JPH01287484A - プローブヘッド及びその製造方法とそれを用いた半導体lsi検査装置 - Google Patents
プローブヘッド及びその製造方法とそれを用いた半導体lsi検査装置Info
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- JPH01287484A JPH01287484A JP63117145A JP11714588A JPH01287484A JP H01287484 A JPH01287484 A JP H01287484A JP 63117145 A JP63117145 A JP 63117145A JP 11714588 A JP11714588 A JP 11714588A JP H01287484 A JPH01287484 A JP H01287484A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 31
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 claims description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体LSI検査装置のプローブヘッドに係
り、特に微細ピンの形成、組立に好適なプローブヘッド
及びその製造方法とそれを用いた半導体LSI検査装置
に関する。
り、特に微細ピンの形成、組立に好適なプローブヘッド
及びその製造方法とそれを用いた半導体LSI検査装置
に関する。
従来の装置は、特開昭61−80067号に記載のよう
に、テストプローブ(ピン)を形成するのにプローブピ
ンを個別にプローブ構造体に設けた貫通孔に挿入して行
われている。
に、テストプローブ(ピン)を形成するのにプローブピ
ンを個別にプローブ構造体に設けた貫通孔に挿入して行
われている。
また、プローブピン先端部は、電気的接触特性を向上さ
せるため尖鋭化させる必要があり、プローブピンをプロ
ーブ構造体に固着させた後、切削、研磨により平坦面を
得てエツチングにより露出形成されている。
せるため尖鋭化させる必要があり、プローブピンをプロ
ーブ構造体に固着させた後、切削、研磨により平坦面を
得てエツチングにより露出形成されている。
上記従来技術は、プローブピンの高密度多ピン化の点に
ついて配慮されておらず、プローブピンの形成、組立の
簡易化に問題があった。つまり。
ついて配慮されておらず、プローブピンの形成、組立の
簡易化に問題があった。つまり。
従来技術では、開孔を有するプローブ構造体に個別に形
成したプローブピンを挿入しているが、高密度多ピン化
を想定したものでないため、被検査対象物の半導体LS
Iの高密度化に対応できず、プローブピンが微細化する
ため個別ピンの加工(形成)、組立技術ではその取り扱
いが側底対応困難であるという課題があった。
成したプローブピンを挿入しているが、高密度多ピン化
を想定したものでないため、被検査対象物の半導体LS
Iの高密度化に対応できず、プローブピンが微細化する
ため個別ピンの加工(形成)、組立技術ではその取り扱
いが側底対応困難であるという課題があった。
本発明の目的は、上記課題を解決することにあり、プロ
ーブピンの微細化に対して、形成、組立の簡易化を図り
、高密度半導体LSIの検査装置を実現することにあり
、孟の第1の目的は改良されたプローブヘッドを、そし
て第2の目的はその製造方法を、第3の目的は前記プロ
ーブヘッドを用いたプローブカードを、そして第4の目
的は前記プローブカードを用いた半導体LSI検査装置
を提供することにある。
ーブピンの微細化に対して、形成、組立の簡易化を図り
、高密度半導体LSIの検査装置を実現することにあり
、孟の第1の目的は改良されたプローブヘッドを、そし
て第2の目的はその製造方法を、第3の目的は前記プロ
ーブヘッドを用いたプローブカードを、そして第4の目
的は前記プローブカードを用いた半導体LSI検査装置
を提供することにある。
上記本発明の第1の目的は、(1)、所定間隔で配列形
成された複数列の透孔を有する絶縁基板と、前記透孔内
に先端に尖鋭部を有しその基部が前記基板表面と同一平
面を形成するよう植設固定されたプローブピン列とを具
備して成ることを特徴とする剣山型プローブヘッドによ
り、また(2)、上記ピンの断面形状を非円形とすると
共に上記基板に設けた透孔の形状を前記ピンの断面形状
に合わせて成ることを特徴とする剣山型プローブヘッド
により、さらにまた(3)、上記基板の透孔をロード状
とし、その一端で上記ピンを圧入固定すると共に孔内空
隙部に接着剤を充ん固化して成ることを特徴とする剣山
型プローブヘッドにより達成される。
成された複数列の透孔を有する絶縁基板と、前記透孔内
に先端に尖鋭部を有しその基部が前記基板表面と同一平
面を形成するよう植設固定されたプローブピン列とを具
備して成ることを特徴とする剣山型プローブヘッドによ
り、また(2)、上記ピンの断面形状を非円形とすると
共に上記基板に設けた透孔の形状を前記ピンの断面形状
に合わせて成ることを特徴とする剣山型プローブヘッド
により、さらにまた(3)、上記基板の透孔をロード状
とし、その一端で上記ピンを圧入固定すると共に孔内空
隙部に接着剤を充ん固化して成ることを特徴とする剣山
型プローブヘッドにより達成される。
また、本発明の上記第2の目的は、(1)、導電性シー
トの両面に感光性レジストを塗布する工程と;所定のマ
スクを介して前記感光性レジストを露光、現像処理し、
太ワク付のクシ歯形状のレジストパターンを前記基板の
両面にそれぞれ前記基板を介して対称に形成する工程と
;前記レジストパターンをマスクとして露出した前記基
板の両面を選択エツチングすることによりクシ歯形状の
微細ピンを形成する工程と;予め前記クシ歯形状の微細
ピンの間隔及びピンの断面形状に合わせた複数の透孔列
の設けられた絶縁基板を準備する工程と;前記絶縁基板
の各透孔列に前記クシ歯形状の微細ピンを挿入し、尖鋭
部の先端を揃えてその基部を固定すると共に太ワク部分
を切断してこの切断面を前記基板面と同一面となるよう
研磨する工程とを具備して成ることを特徴とする剣山型
プローブヘッドの製造方法により、また(2)、上記ク
シ歯形状の微細ピンを挿入固定する透孔列の設けられた
絶縁基板を準備する工程として、絶縁基板に感光性ガラ
ス基板を用い、前記基板の一面に前記クシ歯形状の微細
ピンの間隔及びピンの断面形状に合わせたマスクを介し
て露光し、前記露光部を現像液で選択的にエツチングし
てロード状の透孔を形成することを特徴とする請求項4
記載の剣山型プローブヘッドの製造方法により達成され
る。
トの両面に感光性レジストを塗布する工程と;所定のマ
スクを介して前記感光性レジストを露光、現像処理し、
太ワク付のクシ歯形状のレジストパターンを前記基板の
両面にそれぞれ前記基板を介して対称に形成する工程と
;前記レジストパターンをマスクとして露出した前記基
板の両面を選択エツチングすることによりクシ歯形状の
微細ピンを形成する工程と;予め前記クシ歯形状の微細
ピンの間隔及びピンの断面形状に合わせた複数の透孔列
の設けられた絶縁基板を準備する工程と;前記絶縁基板
の各透孔列に前記クシ歯形状の微細ピンを挿入し、尖鋭
部の先端を揃えてその基部を固定すると共に太ワク部分
を切断してこの切断面を前記基板面と同一面となるよう
研磨する工程とを具備して成ることを特徴とする剣山型
プローブヘッドの製造方法により、また(2)、上記ク
シ歯形状の微細ピンを挿入固定する透孔列の設けられた
絶縁基板を準備する工程として、絶縁基板に感光性ガラ
ス基板を用い、前記基板の一面に前記クシ歯形状の微細
ピンの間隔及びピンの断面形状に合わせたマスクを介し
て露光し、前記露光部を現像液で選択的にエツチングし
てロード状の透孔を形成することを特徴とする請求項4
記載の剣山型プローブヘッドの製造方法により達成され
る。
また、本発明の上記第3の目的は、両面にそれぞれ大小
ピッチの異なる電極パッドの形成されたピッチ拡大用配
線基板の一方のピッチの小なる面に、所定間隔で配列形
成された複数列の透孔を有する絶縁基板と前記透孔内に
先端に尖鋭部を有しその基部が前記基板面と同一平面を
形成するよう植設固定されたプローブピン列とを具備し
て成るプローブヘッドの前記基板面を対向させ、はんだ
を介して前記基板面の各ピン端子と前記電極パッドとを
電気的に接続すると共に、前記ピッチ拡大用配線基板の
ピッチの大なる面に、同じく両面に大小ピッチの異なる
電極パッドの形成されたピッチ拡大用多層プリント基板
のピッチの小なる面を対向接続して成ることを特徴とす
るプローブカードにより達成される。
ピッチの異なる電極パッドの形成されたピッチ拡大用配
線基板の一方のピッチの小なる面に、所定間隔で配列形
成された複数列の透孔を有する絶縁基板と前記透孔内に
先端に尖鋭部を有しその基部が前記基板面と同一平面を
形成するよう植設固定されたプローブピン列とを具備し
て成るプローブヘッドの前記基板面を対向させ、はんだ
を介して前記基板面の各ピン端子と前記電極パッドとを
電気的に接続すると共に、前記ピッチ拡大用配線基板の
ピッチの大なる面に、同じく両面に大小ピッチの異なる
電極パッドの形成されたピッチ拡大用多層プリント基板
のピッチの小なる面を対向接続して成ることを特徴とす
るプローブカードにより達成される。
さらにまた、本発明の上記第4の目的は、ウェハステー
ジと、前記ウェハステージに対向して配設されたプロー
ブカードと、前記ウェハステージに搭載された半導体L
SIの電極パッドに前記プローブカードのプローブピン
をコンタクトする手段と、前記プローブピンを介して前
記半導体LSIに外部から給電すると共にアースをとり
、がっ信号伝送手段とを具備した半導体LSI検査装置
であって、前記プローブカードを支持基板と位置決め用
基板とで支持し着脱自在な構造とすると共に上記第3の
目的を達成するプローブカードで構成したことを特徴と
する半導体LSI検査装置によって達成される。
ジと、前記ウェハステージに対向して配設されたプロー
ブカードと、前記ウェハステージに搭載された半導体L
SIの電極パッドに前記プローブカードのプローブピン
をコンタクトする手段と、前記プローブピンを介して前
記半導体LSIに外部から給電すると共にアースをとり
、がっ信号伝送手段とを具備した半導体LSI検査装置
であって、前記プローブカードを支持基板と位置決め用
基板とで支持し着脱自在な構造とすると共に上記第3の
目的を達成するプローブカードで構成したことを特徴と
する半導体LSI検査装置によって達成される。
一端を尖鋭化し、他端を太ワクで支持した一連のクシ歯
形状からなる多数の微細ピンは、ピン形状を考慮して導
電性シートの厚さ選択もシート両面へのレジスト又はメ
タルマスク形成を行い、エツチング法により一括形成さ
れる。
形状からなる多数の微細ピンは、ピン形状を考慮して導
電性シートの厚さ選択もシート両面へのレジスト又はメ
タルマスク形成を行い、エツチング法により一括形成さ
れる。
又、上記した多数の微細ピンの配置パターンを。
平板状のヘッド基板となる絶縁性ハウジングに設けた透
孔の配置パターンに合わせることにより。
孔の配置パターンに合わせることにより。
微細ピンの上記した透孔への挿入を一括で行える。
以上の点から微細ピンの形成、組立の簡易化を実現して
いる。
いる。
実施例1゜
以下、本発明の一実施例を第1図、第2図、第3図によ
り説明する。
り説明する。
第1図は一端で支持したクシ歯形状の微細ピンを形成す
る工程を示す断面図、第2図は第1図の工程により製造
されたクシ歯形状微細ピンの平面図、そして第3図はピ
ンの要部を示した斜視図である。
る工程を示す断面図、第2図は第1図の工程により製造
されたクシ歯形状微細ピンの平面図、そして第3図はピ
ンの要部を示した斜視図である。
第1図(a)は、Be−Cu合金の導電性シートlの両
面にレジスト2−1.2−2をそれぞれコ−ティングし
た状態を示す、導電性シート1の材質としては、その他
の金属たとえばW、Ni−Cu。
面にレジスト2−1.2−2をそれぞれコ−ティングし
た状態を示す、導電性シート1の材質としては、その他
の金属たとえばW、Ni−Cu。
パーマロイ等、微細ピンの強度(N性)、摩耗、更には
組立性をも考慮して種々選択できる。特に、Be−Cu
の場合は、熱処理を施して強度を増加させている。また
、導電シートの厚さは、最終的に形成されるピンの太さ
を決定することになるので。
組立性をも考慮して種々選択できる。特に、Be−Cu
の場合は、熱処理を施して強度を増加させている。また
、導電シートの厚さは、最終的に形成されるピンの太さ
を決定することになるので。
それを考慮に入れて選定する。
第1図(b)は、レジストパターンをフォトリソグラフ
ィにより形成する工程を示したもので。
ィにより形成する工程を示したもので。
レジスト2−1.2−2の両面にそれぞれ図示されてい
ないマスクを重ねて紫外線にて露光、現像した状態を示
す0両面のレジストパターン3−1゜3−2は中心軸4
に対して相互に高精度で一致させている。導電性シート
1の厚さ(t)5をレジストパターン3のピッチ(p)
6の0.5倍以下にし、エツチング加工性を向上させて
いる。なお、第2図(a)は、この第1図(b)のレジ
ストパターンの平面図を示したものである。つまり、第
1図(b)は第2図(a)のA−A線の断面を示してい
る。
ないマスクを重ねて紫外線にて露光、現像した状態を示
す0両面のレジストパターン3−1゜3−2は中心軸4
に対して相互に高精度で一致させている。導電性シート
1の厚さ(t)5をレジストパターン3のピッチ(p)
6の0.5倍以下にし、エツチング加工性を向上させて
いる。なお、第2図(a)は、この第1図(b)のレジ
ストパターンの平面図を示したものである。つまり、第
1図(b)は第2図(a)のA−A線の断面を示してい
る。
第1図(c)は、レジストパターン3をマスクにして過
硫酸アンモニウム系水溶液等を用いて。
硫酸アンモニウム系水溶液等を用いて。
Be−Cuの導電性シート1を選択的にエツチングした
状態を示す、導電性シートエを両面からエツチングし、
レジストパターン3−1.3−2の接着面(図示せず)
に食い込むように、サイドエッチ7−1.7−2を施す
、これにより微細ピン8の断面形状を円形に近づけてい
る。
状態を示す、導電性シートエを両面からエツチングし、
レジストパターン3−1.3−2の接着面(図示せず)
に食い込むように、サイドエッチ7−1.7−2を施す
、これにより微細ピン8の断面形状を円形に近づけてい
る。
第1図(d)は、レジストパターン3−1,3−2を除
去した後、めっき皮膜を形成した状態を示す、微細ピン
8の表面にNi9.Rhl0のめっきを施し、ピン表面
の酸化、摩耗防止と共にピン先端部(図示せず)と被測
定電極(図示せず)との接触抵抗低下を実現している。
去した後、めっき皮膜を形成した状態を示す、微細ピン
8の表面にNi9.Rhl0のめっきを施し、ピン表面
の酸化、摩耗防止と共にピン先端部(図示せず)と被測
定電極(図示せず)との接触抵抗低下を実現している。
第2図(b)は、上記した工程により製造した微細ピン
8の平面形状を示す、微細ピン8を、−定ピツチpで多
数本平行に配置し、一端で支持したクシ歯形状で与えて
いる。微細ピン8の支持部lOは、全て直線11上で絞
り込まれ、切断1分離の容易な構造となっている。一方
、微細ピン8の尖鋭化した先端部12は、直線13上で
そろうように形成される。ピン先端部12の形状制御を
容易にするためダミーの尖鋭化した先端部14を設けで
ある。
8の平面形状を示す、微細ピン8を、−定ピツチpで多
数本平行に配置し、一端で支持したクシ歯形状で与えて
いる。微細ピン8の支持部lOは、全て直線11上で絞
り込まれ、切断1分離の容易な構造となっている。一方
、微細ピン8の尖鋭化した先端部12は、直線13上で
そろうように形成される。ピン先端部12の形状制御を
容易にするためダミーの尖鋭化した先端部14を設けで
ある。
また、微細ピン8の製造等における取り扱いを容易にす
るため額縁形の太ワク(フレーム)15を設けている。
るため額縁形の太ワク(フレーム)15を設けている。
更に、太ワク15の4隅には位置決めや取り扱いを容易
にする透孔16を設けである。上記した微細ピン8の使
用時における太ワクからの切断1分離を容易にするため
、はり込みライン17−1.17−2を設けである。こ
のほり込みラインlフは微細ピン8の支持部10側の太
ワク15上に必要に応じて2箇所以上に設ける場合もあ
る。
にする透孔16を設けである。上記した微細ピン8の使
用時における太ワクからの切断1分離を容易にするため
、はり込みライン17−1.17−2を設けである。こ
のほり込みラインlフは微細ピン8の支持部10側の太
ワク15上に必要に応じて2箇所以上に設ける場合もあ
る。
第3図は、上記した微細ピン8の先端部12の形状を示
す拡大斜°視図である。導電性シート1を用いてピン形
成を行うため、先端部12の尖鋭部18は舟形状となる
。
す拡大斜°視図である。導電性シート1を用いてピン形
成を行うため、先端部12の尖鋭部18は舟形状となる
。
実施例2゜
第4図は、微細ピン8を同一導電シートに対向して2列
設けた本発明の異なる実施例となる平面図を示したもの
である。一端で支持したクシ歯形状の微細ピン8−1.
8−2を対称に配置して多ピン形成を容易にしている。
設けた本発明の異なる実施例となる平面図を示したもの
である。一端で支持したクシ歯形状の微細ピン8−1.
8−2を対称に配置して多ピン形成を容易にしている。
微細ピン8のピッチpは、組立位置(図示せず)に合わ
せて任意に用いる。ここでは、Pz (zo)、 P2
(21)の2種類を用いている。一定量のピン数を一体
で取り扱うため、太ワク15の周辺にほり込みライン1
7−1゜17−2.−・、 17− n、 17’−1
,17’−2,−。
せて任意に用いる。ここでは、Pz (zo)、 P2
(21)の2種類を用いている。一定量のピン数を一体
で取り扱うため、太ワク15の周辺にほり込みライン1
7−1゜17−2.−・、 17− n、 17’−1
,17’−2,−。
17’ −nを設けて切断5分離を容易にしている6な
お、この実施例の微細ピンの製法は、基本的には上記実
施例1と同一工程で、レジストパターンの形状のみ変え
ている。
お、この実施例の微細ピンの製法は、基本的には上記実
施例1と同一工程で、レジストパターンの形状のみ変え
ている。
実施例3゜
第5図〜第7図により微細ピンを用いたプローブピンヘ
ッドの組立工程の実施例を示す。
ッドの組立工程の実施例を示す。
第5図は、組立治具を用いて上記した微細ピン8を組立
てる過程を示した図である。
てる過程を示した図である。
第5図(a)クシ歯形状の微細ピンを組立位置決め治具
33に差込んだ、つまりは、ハウジング25に設けた透
孔26に微細ピン8を挿入した状態を示す断面図である
。ハウジング25は、感光性ガラス基板を用いて高精度
な透孔26が多数個クシ歯形状の微細ピンの配列に対応
して形成されている。なお、感光性ガラス基板は1周知
のリングラフィにより容易に高精度な透孔を設けること
ができるので使用した。
33に差込んだ、つまりは、ハウジング25に設けた透
孔26に微細ピン8を挿入した状態を示す断面図である
。ハウジング25は、感光性ガラス基板を用いて高精度
な透孔26が多数個クシ歯形状の微細ピンの配列に対応
して形成されている。なお、感光性ガラス基板は1周知
のリングラフィにより容易に高精度な透孔を設けること
ができるので使用した。
ドリルで孔を機械的に設けるものに比較して、格段に高
精度で微細孔を設けることができる。つまり、感光性ガ
ラス基板上に所定パターンのマスク、例えば石英製を形
成し、これを介して紫外線露光し、フッ酸系の現像液で
洗浄する。露光部分が結晶化し、現像液(エツチング液
)に溶解し易くなり選択的にエツチングされ、マスクパ
ターンに見合った多数の孔を同時に形成することができ
る。
精度で微細孔を設けることができる。つまり、感光性ガ
ラス基板上に所定パターンのマスク、例えば石英製を形
成し、これを介して紫外線露光し、フッ酸系の現像液で
洗浄する。露光部分が結晶化し、現像液(エツチング液
)に溶解し易くなり選択的にエツチングされ、マスクパ
ターンに見合った多数の孔を同時に形成することができ
る。
上記した太ワク15で一端を支持したクシ歯形状の微細
ピン8を用いることにより一定量のピン数を一体で取り
扱うことができ、上記した透孔26に対して多ピンの一
括挿入を実現している。−括挿入後は、微細ピン8の分
離を行うため、−支持部10に設けた絞り込みを利用し
て直線ll上で全ピンの折り曲げ等による分離を行う、
微細ピン8の分離は、ハウジング25に固着した後で実
施してもよい。
ピン8を用いることにより一定量のピン数を一体で取り
扱うことができ、上記した透孔26に対して多ピンの一
括挿入を実現している。−括挿入後は、微細ピン8の分
離を行うため、−支持部10に設けた絞り込みを利用し
て直線ll上で全ピンの折り曲げ等による分離を行う、
微細ピン8の分離は、ハウジング25に固着した後で実
施してもよい。
微細ピン8を分離した後、ピン先端部12の位置を高精
度に維持するため、スペーサ30.上記ハウジング25
と同材質で構成した穴あき基板31、平坦板32等から
なる位置決め治具33を使用する。ハウジング25は、
微細ピン8を固着するヘッド(図示せず)の構成部品で
あると共に位置決め治具33の構成部品も兼ねている。
度に維持するため、スペーサ30.上記ハウジング25
と同材質で構成した穴あき基板31、平坦板32等から
なる位置決め治具33を使用する。ハウジング25は、
微細ピン8を固着するヘッド(図示せず)の構成部品で
あると共に位置決め治具33の構成部品も兼ねている。
また、ハウジング25に設けた透孔26と微細ピン8の
予備固着を、各々のクリアランスを無くして圧入するこ
とにより行ってもよい、この場合、微細ピン8の表面に
Au等の硬度の低い材料をめっきしておく。
予備固着を、各々のクリアランスを無くして圧入するこ
とにより行ってもよい、この場合、微細ピン8の表面に
Au等の硬度の低い材料をめっきしておく。
第5図(b)は、ハウジング25に設けた透孔26の配
置パターンを示す平面図である。クシ歯形状の微細ピン
8を多数個一括挿入できるように透孔26の配置パター
ンを選んである。この時の配置パターンの種類は、縦、
横の直線34、直線35で示す2つである。透孔数52
個に対して、配置パターン数が10個で済み、微細ピン
8の挿入回数を約115に減少できている。特に、透孔
26が格子状に近い状態で配置されると、配置パターン
の数は透孔数Nに対してその平方根JMに比例して減少
させることができるため、Nが数toooに及ぶ場合は
その効果が非常に大きくなる。配置パターン34−5が
無い場合は、クシ歯形状の微細ピン8を、−指挿入した
状態で樹脂等により固着することができる。
置パターンを示す平面図である。クシ歯形状の微細ピン
8を多数個一括挿入できるように透孔26の配置パター
ンを選んである。この時の配置パターンの種類は、縦、
横の直線34、直線35で示す2つである。透孔数52
個に対して、配置パターン数が10個で済み、微細ピン
8の挿入回数を約115に減少できている。特に、透孔
26が格子状に近い状態で配置されると、配置パターン
の数は透孔数Nに対してその平方根JMに比例して減少
させることができるため、Nが数toooに及ぶ場合は
その効果が非常に大きくなる。配置パターン34−5が
無い場合は、クシ歯形状の微細ピン8を、−指挿入した
状態で樹脂等により固着することができる。
この場合は、微細ピン8の先端部12を一定方向に整列
させることが可能となる。また、微細ピン8を分離した
後でも透孔26の丸穴を六角穴や四角穴等にすることに
よって、同様の効果を得ることができる。つまり、微細
ピン8の形状が第3図に示すように角柱タイプとなるた
め透孔26の穴形状を角形とすることにより、分離後の
微細ピン8の回転を防止することができる。透孔26と
微細ピン8の間にクリアランスを設けない圧入方式の場
合は、穴形状に関係なくピン整列の制御が可能となる。
させることが可能となる。また、微細ピン8を分離した
後でも透孔26の丸穴を六角穴や四角穴等にすることに
よって、同様の効果を得ることができる。つまり、微細
ピン8の形状が第3図に示すように角柱タイプとなるた
め透孔26の穴形状を角形とすることにより、分離後の
微細ピン8の回転を防止することができる。透孔26と
微細ピン8の間にクリアランスを設けない圧入方式の場
合は、穴形状に関係なくピン整列の制御が可能となる。
微細ピン8の先端部12の形状が第3図に示すように両
端で突き出ている等の特異性を有している場合、被測定
電極(図示せず)との接触特性、接触位置決め精度等か
ら重要となる。
端で突き出ている等の特異性を有している場合、被測定
電極(図示せず)との接触特性、接触位置決め精度等か
ら重要となる。
第6図は、クシ歯形状の微細ピン8を位置決め治具33
に挿入し、太ワク15から分離した状態で、微細ピン8
とハウジング25の固着構造を示す断面図である。この
場合は、微細ピン8にワイヤ等を切削加工した個別ピン
も使用することができる。
に挿入し、太ワク15から分離した状態で、微細ピン8
とハウジング25の固着構造を示す断面図である。この
場合は、微細ピン8にワイヤ等を切削加工した個別ピン
も使用することができる。
微細ピン8を挿入した透孔26のすき間部36を中心に
、耐熱性、接着性の良好な樹脂1例えばエポキシ系樹脂
37を塗布した後、その上部に弾力性のあるシリコーン
系のゴムシート38を置き、更にその上から剛性のある
感光性ガラス基板からなる平坦板39で押し当てて、微
細ピン8の先端部17を平坦板32の鏡面40上にそろ
えている。これにより、先端部17の高さ方向位置精度
を向上させている。
、耐熱性、接着性の良好な樹脂1例えばエポキシ系樹脂
37を塗布した後、その上部に弾力性のあるシリコーン
系のゴムシート38を置き、更にその上から剛性のある
感光性ガラス基板からなる平坦板39で押し当てて、微
細ピン8の先端部17を平坦板32の鏡面40上にそろ
えている。これにより、先端部17の高さ方向位置精度
を向上させている。
この時、横方向位置精度もハウジング25等からなる位
置決め治具33により確保される。エポキシ系樹脂37
を固着させるために、この状態で、100℃程度の温度
で数時間の加熱を行う、微細ピン8の押し当て力は、ゴ
ムシート38の硬さと厚さ、及び感光性ガラス基板から
なるスペーサ41の板厚で制御される。この時の押し当
て力の発生は、ボルト42、ナツト43の締め付けによ
る。
置決め治具33により確保される。エポキシ系樹脂37
を固着させるために、この状態で、100℃程度の温度
で数時間の加熱を行う、微細ピン8の押し当て力は、ゴ
ムシート38の硬さと厚さ、及び感光性ガラス基板から
なるスペーサ41の板厚で制御される。この時の押し当
て力の発生は、ボルト42、ナツト43の締め付けによ
る。
微細ピン8の樹脂による固着後、先端部17の高さ方向
位置精度が不十分な場合、再度感光性ガラス基板からな
る位置決め治具33の内、スペーサ30、穴あき基板3
1を組立て、ボルト42、ナツト43で締め付ける。こ
の時、もう一方のスペーサ41、平坦板39は、特に使
用しなくてもよい、また、スペーサ30の板厚は、先端
部17の高さ方向バラツキ幅又はそれ以上薄くしたもの
を使用する。これにより。
位置精度が不十分な場合、再度感光性ガラス基板からな
る位置決め治具33の内、スペーサ30、穴あき基板3
1を組立て、ボルト42、ナツト43で締め付ける。こ
の時、もう一方のスペーサ41、平坦板39は、特に使
用しなくてもよい、また、スペーサ30の板厚は、先端
部17の高さ方向バラツキ幅又はそれ以上薄くしたもの
を使用する。これにより。
微細ピン8の先端部17は、穴あき基板31の透孔部(
図示せず)より突き出る。この突き出し量は、上記した
スペーサ30の板厚を減少させた分に等しい、これは、
突き出しにより穴あき基板31の透孔と微細ピン8の尖
鋭部18とのクリアランスが零にならないように設計さ
れているためである。穴あき基板31の透孔より突き出
た微細ピン8の先端部17を研磨することにより、高さ
方向位置精度を大幅に向上させることができる。特に、
穴あき基板31をそり、平坦度がサブミクロンレベルの
ガラス基板で形成することにより、広範囲の面積に対し
て先端部17のバラツキ幅を大幅に減少させている。
図示せず)より突き出る。この突き出し量は、上記した
スペーサ30の板厚を減少させた分に等しい、これは、
突き出しにより穴あき基板31の透孔と微細ピン8の尖
鋭部18とのクリアランスが零にならないように設計さ
れているためである。穴あき基板31の透孔より突き出
た微細ピン8の先端部17を研磨することにより、高さ
方向位置精度を大幅に向上させることができる。特に、
穴あき基板31をそり、平坦度がサブミクロンレベルの
ガラス基板で形成することにより、広範囲の面積に対し
て先端部17のバラツキ幅を大幅に減少させている。
第7図は、微細ピン8をハウジング25の透孔26に固
着した後、すき間部36から突き出た部分(図示せず)
を研磨して平坦面44を形成したヘッド部45の断面図
を示す、つまり、第6図の状態から第5図の状態に戻す
か、あるいは、更に位置決め治具33を分解し、微細ピ
ン8の固定されたハウジング25を取出し、このハウジ
ング25の表面に突出した微細ピン8の基部を樹脂に固
定されたまま研磨し、平坦面44を実現し、微細ピンヘ
ッド部45を形成する。かくして目的とするプローブピ
ンヘッドが形成された。
着した後、すき間部36から突き出た部分(図示せず)
を研磨して平坦面44を形成したヘッド部45の断面図
を示す、つまり、第6図の状態から第5図の状態に戻す
か、あるいは、更に位置決め治具33を分解し、微細ピ
ン8の固定されたハウジング25を取出し、このハウジ
ング25の表面に突出した微細ピン8の基部を樹脂に固
定されたまま研磨し、平坦面44を実現し、微細ピンヘ
ッド部45を形成する。かくして目的とするプローブピ
ンヘッドが形成された。
実施例4゜
第8図は、上記第7図のヘッド部45にピッチ拡大用基
板を接続した構造を示す断面図である。
板を接続した構造を示す断面図である。
第8図(a)は、多層化した厚膜基板で形成されたピッ
チ拡大用基板46に、上記したヘッド部45を電気的か
つ機械的に接続した構造を示す、微細ピン8と基板46
の信号ライン47は、電源、グランドライン(図示せず
)と共に接続部48ではんだ付けされている。特に信号
ライン47は、高速電気信号の授受を行うため電源層(
図示せず)、グランド層(図示せず)をレファレンス層
としてストリップ線路又はマイクロストリップ線路とな
っており、一定の特性インピーダンスを有している。接
続部48へのはんだ供給は、はんだボール又ははんだ蒸
着法により、ピッチ拡大用基板46の平坦面49又はヘ
ッド部45の平坦面44(図示せず)の上に搭載、形成
して行われる。ヘッド部45に印加される垂直方向の接
触荷重によって接続部48のはんだが破壊されるのを防
止するため、ピッチ拡大用基板46の平坦面49の周辺
に、リジットなストッパ50を形成してハウジング25
等を支える構造をとっている。更に、横方向の外力等に
よる接続部48の信頼度低下を防止するため、シリコー
ンゴム又はエポキシ系樹脂51を用いて、ヘッド部45
とピッチ拡大用基板46の固着を行っている。ピッチ拡
大用基板46のヘッド部45を有しない反対側の面上に
はピッチの拡大された大きさの異なる電極パッド52が
形成されている。この電極パッド52は、更に、整合の
とれたライン又はピッチ拡大基板(図示せず)と電気的
、機械的に接続される。
チ拡大用基板46に、上記したヘッド部45を電気的か
つ機械的に接続した構造を示す、微細ピン8と基板46
の信号ライン47は、電源、グランドライン(図示せず
)と共に接続部48ではんだ付けされている。特に信号
ライン47は、高速電気信号の授受を行うため電源層(
図示せず)、グランド層(図示せず)をレファレンス層
としてストリップ線路又はマイクロストリップ線路とな
っており、一定の特性インピーダンスを有している。接
続部48へのはんだ供給は、はんだボール又ははんだ蒸
着法により、ピッチ拡大用基板46の平坦面49又はヘ
ッド部45の平坦面44(図示せず)の上に搭載、形成
して行われる。ヘッド部45に印加される垂直方向の接
触荷重によって接続部48のはんだが破壊されるのを防
止するため、ピッチ拡大用基板46の平坦面49の周辺
に、リジットなストッパ50を形成してハウジング25
等を支える構造をとっている。更に、横方向の外力等に
よる接続部48の信頼度低下を防止するため、シリコー
ンゴム又はエポキシ系樹脂51を用いて、ヘッド部45
とピッチ拡大用基板46の固着を行っている。ピッチ拡
大用基板46のヘッド部45を有しない反対側の面上に
はピッチの拡大された大きさの異なる電極パッド52が
形成されている。この電極パッド52は、更に、整合の
とれたライン又はピッチ拡大基板(図示せず)と電気的
、機械的に接続される。
第8図(b)は、厚膜基板53上に多層化した薄膜基板
54で形成されたピッチ拡大用基板55に、上記したヘ
ッド部45を接続した構造を示す、厚膜基板53は、断
面形状の異なる導通ライン56を垂直に形成して、薄膜
基板54でピッチの拡大された電極(図示せず)と反対
側の面に形成された電極部57を電気的に接続している
。電極部57にろう付けして形成された接続ピン58は
、整合のとれたライン又はピッチ拡大基板(図示せず)
とコネクタ又ははんだ付は等により電気的、機械的に接
続される。
54で形成されたピッチ拡大用基板55に、上記したヘ
ッド部45を接続した構造を示す、厚膜基板53は、断
面形状の異なる導通ライン56を垂直に形成して、薄膜
基板54でピッチの拡大された電極(図示せず)と反対
側の面に形成された電極部57を電気的に接続している
。電極部57にろう付けして形成された接続ピン58は
、整合のとれたライン又はピッチ拡大基板(図示せず)
とコネクタ又ははんだ付は等により電気的、機械的に接
続される。
実施例5゜
第9図は、半導体ウェハ59の1チツプ60エリア上に
配置されたはんだボール(電極パッド)61に。
配置されたはんだボール(電極パッド)61に。
上記した多ピンを高精度で形成したヘッド部45、ピッ
チ拡大用基板46 (55)、及びピッチ拡大用多層プ
リント基板62から構成されるプローブ力−ド63 (
45,46,62)をヘッド部45に設けた微細ピン8
により、電気的、機械的に接触させた状態を示す半導体
検査装置の要部断面構造を示す、微細ピン8とはんだボ
ール(電極バッド)61の位置決めは、特に高さ方向に
ついて高精度化が要求され。
チ拡大用基板46 (55)、及びピッチ拡大用多層プ
リント基板62から構成されるプローブ力−ド63 (
45,46,62)をヘッド部45に設けた微細ピン8
により、電気的、機械的に接触させた状態を示す半導体
検査装置の要部断面構造を示す、微細ピン8とはんだボ
ール(電極バッド)61の位置決めは、特に高さ方向に
ついて高精度化が要求され。
かつ接触時のオーバシュートを吸収するため、従来のス
テンピングモータに加えてウェハステージ64又は、プ
ローブカード63にピエゾ素子を用いたサブミクロンレ
ベルの制御装置(図示せず)を取り付けて、駆動してい
る。
テンピングモータに加えてウェハステージ64又は、プ
ローブカード63にピエゾ素子を用いたサブミクロンレ
ベルの制御装置(図示せず)を取り付けて、駆動してい
る。
プローブカード63は、テスタ部(図示せず)との信号
の授受を行う同軸コネクタ65、及びピッチ拡大用多層
プリント基板62の表面に設けられた電極パターン(図
示せず)と電気的1機械的に接触させる同軸形スプリン
グコンタクトピン66を配置した支持基板67と、位置
決め用基板68を介して電気的、機械的に接続されてい
る。
の授受を行う同軸コネクタ65、及びピッチ拡大用多層
プリント基板62の表面に設けられた電極パターン(図
示せず)と電気的1機械的に接触させる同軸形スプリン
グコンタクトピン66を配置した支持基板67と、位置
決め用基板68を介して電気的、機械的に接続されてい
る。
この時、プローブカード63は、支持基板67を位置決
め用基板68から開閉することにより着脱される。また
、プローブカード63の微細ピン8が摩耗。
め用基板68から開閉することにより着脱される。また
、プローブカード63の微細ピン8が摩耗。
変形した場合は、ピッチ拡大用基板46をピッチ拡大用
多層プリント基板62との接続部69で分離して交換を
行う、更に、ピッチ拡大用基板46からヘッド部45を
取りはずして交換することもできる。
多層プリント基板62との接続部69で分離して交換を
行う、更に、ピッチ拡大用基板46からヘッド部45を
取りはずして交換することもできる。
本発明によれば、微細ピンを一端を支持した一連のクシ
歯形状とし、かつ導電性シートを素材にエツチングする
ことにより、−括形成できるので、高密度多ピンの形成
を容易に実現できるという効果がある。
歯形状とし、かつ導電性シートを素材にエツチングする
ことにより、−括形成できるので、高密度多ピンの形成
を容易に実現できるという効果がある。
更に、クシ歯形状の微細ピンは、ヘッド組立てにおいて
一括挿入できるので、高密度多ピンヘッドの組立を容易
に実現できるという効果がある。
一括挿入できるので、高密度多ピンヘッドの組立を容易
に実現できるという効果がある。
更に、本発明を用いたプローブヘッド、半導体検査装置
は、微細ピンの形成、組立が容易であるため、大幅な低
コスト化を実現する。
は、微細ピンの形成、組立が容易であるため、大幅な低
コスト化を実現する。
第1図(a)、(b)、(C)、(d)は、それぞれ本
発明の一実施例の微細ピン形成プロセスを示す断面図、
第2図(a)、(b)は、それぞれ第1図の平面図、第
3図は、第1図、第2図の微細ピン先端部の拡大斜視図
、第4図は、微細ピン形成の異なる本発明実施例を示す
平面図、 第5図(a)は、本発明のもう一つの実施例で、微細ピ
ンの組立状態を示す断面図、同じく第5図(b)は、ハ
ウジング基板25の平面図、第6図は、同じく組立の実
施例を示すもので、微細ピンの固着状態を示す断面図、 第7図は、本発明の微細ピンを用いて形成したプローブ
ヘッド45の断面図、 第8図(a)、(b)は、それぞれプローブヘッド45
にピッチ拡大用基板を取り付けた構造を示す断面図、第
9図は、プローブヘッド45.ピッチ拡大用基板46を
用いた半導体検査装置の要部構造を示す断面図である。 図において、 1・・・導電性シート 8・・・微細ピン12・・
・先端部 15・・・太ワク25・・・ハウ
ジング(基板)26・・・透孔33・・・位置決め治具
34.35・・・配置パターン46、55・・・
ピッチ拡大用基板 45・・・ヘッド部 代理人弁理士 中 村 純之助 第3図 第4図 第5図 第6図
発明の一実施例の微細ピン形成プロセスを示す断面図、
第2図(a)、(b)は、それぞれ第1図の平面図、第
3図は、第1図、第2図の微細ピン先端部の拡大斜視図
、第4図は、微細ピン形成の異なる本発明実施例を示す
平面図、 第5図(a)は、本発明のもう一つの実施例で、微細ピ
ンの組立状態を示す断面図、同じく第5図(b)は、ハ
ウジング基板25の平面図、第6図は、同じく組立の実
施例を示すもので、微細ピンの固着状態を示す断面図、 第7図は、本発明の微細ピンを用いて形成したプローブ
ヘッド45の断面図、 第8図(a)、(b)は、それぞれプローブヘッド45
にピッチ拡大用基板を取り付けた構造を示す断面図、第
9図は、プローブヘッド45.ピッチ拡大用基板46を
用いた半導体検査装置の要部構造を示す断面図である。 図において、 1・・・導電性シート 8・・・微細ピン12・・
・先端部 15・・・太ワク25・・・ハウ
ジング(基板)26・・・透孔33・・・位置決め治具
34.35・・・配置パターン46、55・・・
ピッチ拡大用基板 45・・・ヘッド部 代理人弁理士 中 村 純之助 第3図 第4図 第5図 第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、所定間隔で配列形成された複数列の透孔を有する絶
縁基板と、前記透孔内に先端に尖鋭部を有しその基部が
前記基板表面と同一平面を形成するよう植設固定された
プローブピン列とを具備して成ることを特徴とする剣山
型プローブヘッド。 2、上記ピンの断面形状を非円形とすると共に上記基板
に設けた透孔の形状を前記ピンの断面形状に合わせて成
ることを特徴とする請求項1記載の剣山型プローブヘッ
ド。 3、上記基板の透孔をロード状とし、その一端で上記ピ
ンを圧入固定すると共に孔内空隙部に接着剤を充ん固化
して成ることを特徴とする請求項1もしくは請求項2記
載の剣山型プローブヘッド。 4、導電性シートの両面に感光性レジストを塗布する工
程と;所定のマスクを介して前記感光性レジストを露光
、現像処理し、太ワク付のクシ歯形状のレジストパター
ンを前記基板の両面にそれぞれ前記基板を介して対称に
形成する工程と;前記レジストパターンをマスクとして
露出した前記基板の両面を選択エッチングすることによ
りクシ歯形状の微細ピンを形成する工程と;予め前記ク
シ歯形状の微細ピンの間隔及びピンの断面形状に合わせ
た複数の透孔列の設けられた絶縁基板を準備する工程と
;前記絶縁基板の各透孔列に前記クシ歯形状の微細ピン
を挿入し、尖鋭部の先端を揃えてその基部を固定すると
共に太ワク部分を切断してこの切断面を前記基板面と同
一面となるよう研磨する工程とを具備して成ることを特
徴とする剣山型プローブヘッドの製造方法。 5、上記クシ歯形状の微細ピンを挿入固定する透孔列の
設けられた絶縁基板を準備する工程として、絶縁基板に
感光性ガラス基板を用い、前記基板の一面に前記クシ歯
形状の微細ピンの間隔及びピンの断面形状に合わせたマ
スクを介して露光し、前記露光部を現像液で選択的にエ
ッチングしてロード状の透孔を形成することを特徴とす
る請求項4記載の剣山型プローブヘッドの製造方法。 6、両面にそれぞれ大小ピッチの異なる電極パッドの形
成されたピッチ拡大用配線基板の一方のピッチの小なる
面に、所定間隔で配列形成された複数列の透孔を有する
絶縁基板と前記透孔内に先端に尖鋭部を有しその基部が
前記基板面と同一平面を形成するよう植設固定されたプ
ローブピン列とを具備して成るプローブヘッドの前記基
板面を対向させ、はんだを介して前記基板面の各ピン端
子と前記電極パッドとを電気的に接続すると共に、前記
ピッチ拡大用配線基板のピッチの大なる面に、同じく両
面に大小ピッチの異なる電極パッドの形成されたピッチ
拡大用多層プリント基板のピッチの小なる面を対向接続
して成ることを特徴とするプローブカード。 7、ウェハステージと、前記ウェハステージに対向して
配設されたプローブカードと、前記ウェハステージに搭
載された半導体LSIの電極パッドに前記プローブカー
ドのプローブピンをコンタクトする手段と、前記プロー
ブピンを介して前記半導体LSIに外部から給電すると
共にアースをとり、かつ信号伝送手段とを具備した半導
体LSI検査装置であって、前記プローブカードを支持
基板と位置決め用基板とで支持し着脱自在な構造とする
と共に請求項6記載のプローブカードで構成したことを
特徴とする半導体LSI検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63117145A JPH01287484A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | プローブヘッド及びその製造方法とそれを用いた半導体lsi検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63117145A JPH01287484A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | プローブヘッド及びその製造方法とそれを用いた半導体lsi検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01287484A true JPH01287484A (ja) | 1989-11-20 |
Family
ID=14704575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63117145A Pending JPH01287484A (ja) | 1988-05-16 | 1988-05-16 | プローブヘッド及びその製造方法とそれを用いた半導体lsi検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01287484A (ja) |
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- 1988-05-16 JP JP63117145A patent/JPH01287484A/ja active Pending
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