JP3446607B2 - コンタクトピン及びコンタクトプローブの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フィルム上に形成
された複数のパターン配線の各先端が前記フィルムから
突出してなるコンタクトピンの製造方法、及びプローブ
装置等に組み込まれて、半導体ＩＣチップやＬＳＩチッ
プ、液晶デバイス等の被検査部材の各端子に接触させて
電気的なテストを行うために用いられるコンタクトプロ
ーブの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＩＣチップやＬＳＩチップ等の
半導体チップ、またはＬＣＤ（液晶表示体）等の被検査
部材の各端子に接触させて電気的なテストを行うため
に、コンタクトピンが備えられたコンタクトプローブが
用いられる。近年、ＩＣチップ等の高集積化及び微細化
に伴って電極であるコンタクトピンが狭ピッチ化される
と共に、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化が要望され
ている。しかしながら、コンタクトピンとして用いられ
ていたタングステン針のコンタクトプローブでは、多ピ
ン狭ピッチへの対応が困難になっていた。これに対し
て、図１０に示すようなコンタクトプローブ１の技術が
例えば特公平７−８２０２７号公報で提案されている。
このコンタクトプローブ１は、複数のパターン配線３が
樹脂フィルム２上に形成され、これらのパターン配線３
の各先端が樹脂フィルム２から突出状態に配されてコン
タクトピン３ａとされている。この技術では、複数のパ
ターン配線３の先端をコンタクトピン３ａとすることに
よって、多ピン狭ピッチ化を図るものである。

【０００３】ところで、このようなコンタクトプローブ
１の製造は以下の工程を経て行われる。ステンレス板
に銅めっきを施す。この銅層にレジストマスクを形成
し、フォトマスクを介して露光・現像を行う。レジス
トマスクが除去された部分にニッケルめっきを施してパ
ターン配線３を形成する。このパターン配線３のう
ち、コンタクトピン３ａとされる先端部を除いた部分の
上面に樹脂フィルム２を被着させる。この樹脂フィル
ム２とパターン配線３と前述の銅層からなる部分と、前
記ステンレス板を分離させる。この樹脂フィルム２と
パターン配線３とからなる部分から、銅層を除去してコ
ンタクトプローブ１を製作する。

【０００４】そして、上述のように製造されたコンタク
トプローブ１は、例えば図１１に示すようにバーンイン
テスト等に用いられるプローブ装置４に組み込まれて、
ＩＣチップＣ等の被検査部材の電気テストに用いられ
る。このプローブ装置４は、被検査部材としてＩＣチッ
プＣ等を載置する下板５がフレーム本体６に取り付けら
れ、フレーム本体６の上部内側には中央に開口部７ａが
形成された位置決め板７が固定され、その上部にコンタ
クトプローブ１が載置されて位置決め板７の開口部７ａ
からコンタクトピン３ａが突出して配設され、コンタク
トピン３ａが開口部７ａを通してＩＣチップＣのパッド
に接触させられるようになっている。そして、各コンタ
クトプローブ１を上から押さえつけて支持する上板８が
設けられ、さらにその上に、中央部が上板８側に湾曲し
たクランパ９が配設され、その中央部によって上板８を
弾性で押圧する。

【０００５】このようなプローブ装置４に用いられるコ
ンタクトプローブ１のコンタクトピン３ａは断面略四角
形とされ、図１２に示すようにコンタクトピン３ａの接
触面である下面３ｂが平坦面に形成されている。一方、
コンタクトピン３ａに接触するＩＣチップＣのパッド１
２は平板状とされているために、各コンタクトピン３ａ
はパッド１２にそれぞれ十分な接触面積を以て接触して
導通され、電気的テストに供されることになる。ところ
で、近年、電極端子であるバンプとして、図１３に示す
ようにコンタクトピン３ａとの被接触部１４ａが断面視
で両端の突条部１４ｂとその中央の平面状の底部１４ｃ
からなる凹面状とされたパンプ１４を有する、ＩＣチッ
プ等が出回ってきている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】そのため、上述のよう
なコンタクトプローブ１を用い、図１４に示すようにコ
ンタクトピン３ａの平面状の接触面である下面３ｂが、
パンプ１４の凹面状の被接触部１４ａに当接する際、オ
ーバードライブをかけてもコンタクトピン３ａの下面３
ｂはパンプ１４の突条部１４ｂに接触するだけであるた
め、十分な接触面積を確保できず、確実な導通を得られ
にくいという問題がある。そして、従来のレジストマス
ク等によるコンタクトプローブ１のパターン配線３の製
造方法では、レジストマスク等の開口部が縦断面視で略
四角形状の凹部をなすパターンとされるために、上述の
ようにバンプ１４の被接触部１４ａが凹面状等の三次元
形状を有する場合に、十分な接触面積を確保できる接触
部形状を有するコンタクトピンを製造することはできな
かった。

【０００７】本発明は、上述のような課題に鑑みて、被
接触面が三次元形状を有する電極端子に対しても十分な
接触面積を確保して確実な導通を図ることができるコン
タクトピン及び該コンタクトピンを備えたコンタクトプ
ローブの製造方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係るコンタクト
ピンの製造方法は、フィルム上に形成された複数のパタ
ーン配線の各先端が前記フィルムから突出してなるコン
タクトピンの製造方法であって、前記コンタクトピンの
材質に被着または結合する材質の第一の金属層を形成す
る第一の金属層形成工程と、前記第一の金属層の上に断
面積がその深さ方向に異なる開口部を備えたマスクを施
すパターン形成工程と、前記開口部に前記コンタクトピ
ンとなる第二の金属層を形成する第二金属層形成工程と
を備え、前記マスクは、前記第一の金属層の上に露光に
対する感度の異なる複数層のレジストを施して、フォト
マスクを介して露光することで前記複数層のレジストに
断面積がその深さ方向に異なる開口部を形成してなるこ
とを特徴とする。

【０００９】本発明に係るコンタクトプローブの製造方
法は、フィルム上に複数のパターン配線を形成し、これ
らのパターン配線の各先端が前記フィルムから突出して
コンタクトピンとされるコンタクトプローブの製造方法
であって、前記コンタクトピンの材質に被着または結合
する材質の第一の金属層を形成する第一の金属層形成工
程と、前記第一の金属層の上に断面積がその深さ方向に
異なる開口部を備えたマスクを施すパターン形成工程
と、前記開口部に前記コンタクトピンとなる第二の金属
層を形成する第二金属層形成工程と、前記マスクを取り
除いた第二の金属層の上に前記フィルムを被着するフィ
ルム被着工程と、前記フィルムと第二の金属層とからな
る部分を、前記第一の金属層から分離する分離工程とを
備え、前記マスクは、前記第一の金属層の上に露光に対
する感度の異なる複数層のレジストを施して、フォトマ
スクを介して露光することで前記複数層のレジストに断
面積がその深さ方向に異なる開口部を形成してなること
を特徴とする。

【００１０】本発明では、マスクに露光に対する感度の
異なる複数層のレジストを施して露光することで、感度
の異なるレジスト層毎に断面積（第一の金属層に略平行
な方向の断面積）の異なる開口部を形成できるから、こ
の開口部に電解めっきやスパッタリング等の方法で第二
の金属層を形成させることで形成されるコンタクトピン
の接触部に適宜の凸部を形成でき、被検査部材のパッド
等の電極端子が凹面形状の被接触部を有していても確実
で十分な接触面積を確保できる。

【００１１】尚、複数層のレジストは、ネガ型のレジス
トとされ、第一の金属層側に比較的高感度のレジストが
設けられ、フォトマスク側に比較的低感度のレジストが
設けられていてもよい。また、複数層のレジストは、ポ
ジ型のレジストとされ、第一の金属層側に比較的低感度
のレジストが設けられ、フォトマスク側に比較的高感度
のレジストが設けられていてもよい。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面により説明する。図１は実施の形態により製造され
るコンタクトプローブの平面図、図２は図１に示すコン
タクトプローブのＡ−Ａ線縦断面図、図３は図１に示す
コンタクトプローブのＢ−Ｂ線断面図、図４（ａ）〜
（ｈ）は実施の形態によるコンタクトプローブの製作工
程を示す図、図５は図４の（ｂ）、（ｃ）に示すパター
ン形成工程の説明図、図６は実施の形態により製造され
るコンタクトプローブを装着したプローブ装置の要部縦
断面、図７はコンタクトピンとＩＣチップのバンプとを
分離状態で示す部分斜視図、図８は図７に示すコンタク
トピンとＩＣチップのバンプとの接触状態を示す断面図
である。図１乃至図３に示すコンタクトプローブ１０は
例えばＩＣプローブを示すものであり、樹脂フィルム１
２（フィルム）の片面にＮｉまたはＮｉ合金等で形成さ
れるパターン配線１３が接着剤で張り付けられた構成と
され、樹脂フィルム１２の端部からパターン配線１３の
先端が突出してコンタクトピン１３ａとされている。

【００１３】樹脂フィルム１２はポリイミド樹脂ＰＩに
金属フィルム（銅箔）１４が一体に設けられた二層テー
プである。この金属フィルム１４はグラウンドとして用
いることができ、これにより、プローブ装置の先端近く
までインピーダンスマッチングをとる設計が可能とな
り、高周波域でのテストを行う場合にも悪影響を防ぐこ
とができる。また樹脂フィルム１２には、パターン配線
１３から得られた信号を引き出し用配線１６を介してプ
リント基板に伝えるための窓１７が設けられている。ま
た本実施の形態により製造されるコンタクトピン１３ａ
は、図３及び図７に示されているように、その長手方向
に直交する断面において略四角形の基部１９と基部１９
より辺長が短い略四角形の凸部２０とが階段状に一体形
成されていて、この基部１９及び凸部２０がコンタクト
ピン１３ａの長手方向に延在して形成されている。凸部
２０とその両側部をなす基部１９の表面１９ａ，１９ａ
とが、上述したパッド１４等の電極端子への接触部とさ
れている。

【００１４】次にこのコンタクトプローブ１０の製造方
法について図４及び図５により説明する。図４（ａ）〜
（ｈ）はコンタクトプローブ２０の製造方法を示すもの
であり、図５は図４に示すパターン形成工程を説明する
ための工程図である。 〔支持金属板及び金属層形成工程〕 図４（ａ）において、ステンレス製の支持金属板（基板
層）２１上に、Ｃｕ（銅）めっきによりベースメタル層
（第一の金属層）２２を形成する。このベースメタル層
２２は支持金属板２１の上面に均一の厚さで形成され
る。

【００１５】〔パターン形成工程〕 このベースメタル層２２の上に比較的高感度の第一のフ
ォトレジスト層２３を形成すると共に、第一のフォトレ
ジスト層２３の上に比較的低感度の第二のフォトレジス
ト層２４を形成する。これらのフォトレジスト層２３，
２４はネガ型フォトレジストとされており、第一及び第
二のフォトレジスト層２３，２４に関して高感度、低感
度としたのは相対的な概念であり、積層すべき複数種類
のフォトレジスト層間の比較において、レジストの感度
がより高感度のものを第一のフォトレジスト層２３と
し、より低感度のものを第二のフォトレジスト層２４と
すればよい。尚、第一及び第二のフォトレジスト層２
３，２４として、例えばフィルムレジストが用いられる
が、その他、光に対して反応する材料であれば、液体状
のレジスト等を用いてもよく、或いはゴム製レジスト
等、化学的処理に対して不溶性、耐性を持つ各種の材料
をレジストとして採用できる。

【００１６】そして、図４（ｂ）に示すように第二のフ
ォトレジスト層２４に所定のパターンのフォトマスク２
５を施して露光する。この場合、図５（ａ）に示すよう
に、第一及び第二のフォトレジスト層２３，２４のマス
ク２５で覆われていない光が当たった領域が硬化する
が、第一のフォトレジスト層２３は第二のフォトレジス
ト層２４より高感度であり、そのために第一のレジスト
層２３では光が当たる広い領域ｅ１に亘って十分に硬化
し、第二のフォトレジスト層２４では低感度であるため
に硬化が不十分であり、中央付近の領域ｅ２が硬化する
ことになる。そして、図４（ｃ）、図５（ｂ）に示すよ
うにフォトレジスト層２３，２４を現像してパターン配
線１３となる部分を除去して、残存する第一及び第二の
フォトレジスト層２３，２４に開口部２６が形成され
る。

【００１７】この場合、第一のフォトレジスト層２３と
第二のフォトレジスト層２４とは溶解度に差があるため
に、第一のフォトレジスト層２３の第一開口部２３ａは
第二のフォトレジスト層２４の第二開口部２４ａよりも
ベースメタル層２２に略平行な方向の断面積が小さく形
成され、開口部２６は第一のフォトレジスト層２３の第
一開口部２３ａと第二のフォトレジスト層２４の第二開
口部２４ａとで、各レジスト層の厚みに従って各レジス
ト層毎に幅の異なる段付きの断面形状として形成され
る。このようにしてパターン配線１３をめっき等で形成
するための第一及び第二レジスト層２３，２４による型
２７が形成される。

【００１８】〔電解めっき工程〕 図４（ｄ）に示すように、第一及び第二のフォトレジス
ト層２３，２４の各開口部２６に、コンタクトピン１３
ａに供される第二の金属層をめっき処理により形成す
る。即ち、各開口部２６にパターン配線１３となるＮｉ
またはＮｉ合金層Ｎを電解めっき処理により形成する。
これにより、パターン配線１３は、第一の開口部２３ａ
にめっき形成される断面略四角形の凸部２０と、第二の
開口部２４ａにめっき形成される例えば凸部２０より幅
の広い断面略四角形の基部１９とによって一体形成され
る。その後、図４（ｅ）に示すように第一及び第二のフ
ォトレジスト層２３，２４が除去される。

【００１９】〔フィルム被着工程〕 次に図４（ｆ）に示すように、ＮｉまたはＮｉ合金層Ｎ
の上であって、図１に示した、パターン配線１３の先端
即ちコンタクトピン１３ａとなる部分以外に、樹脂フィ
ルム１２を接着剤１２ａにより接着する。この樹脂フィ
ルム１２はポリイミド樹脂ＰＩに金属フィルム（銅箔）
１４が一体に設けられた二層テープである。この樹脂フ
ィルム１２の被着工程の前までに、二層テープの金属フ
ィルム１４の銅面に、銅エッチングの後、用途により金
めっきを施して、グラウンド面を形成しておき、このフ
ィルム被着工程では二層テープのうちのポリイミド樹脂
ＰＩの樹脂面を接着剤１２ａを介してＮｉまたはＮｉ合
金層Ｎに被着させる。尚、金属フィルム１４は必ずしも
銅箔である必要はない。

【００２０】〔分離工程〕 そして、図４（ｇ）に示すように、樹脂フィルム１２と
パターン配線１３とベースメタル層２２とからなる部分
を、支持金属板２１から分離させた後、Ｃｕエッチング
を経て樹脂フィルム１２にパターン配線１３のみを接着
させた形状となる。 〔金コーティング工程〕 次に露出状態のパターン配線１３に、Ａｕめっきを施
し、表面にＡｕめっき層Ａを形成する。このとき、樹脂
フィルム１２から突出状態とされたコンタクトピン１３
ａでは、全種に亘る表面全体にＡｕ層Ａが形成される。
以上の工程により、図１乃至図３に示すような、上述の
コンタクトプローブ１０が製作される。

【００２１】本実施の形態により製造されるコンタクト
ピン１３ａを備えたコンタクトプローブ１０は上述のよ
うな構成を備えており、このコンタクトプローブ１０は
例えば図６に示すようなプローブ装置４０に装着されて
被検査部材の電気的テストに供される。即ち、図６に示
すプローブ装置４０では、トップクランプ４１に支持さ
れたマウンティングベース４２の下面にコンタクトプロ
ーブ１０が先端側部分を下方に向けた傾斜状態にして固
定されており、パターン配線１３のコンタクトピン１３
ａとＩＣチップＣのバンプ１４とが正確に位置合わせさ
せられている。またコンタクトプローブ１０の窓部１７
に設けられた引き出し用配線１６に、ボトムクランプ４
３の弾性体４４を押しつけて、引き出し用配線１６をプ
リント基板４５の電極に接触させてパターン配線１３か
ら得られた信号を外部に伝達できるようになっている。
他方、被検査部材の一例としてのＩＣチップＣのバンプ
１４は上述したように被接触部１４ａが凹面形状とされ
ている。

【００２２】そして、プローブ装置４０にコンタクトプ
ローブ１０を装着した状態で、コンタクトピン１３ａを
図７及び８に示すようなバンプ１４の凹面形状の被接触
部１４ａに接触させてオーバードライブをかけた際、各
コンタクトピン１３ａの凸部２０は被接触部１４ａの底
部１４ｃに当接すると共に、凸部２０の両側部で凸部２
０から引っ込められた基部１９の表面１９ａ，１９ａは
被接触部１４ａの突条部１４ｂ，１４ｂに当接する。そ
のためにコンタクトピン１３ａとバンプ１４の被接触部
１４ａとの間で十分な接触面積を確保できて、確実な導
通を図れる。しかもバンプ１４の凹面形状の被接触部１
４ａの底部１４ｃにコンタクトピン１３ａの凸部２０が
落ち込んで接触するから確実な接触状態を得ることがで
きる。

【００２３】上述のように本実施の形態によれば、ＩＣ
チップＣ等のバンプ１４の被接触部１４ａが凹面形状で
あっても、コンタクトプローブ１０のコンタクトピン１
３ａの接触部を確実に接触させることができる上に十分
な接触面積を確保でき、バンプ１４に対するコンタクト
性に優れたコンタクトピン１３ａ及び該コンタクトピン
１３ａを備えたコンタクトプローブ１０を製造すること
ができる。しかも従来のコンタクトプローブの製造方法
において、パターン形成工程で感度の異なる複数層の第
一及び第二フォトレジスト層２３，２４を配置するだけ
で、接触部が凸部２０を有する三次元形状とされたコン
タクトピン１３ａを製作することができ、製作が簡単か
つ容易である。

【００２４】尚、上述した実施の形態によるコンタクト
プローブ１０の製造方法では、パターン形成工程でフォ
トレジスト層２３，２４をネガ型フォトレジストによっ
て形成したが、ポジ型フォトレジストを採用してもよ
い。図９はポジ型フォトレジストを用いた場合のコンタ
クトプローブ１０の製造方法の一部の工程を示すもので
あり、その他の工程は図４に示す実施の形態と同一であ
る。この場合には、図９（ａ）に示すレジスト層形成工
程において、ベースメタル層２２上に比較的低感度の第
一のフォトレジスト層３０を形成して、その上に比較的
高感度の第二のフォトレジスト層３１を形成する。そし
て、図９（ｂ）に示す露光工程において、フォトマスク
２５を第二のフォトレジスト層３１上に乗せて露光す
る。その後に現像することで、第一のフォトレジスト層
３０では比較的断面積の小さい第一開口部３０ａが形成
され、第二のフォトレジスト層３１では比較的断面積の
大きい第二開口部３１ａが形成される。このようにし
て、これら第一及び第二開口部３０ａ，３１ａからなる
段付き形状の開口部３２が形成されることになる（図９
（ｃ）参照）。

【００２５】尚、上述の実施の形態により製造されるコ
ンタクトピン１３ａの基部１９及び凸部２０を有する構
成はパターン配線１３の全長に亘って形成されている
が、必ずしも全長に亘って形成されている必要はなく、
少なくともバンプ１４等の電極端子との接触部に形成さ
れていればよい。また、上述の実施の形態によるコンタ
クトプローブ１０の製造方法において、パターン配線１
３とされるＮｉまたはＮｉ合金部Ｎは電解めっきによっ
て形成されているが、めっきに限定されることなくその
他の方法、例えばスパッタリングによって製造されるこ
ととしてもよい。

【００２６】また、上述の実施の形態では、フォトレジ
スト層として第一のレジスト層２３，３０と第二のレジ
スト層２４，３１の２層構造について説明したが、フォ
トレジスト層としては２層構造に限定されることなく、
それぞれ感度の異なる３種以上のフォトレジスト層を積
層してもよく、これによってそれぞれ各層毎に断面積が
異なって各層の境界で段差を有する開口部を形成するこ
とができる。また開口部の構成についても、第一の金属
層２２側の開口部部分の断面積を小さくする構成に限定
されることはなく、フォトレジスト層の積層方向に任意
の感度を有する複数種類のフォトレジストを積層して、
任意の異なる断面積を深さ方向に有する開口部部分を連
結して構成してもよい。

【００２７】

【発明の効果】上述のように、本発明に係るコンタクト
ピン及びコンタクトプローブの製造方法によれば、従来
のコンタクトプローブの製造方法を用いて、その過程で
感度の異なるレジストを複数層施すだけで、コンタクト
ピンの接触部に適宜の凸部を形成できるから、その製造
が簡単かつ容易である。またマスクは、断面積がその深
さ方向に異なる開口部を備えたマスク用フィルムからな
るため、コンタクトピンの接触部に適宜の凸部を簡単か
つ容易に形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態により製造されるコンタ
クトプローブの概略平面図である。

【図２】 図１に示すコンタクトプローブのＡ−Ａ線断
面図である。

【図３】 図１に示すコンタクトプローブのＢ−Ｂ線断
面図である。

【図４】 （ａ）〜（ｈ）は実施の形態によるコンタク
トプローブの製造方法の各工程を示す図である。

【図５】 図４の（ｂ）、（ｃ）に示すパターン形成工
程の説明図であって、（ａ）は露光工程、（ｂ）は開口
部形成工程を示す図である。

【図６】 実施の形態により製造されるコンタクトプロ
ーブが装着されたプローブ装置の中央縦断面図である。

【図７】 実施の形態により製造されるコンタクトプロ
ーブのコンタクトピンとＩＣチップのパッドとを分離状
態で示す要部斜視図である。

【図８】 図７に示すコンタクトピンとパッドの接触状
態を示す断面図である。

【図９】 本発明によるコンタクトプローブの製造方法
の他の例を示すパターン形成に関わる要部工程図であっ
て、（ａ）はレジスト層形成工程、（ｂ）は露光工程、
（ｃ）は開口部形成工程を示す図である。

【図１０】 従来のコンタクトプローブの先端部の構成
を示す要部斜視図である。

【図１１】 図１０に示すコンタクトプローブが装着さ
れたプローブ装置の要部縦断面図である。

【図１２】 プローブ装置のコンタクトピンとＩＣチッ
プのパッドとを分離状態で示す要部斜視図である。

【図１３】 プローブ装置のコンタクトピンとＩＣチッ
プのバンプとを分離状態で示す要部斜視図である。

【図１４】 図１３に示すコンタクトピンとバンプとの
接触状態を示す要部正面図である。

【符号の説明】

１０ コンタクトプローブ １２ 樹脂フィルム １３ パターン配線 １３ａ コンタクトピン １９ 基部 ２０ 凸部 ２３，３０ 第一のフォトレジスト ２３ａ，３０ａ 第一開口部 ２４，３１ 第二のフォトレジスト ２４ａ，３１ａ 第二開口部 ２５ フォトマスク ２６ 開口部 Ｃ ＩＣチップ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−15113（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−313775（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−115637（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01R 1/06 - 1/073 C25D 1/00

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フィルム上に形成された複数のパターン
   配線の各先端が前記フィルムから突出してなるコンタク
   トピンの製造方法であって、 前記コンタクトピンの材質に被着または結合する材質の
   第一の金属層を形成する第一の金属層形成工程と、 前記第一の金属層の上に断面積がその深さ方向に異なる
   開口部を備えたマスクを施すパターン形成工程と、 前記開口部に前記コンタクトピンとなる第二の金属層を
   形成する第二金属層形成工程とを備え、 前記マスクは、前記第一の金属層の上に露光に対する感
   度の異なる複数層のレジストを施して、フォトマスクを
   介して露光することで前記複数層のレジストに断面積が
   その深さ方向に異なる開口部を形成してなることを特徴
   とするコンタクトピンの製造方法。
2. 【請求項２】 フィルム上に複数のパターン配線を形成
   し、これらのパターン配線の各先端が前記フィルムから
   突出してコンタクトピンとされるコンタクトプローブの
   製造方法であって、 前記コンタクトピンの材質に被着または結合する材質の
   第一の金属層を形成する第一の金属層形成工程と、 前記第一の金属層の上に断面積がその深さ方向に異なる
   開口部を備えたマスクを施すパターン形成工程と、 前記開口部に前記コンタクトピンとなる第二の金属層を
   形成する第二金属層形成工程と、 前記マスクを取り除いた第二の金属層の上に前記フィル
   ムを被着するフィルム被着工程と、 前記フィルムと第二の金属層とからなる部分を、前記第
   一の金属層から分離する分離工程とを備え、 前記マスクは、前記第一の金属層の上に露光に対する感
   度の異なる複数層のレジストを施して、フォトマスクを
   介して露光することで前記複数層のレジストに断面積が
   その深さ方向に異なる開口部を形成してなることを特徴
   とするコンタク トプローブの製造方法。