KR20130018791A - 접촉 구조체 및 접촉 구조체의 제조 방법 - Google Patents

접촉 구조체 및 접촉 구조체의 제조 방법 Download PDF

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KR20130018791A
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

접촉 구조체는 프로브와 그 외주에 배치되는 하우징을 구비하고, 하우징은, 상하 방향으로 관통한 중공부가 형성된 하우징 본체와, 중공부의 내벽면에 피복된 도전성의 피복막을 갖고, 프로브는, 하우징의 일단측에서 위치가 고정되는 기단부와, 피복막에 접촉한 상태에서 중공부를 이동 가능하고 선단에 피검사체로의 접촉자를 구비한 도전성의 선단부와, 기단부와 선단부를 연결하고 중공부에 배치되고 탄성을 갖는 탄성부를 가진다.

Description

접촉 구조체 및 접촉 구조체의 제조 방법{CONTACT STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING CONTACT STRUCTURE}
본 발명은 피검사체에 접촉하여 피검사체의 전기적 특성을 검사하기 위해 이용되는 접촉 구조체 및 접촉 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.
예를 들면 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 한다.) 상에 형성된 IC, LSI 등의 전자 회로의 전기적 특성의 검사는 통상 프로브 장치를 이용하여 행해지고 있다. 프로브 장치는 프로브 카드의 하면(下面)측에 다수의 프로브가 지지된 것이다. 웨이퍼의 전기적 특성의 검사는, 그러한 다수의 프로브의 선단(先端)을 전자 회로의 복수의 전극에 접촉시키고, 침과 전극 사이에 전기 신호를 수수(授受)하는 것에 의해 행해지고 있다.
이 검사에서는, 반도체 디바이스 상에 형성된 미세한 전극으로, 테스터로부터 보내어지는 전기 신호를 전달하기 위한 침을 일시적으로 접촉시킨다. 이 침은 소망하는 접촉 저항을 얻기 위해 필요한 접촉압과, 기계적인 높이 방향의 편차를 흡수하기 위한 탄성을 구비하고 있다. 종래, 프로브의 형상으로서, 외팔보식의 캔틸레버형이나, 수직 스프링식의 포고핀형이 대표적이며, 최근에는, MEMS 기술을 이용한 미세 스프링을 구비한 것이 주류로 되어 있다.
최근, 반도체 디바이스의 미세화 및 고성능, 고기능화에 수반하여, 검사에서 사용하는 프로브에 요구되는 성능은 해마다 향상되고 있다. 예를 들면 디바이스 전극의 미세화에 수반하여, 침의 물리적 사이즈를 작게 할 필요가 있지만, 이것은 스프링으로서의 신축성이나 전류 허용량을 저하시키는 것으로도 된다. 한편, 검사에 필요한 스프링의 신축량은 거의 일정하고, 또한 디바이스의 고성능, 고기능화에 따라 많은 전류를 필요로 한다. 따라서, 이러한 요구를 동시에 만족하는 프로브가 필요로 되어 있다.
그러한 생각에 근거하여, 예를 들면 특허문헌 1에 기재되어 있는 포고핀형의 프로브가 널리 이용되고 있다. 이것은, 전류 경로인 튜브부와 스프링을 함께 조합하고, 그것을 구멍 가공된 하우징에 고정하여 이용하는 것이다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2003-344450호 공보
그런데, 상기 특허문헌 1에 기재되어 있는 프로브는, 수작업에 의한 공정이 많아 제조에 시간이 걸리고, 가공상, 미세화에 한계가 있어, 고성능, 고기능화에 대응하는 것이 곤란하다고 하는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 전극과 그 전극에 접촉시키는 프로브 사이에서 충분한 전기 신호를 안정하게 수수할 수 있고, 또한 용이하게 제조할 수 있는 접촉 구조체 및 접촉 구조체의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 문제를 해결하기 위해서, 본 발명은, 피검사체에 접촉하여 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하기 위한 접촉 구조체로서, 프로브와 그 외주에 배치되는 하우징을 구비하고, 상기 하우징은, 상하 방향으로 관통한 중공부(中空部)가 형성된 하우징 본체와, 상기 중공부의 내벽면에 피복된 도전성의 피복막을 갖고, 상기 프로브는, 상기 하우징의 일단측에서 위치가 고정되는 기단부와, 상기 피복막에 접촉한 상태에서 상기 중공부를 이동 가능하고 선단에 상기 피검사체로의 접촉자를 구비한 도전성의 선단부와, 상기 기단부와 상기 선단부를 연결하고 상기 중공부에 배치되고 탄성을 갖는 탄성부를 가진다.
또, 본 발명은, 피검사체에 접촉하여 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하기 위한 접촉 구조체의 제조 방법으로서, 상기 접촉 구조체는, 프로브와 그 외주에 배치되는 하우징을 구비하고, 상기 하우징은, 상하 방향으로 관통한 중공부가 형성된 하우징 본체와, 상기 중공부의 내벽면에 피복된 도전성의 피복막을 갖고, 상기 프로브는, 상기 하우징의 일단측에서 위치가 고정되는 기단부와, 상기 피복막에 접촉한 상태에서 상기 중공부를 이동 가능하고 선단에 상기 피검사체로의 접촉자를 구비한 도전성의 선단부와, 상기 기단부와 상기 선단부를 연결하고 상기 중공부에 배치되고 탄성을 갖는 탄성부를 가지며, 상기 프로브는, 도전성 재료를 부설(敷設)한 기판 상에서 상기 선단부 및 기단부를 전주(電鑄)에 의해 성형하고, 상기 기판 상에 성형막을 형성하여 당해 성형막에 상기 탄성부에 적합한 형상의 패턴을 형성하고, 전착(電着)에 의해서 상기 패턴에 상기 탄성부를 성형한다.
또한, 다른 관점에 따른 본 발명은, 피검사체에 접촉하여 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하기 위한 접촉 구조체의 제조 방법으로서, 상기 접촉 구조체는, 프로브와 그 외주에 배치되는 하우징을 구비하고, 상기 하우징은, 상하 방향으로 관통한 중공부가 형성된 하우징 본체와, 상기 중공부의 내벽면에 피복된 도전성의 피복막을 갖고, 상기 프로브는, 상기 하우징의 일단측에서 위치가 고정되는 기단부와, 상기 피복막에 접촉한 상태에서 상기 중공부를 이동 가능하고 선단에 상기 피검사체로의 접촉자를 구비한 도전성의 선단부와, 상기 기단부와 상기 선단부를 연결하고 상기 중공부에 배치되고 탄성을 갖는 탄성부를 가지며, 상기 탄성부가 실리콘 수지제이고, 상기 프로브는, 도전성 재료를 부설한 기판 상에서 상기 선단부 및 기단부를 전주에 의해 성형하고, 실리콘의 활성층을 갖는 다른 기판 상에 성형막을 형성하여 당해 성형막에 상기 탄성부에 적합한 형상의 패턴을 형성하고, 상기 패턴을 마스크로 하여 전기 활성층을 에칭해서 상기 탄성부를 성형하고, 상기 선단부 및 기단부를 성형한 기판과, 상기 탄성부를 성형한 다른 기판을 맞추어 전사한다.
본 발명에 의하면, 하우징의 피복막을 전류 경로로 하여, 탄성이 요구되는 프로브와 하우징을 별도의 부재로 함으로써, 탄성부의 재질의 자유도가 향상되고, 성형이 용이한 재질을 이용하여, 미세화에 대응할 수 있다. 또, 하우징 내의 전류 경로에 의해, 많은 전류를 안정하게 수수할 수 있다.
도 1은 프로브 장치의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 2는 본 발명의 접촉 구조체의 일 실시 형태를 나타내는 종단면도이다.
도 3은 도 1의 하우징 중공부의 형상예를 나타내는 횡단면도이다.
도 4는 도 1의 하우징 중공부의 다른 형상예를 나타내는 횡단면도이다.
도 5는 본 발명의 접촉 구조체의 하우징의 다른 실시 형태를 나타내는 종단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 프로브의 제조 순서의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 7은 본 발명에 따른 프로브의 제조 순서의 다른 예를 나타내는 설명도이다.
도 8은 본 발명의 접촉 구조체의 다른 예를 나타내는 종단면도이다.
도 9는 본 발명의 접촉 구조체의 또 다른 예를 나타내는 종단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태를, 도면을 참조하여 설명한다. 또, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하는 것에 의해 중복 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명에 따른 접촉 구조체가 사용되는 프로브 장치(1)의 구성의 개략을 나타내는 측면도이다. 프로브 장치(1)에는, 예를 들면 프로브 카드(2)와 웨이퍼 등의 피검사체(3)을 탑재하는 탑재대(4)가 마련되어 있다. 탑재대(4)는 상하 방향과 좌우 방향으로 이동 자유롭다. 프로브 카드(2)는, 예를 들면 복수의 프로브(5)와, 프로브(5)를 지지하는 하우징(6)과, 프로브(5)에 대해 전기 신호를 수수하는 회로 기판(7)을 구비하고 있다. 하우징(6)은, 예를 들면 원반 형상으로 형성되고, 하부의 탑재대(4)에 대향하고 있다. 또, 본 실시 형태에서는, 프로브(5)와 하우징(6)으로 접촉 구조체(8)를 구성하고 있다.
도 2는 본 발명의 접촉 구조체의 일례를 나타낸다. 접촉 구조체(8)는 각각 별체(別體)로서 성형된 프로브(5)와 하우징(6)에 의해 구성되어 있다.
하우징(6)은 하우징 본체(11)와 피복막(12)을 갖고 있다. 하우징 본체(11)는, 예를 들면 표층(表層)이 SiO2로 피복된 실리콘 수지제 등의 절연성 재료로 성형되어 있다. 하우징 본체(11)에는, 상하 방향으로 관통하는 본체(11b)의 중공부(13)가, 예를 들면 드라이 에칭에 의해 형성되어 있다. 중공부(13)의 횡단면 형상은, 도 3에 나타내는 원형 외에, 도 4에 나타내는 사각형이나, 본체(11b)으로 관통하고 있으면 다른 다각형이더라도 상관없다. 중공부(13)는 내벽면이, 도전성 재료에 의한 피복막(12)으로 도금되어 있다. 피복막(12)은, 중공부(13)의 내벽면 외에, 도시하는 바와 같이, 하우징 본체(11)의 상하 양단면(15, 16)의 일부에 걸쳐 마련하더라도 좋다. 피복막(12)의 재질은, 도전성을 갖는 것이며, 예를 들면 도시한 바와 같이 2층 구조로 하고, 중공부(13)의 내벽면 전체에 Cu나 Ni 등을 도금하고, 또 그 표면과 하우징 본체(11)의 상하 양단면(15, 16)의 일부에 걸쳐 Au 도금을 행한다. 피복막(12)의 두께는, 예를 들면 10㎛ 정도이다. 표층측, 즉 프로브(5)에 접촉하는 측의 피복막(12)은, 딱딱하여 마모되기 어렵고, 또한 산화되기 어려운 재질인 것이 바람직하며, Au 외에, Rh 또는 Pt, Ru 등이 더 바람직하다. 피복막(12)은 이러한 재질에 의한 1층 구조이더라도 좋다.
도 5는 하우징 본체(11)의 다른 실시 형태의 예를 나타내고, 상하의 축선 방향으로 복수의 층(11a, 11b, 11c)을 적층하여 하우징 본체(11)를 형성한 것이다. 각 층(11a, 11b, 11c) 사이는, 예를 들면 Au 등에 의한 피복막(12)의 일부를 층의 간극에 도금하는 것에 의해서 접합된다. 이 때, Au 도금을 거쳐서, 인접하는 다른 중공부(13)에 전기가 흐르지 않도록, Au 도금은 하우징 본체(11)의 다른 중공부(13)까지 도달하지 않는 범위에서 행해진다. 혹은, 층 사이에 접착제를 주입하여, 각 층(11a, 11b, 11c)을 접착하더라도 좋다. 본 발명이 주로 대상으로 하는 하우징 본체(11)는, 예를 들면 상하 방향의 두께가 1㎜, 중공부(13)의 직경이 70㎛ 정도인 미세한 것이며, 도 5에 나타내는 바와 같이 3층 또는 2층 등의 복수의 층을 적층하여 하우징 본체(11)를 형성하고, 하나의 층을 얇게 하는 것에 의해, 중공부(13)를 형성하는 드라이 에칭이나 레이저 가공 등의 관통 가공이 더 용이하게 된다.
또, 하우징 본체(11)는 절연체에 한정하지 않고, 예를 들면 금속제의 하우징에 절연성의 파이프를 삽입한 것이더라도 상관없다. 또한, 중공부(13)에 마련되는 도전성 재료에 의한 피복막(12)은, 기단부와 선단부간의 전기적 접속이 가능하면, 도 2, 도 4에 나타내는 바와 같이 내벽면 전체에 마련되어 있지 않더라도 상관없다.
프로브(5)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 피검사체(3)로의 접촉자(25)를 구비한 선단부(21)와, 하우징(6)의 일단에 고정되는 기단부(23)와, 선단부(21)와 기단부(23)를 연결하는 탄성부(22)에 의해 구성된다. 선단부(21)와 기단부(23)는 도전성 재료로 형성된다. 탄성부(22)는, 예를 들면 도 2에 나타내는 스프링 형상이며, 재질은 금속이더라도 상관없지만, 하우징(6)의 피복막(12)이 도 2의 파선으로 나타내는 전류 경로 E로 되기 때문에, 실리콘 수지나 유기 절연체 등의 절연성 재료이더라도 좋다.
프로브(5)의 선단부(21)의 접촉자(25)는 피검사체(3)에 따른 형상의 것이 이용된다. 축부(26)는, 하우징(6)의 피복막(12)에 접촉하면서 중공부(13)를 따라 상하 이동 가능해지도록, 피복막(12)을 마련한 중공부(13)와 동일한 횡단면 형상으로 형성된다. 하우징(6)의 피복막(12)을 전류 경로로 하기 위해서는, 축부(26)는 반드시 피복막(12)에 접촉시켜 선단부(21)와 피복막(12)을 전기적으로 도통시키는 것이 필요하고, 그 때문에, 예를 들면 축부(26)의 중심축을 하우징(6)의 중심 축선으로부터 약간 기울여 배치하고, 적어도 축부(26)의 한 점에서 피복막(12)에 접촉하도록 하더라도 좋다.
프로브(5)의 기단부(23)는 하우징(6)의 단면(端面)에, 피복막(12)에 접촉한 상태로 고정된다. 기단부(23)와 피복막(12)이 접촉하는 것에 의해서, 피복막(12)과 기단부(23)가 전기적으로 도통된다. 이것에 의해, 프로브(5)의 기단부(23)로부터 피복막(12)을 거쳐 선단부(21)에 전류 경로 E가 형성되고, 이 전류 경로 E를 거쳐서, 회로 기판(7)(도 1 참조)과 피검사체(3) 사이에서 전기 신호를 수수할 수 있다.
탄성부(22)는, 상하 방향으로 탄성을 갖고, 선단부(21)의 접촉자(25)를 피검사체(3)에 접촉시킬 때, 소망하는 접촉 저항을 얻기 위해서 필요한 접촉압을 인가함과 아울러, 기계적인 높이 방향의 편차를 흡수한다.
다음으로, 상기의 프로브(5)의 제조 방법의 예를 설명한다.
도 6은 프로브(5)의 탄성부(22)를 전착(電着)에 의해 형성하는 경우의 제조 순서의 예이며, 각각 좌측이 평면도, 우측이 종단면의 개략을 나타낸다. 먼저, 도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 등의 기판(31) 상에 도전성 재료(32), 예를 들면 Cu 또는 Ni 등을 부설(敷設)하고, 전주(電鑄)에 의해서, 선단부(21) 및 기단부(23)를 성형한다. 다음으로, 도 6(b)에 나타내는 바와 같이, 선단부(21), 기단부(23), 및 기판(31) 상에, 예를 들면 포토리소그래피 처리에 의해서, 예를 들면 레지스터막으로 이루어지는 성형막(33)을 형성하고, 성형막(33)의, 탄성부(22)에 대응하는 위치에, 탄성부(22)과 적합한 형상의 패턴(34)을 형성한다. 그 후, 도 6(c)에 나타내는 바와 같이, 성형막(33)의 패턴(34)에 따라, 전착에 의해 탄성부(22)의 형상이 성형되고, 최후로 성형막(33)을 박리하면, 도 6(d)에 나타내는 프로브(5)가 완성된다. 이 방법에 의해, 예를 들면 아크릴이나 폴리이미드계의 유기 절연체의 탄성부(22)를 갖는 프로브(5)를 형성할 수 있다.
도 7은, 탄성부(22)가 실리콘 수지인 경우의 프로브(5)의 제조 순서의 예이며, 도 6과 마찬가지로, 각각 좌측이 평면도, 우측이 종단면의 개략을 나타낸다. 도 7(a)는 전술한 순서와 동일하며, 기판(31) 상에 도전성 재료(32), 예를 들면 Cu 또는 Ni 등을 부설하고, 전주에 의해서, 선단부(21) 및 기단부(23)를 성형한다. 다음으로, 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, (a)와는 다른 지지 기판(35) 상에, 예를 들면 포토리소그래피 처리에 의해서, 예를 들면 레지스터막으로 이루어지는 성형막(36)을 형성하고, 성형막(36)의, 탄성부(22)에 대응하는 위치에, 탄성부(22)와 적합한 형상의 패턴(37)을 형성한다. 이 지지 기판(35)은, 2층의 실리콘 수지로 이루어지며, 상층측의 활성층(35a)과 하층(35b) 사이에 SiO2의 막이 마련되어 있다. 그리고, 패턴(37)을 마스크로 하여 활성층(35a)을 에칭하는 것에 의해, 도 7(c)에 나타내는 바와 같이, 활성층(35a)에 탄성부(22)가 성형된다. 최후로, 도 7(d)에 나타내는 바와 같이, (a)에서 성형된 선단부(21) 및 기단부(23)와, (c)에서 성형된 탄성부(22)를 맞추어 전사하여, 프로브(5)가 완성된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 프로브(5)와 하우징(6)을 별도의 부재로 하며, 프로브(5)는 신축성과 접촉압 확보의 역할을 담당하고, 하우징(6)은 프로브(5)의 고정과 전류 경로로서의 기능을 갖는다. 이것에 의해, 프로브(5)의 탄성부(22)의 재질의 자유도가 증가하여, 예를 들면 포토리소그래피 등에 의해 미세 가공이 용이하게 행해질 수 재질을 선택하는 것에 의해, 미세한 탄성부(22)를 용이하게 제조할 수 있다.
또한, 하우징(6)은, 하우징 본체(11)의 구멍 뚫기 가공과 동시에, 전류 경로인 금속 재료를 도금하여, 피복막(12)을 용이하게 형성할 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면, 미세한 프로브(5)의 제조에 관한 비용을 저감할 수 있다. 또, 피복막(12)을 전류 경로로 하는 것에 의해, 많은 전류를 안정하게 수수할 수 있다. 따라서, 미세화와 고성능화를 동시에 실현될 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 프로브에 이용되는 탄성부는 전술한 스프링 형상에는 한정되지 않는다. 도 8은 접촉 구조체의 다른 실시 형태의 예를 나타낸다.
도 8에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 프로브(5)는 엘라스토머에 의한 구체 또는 원주체의 탄성부(42)를 갖고 있다. 프로브(5)의 선단부(41)는, 전술한 실시 형태와 마찬가지로, 피검사체(3)에 접촉하는 접촉자(45)와, 하우징(6)의 피복막(12)에 접촉하는 축부(46)를 갖고, 전체가 도전성 재료로 형성되어 있다.
본 실시 형태에서는, 하우징(6)은 2층의 하우징 본체(11a, 11b)를 갖는다. 아래측의 하우징 본체(11a)는, 상하로 관통하는 본체(11b)의 중공부(13)를 갖고, 중공부(13)의 내벽면 전체 및 하우징 본체(11a)의 기단면(15)의 일부가, 도전성을 갖는 피복막(12)로 피복되어 있다. 또한, 위측의 하우징 본체(11b)는, 상하로 관통하는 튜브 형상의 중공부(48)를 갖고, 중공부(48)의 내벽면 전체 및 상하 양단면의 일부가, 도전성을 갖는 피복막(49)으로 피복되어 있다. 피복막(49)은 아래측의 하우징 본체(11a)의 기단면(15)에 마련된 피복막(12)과 접촉하도록 마련된다. 본 실시 형태에 있어서는, 프로브(5)의 기단부(43)는 위측의 하우징 본체(11b) 및 피복막(49)에 의해 구성되어 있다. 따라서, 위측의 하우징 본체(11b)의 중공부(48)의 직경은, 탄성부(42)의 직경보다 작게 형성되고, 하우징 본체(11b)가 피복막(49)을 거쳐서 탄성부(42)의 기단측에 접촉된다. 이것에 의해, 탄성부(42)의 기단측의 위치를 고정함과 아울러, 탄성부(42)가 기단측으로 빠져나오는 것을 방지한다. 또한, 아래측의 하우징 본체(11a)의 하면(下面)에는, 프로브(5)의 선단부(41)의 탈락을 방지하는 지지판(50)이 마련되고, 예를 들면 도시한 바와 같이, 선단부(41)의 접촉자(45)와 축부(46) 사이에 단차를 마련하여 축부(46)의 직경쪽을 크게 하고, 그 단차부(51)가 지지판(50)에 걸리도록 한다.
이러한 프로브(5) 및 하우징(6)에 의해 구성되는 접촉 구조체(40)에 의하면, 선단부(41)로부터 하우징(6)의 피복막(12, 49)을 통과하는 전류 경로 E가 형성된다. 또한, 엘라스토머의 구체 또는 원통체의 탄성부(42)가 상하 방향으로 탄성을 갖는 것에 의해, 피검사체(3)에 대한 접촉압을 얻을 수 있음과 아울러, 선단부(41)가 상하 이동 가능해진다.
도 8의 접촉 구조체(40)에 있어서, 선단부(41)와 하우징(6)의 피복막(12)이 확실히 접촉하기 위해서, 선단부(41)의 형상을, 예를 들면 도 9에 나타내는 바와 같이 형성하더라도 좋다. 즉, 선단부(41)의 기단면(52)에, 수평 방향에 대해서 기울기를 가지는 경사를 마련하는 것과 동시에, 축부(46)의 측면에, 피복막(12)과 접촉하기 위한 돌기(53)을 마련해 탄성부(42)에 의해서 돌기(53)를 피복막(12)에 억눌러 접촉시키더라도 좋다.
이와 같이, 본 발명에 의하면, 탄성부의 형상이나 재질에 제약이 없고, 용도에 따른 미세화 및 고성능화를 자유롭게 도모할 수 있다.
이상, 본 발명의 매우 바람직한 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자이면, 특허청구범위에 기재된 기술적 사상의 범주 내에 있고, 각종의 변경예 또는 수정예에 생각이 미칠 수 있는 것은 명백하며, 그들에 대해서도 당연하게 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 이해된다.
예를 들면, 탄성부의 재질 및 형상은, 전술한 스프링이나 구체, 원통체 등에 한정되지 않고, 하우징 중공부의 축선 방향으로 탄성을 갖는 것이면, 모든 것이 사용 가능하다. 또한, 예를 들면 도 2에 나타내는 바와 같이 피복막(12)이 하우징(6)의 기단면에 노출되어 있는 경우, 프로브(5)의 기단부(23) 전체가 중공부(13) 내에 수용되어 탄성부(22)의 기단 위치를 고정하고 있으면, 기단부(23)의 재질은 도전성을 갖지 않더라도 좋다.
3: 피검사체
5: 프로부
6: 하우징
8: 접촉 구조체
11: 하우징 본체
12: 피복막
13: 중공부
21: 선단부
22: 탄성부
25: 접촉자

Claims (9)

  1. 피검사체에 접촉하여 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하기 위한 접촉 구조체로서,
    프로브와 그 외주에 배치되는 하우징을 구비하며,
    상기 하우징은,
    상하 방향으로 관통한 중공부(中空部)가 형성된 하우징 본체와,
    상기 중공부의 내벽면에 피복된 도전성의 피복막을 갖고,
    상기 프로브는,
    상기 하우징의 일단(一端)측에서 위치가 고정되는 기단부와,
    상기 피복막에 접촉한 상태에서 상기 중공부를 이동 가능하고 선단에 상기 피검사체로의 접촉자를 구비한 도전성의 선단부와,
    상기 기단부와 상기 선단부를 연결하고 상기 중공부에 배치되고 탄성을 갖는 탄성부를 갖는
    접촉 구조체.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 하우징은 복수의 층이 상기 중공부의 축선 방향으로 적층하여 형성되어 있는
    접촉 구조체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄성부는 절연성 재료로 성형되어 있는
    접촉 구조체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄성부는 스프링 형상을 갖는
    접촉 구조체.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 선단부의 축선은 상기 중공부의 축선 방향에 대해 경사지도록, 상기 선단부가 배치되어 있는
    접촉 구조체.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 선단부의 기단면은 수평 방향에 대해 경사져 있는
    접촉 구조체.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 탄성부는 실리콘 수지제인
    접촉 구조체.
  8. 피검사체에 접촉하여 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하기 위한 접촉 구조체의 제조 방법으로서,
    상기 접촉 구조체는,
    프로브와 그 외주에 배치되는 하우징을 구비하며,
    상기 하우징은,
    상하 방향으로 관통한 중공부가 형성된 하우징 본체와,
    상기 중공부의 내벽면에 피복된 도전성의 피복막을 갖고,
    상기 프로브는,
    상기 하우징의 일단측에서 위치가 고정되는 기단부와, 상기 피복막에 접촉한 상태에서 상기 중공부를 이동 가능하고 선단에 상기 피검사체로의 접촉자를 구비한 도전성의 선단부와,
    상기 기단부와 상기 선단부를 연결하고 상기 중공부에 배치되고 탄성을 갖는 탄성부를 가지며,
    상기 프로브는, 도전성 재료를 부설(敷設)한 기판 상에서 상기 선단부 및 기단부를 전주(電鑄)에 의해 성형하고, 상기 기판 상에 성형막을 형성하여 상기 성형막에 상기 탄성부에 적합한 형상의 패턴을 형성하고, 전착(電着)에 의해서 상기 패턴에 상기 탄성부를 성형하는
    접촉 구조체의 제조 방법.

  9. 피검사체에 접촉하여 상기 피검사체의 전기적 특성을 검사하기 위한 접촉 구조체의 제조 방법으로서,
    상기 접촉 구조체는,
    프로브와 그 외주에 배치되는 하우징을 구비하며,
    상기 하우징은,
    상하 방향으로 관통한 중공부가 형성된 하우징 본체와,
    상기 중공부의 내벽면에 피복된 도전성의 피복막을 갖고,
    상기 프로브는,
    상기 하우징의 일단측에서 위치가 고정되는 기단부와,
    상기 피복막에 접촉한 상태에서 상기 중공부를 이동 가능하고 선단에 상기 피검사체로의 접촉자를 구비한 도전성의 선단부와,
    상기 기단부와 상기 선단부를 연결하고 상기 중공부에 배치되고 탄성을 갖는 탄성부를 가지며,
    상기 탄성부는 실리콘 수지제이고,
    상기 프로브는, 도전성 재료를 부설한 기판 상에서 상기 선단부 및 기단부를 전주에 의해 성형하고, 실리콘의 활성층을 갖는 다른 기판 상에 성형막을 형성하여 상기 성형막에 상기 탄성부에 적합한 형상의 패턴을 형성하고, 상기 패턴을 마스크로 하여 상기 활성층을 에칭해서 상기 탄성부를 성형하고, 상기 선단부 및 기단부를 성형한 기판과, 상기 탄성부를 성형한 다른 기판을 맞추어 전사하는
    접촉 구조체의 제조 방법.
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