KR100980349B1 - 프로브 어셈블리 및 그 제조방법 - Google Patents

프로브 어셈블리 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 희생물질을 사용하여 프로브가 일체형으로 이루어지도록 제조되는 프로브 어셈블리 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판의 표면에 홈을 형성하는 단계; 상기 홈 내에 희생물질을 채워넣는 단계; 상기 홈 인근의 표면에서부터 상기 희생물질의 일부 표면으로 연장되는 전도성의 프로브 틀을 형성하는 단계; 상기 희생물질의 일부 표면 상에 위치하는 상기 프로브 틀이 끝이 위로 돌출되도록 상기 프로브 틀을 가공하여 프로브를 형성하는 단계; 및 상기 희생물질을 제거하는 단계:를 포함하는 것을 특징으로 한다. 여러 구성요소의 연결에 의해 프로브가 이루어질 경우에 그 구성요소의 연결부에서의 접합깨짐에 의한 프로브 손상이나 전류 누설이 발생할 수 있는데 본 발명은 일체형이므로 이러한 문제점을 해결할 수 있다.
프로브, 희생물질, 슬라이싱, 마스크 패턴, 일체형

Description

프로브 어셈블리 및 그 제조방법{Probe assembly and method for fabricating the same}
도1a 내지 도1g는 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브 어셈블리 및 그 제조방법을 설명하기 위한 도면들;
도2a, 도2b, 도3a, 및 도3b는 희생물질의 형상에 따라 프로브의 형태가 달라짐을 설명하기 위한 도면들;
도4a 내지 도4e는 본 발명의 제2실시예에 따른 프로브 어셈블리 제조방법을 설명하기 위한 도면들;
도5a 내지 도5g는 본 발명의 제3실시예에 따른 프로브 어셈블리 제조방법을 설명하기 위한 도면들;
도6a 내지 도6h는 본 발명의 제4실시예에 따른 프로브 어셈블리 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
< 도면의 주요 부분에 대한 참조번호의 설명 >
10, 110, 210, 310: 기판
20, 20a, 20b, 120, 220a, 220b, 320a, 320b: 희생물질
30, 130, 230, 330: 전극
40, 340: 마스크 패턴
50a, 50b, 150a, 150b, 250a, 250b, 350a: 프로브 틀
50, 50', 50", 150, 250, 350: 프로브
본 발명은 프로브 어셈블리 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히, 희생물질을 사용하여 프로브가 일체형으로 이루어지도록 제조되는 프로브 어셈블리 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조공정시에는 각 소자의 전기적 특성을 검사하는 EDS(Electrical Die Sorting) 공정을 거친다. FPD(Flat Panel Display) 소자 등의 경우도 마찬가지이다. 전기적 특성검사에는 복수개의 프로브가 구비된 프로브 카드(probe card)라는 검사장치가 사용된다. 전기적 특성검사는 전자소자의 전극 패드에 프로브를 접촉시켜 여기에 전류를 흘려보내어 그 때의 전기적 특성을 측정함으로써 이루어진다.
그런데, 최근 전자소자의 집적도가 증가하고 소형화됨으로 인해 전자소자의 전극패드 간격(pitch)이 좁아지고 있어 전극패드에 접촉되는 프로브들 사이의 간격이 최대한 좁아야 할 뿐만 아니라 프로브 자체의 두께도 최소가 되어야 하는 요구 가 대두되고 있다. 또한, 정밀한 검사를 위해서 프로브 카드에서의 누설전류를 최소화하여야 하는 부담도 더해가고 있다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 상술한 종래의 문제를 해결하기 위하여 희생물질을 사용하여 프로브를 일체형으로 만들어서 프로브 자체에서의 누설전류를 감소시킴과 동시에 프로브들 사이의 간격을 좁게 하고 그 제조과정을 단순화한 프로브 카드의 프로브 어셈블리 및 그 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 프로브 어셈블리는, 표면에 홈이 파인 기판; 및 상기 홈 인근의 표면에서부터 상기 홈 상부공간으로 수평연장된 후 위쪽으로 돌출되며 일체형으로 이루어진 전도성 재질의 프로브;를 구비하되, 상기 프로브 전체가 여러 구성요소의 연결부를 전혀 포함하지 않으며 하나의 재질로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 프로브 어셈블리 제조방법은, 기판의 표면에 홈을 형성하는 단계; 상기 홈 내에 희생물질을 채워넣는 단계; 상기 홈 인근의 표면에서부터 상기 희생물질의 일부 표면으로 연장되는 전도성의 프로브 틀을 형성하는 단계; 상기 희생물질의 일부 표면 상에 위치하는 상기 프로브 틀이 끝이 위로 돌출되도록 상기 프로브 틀을 가공하여 프로브를 형성 하는 단계; 및 상기 희생물질을 제거하는 단계:를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 프로브 틀을 형성하는 단계는, 상기 홈 인근의 표면을 포함하여 상기 희생물질의 일부 표면을 노출시키는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴에 의해 노출되는 부위에 상기 프로브 틀을 채워넣는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 프로브을 형성하는 단계는, 상기 홈 인근의 표면에서부터 상기 희생물질의 일부 표면으로 연장되는 일체형의 프로브가 복수개 형성되도록 상기 프로브 틀을 슬라이싱하여 개별화하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로브 어셈블리 제조방법은, 기판 표면의 소정영역에 위로 볼록하게 희생물질을 형성하는 단계; 상기 희생물질을 포함하여 덮도록 상기 기판 상에 프로브 틀을 형성하는 단계; 상기 희생물질의 일부 표면으로 연장되는 일체형의 프로브가 복수개 형성되도록 상기 프로브 틀을 슬라이싱하여 개별화하는 단계; 상기 희생물질 상에 위치하는 부분이 위로 돌출되도록 상기 프로브 틀을 가공하여 프로브를 형성하는 단계; 및 상기 희생물질을 제거하는 단계:를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 프로브 어셈블리 제조방법은, 기판 표면의 소정영역에 위로 볼록하게 희생물질을 형성하는 단계; 상기 희생물질이 형성된 인근 표면을 포함하여 상기 희생물질의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 마스크 패턴에 의해 노출되는 부위에 프로브 틀을 채워넣는 단계; 상기 마스크 패턴을 제거하는 단계; 상기 희생물질 상에 위치하는 부분이 위로 돌출되도록 상기 프로브 틀을 가공하여 프로브를 형성하는 단계; 및 상기 희생물질을 제거하는 단계:를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부한 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 아래의 실시예들은 본 발명의 내용을 이해하기 위해 제시된 것일 뿐이며 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상 내에서 많은 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명의 권리범위가 이러한 실시예들에 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 아니된다.
[실시예 1]
도1a 내지 도1g는 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브 어셈블리 및 그 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도1a는 희생물질(20)을 형성하는 단계를 설명하기 위한 도면으로서, 기판(10)의 표면에는 복수개의 전극(30)이 형성되어 있으며, 전극(30)은 기판(10) 내에 형성된 다층 도전막을 통하여 기판(10)의 뒷면이나 측면과 전기적으로 연결되어 궁극적으로 전기측정회로장치와 연결된다. 참조번호 131은 다층 도전막을 통한 이러한 전기적 연결관계를 간략히 도시화한 것이다. 전극(30)의 인근에 있는 기판(10)의 표면에는 홈이 형성되어 있으며 상기 홈 내에 희생물질(20)이 채워 넣어진다. 이 때, 상기 홈은 복수개의 전극(30)에 일대일 대응하여 프로브가 하나씩 형성될 경우에 프로브들 밑에 위치할 수 있도록 크게 형성된다.
기판(10)의 재질로는 유기물, 세라믹 등의 다양한 소재가 채택될 수 있다. 희생물질(20)로는 식각공정에 의해서 선택적으로 제거할 수 있는 것이라면 TEOS(tetraethoxysilane), PSG, 또는 감광막 등 다양한 것이 사용될 수 있으며, 전도체일 수도 있고 비전도체일 수도 있다.
도1b는 마스크 패턴(40)을 형성하는 단계를 설명하기 위한 도면으로서, 전극(30)을 포함하여 희생물질(20)의 일부 표면을 노출시키도록 기판(10)의 표면에 마스크 패턴(40)을 형성한다. 노출부위는 참조부호A로 표시하였다.
마스크 패턴(40)은 용액상태의 감광막을 스핀코팅법으로 도포하거나 겔(gel)과 유사한 형태로 건조된 감광막을 기판위에 물리적인 압력으로 압착하는 방법(일명: 건식필름, dry film)으로 도포하여 포토리소그래피 과정을 거쳐 형성할 수 있으며, 반드시 이러한 방법에 한정되는 것은 아니고 참조부호A로 표시된 부분에 프로브 틀(50a)을 형성시킬 수 있는 방법이라면 본 발명의 범주에 해당된다.
도1c는 프로브 틀(50a)을 형성하는 단계를 설명하기 위한 도면으로서, 마스크 패턴(40)에 의해 노출되는 부위(A)에 도금공정으로 프로브 틀(50a)을 채워넣는다. 프로브 틀(50a)은 차후에 프로브로 사용될 것이기 때문에 탄성이 있으면서 도전성이 있는 재질, 예컨대 니켈, 구리, 텅스텐 등의 순수금속이나 합금 등으로 형성하는 것이 바람직하다.
프로브 틀(50a)을 도금공정으로 형성할 경우에는 희생물질(20)이 전도성 재질로 이루어져야 한다. 희생물질(20)과 전극(30)이 전도성 물질이고 이들이 서로 인접하여 위치하기 때문에 이 부분에서 성장하는 프로브 틀이 서로 합체되어 도1c와 같은 결과물이 형성된다. 희생물질(20)이 비전도성 재질로 이루어지는 경우라도 노출부위(A)에 별도의 전도성층을 형성하고 도금공정을 진행하면 마찬가지의 결과물을 얻을 수 있다.
프로브 틀(50a)은 도금공정 외에도 CVD, 진공증착(evaporation) 등에 의해서도 형성시킬 수 있는데, 이 경우에는 마스크 패턴(40) 상에도 프로브 틀이 증착되었다가 마스크 패턴(40)의 제거시에 마스크 패턴(40) 상에 있던 프로브 틀이 같이 제거됨으로써 도1d와 같은 결과물이 형성된다. CVD나 진공증착에 의할 경우에는 희생물질(20)의 전도성 여부는 문제가 되지 않는다.
도1e와 도1f는 프로브 틀(50a)을 가공하여 프로브(50)를 완성하는 단계를 설명하기 위한 도면들로서, 먼저 도1d에 도시된 바와 같이 마스크 패턴(40)을 제거한 후에, 프로브 틀(50a)을 가공하여 변형된 프로브 틀(50b)을 형성한다.
프로브가 전자소자의 전극패드에 닿을 때 전극패드와의 접촉향상과 전극패드의 손상이 방지되도록 프로브는 탄성을 가지는 것이 바람직하므로, 전극(30)쪽에 위치하여 기판(10)에 의해 지지되는 부분(d)은 두껍더라도 희생물질(20)상에 위치하는 부분(c)은 얇게 가공한다. 탄성변형이 참조번호 c로 표시된 부분에 집중되도록 참조번호 d로 표시한 부분은 두껍고 참조번호 c로 표시한 부분은 얇게 하는 것이 바람직하다. 탄성변형이 요구되는 부위(c)는 표면이 수평면일 수도 있지만 곡면이나 계단형상을 할 수도 있다.
프로브(50) 형성을 위한 가공은 마이크로 밀링, 드릴링, 다이싱 쏘(dicing saw), 레이저(laser), 전자빔(electron beam machining), 전해가공(electro- chemical machining), EDM(electric discharge machining), ECDM(electro-chemical discharge machining), 또는 초음파가공(ultrasonic machining) 등 다양한 방법을 통하여 이루어질 수 있다.
변형된 프로브 틀(50b)의 끝은 위로 돌출되는데 이 돌출 끝단(b)이 전자소자의 전극패드와 접촉되므로. 전극패드의 손상을 방지하기 위하여 변형된 프로브 틀의 끝단(b)을 폴리싱용 버퍼나 부드러운 패드를 사용하여 참조부호 b'로 표시된 바와 같이 부드럽게 곡면으로 마무리하여 프로브(50)를 완성한다. 이 때, 변형된 프로브 틀의 끝단(b)을 먼저 계단모양의 단층으로 가공한 뒤에 부드러운 곡면으로 처리하면 쉽게 곡면으로 마무리하면서 프로브 끝단(b')의 단면적을 쉽게 조절할 수 있어 바람직하다. 프로브 끝단(b')이 부드럽게 곡면으로 마무리 되면 탄성변형으로 프로브(50)가 휘어지더라도 프로브 끝단(b')과 전극패드와의 접촉면적을 최대한 그대로 유지할 수 있게 된다.
마지막으로 도1g에 도시된 바와 같이 희생물질(20)만을 선택적으로 제거하면, 표면에 홈이 파인 기판(10) 상에 상기 홈 인근의 표면에서부터 상기 홈 상부공간으로 수평연장된 후 위쪽으로 돌출되며 일체형으로 이루어진 전도성 재질의 프로브(50)가 형성된 본 발명에 따른 프로브 어셈블리가 완성된다.
희생물질(20)의 형상에 의해 프로브(50)의 형상이 다소 바뀔수가 있는데, 원하는 바에 따라 적절하게 이를 이용하면 좋다. 도2a와 같이 희생물질(20a)이 위로 둥그스럽게 볼록한 경우에는 도2b와 같은 프로브(50')가 완성되고, 도3a와 같이 희 생물질(20b)의 위로 각지면서 볼록한 경우에는 도3b와 같은 프로브(50")가 형성된다.
이렇게 마스크 패턴(40)을 이용할 경우에는 복수개의 전극(30)에 대응하는 프로브(50) 각각을 한꺼번에 만들 수 있기 때문에 아래와 같은 슬라이싱(slicing) 공정이 별도로 필요치 않는다.
[실시예 2]
도4a 내지 도4e는 본 발명의 제2실시예에 따른 프로브 어셈블리 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도4a에 도시된 기판(110), 희생물질(120), 전극(130), 다층배선(131)은 도1a에 도시된 기판(10), 희생물질(20), 전극(30), 다층배선(31)에 대응한다. 도1b와 같은 마스크 패턴(40) 형성단계 없이 바로 도4b에 도시된 바와 같이 기판(110) 상에 프로브 틀(150a)을 형성하고, 도4c에 도시된 바와 같이 이들이 복수개의 전극(130)에 일대일 대응하여 개별화되도록 프로브 틀(150b)을 슬라이싱하여 변형된 프로브 틀(150b)을 형성한다.
프로브 틀(150a)은 도금공정에 의해 형성할 수 있는데, 이 때에는 희생물질(120)이 전극(130)과 같이 도전성 물질로 이루어져야 도금에 의한 성장 시에 합체가 이루어져 도4b와 같은 프로브 틀(150a)의 형태를 얻을 수 있다. 만약에, 희생물질(120)이 도전성 물질이 아니라면 희생물질(120) 상에 도전성 물질을 더 형성시켜야 도4b와 같은 형상을 얻을 수 있다. 프로브 틀(150a)은 도금공정 외에도 CVD, 진 공증착(evaporation) 등에 의해서도 형성시킬 수 있는데, 이 경우에는 희생물질(120)이 도전성인가 비도전성인가에 영향을 받지 않는다.
다음에, 도4d에 도시된 바와 같이 변형된 프로브 틀(150b)을 도1e 및 도1f에서와 같이 가공하여 프로브(150)를 완성한 후에 도4e에 도시된 바와 같이 희생물질(120)을 제거하여 본 발명에 따른 프로브 어셈블리를 완성한다.
프로브 형성을 위한 가공을 먼저 하고 슬라이싱을 하여도 좋다. 제1실시예와 달리 제2실시예는 마스크 패턴을 사용하지 않기 때문에 프로브틀(150a)의 가공과정에 반드시 슬라이싱 과정이 필요하다.
[실시예3]
도5a 내지 도5g는 본 발명의 제3실시예에 따른 프로브 어셈블리 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도5a에 도시된 기판(210), 전극(230), 다층배선(231)은 도1a에 도시된 기판(10), 전극(30), 다층배선(31)에 대응한다. 도1a 및 도4a와 달리 기판(210)에는 홈이 형성되어 있지 않으며, 도5b에 도시된 바와 같이 기판(210)의 평평한 표면상에 희생물질(220a)이 바로 형성된다. 희생물질(220a)은 전극(230)상에 형성되더라도 무방하다. 희생물질(220a)이 형성된 부분은 위로 볼록하게 된다.
희생물질(220a)을 형성한 다음에는 도5c와 같이 희생물질(220a)을 적절한 형태로 가공하여 변형된 희생물질(220b)을 형성한다. 이 때에는 전극(230)이 변형된 희생물질(220b)에 의해 가려져서는 안된다.
다음에는, 도5d에 도시된 바와 같이 변형된 희생물질(220b)을 포함하여 덮도록 기판(210) 상에 프로브 틀(250a)을 형성한다. 프로브 틀(250a)을 도금공정에 의해 형성시킬 경우에는 희생물질(220a)이 전도성을 가져야 할 것이나, 비록 희생물질(220a)이 전도성을 갖지 않는 경우라도 희생물질(220a) 상에 전도성 물질을 증착한 다음에 도금공정을 행하면 도5d와 같은 프로브 틀(250a)을 얻을 수 있다.
다음에, 도5e에 도시된 바와 같이 전극(230)에서부터 변형된 희생물질(220b)의 일부 표면으로 연장되는 일체형의 프로브가 복수개 형성되도록 프로브 틀(250a)을 슬라이싱하여 변형된 프로브 틀(250b)을 형성한다.
그 후에, 도5f에 도시된 바와 같이 변형된 희생물질(220b)상에 위치하는 부분이 위로 돌출되도록 변형된 프로브 틀(250b)을 가공하여 프로브(250)를 완성하고, 도5g에 도시된 바와 같이 변형된 희생물질(220b)을 제거하면 본 발명에 따른 프로브 어셈블리가 완성된다.
제3실시예의 경우에는 제2실시예의 경우와 달리 기판에 홈이 형성되어 있지 않아 프로브(250)가 기판의 평평한 면상에 위로 돌출되도록 세워져 있기 때문에 프로브(250)를 지지하기 위한 지지축이 존재하게 되는데, 이 지지축은 쉽게 부러질 수 있기 때문에 다른 곳에 비해 두껍게 형성하는 것이 바람직하다.
[실시예4]
도6a 내지 도6h는 본 발명의 제4실시예에 따른 프로브 어셈블리 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
여기서의 기판(310), 전극(330), 다층배선(331), 희생물질(320a), 변형된 희생물질(320b), 프로브 틀(350a)은 실시예3의 기판(210), 전극(230), 다층배선(331), 희생물질(220a), 변형된 희생물질(220b), 프로브 틀(250a)에 대응한다.
실시예3과 그 제조방법이 유사한데, 차이가 있다면 실시예3의 경우에는 도5d에서 마스크 패턴없이 프로브 틀(250a)을 형성하지만 실시예4의 경우에는 도6d에 도시된 바와 같이 마스크 패턴(340)을 형성하고 마스크 패턴(340)에 의해 노출되는 부위에 프로브 틀(350a)을 형성하는 점이 다르다. 마스크 패턴(340)을 사용하기 때문에 프로브의 개별화가 마스크 패턴(340)에 의해 바로 이루어져서 따로 프로브 틀(350a)을 슬라이싱하는 공정이 필요없게 된다. 즉, 도6f에 도시된 바와 같이 마스크 패턴(340)을 제거한 후에 도6g에 도시된 바와 같이 프로브 틀(350a)을 가공하여 프로브(350)를 완성하고, 도6h에 도시된 바와 같이 변형된 희생물질(320b)을 제거하면, 슬라이싱 공정을 거치지 않고도, 개별화된 복수개의 프로브가 집적된 본 발명에 따른 프로브 어셈블리가 완성된다.
여러 구성요소의 연결에 의해 프로브가 이루어질 경우에 그 구성요소의 연결부에서의 접합깨짐에 의한 프로브 손상이나 전류 누설이 발생할 수 있는데 본 발명은 일체형이므로 이러한 문제점을 해결할 수 있다. 그리고, 패터닝 공정을 사용할 경우에는 복수개의 프로브 형성을 위한 슬라이싱 공정없이, 패터닝 공정을 사용하지 않고 슬라이싱 공정을 적용하는 경우에는 포토리소그래프 공정없이 간단하게 본 발명에 따른 프로브 어셈블리를 제조할 수 있다.

Claims (6)

  1. 표면에 홈이 파인 기판; 및
    상기 홈 인근의 표면에서부터 상기 홈 상부공간으로 수평연장된 후 위쪽으로 돌출되며 일체형으로 이루어진 전도성 재질의 프로브;를 구비하되, 상기 프로브 전체가 여러 구성요소의 연결부를 전혀 포함하지 않으며 하나의 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리.
  2. 기판의 표면에 홈을 형성하는 단계;
    상기 홈 내에 희생물질을 채워넣는 단계;
    상기 홈 인근의 표면에서부터 상기 희생물질의 일부 표면으로 연장되는 전도성의 프로브 틀을 형성하는 단계;
    상기 희생물질의 일부 표면 상에 위치하는 상기 프로브 틀이 끝이 위로 돌출되도록 상기 프로브 틀을 가공하여 프로브를 형성하는 단계; 및
    상기 희생물질을 제거하는 단계:를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 프로브 틀을 형성하는 단계가,
    상기 홈 인근의 표면을 포함하여 상기 희생물질의 일부 표면을 노출시키는 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 마스크 패턴에 의해 노출되는 부위에 상기 프로브 틀을 채워넣는 단계; 및
    상기 마스크 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 프로브을 형성하는 단계가,
    상기 홈 인근의 표면에서부터 상기 희생물질의 일부 표면으로 연장되는 일체형의 프로브가 복수개 형성되도록 상기 프로브 틀을 슬라이싱하여 개별화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리 제조방법.
  5. 기판 표면의 소정영역에 위로 볼록하게 희생물질을 형성하는 단계;
    상기 희생물질을 포함하여 덮도록 상기 기판 상에 프로브 틀을 형성하는 단계;
    상기 희생물질의 일부 표면으로 연장되는 일체형의 프로브가 복수개 형성되도록 상기 프로브 틀을 슬라이싱하여 개별화하는 단계;
    상기 희생물질 상에 위치하는 부분이 위로 돌출되도록 상기 프로브 틀을 가공하여 프로브를 형성하는 단계; 및
    상기 희생물질을 제거하는 단계:를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리 제조방법.
  6. 기판 표면의 소정영역에 위로 볼록하게 희생물질을 형성하는 단계;
    상기 희생물질이 형성된 인근 표면을 포함하여 상기 희생물질의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 마스크 패턴에 의해 노출되는 부위에 프로브 틀을 채워넣는 단계;
    상기 마스크 패턴을 제거하는 단계;
    상기 희생물질 상에 위치하는 부분이 위로 돌출되도록 상기 프로브 틀을 가공하여 프로브를 형성하는 단계; 및
    상기 희생물질을 제거하는 단계:를 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 어셈블리 제조방법.
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