されるため、電極パッドとセラミック基板との固着力を向上させることができる。

従って、プローブ基板として低温同時焼成セラミック基板を容易に用いることができる。

また、電極パッドの一部分がセラミック基板に埋め込まれるため、プローブピンを除去するためにプローブピンの側面から力を加えても、電極パッドが容易にセラミック基板から剥離されることはない。

従って、使用中のプローブピンに異常が発生しても、プローブピンを容易に交換することができる。

さらに、本発明によるプローブカードの電極パッドがプローブピンとの接触面より広い面積に形成される場合、プローブピンを除去する際、力が電極パッドの中心に作用するため、電極パッドがプローブピンと共に基板から剥離されることを最小限にすることができる。

また、電極パッドの一部を覆って絶縁保護層が形成される場合、電極パッドとセラミック基板との固着力を一層補強することができる。

本発明の実施例によるプローブカードを示す概略断面図である。 本発明の実施例によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別の断面図である。 本発明の実施例によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別の断面図である。 本発明の実施例によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別の断面図である。 本発明の実施例によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別の断面図である。 本発明の実施例によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別の断面図である。 本発明の実施例によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別の断面図である。 本発明の他の実施例によるプローブカードを示す概略断面図である。 本発明の他の実施例によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別の断面図である。 本発明の他の実施例によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別の断面図である。 本発明の他の実施例によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別の断面図である。

本発明の詳細な説明に先立って、以下で説明する本明細書及び請求の範囲に用いられた用語や単語は、通常的または辞書的意味に限定して解釈されてはならず、発明者が自分の発明を最善の方法で説明するために、用語の概念を適切に定義することができるという原則に立脚して本発明の技術的思想に適う意味及び概念で解釈されなければならない。従って、本明細書に記載された実施例及び図面に示された構成は、本発明の最も好ましい実施例に過ぎず、本発明の技術的思想を全部代弁するものではないため、本出願時点においてこれらを代替できる多様な均等物及び変形例があり得ることを理解しなければならない。

以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。この際、添付の図面における同一構成要素はできるだけ同一符合で示されることを留意しなければならない。また、本発明の要旨を不明確にするおそれのある公知機能及び構成に対する詳細な説明は省略する。同様の理由として、添付の図面における一部構成要素は、誇張や省略または概略的に示されており、各構成要素のサイズは実際のサイズを全面的に反映するものではない。

以下では、本発明の実施例を添付の図面に基づいて詳細に説明する。

図１は本発明の実施例によるプローブカードを示す概略断面図である。

図１を参照すると、本実施例によるプローブカード１００は、プローブ基板１０及びプローブピン２０を含んで構成されることができる。

また、プローブ基板１０は、セラミック基板で、一面には少なくとも一つの電極パッド４が形成される。

プローブ基板（１０、以下では説明の便宜のため、プローブ基板及びセラミック基板を共に使用して説明するが、両基板は同一構成要素を示す）は、複数のセラミックグリーンシートを積層した後、それを焼成し製造されることができる。

セラミック基板１０は、セラミックグリーンシートによって複数のセラミック層が形成されることができ、それぞれのセラミック層には配線パターン８及びそれを垂直に連結する導電性ビア２等が形成されることができる。

セラミック基板１０の一面には回路パターン６及び電極パッド４が形成されることができる。

回路パターン６は、セラミック基板１０の内部に連結されるビア電極２とセラミック基板１０の一面に配置された電極パッド４とを電気的に連結する。

電極パッド４は、セラミック基板１０の一面から一定距離離隔されるように配置されることができる。このような電極パッド４は、後述するプローブピン２０が接合されて物理的、電気的に連結される。

ここで、電極パッド４は、本実施例によるプローブ基板１０がセラミック基板からなることによって付加される構成である。前述した通り、セラミック基板１０は、セラミックグリーンシートに配線パターン８及びビア電極２等を形成し積層した後、これを焼成して製造する。しかしながら、セラミック基板１０が焼成される過程においてセラミックグリーンシートの収縮が発生し、これにより、ビア電極２はその位置が一部変更される。このため、焼成が完了したセラミック基板１０のビア電極２は、配置位置に対する精密度が低い。

従って、本実施例によるセラミック基板１０は、ビア電極２上にさらに別途の電極パッド４を形成し、回路パターン６を用いてビア電極２と電極パッド４とを電気的に連結する。

また、このような電極パッド４及び回路パターン６は、セラミック基板１０上に狭く配置されるビア電極２に対し、プローブピン２０が容易に付着できるようにプローブピン２０との距離を拡張させるのにも活用されることができる。

なお、セラミック基板１０は、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ：Ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏ−ｆｉｒｅｄ ｃｅｒａｍｉｃ）基板であることができる。高温同時焼成セラミック（ＨＴＣＣ：Ｈｉｇｈ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｃｏ−ｆｉｒｅｄ ｃｅｒａｍｉｃ）基板の場合、約１５００〜１７００℃で焼成が進行されることから、導電性物質としてＷ、Ｍｏ等を使用しなければならないため、工程費用が高くなり、大面積の精密パターンに対する寸法精密度を具現しにくいという問題がある。

しかしながら、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板１０は、高温同時焼成セラミック（ＨＴＣＣ）基板に比べて電極パッド４の固着力が低いという短所により、その使用に制限があった。

このため、本実施例による電極パッド４は、一部分がセラミック基板１０に埋め込まれる形態に形成される。

より具体的には、本実施例による電極パッド４は、従来のように薄い膜状ではなく、回路パターン６より厚い厚さを有する楔形態に形成され、その厚さの分だけセラミック基板１０にはめ込まれる形態に配置される。よって、セラミック基板１０の上部面には電極パッド４の上端面のみが露出し、残った部分は全部セラミック基板１０の内部に埋め込まれる。

電極パッド４がこのように構成されることで、電極パッド４は、従来に比べてより拡張された面積でセラミック基板１０と接触する。即ち、従来は、電極パッド４が薄い膜状に形成されることにより、電極パッド４の下部面のみがセラミック基板１０と面接触したが、本実施例による電極パッド４は、下部面及び側面全体がセラミック基板１０と面接触するようになる。

また、電極パッド４がセラミック基板１０上に付着される形態ではなく、セラミック基板１０を食い込ませてはめ込む形態に構成することで、本実施例による電極パッド４は、セラミック基板１０との固着力を大幅に増加させることができる。

一方、電極パッド４上に既に接合されているプローブピン２０を除去する場合、一般的にプローブピン２０の側面からプローブピンを加圧（図１の符号Ｆ）しながら、電極パッド４からプローブピン２０を分離する。

従って、下部面のみがセラミック基板１０と接合される従来の電極パッド４は、セラミック基板１０よりプローブピン２０との固着力に優れるため、Ｆ方向に力が加えられると、電極パッド４がプローブピン２０と共にセラミック基板１０から容易に剥離される問題があった。

しかしながら、本実施例によると、電極パッド４がセラミック基板１０にはめ込まれる形態に構成されるため、Ｆ方向に力が加えられても電極パッド４の側壁がセラミック基板１０内でセラミック基板１０を支持するようになり、セラミック基板１０から容易に剥離されなくなる。

このように、本実施例による電極パッド４は、セラミック基板１０にはめ込まれる形態でセラミック基板１０上に配置されるため、電極パッド４とセラミック基板１０との固着力が向上して低温同時焼成セラミック基板１０を容易に活用することができる。

このような電極パッド４は導電性物質で形成されることができる。具体的には、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉ及びこれらの合金が材料として利用されることができる。しかしながら、これらに限定されるものではない。

また、電極パッド４は、めっきまたはスクリーンプリンティング工法によって形成されることができる。しかしながら、これらに限定されず、別途の金属ポストをセラミック基板１０内に嵌合して電極パッド４を形成する等電極パッド４がセラミック基板１０内にはめ込まれるように形成されることができれば、多様な方法が利用されることができる。

プローブピン２０は、片持ち梁形態であり、接合部１３と、本体部１５と、接触部１７と、を含むことができる。プローブピン２０は、半導体製造において応用される微細薄板技術を用いて製造することができる。

接合部１３は、四角板状を有し、接合部１３の一端がセラミック基板１０の電極パッド４と接合されて電気的に連結され、接合部１３の他端は本体部１５の一端と連結されることができる。

本体部１５は、カンチレバー構造を有し、本体部１５の他端と接触部１７の一端が連結されることができる。

接触部１７は、本体部１５の他端に垂直に形成され、接触部１７の他端は被検査体（図示せず）と接触できる接触チップを含むことができる。

また、本実施例においては、プローブピン２０が片持ち梁形態であるが、これに限定されず、垂直に接合される一字型に形成される等、多様な形態に変形されることができる。

以下では、本発明の実施例によるプローブ基板１０の製造方法を説明する。図２ａから図２ｆは、本発明の実施例によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別の断面図である。

まず、図２ａに示されるように、複数のセラミック層が積層焼結されたセラミック基板１０を用意する。

セラミック基板１０を構成する複数のセラミック層には配線パターン８と、ビア電極２等が形成されることができる。

前述したように、セラミック基板１０は、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板１０であることができる。低温同時焼成セラミック基板１０は、ドクターブレード工程のような当該技術分野における公知の方法でセラミックグリーンシートを用意した後、それぞれのセラミックグリーンシートに導電性ビア２、配線パターン８を形成してからそれらを積層焼結することで、形成されることができる。この際、焼結工程は約７００〜９００℃の温度で行われることができる。

次に、図２ｂに示されるように、セラミック基板１０の一面にパッド用溝３を形成する段階が行われる。パッド用溝３を形成する方法は特に制限されない。例えば、レーザードリリング法が利用されることができ、化学的なエッチング方法が利用されることもできる。しかしながら、これらに限定されるものではない。

次いで、セラミック基板１０に形成されたパッド用溝３の内部を埋めて電極パッドを形成する段階が行われる。

まず、図２ｃに示されるように、セラミック基板１０の一面に金属材質の基底層５が形成される。基底層５は、セラミック基板１０上に薄い膜状に形成されることができる。

基底層５は導電性材質で形成されることができる。特に、セラミック基板１０上に形成される回路パターン（図１の符号６）や、プローブピン（図１の符号２０）を形成する材質と容易に結合され、高い結合力を有する材質で形成されることができる。

例えば、基底層５は、チタニウム（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、または金（Ａｕ）のうち選択された少なくとも一つの金属で形成された金属層７であることができる。

また、チタニウム、クロム、またはニッケルで形成された金属層７上に銅、銀、または金で金属層７をさらに形成して基底層５を構成することもできる。

基底層５は、後述する金属層（図２ｄの符号７）が形成される際、金属層７をより堅固にセラミック基板１０に接合させるために具備される。

このような基底層５は、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）やエアゾール（ａｅｒｏｓｏｌ）、電子ビーム（ｅ−ｂｅａｍ）等を用いてセラミック基板１０上に薄膜形態に形成されることができる。また、高圧のアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、窒素（Ｎ_２）雰囲気下で低温スプレー（Ｃｏｌｄ ｓｐｒａｙ）コーティング法を用いて形成することもできる。

次に、図２ｄに示されるように、セラミック基板１０の一面に金属層７を形成する段階が行われる。この際、金属層７は、パッド用溝（図２ｃの符号３）を埋めなければならないため、パッド用溝３の深さ以上の厚さで形成されることができる。

このような金属層７は、電解めっき法を用いて行われることができる。即ち、電解液内にセラミック基板１０を含浸させた後、導電性を有する基底層５に電圧を印加することで、基底層５上に金属層７を成長させることができる。

本実施例の場合、基底層５はセラミック基板１０の一面全体に形成されている。従って、電解めっき法を容易に適用することができる。

また、本発明による金属層７の形成方法は、電解めっき法に限定されず、無電解めっき法やスクリーンプリンティング、スパッタリング等の多様な方法を用いて金属層７を形成することができる。

次いで、図２ｅに示されるように、パッド用溝の外部に形成された金属層（７、基底層を含む）を除去する段階が行われる。これは、セラミック基板１０の一面を研磨したり、物理的または化学的なエッチング方法を用いて行われることができる。本実施例においては、グラインダー４０等を用いてセラミック基板１０の一面を一部エッチングして金属層７を除去する場合を例に挙げている。しかしながら、これに限定されるものではない。

よって、セラミック基板１０の一面に形成されていた金属層７及び基底層５は、パッド用溝３に挿入された部分を除いては全部除去される。そして、パッド用溝３に挿入された部分は電極パッド４として形成される。

最後に、図２ｆに示されるように、セラミック基板１０の一面に回路パターン６を形成する段階が行われる。回路パターン６は、セラミック基板１０のビア電極２と電極パッド４とをそれぞれ電気的に連結するように形成される。これにより、それぞれの電極パッド４は、セラミック基板１０の内部と電気的に連結される。

以上の過程によって本実施例によるプローブ基板１０が完成した後、電極パッド４の上部にプローブピン２０を付着して図１に示される本実施例によるプローブカードを完成させる。

以上のように構成される本実施例によるプローブカードは、セラミック基板の一面に電極パッドが埋め込まれはめ込まれる形態にセラミック基板上に配置されるため、電極パッドとセラミック基板との固着力を向上させることができる。

従って、プローブ基板として低温同時焼成セラミック基板を容易に用いることができる。

また、電極パッドの一部分がセラミック基板に埋め込まれることから、プローブピンを除去するためにプローブピンの側面から力を加えても、電極パッドがセラミック基板から容易に剥離されない。

従って、使用中のプローブピンに異常が発生しても、プローブピンを容易に交換することができる。

一方、本発明によるプローブカード及びその製造方法は、前述した実施例に限定されず、多様な応用が可能である。

図３は本発明の他の実施例によるプローブカードを示す概略断面図である。

本実施例によるプローブカード２００は、前述した実施例のプローブカード（図１の符号１００）と類似した構造に構成され、電極パッド４及び絶縁保護層９の構造においてのみ差異を有する。従って、同一構成要素に対する詳細な説明は省略し、電極パッド４及び絶縁保護層９の構造を中心にして、より詳細に説明する。また、前述した実施例と同一構成要素に対しては、同一符号を用いて説明する。

図３を参照すると、本実施例によるプローブカード２００は、プローブ基板１０及びプローブピン２０を含んで構成されることができる。

また、プローブ基板１０は、セラミック基板１０と、電極パッド４と、絶縁保護層９と、を含むことができる。

本実施例によるセラミック基板１０は、前述した実施例によるセラミック基板１０と類似に構成されるが、電極パッド４のサイズが異なって構成される。

本実施例による電極パッド４は、セラミック基板１０上に形成される面積（即ち、水平断面）が前述した実施例の場合より広く形成される。

より具体的には、本実施例による電極パッド４は、プローブピン２０の接合部１３の接触面より広い面積に形成される。また、プローブピン２０の接合部１３は、電極パッド４の中心に配置され、電極パッド４に接合される。

このような構成により、プローブピン２０の側面に力Ｆが加えられると、電極パッド４は、縁部分ではなく、電極パッド４の内部に力が加えられるため、縁部分から剥離が始まることを抑制できる。

また、本実施例によるセラミック基板１０は、絶縁保護層９を含む。絶縁保護層９は、セラミック基板１０の最も上部に配置されてセラミック基板１０の一面を保護する。

なお、絶縁保護層９は、電極パッド４の上部を一部覆う形態に形成される。即ち、絶縁保護層９は、電極パッド４に対応する部分に貫通孔（図４ｃの符号９ａ）が形成されるが、このような貫通孔９ａは、電極パッド４の面積より小さいサイズに形成される。より具体的には、貫通孔９ａは、プローブピン２０の接合部１３の接触面に対応するサイズに形成される。

よって、本実施例による電極パッド４は、絶縁保護層９によってセラミック基板１０により堅固に付着されることができる。絶縁保護層９が電極パッド４の一部を覆う形態に形成されることで、プローブピン２０に力が加えられても絶縁保護層９が下方に電極パッド４を支持するようになり、電極パッド４がセラミック基板１０から容易に剥離されなくなる。

そのため、本実施例による絶縁保護層９の材質としてポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）が利用されることができる。ポリイミドは、耐熱性に優れ、高温における特性変化が少ないため、これを用いる場合、プローブピン２０を接合する等の工程において接合パッドに熱が加えられる場合、絶縁保護層９が損傷されることを防止できる。

また、ポリイミドを用いる場合、絶縁保護層９の厚さを薄く形成することができてセラミック基板１０の厚さが大幅に増加しないという利点もある。

以下では、本発明の実施例によるプローブ基板１０の製造方法を説明する。図４ａから図４ｃは、本発明の他の実施例によるプローブ基板の製造方法を説明するための工程別の断面図である。

まず、図４ａに示されるように、複数のセラミック層が積層焼結されたセラミック基板１０の本体を用意し、パッド用溝３を形成する。

本段階は、前述した実施例と同一に行われることができ、パッド用溝３を形成する過程において、前述した実施例より広い面積にパッド用溝３を形成する点においてのみ差異を有する。

次に、図４ｂに示されるように、電極パッド４及び回路パターン６を形成する段階が行われる。本段階も前述した実施例と同一に行われることができる。

次いで、図４ｃに示されるように、セラミック基板１０上に絶縁保護層９を形成する段階が行われる。本段階は、絶縁物質を塗布し、マスクを用いて貫通孔９ａを形成する一般的な絶縁層の形成方法によって行われることができる。

以上の過程により、本実施例によるプローブ基板１０が完成すると、電極パッド４の上部にプローブピン２０を付着して図３に示される本実施例によるプローブカード２００を完成させるようになる。

以上のように構成される本実施例によるプローブカードは、電極パッドがプローブピンとの接触面より広い面積に形成され、プローブピンを除去する際、力が電極パッドの中心に作用するため、電極パッドがプローブピンと共に基板から剥離されることを最小化することができる。

また、電極パッドの一部を覆って絶縁保護層が形成されるため、電極パッドとセラミック基板との固着力をより補強することができる。

一方、本発明によるプローブカード及びその製造方法は、前述した実施例に限定されず、多様な応用が可能である。

また、本実施例においては、セラミック基板としてプローブカードが形成される場合を例に挙げて説明したが、これに限定されず、プローブピンが接合されるプローブカードであれば、幅広く適用されることができる。

１００ プローブカード
１０ プローブ基板、セラミック基板
２０ プローブピン
２ 導電性ビア、ビア電極
４ 電極パッド
５ 基底層
６ 回路パターン
７ 金属層
８ 配線パターン
９ 絶縁保護層

Claims (17)

1. 一面に少なくとも一つのパッド用溝が形成され、前記パッド用溝に埋め込まれる形態に形成される電極パッドを具備するセラミック基板と、
   前記電極パッドに接合されるプローブピンと、
   を含む、プローブカード。
2. 前記セラミック基板は、
   一面に一端が露出する複数のビア電極と、前記ビア電極の一端と前記電極パッドとを電気的に連結する回路パターンと、をさらに具備する、請求項１に記載のプローブカード。
3. 前記電極パッドは、
   前記セラミック基板の外部に露出する上部面が前記プローブピンの接合面より広い面積に形成される、請求項１に記載のプローブカード。
4. 前記プローブピンは、
   前記セラミック基板の外部に露出する前記電極パッドの上部面中心に接合される、請求項３に記載のプローブカード。
5. 前記セラミック基板は、
   前記電極パッドの一部を覆って形成される絶縁保護層をさらに含む、請求項３に記載のプローブカード。
6. 前記絶縁保護層は、
   前記プローブピンが接合される部分に貫通孔が形成される、請求項５に記載のプローブカード。
7. 前記絶縁保護層は、
   ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）材質で形成される、請求項５に記載のプローブカード。
8. セラミック基板を用意する段階と、
   前記セラミック基板の一面に少なくとも一つのパッド用溝を形成する段階と、
   前記パッド用溝内に埋め込まれる形態に電極パッドを形成する段階と、
   前記電極パッド上にプローブピンを接合する段階と、
   を含む、プローブカードの製造方法。
9. 前記セラミック基板を用意する段階は、
   一面に一端が露出する複数のビア電極が形成されるセラミック基板を用意する段階である、請求項８に記載のプローブカードの製造方法。
10. 前記電極パッドを形成する段階は、
    前記セラミック基板上に金属層を形成し、前記パッド用溝の内部を埋める段階と、
    前記パッド用溝外部に形成される金属層を除去する段階と、
    を含む、請求項８に記載のプローブカードの製造方法。
11. 前記金属層を形成する段階以前に、
    前記セラミック基板の一面全体に金属材質の基底層を形成する段階をさらに含む、請求項１０に記載のプローブカードの製造方法。
12. 前記金属層を形成する段階は、
    前記基底層を用いて前記セラミック基板の一面全体をめっきして前記金属層を形成する段階である、請求項１１に記載のプローブカードの製造方法。
13. 前記電極パッドを形成する段階以後に、
    前記ビア電極と前記電極パッドとを電気的に連結する回路パターンを形成する段階をさらに含む、請求項９に記載のプローブカードの製造方法。
14. 前記電極パッドを形成する段階以後に、
    前記セラミック基板の上部面に絶縁保護層を形成する段階をさらに含む、請求項８に記載のプローブカードの製造方法。
15. 前記絶縁保護層を形成する段階は、
    前記プローブピンが接合される部分に貫通孔が具備されるように前記絶縁保護層を形成する段階である、請求項１４に記載のプローブカードの製造方法。
16. 前記絶縁保護層を形成する段階は、
    前記電極パッドの周りに沿って一部分を覆い、前記絶縁保護層を形成する段階である、請求項１４に記載のプローブカードの製造方法。
17. 前記絶縁保護層を形成する段階は、
    ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）材質で、前記絶縁保護層を形成する段階である、請求項１４に記載のプローブカードの製造方法。

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