JP3822724B2 - コンタクトプローブの製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ＩＣチップや液晶デバイス等の各端子にコンタクトピンをそれぞれ接触させて電気的なテストを行うコンタクトプローブの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＩＣチップやＬＳＩチップ等の半導体チップ又はＬＣＤ（液晶表示体）の各端子に接触させて電気的なテストを行うためには、プローブ装置が用いらられている。ここで、このようなプローブ装置に使用されるコンタクトプローブおよびその製造方法について順次説明する。
【０００３】
図１４に示すように、コンタクトプローブ１は、ポリイミド樹脂フィルム２の片面に金属で形成されるパターン配線３を張り付けた構造となっており、前記樹脂フィルム２の端部から前記パターン配線３の先端が突出してコンタクトピン３ａとされている。なお、符号４はコンタクトプローブ１を図示しないベース部材に位置合せするための位置合わせ穴を示している。
【０００４】
図１５は上記コンタクトプローブ１の製造方法を工程順に示す要部断面図である。
〔ベースメタル層形成工程〕
先ず、図１５（ａ）に示すように、Ｃｕ（銅）メッキにより、支持金属板５の上にベースメタル層６を形成する。
【０００５】
〔レジストパターン形成工程〕
このベースメタル層６の上にフォトレジスト層７を形成した後、図１５（ｂ）に示すように、写真製版技術によりフォトレジスト層７に所定のパターンのフォトマスク８を施して露光し、図１５（ｃ）に示すように、フォトレジスト層７を現像して、フォトレジスト層７に前記パターン配線３となる部分を除去して開口部７ａを形成する。ここで、図１６はフォトレジスト層７の平面図（ハッチングを施した部分にフォトレジスト層７が存在する）であり、図１５（ｃ）および図１６に示すように、フォトレジスト層７の各開口部７ａはパターン配線３を形成するための空間であり、各開口部７ａはそれぞれの一端（図１６における右端）で開口している。この開口している理由は、後述するコーティング工程において、メッキ法によりパターン配線３に貴金属をコーティング処理する際の共通電極を設けるためである。
【０００６】
〔電解メッキ工程〕
そして、図１５（ｄ）に示すように、前記開口部７ａに前記パターン配線３となるＮｉまたはＮｉ合金層Ｎをメッキ処理により形成した後、図１５（ｅ）に示すように、フォトレジスト層７を除去する。これにより、断面高縦横比（アスペクト比）の複数のパターン配線３が共通電極（不図示）に狭ピッチで接続された櫛状パターンが形成される。ここで、狭ピッチとは、ピッチが１００μｍ以下の場合をいい、断面高縦横比（アスペクト比）とは、パターン配線３の断面における高さ寸法ｈと幅寸法Ｂとの比、すなわちｈ／Ｂを示し、これが１以上であると、断面縦横比が高いすなわち高アスペクト比であるという。
【０００７】
〔フィルム被着工程〕
次に、図１５（ｆ）に示すように、前記ＮｉまたはＮｉ合金層Ｎの上であって、図１４に示した前記パターン配線３の先端、すなわち、コンタクトピン３ａとなる部分以外に、前記樹脂フィルム２を接着剤２ａにより接着する。この樹脂フィルム２は、例えばポリイミド樹脂ＰＩに金属フィルム（例えば銅箔）５００が一体に設けられた二層テープである。
【０００８】
〔分離工程〕
そして、図１５（ｇ）に示すように、樹脂フィルム２とパターン配線３とベースメタル層６とからなる部分を、支持金属板５から分離させた後、ベースメタル層６を取り除いて、樹脂フィルム２にパターン配線３のみを接着させた状態とする。
〔金コーティング工程〕
次に、前記櫛状パターンの共通電極を使用して、露出状態のパターン配線３に、図１５（ｈ）に示すように、Ａｕメッキを施し、表面にＡｕメッキ層Ａを形成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、特にＬＣＤ（液晶表示体）の高集積化および微細化に伴って、その端子が狭ピッチ化されるとともに、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化が要望されている。これに応じて、ＬＣＤ用コンタクトプローブのパターン配線は、幅寸法が一様に小さく、断面高縦横比のものが要求される。このような狭ピッチおよび断面高縦横比のパターン配線をメッキにて作製する際に、図１６に示したように、フォトレジスト層７の複数の規定パターン７ｂも同様に、狭ピッチおよび断面高縦横比を満たしていなければならない。ここで、前記規定パターン７ｂの断面縦横比とは、高さ寸法ｈ（図１５（ｃ）参照）と幅寸法ｂ（図１５（ｃ）参照）との比である。ところが、狭ピッチでありながら断面高縦横比を達成しようとすると、例えば図１５（ｃ）および図１６に示すように、前記規定パターン７ｂの高さ寸法ｈおよびピッチＰ（図１５（ｃ）および図１６参照）がそれぞれ１００μｍの場合、前記規定パターン７ｂの幅ｂは５０μｍしかなく（縦横比ｈ／ｂは１）、前記規定パターン７ｂとベースメタル層（下地金属）との接触面積が小さくなる。
【００１０】
その結果、図１７に示すように、現像の際に、前記規定パターン７ｂが特に現像液により大きな衝撃を受けた場合、前記規定パターン７ｂの特に開口端側（自由端側）が部分的にベースメタル層６（下地金属）からはがれて、曲がり、結果的に、パターン配線３を所望のパターン通りにメッキすることができないという問題点がある。
【００１１】
本発明は、上記従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、狭ピッチで断面高縦横比のパターン配線を、設計通りにまっすぐにパターンニングできるコンタクトプローブの製造方法を提供することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明は、フィルム上に、断面高縦横比の複数のパターン配線を並列に形成し、これらのパターン配線の各先端部を前記フィルムから突出状態に配してコンタクトピンとされるコンタクトプローブの製造方法であって、
ベースメタル層上の一部領域に、フォトレジスト層を形成した後、このフォトレジスト層に所定のパターンのフォトマスクを施して露光し、さらに、現像することにより、前記フォトレジスト層より、前記複数のパターン配線、各パターン配線の各後端よりそれぞれ延びる配線延長部、および各配線延長部が並列に接続される共通電極から構成される櫛状パターンとなる部分を除去するレジストパターン形成工程と、
前記フォトレジスト層の前記除去された部分に、前記櫛状パターンに供される金属層をメッキ処理して前記櫛状パターンを形成するメッキ処理工程と、
前記パターン配線上に、前記コンタクトピンに供される部分以外をカバーする前記フィルムを被着するフィルム被着工程と、
前記フィルムと前記パターン配線とからなる部分を、前記ベースメタル層から分離する分離工程と、
前記櫛状パターンの前記共通電極を利用して、前記パターン配線の表面に、貴金属をメッキしてコーティグするコーティング工程と、
前記パターン配線を、前記配線延長部より分離するために切断する切断工程と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の作用としては、レジストパターン形成工程において、露光後に、現像液により、フォトレジスト層から、複数のパターン配線、各パターン配線の各後端よりそれぞれ延びる配線延長部、および各配線延長部が並列に接続される共通電極から構成される櫛状パターンとなる部分を除去することにより、フォトレジスト層に、前記配線延長部を形成するための延長パターンが形成される。したがって、この延長パターンが現像液により衝撃を受けた場合でも、延長パターンの特に自由端側のみがベースメタル層からはがれて、曲がるにとどまり、配線パターンを形成するためのフォトレジスト層のパターンに、前記曲がりの影響が及ぼされない。そして、この曲がった延長パターンにより形成されたパターン配線の配線延長部を正規のパターン配線より分離する。
また、前記櫛状パターンの前記共通電極を利用して、一括して各パターン配線の表面に、貴金属をメッキしてコーティングできる。
【００１４】
ところで、パターン配線の狭ピッチ化や現像能力（現像液の温度、圧力、現像時間等に依存する）を高めるほど、フォトレジスト層の延長パターンの特に自由端部がベースメタル層からはがれて大きく曲がる傾向にあり、場合によっては、この曲がった自由端部が隣の延長パターンに接触して、双方の延長パターン間が共通電極から遮断される等の不具合が発生することがある。このような不具合を解消するために、請求項２を採用することが好ましい。
すなわち、請求項２の発明のように、前記パターン配線の前記配線延長部を形成するための、前記フォトレジスト層の延長パターンの少なくとも一部を、前記パターン配線を形成するための規定パターンよりも幅広（補強部）にすることにより、この幅広部の分だけ延長パターンとベースメタルとの接着面積が高まるので、結果的に、延長パターンとベースメタル層との接着強度が高まって良好な密着状態を得ることができる。したがって、フォトレジスト層の規定パターンおよび延長パターンが現像液により大きな衝撃を受けても、延長パターンが若干曲がるにとどまり、隣接する延長パターンに接触しない。また、フォトレジスト層の前記規定パターンの位置ずれは皆無となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
次に、本発明のコンタクトプローブの製造方法の一実施形態について図面を参照して説明する。
図１は本発明のコンタクトプローブの製造方法の一実施形態に係わる、現像後のフォトレジストおよび櫛状パターンの平面図、図２は本発明のコンタクトプローブの製造方法の一実施形態に係わる、フォトマスクの平面図である。
〔ベースメタル層形成工程（第１の金属層形成工程）〕
まず、図１５（ａ）に示すように、支持金属板５の上に、Ｃｕ（銅）メッキにより、例えば厚さ２５μｍのベースメタル層６を形成する。
【００１６】
〔レジストパターン形成工程〕
このベースメタル層６上の一部領域にフォトレジスト層７を形成した後、図１５（ｂ）に示すように、写真製版技術によりフォトレジスト層７に、図２に示すような、複数の溝８ａの後端が延長されて幅広の溝８００〜８０５となっているフォトマスク８を施す。この後、露光し、さらに、図１５（ｃ）に示すように、フォトレジスト層７を現像することにより、図１に示すように、フォトレジスト層７より、断面高縦横比（断面縦横比が１以上）の複数のパターン配線３、各パターン配線３の各後端よりそれぞれ延びる配線延長部３ｂ、および各配線延長部３ｂが並列に接続される共通電極Ｄから構成される櫛状パターンとなる部分を除去する。これにより、フォトレジスト層７には、各パターン配線３を形成するための規定パターン７ｂと、この規定パターン７ｂの後端よりそれぞれ延長する延長パターン７００〜７０５が形成される。規定パターン７ｂ間は従来と同様に開口部７ａとなっている。
【００１７】
延長パターン７００〜７０５の一部としての自由端部（図１では右端部）は、規定パターン７ｂよりも幅広となっており、この幅広部の具体的な形態としては、符号７００のような逆Ｌ字型のものや、符号７０１、７０３、７０４のように幅方向両側がテーパ状に徐々に拡大して矩形状の幅広部となるものや、符号７０２のようにほぼ円形のものや、符号７０５のように幅方向片側のみがテーパ状に徐々に拡大して矩形状の幅広部となるもの等が挙げられる。
【００１８】
上述のように、本実施形態の製造方法では、パターン形成工程において、露光後に、現像液により、各規定パターン７ｂ の後端に延長パターン７００〜７０５をそれぞれ形成する。そして、延長パターン７００〜７０５の後端の幅広部がベースメタル層６（下地金属）と大きな面積で良好に密着するので、断面高縦横比の規定パターン７ｂや延長パターン７００〜７０５が現像液により大きな衝撃を受けても、ベースメタル層６からはがれたり曲がったりすることはなく、設計通りのパターン配線３を形成できる。
【００１９】
上記実施形態では、延長パターン７００〜７０５の自由端部が規定パターン７ｂよりも幅広になっているが、延長パターン７００〜７０５の中途部を幅広にしてもよい。
また、延長パターンはその全長において規定パターン７ｂと同幅にしてもよい。この場合、延長パターンが現像液により大きな衝撃を受けても、延長パターンの特に自由端側のみがベースメタル層からはがれて、曲がるにとどまり、この曲がりの影響が規定パターンに及ぼされない。そして、この曲がった延長パターンにより形成されたパターン配線の配線延長部を正規のパターン配線より分離することより、曲がった前記配線延長部が製品に残らない。
なお、パターン配線の狭ピッチ化や現像能力（現像液の温度、圧力、現像時間等に依存する）を高めるほど、フォトレジスト層の延長パターンの特に自由端部がベースメタル層からはがれて大きく曲がる傾向にあり、場合によっては、この曲がった自由端部が隣の延長パターンに接触して、双方の延長パターン間が共通電極から遮断される等の不具合が発生することがある。この不具合は図１の実施形態のものでは生じないが、延長パターンをその全長において規定パターンと同幅にするものは、前記不具合を解消することはできないので、図１に示したものと比較して好ましくない。
【００２０】
なお、本実施形態においては、フォトレジスト層７をネガ型フォトレジストによって形成して、フォトレジスト層７に、フォトマスク８によって覆われた部分に開口部を形成したが、これに限られず、ポジ型フォトレジストを採用して所望の開口部７ａを形成しても構わない。ポジ型フォトレジストを採用する場合には、これに応じて、フォトマスクを図１に示したフォトレジストと同じパターンのものを用いる。
【００２１】
〔電解メッキ工程〕
そして、図１５（ｄ）に示すように、フォトレジスト層７の前記除去された部分（開口部７ａや、各延長パターン７００〜７０５の間等）に、前記櫛状電極となる、ＮｉまたはＮｉ合金層Ｎをメッキ処理により形成した後、図１５（ｅ）に示すように、フォトレジスト層７を除去する。
【００２２】
〔フィルム被着工程〕
次に、図１５（ｆ）に示すように、前記ＮｉまたはＮｉ合金層Ｎの上であって、図４に示すように、前記パターン配線３の先端、すなわち、コンタクトピン３ａとなる部分以外に、前記樹脂フィルム２を接着剤２ａにより接着する。この樹脂フィルム２は、ポリイミド樹脂ＰＩに金属フィルム５００が一体に設けられた二層テープである。このフィルム被着工程の前までに、二層テープのうちの金属フィルム５００に、写真製版技術を用いて、グラウンド面を形成しておき、このフィルム被着工程では、二層テープのうちのポリイミド樹脂ＰＩを接着剤２ａを介して前記ＮｉまたはＮｉ合金層Ｎに被着させる。
【００２３】
〔分離工程〕
そして、図１５（ｇ）に示すように、樹脂フィルム２とパターン配線３とベースメタル層６とからなる部分を、支持金属板５から分離させた後、ベースメタル層６を取り除いて、樹脂フィルム２にパターン配線３のみを接着させた状態とする。
【００２４】
〔金コーティング工程〕
次に、前記共通電極Ｄを利用して、露出状態のパターン配線３や配線延長部３ｂに、図１５（ｈ）に示すように、Ａｕメッキを施し、表面にＡｕメッキ層Ａを形成する。このとき、樹脂フィルム２から突出状態とされた前記コンタクトピン３ａでは、全周に亙る表面全体にＡｕ層Ａが形成される。
【００２５】
〔切断工程〕
最後に、ＩＣプローブ用（あるいはＬＣＤプローブ用）の所定形状に切り出すとともに、正規のパターン配線３をその延長配線部３ｂより分離するために切断する（切断箇所は図１中の符号Ｋで示される）。
以上の工程により、図３および図４に示すような、樹脂フィルム２に、断面高縦横比（断面縦横比が１以上）のパターン配線３を狭ピッチ（ピッチが１００μｍ以下）で接着させたコンタクトプローブ１が作製される。
【００２６】
図３は、前記コンタクトプローブ１をＩＣプローブとして所定形状に切り出したものを示す図であり、図４は、図３のＣ−Ｃ線断面図である。図３および図４に示すように、コンタクトプローブ１の樹脂フィルム２には、コンタクトプローブ１を固定するための孔９が設けられ、また、パターン配線３から得られた信号引き出し用配線１０を介してプリント基板２０（図６参照）に伝えるための窓１１が設けられている。
【００２７】
次に、図５乃至図７を参照して、前記コンタクトプローブ１をメカニカルパーツ６０に組み込んでプローブ装置（プローブカード）７０にする構成について説明する。なお、本実施形態に係るコンタクトプローブ１は、全体が柔軟で曲げやすいため、プローブ装置に組み込む際にフレキシブル基板として機能する。
【００２８】
前記メカニカルパーツ６０は、マウンティングベース３０と、トップクランプ４０と、ボトムクランプ５０とからなっている。まず、プリント基板２０の上にトップクランプ４０を取付け、次に、コンタクトプローブ１を取り付けたマウンティングベース３０をトップクランプ４０にボルト穴４１にボルト４２を螺合させて取り付ける（図７参照）。そして、ボトムクランプ５０でコンタクトプローブ１を押さえ込むことにより、パターン配線３を一定の傾斜状態に保ち、該パターン配線３の先端に位置するコンタクトピン３ａをＩＣチップＩに押しつける。
【００２９】
図６は、組立終了後のプローブ装置７０を示している。図７は、図６のＥ−Ｅ線断面図である。樹脂フィルム２の先端側は、前記下面３２に当接して下方に傾斜した状態で支持され、コンタクトピン３ａはＩＣチップＩに接触している。
【００３０】
前記マウンティングベース３０には、コンタクトプローブ１の位置を調整するための位置決めピン３１が設けられており、この位置決めピン３１をコンタクトプローブ１の前記位置合わせ穴４に挿入することにより、パターン配線３とＩＣチップＩとを正確に位置合わせすることができるようになっている。コンタクトプローブ１に設けられた窓１１の部分のパターン配線３に、ボトムクランプ５０の弾性体５１を押しつけて、前記引き出し用配線１０をプリント基板２０の電極２１に接触させ、パターン配線３から得られた信号を電極２１を通して外部に伝えることができるようになっている。
【００３１】
上記のように構成されたプローブ装置７０を用いて、ＩＣチップＩのプローブテスト等を行う場合は、プローブ装置７０をプローバーに装着するとともにテスターに電気的に接続し、所定の電気信号をパターン配線３のコンタクトピン３ａからウェーハ上のＩＣチップＩに送ることによって、該ＩＣチップＩからの出力信号がコンタクトピン３ａからテスターに伝送され、ＩＣチップＩの電気的特性が測定される。
【００３２】
なお、上記の実施形態においては、コンタクトプローブ１をプローブカードであるプローブ装置７０に適用したが、他の測定用治具等に採用しても構わない。例えば、ＩＣチップを内側に保持して保護し、ＩＣチップのバーンインテスト用装置等に搭載されるＩＣチップテスト用ソケット等に適用してもよい。
【００３３】
次に、図８乃至図１３を参照して、コンタクトプローブおよびプローブ装置の他の例について説明する。
このコンタクトプローブ２００は、ＩＣプローブ用として所定形状に切り出したコンタクトプローブ１（図３および図４参照）を、それに代えてＬＣＤ用プローブ用として所定形状に切り出して使用するものである。なお、符号２０１は樹脂フィルムである。
【００３４】
図１１に示すように、ＬＣＤ用プローブ装置（プローブ装置）１００は、コンタクトプローブ挟持体１１０と、このコンタクトプローブ挟持体１１０を額縁状フレーム１２０に固定してなる構造を有しており（実際には複数個のコンタクトプローブ挟持体１１０が取り付けられるがここでは１つのみを図示した）、このコンタクトプローブ挟持体１１０から突出したコンタクトピン３ａの先端がＬＣＤ（液晶表示体）９０の端子（図示せず）に接触するようになっている。
【００３５】
図１０に示すように、コンタクトプローブ挟持体１１０は、トップクランプ１１１とボトムクランプ１１５とを備えている。トップクランプ１１１は、コンタクトピン３ａの先端を押さえる第一突起１１２、ドライバーＩＣであるＴＡＢＩＣ（回路）３００側の端子３０１を押さえる第二突起１１３およびリードを押さえる第三突起１１４を有している。ボトムクランプ１１５は、傾斜板１１６、取付板１１７および底板１１８から構成されている。
【００３６】
コンタクトプローブ２００を傾斜板１１６の上に載置し、さらにＴＡＢＩＣ３００の端子３０１がコンタクトプローブ２００の樹脂フィルム２０１，２０１間に位置するように載置する。その後、トップクランプ１１１を第一突起１１２が樹脂フィルム２０１の上でかつ第二突起１１３が端子３０１に接触するように乗せボルトにより組み立てる。
【００３７】
図１２に示すように、コンタクトプローブ２００を組み込み、ボルト１３０によりトップクランプ１１１とボトムクランプ１１５を組み合わせることにより、コンタクトプローブ挟持体１１０が作製される。
【００３８】
上記コンタクトプローブ挟持体１１０は、図１３に示すように、ボルト１３１により固定されてＬＣＤ用プローブ装置１００に組み立てられる。ＬＣＤ用プローブ装置１００を用いたＬＣＤ９０の電気的テストは、ＬＣＤ用プローブ装置１００のコンタクトピン３ａの先端をＬＣＤ９０の端子（図示せず）に接触させた状態で、ＴＡＢＩＣ３００を駆動させて種々のテスト用信号を送り、該信号に反応してコンタクトピン３ａから得られた信号をＴＡＢＩＣ３００を通して外部に取り出すことにより行われる。なお、ＬＣＤ９０の場合は、ＯＮ−ＯＦＦのみがテストされるため、前記ＩＣのテストに比べて、高周波特性は特に問題とされない。
【００３９】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したとおりに構成されているので、以下に記載するような効果を奏する。
請求項１に記載の発明は、レジストパターン形成工程において、露光後に、現像液により、フォトレジスト層から、複数のパターン配線、各パターン配線の各後端よりそれぞれ延びる配線延長部、および各配線延長部が並列に接続される共通電極から構成される櫛状パターンとなる部分を除去する際に、フォトレジスト層に、前記配線延長部を形成するための延長パターンが形成される。したがって、この延長パターンが現像液により衝撃を受けた場合でも、延長パターンの特に自由端側のみがベースメタル層からはがれて、曲がるにとどまり、配線パターンを形成するためのフォトレジスト層の規定パターンに、前記曲がりの影響が及ぼされない。そして、この曲がった延長パターンにより形成されたパターン配線の配線延長部を正規のパターン配線より分離することにより、結果的に、各パターン配線をそれぞれまっすぐに設計通りに形成できるという効果を奏する。
また、櫛状パターンの前記共通電極を利用して、一括して各パターン配線の表面に、貴金属をメッキしてコーティグできる。
【００４０】
請求項２の発明のように、前記パターン配線の前記配線延長部を形成するための、前記フォトレジスト層の延長パターンの一部を、前記パターン配線を形成するための規定パターンよりも幅広（補強部）にすることにより、この幅広部の分だけ延長パターンとベースメタルとの接着面積が高まるので、延長パターンとベースメタル層との接着強度が高まって良好な密着状態を得ることができる。したがって、パターン配線の狭ピッチ化や現像能力を高めて、フォトレジスト層の規定パターンおよび延長パターンが現像液により大きな衝撃を受ける場合でも、延長パターンが若干曲がるにとどまり、隣接する延長パターンに接触しない。また、フォトレジスト層の前記規定パターンの位置ずれを確実に防止できる。
そして、本発明は、特に前記パターン配線の断面縦横比およびピッチがそれぞれ、１以上および１００μｍ以下の場合に、上記効果をより発揮することができて、極めて有用なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明のコンタクトプローブの製造方法の一実施形態に係わる、現像後のフォトレジストおよび櫛状パターン等の平面図である。
【図２】 本発明のコンタクトプローブの製造方法の一実施形態に係わる、フォトマスクの平面面図である。
【図３】 本発明に係るコンタクトプローブの一例を示す平面図である。
【図４】 図３のＣ−Ｃ線断面図である。
【図５】 本発明に係るコンタクトプローブの一例を組み込んだプローブ装置の一例を示す分解斜視図である。
【図６】 本発明に係るコンタクトプローブの一例を組み込んだプローブ装置の一例を示す要部斜視図である。
【図７】 図６のＥ−Ｅ線断面図である。
【図８】 本発明に係るコンタクトプローブの他の例を示す斜視図である。
【図９】 図８のＡ−Ａ線断面図である。
【図１０】 図８に示したコンタクトプローブ用のコンタクトプローブ挟持体を示す分解斜視図である。
【図１１】 本発明に係わるコンタクトプローブの他の例を組み込んだプローブ装置を示す斜視図である。
【図１２】 図８に示したコンタクトプローブ用のコンタクトプローブ挟持体を示す斜視図である。
【図１３】 図１０のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１４】 従来技術を説明するためのコンタクトプローブの要部斜視図である。
【図１５】 従来技術および本発明を説明するための、コンタクトプローブの製造方法を工程順に示す要部断面図である。
【図１６】 従来のコンタクトプローブの製造方法に係わる、現像後のフォトレジストの平面図である。
【図１７】 従来のコンタクトプローブの製造方法における問題点を説明するための、現像後のフォトレジストの平面図である。
【符号の説明】
１ コンタクトプローブ
２ フィルム（樹脂フィルム）
３ パターン配線
３ａ コンタクトピン
３ｂ 配線延長部
５ 基板層（支持金属板）
６ 第１の金属層（ベースメタル層）
７ フォトレジスト層
７ａ 開口部
７ｂ 規定パターン
２０ 基板（プリント基板）
２１ 端子（電極）
３０ 傾斜保持部材（マウンティングベース）
７０ プローブ装置（プローブカード）
１００ プローブ装置
１１０ コンタクトプローブ挟持体
２００ コンタクトプローブ
２０１ フィルム
３００ 回路（ＴＡＢＩＣ）
３０１ 端子
５００ 金属フィルム
７００〜７０５ 延長パターン
Ｄ 共通電極
Ｎ 第２の金属層（ＮｉまたはＮｉ合金層）
Ｋ 切断箇所

Claims (3)

1. フィルム（２，２０１）上に、断面高縦横比の複数のパターン配線（３）を並列に形成し、これらのパターン配線（３）の各先端部を前記フィルム（２，２０１）から突出状態に配してコンタクトピン（３ａ）とされるコンタクトプローブの製造方法であって、
   ベースメタル層（６）上の一部領域に、フォトレジスト層（７）を形成した後、このフォトレジスト層（７）に所定のパターンのフォトマスク（８）を施して露光し、さらに、現像することにより、前記フォトレジスト層（７）より、前記複数のパターン配線（３）、前記各パターン配線（３）の各後端よりそれぞれ延びる配線延長部（３ｂ）、および各配線延長部（３ｂ）が並列に接続される共通電極（Ｄ）から構成される櫛状パターンとなる部分を除去するレジストパターン形成工程と、
   前記フォトレジスト層（７）の前記除去された部分に、前記櫛状パターンに供される金属層（Ｎ）をメッキ処理して前記櫛状パターンを形成するメッキ処理工程と、
   前記パターン配線（３）上に、前記コンタクトピン（３ａ）に供される部分以外をカバーする前記フィルム（２，２０１）を被着するフィルム被着工程と、
   前記フィルム（２，２０１）と前記パターン配線（３）とからなる部分を、前記ベースメタル層（６）から分離する分離工程と、
   前記櫛状パターンの前記共通電極（Ｄ）を利用して、前記パターン配線（３）の表面に、貴金属をメッキしてコーティグするコーティング工程と、
   前記パターン配線（３）を、前記配線延長部（３ａ）より分離するために切断する切断工程と、
   を備えていることを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
2. 請求項１に記載のコンタクトプローブの製造方法において、前記パターン配線（３）の前記配線延長部（３ｂ）を形成するための、前記フォトレジスト層（７）の延長パターン（７００〜７０５）の少なくとも一部は、前記パターン配線（３）を形成するための規定パターン（７ｂ）よりも幅広になっていることを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
3. 請求項１または請求項２に記載のコンタクトプローブの製造方法において、前記パターン配線（３）の断面縦横比およびピッチはそれぞれ、１以上および１００μｍ以下となっていることを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。

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