JP3204102B2 - コンタクトプローブ - Google Patents
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Description
は半導体チップの各端子に接触させて電気的なテストを
行うためのコンタクトプロ−ブに関するものである。
うには液晶表示体テスト用コンタクトプロ−ブが用いら
れることが知られており、この液晶表示体テスト用コン
タクトプロ−ブは、図12の斜視説明図に示されるよう
に、ポリイミド樹脂フィルムなどの非導電性樹脂フィル
ム5の片面に、NiまたはNi合金にAuメッキされた
金属で構成されている平行に配列されたコンタクトピン
4を、非導電性樹脂フィルム5の片面に非導電性樹脂フ
ィルム5の長手方向に直角にかつ非導電性樹脂フィルム
5の端部からコンタクトピン4の一部が突出するように
張り付けた構成となっている。
プロ−ブ10´を用いて液晶表示体の電気的なテストを
行うには、図13の側面図に示されるように、液晶表示
体テスト用コンタクトプロ−ブ10´をトップクランプ
7およびボトムクランプ8で押さえ、さらにリード11
の端子12をコンタクトピン4と接触させて通電状態に
保持し、コンタクトピン4の先端を液晶表示体100に
押し付けて、コンタクトピン4から得られた信号をリー
ド11を通して外部に伝えるようになっている。
導体チップの電気的なテストを行うには、半導体チップ
テスト用コンタクトプロ−ブが用いられることが知られ
ており、この従来の半導体チップテスト用コンタクトプ
ロ−ブ20´は、図14の斜視説明図に示されるよう
に、樹脂フィルムなどの非導電性樹脂フィルム5の片面
に、NiまたはNi合金にAuメッキされた金属で構成
されているコンタクトピン4を張り付けかつコンタクト
ピン4の一部が非導電性樹脂フィルム5の端部から突出
した構造になっており、さらに位置合わせ穴9も設けら
れている。さらに、半導体チップテスト用コンタクトプ
ロ−ブ20´は、図14の斜視説明図に示されるよう
に、コンタクトピン4から得られた信号を引き出すため
の窓13を有している。
トプロ−ブ20´を用いてICチップやLSIチップな
どの半導体チップの電気的なテストを行うには、図15
の断面図に示されるように、まず、プリント基板17の
上にクランプ7´を取り付ける。つぎにコンタクトピン
4をプリント基板17とボトムクランプ8の間にコンタ
クトピン4先端を押さえ込むことによりコンタクトピン
4を傾斜状態に保ち、コンタクトピン4の先端を半導体
チップ200に押しつけ、半導体チップ200と接触さ
せる。
クトプロ−ブ20´に設けられた窓13の部分のコンタ
クトピン4に、ボトムクランプ18の弾性体16を押し
付けてコンタクトピン4をプリント基板17の電極15
に接触させ、コンタクトピン4から得られた信号をプリ
ント基板17の電極15を通して外部に伝えることがで
きるようになっている。
トプロ−ブ10´および半導体チップテスト用コンタク
トプロ−ブ20´は、いずれも図16の断面説明図
(a)〜(h´)に示される通常の工程で作製される。
即ち、ステンレス製の支持金属板6の上に、Cuのベー
スメタル層1を形成し、このベースメタル層1上にフォ
トレジスト層2を形成し(図16(a))、このフォト
レジスト層2に所定のパターンのマスク3を施して露光
し(図16(b))、フォトレジスト層2を現像してコ
ンタクトピン4となる部分を除去して残存するフォトレ
ジスト層2に開口部2aを形成し(図16(c))、こ
の開口部2aにコンタクトピン4となるNi層をメッキ
処理により形成し(図16(d))、フォトレジスト層
2を除去し(図16(e))、NiまたはNi合金層の
上にコンタクトピン4の先端部となる部分以外に非導電
性樹脂フィルム5を接着剤5aを介して接着し(図16
(f´))、ついで、非導電性樹脂フィルム5とコンタ
クトピン4とベースメタル層1からなる部分を支持金属
板6から分離して(図16(g´))、コンタクトピン
4に非導電性樹脂フィルム5を接着したコンタクトプロ
−ブを作製する(図16(h´))。
表示体テスト用コンタクトプロ−ブ10´および半導体
チップテスト用コンタクトプロ−ブ20´のコンタクト
ピン4は、図12および図14に示されるように、両端
のコンタクトピン4Eも含めていずれも同じ幅のコンタ
クトピンが平行に配列されており、このコンタクトピン
の幅は、通常、2575μmであって、極めて細く、ハ
ンドリング時にコンタクトプロ−ブの取り扱いには細心
の注意をはらっても、コンタクトプロ−ブの取り扱い中
にコンタクトピンが治具などの部品と衝突することがあ
り、その際、コンタクトピン4の内でも両端のコンタク
トピン4Eの先端部が衝突する確率が最も多く、多数回
使用している内に両端のコンタクトピン4Eの先端部
は、図17および図18に示されるように、変形するこ
とがある。コンタクトピン4Eが変形すると、先端部が
液晶表示体または半導体チップの所定の端子に正確に接
触せず、従って、変形したコンタクトピンがあるコンタ
クトプロ−ブを用いて液晶表示体または半導体チップの
電気的測定を行うと、測定ミスが発生する。
ンタクトプロ−ブ10´および半導体チップテスト用コ
ンタクトプロ−ブ20´は、ポリイミド樹脂からなる非
導電性樹脂フィルム5の片面にコンタクトピン4を張り
付けた構造になっているが、前述のように、コンタクト
ピン4は極めて薄くかつ細いので、コンタクトプロ−ブ
自体の強度が十分でなく、さらにポリイミド樹脂からな
る非導電性樹脂フィルム5は水分を吸収して伸びが生
じ、そのために従来のコンタクトプロ−ブは、コンタク
トピン4とコンタクトピン4の間の間隔が変化し、コン
タクトピン4の先端部分が正確に液晶表示体または半導
体チップの端子の所定の位置に接触させることができ
ず、正確な電気的なテストを行うことができないことも
しばしばあった。
かかる課題を解決すべく研究を行った結果、下記の知見
を得たのである。
の幅を、それより内側のコンタクトピン4の幅よりも大
きくして両端のコンタクトピン4Eの強度を高め、衝突
しても変形しにくい構造とするとともに、強度の優れた
両端のコンタクトピン4Eにより内側のコンタクトピン
を保護するか、または、 (b)コンタクトプロ−ブの両端のコンタクトピン4E
をダミーのコンタクトピンとして液晶表示体または半導
体チップの電気的測定に使用しない非導通コンタクトピ
ンを設けておき、この非導通コンタクトピンは電気的測
定に使用しないところから、両端部の非導通コンタクト
ピンが変形しても液晶表示体または半導体チップの電気
的測定に影響を及ぼさないようにするとよい。
る従来のコンタクトプロ−ブの非導電性樹脂フィルム5
側に、さらに金属フィルム8を張り付けると、得られた
コンタクトプロ−ブは、湿度が変化しても、従来のコン
タクトプロ−ブよりもコンタクトピン4とコンタクトピ
ン4の間の間隔の変化が少なくなり、さらにコンタクト
プロ−ブ全体の強度を増加させることができる。
たものであって、 (1)平行に配列されたコンタクトピンを、コンタクト
ピンの先端部が非導電性樹脂フィルムから突出するよう
に非導電性樹脂フィルムの片面に張り付けてなるコンタ
クトプローブにおいて、前記平行に配列されたコンタク
トピンは幅が異なっており、両端部に設けられたコンタ
クトピンが最も広幅なコンタクトピンで構成されている
コンタクトプロ−ブ、 (2)平行に配列されたコンタクトピンを、コンタクト
ピンの先端部が非導電性樹脂フィルムから突出するよう
に非導電性樹脂フィルムの片面に張り付け、さらに前記
非導電性樹脂フィルムの上に金属フィルムが張り付けら
れているコンタクトプロ−ブであって、前記平行に配列
されたコンタクトピンは幅が異なっており、両端部に設
けられたコンタクトピンが最も広幅なコンタクトピンで
構成されているコンタクトプロ−ブ、に特徴を有するも
のである。
平行に配列されたコンタクトピンの両端部が最も広幅な
コンタクトピンで構成され、中心に向かって漸次、コン
タクトピンの幅が狭くなっていてもよい。従って、この
発明は、 (3)平行に配列されたコンタクトピンを、コンタクト
ピンの先端部が非導電性樹脂フィルムから突出するよう
に非導電性樹脂フィルムの片面に張り付けてなるコンタ
クトプローブにおいて、前記平行に配列されたコンタク
トピンは幅が異なっており、両端部に設けられたコンタ
クトピンが最も広幅なコンタクトピンで構成され、中心
に向かって漸次、コンタクトピンの幅が狭くなっている
コンタクトプロ−ブ、 (4)平行に配列されたコンタクトピンを、コンタクト
ピンの先端部が非導電性樹脂フィルムから突出するよう
に非導電性樹脂フィルムの片面に張り付け、さらに前記
非導電性樹脂フィルムの上に金属フィルムが張り付けら
れているコンタクトプロ−ブであって、前記平行に配列
されたコンタクトピンは幅が異なっており、両端部に設
けられたコンタクトピンが最も広幅なコンタクトピンで
構成され、中心に向かって漸次、コンタクトピンの幅が
狭くなっているコンタクトプロ−ブ、に特徴を有するも
のである。
コンタクトピンをダミーのコンタクトピンとして液晶表
示体または半導体チップの電気的測定に使用しない非導
通コンタクトピンを設けておくと、この非導通コンタク
トピンは電気的測定に使用しないところから、非導通コ
ンタクトピンが変形しても液晶表示体または半導体チッ
プの電気的測定に影響を及ぼさず、さらに内側のコンタ
クトピンの保護の作用もする。
けられた非導通コンタクトピンの幅は、その他のコンタ
クトピンの幅よりも大きくすることが好ましい。従っ
て、この発明は、 (5)平行に配列されたコンタクトピンを、コンタクト
ピンの先端部が非導電性樹脂フィルムから突出するよう
に非導電性樹脂フィルムの片面に張り付けてなるコンタ
クトプローブにおいて、前記平行に配列されたコンタク
トピンの幅は異なっており、両端部に設けられたコンタ
クトピンのみが最も広幅な非導通コンタクトピンで構成
されているコンタクトプロ−ブ、に特徴を有するもので
ある。
(5)のコンタクトプロ−ブの非導電性樹脂フィルムの
上に金属フィルムが張り付けられているコンタクトプロ
−ブであっても良い。従って、この発明は、 (6)平行に配列されたコンタクトピンを、コンタクト
ピンの先端部が非導電性樹脂フィルムから突出するよう
に非導電性樹脂フィルムの片面に張り付けてなり、前記
非導電性樹脂フィルムの上にさらに金属フィルムが張り
付けられているコンタクトプロ−ブであって、前記平行
に配列されたコンタクトピンの幅は異なっており、両端
部に設けられたコンタクトピンのみが最も広幅な非導通
コンタクトピンで構成されているコンタクトプロ−ブ、
に特徴を有するものである。
コンタクトピンは、NiまたはNi合金にAuメッキし
た構成のコンタクトピンを使用するので、コンタクトピ
ンの構成は従来のコンタクトピンの構成と同じである。
また、非導電性樹脂フィルムの上にさらに張り付けられ
ている金属フィルムは、Niフィルム、Ni合金フィル
ム、CuフィルムおよびCu合金フィルムのうちのいず
れか1種で構成されている。
面に基づいて一層詳細に説明する。図1は、この発明の
液晶表示体テスト用コンタクトプロ−ブ10の斜視説明
図である。図1に示されるように、この発明の液晶表示
体テスト用コンタクトプロ−ブ10は平行に配列された
コンタクトピン4を、コンタクトピン4の先端部が非導
電性樹脂フィルム5から突出するように非導電性樹脂フ
ィルム5の片面に張り付けてなり、前記平行に配列され
たコンタクトピン4は幅が異なっており、両端部に設け
られたコンタクトピン4Eが最も広幅なコンタクトピン
で構成されている。
ンタクトプロ−ブ10は、図2の斜視説明図に示される
ように、平行に配列されたコンタクトピン4を、コンタ
クトピン4の先端部が非導電性樹脂フィルム5から突出
するように非導電性樹脂フィルム5の片面に張り付けて
なり、前記平行に配列されたコンタクトピン4は幅が異
なっており、両端部に設けられたコンタクトピン4Eの
みを最も広幅な非導通コンタクトピンで構成してもよ
い。
用コンタクトプロ−ブ10の斜視説明図であるが、図3
〜図4に示されるこの発明の液晶表示体テスト用コンタ
クトプロ−ブ10は、図1〜図2に示されるこの発明の
液晶表示体テスト用コンタクトプロ−ブの非導電性樹脂
フィルム5の上に、さらに金属フィルム8を張り付けて
なるものである。この金属フィルム8を張り付けること
により、湿度が変化しても、コンタクトピン4とコンタ
クトピン4の間の間隔の変化が少なくなり、さらに強度
も増し、使用しやすくなる。
プロ−ブ10の非導電性樹脂フィルム5に対して直角で
あってかつ相互に平行に配列されたコンタクトピン4
は、図5の平面説明図に示されるように、両端部が最も
広幅なコンタクトピン4Eで構成され、中心に向かって
漸次、コンタクトピンの幅が狭くなっていてもよい。す
なわち、図5において、両端部が最も広幅なコンタクト
ピン4Eの幅をW1 、中心部のコンタクトピン4″の幅
をW、コンタクトピン4Eと中心部のコンタクトピン
4″の中間のコンタクトピン4´の幅をW2 とすると、
W1 >W2 >Wの関係が成り立つように配列してもよ
い。図示されてはいないが、図5の非導電性樹脂フィル
ム5の上にさらに金属フィルムを張り付けた液晶表示体
テスト用コンタクトプロ−ブもこの発明に含まれる。
ンタクトプロ−ブについて説明する。図6は、この発明
の半導体チップテスト用コンタクトプロ−ブ20の斜視
説明図である。図6に示されるように、この発明の半導
体チップテスト用コンタクトプロ−ブ20は平行に配列
されたコンタクトピン4をコンタクトピン4の先端部が
非導電性樹脂フィルム5から突出するように非導電性樹
脂フィルム5の片面に張り付けてなり、前記平行に配列
されたコンタクトピン4の幅は異なっており、両端部に
設けられたコンタクトピン4Eは、最も広幅なコンタク
トピンで構成されている。
コンタクトプロ−ブ20は、図7の斜視説明図に示され
るように、平行に配列されたコンタクトピン4をコンタ
クトピン4の先端部が非導電性樹脂フィルム5から突出
するように非導電性樹脂フィルム5の片面に張り付けて
なり、前記平行に配列されたコンタクトピン4の内の両
端部に設けられたコンタクトピン4Eを最も広幅な非導
通コンタクトピンで構成してもよい。
ト用コンタクトプロ−ブ20の斜視説明図であるが、図
8〜図9に示されるこの発明の半導体チップテスト用コ
ンタクトプロ−ブ20は、図6〜図7に示されるこの発
明の半導体チップテスト用コンタクトプロ−ブの非導電
性樹脂フィルム5の上に、さらに金属フィルム8を張り
付けてなるものである。この金属フィルム8を張り付け
ることにより、湿度が変化しても、コンタクトピン4と
コンタクトピン4の間の間隔の変化が少なくなり、さら
に強度も増し、使用しやすくなる。
トプロ−ブ20の平行に配列されたコンタクトピン4
は、図10の平面説明図に示されるように、両端部が最
も広幅なコンタクトピン4Eで構成され、中心に向かっ
て漸次、コンタクトピンの幅が狭くなっていてもよい。
すなわち、図10において、両端部が最も広幅なコンタ
クトピン4Eの幅をW1 、中心部のコンタクトピン4″
の幅をW、コンタクトピン4Eと中心部のコンタクトピ
ン4″の中間のコンタクトピン4´の幅をW2 とする
と、W1 >W2 >Wの関係が成り立つように配列しても
よい。図示されてはいないが、図10の非導電性樹脂フ
ィルム5の上にさらに金属フィルムを張り付けた半導体
チップテスト用コンタクトプロ−ブもこの発明に含まれ
る。
4Eおよび非導電性樹脂フィルム5からなる図1〜図2
および図5に示されるこの発明の液晶表示体テスト用コ
ンタクトプロ−ブ10、並びにコンタクトピン4、広幅
なコンタクトピン4Eおよび非導電性樹脂フィルム5か
らなる図6〜図7および図10に示されるこの発明の半
導体チップテスト用コンタクトプロ−ブ20は、従来の
図16に示される製造方法と全く同じ方法で製造するこ
とができるので、製造方法の詳細な説明は省略する。
クトピン4E、非導電性樹脂フィルム5および金属フィ
ルム8からなる図3〜図4に示されるこの発明の液晶表
示体テスト用コンタクトプロ−ブ10、並びにコンタク
トピン4、広幅なコンタクトピン4E、非導電性樹脂フ
ィルム5および金属フィルム8からなる図8〜図9に示
されるこの発明の半導体チップテスト用コンタクトプロ
−ブ20は、図11に示されるようにして製造する。
上に、Cuのベースメタル層1を形成し、このベースメ
タル層1上にフォトレジスト層2を形成し(図11
(a))、このフォトレジスト層2に所定のパターンの
マスク3を施して露光し(図11(b))、フォトレジ
スト層2を現像してコンタクトピン4となる部分を除去
して残存するフォトレジスト層2に開口部2aを形成し
(図11(c))、この開口部2aにコンタクトピン4
となるNi層をメッキ処理により形成し(図11
(d))、フォトレジスト層2を除去する(図11
(e))。次に、Ni層の上に非導電性樹脂フィルム5
および金属フィルム8からなる複合フィルムを接着剤5
aを介して接着し(図11(f))、さらに、非導電性
樹脂フィルム5とコンタクトピン4とベースメタル層1
からなる部分を支持金属板6から分離し(図11
(g))、ついでベースメタル層1を除去することによ
り、コンタクトピン4に非導電性樹脂フィルム5および
金属フィルム8を接着したコンタクトプロ−ブを作製す
る(図11(h))。
プロ−ブ10およびこの発明の半導体チップテスト用コ
ンタクトプロ−ブ20の使用方法は、従来の液晶表示体
テスト用コンタクトプロ−ブ10´および従来の半導体
チップテスト用コンタクトプロ−ブ20´の使用方法と
全く同じであるから、これら使用方法の詳細な説明は省
略する。この発明の両端部の最も広幅なコンタクトピン
4Eの幅は、中心部のコンタクトピンの幅の1.5〜5
倍(一層好ましくは、2〜4倍)であることが好まし
い。
金メッキしたNi製コンタクトピンで構成し、さらに、
両端のコンタクトピン4Eよりも内側のコンタクトピン
を幅:50μmの純金メッキしたNi製コンタクトピン
で構成し、これらコンタクトピンを、図1に示されるよ
うに、全ピン数が100ピンの平行に配列した状態で厚
さ:50μmのポリイミド樹脂製非導電性樹脂フィルム
に張り付けられた構造の本発明液晶表示体テスト用コン
タクトプロ−ブ1を作製した。
導通のダミーのNi製コンタクトピンで構成し、さら
に、両端部のコンタクトピン4Eよりも内側のその他の
コンタクトピンをいずれも同じ幅の50μmの電気的測
定可能な純金メッキしたNi製コンタクトピンで構成
し、これらのコンタクトピンを、図2に示されるよう
に、全ピン数が100ピンの平行に配列した状態で厚
さ:50μmのポリイミド樹脂製非導電性樹脂フィルム
に張り付けられた構造の本発明液晶表示体テスト用コン
タクトプロ−ブ2を作製した。
金メッキしたNi製コンタクトピンで構成し、さらに、
両端部のコンタクトピン4Eよりも内側のコンタクトピ
ンをいずれも同じ幅の50μmの純金メッキしたNi製
コンタクトピンで構成し、これら全ピン数:100ピン
の純金メッキしたNi製コンタクトピンに、厚さ:50
μmのポリイミド樹脂製非導電性樹脂フィルムおよび厚
さ:25μmの純銅フィルムを張り付けた構造を有する
図3に示される本発明液晶表示体テスト用コンタクトプ
ロ−ブ3を作製した。
通のダミーのNi製コンタクトピン4Eで構成し、さら
に、両端部のコンタクトピン4Eよりも内側のコンタク
トピンの幅を45μmの電気的測定可能な純金メッキし
たNi製コンタクトピンで構成し、全ピン数:100ピ
ンのコンタクトピンに、厚さ:50μmのポリイミド樹
脂製非導電性樹脂フィルムおよび厚さ:25μmの純銅
フィルムを張り付けた構造を有する図4に示される本発
明液晶表示体テスト用コンタクトプロ−ブ4を作製し
た。
の純金メッキしたNi製コンタクトピンで構成し、さら
に、両端のコンタクトピン4Eよりも内側のコンタクト
ピン4´を幅W2 :80μmの純金メッキしたNi製コ
ンタクトピンで構成し、さらにコンタクトピン4´より
も内側のコンタクトピン4″を幅W:50μmの純金メ
ッキしたNi製コンタクトピンで構成し、全ピン数:1
00ピンの純金メッキしたNi製コンタクトピンに、厚
さ:50μmのポリイミド樹脂製非導電性樹脂フィルム
および厚さ:50μmの純銅フィルムを張り付けた構造
を有する図5に示される構造の本発明液晶表示体テスト
用コンタクトプロ−ブ5を作製した。
純金メッキしたNi製コンタクトピンで構成し、さら
に、両端のコンタクトピン4Eよりも内側のコンタクト
ピンの幅をいずれも50μmの純金メッキしたNi製コ
ンタクトピンで構成し、全ピン数:100ピンの純金メ
ッキNi製コンタクトピンに、厚さ:50μmのポリイ
ミド樹脂製非導電性樹脂フィルムを張り付けた構造を有
する図6に示されるような本発明半導体チップテスト用
コンタクトプロ−ブ6を作製した。
導通のダミーのNi製コンタクトピンで構成し、さら
に、両端部のコンタクトピン4Eよりも内側のコンタク
トピンの幅をいずれも50μmの電気的測定可能な純金
メッキしたNi製コンタクトピンで構成し、これら全ピ
ン数:100ピンのコンタクトピンに、厚さ:50μm
のポリイミド樹脂製非導電性樹脂フィルムを張り付けた
構造を有する図7に示される本発明半導体チップテスト
用コンタクトプロ−ブ7を作製した。
金メッキしたNi製コンタクトピンで構成し、さらに、
両端部のコンタクトピン4Eよりも内側のコンタクトピ
ンの幅をいずれも50μmの純金メッキしたNi製コン
タクトピンで構成し、全ピン数:100ピンの純金メッ
キNi製コンタクトピンに、厚さ:50μmのポリイミ
ド樹脂製非導電性樹脂フィルムおよび厚さ:25μmの
Niフィルムを張り付けた構造を有する図8に示される
本発明半導体チップテスト用コンタクトプロ−ブ8を作
製した。
導通のダミーのNi製コンタクトピン4Eで構成し、さ
らに、両端のコンタクトピン4Eよりも内側のコンタク
トピンの幅をいずれも50μmの電気的測定可能な純金
メッキしたNi製コンタクトピンで構成し、全ピン数:
100ピンのコンタクトピンに、厚さ:50μmのポリ
イミド樹脂製非導電性樹脂フィルムおよび厚さ:50μ
mの純銅フィルムを張り付けた構造を有する図9に示さ
れる本発明半導体チップテスト用コンタクトプロ−ブ9
を作製した。
メッキしたNi製コンタクトピンで構成し、さらに、両
端のコンタクトピン4Eよりも内側のコンタクトピン4
´を幅W2 :80μmの純金メッキしたNi製コンタク
トピンで構成し、さらにコンタクトピン4´よりも内側
のコンタクトピン4″を幅W:40μmの純金メッキし
たNi製コンタクトピンで構成し、全ピン数:100ピ
ンの純金メッキNi製コンタクトピンに、厚さ:50μ
mのポリイミド樹脂製非導電性樹脂フィルムおよび厚
さ:25μmの純銅フィルムを張り付けた構造を有する
図10に示される構造の本発明半導体チップテスト用コ
ンタクトプロ−ブ10を作製した。
トピンで構成した全ピン数:100ピンのコンタクトピ
ンに、厚さ:50μmのポリイミド樹脂製非導電性樹脂
フィルムを張り付けた構造を有する図12に示されるよ
うな従来の液晶表示体テスト用コンタクトプロ−ブ1お
よび図14に示されるような従来の半導体チップテスト
用コンタクトプロ−ブ1を作製した。
体テスト用コンタクトプロ−ブ1〜5および本発明半導
体チップテスト用コンタクトプロ−ブ6〜10、並びに
従来例で得られた従来の液晶表示体テスト用コンタクト
プロ−ブ1および従来の半導体チップテスト用コンタク
トプロ−ブ1を、それぞれ3×105 回繰り返し使用し
た。その結果、従来の液晶表示体テスト用コンタクトプ
ロ−ブ1および従来の半導体チップテスト用コンタクト
プロ−ブ1は2×105 回の使用で電気的測定ミスが発
生したが、実施例1〜10で得られた本発明液晶表示体
テスト用コンタクトプロ−ブ1〜5および本発明半導体
チップテスト用コンタクトプロ−ブ6〜10を3×10
5 回使用しても電気的測定ミスは発生せず、特に金属フ
ィルムを形成した本発明液晶表示体テスト用コンタクト
プロ−ブ3〜5および本発明半導体チップテスト用コン
タクトプロ−ブ8〜10は高温多湿の環境下にあっても
長期間使用できた。
ロ−ブは、従来よりも多数回使用することができ、高温
多湿の環境下にあってもコンタクトプロ−ブの両端のコ
ンタクトピン間距離の変化が少なく、したがって、いか
なる環境下にあってもコンタクトピンの先端部を正確に
液晶表示体または半導体チップの所定の位置に正確に接
触させることができ、液晶表示体または半導体チップの
検査のミスが皆無になるなど液晶表示体または半導体産
業の発展に大いに貢献しうるものである。
ーブの斜視説明図である。
ーブの斜視説明図である。
ーブの斜視説明図である。
ーブの斜視説明図である。
ーブの平面説明図である。
ローブの斜視説明図である。
ローブの斜視説明図である。
ローブの斜視説明図である。
ローブの斜視説明図である。
プローブの平面説明図である。
スト用コンタクトプローブの製造方法を示す断面説明図
である。
ブの斜視説明図である。
ブの使用方法を示す側面説明図である。
ーブの斜視説明図である。
ーブの使用方法を示す断面説明図である。
用コンタクトプローブの製造方法を示す断面説明図であ
る。
ブの課題を示す斜視説明図である。
ーブの課題を示す斜視説明図である。
ブ 100 液晶表示体 200 半導体チップ
Claims (10)
- 【請求項1】平行に配列されたコンタクトピンを、コン
タクトピンの先端部が非導電性樹脂フィルムから突出す
るように非導電性樹脂フィルムの片面に張り付けてなる
コンタクトプローブにおいて、 前記平行に配列されたコンタクトピンは幅が異なってお
り、両端部に設けられたコンタクトピンが最も広幅なコ
ンタクトピンで構成されていることを特徴とするコンタ
クトプロ−ブ。 - 【請求項2】平行に配列されたコンタクトピンを、コン
タクトピンの先端部が非導電性樹脂フィルムから突出す
るように非導電性樹脂フィルムの片面に張り付けてなる
コンタクトプローブにおいて、 前記平行に配列されたコンタクトピンは幅が異なってお
り、両端部に設けられたコンタクトピンが最も広幅なコ
ンタクトピンで構成され、中心に向かって漸次、コンタ
クトピンの幅が狭くなっていることを特徴とするコンタ
クトプロ−ブ。 - 【請求項3】請求項1または2記載の平行に配列された
コンタクトピンを有するコンタクトプロ−ブの非導電性
樹脂フィルムの上にさらに金属フィルムが張り付けられ
ていることを特徴とするコンタクトプロ−ブ。 - 【請求項4】平行に配列されたコンタクトピンを、コン
タクトピンの先端部が非導電性樹脂フィルムから突出す
るように非導電性樹脂フィルムの片面に張り付けてなる
コンタクトプローブにおいて、 前記平行に配列されたコンタクトピンは幅が異なってお
り、両端部に設けられたコンタクトピンが最も広幅な非
導通コンタクトピンで構成されていることを特徴とする
コンタクトプロ−ブ。 - 【請求項5】請求項4記載の平行に配列されたコンタク
トピンを有するコンタクトプロ−ブの非導電性樹脂フィ
ルムの上にさらに金属フィルムが張り付けられているこ
とを特徴とするコンタクトプロ−ブ。 - 【請求項6】前記コンタクトピンは、NiまたはNi合
金にAuメッキした構成のコンタクトピンからなること
を特徴とする請求項1、2、3、4または5記載のコン
タクトプロ−ブ。 - 【請求項7】前記金属フィルムは、Niフィルム、Ni
合金フィルム、CuフィルムおよびCu合金フィルムの
うちのいずれか1種の金属フィルムからなることを特徴
とする請求項3または5記載のコンタクトプロ−ブ。 - 【請求項8】前記コンタクトピンは、NiまたはNi合
金にAuメッキした構成のコンタクトピンからなり、か
つ前記金属フィルムは、Niフィルム、Ni合金フィル
ム、CuフィルムおよびCu合金フィルムのうちの1種
の金属フィルムからなることを特徴とする3または5記
載のコンタプロ−ブ。 - 【請求項9】前記コンタクトプロ−ブは、液晶表示体テ
スト用コンタクトプローブであることを特徴とする請求
項1、2、3、4、5、6、7または8記載のコンタク
トプロ−ブ。 - 【請求項10】前記コンタクトプロ−ブは、半導体チッ
プテスト用コンタクトプローブであることを特徴とする
請求項1、2、3、4、5、6、7または8記載のコン
タクトプロ−ブ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19328096A JP3204102B2 (ja) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | コンタクトプローブ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19328096A JP3204102B2 (ja) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | コンタクトプローブ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1038921A JPH1038921A (ja) | 1998-02-13 |
JP3204102B2 true JP3204102B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=16305311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19328096A Expired - Lifetime JP3204102B2 (ja) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | コンタクトプローブ |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP3204102B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030020486A (ko) * | 2001-08-29 | 2003-03-10 | 주식회사 유림하이테크산업 | 엘시디 검사용 프로브 카드 |
JP2003098189A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Micronics Japan Co Ltd | プローブシート及びプローブ装置 |
JP4634159B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2011-02-16 | 山一電機株式会社 | プローブユニット |
KR101057593B1 (ko) | 2009-10-01 | 2011-08-18 | 주식회사 코디에스 | 필름타입 프로브 유닛과 그의 제조방법 및 피검사체의 검사방법 |
-
1996
- 1996-07-23 JP JP19328096A patent/JP3204102B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Publication number | Publication date |
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JPH1038921A (ja) | 1998-02-13 |
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