JP2003057266A - コンタクトプローブ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コンタクトプローブとその製造方法におい
て、固定時の応力が発生してもピン位置が変化し難く、
さらに配線の導体損を低減すること。 【解決手段】 複数のパターン配線１２がフィルム１１
の表面上に形成されこれらのパターン配線の各先端部が
フィルムの先端部に配されてコンタクトピン１２ａとさ
れるコンタクトプローブ１０であって、前記パターン配
線は、少なくとも中間部分が前記コンタクトピンとなる
先端部の金属材料より柔軟性の高い金属材料で形成され
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プローブピンやソ
ケットピン等として用いられ、プローブカードやテスト
用ソケット等に組み込まれて半導体ＩＣチップや液晶デ
バイス等の各端子に接触して電気的なテストを行うコン
タクトプローブとその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＩＣチップやＬＳＩチップ等の
半導体チップ又はＬＣＤ（液晶表示体）の各端子に接触
させて電気的なテストを行うために、コンタクトピンが
用いられている。近年、ＩＣチップ等の高集積化および
微細化に伴って電極であるコンタクトパッドが狭ピッチ
化されるとともに、コンタクトピンの多ピン狭ピッチ化
が要望されている。しかしながら、コンタクトピンとし
て用いられていたタングステン針のコンタクトプローブ
では、タングステン針の径の限界から多ピン狭ピッチへ
の対応が困難になっていた。

【０００３】これに対して、例えば、特公平７−８２０
２７号公報に、複数のパターン配線が樹脂フィルム上に
形成されこれらのパターン配線の各先端が樹脂フィルム
から突出状態に配されてコンタクトピンとされるコンタ
クトプローブの技術が提案されている。この技術例で
は、複数のパターン配線の先端部をコンタクトピンとす
ることによって、多ピン狭ピッチ化を図るとともに、複
雑な多数の部品を不要とするものである。

【０００４】このコンタクトプローブ１は、図６に示す
ように、フィルム２の片面にＮｉ（ニッケル）またはＮ
ｉ合金で形成されるパターン配線３を張り付けた構造と
なっており、フィルム２の端部からパターン配線３の先
端部が突出してコンタクトピン３ａとされている。な
お、フィルム２は、ポリイミド樹脂フィルム層２ａ上に
Ｃｕ（銅）、Ｎｉ等の金属フィルム層２ｂがグラウンド
として積層されて構成されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来のコンタクトプロ
ーブの技術では、以下のような課題が残っている。すな
わち、上記従来のコンタクトプローブでは、信号配線と
なるパターン配線をＮｉメッキにより形成するため、高
いコンタクト性が得られるものの柔軟性を欠き、コンタ
クトプローブの任意の複数個所を機械部品等で固定した
場合に、高温テスト等の温度変化による機械部品等の固
定部品の歪みにより、プローブ部に応力が発生してプロ
ーブのピン位置の変化を引き起こす原因となる。また、
Ｎｉの導電率がＡｕ（金）やＣｕ等に比べて低いことか
ら、これら金属材料に比べ導体損が大きく、使用周波数
が制限されたり、回路抵抗が大きくなる等の不利な点が
あった。

【０００６】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
ので、固定時の応力が発生してもピン位置が変化し難
く、さらに配線の導体損を低減することができるコンタ
クトプローブ及びその製造方法を提供することを目的と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明
のコンタクトプローブは、複数のパターン配線がフィル
ムの表面上に形成されこれらのパターン配線の各先端部
がフィルムの先端部に配されてコンタクトピンとされる
コンタクトプローブであって、前記パターン配線は、少
なくとも中間部分が前記コンタクトピンとなる先端部の
金属材料より柔軟性の高い金属材料で形成されているこ
とを特徴とする。

【０００８】また、本発明のコンタクトプローブの製造
方法では、複数のパターン配線をフィルムの表面上に形
成しこれらのパターン配線の各先端部をフィルムの先端
部に配してコンタクトピンとするコンタクトプローブの
製造方法であって、基板層の上に前記コンタクトピンの
材質に被着又は結合する材質の第１の金属層を形成する
第１の金属層形成工程と、前記第１の金属層の上にマス
クを施してマスクされていない部分に前記パターン配線
及び前記コンタクトピンに供される第２の金属層をメッ
キ処理により形成するメッキ処理工程と、前記マスクを
取り除いた前記第２の金属層の上に少なくとも前記コン
タクトピンに供される部分を除いてカバーする前記フィ
ルムを被着するフィルム被着工程と、前記フィルムと第
２の金属層とからなる部分及び前記基板層と第１の金属
層とからなる部分を分離する分離工程とを有し、前記メ
ッキ処理工程は、前記コンタクトピンとなる先端部を形
成するピン側メッキ工程と、前記パターン配線に供され
る第２の金属層のうち少なくとも中間部分を形成するパ
ターン側メッキ工程とを備え、前記パターン側メッキ工
程は、前記コンタクトピンとなる先端部の金属材料より
柔軟性の高い金属材料で前記中間部分を形成することを
特徴とする

【０００９】これらのコンタクトプローブ及びコンタク
トプローブの製造方法では、パターン配線の少なくとも
中間部分がコンタクトピンとなる先端部の金属材料より
柔軟性の高い金属材料で形成されるので、機械部品等に
固定した場合に、固定部品が温度変化で歪んでも応力を
緩和することができ、ピン位置の変化を抑制することが
できる。また、このコンタクトプローブの製造方法で
は、パターン配線のコンタクトピンと中間部分とを別々
のパターニングによるメッキ処理で作製するので、これ
らを高精度にかつ別々の所望の金属材料で作製すること
ができる。

【００１０】本発明のコンタクトプローブは、前記パタ
ーン配線が、少なくとも中間部分が前記コンタクトピン
となる先端部の金属材料より導電率の高い金属材料で形
成されていることが好ましい。また、本発明のコンタク
トプローブの製造方法では、前記パターン側メッキ工程
において、前記コンタクトピンとなる先端部の金属材料
より導電率の高い金属材料で前記中間部分を形成するこ
とが好ましい。

【００１１】すなわち、これらのコンタクトプローブ及
びコンタクトプローブの製造方法では、パターン配線の
少なくとも中間部分がコンタクトピンとなる先端部の金
属材料より導電率の高い金属材料で形成されるので、コ
ンタクトピンとなる先端部の金属材料のみでパターン配
線全体を形成した場合に比べて導体損が少なくなり、使
用周波数の範囲が広がると共に、回路抵抗を低減するこ
とができる。

【００１２】また、本発明のコンタクトプローブは、前
記コンタクトピンとなる先端部の金属材料は、Ｎｉ又は
Ｎｉ合金であり、前記中間部分の金属材料は、Ｃｕであ
る技術が採用される。また、本発明のコンタクトプロー
ブの製造方法は、前記コンタクトピンとなる先端部の金
属材料を、Ｎｉ又はＮｉ合金とし、前記中間部分を形成
する金属材料を、Ｃｕとする技術が採用される。

【００１３】すなわち、これらのコンタクトプローブ及
びコンタクトプローブの製造方法では、コンタクトピン
となる先端部の金属材料がＮｉ又はＮｉ合金となり、中
間部分を形成する金属材料がＣｕとなるので、コンタク
トピンによる高いコンタクト性とパターン配線の高柔軟
性及び低導体損を容易に得ることができる。

【００１４】また、本発明のコンタクトプローブは、前
記パターン配線の表面に、前記コンタクトピンの先端か
ら全長にわたって連続したＡｕ層が形成されていること
が好ましい。すなわち、このコンタクトピンでは、パタ
ーン配線の表面に、コンタクトピンの先端から全長にわ
たって連続したＡｕ層が形成されているので、高周波領
域において表面に電気信号が伝わり易くなる表皮効果に
より、導電率の高いＡｕ層に信号が集中し、さらに導体
損を低減することができる。

【００１５】また、本発明のコンタクトプローブの製造
方法は、前記メッキ処理工程が、前記パターン配線に供
される部分のうち前記Ｃｕ上にＮｉ又はＮｉ合金の下地
層を形成する工程と、該工程後に、前記パターン配線に
供される部分の表面に前記コンタクトピンの先端に供さ
れる部分から全長にわたって連続するＡｕ層を形成する
金メッキ工程とを備えていることが好ましい。すなわ
ち、Ｃｕ上に直接Ａｕをメッキすることは困難である
が、このコンタクトプローブの製造方法では、Ｃｕ上に
Ｎｉ又はＮｉ合金の下地層を形成した後に、パターン配
線の全長にわたって連続するＡｕ層を形成するので、表
皮効果により導体損を低減可能なＡｕ層を、Ｃｕ上にＮ
ｉ又はＮｉ合金層を介して容易に表面に形成することが
できる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るコンタクトプ
ローブとその製造方法の一実施形態を、図１から図４を
参照しながら説明する。これらの図にあって、符号１０
はコンタクトプローブ、１１はフィルム、１２はパター
ン配線を示している。

【００１７】本実施形態のコンタクトプローブ１０は、
ＩＣ用プローブとして所定形状に切り出したもので、図
１および図２に示すように、フィルム１１の片面に接着
剤１９を介して金属で形成された複数のパターン配線１
２を有する構造となっており、フィルム１１の先端側か
らはパターン配線１２の先端部が突出してコンタクトピ
ンとされている。

【００１８】フィルム１１は、ポリイミド樹脂フィルム
層１１ａ上にＣｕ（銅）、Ｎｉ等の金属フィルム層１１
ｂがグラウンドとして積層されて構成されているが、樹
脂フィルム層１１ａだけで構成されていてもよい。パタ
ーン配線１２は、先端側がコンタクトピンとなる先端部
１２ａと、先端部１２ａの基端からフィルム１１の基端
までの本体部１２ｂとから構成されている。なお、先端
部１２ａは、基端側の一部がフィルム１１の先端部分に
重なって設けられている。

【００１９】上記先端部１２ａは、Ｎｉ又はＮｉ合金の
Ｎｉ本体層１３ａと、該Ｎｉ本体層１３ａの表面（フィ
ルム１１側）に積層された表面層（Ａｕ層）１３ｂと構
成される。また、上記本体部１２ｂは、Ｎｉ又はＮｉ合
金からなる保護層１４ａと、該保護層１４ａ上に積層さ
れたＣｕからなるＣｕ本体層１４ｂと、該Ｃｕ本体層１
４ｂ上に積層されたＮｉ又はＮｉ合金からなる下地層
（Ｎｉ又はＮｉ合金層）１４ｃと、該下地層１４ｃ上に
積層された表面層１３ｂとから構成される。なお、表面
層１３ｂは、コンタクトピンの先端からパターン配線１
２の全長にわたって連続して形成されている。

【００２０】本実施形態では、パターン配線１２の本体
部１２ｂを主に構成するＣｕ本体層１４ｂがコンタクト
ピンとなる先端部１２ａの金属材料、すなわちＮｉ又は
Ｎｉ合金より柔軟性が高く、かつ導電率の高い金属材料
のＣｕで形成されているので、硬いＮｉ又はＮｉ合金の
先端部１２ａにより高いコンタクト性を有すると共に、
機械部品等に固定した場合に、固定部品が温度変化で歪
んでもフレキシビリティの高い本体部１２ｂで応力を緩
和することができ、ピンの位置ずれを防止することがで
きる。また、Ｎｉ又はＮｉ合金のみでパターン配線全体
を形成した場合に比べて導体損が少なくなり、使用周波
数の範囲が広がり、回路抵抗を低減することができる。

【００２１】また、パターン配線１２の表面に、コンタ
クトピンの先端から全長にわたって連続したＡｕの表面
層１３ｂが形成されているので、高周波領域において表
面に電気信号が伝わり易くなる表皮効果により、導電率
の高いＡｕの表面層１３ｂに信号が集中し、さらに導体
損を低減することができる。

【００２２】次に、本実施形態のコンタクトプローブ１
０の製造方法について、図２から図４を参照しながら工
程順に説明する。

【００２３】〔ベースメタル層形成工程（第１の金属層
形成工程）〕まず、図２の（ａ）に示すように、ステン
レス製の支持金属板１６の上に、Ｃｕ（銅）メッキによ
りベースメタル層（第１の金属層）１７を形成する。

【００２４】〔先端部パターン形成工程〕このベースメ
タル層１７の上にフォトレジスト層１８Ａを形成した
後、図２の（ｂ）に示すように、写真製版技術により、
フォトレジスト層１８Ａに、図３の（ａ）に示すよう
に、先端部１２ａ形成のための所定のパターンのフォト
マスクＭ１を施して露光し、図２の（ｃ）に示すよう
に、フォトレジスト層１８Ａを現像してパターン配線１
２の先端部１２ａとなる部分を除去して残存するフォト
レジスト層（マスク）１８Ａに開口部１８ａを形成す
る。

【００２５】〔先端部メッキ処理工程〕（ピン側メッキ
工程） そして、図２の（ｄ）に示すように、開口部１８ａに先
端部１２ａとなるＮｉ又はＮｉ合金のＮｉ本体層１３ａ
（第２の金属層）及びＡｕの表面層１３ｂ（第２の金属
層）をこの順に電解メッキ処理により形成する。上記メ
ッキ処理の後、図２の（ｅ）に示すように、フォトレジ
スト層１８Ａを除去する。

【００２６】〔本体部パターン形成工程〕（パターン側
メッキ工程） 次に、ベースメタル層１７の上に、図４の（ａ）に示す
ように、フォトレジスト層１８Ｂを形成した後、図４の
（ｂ）に示すように、写真製版技術により、フォトレジ
スト層１８Ｂに、図３の（ｂ）に示すように、本体部１
２ｂ形成のための所定のパターンのフォトマスクＭ２を
施して露光し、図４の（ｃ）に示すように、フォトレジ
スト層１８Ｂを現像してパターン配線１２の本体部１２
ｂとなる部分を除去して残存するフォトレジスト層（マ
スク）１８Ｂに開口部１８ｂを形成する。

【００２７】なお、フォトレジスト層１８Ｂにより先端
部１２ａとなる部分はマスクされるが、本体部１２ｂと
先端部１２ａとの接続を確実にするために、既に形成さ
れた先端部１２ａの基端に開口部１８ｂの先端側を多少
オーバーラップさせても構わない。

【００２８】〔本体部メッキ処理工程〕そして、図４の
（ｄ）に示すように、開口部１８ｂに本体部１２ｂを構
成する各層（第２の金属層）、すなわち、Ｎｉ又はＮｉ
合金からなる保護層１４ａと、ＣｕからなるＣｕ本体層
１４ｂと、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる下地層１４ｃと、
Ａｕからなる表面層１３ｂとをこの順に電解メッキ処理
により形成する。

【００２９】なお、Ｃｕ本体層１４ｂ上に、Ｎｉ又はＮ
ｉ合金からなる下地層１４ｃを介してＡｕの表面層１３
ｂをメッキしているのは、ＡｕがＣｕ上に直接メッキ処
理し難いためである。このため、Ｎｉ又はＮｉ合金の下
地層１４ｃをバッファとすることにより、Ｃｕ本体層１
４ｂ上の表面にＡｕの表面層１３ｂを形成することがで
きる。上記メッキ処理の後、図４の（ｅ）に示すよう
に、フォトレジスト層１８Ｂを除去する。

【００３０】なお、本実施形態においては、フォトレジ
スト層１８Ａ、１８Ｂをネガ型フォトレジストによって
形成しているが、ポジ型フォトレジストを採用して所望
の開口部１８ａ、１８ｂを形成しても構わない。また、
本実施形態においては、フォトレジスト層１８Ａ、１８
Ｂが、本願請求項にいう「マスク」に相当する。但し、
本願請求項の「マスク」とは、本実施形態のフォトレジ
スト層１８Ａ、１８Ｂのように、フォトマスクＭ１、Ｍ
２を用いた露光・現像工程を経て開口部１８ａ、１８ｂ
が形成されるものに限定されるわけではない。例えば、
メッキ処理される箇所に予め孔が形成された（すなわ
ち、予め、図２の（ｃ）の符号１８Ａで示す状態に形成
されている）フィルム等でもよい。本願発明において、
このようなフィルム等を「マスク」として用いる場合に
は、本実施形態におけるパターン形成工程は不要であ
る。

【００３１】〔フィルム被着工程〕次に、図２の（ｆ）
及び図４の（ｆ）に示すように、先端部１２ａ及び本体
部１２ｂの上であって、フィルム１１から突出させるパ
ターン配線１２の先端部分以外に、フィルム１１を接着
剤１９により接着する。

【００３２】フィルム１１は、ポリイミド樹脂フィルム
層１１ａに金属フィルム層（銅箔）１１ｂが一体に設け
られた二層テープである。このフィルム被着工程の前ま
でに、二層テープのうちの金属フィルム層１１ｂに、写
真製版技術を用いた銅エッチングを施して、グラウンド
面を形成しておき、このフィルム被着工程では、二層テ
ープのうちのポリイミド樹脂フィルム層１１ａを接着剤
１９を介してＮｉ合金層Ｎに被着させる。なお、金属フ
ィルム層１１ｂは、銅箔に加えて、Ｎｉ、Ｎｉ合金等で
もよい。

【００３３】〔分離工程〕そして、図２の（ｇ）及び図
４の（ｇ）に示すように、フィルム１１とパターン配線
１２とベースメタル層１７とからなる部分を、支持金属
板１６から分離させた後、Ｃｕエッチを経て、図２の
（ｈ）及び図４の（ｈ）に示すように、フィルム１１に
パターン配線１２のみを接着させた状態とする。なお、
Ｃｕエッチングの際、本体部１２ｂのＣｕ本体層１４ｂ
は、Ｎｉ又はＮｉ合金からなる保護層１４ａによりカバ
ーされているため、エッチングされない。

【００３４】このように本実施形態では、パターン配線
１２の先端部１２ａと本体部１２ｂとを別々のパターニ
ングによるメッキ処理で作製するので、これらを高精度
にかつ別々の所望の金属材料、すなわち先端部１２ａは
Ｎｉ又はＮｉ合金を主体にし、本体部１２ｂはＣｕを主
体にして作製することができる。

【００３５】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば、上記実施形態では、本体部１２ｂにＣｕからなる
Ｃｕ本体層１４ｂを用いたが、パターン配線の少なくと
も中間部分がコンタクトピンよりも柔軟性の高い金属材
料で形成されていれば、応力緩和の効果を得ることがで
きる。

【００３６】なお、本明細書中において、パターン配線
の上記「中間部分」とは、先端のコンタクトピンより後
端側であって、機械部品等により固定された個所から先
端側のいずれかの部分を意味する。例えば、図５に示す
ように、マウンティングベース３０とトップクランプ４
０とボトムクランプ５０とからなるメカニカルパーツに
組み込む場合、プリント基板２０上にトップクランプ４
０を取付け、次に本発明のコンタクトプローブ１２を取
り付けたマウンティングベース３０をトップクランプ４
０にボルト穴にボルト４１を螺合させて取り付ける。こ
のとき、コンタクトプローブ１２の後端側はボトムクラ
ンプ５０で固定され、パターン配線１２の上記「中間部
分」としてＣｕ本体層１４ｂで主に構成される本体部１
２ｂは、ボトムクランプ５０とマウンティングベース３
０との間に配される。なお、符号５１は、プリント基板
２０の電極２１にコンタクトプローブ１０の接触端子を
押しつけるための弾性体である。

【００３７】また、コンタクトピンとなる先端部の金属
材料として、Ｎｉ又はＮｉ合金を採用したが、他にＰｄ
（パラジウム）、Ｐｔ（白金）、Ｒｈ（ロジウム）等を
用いても構わない。また、Ａｕの表面層１３ｂを、先端
部１２ａと本体部１２ｂとで別々のメッキ処理により形
成したが、先端部と本体部とのメッキ処理終了後に改め
てマスク処理を行って、先端部及び本体部の表面に同時
にＡｕの表面層をメッキ処理により形成しても構わな
い。なお、Ａｕの表面層を形成しない場合は、Ｎｉ又は
Ｎｉ合金の下地層の形成は不要である。

【００３８】また、上記各実施形態においては、ＩＣ用
コンタクトプローブの製造方法に適用したが、他のもの
に採用しても構わない。例えば、ＩＣチップを内側に保
持して保護し、ＩＣチップのバーンインテスト用装置等
に搭載されるＩＣチップテスト用ソケットに用いるコン
タクトプローブやＬＣＤのテスト用プローブ装置用のコ
ンタクトプローブに適用してもよい。

【００３９】

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明のコンタクトプローブ及びコンタクト
プローブの製造方法によれば、パターン配線の少なくと
も中間部分がコンタクトピンとなる先端部の金属材料よ
り柔軟性の高い金属材料で形成されるので、固定時の応
力を緩和して、ピン位置の変化を抑制することができ、
高精度な位置決めを行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の一実施形態を示すコンタクトプローブの要部断
面図である。

【図２】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の一実施形態における製造工程を示すパターン配
線に直交した方向の先端部の断面図である。

【図３】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の一実施形態における先端部パターン形成工程及
び本体部パターン形成工程のフォトレジスト層の開口部
を示す要部平面図である。

【図４】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の一実施形態における製造工程を示すパターン配
線に直交した方向の本体部の断面図である。

【図５】 本発明に係るコンタクトプローブ及びその製
造方法の一実施形態におけるコンタクトプローブをメカ
ニカルパーツに組み込んだ状態を示す断面図である。

【図６】 本発明に係る従来例におけるコンタクトプロ
ーブを示す要部斜視図である。

【符号の説明】

１０ コンタクトプローブ １１ フィルム １１ａ ポリイミド樹脂フィルム層 １１ｂ 金属フィルム層 １２ パターン配線 １２ａ パターン配線の先端部（コンタクトピン） １２ｂ パターン配線の本体部 １３ａ Ｎｉ本体層（第２の金属層） １３ｂ 表面層（Ａｕ層） １４ａ 保護層 １４ｂ Ｃｕ本体層 １４ｃ 下地層 １７ ベースメタル層（第１の金属層） １８Ａ、１８Ｂ フォトレジスト層（マスク）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩元 尚文 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AB01 AG01 AG03 AG12 AG20 2G011 AA17 AA21 AB06 AB08 AB09 AC06 AC14 AC32 AE01 AE22 AF02 2H088 FA11 FA18 FA30 MA20 4M106 AA02 BA01 CA70 DD04 DD06 DD09 DD10 DD13 DD15

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数のパターン配線がフィルムの表面上
   に形成されこれらのパターン配線の各先端部がフィルム
   の先端部に配されてコンタクトピンとされるコンタクト
   プローブであって、 前記パターン配線は、少なくとも中間部分が前記コンタ
   クトピンとなる先端部の金属材料より柔軟性の高い金属
   材料で形成されていることを特徴とするコンタクトプロ
   ーブ。
2. 【請求項２】 請求項１記載のコンタクトプローブにお
   いて、 前記パターン配線は、少なくとも中間部分が前記コンタ
   クトピンとなる先端部の金属材料より導電率の高い金属
   材料で形成されていることを特徴とするコンタクトプロ
   ーブ。
3. 【請求項３】 請求項２に記載のコンタクトプローブに
   おいて、 前記コンタクトピンとなる先端部の金属材料は、Ｎｉ又
   はＮｉ合金であり、 前記中間部分の金属材料は、Ｃｕであることを特徴とす
   るコンタクトプローブ。
4. 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載のコン
   タクトプローブにおいて、 前記パターン配線の表面に、前記コンタクトピンの先端
   から全長にわたって連続したＡｕ層が形成されているこ
   とを特徴とするコンタクトプローブ。
5. 【請求項５】 複数のパターン配線をフィルムの表面上
   に形成しこれらのパターン配線の各先端部をフィルムの
   先端部に配してコンタクトピンとするコンタクトプロー
   ブの製造方法であって、 基板層の上に前記コンタクトピンの材質に被着又は結合
   する材質の第１の金属層を形成する第１の金属層形成工
   程と、 前記第１の金属層の上にマスクを施してマスクされてい
   ない部分に前記パターン配線及び前記コンタクトピンに
   供される第２の金属層をメッキ処理により形成するメッ
   キ処理工程と、 前記マスクを取り除いた前記第２の金属層の上に少なく
   とも前記コンタクトピンに供される部分を除いてカバー
   する前記フィルムを被着するフィルム被着工程と、 前記フィルムと第２の金属層とからなる部分及び前記基
   板層と第１の金属層とからなる部分を分離する分離工程
   とを有し、 前記メッキ処理工程は、前記コンタクトピンとなる先端
   部を形成するピン側メッキ工程と、前記パターン配線に
   供される第２の金属層のうち少なくとも中間部分を形成
   するパターン側メッキ工程とを備え、 前記パターン側メッキ工程は、前記コンタクトピンとな
   る先端部の金属材料より柔軟性の高い金属材料で前記中
   間部分を形成することを特徴とするコンタクトプローブ
   の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項５に記載のコンタクトプローブの
   製造方法において、 前記パターン側メッキ工程は、前記コンタクトピンとな
   る先端部の金属材料より導電率の高い金属材料で前記中
   間部分を形成することを特徴とするコンタクトプローブ
   の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項６に記載のコンタクトプローブの
   製造方法において、 前記コンタクトピンとなる先端部の金属材料を、Ｎｉ又
   はＮｉ合金とし、 前記中間部分を形成する金属材料を、Ｃｕとすることを
   特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
8. 【請求項８】 請求項７に記載のコンタクトプローブの
   製造方法において、 前記メッキ処理工程は、前記パターン配線に供される部
   分のうち前記Ｃｕ上にＮｉ又はＮｉ合金の下地層を形成
   する工程と、 該工程後に、前記パターン配線に供される部分の表面に
   前記コンタクトピンの先端に供される部分から全長にわ
   たって連続するＡｕ層を形成する金メッキ工程とを備え
   ていることを特徴とするコンタクトプローブの製造方
   法。