JPH09113538A - バンププローブ装置 - Google Patents
バンププローブ装置Info
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- JPH09113538A JPH09113538A JP7282476A JP28247695A JPH09113538A JP H09113538 A JPH09113538 A JP H09113538A JP 7282476 A JP7282476 A JP 7282476A JP 28247695 A JP28247695 A JP 28247695A JP H09113538 A JPH09113538 A JP H09113538A
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 狭ピッチの端子に対応するバンププローブ装
置を提供すること。 【解決手段】 バンププローブ装置はパッド板又は配線
３が形成されるフィルム状基板４を含む。フィルム状基
板４には開口部４ａが形成され、これによりパッド３ａ
が構成される。パッド３ａの一方の面にはプローブとな
るバンプ１が形成され、逆の面には多層配線基板７と接
続されるバンプ２が形成される。フィルム状基板４は封
止樹脂により多層配線基板１に接続、固定される。
置を提供すること。 【解決手段】 バンププローブ装置はパッド板又は配線
３が形成されるフィルム状基板４を含む。フィルム状基
板４には開口部４ａが形成され、これによりパッド３ａ
が構成される。パッド３ａの一方の面にはプローブとな
るバンプ１が形成され、逆の面には多層配線基板７と接
続されるバンプ２が形成される。フィルム状基板４は封
止樹脂により多層配線基板１に接続、固定される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路(L
SI),液晶基板(LCD) 、マルチチップモジュール(MCM) 基
板、ＢＧＡ又は、ＬＧＡパッケージを有する素子、プリ
ント配線基板等の電気的試験用のプローブ装置に関す
る。
SI),液晶基板(LCD) 、マルチチップモジュール(MCM) 基
板、ＢＧＡ又は、ＬＧＡパッケージを有する素子、プリ
ント配線基板等の電気的試験用のプローブ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＬＳＩ等のチップやＬＣＤ等の基
板は高集積化、多端子化、狭ピッチ化の傾向にあり、そ
れに対応した電気的試験用プローブが望まれており、従
来からある針式プローブをさらに微細加工し狭ピッチ、
多ピン化対応にしたものが開発されている。
板は高集積化、多端子化、狭ピッチ化の傾向にあり、そ
れに対応した電気的試験用プローブが望まれており、従
来からある針式プローブをさらに微細加工し狭ピッチ、
多ピン化対応にしたものが開発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとしている課題】従来の針プローブ
では加工精度に限界があり狭ピッチ、多ピン化対応が困
難になってきており、信頼性にも問題があった。また、
非常に高価な物になってしまう点も問題であった。
では加工精度に限界があり狭ピッチ、多ピン化対応が困
難になってきており、信頼性にも問題があった。また、
非常に高価な物になってしまう点も問題であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明では狭ピ
ッチ、多端子化に対応するために針の変わりにバンプを
用いている。即ち本発明はフィルム状基板と、該フィル
ム状基板に両面を向いて形成されるパッドと、前記フィ
ルム状基板の一面側でパッド上に形成され、被試験パッ
ドに接触する微小突起であるバンプと、前記フィルム状
基板が封止樹脂により固定され、且つ電気的に接続され
る回路配線基板とを有するバンププローブ装置を特徴と
する。
ッチ、多端子化に対応するために針の変わりにバンプを
用いている。即ち本発明はフィルム状基板と、該フィル
ム状基板に両面を向いて形成されるパッドと、前記フィ
ルム状基板の一面側でパッド上に形成され、被試験パッ
ドに接触する微小突起であるバンプと、前記フィルム状
基板が封止樹脂により固定され、且つ電気的に接続され
る回路配線基板とを有するバンププローブ装置を特徴と
する。
【０００５】本発明のバンププローブ装置はパッド板又
は配線を含むフィルム状基板を含む。フィルム状基板は
ポリイミド等の絶縁フィルム上に銅箔等を張り合わせ、
これをパターニングしてパッド板又は配線を形成し、更
に他の絶縁フィルムをパッド板又は配線上から張り合わ
せ、その後、絶縁フィルムの一部は配線上の所定の位置
でエッチングされ、両外側に露出するパッドが構成され
る。パッドの一側、即ち回路配線基板側には金属又は導
電性樹脂によるバンプ或いは異方性導電膜が配置され
る。前者の場合において金属又は導電性樹脂によるバン
プはパッドと電気的に接続され絶縁フィルム面を越えて
突出するよう形成される。バンプ間に接着用樹脂が封入
され、これにより回路配線基板とフィルム状基板が機械
的に固定され、同時に、バンプと回路配線基板の回路と
が電気的に接続される。後者の場合、異方性導電膜はフ
ィルム状基板の一側の全面に位置し、フィルム状基板を
回路配線基板に機械的に固定すると共に両者を電気的に
相互接続する。即ちフィルム状基板のパッドは対向位置
にある回路配線基板上のパッドと電気的に接続される。
は配線を含むフィルム状基板を含む。フィルム状基板は
ポリイミド等の絶縁フィルム上に銅箔等を張り合わせ、
これをパターニングしてパッド板又は配線を形成し、更
に他の絶縁フィルムをパッド板又は配線上から張り合わ
せ、その後、絶縁フィルムの一部は配線上の所定の位置
でエッチングされ、両外側に露出するパッドが構成され
る。パッドの一側、即ち回路配線基板側には金属又は導
電性樹脂によるバンプ或いは異方性導電膜が配置され
る。前者の場合において金属又は導電性樹脂によるバン
プはパッドと電気的に接続され絶縁フィルム面を越えて
突出するよう形成される。バンプ間に接着用樹脂が封入
され、これにより回路配線基板とフィルム状基板が機械
的に固定され、同時に、バンプと回路配線基板の回路と
が電気的に接続される。後者の場合、異方性導電膜はフ
ィルム状基板の一側の全面に位置し、フィルム状基板を
回路配線基板に機械的に固定すると共に両者を電気的に
相互接続する。即ちフィルム状基板のパッドは対向位置
にある回路配線基板上のパッドと電気的に接続される。
【０００６】パッドの逆側にはプローブとなる金属性バ
ンプが形成される。プローブバンプはめっき法又は蒸着
等の成膜方法によりマスクを使ってパッド板上に選択的
に形成される。プローブバンプはパッド板からフィルム
状基板の表面を超えて延び、相手デバイスとの接触を可
能とする。
ンプが形成される。プローブバンプはめっき法又は蒸着
等の成膜方法によりマスクを使ってパッド板上に選択的
に形成される。プローブバンプはパッド板からフィルム
状基板の表面を超えて延び、相手デバイスとの接触を可
能とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の好
適実施形態となるバンププローブ装置を詳細に説明す
る。
適実施形態となるバンププローブ装置を詳細に説明す
る。
【０００８】図１及び図２に第１の好適実施形態となる
バンププローブ装置を示す。図１に断面図、図２に平面
図を示す。図においてフィルム状基板４にはパッド板又
は配線（以下単に配線という）３が形成される。配線上
の所定の位置にはフィルム状基板４のエッチングにより
開口部４ａが形成され、これによりパッド３ａが構成さ
れる。本発明の第１の好適実施例によれば図１の如くパ
ッド３ａの一方の面にはプローブとなるバンプ１が形成
され、裏面にはフィルム状基板４と多層配線基板７を電
気的接続させる端子となるバンプ２が形成される。多層
配線基板７にはフィルム状基板４に接続されるためのパ
ッド５が形成されており、このパッド５は図２の如く配
線７ａにより端子８に接続され、端子８は測定器と接続
される。
バンププローブ装置を示す。図１に断面図、図２に平面
図を示す。図においてフィルム状基板４にはパッド板又
は配線（以下単に配線という）３が形成される。配線上
の所定の位置にはフィルム状基板４のエッチングにより
開口部４ａが形成され、これによりパッド３ａが構成さ
れる。本発明の第１の好適実施例によれば図１の如くパ
ッド３ａの一方の面にはプローブとなるバンプ１が形成
され、裏面にはフィルム状基板４と多層配線基板７を電
気的接続させる端子となるバンプ２が形成される。多層
配線基板７にはフィルム状基板４に接続されるためのパ
ッド５が形成されており、このパッド５は図２の如く配
線７ａにより端子８に接続され、端子８は測定器と接続
される。
【０００９】バンプ１は良導電性且つ硬質で耐久性のあ
る材料で形成されることが好ましくＮｉ，Ｃｏ，Ｎｉ−
Ｃｏ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｗ，Ｗ−Ｃ，Ｗ−Ｃｒ，Ｃ
ｒ，Ｂｅ−Ｃｕ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｆｅ，ステンレス等の金
属又は合金でめっき法或いは蒸着法により形成し、必要
に応じてその表面にＡｕめっき，Ｒｈめっき、Ｐｔめっ
きを施す。被測定基板がプロービング時にダメージを受
け易い材質で構成される場合はバンプ１を導電性樹脂で
形成しダメージを与えないようにすることも可能であ
る。更にこの場合セラミック粒子等の硬質の粒子を樹脂
中に分散させて、バンプ１を硬質のものにすることもで
きる。
る材料で形成されることが好ましくＮｉ，Ｃｏ，Ｎｉ−
Ｃｏ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｗ，Ｗ−Ｃ，Ｗ−Ｃｒ，Ｃ
ｒ，Ｂｅ−Ｃｕ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｆｅ，ステンレス等の金
属又は合金でめっき法或いは蒸着法により形成し、必要
に応じてその表面にＡｕめっき，Ｒｈめっき、Ｐｔめっ
きを施す。被測定基板がプロービング時にダメージを受
け易い材質で構成される場合はバンプ１を導電性樹脂で
形成しダメージを与えないようにすることも可能であ
る。更にこの場合セラミック粒子等の硬質の粒子を樹脂
中に分散させて、バンプ１を硬質のものにすることもで
きる。
【００１０】バンプ２はＳｎ−Ｐｂ，Ｓｎ−Ｐｂ−Ａ
ｇ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｐｂ，Ｓｎ−Ａｇ，Ｉｎ，Ｉｎ−Ｐ
ｂ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ等の金属又は合金で形成し、バン
プ２−バンプ２間の隙間に補強、保護用の封止樹脂６を
充填し、これによりフィルム状基板は多層配線基板に固
定される。バンプ１、２はいずれも直径約１００乃至２
００μｍ高さ約５０乃至１００μｍ程度である。
ｇ，Ｓｎ−Ｂｉ−Ｐｂ，Ｓｎ−Ａｇ，Ｉｎ，Ｉｎ−Ｐ
ｂ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｎｉ等の金属又は合金で形成し、バン
プ２−バンプ２間の隙間に補強、保護用の封止樹脂６を
充填し、これによりフィルム状基板は多層配線基板に固
定される。バンプ１、２はいずれも直径約１００乃至２
００μｍ高さ約５０乃至１００μｍ程度である。
【００１１】配線３、パッド５及び配線７ａはＡｌ，Ａ
ｌ合金、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｐｔ等の良導
電性金属又は合金で形成される。フィルム状基板４は約
１０乃至１００μｍ程度の厚さでポリイミド系樹脂、ポ
リアミド系樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ポリ
スチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリエステル系
樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、ＡＢＳ樹脂、
ポリカーボネート樹脂等で形成されている。多層配線基
板７は樹脂基板、セラミック基板、メタル基板、Ｓｉ基
板等を使用する。
ｌ合金、Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｐｔ等の良導
電性金属又は合金で形成される。フィルム状基板４は約
１０乃至１００μｍ程度の厚さでポリイミド系樹脂、ポ
リアミド系樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ポリ
スチレン系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリエステル系
樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、ＡＢＳ樹脂、
ポリカーボネート樹脂等で形成されている。多層配線基
板７は樹脂基板、セラミック基板、メタル基板、Ｓｉ基
板等を使用する。
【００１２】図３に本発明の第２の好適実施形態となる
バンププローブ装置を示す。この好適実施形態によれば
多層配線基板７と接続されるバンプ１２は導電性樹脂で
形成される。導電性樹脂の材質はゴムの如く弾性を有す
るものが好ましく、塗布、印刷、転写等の方法で形成さ
れる。バンプ１２はプロービング時に変形可能であり、
これにより被測定基板表面の凹凸を吸収することができ
バンプ１の接続不良が防止される。封止樹脂１３はフィ
ルム基板１２と多層配線基板１５の隙間を埋め導電性樹
脂のバンプ１２にかかる応力を緩和し、且つ湿気等から
保護する機能を有する。
バンププローブ装置を示す。この好適実施形態によれば
多層配線基板７と接続されるバンプ１２は導電性樹脂で
形成される。導電性樹脂の材質はゴムの如く弾性を有す
るものが好ましく、塗布、印刷、転写等の方法で形成さ
れる。バンプ１２はプロービング時に変形可能であり、
これにより被測定基板表面の凹凸を吸収することができ
バンプ１の接続不良が防止される。封止樹脂１３はフィ
ルム基板１２と多層配線基板１５の隙間を埋め導電性樹
脂のバンプ１２にかかる応力を緩和し、且つ湿気等から
保護する機能を有する。
【００１３】図４に本発明の第３の好適実施形態となる
バンププローブ装置を示す、この好適実施形態によれば
フィルム状基板４のパッド３ａが多層配線基板７と接続
される側に露出し、その上に異方導電性フィルム（又は
ペースト）１７が配置される。異方導電性フィルム１７
は多層配線基板７とフィルム状基板４とを電気的に相互
接続すると共に機械的な固定も行う。加えて第２の好適
実施形態と同様に、異方導電性フィルム１７は被測定基
板表面の凹凸を吸収しバンプ１の接続不良を防止する機
能も有する。この場合導電フィラー１６は基板装着の凹
凸を十分吸収すべく樹脂にＡｕめっきを施したような弾
力性のあるものが望ましい。
バンププローブ装置を示す、この好適実施形態によれば
フィルム状基板４のパッド３ａが多層配線基板７と接続
される側に露出し、その上に異方導電性フィルム（又は
ペースト）１７が配置される。異方導電性フィルム１７
は多層配線基板７とフィルム状基板４とを電気的に相互
接続すると共に機械的な固定も行う。加えて第２の好適
実施形態と同様に、異方導電性フィルム１７は被測定基
板表面の凹凸を吸収しバンプ１の接続不良を防止する機
能も有する。この場合導電フィラー１６は基板装着の凹
凸を十分吸収すべく樹脂にＡｕめっきを施したような弾
力性のあるものが望ましい。
【００１４】
【発明の効果】本発明のバンププローブ装置によれば従
来の針式プロープの変わりにバンプを用いているため一
般的な各種バンプ形式方法を用いることができるので、
高精度な微細加工が容易にでき、狭ピッチ、多端子化に
対応できることが可能となる。また、フィルム基板と多
層配線基板とをバンプで接続しているのでプロープが破
損した様な場合でもフィルム基板のみを交換することが
でき、メンテナンスが容易になりコストも削減できる。
さらに、針の代わりにバンプを用いているためインピー
ダンスやインダクタンスを低く抑えることができ耐久性
も優れている。本発明のバンププローブ装置によれば非
常に小型で多くの入出力端子を持ち狭ピッチに対応した
プローブ装置を容易かつ低コストで作製できる。
来の針式プロープの変わりにバンプを用いているため一
般的な各種バンプ形式方法を用いることができるので、
高精度な微細加工が容易にでき、狭ピッチ、多端子化に
対応できることが可能となる。また、フィルム基板と多
層配線基板とをバンプで接続しているのでプロープが破
損した様な場合でもフィルム基板のみを交換することが
でき、メンテナンスが容易になりコストも削減できる。
さらに、針の代わりにバンプを用いているためインピー
ダンスやインダクタンスを低く抑えることができ耐久性
も優れている。本発明のバンププローブ装置によれば非
常に小型で多くの入出力端子を持ち狭ピッチに対応した
プローブ装置を容易かつ低コストで作製できる。
【図１】本発明の第１の好適実施形態となるバンププロ
ーブ装置を示す断面図。
ーブ装置を示す断面図。
【図２】図１のバンププローブ装置の平面図。
【図３】本発明の第２の好適実施形態となるバンププロ
ーブ装置を示す断面図。
ーブ装置を示す断面図。
【図４】本発明の第３の好適実施形態となるバンププロ
ーブ装置を示す断面図。
ーブ装置を示す断面図。
１ バンプ ３ａ パッド ４ フィルム状基板 ４ａ 開口部 ６ 封止樹脂 ７ 回路配線基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｄ
Claims (1)
- 【請求項１】フィルム状基板と、 該フィルム状基板に形成される開口部に配置され、前記
フィルム状基板の両面に面するパッドと、 前記フィルム状基板の一面側でパッド上に形成され、被
試験パッドに接触する微小突起であるバンプと、 前記フィルム状基板の他面側に位置し、前記フィルム状
基板が固定され且つ前記パッドに電気的に接続される回
路配線基板とを有するバンププローブ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7282476A JPH09113538A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | バンププローブ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7282476A JPH09113538A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | バンププローブ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09113538A true JPH09113538A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17652938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7282476A Pending JPH09113538A (ja) | 1995-10-04 | 1995-10-04 | バンププローブ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09113538A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100754086B1 (ko) * | 2006-01-26 | 2007-08-31 | 삼성전기주식회사 | 프로브 카드 및 그 제조방법 |
| KR101288050B1 (ko) * | 2013-01-31 | 2013-07-19 | (주) 루켄테크놀러지스 | 범프 필름 프로브 카드 |
| US10459007B2 (en) | 2013-11-04 | 2019-10-29 | Via Technologies, Inc. | Probe card |
| KR20220127584A (ko) * | 2021-03-11 | 2022-09-20 | (주)위드멤스 | 컨택터 어레이 및 그 제조 방법 |
-
1995
- 1995-10-04 JP JP7282476A patent/JPH09113538A/ja active Pending
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