KR102015798B1 - 검사장치용 프로브 - Google Patents
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Abstract
검사대상의 전기적 특성을 검사하는 프로브가 개시된다. 프로브는 막대상의 도전성 심재와, 상기 심재보다 높은 탄성을 가진 재질로 상기 심재의 외표면에 도금된 탄성도금층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 프로브는 피검사체와의 접촉성, 내구성이 우수할 뿐만 아니라 저항이 낮고 프로브를 지지하는 프로브지지부의 제조가 편리하다.
Description
본 발명은 반도체와 같은 피검사체의 전기적 특성을 검사하기 위한 검사장치용 프로브에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼와 같은 피검사체의 전기적 특성이나 적정성 여부를 검사하는 검사장치로서, 피검사체의 피검사접점(단자, 범프)와 검사회로의 검사접점(패드) 사이를 전기적으로 연결하는 다수의 프로브들과 이 프로브들을 지지하는 프로브지지부를 가진 프로브카드가 사용되고 있다.
기술이 발전할수록 반도체 웨이퍼의 크기는 커지고 집적도는 점점 높아지게 되었다. 그만큼 한 장의 웨이퍼에 담을 수 있는 패드 숫자도 늘어났고, 그에 따라 반도체 패드 간의 거리는 점점 좁아져야 한다. 이와 같이 패드 피치가 좁아지면 좁아질수록 프로브 카드는 프로브를 고밀도로 배치되어야 한다.
일반적으로 프로브카드는 캔틸레버 프로브, 버티컬 프로브, 및 MEMS 프로브들을 적용하고 있다. 캔틸레버 타입(cantilever type)은 모든 공정을 사람이 일일이 수정, 작업해야 하는 단점이 있지만, 제조 비용이 MEMS나 버티컬 타입(vertical type) 보다 저렴하다. 그러나 수리나 수선해야 하는 상황이 되면 다시 사람이 일일이 핀을 배열해야 하므로 작업이 까다로울 수밖에 없었다.
MEMS나 버티컬 타입(vertical type) 프로브는 정밀 기계의 도움을 받아 프로브들을 결합하는 방식으로, 제조 가격이 올라가지만 정밀도는 월등히 올라가게 된다.
종래의 MEMS타입의 프로브카드는 도 1에 나타낸 바와 같이 탄성층(12)과 도전층(14)을 복수로 수평 적층한 4각 단면의 프로브(10)를 사용하고 있다. 그러나 종래의 MEMS타입의 프로브는 복수 적층 프로브의 단부가 피검사체에 접촉하기 때문에 접촉성이 나쁘고 접촉저항이 증가한다. 또한, 검사를 반복함에 따라 중간의 탄성변형부와 기판 패드에 접촉하는 고정단부 사이의 피로파괴에 의해 수명이 줄어드는 단점이 있다. 특히, 종래의 4각 단면 MEMS 프로브를 지지하는 지지구조체에는 매우 미세한 피치로 4각 관통공을 형성하여야 하나, 매우 작은 크기의 4각 관통공은 제조가 어렵기 때문에 제조비용이 상승한다.
본 발명의 목적은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 피검사체와 접촉성이 좋고, 내구성이 우수하며, 저항이 낮고, 프로브지지체의 제조를 쉽게하는 검사장치용 프로브를 제공하는 것이다.
상술한 과제를 달성하기 위한 검사장치용 MEMS 프로브가 제공된다. 검사장치용 프로브는 막대상의 도전성 심재와, 상기 심재보다 높은 탄성을 가진 재질로 상기 심재 상에 도금된 탄성도금층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 프로브는, 도전성이 좋은 심재에 의해 도전성이 좋고, 피검사체에의 접촉성이 좋고, 내구성이 우수하다.
상기 탄성도금층보다 낮은 탄성을 가지고 상기 심재 상에 도금된 연성도금층을 더 포함함으로써 저항을 더 낮출 수 있다.
상기 탄성도금층 또는 연성도금층 상에 도금 적층되는 적어도 하나의 추가 적층부를 더 포함함으로써 원하는 저항과 탄성을 얻을 수 있다.
상기 추가 적층부 외표면을 둘러싸는 절연층을 더 포함함으로써 인접 프로브와의 쇼트를 방지할 수 있다.
상기 심재는 상기 검사대상에 접촉하는 적어도 하나의 단부팁을 포함함으로써 접촉성을 더욱 좋게 할 수 있다.
상기 심재는 원형, 타원형, 다각형, 별형 중 하나의 단면을 가질 수 있다.
상기 탄성도금층은 Pd(팔라듐)합금 또는 Ni(니켈)합금으로 도금되며, 상기 연성도금층은 Au(금), Pt(백금), Ag(은), Cu(구리), Al(알루미늄) 중 적어도 하나로 도금되며, 상기 심재는 Au(금), Pt(백금), Ag(은), Cu(구리), Al(알루미늄), Fe(철), Be(베릴륨), Rh(로듐) 단독 또는 그 합금으로 이루어질 수 있다.
상기 심재는 제1접점에 접촉하는 제1접촉부, 제2접점에 접촉하는 제2접촉부, 및 검사 시에 길이방향의 가압에 의해 변형되는 탄성변형부로 이루어지며,
상기 탄성도금층은 상기 제1접촉부 상에 도금된 제1탄성도금층, 상기 제2접촉부 상에 도금된 제2탄성도금층, 및 상기 탄성변형부 상에 도금된 제3탄성도금층을 포함할 수 있다.
상기 연성도금층은 상기 제1접촉부 상에 도금된 제1연성도금층, 상기 제2접촉부 상에 도금된 제2연성도금층, 및 상기 탄성변형부 상에 도금된 제3연성도금층을 포함할 수 있다.
상기 제1접촉부와 제2접촉부 상에 도금된 제1 및 제2탄성도금층, 제 1 및 제2연성도금층, 제1 및 제2추가 적층부는 탄성변형부 상에 도금된 제3탄성도금층, 제 3연성도금층, 제3 추가 적층부보다 탄성이 낮고 전도성이 높은 것이 바람직하다.
상기 탄성변형부는 상기 제1접촉부 또는 상기 제2접촉부보다 단면적을 작게 할 수 있다.
상기 심재는 제1접점에 접촉하는 제1접촉부, 제2접점에 접촉하는 제2접촉부, 및 검사 시에 길이방향의 가압에 의해 변형되는 탄성변형부로 이루어지며, 상기 탄성도금층은 탄성변형부만을 도금할 수 있다.
상기 심재는 제1접점에 접촉하는 제1접촉부, 제2접점에 접촉하는 제2접촉부, 및 검사 시에 길이방향의 가압에 의해 변형되는 탄성변형부로 이루어지며, 상기 탄성변형부는 길이방향으로 연장하는 적어도 하나의 슬롯을 포함할 수 있다.
상기 탄성도금층은 상기 슬롯을 구성하는 다수의 브릿지에 도금될 수 있다.
본 발명의 프로브는 원형의 심재에 탄성층 및 도전층을 도금함으로써 프로브의 양단(접촉팁)이 피검사체에 접촉하기 용이하고 접촉저항이 낮아진다. 또한, 종래의 적층에 의한 4각 단면형상의 프로브에 비해 내구성이 좋다. 특히, 매우 미세한 피치에 적용하는 MEMS 프로브를 지지하는 프로브지지체를 제조가 용이하다.
도 1은 종래의 MEMS 프로브의 구조를 나타내는 사시도,
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브를 적용한 검사장치를 나타내는 도,
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브의 사시도,
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브에 적용하는 다양한 심선의 단면 형상들을 나타내는 도,
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 다양한 프로브의 형상들을 나타내는 도,
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 다양한 프로브의 단부팁 형상들을 나타내는 도,
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브를 지지하는 프로브지지체의 일부를 나타내는 도,
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 프로브의 단면도,
도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 프로브의 단면도, 및
도 10 및 11은 본 발명의 제4실시예에 따른 프로브의 사시도 및 부분단면도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브를 적용한 검사장치를 나타내는 도,
도 3은 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브의 사시도,
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브에 적용하는 다양한 심선의 단면 형상들을 나타내는 도,
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 다양한 프로브의 형상들을 나타내는 도,
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 다양한 프로브의 단부팁 형상들을 나타내는 도,
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브를 지지하는 프로브지지체의 일부를 나타내는 도,
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 프로브의 단면도,
도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 프로브의 단면도, 및
도 10 및 11은 본 발명의 제4실시예에 따른 프로브의 사시도 및 부분단면도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 검사장치(100)에 대해 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 제1실시예에 따른 검사장치(100)를 나타내는 단면도이다. 도시된 바와 같이, 검사장치(100)는 복수의 프로브(110), 프로브(110)의 일단을 지지하는 제1지지부재(120), 및 프로브(110)의 타단을 지지하는 제2지지부재(130)를 포함한다.
프로브(110)는 중간 부분에 일방향으로 사전 변형된 탄성변형부(112), 제1지지부재(120)를 관통하여 돌출된 슬라이딩 접촉부(114) 및 제2지지부재(130)를 관통하여 돌출된 고정 접촉부(116)를 포함한다. 물론 탄성변형부(112)는 사전 변형되지 않아도 무방하다. 슬라이딩 접촉부(114)는 피검사체, 예를 들면 반도체 웨이퍼의 단자(패드)에 접촉하며, 제1지지부재(120)의 제1관통공(122) 내에서 슬라이딩 이동한다. 즉, 검사를 위해 피검사체가 슬라이딩 접촉부(130)의 단부를 가압하면 슬라이드 접촉부(130)는 제1관통공(122) 내에서 슬라이딩 이동하며, 그에 따라 상기 탄성변형부(112)를 탄성변형시킨다. 고정 접촉부(116)는 제2지지부재(130)의 제2관통공(132)에 고정 지지된 상태에서 돌출 단부가 검사접점, 예를 들면 검사회로기판의 단자(패드)에 접촉한다.
제1지지부재(120)는 절연재질의 판상소재로 이루어지며, 다수 프로브(110)의 슬라이딩 접촉부(114)가 통과하는 다수의 원형상 제1관통공(122)을 포함한다.
제2지지부재(130)는 절연재질의 판상소재로 이루어지며, 다수 프로브(110)의 고정 접촉부(116)가 고정되는 다수의 원형상 제2관통공(122)을 포함한다. 고정 접촉부(116)는 예를 들면 접착제를 통하여 제2관통공(132)에 고정된다.
도 3은 도 2의 프로브(110)를 나타내는 사시도이다. 도시된 바와 같이, 프로브(110)는 원기둥 막대상의 도전성 심재(111), 이 심재(111)보다 높은 탄성을 가진 재질로 상기 심재(111)의 외표면에 도금된 탄성도금층(113), 및 이 탄성도금층(113)보다 낮은 탄성을 가진 재질로 상기 탄성도금층(113)의 외표면에 도금된 연성도금층(115)을 포함한다. 또한, 필요에 따라, 프로브(110)는 상기 연성도금층(115)의 외표면에 추가 적층부(117)를 포함할 수 있다. 추가 적층부(117)는 제2탄성도금층(113-2)과 제2연성도금층(115-2)을 포함할 수 있다. 프로브(110)는 추가 적층부(117)의 외표면에 절연층(119)을 포함할 수 있다.
심재(111)는 전도성이 좋은 재질로서, 예를 들면 Au(금), Pt(백금), Ag(은), Cu(구리), Al(알루미늄), Fe(철), Be(베릴륨), Rh(로듐) 등의 단독 또는 그 합금으로 이루어진다.
탄성도금층(113)은 탄성이 좋은 재질로서, 예를 들면 Pd(팔라듐)합금, Ni(니켈)합금 등으로 이루어진다.
연성도금층(115)은 도전성이 좋은 심재(111)와 유사한 재질, 예를 들면 Au(금), Pt(백금), Ag(은), Cu(구리), Al(알루미늄), Fe(철), Be(베릴륨), Rh(로듐) 등의 단독 또는 그 합금으로 이루어진다. 물론, 연성도금층(115)은 탄성도금층(113) 보다 탄성은 낮고 전도성은 좋은 Pd(팔라듐)합금 계열, Ni(니켈)합금 계열 등으로 이루어질 수도 있다.
추가 적층부(117)는 도금에 의한 적층 두께 한계에 따라 달성할 수 없는 탄성이나 저항을 조절하기 위한 것이다. 추가 적층부(117)는 제2탄성도금층(113-2)과 제2연성도금층(115-2) 쌍 외부에 추가로 적층된다. 추가 적층부(117)는 탄성도금층(113)과 연성도금층(115)과 동일한 재질로 이루어질 수 있다. 필요에 따라 추가 적층부(117)는 탄성도금층(113) 및 연성도금층(115)과 다른 탄성 및 전도성을 가진 재질로 복수 층으로 이루어질 수 있다.
절연층(119)는 미세한 피치로 다수의 프로브들(110)을 배치할 때 인접하는 프로브들(110) 사이의 쇼트를 방지하기 위한 것이다. 절연층은 예를 들면 테프론, 합성수지, 고무 등으로 이루어질 수 있다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브에 적용하는 심재(111)의 단면 형상들을 나타내는 도이다. 도시된 바와 같이, 심재(111)는 6각형(a), 원형(b), 4각형(c), 별형(d)으로 제조될 수 있다. 물론, 심재(111)는 상기 4종류 형상 외에 타원형이나 3각형 등이나 비정형 형상의 단면을 가질 수 있다. 만일 심재(111)이 별형 단면(d)을 가질 경우, 탄성도금층(113), 연성도금층(115), 추가 적층부(117)를 도금할 때, 오목한 부분은 그 두께가 더 클 수 있다.
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브(110)의 형상들을 나타내는 도이다. 도시된 바와 같이, 프로브(110)는 일자형(a), "V"자 절곡(b), "ㄱ"자절곡(c), "S"자 절곡(d)의 탄성변형부(112)를 가진다. 물론, 탄성변형부(112)는 상기 4개의 형태 이외에 W"자 절곡 등 다양한 형태로 제작될 수 있다. 이와 같은 탄성변형부(112)를 가진 프로브(110)는 심재(111)에 탄성변형부를 형성한 후에 탄성도금층(113), 연성도금층(115), 추가 적층부(117)를 도금하거나, 미리 도금처리를 완료한 후에 프레스 금형에 의해 탄성변형부(113)를 형성 및 열처리로 제조할 수도 있다.
도 6은 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브(110)의 단부팁 형상들을 나타내는 도이다. 도시된 바와 같이, 피검사접점이나 검사접점에 접촉하는 프로브(110)의 단부에는 삼각형 싱글팁(a), M자 형 더불팁(b), 직사각 싱글팁(c), 반원형 단일팁(d)이 형성될 수 있다. 물론, 프로브(110)는 상기 4개 형상 이외에 트리플팁, 크라운팁 등 다양한 형상의 단부팁을 포함할 수 있다. 프로브(110)는 심재(111)에 단부팁을 형성한 후에 탄성도금층(113), 연성도금층(115), 추가 적층부(117)를 도금할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제1실시예에 따른 프로브(110)를 지지하는 프로브지지체(120,130)의 일부를 나타내는 도이다. 도시된 바와 같이, 원형의 단면을 가진 프로브(110)는 양단부가 프로브지지체(120,130)의 원형상 관통공(122,132)에 삽입된다. 이때, 프로브(110)가 원형 단면이기 때문에 프로브지지체(120,130)의 관통공(122,132)도 원형으로 제조될 수 있다. 통상적으로 관통공(122,132)은 크기가 클 경우에는 4각이든 원형이든 형성하는데에 어려움이 없다. 그러나 수백 nm 이하의 피치로 4각 관통공으로 형성하는 것은 매우 어렵다. 그러나 본원 발명과 같이 원형상 관통공은 드릴이나 레이저 가공을 통해 쉽게 제조할 수 있다.
도 8은 본 발명의 제2실시예에 따른 프로브(200)의 단면을 나타낸 것이다. 도시한 바와 같이, 프로브(200)는 심재(210), 심재(210) 상에 적층된 다수의 도금층(220,230,240), 및 절연층(250)을 포함한다.
심재(210)는 제1접점에 접촉하는 제1접촉부(212), 제2접점에 접촉하는 제2접촉부(214), 및 검사 시에 제1접촉부(212) 또는 제2접촉부(214)의 길이방향의 가압에 의해 변형되는 탄성변형부(216)로 이루어진다. 탄성변형부(216)는 가압력에 의해 실질적으로 변형이 일어나는 부분을 모두 포함한다. 도 8에서, 점선(217)은 주된 변형이 일어나는 부분을 나타내고, 실선(218)은 변형이 발생하는 부분과 변형이 발생하지 않는 부분의 경계를 나타낸다. 여기서 탄성변형부(216)는 사전 변형 전의 형상일 수 있다. 심재(210)는 전도성이 좋은 재질로서, 예를 들면 Au(금), Pt(백금), Ag(은), Cu(구리), Al(알루미늄), Fe(철), Be(베릴륨), Rh(로듐) 등의 단독 또는 그 합금으로 이루어진다.
다수의 도금층들(220,230,240)은 탄성도금층(220), 연성도금층(230) 및 추가 적층부(240)를 포함한다.
탄성도금층(220)은 상기 제1접촉부(212) 상에 도금된 제1탄성도금층(222), 상기 제2접촉부(214) 상에 도금된 제2탄성도금층(224), 및 상기 탄성변형부(216) 상에 도금된 제3탄성도금층(226)을 포함한다. 탄성도금층(220)은 예를 들면 Pd(팔라듐)합금, Ni(니켈)합금 등으로 이루어진다.
연성도금층(230)은 상기 제1접촉부(212) 상에 도금된 제1연성도금층(232), 상기 제2접촉부(214) 상에 도금된 제2연성도금층(234), 및 상기 탄성변형부(216) 상에 도금된 제3연성도금층(236)을 포함한다. 연성도금층(230)은 전도성이 좋은 재질로서, 예를 들면 Au(금), Pt(백금), Ag(은), Cu(구리), Al(알루미늄), Fe(철), Be(베릴륨), Rh(로듐) 등의 단독 또는 그 합금으로 이루어진다.
추가 적층부(240)는 상기 제1접촉부(212) 상에 도금된 제1적층도금층(242), 상기 제2접촉부(214) 상에 도금된 제2적층도금층(244), 및 상기 탄성변형부(216) 상에 도금된 제3적층도금층(246)을 포함한다. 제1 및 제2적층도금층(242,244)은 전도성이 좋은 재질로서, 예를 들면 Au(금), Pt(백금), Ag(은), Cu(구리), Al(알루미늄), Fe(철), Be(베릴륨), Rh(로듐) 등의 단독 또는 그 합금으로 이루어진다. 제3적층도금층(246)은 예를 들면 Pd(팔라듐)합금, Ni(니켈)합금 등으로 이루어진다. 이와 같이, 탄성변형이 발생하지 않는 제1접촉부(212) 및 제2접촉부(214) 상에 도금되는 도금층들(222,224,232,234,242,244)은 탄성력보다는 전도성을 좋게 하고, 탄성변형부(216) 상에 도금되는 도금층들(226,236,246)은 전도성보다 탄성력을 좋게 할 수 있다. 이를 위해, 도 8의 추가 적층부(240)는 제1접촉부(212)와 제2접촉부(214) 및 탄성변형부(216)를 서로 다른 재료로 도금하였다. 여기서, 서로 다른 재료의 도금은 다음과 같은 방법으로 수행될 수 있다. 먼저, 탄성변형부(216) 상의 제3연성도금층(236)을 도금차폐 코팅을 한 후에, 제1접촉부(212)와 제2접촉부(214) 상의 제1 및 제2연성도금층(232,234) 상에 전도성이 좋은 제1재료로 도금한다. 다음에, 제3연성도금층(236) 상의 도금차폐코팅을 박리하고, 제1접촉부(212)와 제2접촉부(214) 상의 제1재료층을 도금차폐 코팅을 한다. 마지막으로, 탄성변형부(216) 상의 제3연성도금층(236) 상에 탄성이 좋은 제2재료로 도금한다. 도 8에서는 추가적층부(240)를 이용하여 탄성과 도전성을 프로브(200) 부위에 따라 다르게 적용하였지만, 탄성도금층(220)과 연성도금(230)을 프로브(200) 부위에 따라 다르게 적용할 수도 있다.
절연층(250)은 제1실시예의 프로브(119)와 동일하므로 설명을 생략한다.
도 9는 본 발명의 제3실시예에 따른 프로브(300)의 단면을 나타낸 것이다. 도시한 바와 같이, 프로브(300)는 심재(310), 심재(310) 상에 적층된 다수의 도금층(320,330,340), 및 절연층(350)을 포함한다.
심재(310)는 제1접점에 접촉하는 제1접촉부(312), 제2접점에 접촉하는 제2접촉부(314), 및 검사 시에 제1접촉부(312) 또는 제2접촉부(314)의 길이방향의 가압에 의해 변형되는 탄성변형부(316)로 이루어진다. 탄성변형부(316)는 가압력에 의해 실질적으로 변형이 일어나는 부분을 모두 포함한다. 도 9에서, 점선(317)은 주된 변형이 일어나는 부분을 나타내고, 실선(318)은 변형이 발생하는 부분과 변형이 발생하지 않는 부분의 경계를 나타낸다. 여기서 탄성변형부(316)는 사전 변형 전의 형상일 수 있다. 제1접촉부(312) 및 제2접촉부(314)는 탄성변형부(316)보다 단면적을 크다. 제1접촉부(312) 및 제2접촉부(314)는 별도의 도금없이 절연층(350)으로만 코팅하고, 탄성변형부(316)는 탄성을 좋게 하기 위해 탄성도금층(320, 연성도금층(330) 및 추가 도금부(340)를 적층 도금한다. 심재(210)는 전도성이 좋은 재질로서, 예를 들면 Au(금), Pt(백금), Ag(은), Cu(구리), Al(알루미늄), Fe(철), Be(베릴륨), Rh(로듐) 등의 단독 또는 그 합금으로 이루어진다.
다수의 도금층들(320,330,340)은 탄성도금층(320), 연성도금층(330) 및 추가 적층부(340)를 포함한다.
탄성도금층(320)은 예를 들면 Pd(팔라듐)합금, Ni(니켈)합금 등으로 이루어진다.
연성도금층(330)은 전도성이 좋은 재질로서, 예를 들면 Au(금), Pt(백금), Ag(은), Cu(구리), Al(알루미늄), Fe(철), Be(베릴륨), Rh(로듐) 등의 단독 또는 그 합금으로 이루어진다.
추가 적층부(340)는 전도성이 좋은 재질로서, 예를 들면 Au(금), Pt(백금), Ag(은), Cu(구리), Al(알루미늄), Fe(철), Be(베릴륨), Rh(로듐) 등의 단독 또는 그 합금으로 이루어진다.
도 10 및 11은 본 발명의 제4실시예에 따른 프로브(400)의 사시도 및 부분단면도이다. 도시한 바와 같이, 프로브(400)는 심재(410), 심재(410) 상에 적층된 다수의 도금층(420,430,440), 및 절연층(450)을 포함한다.
심재(410)는 길이방향으로 연장하는 적어도 하나의 슬롯(417) 및 슬롯(417)을 구성하는 다수의 브릿지(418)을 포함하는 탄성 변형부를 포함한다. 따라서, 길이방향의 가압이 가해지면 다수의 브릿지(418)가 변형된다. 심재(410)는 전도성이 좋은 재질로서, 예를 들면 Au(금), Pt(백금), Ag(은), Cu(구리), Al(알루미늄), Fe(철), Be(베릴륨), Rh(로듐) 등의 단독 또는 그 합금으로 이루어진다.
다수의 도금층(420,430,440)은 탄성도금층(420), 연성도금층(430) 및 추가 적층부(440)를 포함한다. 다수의 도금층(420,430,440)은 도 11과 같이 탄성변형부(416)만을 도금할 수도 있고 제1접촉부(412)와 제2접촉부(414)를 포함하여 전체를 도금할 수도 있다.
도 11에 나타낸 바와 같이, 심재(410)의 탄성변형부(416) 상에는 탄성도금층(420), 연성도금층(430) 및 추가 적층부(440)를 도금한다. 슬롯(417)을 구성하는 브릿지(418)는 심재에 의해 도전성이 우수하면서도 탄성도금층(420)이 도금됨으로써 탄성도 좋게 할 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 한정된 예시적 실시예와 도면을 통해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 예시적 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로 본 발명의 범위는 설명된 예시적 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
100: 검사장치 110,200,300,400: 프로브
111,210,310,410: 심재 112,216,316,416: 탄성변형부
113,220,320,420: 탄성도금층 114: 슬라이딩 접촉부
115,230,330,430: 연성도금층 116: 고정 접촉부
117,240,340,440: 추가 적층부 119,250,350,450: 절연층
120: 제1지지부재 130: 제2지지부재
212, 312: 제1접촉부 214,314: 제2접촉부
417: 슬롯 418: 브릿지
111,210,310,410: 심재 112,216,316,416: 탄성변형부
113,220,320,420: 탄성도금층 114: 슬라이딩 접촉부
115,230,330,430: 연성도금층 116: 고정 접촉부
117,240,340,440: 추가 적층부 119,250,350,450: 절연층
120: 제1지지부재 130: 제2지지부재
212, 312: 제1접촉부 214,314: 제2접촉부
417: 슬롯 418: 브릿지
Claims (14)
- 검사대상의 전기적 특성을 검사하는 프로브에 있어서,
막대상의 도전성 심재와;
상기 심재보다 높은 탄성을 가진 재질로 상기 심재 상에 도금된 탄성도금층을 포함하며,
상기 탄성도금층보다 낮은 탄성을 가지는 재료로 상기 심재 상에 도금된 연성도금층을 더 포함하며,
상기 심재는 제1접점에 접촉하는 제1접촉부, 제2접점에 접촉하는 제2접촉부, 및 검사 시에 길이방향의 가압에 의해 변형되는 탄성변형부로 이루어지며,
상기 탄성도금층은 상기 제1접촉부 상에 도금된 제1탄성도금층, 상기 제2접촉부 상에 도금된 제2탄성도금층, 및 상기 탄성변형부 상에 도금된 제3탄성도금층을 포함하며,
상기 연성도금층은 상기 제1접촉부 상에 도금된 제1연성도금층, 상기 제2접촉부 상에 도금된 제2연성도금층, 및 상기 탄성변형부 상에 도금된 제3연성도금층을 포함하며,
상기 제1접촉부 상에 도금된 제1탄성도금층 및 제 1연성도금층 또는 상기 제2접촉부 상에 도금된 제2탄성도금층 및 제 2연성도금층은 상기 탄성변형부 상에 도금된 제3탄성도금층 및 제 3연성도금층보다 탄성이 낮고 전도성이 높은 것을 특징으로 하는 프로브. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 심재 상의 탄성도금층 또는 연성도금층에 도금된 적어도 하나의 추가 적층부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브.
- 제3항에 있어서,
상기 추가 적층부의 외표면을 둘러싸는 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브.
- 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 심재는 단부에 상기 검사대상에 접촉하는 적어도 하나의 단부팁을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브.
- 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 심재는 원형, 타원형, 다각형, 별표형 중 하나의 단면을 갖는 것을 특징으로 하는 프로브.
- 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 탄성도금층은 Pd(팔라듐)합금 또는 Ni(니켈)합금으로 도금되며,
상기 연성도금층은 Au(금), Pt(백금), Ag(은), Cu(구리), Al(알루미늄) 중 적어도 하나로 도금되며,
상기 심재는 Au(금), Pt(백금), Ag(은), Cu(구리), Al(알루미늄), Fe(철), Be(베릴륨), Rh(로듐) 단독 또는 그 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 프로브. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 1항에 있어서,
상기 탄성변형부는 상기 제1접촉부 또는 상기 제2접촉부보다 단면적이 작은 것을 특징으로 하는 프로브. - 제 1항에 있어서,
상기 탄성도금층은 탄성변형부만을 도금하는 것을 특징으로 하는 프로브. - 제 1항에 있어서,
상기 탄성변형부는 길이방향으로 연장하는 적어도 하나의 슬롯을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브. - 제 13항에 있어서,
상기 탄성도금층은 상기 슬롯을 구성하는 다수의 브릿지에 도금되는 것을 특징으로 하는 프로브.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/KR2017/012845 WO2018093109A2 (en) | 2016-11-21 | 2017-11-15 | Probe for testing device |
TW106139826A TW201825905A (zh) | 2016-11-21 | 2017-11-17 | 用於測試裝置的探針 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160154763 | 2016-11-21 | ||
KR20160154763 | 2016-11-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180057520A KR20180057520A (ko) | 2018-05-30 |
KR102015798B1 true KR102015798B1 (ko) | 2019-08-29 |
Family
ID=62300156
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170148710A KR102015798B1 (ko) | 2016-11-21 | 2017-11-09 | 검사장치용 프로브 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102015798B1 (ko) |
TW (1) | TW201825905A (ko) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7005939B2 (ja) * | 2017-05-25 | 2022-01-24 | 日本電産リード株式会社 | コンタクトプローブ |
KR102154176B1 (ko) * | 2018-08-24 | 2020-09-09 | 주식회사 에스디에이 | 극초단파 레이저를 이용한 멤스 프로브 팁의 제조방법 및 이에 의해 제조된 멤스 프로브 팁 |
TWI707145B (zh) * | 2019-09-24 | 2020-10-11 | 松翰股份有限公司 | 用於影像感測晶片之探針卡的探針頭結構 |
EP3862759B1 (de) * | 2020-02-04 | 2022-05-11 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Manteldraht und verfahren zur herstellung von manteldrähten |
US11493536B2 (en) * | 2020-05-26 | 2022-11-08 | Mpi Corporation | Probe head with linear probe |
KR102509528B1 (ko) * | 2021-02-05 | 2023-03-14 | (주)포인트엔지니어링 | 전기 전도성 접촉핀 |
KR20220135453A (ko) * | 2021-03-30 | 2022-10-07 | (주)포인트엔지니어링 | 전기 전도성 접촉핀 및 이의 제조방법 |
CN113391101A (zh) * | 2021-04-25 | 2021-09-14 | 西安交通大学 | 一种壳核微探针及其制备方法 |
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WO2015006625A2 (en) | 2013-07-11 | 2015-01-15 | Johnstech International Corporation | Testing apparatus and method for microcircuit and wafer level ic testing |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2017
- 2017-11-09 KR KR1020170148710A patent/KR102015798B1/ko active IP Right Grant
- 2017-11-17 TW TW106139826A patent/TW201825905A/zh unknown
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180057520A (ko) | 2018-05-30 |
TW201825905A (zh) | 2018-07-16 |
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