JP2018508753A5

JP2018508753A5 -

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Publication number: JP2018508753A5
Application number: JP2017535368A
Authority: JP
Filing date: 2015-12-18
Publication date: 2020-06-11

Description

本発明のある実施態様においては、前記基材を準備する前記工程は、
導電性材料で作られた単層を設ける工程、および
導電性材料で作られた１つ又は複数の被膜層によって被覆された中央層又はコアであって第１の導電性材料で作られている中央層又はコアを含み、前記基材に形成された前記コンタクトプローブの電気−機械的性能および／または硬度性能を改善するように構成された、多層を設ける工程
のうちいずれかを含んでもよい。

また、前記処理工程は、前記半製品の同一または異なる部分に対して同種の工程を複数回反復することを含んでもよい。

本発明のある実施態様においては、前記被膜工程は、
浸漬槽のタンク中の液相の被膜材料に前記半製品を浸漬すること、ここで前記液相の被膜材料は、前記タンクを、前記半製品の部分が前記被膜により被覆されるように決定するのに適した被膜レベルまで満たしている、および
前記被膜によってコートされるべき前記半製品の少なくとも一部分に対応して気相の被膜材料を噴霧するように構成された１つ又は複数のノズルを備えた気化チャンバに前記半製品を挿入すること
から選択してもよい。

この処理工程はまた、半製品１５の同一または異なる部分に対して同種の工程を複数回反復することを含み得る。

明らかに、上記の半製品および製造方法には、特定のニーズおよび仕様を満たす目的で、当業者であればいくつかの変更および修正を行うことができ、これらは全て、以下の請求項によって定義される本発明の保護範囲に含まれる。
本発明の例示的な態様を以下に記載する。
＜１＞導電性材料からなる基材（１１）を準備する工程と、
複数のコンタクトプローブ（１０）の各々が少なくとも１つの物質架橋部（１３）によって前記基材（１１）に固定されるように、前記基材（１１）から材料を除去することによって、前記コンタクトプローブ（１０）の各々を画定する工程と、を含み、
前記コンタクトプローブ（１０）を画定する工程が、前記コンタクトプローブ（１０）および前記少なくとも１つの物質架橋部（１３）の輪郭に応じてレーザ切断を行う工程を含む、
電子装置のテストヘッド用の複数のコンタクトプローブ（１０）を含む半製品（１５）の製造方法。
＜２＞前記コンタクトプローブ（１０）を画定する前記工程が、前記基材（１１）をマスキング処理およびその後の化学的エッチングに供するフォトリソグラフィエッチング工程を含み、さらに、前記基材（１１）をマスキングおよびエッチングする一つまたは複数の工程または前記基材（１１）を選択的化学エッチングする工程を含んでもよい、＜１＞に記載の製造方法。
＜３＞前記画定工程で、前記コンタクトプローブ（１０）の各々に沿って完全にランダムに、対称に、または非対称に配置される複数の物質架橋部（１３）の各々によって前記基材（１１）に固定された前記コンタクトプローブ（１０）を形成する＜１＞または＜２＞に記載の製造方法。
＜４＞前記画定工程で、中心位置に配置された少なくとも１つの第１の物質架橋部（１３）と、側方位置に配置された１つの第２の物質架橋部（１３）と、を含む前記コンタクトプローブ（１０）の各々を形成し、好ましくは前記コンタクトプローブ（１０）のコンタクトチップ（１０Ａ）を含む第１の端部に対応して前記第１の物質架橋部（１３）を形成し、また好ましくは前記コンタクトプローブ（１０）のコンタクトヘッド（１０Ｂ）を含む第２の端部に対応して前記第２の物質架橋部（１３）を形成する、＜１＞〜＜３＞のいずれか一項に記載の製造方法。
＜５＞前記画定工程は少なくとも１つの弱化線（ＬＬ）を前記物質架橋部（１３）の各々に付与する工程をさらに含み、前記少なくとも１つの弱化線（ＬＬ）は、前記物質架橋部（１３）の各々を通過し、前記物質架橋部（１３）の完全性（integrity）を破断することで前記基材（１１）からの前記コンタクトプローブ（１０）の分離を容易とするように構成され、前記半製品（１５）の平面に直交する方向（Ｚ）に沿って、対応する前記基材（１１）を局所的に薄くすることによって得られる、＜１＞〜＜４＞のいずれか一項に記載の製造方法。
＜６＞前記基材（１１）を準備する前記工程は、
導電性材料で作られた単層を設ける工程、および
導電性材料で作られた１つ又は複数の被膜層によって被覆された中央層又はコア（１１Ａ）であって第１の導電性材料で作られている中央層又はコア（１１Ａ）を含み、前記基材（１１）に形成された前記コンタクトプローブ（１０）の電気−機械的性能および／または硬度性能を改善するように構成された、多層を設ける工程
のうちいずれかを含む＜１＞〜＜５＞のいずれか一項に記載の製造方法。
＜７＞前記製造方法は前記半製品（１５）に含まれる前記コンタクトプローブ（１０）のうち全てを処理する少なくとも１つの処理工程を含み、前記少なくとも１つの処理工程は、被膜形成工程、被覆工程、レーザまたはフォトリソグラフィによる画定工程もしくは電気化学的画定工程、電気めっき工程、電気めっき堆積工程、マイクロメカニカル処理工程、スパッタリング工程、化学的エッチング工程および物理的エッチング工程から選択される１つ又は複数の工程を含む、＜１＞〜＜６＞のいずれか一項に記載の製造方法。
＜８＞前記処理工程は、前記コンタクトプローブ（１０）の少なくとも一部または前記コンタクトプローブ（１０）の全体に影響を及ぼす＜７＞に記載の製造方法。
＜９＞前記処理工程は、前記半製品（１５）の同一または異なる部分に対して同種の工程を複数回反復することを含む＜７＞または＜８＞に記載の製造方法。
＜１０＞前記処理工程は、導電性材料および誘電性材料から選択される被膜材料からなる被膜を形成する、前記半製品（１５）に被膜を形成しまたその結果として前記コンタクトプローブ（１０）またはその一部に被膜を形成する工程を少なくとも１つ含む＜７＞〜＜９＞のいずれか一項に記載の製造方法。
＜１１＞前記被膜形成工程で、前記半製品（１５）の少なくとも１つの被膜形成部分（１４’、１８’および１９’）上に被膜を形成し、前記少なくとも１つの被膜形成部分（１４’および１８’）は前記半製品（１５）の端部、すなわち前記半製品（１５）に形成された前記コンタクトプローブ（１０）のコンタクトチップ（１０Ａ）またはコンタクトヘッド（１０Ｂ）を含む部分であり、かつ／または、前記少なくとも１つの被膜形成部分（１９’）は前記半製品（１５）の中心部分、すなわち前記半製品（１５）に形成された前記コンタクトプローブ（１０）のコンタクトチップ（１０Ａ）もコンタクトヘッド（１０Ｂ）も含まない部分である、＜１０＞に記載の製造方法。
＜１２＞前記被膜形成工程で、パラジウムおよびニッケル−パラジウムなどのパラジウム合金、銅および銅−ニオブまたは銅−銀などの銅合金、ロジウムおよびその合金、並びに銀、金およびそれらの合金から選択される金属または金属合金、グラフェン、またはドープされたＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）から選択される導電性材料、好ましくは貴金属群から選択される導電性材料、より好ましくは金である導電性材料からなる前記被膜を形成する＜１０＞または＜１１＞に記載の製造方法。
＜１３＞前記被膜形成工程で、フッ素系ポリマー、ポリ（ｐ−キシリレン）ポリマー、好ましくは特にＣタイプまたはＦタイプのパリレン（登録商標）、それらのコポリマー、ナノコンポジット、およびドープされていないＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、好ましくはＣタイプまたはＦタイプのパリレン（登録商標）から選択される誘電体材料の前記被膜を形成する＜１０＞または＜１１＞に記載の製造方法。
＜１４＞前記被膜形成工程は、
浸漬槽（２０）のタンク（２１）中の液相（２２）の被膜材料に前記半製品（１５）を浸漬すること、ここで前記液相（２２）の被膜材料は、前記タンク（２１）を、前記半製品（１５）の部分が前記被膜により被覆されるように決定するのに適した被膜レベル（Ｌ１）まで満たしている、および
前記被膜によってコートされるべき前記半製品（１５）の少なくとも一部分に対応して気相（２５）の被膜材料を噴霧するように構成された１つ又は複数のノズル（２４）を備えた気化チャンバ（２３）に前記半製品（１５）を挿入すること
から選択される＜１０＞〜＜１３＞のいずれか一項に記載の製造方法。
＜１５＞ターゲットと称される固体材料と共に半製品（１５）を特別な真空チャンバ内に配置した上で前記固体材料をエネルギー粒子ビームでボンバード処理することで前記固体材料から原子、イオンまたは分子フラグメントが放出され、半製品（１５）の表面上に再凝縮及びその結果として半製品内に作られたコンタクトプローブ（１０）の領域の全体または一部上に再凝縮するカソードスパッタリング処理によって実現される材料堆積工程を、前記被膜形成工程が１つ又は複数含む、＜１０＞〜＜１３＞のいずれか一項に記載の製造方法。
＜１６＞前記半製品（１５）の一部、好ましくは前記コンタクトプローブ（１０）の中心部分（１９Ａ）、すなわち前記コンタクトチップ（１０Ａ）も前記コンタクトヘッド（１０Ｂ）も含まない部分、に対応する部分に、少なくとも１つの覆膜（１９）を形成するために、前記半製品（１５）の少なくとも一部を誘電性被覆材料で被覆する工程をさらに含む＜１＞〜＜１５＞のいずれか一項に記載の製造方法。
＜１７＞テストヘッド用の複数のコンタクトプローブ（１０）を含む半製品（１５）であって、前記複数のコンタクトプローブ（１０）の各々は導電性材料である基材１１内に実現され、少なくとも１つの物質架橋部（１３）によって前記基材（１１）に固定されている、＜１＞〜＜１６＞のいずれか一項に記載の製造方法で実現された半製品（１５）。

Claims

導電性材料で作られた基材（１１）を準備する工程と、
複数のコンタクトプローブ（１０）を画定する工程と、を含む、電子装置のテストヘッド用の複数のコンタクトプローブ（１０）を含む半製品（１５）の製造方法、
ここで、前記画定する工程は、
前記基材（１１）において複数のフレーム（１２）を画定することと、
複数のコンタクトプローブ（１０）の各々がそれぞれ少なくとも１つの架橋部（１３）によって前記基材（１１）に固定されるように、前記基材（１１）から材料を除去することによって、複数のフレーム（１２）のそれぞれの内部に前記複数のコンタクトプローブ（１０）の各々を画定することと、を含み、
前記コンタクトプローブ（１０）を画定する工程が、前記コンタクトプローブ（１０）、前記フレーム（１２）、および前記少なくとも１つの架橋部（１３）の輪郭に応じてレーザ切断を行う工程を含む。
前記コンタクトプローブ（１０）を画定する工程が、前記コンタクトプローブ（１０）の各々に沿って対称または非対称に位置する複数の架橋部（１３）を画定することを含む、請求項１に記載の製造方法。
前記コンタクトプローブ（１０）を画定する工程が、各フレームの内部に前記複数の架橋部（１３）を画定することを含み、該複数の架橋部（１３）は、
前記コンタクトプローブ（１０）の長手方向軸線（ＹＹ）上に配置されて、前記コンタクトプローブ（１０）のコンタクトチップ（１０Ａ）を含む第１の端部を前記フレーム（１２）に繋ぐ、少なくとも一つの第１の架橋部（１３）；及び
前記コンタクトプローブ（１０）の長手方向軸線（ＹＹ）に対して側方に配置されて、前記コンタクトプローブ（１０）のコンタクトヘッド（１０Ｂ）を含む第２の端部を前記フレーム（１２）に繋ぐ、第２の架橋部（１３）
を含む、請求項１または請求項２に記載の製造方法。
前記コンタクトプローブ（１０）を画定する工程は少なくとも１つの弱化線（ＬＬ）を前記架橋部（１３）の各々に付与する工程をさらに含み、前記少なくとも１つの弱化線（ＬＬ）は、前記架橋部（１３）の各々を通過し、前記架橋部（１３）の完全性（integrity）を破断することで前記基材（１１）からの前記コンタクトプローブ（１０）の分離を容易とするように構成され、前記半製品（１５）の平面に直交する方向（Ｚ）に沿って、対応する前記基材（１１）を局所的に薄くすることによって得られる、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の製造方法。
前記基材（１１）を準備する前記工程は、
導電性材料で作られた単層を設ける工程、および
導電性材料で作られた１つ又は複数の被膜層によって被覆された中央層又はコア（１１Ａ）であって第１の導電性材料で作られている中央層又はコア（１１Ａ）を含み、前記基材（１１）に形成された前記コンタクトプローブ（１０）の電気−機械的性能および／または硬度性能を改善するように構成された、多層を設ける工程
のうちいずれかを含む請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の製造方法。
前記製造方法は前記半製品（１５）に含まれる前記コンタクトプローブ（１０）のうち全てを処理する少なくとも１つの処理工程を含み、前記少なくとも１つの処理工程は、被膜形成工程、被覆工程、レーザまたはフォトリソグラフィによる画定工程もしくは電気化学的画定工程、電気めっき工程、電気めっき堆積工程、マイクロメカニカル処理工程、スパッタリング工程、化学的エッチング工程および物理的エッチング工程から選択される１つ又は複数の工程を含む、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の製造方法。
前記処理工程は、前記コンタクトプローブ（１０）の少なくとも一部または前記コンタクトプローブ（１０）の全体に影響を及ぼす請求項６に記載の製造方法。
前記処理工程は、前記半製品（１５）の同一または異なる部分に対して同種の工程を複数回反復することを含む請求項６または請求項７に記載の製造方法。
前記処理工程は、導電性材料および誘電性材料から選択される被膜材料からなる被膜を形成する、前記半製品（１５）に被膜を形成しまたその結果として前記コンタクトプローブ（１０）またはその一部に被膜を形成する工程を少なくとも１つ含む請求項６〜請求項８のいずれか一項に記載の製造方法。
前記被膜形成工程で、前記半製品（１５）の少なくとも１つの被膜形成部分（１４’、１８’および１９’）上に被膜を形成し、前記少なくとも１つの被膜形成部分（１４’および１８’）は前記半製品（１５）の端部、すなわち前記半製品（１５）に形成された前記コンタクトプローブ（１０）のコンタクトチップ（１０Ａ）またはコンタクトヘッド（１０Ｂ）を含む部分であり、かつ／または、前記少なくとも１つの被膜形成部分（１９’）は前記半製品（１５）の中心部分、すなわち前記半製品（１５）に形成された前記コンタクトプローブ（１０）のコンタクトチップ（１０Ａ）もコンタクトヘッド（１０Ｂ）も含まない部分である、請求項９に記載の製造方法。
前記被膜形成工程で、パラジウム、パラジウム合金、銅、銅合金、ロジウム、ロジウム合金、銀、銀合金、金、金合金、グラフェン、またはドープされたＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）からなる導電性材料の前記被膜を形成する請求項９または請求項１０に記載の製造方法。
前記被膜形成工程で、フッ素系ポリマー、ポリ（ｐ−キシリレン）ポリマー、それらのコポリマー、ナノコンポジット、およびドープされていないＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）から選択される誘電体材料の前記被膜を形成する請求項９または請求項１０に記載の製造方法。
前記被膜形成工程は、
浸漬槽（２０）のタンク（２１）中の液相（２２）の被膜材料に前記半製品（１５）を浸漬すること、ここで前記液相（２２）の被膜材料は、前記タンク（２１）を、前記半製品（１５）の部分が前記被膜により被覆されるように決定するのに適した被膜レベル（Ｌ１）まで満たしている、および
前記被膜によってコートされるべき前記半製品（１５）の少なくとも一部分に対応して気相（２５）の被膜材料を噴霧するように構成された１つ又は複数のノズル（２４）を備えた気化チャンバ（２３）に前記半製品（１５）を挿入すること
から選択される請求項９〜請求項１２のいずれか一項に記載の製造方法。
ターゲットと称される固体材料と共に半製品（１５）を特別な真空チャンバ内に配置した上で前記固体材料をエネルギー粒子ビームでボンバード処理することで前記固体材料から原子、イオンまたは分子フラグメントが放出され、半製品（１５）の表面上に再凝縮及びその結果として半製品内に作られたコンタクトプローブ（１０）の領域の全体または一部上に再凝縮するカソードスパッタリング処理によって実現される材料堆積工程を、前記被膜形成工程が１つ又は複数含む、請求項９〜請求項１２のいずれか一項に記載の製造方法。
前記半製品（１５）の一部に、少なくとも１つの覆膜（１９）を形成するために、前記半製品（１５）の少なくとも一部を誘電性被覆材料で被覆する工程をさらに含む請求項１〜請求項１４のいずれか一項に記載の製造方法。