JP2003139797A - コンタクトプローブ及びその製造方法 - Google Patents
コンタクトプローブ及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 多ピン，狭ピッチのコンタクトプローブを得
る。 【解決手段】 まず、フィルム５とＣｕ層６からなる２
層テープ７を用意し（ａ）、Ｃｕ層６上にＣｕ層８をメ
ッキする（ｂ）。次に、レジスト層９を形成した後
（ｃ）、フォトマスク１０を用いて露光し（ｄ）、露光
されたレジスト層９を除去してエッチング可能な部分１
１を形成する（ｅ）。次に、エッチング可能部１１のＣ
ｕ層６、８をエッチング処理により除去する（ｆ）。次
に、レジスト層９を除去した後、Ｃｕ層６、８の表面に
Ｃｕ層１２をメッキする（ｇ）。次に、配線パターン３
ａの先端部であるコンタクトピンに相当する部分以外の
部分をマスキングした状態で、（ｈ）のように、Ｎｉ、
Ｎｉ合金、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ等の接点材料のパンプメッ
キを施して、バンプ状の突起１３を形成する。次に、フ
ィルム５のコンタクトピンとなる部分をレーザ光により
焼いて除去する。
る。 【解決手段】 まず、フィルム５とＣｕ層６からなる２
層テープ７を用意し（ａ）、Ｃｕ層６上にＣｕ層８をメ
ッキする（ｂ）。次に、レジスト層９を形成した後
（ｃ）、フォトマスク１０を用いて露光し（ｄ）、露光
されたレジスト層９を除去してエッチング可能な部分１
１を形成する（ｅ）。次に、エッチング可能部１１のＣ
ｕ層６、８をエッチング処理により除去する（ｆ）。次
に、レジスト層９を除去した後、Ｃｕ層６、８の表面に
Ｃｕ層１２をメッキする（ｇ）。次に、配線パターン３
ａの先端部であるコンタクトピンに相当する部分以外の
部分をマスキングした状態で、（ｈ）のように、Ｎｉ、
Ｎｉ合金、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ等の接点材料のパンプメッ
キを施して、バンプ状の突起１３を形成する。次に、フ
ィルム５のコンタクトピンとなる部分をレーザ光により
焼いて除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ＩＣチップ
や液晶デバイス等の電気的なテストを行う場合に、それ
らの検査対象に設けられた多数の端子にそれぞれ接触さ
せる多数のコンタクトピンを有するコンタクトプローブ
及びその製造方法に関するものである。
や液晶デバイス等の電気的なテストを行う場合に、それ
らの検査対象に設けられた多数の端子にそれぞれ接触さ
せる多数のコンタクトピンを有するコンタクトプローブ
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ＩＣチップや液晶デバイス
等の電気的なテストを行う装置においては、図５に示す
ような、フィルム２に多数のコンタクトピン３及び位置
決め穴４が設けられたコンタクトプローブ１が用いられ
ている。尚、各コンタクトピン３はフィルム２に形成さ
れた多数の配線パターン３ａとして延長されている。即
ち、これらの配線パターン３ａの先端部がフィルム２の
縁部から突出してコンタクトピン３となっている。この
コンタクトプローブ１を位置決め穴４を用いて装置の所
定位置に取り付け、各コンタクトピン３を検査対象であ
る半導体ＩＣチップや液晶デバイスに設けられた多数の
端子にそれぞれ接触させた状態でテストを行うようにし
ている。
等の電気的なテストを行う装置においては、図５に示す
ような、フィルム２に多数のコンタクトピン３及び位置
決め穴４が設けられたコンタクトプローブ１が用いられ
ている。尚、各コンタクトピン３はフィルム２に形成さ
れた多数の配線パターン３ａとして延長されている。即
ち、これらの配線パターン３ａの先端部がフィルム２の
縁部から突出してコンタクトピン３となっている。この
コンタクトプローブ１を位置決め穴４を用いて装置の所
定位置に取り付け、各コンタクトピン３を検査対象であ
る半導体ＩＣチップや液晶デバイスに設けられた多数の
端子にそれぞれ接触させた状態でテストを行うようにし
ている。
【０００３】このような、コンタクトプローブ１の製造
方法として、従来より、ステンレス基板にＣｕメッキを
施し、その上にフォトレジスト法により各コンタクトピ
ンのパターンニング処理を行った後、Ｎｉメッキを施す
ことにより多数のコンタクトピンを形成し、次に、これ
にフィルムを接着した後、フィルムとコンタクトピンと
Ｃｕ層からなる部分をステンレス基板から分離させた
後、Ｃｕメッキ層を除去し、さらに、各コンタクトピン
にＡｕメッキを施すようにした方法が行われていた。
方法として、従来より、ステンレス基板にＣｕメッキを
施し、その上にフォトレジスト法により各コンタクトピ
ンのパターンニング処理を行った後、Ｎｉメッキを施す
ことにより多数のコンタクトピンを形成し、次に、これ
にフィルムを接着した後、フィルムとコンタクトピンと
Ｃｕ層からなる部分をステンレス基板から分離させた
後、Ｃｕメッキ層を除去し、さらに、各コンタクトピン
にＡｕメッキを施すようにした方法が行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のコンタクトプローブの製造方法では、各コンタクト
ピンのピッチに限界が生じており、このため、近年にお
けるＩＣチップ等の高集積化、微細化に対応できるよう
なさらに多ピン，狭ピッチのコンタクトプローブの実現
が望まれていた。
来のコンタクトプローブの製造方法では、各コンタクト
ピンのピッチに限界が生じており、このため、近年にお
けるＩＣチップ等の高集積化、微細化に対応できるよう
なさらに多ピン，狭ピッチのコンタクトプローブの実現
が望まれていた。
【０００５】本発明は、上記の実情に鑑みなされたもの
であり、多ピン，狭ピッチのコンタクトプローブを実現
することを目的としている。
であり、多ピン，狭ピッチのコンタクトプローブを実現
することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明によるコンタクトプローブは、フィルム５
上に設けられた所定形状の第１の金属層（Ｃｕ層６）
と、各第１の金属層上に設けられた第２の金属層（Ｃｕ
層８）と、これら第１及び第２の金属層の周囲に設けら
れた第３の金属層（Ｃｕ層１２）とにより複数の配線パ
ターン（配線パターン３ａ）が形成され、各配線パター
ンの先端部がコンタクトピン（コンタクトピン３）とさ
れていることを特徴とするものである。
めに、本発明によるコンタクトプローブは、フィルム５
上に設けられた所定形状の第１の金属層（Ｃｕ層６）
と、各第１の金属層上に設けられた第２の金属層（Ｃｕ
層８）と、これら第１及び第２の金属層の周囲に設けら
れた第３の金属層（Ｃｕ層１２）とにより複数の配線パ
ターン（配線パターン３ａ）が形成され、各配線パター
ンの先端部がコンタクトピン（コンタクトピン３）とさ
れていることを特徴とするものである。
【０００７】また、本発明によるコンタクトプローブ製
造方法は、フィルム上に所定形状の複数の配線パターン
が形成され、各配線パターンの先端部がコンタクトピン
とされるコンタクトプローブの製造方法であって、前記
フィルム上の略全面に設けられた第１の金属層上に第２
の金属層を形成する第１のメッキ処理工程（図１
（ｂ））と、前記第２の金属層上に所定形状のエッチン
グ可能な部分を形成するパターン形成工程（図１（ｃ）
〜（ｅ））と、前記エッチング可能な部分をエッチング
するエッチング処理工程（図１（ｆ））と、前記第１及
び第２の金属層の周囲に第３の金属層を形成する第２の
メッキ処理工程（図１（ｇ））とを備えたことを特徴と
するものである。
造方法は、フィルム上に所定形状の複数の配線パターン
が形成され、各配線パターンの先端部がコンタクトピン
とされるコンタクトプローブの製造方法であって、前記
フィルム上の略全面に設けられた第１の金属層上に第２
の金属層を形成する第１のメッキ処理工程（図１
（ｂ））と、前記第２の金属層上に所定形状のエッチン
グ可能な部分を形成するパターン形成工程（図１（ｃ）
〜（ｅ））と、前記エッチング可能な部分をエッチング
するエッチング処理工程（図１（ｆ））と、前記第１及
び第２の金属層の周囲に第３の金属層を形成する第２の
メッキ処理工程（図１（ｇ））とを備えたことを特徴と
するものである。
【０００８】さらに、本発明によるコンタクトプローブ
及びその製造方法においては、前記複数のコンタクトピ
ンの先端部の前記フィルム側の面に補強板（補強板１
４、図２（ｂ））を設けてよく、あるいはこの補強板及
び前記フィルム側の面に板バネ（板バネ１６、図２
（ｂ））を積層して設けるようにしてよい。また、前記
フィルムの前記配線パターンが設けられた面とは反対側
の面にフィルム及び金属層（第２の２層テープ１８のフ
ィルム５、Ｃｕ層６、図３）を積層して設けてよく、こ
のフィルム及び金属層上にさらに他のフィルム及び金属
層を積層して設けるようにしてよい。
及びその製造方法においては、前記複数のコンタクトピ
ンの先端部の前記フィルム側の面に補強板（補強板１
４、図２（ｂ））を設けてよく、あるいはこの補強板及
び前記フィルム側の面に板バネ（板バネ１６、図２
（ｂ））を積層して設けるようにしてよい。また、前記
フィルムの前記配線パターンが設けられた面とは反対側
の面にフィルム及び金属層（第２の２層テープ１８のフ
ィルム５、Ｃｕ層６、図３）を積層して設けてよく、こ
のフィルム及び金属層上にさらに他のフィルム及び金属
層を積層して設けるようにしてよい。
【０００９】従って、本発明によるコンタクトプローブ
及びその製造方法によれば、フィルム上に３層の金属層
からなるコンタクトピン及び配線パターンを設けたの
で、多ピン，狭ピッチのコンタクトプローブを実現する
ことができる。特に、各コンタクトピンの間における第
１及び第２の金属層をエッチングにより除去して、コン
タクトピンを形成するので、エッチングのためのパター
ン形成工程においてレジスト層を塗布する場合、レジス
ト層は薄く塗布すればよく、このため、レジスト層が傾
いて隣のレジスト層と接触したりすることがないので、
多ピン，狭ピッチのコンタクトプローブを実現すること
ができる。すなわち、レジスト層の幅と厚さとの比であ
るアスペクト比が２以上となるパターンを形成すること
が困難という制約下において、レジスト層を薄くするこ
とによってその幅を狭くすることが可能となるため、狭
ピッチのパターンを形成することが可能となる。
及びその製造方法によれば、フィルム上に３層の金属層
からなるコンタクトピン及び配線パターンを設けたの
で、多ピン，狭ピッチのコンタクトプローブを実現する
ことができる。特に、各コンタクトピンの間における第
１及び第２の金属層をエッチングにより除去して、コン
タクトピンを形成するので、エッチングのためのパター
ン形成工程においてレジスト層を塗布する場合、レジス
ト層は薄く塗布すればよく、このため、レジスト層が傾
いて隣のレジスト層と接触したりすることがないので、
多ピン，狭ピッチのコンタクトプローブを実現すること
ができる。すなわち、レジスト層の幅と厚さとの比であ
るアスペクト比が２以上となるパターンを形成すること
が困難という制約下において、レジスト層を薄くするこ
とによってその幅を狭くすることが可能となるため、狭
ピッチのパターンを形成することが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態
によるコンタクトプローブの製造方法を示す。本実施の
形態による製造方法で製造されたコンタクトプローブ
は、前述した図４に示すものと外観形状は同じである。
図１において、まず、（ａ）に示すようなＰＩ（ポリイ
ミド）フィルムからなるフィルム５とＣｕ層６からなる
２層テープ７を用意する。このような２層テープ７は市
販されているものを利用することができる。
を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施の形態
によるコンタクトプローブの製造方法を示す。本実施の
形態による製造方法で製造されたコンタクトプローブ
は、前述した図４に示すものと外観形状は同じである。
図１において、まず、（ａ）に示すようなＰＩ（ポリイ
ミド）フィルムからなるフィルム５とＣｕ層６からなる
２層テープ７を用意する。このような２層テープ７は市
販されているものを利用することができる。
【００１１】次に、（ｂ）のように、この２層テープ７
のＣｕ層６上にＣｕ層（第２の金属層）８をメッキによ
り形成する（第１のメッキ処理工程）。このように、本
実施の形態において、本発明における第１及び第２の金
属層は、同種の金属となっている。ここで、２層テープ
７のＣｕ層６は表面に細かい凹凸があるので、このＣｕ
層６の上に後述するレジスト層９を直接設けると、レジ
スト層９とＣｕ層６との密着性が低下する。特に、狭ピ
ッチ化を進めると、レジスト層９とＣｕ層６との接触面
積が極めて小さくなるので、密着性の低下が顕著とな
り、レジスト層９がＣｕ層６から剥離し易くなる。そこ
で、上記凹凸を滑らかにするため、具体的には表面粗さ
Ｒａが０．０１〜０．１０μｍとなるように、光沢メッ
キによるＣｕ層８を設ける。尚、上記細かい凹凸が特に
問題とならない場合は、上記第１のメッキ処理工程によ
るＣｕ層８は設けなくてよい。
のＣｕ層６上にＣｕ層（第２の金属層）８をメッキによ
り形成する（第１のメッキ処理工程）。このように、本
実施の形態において、本発明における第１及び第２の金
属層は、同種の金属となっている。ここで、２層テープ
７のＣｕ層６は表面に細かい凹凸があるので、このＣｕ
層６の上に後述するレジスト層９を直接設けると、レジ
スト層９とＣｕ層６との密着性が低下する。特に、狭ピ
ッチ化を進めると、レジスト層９とＣｕ層６との接触面
積が極めて小さくなるので、密着性の低下が顕著とな
り、レジスト層９がＣｕ層６から剥離し易くなる。そこ
で、上記凹凸を滑らかにするため、具体的には表面粗さ
Ｒａが０．０１〜０．１０μｍとなるように、光沢メッ
キによるＣｕ層８を設ける。尚、上記細かい凹凸が特に
問題とならない場合は、上記第１のメッキ処理工程によ
るＣｕ層８は設けなくてよい。
【００１２】次に、（ｃ）のようにＣｕ層８上にレジス
ト層９を形成した後、（ｄ）のように所定パターンが形
成されたフォトマスク１０を用いて露光し、（ｅ）のよ
うに露光されたレジスト層９を除去し、残ったレジスト
層９の間にエッチング可能な部分１１を形成する（パタ
ーン形成工程）。次に、エッチング可能な部分１１のＣ
ｕ層６，８をエッチング処理して除去することにより、
（ｆ）の状態とする（エッチング処理工程）。
ト層９を形成した後、（ｄ）のように所定パターンが形
成されたフォトマスク１０を用いて露光し、（ｅ）のよ
うに露光されたレジスト層９を除去し、残ったレジスト
層９の間にエッチング可能な部分１１を形成する（パタ
ーン形成工程）。次に、エッチング可能な部分１１のＣ
ｕ層６，８をエッチング処理して除去することにより、
（ｆ）の状態とする（エッチング処理工程）。
【００１３】次に、レジスト層９を除去した後、（ｇ）
のようにＣｕ層６，８の表面（周囲）にＣｕメッキを施
してＣｕメッキ層１２を形成する（第２のメッキ処理工
程）。これにより、配線パターン３ａが形成される。
尚、ＣｕメッキによるＣｕ層１２に代えて、Ａｕメッキ
又はＮｉメッキによるＡｕ層又はＮｉ層であってもよ
い。
のようにＣｕ層６，８の表面（周囲）にＣｕメッキを施
してＣｕメッキ層１２を形成する（第２のメッキ処理工
程）。これにより、配線パターン３ａが形成される。
尚、ＣｕメッキによるＣｕ層１２に代えて、Ａｕメッキ
又はＮｉメッキによるＡｕ層又はＮｉ層であってもよ
い。
【００１４】次に、配線パターン３ａの先端部であるコ
ンタクトピン３のさらに先端部に相当する部分以外の部
分をマスキングした状態で、Ｎｉ，Ｎｉ合金，Ｐｔ，Ｒ
ｈ，Ｐｄ等の接点材料のパンプメッキを施して、（ｈ）
のようにバンプ状の突起１３を形成する（第３のメッキ
処理工程）。次に、（ｈ）の状態において、フィルム５
の配線パターン３ａのコンタクトピン３となる先端部と
対応する部分をレーザトリミング等の処理によって除去
することによりコンタクトピン３を形成する（除去工
程）。この状態を図２（ａ）に示す。図示のように、フ
ィルム５の縁からコンタクトピン３が突出した状態で形
成されており、図４の従来のコンタクトプローブと同じ
外観形状を有している。
ンタクトピン３のさらに先端部に相当する部分以外の部
分をマスキングした状態で、Ｎｉ，Ｎｉ合金，Ｐｔ，Ｒ
ｈ，Ｐｄ等の接点材料のパンプメッキを施して、（ｈ）
のようにバンプ状の突起１３を形成する（第３のメッキ
処理工程）。次に、（ｈ）の状態において、フィルム５
の配線パターン３ａのコンタクトピン３となる先端部と
対応する部分をレーザトリミング等の処理によって除去
することによりコンタクトピン３を形成する（除去工
程）。この状態を図２（ａ）に示す。図示のように、フ
ィルム５の縁からコンタクトピン３が突出した状態で形
成されており、図４の従来のコンタクトプローブと同じ
外観形状を有している。
【００１５】次に、図２（ａ）の状態から、同図（ｂ）
のようにコンタクトピン３の突起１３と反対側の面に、
セラミック等の補強板１４を接着剤１５を介して接着す
る。さらに、この補強板１４の下面及びフィルム５の下
面全面にセラミック等の板バネ１６を接着剤１７を介し
て接着することにより、本実施の形態によるコンタクト
プローブ２０を完成する。
のようにコンタクトピン３の突起１３と反対側の面に、
セラミック等の補強板１４を接着剤１５を介して接着す
る。さらに、この補強板１４の下面及びフィルム５の下
面全面にセラミック等の板バネ１６を接着剤１７を介し
て接着することにより、本実施の形態によるコンタクト
プローブ２０を完成する。
【００１６】以上説明したように、本実施の形態による
コンタクトプローブ２０によれば、図１（ｅ）の状態に
おいて、レジスト層９の間のＣｕ層６，８をエッチング
処理により除去して（ｆ）の状態とするので、レジスト
層９を厚く塗布する必要がない。即ち、（ｅ）の状態に
おいて、レジスト層９の高さｈをその幅ｗに比べて高く
すると、レジスト層９が傾きやすくなり、隣のレジスト
層と接触したりするので、コンタクトピン３及び配線パ
ターン３ａのピッチを狭くすることができない。本実施
の形態によれば、エッチング処理を行うので、（ｃ）に
おいてレジスト層９を塗布する際、レジスト層９を薄く
することができ、多ピン，狭ピッチのコンタクトプロー
ブを実現することができる。すなわち、ピッチとレジス
ト厚みとの比率であるアスペクト比を２以下に維持して
安定したパターンを形成するには、レジスト厚み薄くす
ることが必要とされているから、本実施形態のようにレ
ジスト厚みを薄くすることにより、従来より狭ピッチで
のパターン形成が可能となる。
コンタクトプローブ２０によれば、図１（ｅ）の状態に
おいて、レジスト層９の間のＣｕ層６，８をエッチング
処理により除去して（ｆ）の状態とするので、レジスト
層９を厚く塗布する必要がない。即ち、（ｅ）の状態に
おいて、レジスト層９の高さｈをその幅ｗに比べて高く
すると、レジスト層９が傾きやすくなり、隣のレジスト
層と接触したりするので、コンタクトピン３及び配線パ
ターン３ａのピッチを狭くすることができない。本実施
の形態によれば、エッチング処理を行うので、（ｃ）に
おいてレジスト層９を塗布する際、レジスト層９を薄く
することができ、多ピン，狭ピッチのコンタクトプロー
ブを実現することができる。すなわち、ピッチとレジス
ト厚みとの比率であるアスペクト比を２以下に維持して
安定したパターンを形成するには、レジスト厚み薄くす
ることが必要とされているから、本実施形態のようにレ
ジスト厚みを薄くすることにより、従来より狭ピッチで
のパターン形成が可能となる。
【００１７】また、前述したように、Ｃｕ層８を設けた
ことにより、レジスト層９との密着性を高くすることが
できるので、Ｃｕメッキを安定に施すことができ、多ピ
ン，狭ピッチのコンタクトプローブを実現することがで
きる。また、エッチング処理を施すとエッチング可能な
部分１１以外のＣｕ層６，８も若干削られてしまうが、
この削られた部分をＣｕ層１２により補強することがで
きる。また、コンタクトピン３及び配線パターン３ａを
３層のＣｕ層６，８，１２で形成しているので、導電性
を高くすることができる。
ことにより、レジスト層９との密着性を高くすることが
できるので、Ｃｕメッキを安定に施すことができ、多ピ
ン，狭ピッチのコンタクトプローブを実現することがで
きる。また、エッチング処理を施すとエッチング可能な
部分１１以外のＣｕ層６，８も若干削られてしまうが、
この削られた部分をＣｕ層１２により補強することがで
きる。また、コンタクトピン３及び配線パターン３ａを
３層のＣｕ層６，８，１２で形成しているので、導電性
を高くすることができる。
【００１８】また、Ｎｉ等の突起１３をＩＣチップ等の
検査対象の端子に接触させるので、Ｃｕからなるコンタ
クトピン３を弾性変形させて撓ませた状態とし、この弾
性力により検査対象の端子に圧接して、端子との接触抵
抗を小さくすることができる。また、セラミック等の補
強板１４や板バネ１６を設けたことにより、コンタクト
ピン３を補強して強度を持たせることができる。さら
に、２層テープ７を利用することにより、フィルムにＣ
ｕメッキを施す工程を省略して工程数を少なくすること
ができる。なお、本実施の形態では、補強板１４及び板
バネ１６を備えた構成となっているが、これらを備えな
い図２（ａ），（ｃ）のような構成であってもよい。図
２（ｃ）は、コンタクトピン３の下面にフィルム５が存
在し、コンタクトピン３がフィルム５の縁から突出して
いない構成である。
検査対象の端子に接触させるので、Ｃｕからなるコンタ
クトピン３を弾性変形させて撓ませた状態とし、この弾
性力により検査対象の端子に圧接して、端子との接触抵
抗を小さくすることができる。また、セラミック等の補
強板１４や板バネ１６を設けたことにより、コンタクト
ピン３を補強して強度を持たせることができる。さら
に、２層テープ７を利用することにより、フィルムにＣ
ｕメッキを施す工程を省略して工程数を少なくすること
ができる。なお、本実施の形態では、補強板１４及び板
バネ１６を備えた構成となっているが、これらを備えな
い図２（ａ），（ｃ）のような構成であってもよい。図
２（ｃ）は、コンタクトピン３の下面にフィルム５が存
在し、コンタクトピン３がフィルム５の縁から突出して
いない構成である。
【００１９】次に、本発明の第２の実施の形態を図３を
参照して説明する。図３において、本実施の形態による
コンタクトプローブ２０は、図２（ａ）のコンタクトプ
ローブの下面に、さらに、第２の２層テープ１８を接着
剤１９を介して設けたものである。この第２の２層テー
プ１８におけるＣｕ層６は、例えばグランド電極又は電
源電極として用いられるもので、所定の配線パターン３
ａと電気的に接続されるものである。また、最下層のフ
ィルム５は保護用として機能する。
参照して説明する。図３において、本実施の形態による
コンタクトプローブ２０は、図２（ａ）のコンタクトプ
ローブの下面に、さらに、第２の２層テープ１８を接着
剤１９を介して設けたものである。この第２の２層テー
プ１８におけるＣｕ層６は、例えばグランド電極又は電
源電極として用いられるもので、所定の配線パターン３
ａと電気的に接続されるものである。また、最下層のフ
ィルム５は保護用として機能する。
【００２０】図４（ａ）は第３の実施の形態を示すもの
である。すなわち、Ｃｕメッキ層１２の上面には、フィ
ルム５とＣｕ層６とを有する第２の２層テープ１８が接
着剤２１を介して接着されている。このようにして積層
されたＣｕ層６は、例えばグランド電極や電源電極とし
て用いることができる。なお、図４（ｂ）に示すよう
に、フィルム５の下面にも接着剤２１を介して第２の２
層テープ１８を積層し、そのＣｕ層６をもグランド電極
や電源電極として用いるようにしてもよい。この場合に
は、コンタクトピン３の上方及び下方がグラウンド層を
なすＣｕ層６，６で覆われるので、グラウンド機能をよ
り強化することができる。
である。すなわち、Ｃｕメッキ層１２の上面には、フィ
ルム５とＣｕ層６とを有する第２の２層テープ１８が接
着剤２１を介して接着されている。このようにして積層
されたＣｕ層６は、例えばグランド電極や電源電極とし
て用いることができる。なお、図４（ｂ）に示すよう
に、フィルム５の下面にも接着剤２１を介して第２の２
層テープ１８を積層し、そのＣｕ層６をもグランド電極
や電源電極として用いるようにしてもよい。この場合に
は、コンタクトピン３の上方及び下方がグラウンド層を
なすＣｕ層６，６で覆われるので、グラウンド機能をよ
り強化することができる。
【００２１】なお、上記各実施の形態において、Ｃｕメ
ッキ層１２は、コンタクトピン３の全周、すなわち、上
下面及び両側面に形成されていてもよく、また、先端面
に形成されていてもよい。
ッキ層１２は、コンタクトピン３の全周、すなわち、上
下面及び両側面に形成されていてもよく、また、先端面
に形成されていてもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によるコンタ
クトプローブによれば、フィルム上に第１〜３の金属層
からなる複数の配線パターン及びコンタクトピンを形成
したことにより、多ピン，狭ピッチのコンタクトプロー
ブを実現することができる。
クトプローブによれば、フィルム上に第１〜３の金属層
からなる複数の配線パターン及びコンタクトピンを形成
したことにより、多ピン，狭ピッチのコンタクトプロー
ブを実現することができる。
【００２３】また、本発明によるコンタクトプローブ製
造方法によれば、フィルム上の略全面に設けられた第１
の金属層上に前述した第１のメッキ処理、パターン形成
工程、エッチング処理工程、第２、第３のメッキ処理工
程、除去工程を順次実施することにより、多ピン，狭ピ
ッチのコンタクトプローブを実現することができる。特
に、エッチング処理を行うことにより、レジスト層を薄
くすることができるので、多ピン，狭ピッチのコンタク
トプローブを実現することができる。また、２層テープ
を利用することができるので、工程数を少なくすること
ができる。
造方法によれば、フィルム上の略全面に設けられた第１
の金属層上に前述した第１のメッキ処理、パターン形成
工程、エッチング処理工程、第２、第３のメッキ処理工
程、除去工程を順次実施することにより、多ピン，狭ピ
ッチのコンタクトプローブを実現することができる。特
に、エッチング処理を行うことにより、レジスト層を薄
くすることができるので、多ピン，狭ピッチのコンタク
トプローブを実現することができる。また、２層テープ
を利用することができるので、工程数を少なくすること
ができる。
【００２４】またコンタクトピンの部分を補強板や板バ
ネ等で補強することにより、検査対象の端子に突起を圧
接して接触抵抗を小さくすることができる。
ネ等で補強することにより、検査対象の端子に突起を圧
接して接触抵抗を小さくすることができる。
【００２５】さらに、第２、第３の２層テープ等のフィ
ルム及び金属層を積層して設けることにより、この金属
層をグランド電極や電源電極として用いることができ
る。
ルム及び金属層を積層して設けることにより、この金属
層をグランド電極や電源電極として用いることができ
る。
【図１】 本発明の第１の実施の形態によるコンタクト
プローブの製造方法を示す断面図である。
プローブの製造方法を示す断面図である。
【図２】 図１（ｈ）の状態及び完成したコンタクトプ
ローブの要部を示す断面図である。
ローブの要部を示す断面図である。
【図３】 本発明の第２の実施の形態によるコンタクト
プローブの製造方法により完成されたコンタクトプロー
ブを示す断面図である。
プローブの製造方法により完成されたコンタクトプロー
ブを示す断面図である。
【図４】 （ａ）は本発明の第３の実施の形態によるコ
ンタクトプローブの要部を示す断面図、（ｂ）はその変
形例である。
ンタクトプローブの要部を示す断面図、（ｂ）はその変
形例である。
【図５】 従来のコンタクトプローブの外観図である。
３ コンタクトピン
５ フィルム
６ Ｃｕ層（第１の金属層）
８ Ｃｕ層（第２の金属層）
１２ Ｃｕ層（第３の金属層）
７ ２層テープ
９ レジスト層
１０ フォトマスク
１１ エッチング処理可能な部分
１４ 補強板
１６ 板バネ
１８ 第２の２層テープ
１９、２１ 接着剤
２０ コンタクトプローブ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 杉山 達雄
兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六
三菱マテリアル株式会社三田工場内
Ｆターム(参考） 2G011 AA15 AA21 AB06 AB08 AB09
AC14 AC32 AC33 AE01 AF07
2G132 AF02 AL03 AL19
4M106 AA02 BA01 DD03 DD30
Claims (10)
- 【請求項１】 フィルム上に設けられた所定形状の第１
の金属層と、各第１の金属層上に設けられた第２の金属
層と、これら第１及び第２の金属層の周囲に設けられた
第３の金属層とにより複数の配線パターンが形成され、
各配線パターンの先端部がコンタクトピンとされている
ことを特徴とするコンタクトプローブ。 - 【請求項２】 前記複数のコンタクトピンの先端部の前
記フィルム側の面に補強板を設けたことを特徴とする請
求項１記載のコンタクトプローブ。 - 【請求項３】 前記補強板及び前記フィルム側の面に板
バネを設けたことを特徴とする請求項１又は２記載のコ
ンタクトプローブ。 - 【請求項４】 前記フィルムの前記配線パターンが設け
られた面とは反対側の面にフィルム及び金属層を積層し
て設けたことを特徴とする請求項１記載のコンタクトプ
ローブ。 - 【請求項５】 前記フィルム及び金属層上にさらに他の
フィルム及び金属層を積層して設けたことを特徴とする
請求項４記載のコンタクトプローブ。 - 【請求項６】 フィルム上に所定形状の複数の配線パタ
ーンが形成され、各配線パターンの先端部がコンタクト
ピンとされるコンタクトプローブの製造方法であって、 前記フィルム上の略全面に設けられた第１の金属層上に
第２の金属層を形成する第１のメッキ処理工程と、 前記第２の金属層上に所定形状のエッチング可能な部分
を形成するパターン形成工程と、 前記エッチング可能な部分をエッチングするエッチング
処理工程と、 前記第１及び第２の金属層の周囲に第３の金属層を形成
する第２のメッキ処理工程とを備えたことを特徴とする
コンタクトプローブの製造方法。 - 【請求項７】 前記複数のコンタクトピンの先端部の前
記フィルム側の面に補強板を設ける工程を備えたことを
特徴とする請求項６記載のコンタクトプローブの製造方
法。 - 【請求項８】 前記補強板及び前記フィルム側の面に板
バネを設ける工程を備えたことを特徴とする請求項７記
載のコンタクトプローブの製造方法。 - 【請求項９】 前記フィルムの前記配線パターンが設け
られた面とは反対側の面にフィルム及び金属層を設ける
工程を備えたことを特徴とする請求項６記載のコンタク
トプローブの製造方法。 - 【請求項１０】 前記フィルム及び金属層上にさらに他
のフィルム及び金属層を設ける工程を備えたことを特徴
とする請求項９記載のコンタクトプローブの製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002180244A JP4077666B2 (ja) | 2001-08-22 | 2002-06-20 | コンタクトプローブの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001-251648 | 2001-08-22 | ||
| JP2001251648 | 2001-08-22 | ||
| JP2002180244A JP4077666B2 (ja) | 2001-08-22 | 2002-06-20 | コンタクトプローブの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003139797A true JP2003139797A (ja) | 2003-05-14 |
| JP4077666B2 JP4077666B2 (ja) | 2008-04-16 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002180244A Expired - Fee Related JP4077666B2 (ja) | 2001-08-22 | 2002-06-20 | コンタクトプローブの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4077666B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007278860A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Micronics Japan Co Ltd | 電気的接続装置 |
| KR100823308B1 (ko) * | 2007-02-23 | 2008-04-18 | 세크론 주식회사 | 프로브 카드의 제조 방법 및 그에 따라 제조된 프로브 카드 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101831808B1 (ko) * | 2016-07-25 | 2018-02-23 | (주) 루켄테크놀러지스 | 프로브 필름 및 그 제조 방법 |
-
2002
- 2002-06-20 JP JP2002180244A patent/JP4077666B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP4077666B2 (ja) | 2008-04-16 |
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