JPH09113539A - プローブ装置 - Google Patents
プローブ装置Info
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- JPH09113539A JPH09113539A JP7282477A JP28247795A JPH09113539A JP H09113539 A JPH09113539 A JP H09113539A JP 7282477 A JP7282477 A JP 7282477A JP 28247795 A JP28247795 A JP 28247795A JP H09113539 A JPH09113539 A JP H09113539A
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- Japan
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- intermediate layer
- probe
- insulating film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 狭ピッチ化され、相手電極を傷つけることの
ないプローブ装置を提供すること。 【解決手段】 プローブ装置は、絶縁フィルム4上に配
置された配線7と、配線7と電気的に接続され、絶縁フ
ィルム4の貫通孔9内に配置されたバンプ5と、バンプ
5の裏面に位置する中間層3と、中間層3の裏面に位置
する弾性樹脂2と、弾性樹脂2が固定される剛性体1と
を含む。
ないプローブ装置を提供すること。 【解決手段】 プローブ装置は、絶縁フィルム4上に配
置された配線7と、配線7と電気的に接続され、絶縁フ
ィルム4の貫通孔9内に配置されたバンプ5と、バンプ
5の裏面に位置する中間層3と、中間層3の裏面に位置
する弾性樹脂2と、弾性樹脂2が固定される剛性体1と
を含む。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や半導
体パッケージ、半導体を実装する各種回路基板、フレキ
シブルプリント基板など微細な回路を有する回路の検査
に用いるチェッカープローブに関するものである。
体パッケージ、半導体を実装する各種回路基板、フレキ
シブルプリント基板など微細な回路を有する回路の検査
に用いるチェッカープローブに関するものである。
【0002】
【従来の技術】プリント基板の回路形成後に回路の断線
や、隣接回路間のショート等のエラーがないか確認する
方法として、スプリングバネを内蔵した金属製の検査プ
ローブを基板上の端子電極に押し当て回路チェックをす
る方法が一般的である。またセラミック基板上の厚膜回
路の検査や、印刷と焼成により形成した厚膜抵抗体の抵
抗のレーザートリミングにおいても、鈎状で弾性を有す
る、金属製検査プローブを電極に当て、抵抗体をトリミ
ングする方法が採られている。
や、隣接回路間のショート等のエラーがないか確認する
方法として、スプリングバネを内蔵した金属製の検査プ
ローブを基板上の端子電極に押し当て回路チェックをす
る方法が一般的である。またセラミック基板上の厚膜回
路の検査や、印刷と焼成により形成した厚膜抵抗体の抵
抗のレーザートリミングにおいても、鈎状で弾性を有す
る、金属製検査プローブを電極に当て、抵抗体をトリミ
ングする方法が採られている。
【0003】さらにTABにより実装された半導体の検
査等においても、微細に加工されたスプリングバネを細
径パイプに挿入し、これに先端電極を取り付けたプロー
ブを多数の穴の開いた絶縁板に固定し同様の検査を行っ
ている、これらの検査プローブは、金属の針状電極を鋭
敏に加工して先端を金メッキしたもので、プローブを測
定したい電極に押し当てたとき、適度のバネ性を保ちこ
れにより各々の電極全てにプローブが接触し、回路チェ
ックを行う方法が一般的であった。
査等においても、微細に加工されたスプリングバネを細
径パイプに挿入し、これに先端電極を取り付けたプロー
ブを多数の穴の開いた絶縁板に固定し同様の検査を行っ
ている、これらの検査プローブは、金属の針状電極を鋭
敏に加工して先端を金メッキしたもので、プローブを測
定したい電極に押し当てたとき、適度のバネ性を保ちこ
れにより各々の電極全てにプローブが接触し、回路チェ
ックを行う方法が一般的であった。
【0004】しかしこのような金属を加工してプローブ
を作製する方法において、プローブの加工コストが非常
に大きくなる。また電極を機械加工する方法では、形状
に制限があり、最近の微細な回路や半導体の狭ピッチ回
路の電気的検査のための、微細化されたプローブの加工
ができない。
を作製する方法において、プローブの加工コストが非常
に大きくなる。また電極を機械加工する方法では、形状
に制限があり、最近の微細な回路や半導体の狭ピッチ回
路の電気的検査のための、微細化されたプローブの加工
ができない。
【0005】さらに検査する電極が小さくなると、プロ
ーブ先端を押し当てるとき、プローブ先端が硬いため回
路側の電極に傷がつき、半田にようる接合や、ワイヤー
ボンディングに欠陥が生じる等の問題があった。
ーブ先端を押し当てるとき、プローブ先端が硬いため回
路側の電極に傷がつき、半田にようる接合や、ワイヤー
ボンディングに欠陥が生じる等の問題があった。
【0006】
【発明が解決しようとしている課題】従って、狭ピッチ
回路の電気的検査を可能とし、プローブ電極の接触信頼
性の高いプローブ装置を提供することが望まれていた。
回路の電気的検査を可能とし、プローブ電極の接触信頼
性の高いプローブ装置を提供することが望まれていた。
【0007】加えて、被検査体となる相手基板或いは相
手素子の電極を傷つけることなく、それらと電気的接続
可能なプローブ装置を提供することが望まれていた。
手素子の電極を傷つけることなく、それらと電気的接続
可能なプローブ装置を提供することが望まれていた。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によるプローブ装
置は貫通孔が形成される絶縁フィルムと、該絶縁フィル
ムの少なくとも一側に置かれた配線と、前記貫通孔内に
配置され、前記配線と電気的に接続されるブローブ用の
バンプと、該バンプの裏側に配置され前記バンプよりも
弾性を有する中間層と、該中間層の裏面に配置され、剛
性体に固定される前記中間層よりも弾性を有する弾性樹
脂とを具えるプローブ装置を特徴とする。
置は貫通孔が形成される絶縁フィルムと、該絶縁フィル
ムの少なくとも一側に置かれた配線と、前記貫通孔内に
配置され、前記配線と電気的に接続されるブローブ用の
バンプと、該バンプの裏側に配置され前記バンプよりも
弾性を有する中間層と、該中間層の裏面に配置され、剛
性体に固定される前記中間層よりも弾性を有する弾性樹
脂とを具えるプローブ装置を特徴とする。
【0009】本発明によるプローブ装置は絶縁フィルム
上に配置され導電性バンプが形成された配線とバンプの
裏側に位置する中間層、中間層に沿って配置された弾性
樹脂とを含む。即ち弾性樹脂は中間層に重ねて配置され
る。またバンプと中間層との間に配線が配置され得る。
弾性樹脂は平滑で剛性のある板(剛性体又は剛性板)に
接着される。導電性バンプは金、銀、白金、ロジウム、
ニッケル、銅等の金属材料よりなり、配線上の所定の位
置即ち絶縁フィルムに形成された貫通孔位置に、めっき
法或いは他の成膜法により形成される。好ましくはバン
プの表面は金めっきされる。中間層には導電性バンプよ
りも弾性を有する材料が使われ、弾性樹脂には中間層よ
りも弾性を有する材料が使われる。
上に配置され導電性バンプが形成された配線とバンプの
裏側に位置する中間層、中間層に沿って配置された弾性
樹脂とを含む。即ち弾性樹脂は中間層に重ねて配置され
る。またバンプと中間層との間に配線が配置され得る。
弾性樹脂は平滑で剛性のある板(剛性体又は剛性板)に
接着される。導電性バンプは金、銀、白金、ロジウム、
ニッケル、銅等の金属材料よりなり、配線上の所定の位
置即ち絶縁フィルムに形成された貫通孔位置に、めっき
法或いは他の成膜法により形成される。好ましくはバン
プの表面は金めっきされる。中間層には導電性バンプよ
りも弾性を有する材料が使われ、弾性樹脂には中間層よ
りも弾性を有する材料が使われる。
【0010】上述の導電性バンプは金、銀、白金、パラ
ジウム等の貴金属の超微粉を有機溶媒中に分散した液を
電極位置に塗布した後、加熱硬化して貴金属の焼結膜を
バンプ状に形成し、この上に金めっきして構成されても
良い。加えてあらかじめこの分散液にセラミック等の硬
質材料の微粉を分散することにより導電性バンプを形成
できる。このような貴金属微粒子の焼結により形成され
るバンプは焼結体の結晶粒が比較的小さく、しかもセラ
ミック等の硬質材料が分散しているので比較的硬質とな
り、プローブとして用いる際、繰り返し耐久性に優れた
ものとなる。
ジウム等の貴金属の超微粉を有機溶媒中に分散した液を
電極位置に塗布した後、加熱硬化して貴金属の焼結膜を
バンプ状に形成し、この上に金めっきして構成されても
良い。加えてあらかじめこの分散液にセラミック等の硬
質材料の微粉を分散することにより導電性バンプを形成
できる。このような貴金属微粒子の焼結により形成され
るバンプは焼結体の結晶粒が比較的小さく、しかもセラ
ミック等の硬質材料が分散しているので比較的硬質とな
り、プローブとして用いる際、繰り返し耐久性に優れた
ものとなる。
【0011】更に本発明によれば導電性エラストマーで
上述の導電性バンプを形成できる。電極に接触したプロ
ーブはそれ自体反発力があるためエラストマーの弾性力
で測定相手となる素子或いは基板の電極と接触する。バ
ンプの高さ、寸法は電極の配置によって決定される、導
電性エラストマーは付加反応型の液状シリコーン樹脂等
の弾性を有する樹脂中に導電性を付与するため金属等の
導電性フィラーを混合して構成される。導電性フィラー
としてはカーボン、金、銀、銅、ニッケル、パラジウ
ム、白金あるいはこれらの混合物、複合物又は樹脂等の
粒子で導電性の金属でめっきされたものが添加され混練
される。バンプ表面に金や銀の薄い膜を形成し、導電性
を向上させることもできる。
上述の導電性バンプを形成できる。電極に接触したプロ
ーブはそれ自体反発力があるためエラストマーの弾性力
で測定相手となる素子或いは基板の電極と接触する。バ
ンプの高さ、寸法は電極の配置によって決定される、導
電性エラストマーは付加反応型の液状シリコーン樹脂等
の弾性を有する樹脂中に導電性を付与するため金属等の
導電性フィラーを混合して構成される。導電性フィラー
としてはカーボン、金、銀、銅、ニッケル、パラジウ
ム、白金あるいはこれらの混合物、複合物又は樹脂等の
粒子で導電性の金属でめっきされたものが添加され混練
される。バンプ表面に金や銀の薄い膜を形成し、導電性
を向上させることもできる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下に本発明の好適実施形態を図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
【0013】
【第1実施形態】図1に示す如くプローブ装置は絶縁フ
ィルム4とその片面に位置する、銅箔等のエッチングに
よりパターン化された配線7を含む。絶縁フィルム4は
ポリイミド系、ポリアミド系、シリコーン系、フッ素
系、ポリスチレン系、ポリエチレン系、ポリエステル
系、ウレタン系、エポキシ系、ABS,ポリカーボネー
ト等の樹脂からなる。絶縁フィルム4の一部にはアルカ
リエッチング等により貫通孔が形成され、この貫通孔9
の位置に電解めっき又は他の成膜法により金属バンプ5
が形成される。金属バンプ5の表面には好ましくは金め
っき層6が形成される。金属バンプ5は直径、高さとも
約10乃至200μmの寸法を有する。配線7の裏側に
はシリコーン系ゴム等の樹脂で中間層3が形成される。
中間層3については後述する。
ィルム4とその片面に位置する、銅箔等のエッチングに
よりパターン化された配線7を含む。絶縁フィルム4は
ポリイミド系、ポリアミド系、シリコーン系、フッ素
系、ポリスチレン系、ポリエチレン系、ポリエステル
系、ウレタン系、エポキシ系、ABS,ポリカーボネー
ト等の樹脂からなる。絶縁フィルム4の一部にはアルカ
リエッチング等により貫通孔が形成され、この貫通孔9
の位置に電解めっき又は他の成膜法により金属バンプ5
が形成される。金属バンプ5の表面には好ましくは金め
っき層6が形成される。金属バンプ5は直径、高さとも
約10乃至200μmの寸法を有する。配線7の裏側に
はシリコーン系ゴム等の樹脂で中間層3が形成される。
中間層3については後述する。
【0014】一方平滑で剛性のある板(剛性体又剛性
板)1に対して厚さ約0.1乃至1mmの弾性を有する
シリコーン系ゴム等の弾性樹脂2が接着され、これが上
述の中間層3に固定される。即ち中間層3の面に沿って
弾性樹脂2が配置される。中間層3は図示の如く金属バ
ンプ5の裏側に位置し、バンプ5が相手パッドと接触す
るときバンプに加わる応力を弾性樹脂2に分散する。中
間層3の材料は弾性樹脂2よりも剛性が高く、金属バン
プ5より弾性の高いものが選択される。即ち弾性樹脂2
は中間層3より弾性が高く、金属バンプ5は中間層3よ
り剛性が高い。また中間層3は配線7の保持の機能も果
たす。
板)1に対して厚さ約0.1乃至1mmの弾性を有する
シリコーン系ゴム等の弾性樹脂2が接着され、これが上
述の中間層3に固定される。即ち中間層3の面に沿って
弾性樹脂2が配置される。中間層3は図示の如く金属バ
ンプ5の裏側に位置し、バンプ5が相手パッドと接触す
るときバンプに加わる応力を弾性樹脂2に分散する。中
間層3の材料は弾性樹脂2よりも剛性が高く、金属バン
プ5より弾性の高いものが選択される。即ち弾性樹脂2
は中間層3より弾性が高く、金属バンプ5は中間層3よ
り剛性が高い。また中間層3は配線7の保持の機能も果
たす。
【0015】剛性板は金属、ガラス、セラミック、樹脂
等からなり所望の剛性を有するものが選択される。図示
しないが剛性板1には位置合わせ用のピンが形成され、
このピンが中間層3及び絶縁フィルム4に形成された位
置合わせ穴と係合して、これらが位置合わせされる。
等からなり所望の剛性を有するものが選択される。図示
しないが剛性板1には位置合わせ用のピンが形成され、
このピンが中間層3及び絶縁フィルム4に形成された位
置合わせ穴と係合して、これらが位置合わせされる。
【0016】
【実施例1】第1の好適実施形態に基づき、高さ約10
0μmのバンプ5がポリイミドフィルムの貫通孔9に沿
って形成されたプローブ装置を作製した。プローブ装置
は厚さ約0.5mmのシリコーンゴム2が接着された金
属板1を含む。
0μmのバンプ5がポリイミドフィルムの貫通孔9に沿
って形成されたプローブ装置を作製した。プローブ装置
は厚さ約0.5mmのシリコーンゴム2が接着された金
属板1を含む。
【0017】このプローブ装置の1対を介してプリント
基板の導通検査を行った。即ち一対のプローブ装置をバ
ンプを内側にして間にプリント基板を挟んで置いた。プ
リント基板には約100μm幅でピッチが約200μm
のパッドが形成され、プローブ装置にはプリント基板の
各面のパッドに対応してバンプが形成される。
基板の導通検査を行った。即ち一対のプローブ装置をバ
ンプを内側にして間にプリント基板を挟んで置いた。プ
リント基板には約100μm幅でピッチが約200μm
のパッドが形成され、プローブ装置にはプリント基板の
各面のパッドに対応してバンプが形成される。
【0018】プリント基板は位置合わせされプローブ装
置に対して0.1 /m の力で押圧され、これにより
プローブ装置のバンプとプリント基板のパッドとが接触
する。バンプとプローブとの接触抵抗は50mΩと小さ
く、測定したいプリント基板の導通検査と、回路間の抵
抗の測定が可能であった。また、プリント基板のパッド
にほとんど傷つけることがなかった。
置に対して0.1 /m の力で押圧され、これにより
プローブ装置のバンプとプリント基板のパッドとが接触
する。バンプとプローブとの接触抵抗は50mΩと小さ
く、測定したいプリント基板の導通検査と、回路間の抵
抗の測定が可能であった。また、プリント基板のパッド
にほとんど傷つけることがなかった。
【0019】
【第2実施形態】図2に示す本発明の第2の好適実施形
態によればプローブバンプとして導電性エラストマーに
よるバンプ15が用いられる。導電性エラストマーは付
加反応の液状シリコーン樹脂に十分不純物を除去した銀
粉末を混練して作製した。バンプ形成はシリンジを用い
ディスペンス法で成形した。
態によればプローブバンプとして導電性エラストマーに
よるバンプ15が用いられる。導電性エラストマーは付
加反応の液状シリコーン樹脂に十分不純物を除去した銀
粉末を混練して作製した。バンプ形成はシリンジを用い
ディスペンス法で成形した。
【0020】水平で剛性のある金属板(剛性板)1にシ
リコーンゴム等による弾性樹脂2を接着し、第1の好適
実施形態と同様に弾性樹脂2の面と中間層3の面がピン
と穴等の手段により正確に位置合わせして重ね配置され
る。好ましくは接着される中間層3の材料は第1の好適
実施形態と同様に、弾性樹脂2よりも剛性が高く、バン
プ15より弾性が高いものが選択される。
リコーンゴム等による弾性樹脂2を接着し、第1の好適
実施形態と同様に弾性樹脂2の面と中間層3の面がピン
と穴等の手段により正確に位置合わせして重ね配置され
る。好ましくは接着される中間層3の材料は第1の好適
実施形態と同様に、弾性樹脂2よりも剛性が高く、バン
プ15より弾性が高いものが選択される。
【0021】
【実施例2】第2の好適実施形態に基づき直径約300
μm高さ200μmの導電性エラストマーによるバンプ
15が形成されたプローブ装置を作製した。プローブ装
置は更に厚さ0.5mmのシリコーンゴム2が接着され
た金属板1を含む。
μm高さ200μmの導電性エラストマーによるバンプ
15が形成されたプローブ装置を作製した。プローブ装
置は更に厚さ0.5mmのシリコーンゴム2が接着され
た金属板1を含む。
【0022】第1の好適実施形態と同様の配置で約20
0μm幅でピッチが約500μmのパッドを有する導通
検査を行った。プリント基板はプローブ装置に対して
0.5/m の力で押圧され、これによりプローブ装置
のバンプとプリント基板のパッドとが接触する。バンプ
とプローブとの接触抵抗は約8mΩと小さく、測定した
いプリント基板の導通チェックだけでなく回路間の抵抗
も測定が可能であった。またプリント基板のパッドを傷
つけることもなかった。
0μm幅でピッチが約500μmのパッドを有する導通
検査を行った。プリント基板はプローブ装置に対して
0.5/m の力で押圧され、これによりプローブ装置
のバンプとプリント基板のパッドとが接触する。バンプ
とプローブとの接触抵抗は約8mΩと小さく、測定した
いプリント基板の導通チェックだけでなく回路間の抵抗
も測定が可能であった。またプリント基板のパッドを傷
つけることもなかった。
【0023】
【第3実施形態】図3には中間層を第1の中間層13と
第2の中間層3の2層で構成した好適実施形態を示す。
第1及び第2の中間層のいずれも、若干の弾性を有する
が、第1の中間層13は第2の中間層3よりもやや剛性
の強い材料で構成される。また、第1の中間層13はバ
ンプ5よりも弾性が高く、第2の中間層3は弾性樹脂2
よりも剛性が高い。第1及び第2の実施形態において中
間層3はバンプ5、15に加えられる局所的な応力を緩
和する機能を有するが、図3の好適実施形態はそれを更
に顕著ならしめるものである。第3実施形態以下では第
1実施形態に類似する点は説明を略す。
第2の中間層3の2層で構成した好適実施形態を示す。
第1及び第2の中間層のいずれも、若干の弾性を有する
が、第1の中間層13は第2の中間層3よりもやや剛性
の強い材料で構成される。また、第1の中間層13はバ
ンプ5よりも弾性が高く、第2の中間層3は弾性樹脂2
よりも剛性が高い。第1及び第2の実施形態において中
間層3はバンプ5、15に加えられる局所的な応力を緩
和する機能を有するが、図3の好適実施形態はそれを更
に顕著ならしめるものである。第3実施形態以下では第
1実施形態に類似する点は説明を略す。
【0024】
【第4実施形態】図4には剛性板11及び弾性樹脂12
を可視光に対して透明な材料で構成した好適実施形態が
示される。これによりバンプ5の位置を剛性板11側か
ら視覚的に確認することができバンプ5を正確に相手パ
ッド上に配置することができる。また近赤外域又は可視
域の光学センサ等の技術により自動位置合わせさせるこ
ともできる。この場合、剛性板11の例としてはガラ
ス、アクリル板等の透明な樹脂板等が挙げられ弾性樹脂
12及び保持層23の例としてはシリコン系ゴムが挙げ
られる。
を可視光に対して透明な材料で構成した好適実施形態が
示される。これによりバンプ5の位置を剛性板11側か
ら視覚的に確認することができバンプ5を正確に相手パ
ッド上に配置することができる。また近赤外域又は可視
域の光学センサ等の技術により自動位置合わせさせるこ
ともできる。この場合、剛性板11の例としてはガラ
ス、アクリル板等の透明な樹脂板等が挙げられ弾性樹脂
12及び保持層23の例としてはシリコン系ゴムが挙げ
られる。
【0025】
【第5実施形態】図5には絶縁フィルム4の表面4aに
配線17が配置された好適実施形態が示される。この場
合裏面4bには配線は無く、バンプ5と配線7とは貫通
孔9内の導電層27を介して電気的に接続される。
配線17が配置された好適実施形態が示される。この場
合裏面4bには配線は無く、バンプ5と配線7とは貫通
孔9内の導電層27を介して電気的に接続される。
【0026】
【第6乃至第8実施形態】図6乃至図8には絶縁フィル
ム4の表裏の面4a、4bに配線7、17、37、47
が形成された好適実施形態が示される。本発明によれば
図6の如く信号用の配線7、17が表裏の面4a,4b
に自由に配線され得るし、更に図7及び図8の如く表裏
の一側の面の配線37、47をパターン化された又はさ
れない接地用配線として使用可能である。
ム4の表裏の面4a、4bに配線7、17、37、47
が形成された好適実施形態が示される。本発明によれば
図6の如く信号用の配線7、17が表裏の面4a,4b
に自由に配線され得るし、更に図7及び図8の如く表裏
の一側の面の配線37、47をパターン化された又はさ
れない接地用配線として使用可能である。
【0027】
【第9実施形態】更に図9には絶縁フィルム4の表側に
接着剤33を介して更に他の絶縁フィルム14が配置さ
れる好適実施形態が示される。配線57は図示の如く絶
縁フィルム14により保護される。またバンプ5は絶縁
フィルム4、14の貫通孔9a、9bを通り表面14a
より突出する。
接着剤33を介して更に他の絶縁フィルム14が配置さ
れる好適実施形態が示される。配線57は図示の如く絶
縁フィルム14により保護される。またバンプ5は絶縁
フィルム4、14の貫通孔9a、9bを通り表面14a
より突出する。
【0028】以上の如く本発明の好適実施形態を示した
が、これらは例示的なものであり、本発明を制限するも
のではなく、当事者により変形、変更可能である。
が、これらは例示的なものであり、本発明を制限するも
のではなく、当事者により変形、変更可能である。
【0029】
【発明の効果】本発明のプローブ装置によれば、金属製
のバネを利用した従来のプローブ装置と比べてより微細
で狭ピッチである電極との接触が可能となり、ファイン
ラインに形成した回路や半導体素子、半導体パッケー
ジ、TABフィルムのチェッカーとして利用できる。特
に本発明のプローブ装置はバンプの裏側に中間層及び弾
性樹脂が配置されるのでバンプに加わる応力を適度に分
散できバンプに局所的に加わる応力により配線が破壊さ
れる等のプローブ装置の破損が防止されると共に、相手
電極に過度な力が加わることなく相手電極を傷つけるこ
ともない。
のバネを利用した従来のプローブ装置と比べてより微細
で狭ピッチである電極との接触が可能となり、ファイン
ラインに形成した回路や半導体素子、半導体パッケー
ジ、TABフィルムのチェッカーとして利用できる。特
に本発明のプローブ装置はバンプの裏側に中間層及び弾
性樹脂が配置されるのでバンプに加わる応力を適度に分
散できバンプに局所的に加わる応力により配線が破壊さ
れる等のプローブ装置の破損が防止されると共に、相手
電極に過度な力が加わることなく相手電極を傷つけるこ
ともない。
【0030】更に本発明のプローブ装置は絶縁フィルム
のエッチング、バンプ形成により一体的に形成されるの
で、金属製プローブ装置の場合のように一本ずつピンを
立て、半田付け等の作業が不要となり、製造及びそのた
めの作業コストが大幅に縮小される。
のエッチング、バンプ形成により一体的に形成されるの
で、金属製プローブ装置の場合のように一本ずつピンを
立て、半田付け等の作業が不要となり、製造及びそのた
めの作業コストが大幅に縮小される。
【図1】 本発明の第1の好適実施形態となるプローブ
装置を示す断面図。
装置を示す断面図。
【図2】 本発明の第2の好適実施形態となるプローブ
装置を示す図1類似の断面図。
装置を示す図1類似の断面図。
【図3】 本発明の第3の好適実施形態となるプローブ
装置を示す図1類似の断面図。
装置を示す図1類似の断面図。
【図4】 本発明の第4の好適実施形態となるプローブ
装置を示す図1類似の断面図。
装置を示す図1類似の断面図。
【図5】 本発明の第5の好適実施形態となるプローブ
装置を示す図1類似の断面図。
装置を示す図1類似の断面図。
【図6】 本発明の第6の好適実施形態となるプローブ
装置を示す図1類似の断面図。
装置を示す図1類似の断面図。
【図7】 本発明の第7の好適実施形態となるプローブ
装置を示す図1類似の断面図。
装置を示す図1類似の断面図。
【図8】 本発明の第8の好適実施形態となるプローブ
装置を示す図1類似の断面図。
装置を示す図1類似の断面図。
【図9】 本発明の第9の好適実施形態となるプローブ
装置を示す図1類似の断面図。
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1、11 剛性体(剛性板) 2、12 弾性樹脂 3、13 中間層 4 絶縁フィルム 5、15 バンプ 7、17、57 配線 9 貫通孔
Claims (1)
- 【請求項1】貫通孔が形成される絶縁フィルムと、 該絶縁フィルムの少なくとも一側に置かれた配線と、前
記貫通孔内に配置され、前記配線と電気的に接続される
ブローブ用のバンプと、 該バンプの裏側に配置され前記バンプよりも弾性を有す
る中間層と、 該中間層の裏面に配置され、剛性体に固定される前記中
間層よりも弾性を有する弾性樹脂とを具えるプローブ装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7282477A JPH09113539A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | プローブ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7282477A JPH09113539A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | プローブ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09113539A true JPH09113539A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17652953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7282477A Pending JPH09113539A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | プローブ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09113539A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008076402A (ja) * | 1998-10-27 | 2008-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 検査用基板 |
JP2013083620A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プローブカード及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-10-04 JP JP7282477A patent/JPH09113539A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008076402A (ja) * | 1998-10-27 | 2008-04-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 検査用基板 |
JP2013083620A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | プローブカード及びその製造方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050329 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050928 |