JP3132389B2 - コンタクトプローブの製造方法 - Google Patents
コンタクトプローブの製造方法Info
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Description
SIチップなどの半導体チップまたは液晶表示体の各端
子にコンタクトプローブの全てのコンタクトピン先端部
を正確に接触させて電気的なテストを行うことのできる
コンタクトプローブの製造方法に関するものであり、特
にコンタクトプローブのコンタクトピン先端部を整列状
態に矯正して全てのコンタクトピン先端部を正確に半導
体チップまたは液晶表示体の所定の端子に接触させるこ
とができる半導体チップまたは液晶表示体テスト用コン
タクトプローブの製造方法に関するものである。
半導体チップまたは液晶表示体の電気的なテストを行う
には、コンタクトプローブが用いられることが知られて
おり、例えば、半導体チップテスト用コンタクトプロー
ブは、図5の斜視図に示されるように、ポリイミド樹脂
フィルム5の片面に、NiまたはNi合金にAuメッキ
された金属で構成されているコンタクトピン4の一部お
よびそれに連なる引き出し用配線(図5には図示せず)
を張り付けた構造になっており、ポリイミド樹脂フィル
ム5の端部からコンタクトピン4の一部が突出してい
る。さらに位置合わせ穴9も設けられている。
6の断面説明図(a)〜(h)に示される工程で作製さ
れる。即ち、ステンレス製の支持金属板6の上に、Cu
のベースメタル層1を形成し、このベースメタル層1上
にフォトレジスト層2を形成し(図6(a))、このフ
ォトレジスト層2に所定のパターンのマスク3を施して
露光し(図6(b))、フォトレジスト層2を現像して
コンタクトピン4となる部分を除去して残存するフォト
レジスト層2に開口部2aを形成し(図6(c))、こ
の開口部2aにコンタクトピン4となるNi層をメッキ
処理により形成し(図6(d))、フォトレジスト層2
を除去し(図6(e))、NiまたはNi合金層の上に
コンタクトピン4の先端部となる部分以外に樹脂フィル
ム5を接着剤5aを介して接着し(図6(f))、つい
で、樹脂フィルム5とコンタクトピン4とベースメタル
層1からなる部分を支持金属板6から分離して(図6
(g))、コンタクトピン4に樹脂フィルム5を接着し
たコンタクトプローブ10を作製する(図6(h))。
ブ10の全体の平面図を図7に示し、さらに、図7のC
−C断面図を図8に示した。図7および図8に示に示さ
れるように、コンタクトプローブ10にはコンタクトプ
ローブ10を固定するための孔18が設けられており、
さらに樹脂フィルム5にはコンタクトピン4から得られ
た信号を引き出すための配線7を介してプリント基板1
7に伝えるための窓19が設けられている。
LSIチップなどの半導体チップを電気的なテストを行
うために、コンタクトプローブ10をセットしてプロー
ブカード20に組み立てるための方法を図9を用いてさ
らに具体的に説明する。まず、プリント基板17の上に
トップクランプ16を取り付ける。つぎにコンタクトプ
ローブ10を取り付けたクランプ12をトップクランプ
16にボルト穴11にボルトを通して取り付ける。最後
に額縁形状のボトムクランプ15でコンタクトプローブ
10を押さえ込むことによりコンタクトピン4を傾斜状
態に保ち、コンタクトプローブ10の先端に突出してい
るコンタクトピン4をチップに押しつける。図10は、
組み立て終了後の一部斜視図を示す。
した。図11に示されるように、コンタクトピン4の先
端をクランプ12によってチップ13に接触させてい
る。前記クランプ12にはコンタクトプローブ10の位
置を調整するための位置決めピン14が設けられてお
り、この位置決めピン14をコンタクトプローブ10に
設けられた位置合わせ穴9に挿入し、コンタクトプロー
ブ10のコンタクトピン4とチップ13とを正確に位置
合わせすることができるようになっている。コンタクト
プローブ10に設けられた窓19の部分のコンタクトピ
ン4に、ボトムクランプ15の弾性体22を押し付けて
コンタクトピン4をプリント基板17の電極21に接触
させ、コンタクトピン4から得られた信号をプリント基
板17の電極21を通して外部に伝えることができるよ
うになっている。
ンタクトプローブ10を図11の断面図に示される如く
コンタクトピン4の先端をクランプ12によってチップ
13に接触させ、チップ13の信号をコンタクトピン4
を介してプリント基板17の電極21に取り出そうとし
ても、信号を取り出すことができないことがあった。
結果、通常の方法で製造したコンタクトプローブ10の
コンタクトピン4の先端部は高さが揃っておらず、図5
のB方向から見た正面図12に示されるように下方に変
形しているコンタクトピン4−1および上方に変形して
いるコンタクトピン4−2が存在し、これを図7のC−
C断面図で示すと、図8の如く下方に湾曲しているコン
タクトピン4−1および上方に湾曲しているコンタクト
ピン4−2が存在しており、かかる従来のコンタクトプ
ローブ10を図11の断面図に示される如くコンタクト
ピン4の先端をクランプ12によってチップ13に押し
付けて接触させても、上方に湾曲しているコンタクトピ
ン4−2がチップ13に接触せず、これが原因でコンタ
クトピン4の先端とチップ13の接触不良を起こし、そ
の結果、信号の取り出し不良が発生することが分かった
のである。
トピン4−1´と最も上方に変形しているコンタクトピ
ン4−2´の高さHが大きいほどコンタクトピン4の先
端とチップ13の接触不良を起こしやすく、したがっ
て、最も下方に変形しているコンタクトピン4−1´と
最も上方に変形しているコンタクトピン4−2´の高さ
Hを平面度と定義すると、平面度が小さいほどコンタク
トピン4の先端とチップ13の接触不良は起こらない。
従って、コンタクトプローブ10を製造した後、コンタ
クトピン4の先端部を1本1本調整することにより平面
度を小さくすることことが必要であるが、その作業を手
作業で行うことは職人芸を必要とし、さらに時間もかか
ってコストも高くなる。
図8または図12に示されるように、下方に湾曲してい
るコンタクトピン4−1および上方に湾曲しているコン
タクトピン4−2が存在する従来のコンタクトプローブ
10の平面度を小さくする簡単な方法を開発すべく研究
を行った結果、従来のコンタクトピン4の先端部片面を
図1の断面図に示されるように平板に押し付けるかまた
は従来のコンタクトピン4の先端部両面を図3の断面図
に示されるように平板で押し付けた状態で300〜50
0℃で20分〜10時間保持すると、下方および上方に
湾曲しているコンタクトピン4−1および4−1´並び
に4−2および4−2´はクリープ変形してコンタクト
ピン先端部が矯正され、コンタクトプローブ10のコン
タクトピン先端部の高さのばらつきがなくなる(即ち、
平面度Hが小さくなる)という知見を得たのである。
たものであって、コンタクトピンの先端部の一部が樹脂
フィルムから突出するようにかつコンタクトピンおよび
それに連なる引き出し用配線を樹脂フィルムに張り付け
てなるコンタクトプローブのコンタクトピン先端部を平
板に押し付けた状態で300〜500℃で20分〜10
時間保持する処理を施すことによりコンタクトピン先端
部を矯正し、平面度を小さくするコンタクトプローブの
製造方法に特徴を有するものである。
は、半導体チップテスト用コンタクトプローブの製造に
適用できるだけでなく、液晶表示体テスト用コンタクト
プローブの製造にも適用できる。従って、この発明は、
一層具体的には、コンタクトピンの先端部の一部が樹脂
フィルムから突出するようにかつコンタクトピンおよび
それに連なる引き出し用配線を樹脂フィルムに張り付け
てなる半導体チップまたは液晶表示体テスト用コンタク
トプローブのコンタクトピン先端部を平板に押し付けた
状態で300〜500℃で20分〜10時間保持する処
理を施すことによりコンタクトピン先端部を矯正し、平
面度を小さくする半導体チップまたは液晶表示体テスト
用コンタクトプローブの製造方法に特徴を有するもので
ある。
テスト用コンタクトピンの製造方法で使用する半導体チ
ップまたは液晶表示体テスト用コンタクトピンの樹脂フ
ィルムはポリイミド樹脂膜からなり、コンタクトピン4
およびそれに連なる引き出し用配線7はNiまたはNi
合金にAuメッキされた金属で構成されており、かかる
構成のピン先端部を矯正するには、300℃以上で20
分間保持することが必要である。しかし、500℃を越
えた温度で10時間を越えて保持すると、コンタクトピ
ン4の硬さが焼鈍効果により低下し、ばね性を失い、コ
ンタクトピン4の先端を半導体チップまたは液晶表示体
に接触させると、簡単にコンタクトピン4が曲がるので
好ましくない。
チ:100μm、ピン数:100ピンのNi製コンタク
トピンに厚さ:50μmのポリイミド樹脂フィルムに張
り付けた構造をコンタクトプローブ10を用意し、この
コンタクトピンのピン先端部の平面度を測定した結果、
平面度は20μmであった。
のコンタクトピン4先端部を図1に示されるように、平
板8に押し付け、400℃で6時間保持した後、得られ
た図2の断面図に示される平面度を測定した結果、平面
度Hは5μmであり、ピン先端部の高さのばらつきであ
る平面度が大幅に改善されており、かかる平面度Hを有
するコンタクトプローブ10を図11に示されるように
コンタクトピン4の先端とチップ13を接触させたが、
コンタクトピン4の先端とチップ13との接触不良によ
る信号の取り出し不良が発生することは無かった。
のコンタクトピン先端部を図3に示されるように、二枚
の平板8および8´に挟んで押し付け、450℃で4時
間保持した後、図4の断面図に示される平面度Hを測定
した結果、平面度は4μmであり、平面度Hが改善され
ていることが分った。かかる平面度Hを有するコンタク
トプローブ10を図11に示されるようにコンタクトピ
ン4の先端とチップ13を接触させたが、コンタクトピ
ン4の先端とチップ13との接触不良による信号の取り
出し不良が発生することは無かった。
導体チップテスト用コンタクトプローブのコンタクトピ
ンを矯正して平面度Hを小さくする方法について詳述し
てきたが、この発明の方法は半導体チップテスト用コン
タクトプローブの製造方法に限定されるものではなく、
液晶表示体テスト用コンタクトプローブの製造方法にも
適用できることはもちろんである。
来のコンタクトプローブのコンタクトピンに施すことに
より、ピン先端部の高さのばらつきである平面度が簡単
に改善され、したがって、コンタクトピン先端部の全て
を正確に半導体チップまたは液晶表示体の所定の位置に
正確に接触させることができ、半導体チップまたは液晶
表示体の検査のミスが皆無になるなど半導体産業の発展
に大いに貢献しうるものである。
矯正処理を示す断面概略図である。
ン先端部の平面度を示す断面図である。
矯正処理を示す断面概略図である。
ン先端部の平面度を示す断面図である。
る。
明図である。
法を示す概略斜視説明図である。
だ状態を示す概略斜視図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 コンタクトピンの先端部の一部が樹脂フ
ィルムから突出するようにかつコンタクトピンおよびそ
れに連なる引き出し用配線を樹脂フィルムに張り付けて
なるコンタクトプローブのコンタクトピン先端部を平板
に押し付けた状態で300〜500℃で20分〜10時
間保持して矯正処理することを特徴とするコンタクトプ
ローブの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08167268A JP3132389B2 (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | コンタクトプローブの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08167268A JP3132389B2 (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | コンタクトプローブの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1010155A JPH1010155A (ja) | 1998-01-16 |
JP3132389B2 true JP3132389B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=15846596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08167268A Expired - Fee Related JP3132389B2 (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | コンタクトプローブの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3132389B2 (ja) |
-
1996
- 1996-06-27 JP JP08167268A patent/JP3132389B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH1010155A (ja) | 1998-01-16 |
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