TW201825905A - 用於測試裝置的探針 - Google Patents

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Abstract

本發明揭露一種用於測試待測試物體的電性特性的探針。所述探針包括：芯體，具有導電性質且具有桿狀形狀；以及彈性鍍覆層，由彈性高於所述芯體的材料製成且鍍覆於所述芯體的外表面上。根據本發明的探針不僅與待測試物體的接觸良好且具有優異的耐久性，而且具有低的電阻，且使得易於製造用於支撐所述探針的探針支撐件。

Description

用於測試裝置的探針
本發明是有關於一種用於測試裝置的探針，所述用於測試的探針測試例如半導體等待測試物體的電性特性。
已使用探針卡（probe card）來作為用於測試半導體晶圓及類似的待測試物體的電性特性或適合度（adequacy）的測試裝置，所述探針卡包括用於對待測試物體的受試接觸點（tested contact point）（例如，末端（terminal）、凸塊）與測試電路的測試接觸點（testing contact point）（例如，接墊）進行電性連接的多個探針、以及用於支撐所述探針的探針支撐件。
隨著技術的發展，半導體晶圓的大小已變大，且電路積體程度已逐漸提升。相應地，欲形成於晶圓的一個片材上的接墊的數目亦有所增加，且因此各半導體接墊之間的距離已變窄。此種接墊節距（pad pitch）越窄，則探針卡的探針越應進行密集排列。
一般而言，探針卡採用懸臂型探針（cantilever type probe）、垂直型探針（vertical type probe）、微機電系統（microelectromechanical system，MEMS）型探針等。懸臂型的製造成本低於微機電系統型或垂直型，但懸臂型的缺點是所有加工是由人工逐一地修改並執行。因此，若需要對懸臂型探針卡進行修理或修復，則會因人員須將引腳逐一地重新排列而造成麻煩。
另一方面，微機電系統型探針或垂直型探針成本高但具有非常高的精度（precision），乃因所述探針是在精度機器（precision machine）的幫助下進行連接。
如圖1中所示，傳統微機電系統型探針卡採用探針10，探針10具有其中多個彈性層15與導電層14水平地進行積層的四角形橫截面。然而，由於所述多個積層探針的端部接觸待測試物體，因此傳統微機電系統型探針具有不良的接觸且使接觸電阻增大。此外，由於隨著測試的重複進行在中間彈性可變形部與欲接觸基板接墊的固定端部之間出現疲勞失效（fatigue failure），因此傳統微機電系統型探針具有壽命短的缺點。具體而言，用於支撐具有四角形橫截面的傳統微機電系統型探針的結構需要具有節距非常精細的四角形通孔（through hole）。然而，形成此種非常小的四角形通孔是困難的，且因此製造成本會增加。
本發明旨在解決前述問題並提供一種用於測試裝置的探針，所述用於測試裝置的探針與待測試物體的接觸良好、具有優異的耐久性、使電阻減小，且使得易於製造探針支撐件。
根據本發明的實施例，提供一種用於測試裝置的微機電系統探針。用於所述測試裝置的所述探針包括：芯體，具有導電性質且具有桿狀形狀；以及彈性鍍覆層，由彈性高於所述芯體的材料製成且鍍覆於所述芯體上。此種探針基於高導電性芯體而具有優異的導電性，此種探針與待測試物體的接觸良好且具有優異的耐久性。
所述特徵可更包括延性鍍覆層，所述延性鍍覆層由彈性低於所述彈性鍍覆層的材料製成且鍍覆至所述芯體上。
所述探針可更包括至少一個附加積層部，所述至少一個附加積層部鍍覆至或積層至所述彈性鍍覆層或所述延性鍍覆層上，藉此具有所期望的電阻及彈性。
所述探針可更包括絕緣層，所述絕緣層被配置成環繞所述附加積層部的外表面，藉此防止與相鄰的探針短接。
所述芯體包括至少一個端部尖端，所述至少一個端部尖端被配置成接觸所述待測試物體，藉此改善接觸。
所述芯體可具有圓形橫截面、橢圓形橫截面、多邊形橫截面及星形橫截面中的一種。
所述彈性鍍覆層可鍍覆有Pd（鈀）合金或Ni（鎳）合金；所述延性鍍覆層可鍍覆有Au（金）、Pt（鉑）、Ag（金）、Cu（銅）、及Al（鋁）中的至少一者；且所述芯體可由Au（金）、Pt（鉑）、Ag（銀）、Cu（銅）、Al（鋁）、Fe（鐵）、Be（鈹）、Rh（銠）等或其合金製成。
所述芯體可包括第一接觸部、第二接觸部及彈性可變形部，所述第一接觸部被配置成接觸第一接觸點，所述第二接觸部被配置成接觸第二接觸點，所述彈性可變形部被配置成在測試期間在長度方向上藉由壓力而變形，且所述彈性鍍覆層可包括第一彈性鍍覆層、第二彈性鍍覆層及第三彈性鍍覆層，所述第一彈性鍍覆層鍍覆於所述第一接觸部上，所述第二彈性鍍覆層鍍覆於所述第二接觸部上，所述第三彈性鍍覆層鍍覆於所述彈性可變形部上。
所述延性鍍覆層可包括第一延性鍍覆層、第二延性鍍覆層及第三延性鍍覆層，所述第一延性鍍覆層鍍覆至所述第一接觸部，所述第二延性鍍覆層鍍覆至所述第二接觸部，所述第三延性鍍覆層鍍覆至所述彈性可變形部。
相較於被鍍覆至所述彈性可變形部的所述第三彈性鍍覆層、所述第三延性鍍覆層及第三附加積層部，被鍍覆於所述第一接觸部及所述第二接觸部上的所述第一彈性鍍覆層及所述第二彈性鍍覆層、所述第一延性鍍覆層及所述第二延性鍍覆層以及第一附加積層部及第二附加積層部可具有較低的彈性及較高的導電性。
相較於所述第一接觸部或所述第二接觸部，所述彈性可變形部可具有較小的橫截面。
所述芯體可包括第一接觸部、第二接觸部及彈性可變形部，所述第一接觸部被配置成接觸第一接觸點，所述第二接觸部被配置成接觸第二接觸點，所述彈性可變形部被配置成在測試期間在長度方向上藉由壓力而變形，且所述彈性鍍覆層可僅鍍覆於所述彈性可變形部上。
所述芯體可包括第一接觸部、第二接觸部及彈性可變形部，所述第一接觸部被配置成接觸第一接觸點，所述第二接觸部被配置成接觸第二接觸點，所述彈性可變形部被配置成在測試期間在長度方向上藉由壓力而變形，且所述彈性可變形部可包括在所述長度方向上延伸的至少一個槽。
所述彈性鍍覆層可鍍覆於多個橋接件上，所述多個橋接件被配置形成所述槽。
以下將參照附圖來闡述根據本發明各種實施例的測試裝置100。
圖2是具有根據本發明第一實施例的探針的測試裝置100。如圖2中所示，測試裝置100包括多個探針110、用於支撐探針110的一個端部的第一支撐構件120及用於支撐探針110的另一端部的第二支撐構件130。
探針110包括彈性可變形部112、滑動接觸部114及靜止接觸部116，彈性可變形部112在中間部處在特定方向上預先發生變形，滑動接觸部114穿透第一支撐構件120並自第一支撐構件120突出，靜止接觸部116穿透第二支撐構件130並自第二支撐構件130突出。當然，彈性可變形部112可不預先發生變形。滑動接觸部114被配置成接觸待測試物體（例如，半導體晶圓的末端（或接墊）），且在第一支撐構件120的第一通孔122內滑動地移動。亦即，若待測試物體按壓滑動接觸部114的端部以進行測試，則滑動接觸部114在第一通孔122內滑動且因此彈性可變形部112發生彈性變形。靜止接觸部116被配置成在靜止地支撐於第二支撐構件130的第二通孔132中的同時使靜止接觸部116的突出端部接觸測試接觸點（例如，測試電路基板的末端（或接墊））。
第一支撐構件120由絕緣材料製成且具有形成有多個圓形第一通孔122的板狀形狀，所述多個探針110的滑動接觸部114穿過所述多個圓形第一通孔122。
第二支撐構件130由絕緣材料製成且具有形成有多個圓形第二通孔132的板狀形狀，所述多個探針110的靜止接觸部116在所述多個圓形第二通孔132中為靜止的。舉例而言，靜止接觸部116藉由黏合劑而結合至第二通孔132。
圖3是圖2所示探針110的立體圖。如圖3中所示，探針110包括導電的芯體111、彈性鍍覆層113及延性鍍覆層115，導電的芯體111具有圓柱桿狀形狀，彈性鍍覆層113由彈性高於芯體111的材料製成且鍍覆於芯體111的外表面上及/或芯體111的外表面周圍，延性鍍覆層115由彈性低於彈性鍍覆層113的材料製成且鍍覆於彈性鍍覆層113的外表面上及/或彈性鍍覆層113的外表面周圍。此外，視需要，探針110可包括附加積層部117，附加積層部117位於延性鍍覆層115的外表面上及/或延性鍍覆層115的外表面周圍。附加積層部117可包括第二彈性鍍覆層113-2及第二延性鍍覆層115-2。探針110可包括絕緣層119，絕緣層119位於附加積層部117的外表面上及/或附加積層部117的外表面周圍。
芯體111由例如Au（金）、Pt（鉑）、Ag（銀）、Cu（銅）、Al（鋁）、Fe（鐵）、Be（鈹）、Rh（銠）等或其合金等高導電性材料製成。
彈性鍍覆層113由例如Pd（鈀）合金、Ni（鎳）合金等高彈性材料製成。
延性鍍覆層115由例如Au（金）、Pt（鉑）、Ag（銀）、Cu（銅）、Al（鋁）、Fe（鐵）、Be（鈹）、Rh（銠）等或其合金等與高導電性的芯體111相似的材料製成。當然，延性鍍覆層115可由相較於彈性鍍覆層113具有較低的彈性及較高的導電性的Pd（鈀）合金群組、Ni（鎳）合金群組等製成。
附加積層部117被配置成調整無法藉由限制鍍覆積層厚度來達成的彈性或電阻。附加積層部117被附加地積層成第二彈性鍍覆層113-2及第二延性鍍覆層115-2。附加積層部117可由與彈性鍍覆層113及延性鍍覆層115相同的材料製成。視需要，附加積層部117可包括彈性及導電性與彈性鍍覆層113及延性鍍覆層115不同的多個層。
絕緣層119被配置成當所述多個探針110以精細節距排列時防止相鄰的探針110短路。舉例而言，絕緣層可由鐵氟龍（Teflon）、合成樹脂、橡膠等製成。
圖4是示出根據本發明第一實施例的探針中所使用的芯體111的各種橫截面的圖。如圖4中所示，芯體111可被製造成具有桿，所述桿具有六邊形橫截面（a）、圓形橫截面（b）、四角形橫截面（c）或星形橫截面（d）。當然，除以上四種橫截面以外，芯體111亦可具有橢圓形橫截面、三角形橫截面或自由形式橫截面。若芯體111具有星形橫截面（d），則當鍍覆彈性鍍覆層113、延性鍍覆層115及附加積層部117時凹陷部的厚度可增大。
圖5是示出根據本發明第一實施例的探針110的各種形狀的圖。如圖5中所示，探針110包括彈性可變形部112，彈性可變形部112為直線型（a）、「V」形曲線型（b）、「L」型曲線型（c）、及「S」形曲線型（d）。當然，除以上四種類型以外，彈性可變形部112亦可被製造成具有「W」形曲線型等各種形狀。具有彈性可變形部112的探針110可藉由在芯體111中製成彈性可變形部並接著使用彈性鍍覆層113、延性鍍覆層115及附加積層部117對芯體111進行鍍覆來製造，或者可藉由首先完成鍍覆製程並接著執行按壓晶粒及加熱處理（press die and heat treatment）以製成彈性可變形部112來製造。
圖6是示出根據本發明第一實施例的探針110的各種端部尖端的圖。如圖6中所示，待測試測試接觸點或探針110的欲接觸所述測試接觸點的端部可被形成為具有三角形單尖端（a）、「M」形雙尖端（b）、矩形單尖端（c）、或半圓形單尖端（d）。當然，除以上四種形狀以外，探針110亦可包括具有例如三尖端、王冠狀尖端（crown tip）等各種形狀的端部尖端。探針110可藉由在芯體111中形成端部尖端並接著使用彈性鍍覆層113、延性鍍覆層115及附加積層部117對具有所述端部尖端的芯體111進行鍍覆來製造。
圖7是局部地示出用於支撐根據本發明第一實施例的探針110的探針支撐件120的圖。如圖2中所示，具有圓形橫截面的探針110的相對兩端插入於探針支撐件120及130的圓形的通孔122及132中。在此種情形中，由於探針110具有圓形橫截面，因此探針支撐件120及130的通孔122及132亦被製造成具有圓形形狀。通常，若通孔122及132是大的，則將其形成為具有四角形形狀或圓形形狀並不困難。然而，以幾百奈米（nm）或更小的節距形成四角形通孔是非常困難的。另一方面，藉由鑽孔（drilling）或雷射機加工（laser machining）來形成根據本發明的圓形通孔是容易的。
圖8是根據本發明第二實施例的探針200的剖視圖。如圖8中所示，探針200包括芯體210及積層於芯體210上及/或芯體210周圍的多個鍍覆層220、230及240以及絕緣層250。
芯體210包括第一接觸部212、第二接觸部214及彈性可變形部216，第一接觸部212被配置成接觸第一接觸點，第二接觸部214被配置成接觸第二接觸點，彈性可變形部216被配置成在測試期間在第一接觸部212或第二接觸部214的長度方向上藉由壓力而變形。彈性可變形部216包括所有藉由壓力而實質上變形的部份。在圖8中，虛線217指示其中發生主要變形的部份，且實線218指示將變形的部份與將不變形的部份之間的邊界。此處，彈性可變形部216可在預先變形的形狀之前具有一形狀。芯體210由例如Au（金）、Pt（鉑）、Ag（銀）、Cu（銅）、Al（鋁）、Fe（鐵）、Be（鈹）、Rh（銠）等或其合金等高導電性材料製成。
所述多個鍍覆層220、230及240包括彈性鍍覆層220、延性鍍覆層230、及附加積層部240。
彈性鍍覆層220包括第一彈性鍍覆層222、第二彈性鍍覆層224及第三彈性鍍覆層226，第一彈性鍍覆層222鍍覆於第一接觸部212上及/或第一接觸部212周圍，第二彈性鍍覆層224鍍覆於第二接觸部214上及/或第二接觸部214周圍，第三彈性鍍覆層226鍍覆於彈性可變形部216上及/或彈性可變形部216周圍。彈性鍍覆層220是例如由Pd（鈀）合金、Ni（鎳）合金等製成。
延性鍍覆層230可包括第一延性鍍覆層232、第二延性鍍覆層234及第三延性鍍覆層236，第一延性鍍覆層232鍍覆於第一接觸部212上及/或第一接觸部212周圍，第二延性鍍覆層234鍍覆於第二接觸部214上及/或第二接觸部214周圍，第三延性鍍覆層236鍍覆於彈性可變形部216上及/或彈性可變形部216周圍。延性鍍覆層230由例如Au（金）、Pt（鉑）、Ag（銀）、Cu（銅）、Al（鋁）、Fe（鐵）、Be（鈹）、Rh（銠）等或其合金等高導電性材料製成。
附加積層部240包括第一積層鍍覆層242、第二積層鍍覆層244及第三積層鍍覆層246，第一積層鍍覆層242鍍覆於第一接觸部212上及/或第一接觸部212周圍，第二積層鍍覆層244鍍覆於第二接觸部214上及/或第二接觸部214周圍，第三積層鍍覆層246鍍覆於彈性可變形部216上及/或彈性可變形部216周圍。第一積層鍍覆層242及第二積層鍍覆層244由例如Au（金）、Pt（鉑）、Ag（銀）、Cu（銅）、Al（鋁）、Fe（鐵）、Be（鈹）、Rh（銠）等或其合金等高導電性材料製成。第三積層鍍覆層246可例如由Pd（鈀）合金、Ni（鎳）合金等製成。如此，被鍍覆於不進行彈性變形的第一接觸部212及第二接觸部214上及/或第一接觸部212及第二接觸部214周圍的鍍覆層222、224、232、234、242、及244的導電性而非彈性可有所提高，且被鍍覆於彈性可變形部216上及/或彈性可變形部216周圍的鍍覆層226、236及246的彈性而非導電性可有所提高。為此，在圖8所示附加積層部240中，被鍍覆於第一接觸部212及第二接觸部214上及/或第一接觸部212及第二接觸部214周圍的材料不同於被鍍覆於彈性可變形部216上及/或彈性可變形部216周圍的材料。此處，可以如下方式執行使用不同材料的鍍覆。首先，使用鍍覆蓋（plating cover）來塗佈位於彈性可變形部216上及/或彈性可變形部216周圍的第三延性鍍覆層236，且接著使用高導電性第一材料來鍍覆位於第一接觸部212及第二接觸部214上及/或第一接觸部212及第二接觸部214周圍的第一延性鍍覆層232及第二延性鍍覆層234。接下來，將塗佈於第三延性鍍覆層236上及/或第三延性鍍覆層236周圍的鍍覆蓋剝落，且使用鍍覆蓋來塗佈位於第一接觸部212及第二接觸部214上及/或第一接觸部212及第二接觸部214周圍的第一材料層。最後，使用高彈性第二材料來鍍覆位於彈性可變形部216上及/或彈性可變形部216周圍的第三延性鍍覆層236。在圖8中，根據探針200的各個部分、使用附加積層部240來不同地施加彈性及導電性。作為另一選擇，可根據探針200的各個部分來不同地施加彈性鍍覆層220及延性鍍覆層230。
絕緣層250相同於根據第一實施例的探針110的絕緣層，且因此將不再對其予以贅述。
圖9是根據本發明第三實施例的探針300的剖視圖。如圖9中所示，根據本發明第三實施例的探針300包括芯體310、積層於芯體310上及/或芯體310周圍的多個鍍覆層320、330及340、以及絕緣層350。
芯體310包括第一接觸部312、第二接觸部314及彈性可變形部316，第一接觸部312被配置成接觸第一接觸點，第二接觸部314被配置成接觸第二接觸點，彈性可變形部316被配置成在測試期間在第一接觸部312或第二接觸部314的長度方向上藉由壓力而變形。彈性可變形部316包括所有藉由壓力而實質上變形的部份。此處，彈性可變形部316可在預先變形的形狀之前具有一形狀。第一接觸部312及第二接觸部314的橫截面大於彈性可變形部316。第一接觸部312及第二接觸部314僅塗佈有絕緣層350而不進行單獨的鍍覆，且彈性可變形部316可鍍覆有由彈性鍍覆層320、延性鍍覆層330及附加鍍覆部340形成的積層體以提高彈性。芯體310由例如Au（金）、Pt（鉑）、Ag（銀）、Cu（銅）、Al（鋁）、Fe（鐵）、Be（鈹）、Rh（銠）等、或其合金等高導電性材料製成。
所述多個鍍覆層320、330及340包括彈性鍍覆層320、延性鍍覆層330及附加積層部340。
彈性鍍覆層320例如由Pb（鈀）合金、Ni（鎳）合金等製成。
延性鍍覆層330由例如Au（金）、Pt（鉑）、Ag（銀）、Cu（銅）、Al（鋁）、Fe（鐵）、Be（鈹）、Rh（銠）等、或其合金等高導電性材料製成。
附加積層部340由例如Au（金）、Pt（鉑）、Ag（銀）、Cu（銅）、Al（鋁）、Fe（鐵）、Be（鈹）、Rh（銠）等、或其合金等高導電性材料製成。
圖10及圖11是根據本發明第四實施例的探針400的立體圖及局部剖視圖。如圖10及圖11中所示，探針400包括芯體410，積層於芯體410上及/或芯體410周圍的多個鍍覆層420、430及440、以及絕緣層450。
芯體410包括在長度方向上延伸的至少一個槽417、及包括被配置形成槽417的多個橋接件418的彈性可變形部。因此，當在長度方向上施予壓力時，所述多個橋接件418變形。芯體410由例如Au（金）、Pt（鉑）、Ag（銀）、Cu（銅）、Al（鋁）、Fe（鐵）、Be（鈹）、Rh（銠）等、或其合金等高導電性材料製成。
所述多個鍍覆層420、430及440包括彈性鍍覆層420、延性鍍覆層430、及附加積層部440。所述多個鍍覆層420、430、及440可如圖11中所示僅鍍覆於彈性可變形部416上及/或彈性可變形部416周圍，或者可附加地鍍覆於第一接觸部412及第二接觸部414上及/或第一接觸部412及第二接觸部414周圍。
如圖11中所示，彈性鍍覆層420、延性鍍覆層430、及附加積層部440鍍覆於芯體410的彈性可變形部416上及/或芯體410的彈性可變形部416周圍。被配置形成槽417的橋接件418由於芯體410而具有優異的導電性，且亦由於彈性鍍覆層420而具有優異的彈性。
如上所述，由於圓形芯體鍍覆有彈性層及導電層，因此根據本發明的探針便於使所述探針的相對兩端（即，接觸尖端）接觸待測試物體且使接觸電阻減小。此外，相較於具有四角形積層橫截面的傳統探針而言，根據本發明的探針耐久性有較大提高。具體而言，易於製造用於支撐欲應用於非常精細的節距的微機電系統探針的探針支撐件。
儘管已示出並闡述了幾個示例性實施例，然而熟習此項技術者將理解，在不背離本發明的原理及精神的條件下，可對該些示例性實施例作出各種改變。
因此，本發明的範圍不應限於前述示例性實施例，而是在隨附申請專利範圍及其等效範圍中進行界定。
10、110、200、300、400‧‧‧探針
14‧‧‧導電層
15‧‧‧彈性層
100‧‧‧測試裝置
111、210、310、410‧‧‧芯體
112、216、316、416‧‧‧彈性可變形部
113‧‧‧彈性鍍覆層
113-2‧‧‧第二彈性鍍覆層
114‧‧‧滑動接觸部
115‧‧‧延性鍍覆層
115-2‧‧‧第二延性鍍覆層
116‧‧‧靜止接觸部
117‧‧‧附加積層部
119、250、350、450‧‧‧絕緣層
120‧‧‧第一支撐構件
122、132‧‧‧通孔
130‧‧‧第二支撐構件
212、312、412‧‧‧第一接觸部
214、314、414‧‧‧第二接觸部
217‧‧‧虛線
218‧‧‧實線
220、230、240、320、330、340、420、430、440‧‧‧鍍覆層
222‧‧‧第一彈性鍍覆層
224‧‧‧第二彈性鍍覆層
226‧‧‧第三彈性鍍覆層
232‧‧‧第一延性鍍覆層
234‧‧‧第二延性鍍覆層
236‧‧‧第三延性鍍覆層
242‧‧‧第一積層鍍覆層
244‧‧‧第二積層鍍覆層
246‧‧‧第三積層鍍覆層
417‧‧‧槽
418‧‧‧橋接件
結合附圖閱讀以下示例性實施例的說明，以上及/或其他態樣將變得顯而易見且更易於理解，在附圖中： 圖1是示出傳統微機電系統探針的結構的立體圖。 圖2是具有根據本發明第一實施例的探針的測試裝置。 圖3是根據本發明第一實施例的探針的立體圖。 圖4是示出根據本發明第一實施例的探針中所使用的芯體線（core wire）的各種橫截面的圖。 圖5是示出根據本發明第一實施例的探針的各種形狀的圖。 圖6是示出根據本發明第一實施例的探針的各種端部尖端的圖。 圖7是局部地示出用於支撐根據本發明第一實施例的探針的探針支撐件的圖。 圖8是根據本發明第二實施例的探針的剖視圖。 圖9是根據本發明第三實施例的探針的剖視圖。 圖10及圖11是根據本發明第四實施例的探針的立體圖及局部剖視圖。

Claims (14)

  1. 一種用於測試待測試物體的電性特性的探針，包括： 芯體，具有導電性質且具有桿狀形狀；以及 彈性鍍覆層，由彈性高於所述芯體的材料製成且鍍覆於所述芯體上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的用於測試待測試物體的電性特性的探針，更包括延性鍍覆層，所述延性鍍覆層由彈性低於所述彈性鍍覆層的材料製成且鍍覆至所述芯體上。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的用於測試待測試物體的電性特性的探針，更包括至少一個附加積層部，至少一個所述附加積層部鍍覆至所述芯體上的所述延性鍍覆層或所述彈性鍍覆層上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的用於測試待測試物體的電性特性的探針，更包括絕緣層，所述絕緣層被配置成環繞所述附加積層部的外表面。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的用於測試待測試物體的電性特性的探針，其中所述芯體包括至少一個端部尖端，至少一個所述端部尖端被配置成接觸待測試物體。
  6. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的用於測試待測試物體的電性特性的探針，其中所述芯體包括圓形橫截面、橢圓形橫截面、多邊形橫截面及星形橫截面中的一種。
  7. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的用於測試待測試物體的電性特性的探針，其中 所述彈性鍍覆層鍍覆有Pd（鈀）合金或Ni（鎳）合金， 所述延性鍍覆層鍍覆有Au（金）、Pt（鉑）、Ag（金）、Cu（銅）、及Al（鋁）中的至少一者，且 所述芯體包括Au（金）、Pt（鉑）、Ag（銀）、Cu（銅）、Al（鋁）、Fe（鐵）、Be（鈹）、Rh（銠）等或其合金。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的用於測試待測試物體的電性特性的探針，其中 所述芯體包括第一接觸部、第二接觸部及彈性可變形部，所述第一接觸部被配置成接觸第一接觸點，所述第二接觸部被配置成接觸第二接觸點，所述彈性可變形部被配置成在測試期間在長度方向上藉由壓力而變形，且 所述彈性鍍覆層包括第一彈性鍍覆層、第二彈性鍍覆層及第三彈性鍍覆層，所述第一彈性鍍覆層鍍覆於所述第一接觸部上，所述第二彈性鍍覆層鍍覆於所述第二接觸部上，所述第三彈性鍍覆層鍍覆於所述彈性可變形部上。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的用於測試待測試物體的電性特性的探針，其中所述延性鍍覆層包括第一延性鍍覆層、第二延性鍍覆層及第三延性鍍覆層，所述第一延性鍍覆層鍍覆至所述第一接觸部，所述第二延性鍍覆層鍍覆至所述第二接觸部，所述第三延性鍍覆層鍍覆至所述彈性可變形部。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的用於測試待測試物體的電性特性的探針，其中相較於被鍍覆至所述彈性可變形部的所述第三彈性鍍覆層、所述第三延性鍍覆層及第三附加積層部，被鍍覆至所述第一接觸部及所述第二接觸部的所述第一彈性鍍覆層及所述第二彈性鍍覆層、所述第一延性鍍覆層及所述第二延性鍍覆層以及第一附加積層部及第二附加積層部具有較低的彈性及較高的導電性。
  11. 如申請專利範圍第9項所述的用於測試待測試物體的電性特性的探針，其中相較於所述第一接觸部或所述第二接觸部，所述彈性可變形部具有較小的橫截面。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的用於測試待測試物體的電性特性的探針，其中所述芯體包括第一接觸部、第二接觸部及彈性可變形部，所述第一接觸部被配置成接觸第一接觸點，所述第二接觸部被配置成接觸第二接觸點，所述彈性可變形部被配置成在測試期間在長度方向上藉由壓力而變形，且 所述彈性鍍覆層僅鍍覆於所述彈性可變形部上。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的用於測試待測試物體的電性特性的探針，其中所述芯體包括第一接觸部、第二接觸部及彈性可變形部，所述第一接觸部被配置成接觸第一接觸點，所述第二接觸部被配置成接觸第二接觸點，所述彈性可變形部被配置成在測試期間在長度方向上藉由壓力而變形，且 所述彈性可變形部包括在長度方向上延伸的至少一個槽。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的用於測試待測試物體的電性特性的探針，其中所述彈性鍍覆層鍍覆於多個橋接件上，所述多個橋接件被配置形成所述槽。
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