JP2018508753A - テストヘッド用の複数のコンタクトプローブを含む半製品および関連する製造方法 - Google Patents

Abstract

電子装置のテストヘッド用の複数のコンタクトプローブ（１０）を含む半製品（１５）の製造方法であって、コンタクトプローブ（１０）の各々が少なくとも１つの物質架橋部（１３）によって基材（１１）に固定されるように、基材（１１）から材料を除去することによって、コンタクトプローブ（１０）の各々を画定する工程と、を含み、コンタクトプローブ（１０）を画定する工程が、コンタクトプローブ（１０）および少なくとも１つの物質架橋部（１３）の輪郭に応じてレーザ切断を行う工程を含む、製造方法。

Description

より一般的な態様では、本発明は、テストヘッド用の複数のコンタクトプローブを含む半製品であって、プローブが半製品の基材内に実現され、かつ固定される半製品および関連する製造方法に関し、以下の記述は、説明の簡略化のみを目的として、この応用分野を参照して行われる。

周知のように、テストヘッド（プローブヘッド）は、本質的には、微細構造、特にウエハ上に集積された電子装置の複数のコンタクトパッドを、機能テスト、特に電気的テスト、または一般的にテストを行うテスト機械の対応するチャネルと、電気的に接触させるのに適した装置である。

集積装置で実行されるこのテストは、欠陥のある装置を製造段階で検出し、分離するために特に有用である。したがって、テストヘッドは、通常、ウエハに集積された装置を、切断（選別）してチップパッケージ内に組み付ける前に、電気的にテストするために使用される。

テストヘッドは、通常、良好な機械的および電気的特性を有する特別な合金で製造され、被テスト装置の対応する複数のコンタクトパッド用の少なくとも１つの接触部が設けられた、多数のコンタクト素子またはコンタクトプローブを含む。

通常、「垂直プローブヘッド」と呼ばれる垂直プローブを含むテストヘッドは、実質的に板状であり互いに平行である少なくとも１対のプレートまたはガイドによって保持される複数のコンタクトプローブを本質的に含む。それらのガイドは、特定の穴が設けられており、コンタクトプローブの動作および生じうる変形のための自由空間または空隙を残すために、互いに一定の距離をおいて配置されている。一対のガイドは、特に、コンタクトプローブが軸方向に摺動するガイド孔をそれぞれ備えた上部ガイドおよび下部ガイドを含み、プローブは通常、良好な電気的および機械的特性を有する特別な合金で製造される。

コンタクトプローブと被テスト装置のコンタクトパッドとの間の良好な接続は、テストヘッドを装置自体に押し付けることによって保証され、コンタクトプローブは、上部および下部ガイドに形成されたガイド孔内を移動可能であり、２つのガイド間の空隙内部で屈曲し、押圧接触の間にこれらのガイド孔の内部で摺動する。

さらに、図１に概略的に示すように、空隙内で屈曲するコンタクトプローブは、プローブ自体またはそれらのガイドの適切な構成によって支援することができるが、図示の簡略化のために、テストヘッドに通常含まれる複数のプローブのうちの１つのコンタクトプローブのみが示されており、示されたテストヘッドはいわゆる移動プレートタイプである。

特に、図１において、テストヘッド１は、少なくとも１つの上部プレートすなわちガイド２と、１つの下部プレートすなわちガイド３とを含み、それぞれ少なくとも１つのコンタクトプローブ４が摺動する上部ガイド孔２Ａおよび下部ガイド孔３Ａを有する。

コンタクトプローブ４は、少なくとも１つの接触端すなわち先端部４Ａを有する。ここで、また以降において、端または先端という用語は端部を意味し、必ずしも鋭角ではない。具体的には、コンタクトチップ４Ａは、被テスト装置５のコンタクトパッド５Ａに当接して、その装置とテスト装置（図示せず）との間の電気的および機械的接触を実現し、テストヘッド１はその端子要素を形成する。

コンタクトプローブが上部ガイドのテストヘッドに締結固定される場合もあり、このような場合、テストヘッドはブロックプローブテストヘッドと呼ばれる。

あるいは、プローブが締結固定されていないが、微細コンタクトボードによってボードに接続されているテストヘッドが使用されている場合、これらのテストヘッドは、非ブロックプローブテストヘッドと呼ばれる。微細コンタクトボードは、プローブに接触することに加えて、その上に形成されたコンタクトパッドを被テスト装置のコンタクトパッドに対して間隔を再分配させること、特にパッド自身の中心間の距離制約を緩和すること、すなわち、隣接するパッド中心間の距離を間隔変換によって緩和することができるため、通常は「間隔変換器」と呼ばれている。

この場合、図１に示すように、コンタクトプローブ４は、本技術分野でコンタクトヘッドとして示されている、その間隔変換器６の複数のコンタクトパッド６Ａに向かう別のコンタクトチップ４Ｂを有する。プローブと間隔変換器との良好な電気的接触は、被テスト装置５との接触と同様に、コンタクトプローブ４のコンタクトヘッド４Ｂを間隔変換器６のコンタクトパッド６Ａに押し付けることによって保証される。

既に説明したように、上部ガイド２および下部ガイド３は、テストヘッド１の動作中にコンタクトプローブ４の変形を可能にする空隙７によって適切に分離され、コンタクトプローブ４のコンタクトチップ４Ａおよびコンタクトヘッド４Ｂが、被テスト装置５のコンタクトパッド５Ａおよび間隔変換器６のコンタクトパッド６Ａにそれぞれ接触していることを保証する。上部ガイド孔２Ａおよび下部ガイド孔３Ａのサイズが、コンタクトプローブ４がその中を摺動可能であるように決定されなければならないことは明らかである。

テストヘッドの適切な動作は、本質的にコンタクトプローブの垂直移動すなわちオーバートラベル、およびこれらのプローブのコンタクトチップの水平移動すなわちスクラブの２つのパラメータに関連することに留意すべきである。ここで「水平」とは、被テスト装置５、すなわちテストヘッド１のガイドと実質的に同一平面上を移動することを意味し、「垂直」とは、被テスト装置５およびテストヘッド１のガイドと実質的に直交する移動を意味する。

したがって、プローブと被テスト装置との良好な電気的接続が常に保証されなければならないため、これらの特性は、テストヘッドの製造段階において評価され、較正される必要がある。

また、図２に概略的に示すように、実質的に長手方向に延在し、第１の導電性材料、好ましくは金属または金属合金、特にＮｉＭｎまたはＮｉＣｏ合金で製造される本体９Ａによってコンタクトプローブ４を実現することも周知である。したがって、これらのコンタクトプローブ４は、その長手方向が実質的に垂直に、すなわち被テスト装置およびガイドに垂直に配置された状態で、テストヘッド１の内側に配置される。

本体９Ａは、所定の長さおよび２つの対向する端部すなわちコンタクトチップ、正確には接触端部又はコンタクトチップである４Ａと接触端部又はコンタクトヘッドである４Ｂとを有する実質的な中心部分８Ｃを有する。

コンタクトチップ４Ａは、所定の長さ８Ａを有し、コンタクトプローブ４の使用中に、被テスト装置のコンタクトパッド（図示しないが、図１に示す被テスト装置５のコンタクトパッド５Ａに完全に類似している）に押圧接触を加えることを意図している。

同様に、次にコンタクトヘッド４Ｂは、所定の長さ８Ｂを有し、代わりに、コンタクトプローブ４の使用中、特に非ブロックプローブテストヘッドの場合には、間隔変換器（図示しないが、図１に示す間隔変換器６のコンタクトパッド６Ａに完全に類似している）のコンタクトパッドに押圧接触を加えることを意図している。

例えば、２００７年１１月１６日に出願され、２０１０年１２月２３日にイタリア特許第ＩＴ１３８３８８３として許可されたイタリア特許出願第ＭＩ２００７Ａ００２１８２号に記載されているように、特に本体９Ａを実現する第１導電性材料の硬度よりも高い硬度を有する第２の導電性材料の層９Ｂでコンタクトプローブ４をコートすることが知られている。第２の導電性材料は、好ましくは金属または金属合金、特にロジウム、金、白金またはパラジウム−コバルトＰｄＣｏ合金である。

さらに、図２に示すように、本体９Ａの中心部分は、特にパリレンのような絶縁材料で製造される層９Ｂでも被膜できる。

このようにして、層９Ｂによって実現される絶縁被膜は、テストヘッド１内の隣接するコンタクトプローブ間の偶発的接触の場合の短絡を回避して、全体としてコンタクトプローブ４の電気絶縁を改善する。

特に、上述のイタリア特許出願に記載された解決策は、コンタクトプローブの硬度をより高めることを可能にすると同時に、他の隣接するコンタクトプローブと偶然接触する場合にも電気絶縁を保証する。

しかしながら、その解決策は、コンタクトプローブの先端部およびヘッドと各コンタクトパッドとの間の電気的接触効果を低下させる場合がある。

この欠点を克服するために、コンタクトプローブの端部、特にコンタクトチップおよび／またはコンタクトヘッドを高導電性金属材料、好ましくは金を用いてコートすることも知られている。

明らかに、関連する寸法および関連する材料のコストにより、この被膜操作は非常に厄介になる。

場合によっては、コンタクトプローブを、共通の、しばしば複雑である操作に供することも必要であり、これは通常、プロセスフレームと呼ばれる専用の支持体にプローブを配置し保持する必要がある。次いで、プロセスフレームに保持されたプローブは、その全体または特定の位置に影響を与える１つ以上の操作に供される。その後、後でテストヘッドにおける配置に進むために、プロセスフレームからコンタクトプローブを取り外すことが明らかに必要である。

その場合にも、関連する寸法により、コンタクトプローブのプロセスフレームへの配置および保持動作、およびその後の除去が、特に製造時間および無駄の観点から複雑かつ高額になる。

米国特許出願公開２０１３／００６９６８３にはリバースワイヤー放電（Ｒ−ＷＥＤＭ）処理によって複数のコンタクトプローブをバルク導電性材料の加工対象物に形成するプローブカードの製造方法が開示されている。Ｒ−ＷＥＤＭ処理後、元の加工対象物の一部である共通製造基板にコンタクトプローブが付着して残っており、これを基材に結合する。基材に結合した後、共通製造基板を除去する。

米国特許出願公開２０１２／０１７６１２２にはフォトリソグラフィ技術で予め作成した型の開口部に金属材料を充填することでコンタクトプローブを作成した半製品が開示されている。

本発明の技術的課題は、テストヘッド用の複数のコンタクトプローブを含む半製品であって、プローブがその半製品の基材内に適切に実現かつ固定される半製品、ならびにこのような半製品を得ることができる製造方法を提供することであり、それにより得られた方法および半製品は、複数のコンタクトプローブに対して異なる操作を、簡単で信頼性が高く再現性の高い方法で実現することができ、このようにして、既知の方法により実施されている方法に現在影響を及ぼしている限界および欠点を克服する。

本発明の根底にある解決案は、半製品の基材において、その基材から材料を除去することによって多くのコンタクトプローブが得られる半製品を実現することであり、それにより実現されるプローブは、基材にプローブを保持するために適切な機械的接続ブリッジを有し、こうして所望の特性を有するコンタクトプローブを得るまで、半製品はそこで得られる全てのプローブに影響を及ぼす１つ以上の処理工程を経ることができ、その後これらのプローブは半製品の基材から容易に分離することができる。

かかる解決案に基づき、前記技術的課題は、
導電性材料で作られた基材を準備する工程と、
複数のコンタクトプローブの各々が少なくとも１つの物質架橋部によって前記基材に固定されるように、前記基材から材料を除去することによって、各フレームの内部にある前記コンタクトプローブの各々を画定する工程と、を含み、
前記コンタクトプローブを画定する工程が、前記コンタクトプローブおよび前記少なくとも１つの物質架橋部の輪郭に応じてレーザ切断を行う工程を含む、
電子装置のテストヘッド用の複数のコンタクトプローブを含む半製品の製造方法により解決される。

本発明のある実施態様においては、前記コンタクトプローブを画定する前記工程が、前記基材をマスキング処理およびその後の化学的エッチングに供するフォトリソグラフィエッチング工程を含んでもよく、さらに、前記基材をマスキングおよびエッチングの工程に一回もしくは複数回供する工程または前記基材を選択的化学エッチングに供する工程を含んでもよい。

本発明のある実施態様においては、前記画定工程で、完全にランダムに配置された複数の物質架橋部の各々によって前記基材に固定された前記コンタクトプローブを、前記コンタクトプローブの各々に沿って対称または非対称に形成してもよい。

本発明のある実施態様においては、前記画定工程で、中心位置に配置された少なくとも１つの第１の物質架橋部と、側方位置に配置された１つの第２の物質架橋部と、を含む前記コンタクトプローブの各々を形成してもよく、好ましくは前記コンタクトプローブ（１０）のコンタクトチップを含む第１の端部に対応して前記第１の物質架橋部を形成してもよく、また好ましくは前記コンタクトプローブのコンタクトヘッドを含む第２の端部に対応して前記第２の物質架橋部を形成してもよい。

本発明のある実施態様においては、前記画定工程は少なくとも１つの弱化線を前記物質架橋部の各々に付与する工程をさらに含んでもよく、前記少なくとも１つの弱化線は、前記物質架橋部の各々を通過し、前記物質架橋部の完全性（integrity）を破断することで前記基材からの前記コンタクトプローブの分離を容易とするように構成され、前記半製品の平面に直交する方向に沿って、対応する前記基材を局所的に薄くすることによって得られる。

本発明のある実施態様においては、前記基材を準備する前記工程は、
導電性材料で作られた単層を設ける工程、および
導電性材料で作られた１つ又は複数の被膜層によって被覆された第１の導電性材料で作られ、前記基材に形成された前記コンタクトプローブの電気−機械的性能および／または硬度を改善するように構成された、中央層又はコアを含む多層を設ける工程
のうち少なくとも１つを含んでもよい。

本発明のある実施態様においては、前記半製品に含まれる全ての前記コンタクトプローブを処理する少なくとも１つの処理工程は、被膜工程、被覆工程、レーザまたはフォトリソグラフィによる画定工程もしくは電気化学的画定工程、電気めっき工程、電気めっき堆積工程、マイクロメカニカル処理工程、スパッタリング工程、化学的エッチング工程および物理的エッチング工程から選択される１つ又は複数の工程を含んでもよい。

特に、前記処理工程は、前記コンタクトプローブの少なくとも一部または前記コンタクトプローブの全体に影響を及ぼしてもよい。

また、前記処理工程は、前記半製品の同一または異なる部分に対して同じ工程を複数回反復することを含んでもよい。

本発明のある実施態様においては、前記処理工程は、前記半製品と前記コンタクトプローブまたはその一部とを被膜し、導電性材料および誘電性材料から選択される被膜材料で作られた被膜（coating film）を形成する工程を少なくとも１つ含んでもよい。

特に、前記被膜工程で、前記半製品の少なくとも１つの被膜部分上に被膜を形成してもよく、前記少なくとも１つの被膜部分は前記半製品の端部、すなわち前記半製品に形成された前記コンタクトプローブのコンタクトチップまたはコンタクトヘッドを含む部分であり、かつ／または、前記少なくとも１つの被膜部分は前記半製品の中心部分、すなわち前記半製品に形成された前記コンタクトプローブのコンタクトチップもコンタクトヘッドも含まない部分である。

また特に、前記被膜工程で、パラジウムおよびニッケル−パラジウムなどのパラジウム合金、銅および銅−ニオブまたは銅−銀などの銅合金、ロジウムおよびその合金、並びに銀、金およびそれらの合金から選択される金属または金属合金、グラフェン、またはドープされたＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）で作られた導電性材料、好ましくは貴金属群から選択される導電性材料、より好ましくは金から選択される導電性材料の前記被膜を形成してもよい。

もしくは、前記被膜工程で、フッ素系ポリマー、ポリ（ｐ−キシリレン）ポリマー、好ましくは特にＣタイプまたはＦタイプのパリレン（登録商標）、それらのコポリマーまたはナノコンポジット、およびドープされていないＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、好ましくはＣタイプまたはＦタイプのパリレン（登録商標）から選択される誘電体材料の前記被膜を形成してもよい。

本発明のある実施態様においては、前記被膜工程は、
前記半製品の前記被膜によってコートされた部分を画定するのに適した被膜レベルまで浸漬槽のタンクを満たしている液相である被膜材料に前記半製品を浸漬すること、および
前記被膜によってコートされるべき前記半製品の少なくとも一部分に対応して気相の被膜材料を噴霧するように構成された１つ又は複数のノズルを備えた気化チャンバに前記半製品を挿入すること
から選択してもよい。

また、ターゲットと称される固体材料と共に半製品を特別な真空チャンバ内に配置した上でターゲット被膜材料をエネルギー粒子ビームでボンバード処理することで原子、イオンまたは分子フラグメントが放出され、半製品及びそこに作られたコンタクトプローブの延長部の全体または一部の表面上に再凝縮するカソードスパッタリング処理によって実現される材料堆積工程を、前記被膜工程が１つ又は複数含んでもよい。

本発明のある実施態様においては、前記半製品の一部、好ましくは前記コンタクトプローブの中心部分、すなわち前記コンタクトチップも前記コンタクトヘッドも含まない部分、に対応する部分に、少なくとも１つの覆膜（covering film）を形成するために、前記半製品の少なくとも一部を誘電性被覆材料で被覆する工程をさらに含んでもよい。

さらに、被覆工程は、被覆材料でコンタクトプローブを全コートする工程と、その後に半製品をマスキングし、コンタクトプローブの関心ある部分の外側の被覆材料を除去して関心ある部分に覆膜を作製する工程を含んでもよい。

さらに、本発明は、コンタクトプローブの各々が、導電性材料の基材内に実現され、少なくとも１つの物質架橋部によって前記基材に固定される、テストヘッド用の複数のコンタクトプローブを含む半製品にも関する。

本発明による半製品および製造方法の特徴および利点は、添付の図面を参照した例示的および非限定的な例として提供されるある実施形態の以下の説明からもたらされる。

従来技術により実現されるテストヘッド用のコンタクトプローブを概略的に示す。 従来技術により実現されるテストヘッド用のコンタクトプローブを概略的に示す。 本発明による複数のコンタクトプローブおよび単一のプローブに関する対応する詳細をそれぞれ含む半製品の代替的実施形態を概略的に示す。 本発明による複数のコンタクトプローブおよび単一のプローブに関する対応する詳細をそれぞれ含む半製品の代替的実施形態を概略的に示す。 本発明による複数のコンタクトプローブおよび単一のプローブに関する対応する詳細をそれぞれ含む半製品の代替的実施形態を概略的に示す。 本発明による半製品用の基材の代替的実施形態を概略的に示す。 本発明による対応する製造方法の異なる工程中の図５（Ａ）の半製品を概略的に示す。 本発明による半製品の製造方法の異なる工程を概略的に示す。 本発明による半製品の製造方法の異なる工程を概略的に示す。 図８（Ａ）〜図８（Ｄ）を参照して示される変形例による、本発明の製造方法によって実現される半製品の代替的実施形態を概略的に示す。 図９（Ａ）〜図９（Ｃ）を参照して示された代替的実施形態による、本発明の半製品から得られるコンタクトプローブを概略的に示す。 図９（Ａ）〜図９（Ｃ）を参照して示された代替的実施形態による、本発明の半製品から得られるコンタクトプローブを概略的に示す。 本発明による半製品の代替的実施形態を概略的に示す。 本発明による製造方法の一工程を概略的に示す。 図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）を参照して示される本発明の製造方法によって実現される、本発明による半製品のさらなる代替的実施形態を概略的に示す。 図１３の半製品から始まる、本発明の異なる代替的実施形態による製造方法の一工程を概略的に示す。 図１３の半製品から始まる、本発明の異なる代替的実施形態による製造方法の一工程を概略的に示す。 図１４（Ａ）〜図１４（Ｄ）を参照して示される変形例による、本発明の製造方法によって実現される半製品の代替的実施形態を概略的に示す。 図１５（Ａ）〜図１５（Ｃ）を参照して示される代替的実施形態による半製品から得られるコンタクトプローブを概略的に示す。 図１５（Ａ）〜図１５（Ｃ）を参照して示される代替的実施形態による半製品から得られるコンタクトプローブを概略的に示す。

これらの図、特に図３（Ａ）〜図３（Ｂ）、図４（Ａ）〜図４（Ｂ）および図５（Ａ）〜図５（Ｂ）を参照すると、テストヘッド用の複数のコンタクトプローブを含む半製品が記載されており、その半製品は、全体的に１５で示される。

図面は概略図を表しており、それらは縮尺通りに描かれておらず、代わりに本発明の重要な特徴を強調するために描かれていることに留意されたい。

さらに、以下に記載される方法工程は、半製品およびコンタクトプローブの製造の完全なプロセスフローを成すものではない。本発明は、当分野で現在使用されている製造技術と共に実施することができ、ここで含まれるのは本発明の理解に必要な一般的に使用されるプロセス工程のみである。

より詳細には、図３（Ａ）に概略的に示すように、半製品１５は、導電性材料で製造される基材１１内に実現された複数のコンタクトプローブ１０を含む。

特に、各コンタクトプローブ１０は、材料を除去することによって基材１１に実現され、コンタクトプローブ１０を囲むのに適した、フレーム１２として単純に示される実質的フレーム形状の適切な凹部内に実現される。

有利なことに、本発明によれば、各コンタクトプローブ１０は、少なくとも１つの物質架橋部によって基材１１に固定され、特に、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示す例では、各コンタクトプローブ１０は、それを対応するフレーム１２内の基材１１に接続して固定する１つの物質架橋部１３のみを有し、物質架橋部１３は、好ましい実施形態ではプローブ部分、具体的には端部とは異なる部分で実現され、ここで端部という用語はコンタクトプローブ１０のコンタクトチップ１０Ａまたはコンタクトヘッド１０Ｂを含む部分を意味する。

好適には、図３（Ｂ）に示すように、各コンタクトプローブ１０の物質架橋部１３は、それを通過する少なくとも１つの弱化線ＬＬを備えており、物質架橋部１３の完全性（integrity）を破断することにより基材１１からのプローブの分離を容易にするように構成されている。

図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示す実施形態では、各物質架橋部１３は、コンタクトプローブ１０の近くに配置された弱化線ＬＬを有しているため、その破損は、コンタクトプローブ１０を基材１１から分離する際の基材１１に固定されている物質架橋部１３の大部分の維持をもたらす。

好適には、弱化線ＬＬは、基材１１を穿孔することによって得ることができ、穿孔は、例えば、円形、楕円形、矩形、傾斜などの任意の形状を有することができる。あるいは、本発明による半製品１５の好ましい実施形態によれば、弱化線ＬＬは、半製品１５自体の平面に直交する方向Ｚに沿って、対応する基材１１を局所的に薄くすることによって得ることができる。

明らかに、図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示されているものに関して、コンタクトプローブ１０の他の箇所にも完全にランダムに配置された任意の数の物質架橋部１３を実現することが可能である。

特に、図４（Ａ）および図４（Ｂ）に示す代替的実施形態では、本発明による半製品１５は、基材１１に実現された複数のコンタクトプローブ１０を含み、各コンタクトプローブ１０は、それぞれの複数の物質架橋部１３によって基材１１に固定されている。

図４（Ｂ）に示す拡大図に示されるように、各コンタクトプローブ１０は、少なくとも４つの物質架橋部１３、コンタクトチップ１０Ａを含む例で、その端部に実現される物質架橋部の第１の対、および、そのコンタクトヘッド１０Ｂを含む例で、別の端部で実現される物質架橋部の第２の対によって基材１１に固定され、これらの物質架橋部１３の第１および第２の対は、コンタクトプローブ１０の長手方向軸線ＹＹに対して対称的に配置されている。明らかに、各コンタクトプローブ１０に対して４つより多いまたは少ない物質架橋部１３を設けることが可能であり、物質架橋部１３は、長手方向軸線ＹＹに対して対称または非対称に配置され、かつプローブ部分に対して任意の位置に配置される。

この場合にも、図４（Ｂ）に示すように、各物質架橋部１３は、コンタクトプローブ１０の近くに配置された弱化線ＬＬを有することができるため、その破損は、コンタクトプローブ１０を基材１１から分離する際の基材１１に固定されている物質架橋部１３の大部分の維持をもたらす。

図５（Ａ）および図５（Ｂ）に概略的に示す好ましい実施形態では、半製品１５は複数のコンタクトプローブ１０を含み、それぞれ２つの物質架橋部１３のみによって基材１１に固定されており、一方はそのコンタクトチップ１０Ａで、好ましくは中央位置に実現され、他方はそのコンタクトヘッド１０Ｂで、好ましくは図に示すように側方位置で実現される。

さらなる好ましい実施形態であり、各コンタクトプローブ１０が、コンタクトチップ１０Ａで、好ましくは中央位置に実現された物質架橋部１３によって、またコンタクトヘッド１０Ｂで、好ましくは側方位置に実現されたさらなる物質架橋部１３の一対によって、互いに対称的に基材１１に固定されるように実現される（図示せず）。

コンタクトプローブ１０のコンタクトチップ１０Ａの端部に少なくとも１つの物質架橋部１３を配置することは、これらのプローブの端部に作用する後処理操作を含むコンタクトプローブ製造方法において特に有利であることに留意すべきである。その場合、例えば、コンタクトプローブ１０を基材１１から分離した後に行われるコンタクトプローブ１０のコンタクトチップ１０Ａの端部の再成形操作を考慮すると、弱化線ＬＬの破損および物質架橋部１３の除去による可能性のあるバリまたは不完全さを無くすことが可能になる。

こうして、このように得られたコンタクトプローブ１０の機械的および電気的動作を改善し、またこのように機械加工された端部の腐食に対する耐性が改善される。

さらに、これらの端部は、再成形工程後にはもはや粗さを有さないため、コンタクトプローブ１０の摺動の改善、特に被テスト装置のそれぞれのコンタクトパッド上のコンタクトチップ１０Ａの摺動の改善が期待される。

上述の代替的実施形態の組み合わせ、例えばコンタクトプローブ１０のコンタクトチップ１０Ａで実現される物質架橋部１３を１つだけ提供することや、端部と異なる別の位置、例えば中央位置で実現される少なくとも別の物質架橋部１３または一対の物質架橋部１３を提供することが可能であることは明らかである。

好適には、基材１１は、電子装置用のテストヘッド用のコンタクトプローブを実現するのに適した導電性材料で製造される。

より詳細には、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）に示すように、基材１１は、電子装置用のテストヘッド用のコンタクトプローブを実現するのに適した単層または多層の導電性材料で作ることができる。

例えば、基材１１は、ニッケル−マンガン、ニッケル−コバルト、ニッケル−鉄、ニッケル−ベリリウム合金などのニッケルまたはその合金、タングステン−銅、タングステン−レニウムなどのタングステンまたはその合金、銅−ベリリウム、銅−銀、銅−ニオブなどの銅またはその合金、ロジウム−ルテニウムなどのロジウムまたはその合金、イリジウムまたはその合金から選択される金属または金属合金で製造される、あるいはシリコンのような半導体材料で製造される、単層であり得る。

特に、その導電性材料は、２０μΩ／ｃｍ未満の電気抵抗値を有するように選択される。

あるいは、基材１１は、導電性多層であってもよく、特に、例えば、図６（Ｂ）および図６（Ｃ）に示すように、多層基材１１から始まって実現されるコンタクトプローブの電気−機械的性能および／または硬度性能を改善するように構成された第１の被膜層１１Ｂおよび第２の被膜層１１Ｃの、１つ以上の被膜層で覆われた少なくとも１つの中央層すなわちコア１１Ａを含むことができる。

特に、コア１１Ａは、単層基材１１用に上記のものから選択された金属または金属合金で作ることができ、さらに、銅、銀、パラジウムまたはこれらの合金から選択される、あるいは、グラフェンで製造される、高導電率値を有する導電性材料で製造される、および／またはロジウム、ルテニウムニッケル−リン、ニッケル−パラジウム、パラジウムおよびこれらの合金から選択される、あるいはグラフェンで製造される、あるいはドープされたまたはドープされていないＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）で製造される、高硬度値を有する導電性材料で製造される、１つ以上の被膜層によって被覆することができる。

このような半製品１５は、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）を参照して示される製造方法によって得られる。特に、図４（Ａ）に示す半製品１５の実施形態を参照して説明したが、以下に説明する方法を使用して、図３（Ａ）および図５（Ａ）に示す実施形態ならびにそれらの上記の変形例により半製品１５を実現することができることに留意すべきである。

本発明による半製品１５の製造方法は、図７（Ａ）に示すように、導電性材料で製造される基材１１を準備する工程と、基材１１から材料を除去することによって各コンタクトプローブ１０を画定する工程とを含む。

特に、図７（Ｂ）に示すように、各コンタクトプローブ１０は、材料を除去することによって基材１１に実現され、コンタクトプローブ１０を囲むのに適した、フレーム１２として単純に示される実質的にフレーム形状の適切な凹部内に実現される。

有利なことに、本発明によれば、画定する工程は、１つ以上の物質架橋部１３によって基材１１に固定されるようにコンタクトプローブ１０を実現する。図７（Ｂ）に示す例では、コンタクトプローブ１０は、端部、この例では、そのコンタクトチップ１０Ａ、で実現される物質架橋部の第１の対によって、かつ別の端部、この例ではコンタクトヘッド１０Ｂ、で実現される物質架橋部の第２の対によって基材１１に固定される。

好適には、図７（Ｃ）に概略的に示すように、画定工程により、複数のフレーム１２内に複数のコンタクトプローブ１０を実現することができ、各コンタクトプローブ１０はそれぞれのフレーム１２によって囲まれ、それぞれの複数の物質架橋部１３によって基材１１に固定される。図示された例では、半製品１５のコンタクトプローブ１０は同じ幾何学的形状を有しており、特に同じ数および位置の物質架橋部１３およびそれぞれのフレーム１２を有するが、基材１１にフレームが収容され、コンタクトプローブ１０が少なくとも１つの物質架橋部１３によって基材１１に固定されている限り、画定工程により、任意の形状および寸法を有する複数のフレーム１２内に複数のコンタクトプローブ１０を実現することができることは留意すべきである。

基材１１におけるコンタクトプローブ１０の画定工程で、特に、フレーム１２を開放するために基材１１から材料が除去される。

好ましい実施形態では、画定工程は、特にコンタクトプローブ１０および物質架橋部１３の輪郭に対応するレーザ切断工程を含む。

あるいは、画定工程は、１つ以上のマスキング工程およびエッチング工程を含むことができるマスキング処理およびその後の化学エッチングによるフォトリソグラフィエッチング工程を含む。画定工程はまた、基材１１の選択的化学エッチング工程を含むことができる。

画定工程の終わりに、図７（Ｃ）に示すように、物質架橋部１３によって全て基材１１に固定された複数のコンタクトプローブ１０を含む半製品１５が得られる。

さらに、半製品１５の製造方法は、含まれる全てのコンタクトプローブ１０に対して実行される少なくとも１つの処理工程を含むことができる。

特に、処理工程では、半製品１５のコンタクトプローブ１０の一部または全部を同時にまたは近い順番で処理することができる。

半製品１５の全てのコンタクトプローブ１０を処理する処理工程は、例えば被膜工程、被覆工程、レーザまたはフォトリソグラフィによる画定工程もしくは電気化学的画定工程（a laser, photolithographic or electrochemical definition step）、電気めっき工程、電気めっき堆積工程、マイクロメカニカル処理工程、スパッタリング工程、物理的エッチング工程および化学的エッチング工程から選択される１つ以上の工程を含むことができる。

この処理工程は、コンタクトプローブ１０の少なくとも一部、好ましくはコンタクトプローブ１０のコンタクトチップ１０Ａまたはコンタクトヘッド１０Ｂを含む部分を意味する端部、またはコンタクトチップ１０Ａおよびコンタクトヘッド１０Ｂを含まないコンタクトプローブ１０の部分を意味する中心部分に特に影響を及ぼすことができる。

あるいは、処理工程は、全体としてコンタクトプローブ１０に影響を及ぼすことができる。

この処理工程はまた、半製品１５の同一または異なる部分に対して同じ工程を複数回反復することを含み得る。

図８（Ａ）〜図８（Ｄ）に概略的に示されている本発明の好ましい実施形態では、処理工程は、半製品１５、したがって、そこに含まれる全てのコンタクトプローブ１０を被膜する工程を含む。

特に、被膜工程は、導電性材料および誘電性材料から選択される被膜材料で作られた被膜を実現することができる。

導電性被膜材料の場合には、高導電率値を有する材料、特にパラジウムおよびニッケル−パラジウムなどのパラジウム合金、銅および銅−ニオブまたは銅−銀などの銅合金、ロジウムおよびその合金、並びに銀、金およびそれらの合金から選択される金属または金属合金、グラフェン、またはドープされたＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）を使用することができる。好ましくは、導電性被膜材料は、貴金属群、より好ましくは金から選択される。

特に、導電性材料は、２０μΩ／ｃｍ未満の電気抵抗値を有するように選択される。

誘電体被膜材料の場合には、フッ素系ポリマー、ポリ（ｐ−キシリレン）ポリマー、好ましくはＣタイプまたはＦタイプのパリレン（登録商標）、それらのコポリマーまたはナノコンポジット、およびドープされていないＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）を使用することができる。特に、誘電体被膜材料は、１０^１５Ω／ｃｍより大きい電気抵抗値を有するように選択される。

ある実施形態では、図８（Ａ）および図８（Ｃ）に概略的に示すように、被膜工程は、液相である被膜材料によって、被膜レベルＬ１まで満たされたタンク２１を含む浸漬槽２０へ半製品１５を浸漬することによって発生でき、ここで被膜材料は参照番号２２で示されている。

被膜レベルＬ１は、半製品１５の一部を画定し、したがって、被膜によって影響を受けるコンタクトプローブ１０の一部、例えば、図８（Ａ）に示すコンタクトヘッド１０Ｂ、または図８（Ｃ）に示すコンタクトチップ１０Ａを特に含むコンタクトプローブ１０の端部に対応する半製品１５の一部のみを画定する。明らかに、浸漬による被膜工程は、半製品１５の全体または全体としてのコンタクトプローブ１０を含む一部に影響を及ぼし得る。

浸漬による被膜工程は、電流を使用せず実現してもよく、または電気めっきタイプのものであってもよい。

あるいは、被膜工程は、気相の被膜材料を堆積することによって、特に、参照番号２５で示される、気相の被膜材料を噴霧するように構成された１つ以上のノズル２４を備えた気化チャンバ２３に、半製品１５を、それぞれ図８（Ｂ）および図８（Ｄ）に概略的に示すように、各コンタクトプローブ１０のコンタクトチップ１０Ａを含む端部で、または各コンタクトプローブ１０のコンタクトヘッド１０Ｂを含む端部で挿入することによって発生し得る。さらにこの場合、蒸着による被膜工程は、半製品１５の全体または全体としてのコンタクトプローブ１０を含む一部に影響を及ぼし得る。

さらに処理工程は、半製品１５の、例えばそれぞれのコンタクトヘッド１０Ｂを含むコンタクトプローブ１０の第１の端部を被覆する、第１の被膜工程と、続いて半製品１５の、例えばコンタクトチップ１０Ａを含むコンタクトプローブ１０の第２の端部を被覆する、第２の被膜工程とを、この順序でまたは反対の順序で、浸漬または蒸着によって実施することを含むことができる。

さらに、被膜工程は、カソードスパッタリング処理により実現される材料堆積工程を、１つ以上含んでもよい。カソードスパッタリング処理では、ターゲットと称される固体材料と共に半製品１５を特別な真空チャンバ内に配置した上でターゲット被膜材料をエネルギー粒子ビームでボンバード処理することで原子、イオンまたは分子フラグメントが放出され、半製品１５及びそこに作られたコンタクトプローブ（１０）の延長部の全体または一部の表面上に再凝縮する。

このようにして、例えば被膜部分がコンタクトプローブ１０のコンタクトヘッド１０Ｂで図９（Ａ）に参照番号１４’で示される、または被膜部分がコンタクトプローブ１０のコンタクトチップ１０Ａで図９（Ｂ）に参照番号１８’で示される、少なくとも１つの被膜部分を含む半製品１５が得られる。

また、図９（Ｃ）に示すように、コンタクトプローブ１０のコンタクトヘッド１０Ｂに第１の被膜部分１４’を、コンタクトプローブ１０のコンタクトチップ１０Ａに第２の被膜部分１８’を含む半製品１５を得ることも可能である。

また、全体としてコンタクトプローブ１０と実質的に同様に延在する被膜部分を含む半製品１５を得ることができる。

半製品１５が受ける複数の相異なる工程の終わりに、コンタクトプローブ１０は、好ましくは、弱化線ＬＬの破断、およびコンタクトプローブ１０を基材１１に固定する物質架橋部１３の除去によって、基材１１から分離される。

１つ以上の被膜工程を含む処理工程の場合、分離後、それぞれ少なくとも１つの端部に被膜が設けられた複数のコンタクトプローブ１０が得られる。

特に、図９（Ａ）に示すタイプの半製品１５から始めると、図１０（Ａ）に概略的に示されるような、それぞれコンタクトヘッド１０Ｂを含む少なくとも１つの被膜部分１４’を含み、被膜部分１４’の被膜材料で製造される被膜１４Ａが設けられたコンタクトプローブ１０が複数得られる。

ある実施形態では、コンタクトヘッド１０Ｂを含む端部１４の被膜１４Ａは、銅、銀、金、パラジウムまたはそれらの合金から選択される、またはグラフェンで製造される高導電率値を有する被膜材料で製造される。

本発明の好ましい実施形態では、導電性被膜材料は、貴金属群、より好ましくは金から選択される。このようにして、再び図１０（Ａ）に示すように、コンタクトプローブ１０は、その端部１４とコンタクトパッド（例えば、非ブロックプローブを含むテストヘッドの場合には、間隔変換器１６のコンタクトパッド１６Ａ）との間の電気接触特性を改善する。

さらに、間隔変換器１６のコンタクトパッド１６Ａは、次に導電性材料、特に金属または金属合金、より具体的には、コンタクトプローブ１０のコンタクトヘッド１０Ｂを含む端部１４の被膜１４Ａを実現する同じ材料、好ましくは金で製造される、または被膜できる。

同様に、高硬度値を有する被膜材料、特にビッカーススケールで５００Ｈｖより大きい硬度値（４９０３．５ＭＰａ相当）を有する材料で、コンタクトヘッド１０Ｂを含む端部１４に被膜１４Ａを形成することも可能である。好ましくは、被膜材料は、パラジウムおよびニッケル−パラジウムなどのパラジウム合金、銅および銅−ニオブまたは銅−銀などの銅合金、ロジウムおよびその合金、並びに銀、金及びそれらの合金から選択されるか、グラフェンで製造されるか、あるいはドープされたＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）で製造される。

本発明の好ましい実施形態では、被膜材料はロジウムであり、コンタクトプローブ１０はその端部１４、特にコンタクトヘッド１０Ｂの耐摩耗性を改善することができる。

同様に、図９（Ｂ）に示すように半製品１５から始めると、図１０（Ｂ）に概略的に示されるような、それぞれコンタクトチップ１０Ａを含む少なくとも１つの端部１８を有し、被膜部分１８’の被膜材料で製造される被膜１８Ａが設けられたコンタクトプローブ１０が複数得られる。

特に、図１０（Ｂ）に示すように、コンタクトプローブ１０が端部１８とコンタクトパッド（例えば、被テスト装置１７のコンタクトパッド１７Ａ）との間の電気接触特性を改善することができるように、コンタクトチップ１０Ａを含む端部１８の被膜１８Ａは、導電性の高い被膜材料で形成することができる。

さらに、被テスト装置１７のコンタクトパッド１７Ａは、次に導電性材料、特にコンタクトプローブ１０のコンタクトチップ１０Ａを含む端部１８の被膜１８Ａを実現する同じ材料で製造されるか、またはコートすることができる。

あるいは、コンタクトチップ１０Ａを含む端部１８の被膜１８Ａが高硬度の被膜材料を含むことで、コンタクトプローブ１０はその端部１８、特にコンタクトチップ１０Ａの耐摩耗性を改善することができる。

最後に、図９（Ｃ）に示すような半製品１５から始めると、図１０（Ｃ）に概略的に示すような、コンタクトヘッド１０Ｂを含み且つ第１の被膜部分１４’の被膜材料で作られた第１の被膜１４Ａを設けた第１の端部１４と、コンタクトチップ１０Ａを含み且つ第２の被膜部分１８’の被膜材料で作られた第２の被膜１８Ａを設けた第２の端部１８とをそれぞれ有するコンタクトプローブ１０が複数得られる。好適には、これらの第１の被膜１４Ａおよび第２の被膜１８Ａは、同一の被膜材料または異なる材料から製造することができ、単層または多層であり得る。

図１０（Ｃ）および図１０（Ｄ）にそれぞれ示されるさらなる実施形態の場合と同様に、端部１４および１８において同じまたは異なる形状および寸法を有するコンタクトプローブ１０を考慮することも可能である。

さらに、本発明によれば、複数のコンタクトプローブ１０を含む半製品１５の製造方法は、図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）に概略的に示すように、コンタクトプローブ１０の中心部分１９Ａに少なくとも１つの覆膜１９を形成するために、前記半製品１５の少なくとも一部を誘電性被覆材料で被覆する工程を含むことが有利である。ここで中心部分との用語は、コンタクトチップ１０Ａもコンタクトヘッド１０Ｂも含まない部分を意味する。

好適には、覆膜１９は、特にフッ素系ポリマー、ポリ（ｐ−キシリレン）ポリマー、好ましくはＣタイプまたはＦタイプのパリレン（登録商標）、それらのコポリマーまたはナノコンポジット、およびドープされていないＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、好ましくはＣタイプまたはＦタイプのパリレン（登録商標）から選択される誘電体材料で製造される。

より具体的には、被覆工程は、被覆材料でコンタクトプローブ１０を全て被膜する工程と、その後に半製品１５をマスキングし、コンタクトプローブ１０の関心ある部分の外側の被覆材料を除去して関心ある部分、例えば中心部分１９Ａ、にのみ被膜を実現する工程を含んでもよい。特に、コンタクトプローブ１０の中心部分１９Ａに延びる半製品１５の帯を覆う実質的に長方形のマスクを適用すると、図１１（Ａ）に概略的に示すように、覆膜１９によって被覆された中心部分１９Ａがそれぞれ設けられたコンタクトプローブ１０を複数有する半製品１５が得られる。その場合、覆膜１９の部分１９Ｂは、コンタクトプローブ１０を囲むフレーム１２の基材１１の中心部分にも残される。

あるいは、図１１（Ｂ）に概略的に示すように、より複雑なマスク、特に網状のマスクを使用してコンタクトプローブ１０の中心部分１９Ａのみを露出させたままにすることが可能である。

非限定的な例として、被覆工程は、化学気相蒸着（ＣＶＤ）工程または不動態化を含む。

全てのプローブに影響を及ぼす処理工程が、覆膜１９を実現するための被覆工程を含むこともできる。

その場合、有利なことには本発明は、処理工程が、半製品１５の少なくとも一部、特にコンタクトプローブ１０の中心部分１９Ａに対応する部分を、覆膜１９を含むコートされた中心部分１９’を実現するのに適した誘電性被覆材料で被膜する工程を、少なくとも１つ含んでもよい。

簡便には、誘電性被覆材料を用いた被膜工程は、浸漬槽２０のタンク２１を使用して、２６で示す液相である誘電性被覆材料に、適切な被覆マスクが設けられた半製品１５を浸漬する工程を含んでもよい。

この場合、コンタクトプローブ１０の中心部分１９Ａが上部被膜レベルＬ２から下部被膜レベルＬ３まで伸びていることを考慮すると、液相２６の誘電性被覆材料は、図１２（Ａ）に概略的に示されるように、タンク２１の少なくとも上部被膜レベルＬ２に到達しなければならないことは留意すべきである。

先に示したように、半製品１５は、コンタクトプローブ１０の中心部分１９Ａの外側、すなわち少なくとも上部被膜レベルＬ２を越え、かつ下部被膜レベルＬ３より下に延びる被覆マスクを含むことができる。

あるいは、誘電性被覆材料を用いた被膜工程は、所望の上部被膜レベルＬ２に達している液相２６の誘電性被覆材料中に半製品１５を浸漬する工程と、それに続いて所望の下部被膜レベルＬ３より下にある覆膜１９を除去する工程とを含んでもよい。

所望の上部被膜レベルＬ２より上に届いている液相２６の誘電性被覆材料中に半製品１５を全浸漬する工程と、それに続いて所望の下部被膜レベルＬ３より下にある覆膜１９を除去する工程とを含む、誘電性被覆材料を用いた被膜工程を検討することも可能である。

簡便には、覆膜１９の除去工程は、化学エッチングによって、場合によっては半製品１５に適用される適切なマスクの使用により行うことができる。

コンタクトプローブ１０の中心部分１９Ａで半製品１５の被覆された中心部分１９’を実現するには、図１２（Ｂ）に概略的に示すように、２７で示す気相の誘電性被覆材料を噴霧するために気化チャンバ２３を使用することも可能である。

好適には、この場合、上部被膜レベルＬ２と下部被膜レベルＬ３との間に含まれる気化チャンバ２３のノズル２４のみが活性化される。このノズルは覆膜１９で被覆された中心部分１９Ａの延長部に対応する。

前述した浸漬による被膜工程に対して、気化を利用することにより、コンタクトプローブ１０の中心部分１９Ａを含む半製品１５の一部にのみ覆膜１９を実現して、被覆された中心部分１９’を実現でき、半製品１５にマスクを塗布して除去することを避けることが可能であることに留意すべきである。

この場合、図１３に概略的に示されるように、覆膜１９の部分１９Ｂは、フレーム１２においても基材１１上に残され得、コートされた中心部分１９’は、全半製品１５に沿って延びている。これらの部分１９Ｂは有用性を有さないが、本発明による半製品１５から得られるコンタクトプローブ１０の構成または性能に影響を及ぼすものではないことにも留意すべきである。

実際には、これらの部分１９Ｂは、半製品１５からコンタクトプローブ１０を分離した後に、コンタクトプローブ１０を欠く基材１１および場合によっては物質架橋部１３と共に除去される。

コートされた中心部分１９’が設けられ、少なくとも一部分、特にコンタクトプローブ１０の中心部分１９Ａに配置された半製品１５を提供する場合には、任意の後続の処理工程は、覆膜１９をさらに基準または「ストッパ」として使用できることに留意すべきである。

特に、コンタクトプローブ１０の端部を連続的に被膜する工程の場合、被膜材料の接着を完全にまたは有意に防止することができる材料が選択されるのであれば、被覆された中心部分１９’が存在することで、被膜材料によってコートされる端部の寸法を先験的に決定することが可能になる。

先に示したように、非限定的な例として、図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）に概略的に示されるように、少なくとも１つのコートされた中心部分１９’を含む半製品１５の製造方法が、半製品１５を液相２２の被膜材料、特に金属材料またはその合金、好ましくは金に浸漬することによって、コンタクトプローブ１０の一方または両方の端部１４および１８のうち１つ以上を被膜する工程を含むことを検討することが可能である。ここで、半製品１５はコンタクトヘッド１０Ｂおよびコンタクトチップ１０Ａがそれぞれ浸漬に供されるか、または、図１４（Ｃ）および図１４（Ｄ）に概略的に示すように半製品１５を気化チャンバ２３に挿入することによって、コンタクトヘッド１０Ｂおよびコンタクトチップ１０Ａにそれぞれ蒸着がなされる。

このようにして、コートされた中心部分１９’および少なくとも１つのさらなる被膜部分、例えば図１５（Ａ）の参照番号１４’で示されるコンタクトプローブ１０のコンタクトヘッド１０Ｂの部分、または図１５（Ｂ）の参照番号１８’で示されるコンタクトプローブ１０のコンタクトチップ１０Ａの部分、を含む半製品１５が得られる。

また、図１５（Ｃ）に概略的に示すように、コートされた中心部分１９’と共に、コンタクトプローブ１０のコンタクトヘッド１０Ｂにあるさらなる第１の被膜部分１４’と、コンタクトプローブ１０のコンタクトチップ１０Ａにあるさらなる第２の被膜部分１８’と、を含む半製品１５を得ることも可能である。

結果として、本発明による製造方法では、被膜工程が、半製品１５の被膜部分１４’、１８’および１９’ の少なくとも１つの上に被膜を実現する。ここで被膜部分１４’および１８’の少なくとも１つは半製品１５の端部、すなわち半製品１５に実現されたコンタクトプローブ１０のコンタクトチップ１０Ａまたはコンタクトヘッド１０Ｂを含む部分を意味し、且つ／または、少なくとも１つの被膜部分１９’は、半製品１５の中心部分、すなわち半製品１５に実現されたコンタクトプローブ１０のコンタクトチップ１０Ａもコンタクトヘッド１０Ｂも含まない部分を意味する。

また、全体としてコンタクトプローブ１０と実質的に同様に延在する被膜部分を含む半製品１５を得ることができる。

また、画定工程では、好ましくはコンタクトプローブ１０のコンタクトチップ１０Ａを含む第１の端部に対応する、中心位置に配置された少なくとも１つの第１の物質架橋部１３と、好ましくはコンタクトプローブ１０のコンタクトヘッド１０Ｂを含む第２の端部に対応する、側方位置に配置された１つの第２の物質架橋部１３と、を含む各コンタクトプローブ１０を実現することに留意されたい。

さらに、画定工程では、少なくとも１つの弱化線ＬＬを物質架橋部１３の各々に付与する工程をさらに含む。前記少なくとも１つの弱化線ＬＬは、物質架橋部１３の各々を通過し、物質架橋部１３の完全性（integrity）を破断することで基材１１からのコンタクトプローブ１０の分離を容易にするように構成される。前記少なくとも１つの弱化線ＬＬは、半製品１５の平面に直交する方向Ｚに沿って、対応する基材１１を局所的に薄くすることによって得られる。

半製品１５が受ける異なる工程の終わりに、コンタクトプローブ１０は、好ましくは弱化線ＬＬの破断およびコンタクトプローブ１０を基材１１に固定する物質架橋部１３の除去によって、基材１１から分離される。

分離工程に続いて、複数のコンタクトプローブ１０が得られる場合、図１６（Ａ）〜図１６（Ｃ）に概略的に示されるように、各プローブの有する一方または両方の端部は、被膜材料によってコートされ、被覆材料１９によってコートされた中心部分１９Ａに隣接している。

結論として、本発明は、テストヘッド用の複数のコンタクトプローブ１０を含む半製品１５を提供し、これらのコンタクトプローブ１０の各々は、導電性材料の基材１１に実現され、少なくとも１つの物質架橋部１３によって基材１１に固定されている。

本発明による半製品は、プローブをそこから得る積層体にプローブが固定されているので、実現されているコンタクトプローブの被膜操作および／または被覆操作を全体として実行し、全製造プロセスの最後の時点となってから積層体からのコンタクトプローブの分離を開始することが可能である。

有利なことに、この半製品は、基材から材料を除去することによって画定される複数のコンタクトプローブの少なくとも１つの画定工程を含む方法によって得られ、プローブは、互いに同一の形状であっても異なる任意の形状であってもよく、各コンタクトプローブには少なくとも１つの物質架橋部が設けられている。画定工程は、寸法制約が小さく、高精度レベルの高いレーザ切断によって非常に効率的な方法で実施され、その特性は、プローブおよび物質架橋部の両方について関連する寸法を考慮すると特に有利である。画定工程はまた、物質架橋部の弱化線を画定することを可能とし、特に、弱化線において物質架橋部の厚さを半製品の平面に直交する方向に薄くすることによって可能とする。

好適には、本発明による半製品の製造方法の被膜工程は、液相である被膜材料への浸漬および気相の被膜材料の蒸着の両方によって実現される場合に、必要な被膜材料の供給を最小限に抑えることをさらに可能にする。これらの被膜材料が非常に高価であるところ、半製品およびそのようにして得られたコンタクトプローブの最終的なコストは明らかに有利な結果となる。

また、半製品を覆膜で覆うことも可能である。特に誘電性のものは後に続く被膜工程で「ストッパ」として機能することができる。特に導電性被膜を使用し、これが貴金属製の導体の場合、または非常に高価な材料の場合、特に有利である。

明らかに、上記の半製品および製造方法には、特定のニーズおよび仕様を満たす目的で、当業者であればいくつかの変更および修正を行うことができ、これらは全て、以下の請求項によって定義される本発明の保護範囲に含まれる。

Claims (16)

1. 導電性材料で作られた基材（１１）を準備する工程と、
   複数のコンタクトプローブ（１０）の各々が少なくとも１つの物質架橋部（１３）によって前記基材（１１）に固定されるように、前記基材（１１）から材料を除去することによって、各フレーム（１２）の内部にある前記コンタクトプローブ（１０）の各々を画定する工程と、を含み、
   前記コンタクトプローブ（１０）を画定する工程が、前記コンタクトプローブ（１０）および前記少なくとも１つの物質架橋部（１３）の輪郭に応じてレーザ切断を行う工程を含む、
   電子装置のテストヘッド用の複数のコンタクトプローブ（１０）を含む半製品（１５）の製造方法。
2. 前記コンタクトプローブ（１０）を画定する前記工程が、前記基材（１１）をマスキング処理およびその後の化学的エッチングに供するフォトリソグラフィエッチング工程を含み、さらに、前記基材（１１）をマスキングおよびエッチングの工程に一回もしくは複数回供する工程または前記基材（１１）を選択的化学エッチングに供する工程を含んでもよい、請求項１に記載の製造方法。
3. 前記画定工程で、完全にランダムに配置された複数の物質架橋部（１３）の各々によって前記基材（１１）に固定された前記コンタクトプローブ（１０）を、前記コンタクトプローブ（１０）の各々に沿って対称または非対称に形成する請求項１または請求項２に記載の製造方法。
4. 前記画定工程で、中心位置に配置された少なくとも１つの第１の物質架橋部（１３）と、側方位置に配置された１つの第２の物質架橋部（１３）と、を含む前記コンタクトプローブ（１０）の各々を形成し、好ましくは前記コンタクトプローブ（１０）のコンタクトチップ（１０Ａ）を含む第１の端部に対応して前記第１の物質架橋部（１３）を形成し、また好ましくは前記コンタクトプローブ（１０）のコンタクトヘッド（１０Ｂ）を含む第２の端部に対応して前記第２の物質架橋部（１３）を形成する、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の製造方法。
5. 前記画定工程は少なくとも１つの弱化線（ＬＬ）を前記物質架橋部（１３）の各々に付与する工程をさらに含み、前記少なくとも１つの弱化線（ＬＬ）は、前記物質架橋部（１３）の各々を通過し、前記物質架橋部（１３）の完全性（integrity）を破断することで前記基材（１１）からの前記コンタクトプローブ（１０）の分離を容易とするように構成され、前記半製品（１５）の平面に直交する方向（Ｚ）に沿って、対応する前記基材（１１）を局所的に薄くすることによって得られる、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の製造方法。
6. 前記基材（１１）を準備する前記工程は、
   導電性材料で作られた単層を設ける工程、および
   導電性材料で作られた１つ又は複数の被膜層によって被覆された第１の導電性材料で作られ、前記基材（１１）に形成された前記コンタクトプローブ（１０）の電気−機械的性能および／または硬度を改善するように構成された、中央層又はコア（１１Ａ）を含む多層を設ける工程
   のうち少なくとも１つを含む請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の製造方法。
7. 前記半製品（１５）に含まれる全ての前記コンタクトプローブ（１０）を処理する少なくとも１つの処理工程は、被膜工程、被覆工程、レーザまたはフォトリソグラフィによる画定工程もしくは電気化学的画定工程、電気めっき工程、電気めっき堆積工程、マイクロメカニカル処理工程、スパッタリング工程、化学的エッチング工程および物理的エッチング工程から選択される１つ又は複数の工程を含む、請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の製造方法。
8. 前記処理工程は、前記コンタクトプローブ（１０）の少なくとも一部または前記コンタクトプローブ（１０）の全体に影響を及ぼす請求項７に記載の製造方法。
9. 前記処理工程は、前記半製品（１５）の同一または異なる部分に対して同じ工程を複数回反復することを含む請求項７または請求項８に記載の製造方法。
10. 前記処理工程は、前記半製品（１５）と前記コンタクトプローブ（１０）またはその一部とを被膜し、導電性材料および誘電性材料から選択される被膜材料で作られた被膜を形成する工程を少なくとも１つ含む請求項７〜請求項９のいずれか一項に記載の製造方法。
11. 前記被膜工程で、前記半製品（１５）の少なくとも１つの被膜部分（１４’、１８’および１９’）上に被膜を形成し、前記少なくとも１つの被膜部分（１４’および１８’）は前記半製品（１５）の端部、すなわち前記半製品（１５）に形成された前記コンタクトプローブ（１０）のコンタクトチップ（１０Ａ）またはコンタクトヘッド（１０Ｂ）を含む部分であり、かつ／または、前記少なくとも１つの被膜部分（１９’）は前記半製品（１５）の中心部分、すなわち前記半製品（１５）に形成された前記コンタクトプローブ（１０）のコンタクトチップ（１０Ａ）もコンタクトヘッド（１０Ｂ）も含まない部分である、請求項１０に記載の製造方法。
12. 前記被膜工程で、パラジウムおよびニッケル−パラジウムなどのパラジウム合金、銅および銅−ニオブまたは銅−銀などの銅合金、ロジウムおよびその合金、並びに銀、金およびそれらの合金から選択される金属または金属合金、グラフェン、またはドープされたＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）で作られた導電性材料、好ましくは貴金属群から選択される導電性材料、より好ましくは金から選択される導電性材料の前記被膜を形成する請求項１０または請求項１１に記載の製造方法。
13. 前記被膜工程で、フッ素系ポリマー、ポリ（ｐ−キシリレン）ポリマー、好ましくは特にＣタイプまたはＦタイプのパリレン（登録商標）、それらのコポリマーまたはナノコンポジット、およびドープされていないＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、好ましくはＣタイプまたはＦタイプのパリレン（登録商標）から選択される誘電体材料の前記被膜を形成する請求項１０または請求項１１に記載の製造方法。
14. 前記被膜工程は、
    前記半製品（１５）の前記被膜によってコートされた部分を画定するのに適した被膜レベル（Ｌ１）まで浸漬槽（２０）のタンク（２１）を満たしている液相（２２）である被膜材料に前記半製品（１５）を浸漬すること、および
    前記被膜によってコートされるべき前記半製品（１５）の少なくとも一部分に対応して気相（２５）の被膜材料を噴霧するように構成された１つ又は複数のノズル（２４）を備えた気化チャンバ（２３）に前記半製品（１５）を挿入すること
    から選択される請求項１０〜請求項１３のいずれか一項に記載の製造方法。
15. ターゲットと称される固体材料と共に半製品（１５）を特別な真空チャンバ内に配置した上でターゲット被膜材料をエネルギー粒子ビームでボンバード処理することで原子、イオンまたは分子フラグメントが放出され、半製品（１５）及びそこに作られたコンタクトプローブ（１０）の延長部の全体または一部の表面上に再凝縮するカソードスパッタリング処理によって実現される材料堆積工程を、前記被膜工程が１つ又は複数含む、請求項１０〜請求項１３のいずれか一項に記載の製造方法。
16. 前記半製品（１５）の一部、好ましくは前記コンタクトプローブ（１０）の中心部分（１９Ａ）、すなわち前記コンタクトチップ（１０Ａ）も前記コンタクトヘッド（１０Ｂ）も含まない部分、に対応する部分に、少なくとも１つの覆膜（１９）を形成するために、前記半製品（１５）の少なくとも一部を誘電性被覆材料で被覆する工程をさらに含む請求項１〜請求項１５のいずれか一項に記載の製造方法。