JP2873414B2 - 半導体ウエハ検査装置 - Google Patents
半導体ウエハ検査装置Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は例えば半導体素子の特
性試験を行う際に用いられる半導体ウエハ検査装置に関
するものである。
性試験を行う際に用いられる半導体ウエハ検査装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の半導体ウエハ検査装置
におけるプローブ針は、半導体素子の内部回路に対する
電気的接続を達成するために、半導体素子の電極に圧接
して使用される。例えば、ＬＳＩなどの半導体素子の製
造においては、図１に示すように、ディスク状のシリコ
ンウエハ１０における数ｍｍ角の多数の領域（チップ領
域）２０の夫々に、集積回路が形成される。そして、集
積回路が形成された多数のチップ領域２０はウエハ１０
から切り取られ、切り取られた個々のチップ２０はセラ
ミックパッケージまたは樹脂パッケージ等を用いて実装
形態に組立てられる。樹脂パッケージの場合には、ダイ
ボンディング、ワイヤボンディング、樹脂モールド等の
工程を経ることにより、例えばＤＩＰタイプのような実
装形態に組立られる。
におけるプローブ針は、半導体素子の内部回路に対する
電気的接続を達成するために、半導体素子の電極に圧接
して使用される。例えば、ＬＳＩなどの半導体素子の製
造においては、図１に示すように、ディスク状のシリコ
ンウエハ１０における数ｍｍ角の多数の領域（チップ領
域）２０の夫々に、集積回路が形成される。そして、集
積回路が形成された多数のチップ領域２０はウエハ１０
から切り取られ、切り取られた個々のチップ２０はセラ
ミックパッケージまたは樹脂パッケージ等を用いて実装
形態に組立てられる。樹脂パッケージの場合には、ダイ
ボンディング、ワイヤボンディング、樹脂モールド等の
工程を経ることにより、例えばＤＩＰタイプのような実
装形態に組立られる。
【０００３】ところで、組立工程を終了した最終製品の
不良品発生率を最小限に抑えるためには、個々のチップ
２０の良否を検査し、不良チップが組立工程に導入され
るのを排除することが不可欠である。そのため、個々の
チップに切断する前のウエハ１０の状態で、各チップ領
域２０について予め電気的特性を検査し、不良品に対し
て識別マークを付けることが一般に行われている。
不良品発生率を最小限に抑えるためには、個々のチップ
２０の良否を検査し、不良チップが組立工程に導入され
るのを排除することが不可欠である。そのため、個々の
チップに切断する前のウエハ１０の状態で、各チップ領
域２０について予め電気的特性を検査し、不良品に対し
て識別マークを付けることが一般に行われている。
【０００４】このような実装端子が未だ設けられていな
いチップ領域２０の特性検査を行うために、導電性材料
からなるプローブ針３０を用いる方法が従来広く採用さ
れている。例えば、図２に示すように、チップ領域２０
に形成されたボンディングパッド２１に対して、プロー
ブ針３０の先端を接触させる。プローブ針３０の基端部
は、電気信号発生器や波形解析装置のような測定機器に
接続されている。従って、プローブ針３０の先端をボン
ディングパッド２１に接触させることによって、チップ
領域２０に形成された集積回路と測定機器との電気的接
続が達成され、特性検査が可能となる。
いチップ領域２０の特性検査を行うために、導電性材料
からなるプローブ針３０を用いる方法が従来広く採用さ
れている。例えば、図２に示すように、チップ領域２０
に形成されたボンディングパッド２１に対して、プロー
ブ針３０の先端を接触させる。プローブ針３０の基端部
は、電気信号発生器や波形解析装置のような測定機器に
接続されている。従って、プローブ針３０の先端をボン
ディングパッド２１に接触させることによって、チップ
領域２０に形成された集積回路と測定機器との電気的接
続が達成され、特性検査が可能となる。
【０００５】上記のような目的で使用されるプローブ針
としては、少なくとも被検体との接触部（針先）が、例
えばタングステン（Ｗ）、銀パラジウム合金（Ａｇ−Ｐ
ｄ）、銅ベリリウム合金（Ｃｕ−Ｂｅ）からなるものが
従来知られており、被検体電極の種類に応じて使い分け
られている。
としては、少なくとも被検体との接触部（針先）が、例
えばタングステン（Ｗ）、銀パラジウム合金（Ａｇ−Ｐ
ｄ）、銅ベリリウム合金（Ｃｕ−Ｂｅ）からなるものが
従来知られており、被検体電極の種類に応じて使い分け
られている。
【０００６】具体的には、アルミニウム電極（例えばメ
モリーＩＣおよびロジックＩＣ等）に接触させる場合に
は、主として、Ｗで形成したプローブ針が用いられてい
る。また、金製バンプ電極（ＬＣＤドライバーＩＣおよ
びＣＰＵチップ等）に接触させる場合には、主として、
Ａｇ−Ｐｄ合金で形成したプローブ針が用いられてい
る。一方、大電流電源ピン（例えばリニアＩＣおよびト
ランジスタ等）に接触させる場合には、主として、Ｃｕ
−Ｂｅで形成したプローブ針が用いられている。
モリーＩＣおよびロジックＩＣ等）に接触させる場合に
は、主として、Ｗで形成したプローブ針が用いられてい
る。また、金製バンプ電極（ＬＣＤドライバーＩＣおよ
びＣＰＵチップ等）に接触させる場合には、主として、
Ａｇ−Ｐｄ合金で形成したプローブ針が用いられてい
る。一方、大電流電源ピン（例えばリニアＩＣおよびト
ランジスタ等）に接触させる場合には、主として、Ｃｕ
−Ｂｅで形成したプローブ針が用いられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
何れのプローブ針も、被検査体との間で十分に低く且つ
十分に安定した接触抵抗を達成することができないた
め、常に正確な特性試験結果を得ることは困難であっ
た。
何れのプローブ針も、被検査体との間で十分に低く且つ
十分に安定した接触抵抗を達成することができないた
め、常に正確な特性試験結果を得ることは困難であっ
た。
【０００８】例えば、針先をＷで形成したプローブ針
は、十分に低い初期接触抵抗を得ることができない。の
みならず、安定性も不十分で、コンタクト回数を重ねる
に伴って接触抵抗が増大する。また、針先をＡｇ−Ｐｄ
合金またはＣｕ−Ｂｅ合金で形成したプローブ針は、初
期接触抵抗については十分小さい値が得られるが、安定
性が不十分で、コンタクト回数を重ねるに伴って接触抵
抗が増大する。
は、十分に低い初期接触抵抗を得ることができない。の
みならず、安定性も不十分で、コンタクト回数を重ねる
に伴って接触抵抗が増大する。また、針先をＡｇ−Ｐｄ
合金またはＣｕ−Ｂｅ合金で形成したプローブ針は、初
期接触抵抗については十分小さい値が得られるが、安定
性が不十分で、コンタクト回数を重ねるに伴って接触抵
抗が増大する。
【０００９】そこで、本発明者は、従来のプローブ針の
特性が不安定で、使用回数を重ねるに伴って接触抵抗が
増大する理由につき鋭意検討した。その結果、このよう
な不安定性は、金製バンプ電極やアルミニウムパッド電
極の表面に存在する不純物が、プローブ針の先端に付着
するためではないかとの考えに思い至った。このような
考えに至った理由は、特に金バンプ電極の場合に、シリ
コンチップ表面に存在 する不純物が、Ａｕバンプを形成
する際またはその後のアニール工程において、Ａｕバン
プ表面に移動して集積することが知られているからであ
る。
特性が不安定で、使用回数を重ねるに伴って接触抵抗が
増大する理由につき鋭意検討した。その結果、このよう
な不安定性は、金製バンプ電極やアルミニウムパッド電
極の表面に存在する不純物が、プローブ針の先端に付着
するためではないかとの考えに思い至った。このような
考えに至った理由は、特に金バンプ電極の場合に、シリ
コンチップ表面に存在 する不純物が、Ａｕバンプを形成
する際またはその後のアニール工程において、Ａｕバン
プ表面に移動して集積することが知られているからであ
る。
【００１０】この考えに基づいて、発明者は、タングス
テン製プローブ針の表面にＡｕメッキを施したプローブ
針を提案した（特願平２−４８８０号）。
テン製プローブ針の表面にＡｕメッキを施したプローブ
針を提案した（特願平２−４８８０号）。
【００１１】この金メッキを施したプローブ針によっ
て、十分に小さい接触抵抗および安定性を達成すること
ができた。接触抵抗の安定性を達成し得た理由は、接触
抵抗の増大をもたらす不純物がＡｕメッキされたプロー
ブ針の先端に付着し難いからであろうと思われる。
て、十分に小さい接触抵抗および安定性を達成すること
ができた。接触抵抗の安定性を達成し得た理由は、接触
抵抗の増大をもたらす不純物がＡｕメッキされたプロー
ブ針の先端に付着し難いからであろうと思われる。
【００１２】しかしながら、上記Ａｕメッキを施したプ
ローブ針は、半導体素子の電極に対してコンタクトを繰
り返している間に、針先のＡｕメッキが剥離してしまう
問題があった。従って、Ａｕメッキが剥離した後は急激
に接触抵抗の増大を生じることとなり、耐久性の点で未
だ不十分であった。
ローブ針は、半導体素子の電極に対してコンタクトを繰
り返している間に、針先のＡｕメッキが剥離してしまう
問題があった。従って、Ａｕメッキが剥離した後は急激
に接触抵抗の増大を生じることとなり、耐久性の点で未
だ不十分であった。
【００１３】そこで、発明者はこのＡｕメッキを施した
プローブ針の長所をそのまま維持すると共に、その耐久
性を高めるために、Ａｕ合金を針先に使用することにつ
いて更に研究を行った。その結果、Ａｕ、Ｃｕ、および
不可避的不純物からなる合金は、Ａｕメッキと同等の低
い接触抵抗を達成できることを見出した。
プローブ針の長所をそのまま維持すると共に、その耐久
性を高めるために、Ａｕ合金を針先に使用することにつ
いて更に研究を行った。その結果、Ａｕ、Ｃｕ、および
不可避的不純物からなる合金は、Ａｕメッキと同等の低
い接触抵抗を達成できることを見出した。
【００１４】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被検体である半導体ウエハの電極パッドとの間に十
分に低い接触抵抗を達成でき、且つコンタクト回数が増
大してもこの低い接触抵抗を安定して維持できるプロー
ブ針を具備する半導体ウエハ検査装置を提供することを
目的とするものである。
で、被検体である半導体ウエハの電極パッドとの間に十
分に低い接触抵抗を達成でき、且つコンタクト回数が増
大してもこの低い接触抵抗を安定して維持できるプロー
ブ針を具備する半導体ウエハ検査装置を提供することを
目的とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の半導体ウエハ検査装置は、半導体ウエハ
の電極パッドに対応する位置に配置され、上記半導体ウ
エハの表面と垂直なプ ローブ針を有するプローブカード
を備え、上記プローブ針を上記電極パッドに接触させて
上記半導体ウエハの電気的特性を検査する半導体ウエハ
検査装置において、 上記半導体ウエハを保持すると共
に上昇させ、上記電極パッドから上記プローブ針に接触
した後更に一定距離半導体ウエハを上昇させてオーバド
ライブを与えると共に、半導体ウエハをプローブ針と垂
直な方向に一定距離スライドさせることができる保持手
段と、 ７４〜７６重量％の金（Ａｕ）と、２４〜２６
重量％の銅（Ｃｕ）と、残部の不可避的不純物からなる
合金で形成され、オーバドライブの圧力により座屈変形
するプローブ針と、 オーバドライブにより上記プロー
ブ針にかかる圧力のためにプローブカードが撓むことを
防止するための固定機構と、を具備することを特徴とす
る（請求項１）。
に、この発明の半導体ウエハ検査装置は、半導体ウエハ
の電極パッドに対応する位置に配置され、上記半導体ウ
エハの表面と垂直なプ ローブ針を有するプローブカード
を備え、上記プローブ針を上記電極パッドに接触させて
上記半導体ウエハの電気的特性を検査する半導体ウエハ
検査装置において、 上記半導体ウエハを保持すると共
に上昇させ、上記電極パッドから上記プローブ針に接触
した後更に一定距離半導体ウエハを上昇させてオーバド
ライブを与えると共に、半導体ウエハをプローブ針と垂
直な方向に一定距離スライドさせることができる保持手
段と、 ７４〜７６重量％の金（Ａｕ）と、２４〜２６
重量％の銅（Ｃｕ）と、残部の不可避的不純物からなる
合金で形成され、オーバドライブの圧力により座屈変形
するプローブ針と、 オーバドライブにより上記プロー
ブ針にかかる圧力のためにプローブカードが撓むことを
防止するための固定機構と、を具備することを特徴とす
る（請求項１）。
【００１６】この発明において、上記不可避的不純物
は、銀（Ａｇ），ニッケル（Ｎｉ），鉄（Ｆｅ），炭素
（Ｃ），酸素（Ｏ）からなる群から選ばれる一以上の元
素であり、その含有量が０．０１重量％以下である方が
好ましい（請求項２）。
は、銀（Ａｇ），ニッケル（Ｎｉ），鉄（Ｆｅ），炭素
（Ｃ），酸素（Ｏ）からなる群から選ばれる一以上の元
素であり、その含有量が０．０１重量％以下である方が
好ましい（請求項２）。
【００１７】また、上記プローブカードは、プローブ針
固定部と、プローブ針が貫通する案内孔が設けられた案
内板とで構成された垂直針型のプローブカードである方
が好ましい（請求項３）。
固定部と、プローブ針が貫通する案内孔が設けられた案
内板とで構成された垂直針型のプローブカードである方
が好ましい（請求項３）。
【００１８】
【作用】この発明によれば、プローブ針において、接触
部に使用する合金は半導体ウエハの電極パッドに対する
接触抵抗が小さく且つ安定しているため、半導体ウエハ
から正確な情報を安定して取り出すことが可能である。
また、上記好ましい組成を有する合金は適度な軟らかさ
を有しているので、被検体を損傷する事態を生じること
も少ない。
部に使用する合金は半導体ウエハの電極パッドに対する
接触抵抗が小さく且つ安定しているため、半導体ウエハ
から正確な情報を安定して取り出すことが可能である。
また、上記好ましい組成を有する合金は適度な軟らかさ
を有しているので、被検体を損傷する事態を生じること
も少ない。
【００１９】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図面に基づいて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００２０】図３は、この発明におけるプローブ針の一
実施例を示す縦断面図である。図示のように、この実施
例のプローブ針１は、先端の接触部２と、支持部３とを
具備している。接触部２は、この発明において好ましい
組成の合金、即ち、Ａｕ含有率７４〜７６重量％、Ｃｕ
含有率２４〜２６重量％、Ａｇ含有率０〜０．０１重量
％、Ｎｉ含有率０〜０．０１重量％の合金で形成されて
いる。また、支持部３はタングステン（Ｗ）からなって
いる。図示のように、この実施例のプローブ針１は先端
部が半球状にまるくなっている。先端の接触部２は、例
えば融着によって支持部３に結合される。
実施例を示す縦断面図である。図示のように、この実施
例のプローブ針１は、先端の接触部２と、支持部３とを
具備している。接触部２は、この発明において好ましい
組成の合金、即ち、Ａｕ含有率７４〜７６重量％、Ｃｕ
含有率２４〜２６重量％、Ａｇ含有率０〜０．０１重量
％、Ｎｉ含有率０〜０．０１重量％の合金で形成されて
いる。また、支持部３はタングステン（Ｗ）からなって
いる。図示のように、この実施例のプローブ針１は先端
部が半球状にまるくなっている。先端の接触部２は、例
えば融着によって支持部３に結合される。
【００２１】図４は、この発明の他の実施例になるプロ
ーブ針１を示す縦断面図である。この実施例では、接触
部２および支持部３が同一の材料、即ち、図１の接触部
２と同じ組成のＡｕ−Ｃｕ合金で形成されている。ま
た、プローブ針１の形状は、支持部３から先端まで均一
な径を有する柱状で、平坦な先端面を有している。
ーブ針１を示す縦断面図である。この実施例では、接触
部２および支持部３が同一の材料、即ち、図１の接触部
２と同じ組成のＡｕ−Ｃｕ合金で形成されている。ま
た、プローブ針１の形状は、支持部３から先端まで均一
な径を有する柱状で、平坦な先端面を有している。
【００２２】なお、プローブ針１の先端部形状は上記実
施例のものに限らず、円錐状に尖らせた形状、或いはね
じ回しのマイナス型先端部のように平板状に尖らせた形
状でもよい。
施例のものに限らず、円錐状に尖らせた形状、或いはね
じ回しのマイナス型先端部のように平板状に尖らせた形
状でもよい。
【００２３】また、図３の実施例のように、支持部３を
接触部２とは異なった材料で形成する場合、支持部３の
材料としては、例えばＣｕ−Ｂｅのようなタングステン
以外の材料を用いてもよい。
接触部２とは異なった材料で形成する場合、支持部３の
材料としては、例えばＣｕ−Ｂｅのようなタングステン
以外の材料を用いてもよい。
【００２４】上記実施例のプローブ針は、例えば図５に
示すように、プローブカード４０を形成するのに好適に
用いることができる。プローブカード４０は、プローブ
針１および測定回路用部品がマウントされたプリント回
路基板であり、この発明の半導体ウエハ検査装置に搭載
して用いられる。プローブ針１は、その基板部をプリン
ト回路基板４０の導体パターンに半田付けされる。この
プローブカードにおいては、プローブ針１は図示のよう
に垂直に取り付けられ、その先端が被検体である半導体
ウエハ１０の表面に形成された電極パッド２１に対応す
るように予め位置決めされる。
示すように、プローブカード４０を形成するのに好適に
用いることができる。プローブカード４０は、プローブ
針１および測定回路用部品がマウントされたプリント回
路基板であり、この発明の半導体ウエハ検査装置に搭載
して用いられる。プローブ針１は、その基板部をプリン
ト回路基板４０の導体パターンに半田付けされる。この
プローブカードにおいては、プローブ針１は図示のよう
に垂直に取り付けられ、その先端が被検体である半導体
ウエハ１０の表面に形成された電極パッド２１に対応す
るように予め位置決めされる。
【００２５】ウエハプローブ試験を行う際には、半導体
ウエハ検査装置に搭載されたプローブカード４０を用い
る。プローブ針１の接触部２を保持手段としてのワーク
台５０の上に保持したウエハ１０の電極パッド２１に接
触させることにより、チップの内部に形成された回路特
性を測定することができる。その際、上記実施例のプロ
ーブ針１は、何れも接触部２が好ましい組成のＡｕ−Ｃ
ｕ合金で形成されているため、電極パッド２１との間に
十分低い接触抵抗を保つことができる。例えば、電極パ
ッド２１がＡｌからなるときには０．５Ω以下、また電
極パッド２１又は電極バンプがＡｕからなるときには
０．０５Ω以下の接触抵抗を得ることができる。
ウエハ検査装置に搭載されたプローブカード４０を用い
る。プローブ針１の接触部２を保持手段としてのワーク
台５０の上に保持したウエハ１０の電極パッド２１に接
触させることにより、チップの内部に形成された回路特
性を測定することができる。その際、上記実施例のプロ
ーブ針１は、何れも接触部２が好ましい組成のＡｕ−Ｃ
ｕ合金で形成されているため、電極パッド２１との間に
十分低い接触抵抗を保つことができる。例えば、電極パ
ッド２１がＡｌからなるときには０．５Ω以下、また電
極パッド２１又は電極バンプがＡｕからなるときには
０．０５Ω以下の接触抵抗を得ることができる。
【００２６】なお、上記のウエハプローブ試験を行う場
合、図示のようにワーク台５０を上昇させることによ
り、電極パッド２１をプローブ針１の接触部２に接触さ
せる。その際、接触不良が起きないように、電極パッド
２１がプローブ針１に接触した後、更に一定距離（Ｏ．
Ｄ）だけワーク台５０を上昇させてオーバドライブを与
える。なお、ワーク第５０は図示しない公知の駆動機構
によって上下方向（Ｚ方向）及び水平方向（Ｘ，Ｙ方
向）に移動可能に形成されている。
合、図示のようにワーク台５０を上昇させることによ
り、電極パッド２１をプローブ針１の接触部２に接触さ
せる。その際、接触不良が起きないように、電極パッド
２１がプローブ針１に接触した後、更に一定距離（Ｏ．
Ｄ）だけワーク台５０を上昇させてオーバドライブを与
える。なお、ワーク第５０は図示しない公知の駆動機構
によって上下方向（Ｚ方向）及び水平方向（Ｘ，Ｙ方
向）に移動可能に形成されている。
【００２７】したがって、駆動機構によってウエハ１０
を保持したワーク５０を上昇させ、電極パッド２１がプ
ローブ針１に接触した後に一定距離ワーク台５０を上昇
させオーバドライブを与えると共に、ウエハ１０をプロ
ーブ針１と垂直な方向（Ｘ，Ｙ方向）に一定距離スライ
ドさせて、ウエハ１０の電気的特性を検査することがで
きる。
を保持したワーク５０を上昇させ、電極パッド２１がプ
ローブ針１に接触した後に一定距離ワーク台５０を上昇
させオーバドライブを与えると共に、ウエハ１０をプロ
ーブ針１と垂直な方向（Ｘ，Ｙ方向）に一定距離スライ
ドさせて、ウエハ１０の電気的特性を検査することがで
きる。
【００２８】この発明におけるプローブ針は、図５に示
したような垂直針型のプローブカードとして用いられ、
このプローブカードには、固定機構が具備され、この固
定機構によって、オーバドライブによりプローブ針にか
かる圧力のためにプローブカードが撓むのを防止してい
る。垂直型プローブカードは、図５に示すように、プ ロ
ーブ針１をＺ軸方向に固定するための固定板４１と、プ
ローブ針１を挿通する案内孔４２ａ，４３ａを設けた案
内板４２，４３とで構成されている。この場合、プロー
ブ針１は固定板４１を貫通して垂直に配置され、接着剤
等により固定板４１に固定され、プローブ針１の先端側
は案内板４２，４３の案内孔４２ａ，４３ａに挿通され
てＸ，Ｙ方向での位置決めがなされている。また、プロ
ーブ針１の基端部は、プリント回路基板４０の所定位置
に接続されている。固定板４１および案内板４２，４３
は、上下に移動しないように、固定機構を介して固定さ
れている。即ち、固定ねじ４４ａによってプリント回路
基板４０を固定する上部ブロック４５と、プローブ針１
の屈曲空間４６ａを有する中間ブロック４６とを固定ね
じ４４ｂにて固定し、更に中間ブロック４６の下面に下
部ブロック４７を固定ねじ４４ｃにて固定してなる。こ
の場合、上部ブロック４５、中間ブロック４６および下
部ブロック４７は位置決めピン４９にてＸ，Ｙ方向が規
制されている。なお、上部ブロック４５の下面が水平基
準面となっており、また、上部ブロック４５においてプ
ローブ針１は針固定用樹脂４８にて固定されている。
したような垂直針型のプローブカードとして用いられ、
このプローブカードには、固定機構が具備され、この固
定機構によって、オーバドライブによりプローブ針にか
かる圧力のためにプローブカードが撓むのを防止してい
る。垂直型プローブカードは、図５に示すように、プ ロ
ーブ針１をＺ軸方向に固定するための固定板４１と、プ
ローブ針１を挿通する案内孔４２ａ，４３ａを設けた案
内板４２，４３とで構成されている。この場合、プロー
ブ針１は固定板４１を貫通して垂直に配置され、接着剤
等により固定板４１に固定され、プローブ針１の先端側
は案内板４２，４３の案内孔４２ａ，４３ａに挿通され
てＸ，Ｙ方向での位置決めがなされている。また、プロ
ーブ針１の基端部は、プリント回路基板４０の所定位置
に接続されている。固定板４１および案内板４２，４３
は、上下に移動しないように、固定機構を介して固定さ
れている。即ち、固定ねじ４４ａによってプリント回路
基板４０を固定する上部ブロック４５と、プローブ針１
の屈曲空間４６ａを有する中間ブロック４６とを固定ね
じ４４ｂにて固定し、更に中間ブロック４６の下面に下
部ブロック４７を固定ねじ４４ｃにて固定してなる。こ
の場合、上部ブロック４５、中間ブロック４６および下
部ブロック４７は位置決めピン４９にてＸ，Ｙ方向が規
制されている。なお、上部ブロック４５の下面が水平基
準面となっており、また、上部ブロック４５においてプ
ローブ針１は針固定用樹脂４８にて固定されている。
【００２９】上記のように構成されるプローブカードを
用いてプローブ試験を行う場合、ワーク台５０を上昇さ
せてオーバードライブをかけると、図７（ａ）の状態か
ら図７（ｂ）に示したように、Ｚ軸方向に固定されてい
るプローブ針１は座屈して変形する。これにより、プロ
ーブ針１は所定の力で押圧されて針圧が与えられ、電極
パッド２１との良好な電極的接触が得られる。この発明
の好ましいプローブ針は比較的軟らかく、上記のような
座屈変形を起こしやすいから、このような垂直針型のプ
ローブカードに適している。
用いてプローブ試験を行う場合、ワーク台５０を上昇さ
せてオーバードライブをかけると、図７（ａ）の状態か
ら図７（ｂ）に示したように、Ｚ軸方向に固定されてい
るプローブ針１は座屈して変形する。これにより、プロ
ーブ針１は所定の力で押圧されて針圧が与えられ、電極
パッド２１との良好な電極的接触が得られる。この発明
の好ましいプローブ針は比較的軟らかく、上記のような
座屈変形を起こしやすいから、このような垂直針型のプ
ローブカードに適している。
【００３０】図５の垂直針型プローブカードの一般的な
利点は、オーバードライブによる応力がプリント回路基
板４０に加わらないことである。図６に示す斜め針型プ
ローブカードの場合、オーバードライブによってプリン
ト回路基板４０が図示のように撓むため、実際の針圧が
設定値よりも小さくなり、接触不良を生じることがあ
る。しかし、図５の垂直針型プローブカードの場合に
は、このような問題を生じない。
利点は、オーバードライブによる応力がプリント回路基
板４０に加わらないことである。図６に示す斜め針型プ
ローブカードの場合、オーバードライブによってプリン
ト回路基板４０が図示のように撓むため、実際の針圧が
設定値よりも小さくなり、接触不良を生じることがあ
る。しかし、図５の垂直針型プローブカードの場合に
は、このような問題を生じない。
【００３１】次に、具体的な実施例によってこの発明を
更に詳細に説明する。
更に詳細に説明する。
【００３２】★実施例１ 下記の仕様を有するプローブ針１を作成した。
【００３３】プローブ針１の仕様 支持部３： ７５重量％Ａｕ，２５重量％Ｃｕの組成を有する合金
製、 直径７０μｍ 接触部２： ７５重量％Ａｕ，２５重量％Ｃｕの組成を有する合金、 先端は角度約９０°の円錐加工（先端径１４〜１８μ
ｍ） 上記のプローブ針１を、図５に示した垂直針型のプロー
ブカードに組み立てた。このプローブカードを用い、下
記シリコンウエハのサンプルについてウエハプローブ試
験を行った。
製、 直径７０μｍ 接触部２： ７５重量％Ａｕ，２５重量％Ｃｕの組成を有する合金、 先端は角度約９０°の円錐加工（先端径１４〜１８μ
ｍ） 上記のプローブ針１を、図５に示した垂直針型のプロー
ブカードに組み立てた。このプローブカードを用い、下
記シリコンウエハのサンプルについてウエハプローブ試
験を行った。
【００３４】サンプルウエハの仕様 直径：１０ｃｍ、 電極：膜厚１８μｍのＡｕパッド アニール処理：３５０℃、３０分 電極に対するプローブ針１の接触を続けて１０6 回行
い、接触抵抗値の変化を観察した。その結果を図８に示
す。
い、接触抵抗値の変化を観察した。その結果を図８に示
す。
【００３５】図８の結果から明らかなように、この発明
におけるプローブ針は、１０6 回のコンタクトを行った
後にも初期値と同じ低い接触抵抗が得られた。
におけるプローブ針は、１０6 回のコンタクトを行った
後にも初期値と同じ低い接触抵抗が得られた。
【００３６】★実施例２ 実施例１で作成したプローブ針１を用い、実施例１と同
じ方法で、下記シリコンウエハのサンプルについてウエ
ハプローブ試験を行った。
じ方法で、下記シリコンウエハのサンプルについてウエ
ハプローブ試験を行った。
【００３７】サンプルウエハの仕様 直径：１５ｃｍ、 電極：１％のＳｉを含有するＡｌターゲットを用いたス
パッタリングにより、シリコン表面に直接形成した膜厚
０．９μｍのＡｌパッド 但し、Ａｌ電極パッドに対するプローブ針１の接触は、
コンタクト・スライドプローブ方式（Contact and Slid
e Probe ）に従い、コンタクト後に１０μｍまたは２０
μｍだけ摺動させることにより行った。この接触を続け
て１０6 回行い、接触抵抗値の変化を観察した。その結
果を図９に示す。
パッタリングにより、シリコン表面に直接形成した膜厚
０．９μｍのＡｌパッド 但し、Ａｌ電極パッドに対するプローブ針１の接触は、
コンタクト・スライドプローブ方式（Contact and Slid
e Probe ）に従い、コンタクト後に１０μｍまたは２０
μｍだけ摺動させることにより行った。この接触を続け
て１０6 回行い、接触抵抗値の変化を観察した。その結
果を図９に示す。
【００３８】図９の結果から明らかなように、この発明
におけるプローブ針は、１０6 回のコンタクトを行った
後にも初期値と同じ低い接触抵抗が得られた。
におけるプローブ針は、１０6 回のコンタクトを行った
後にも初期値と同じ低い接触抵抗が得られた。
【００３９】★比較例１ 下記の仕様を有するプローブ針１を作成した。
【００４０】プローブ針１の仕様 支持部３： Ｗ製、直径７０μｍ 接触部２： Ｗ製、先端は角度約９０°の円錐加工（先端径３〜５μ
ｍ） 上記のプローブ針１を、第５図に示した垂直針型のプロ
ーブカードに組み立てた。このプローブカードを用い、
実施例１で用いたと同じサンプルウエハについて同じ接
触方法によりウエハプローブ試験を行った。その結果を
図１０に示す。
ｍ） 上記のプローブ針１を、第５図に示した垂直針型のプロ
ーブカードに組み立てた。このプローブカードを用い、
実施例１で用いたと同じサンプルウエハについて同じ接
触方法によりウエハプローブ試験を行った。その結果を
図１０に示す。
【００４１】図１０の結果から明らかなように、この比
較例プローブ針は、コンタクトの回数を重ねるに従って
接触抵抗が顕著に増大した。
較例プローブ針は、コンタクトの回数を重ねるに従って
接触抵抗が顕著に増大した。
【００４２】★比較例２ 比較例１で作成したプローブ針１を用い、実施例２のウ
エハサンプルに対して、同じ方法でウエハプローブ試験
を行った。その結果を図１１に示す。
エハサンプルに対して、同じ方法でウエハプローブ試験
を行った。その結果を図１１に示す。
【００４３】図１１の結果から明らかなように、この比
較例のプローブ針は、コンタクト回数を重ねるに従って
接触抵抗が顕著に増大した。
較例のプローブ針は、コンタクト回数を重ねるに従って
接触抵抗が顕著に増大した。
【００４４】★比較例３ 下記の仕様を有するプローブ針１を作成した。
【００４５】プローブ針１の仕様 支持部３： ＢｅＣｕ製、直径７０μｍ 接触部２： ＢｅＣｕ製、先端は角度約９０°の円錐加工（先端径14
〜18μｍ） 上記プローブ針１を、図５に示した垂直針型のプローブ
カードに組み立てた。このプローブカードを用い実施例
１で用いたと同じサンプルウエハについて同じ接触方法
によりウエハプローブ試験を行った。その結果を図１２
に示す。
〜18μｍ） 上記プローブ針１を、図５に示した垂直針型のプローブ
カードに組み立てた。このプローブカードを用い実施例
１で用いたと同じサンプルウエハについて同じ接触方法
によりウエハプローブ試験を行った。その結果を図１２
に示す。
【００４６】図１２の結果から明らかなように、この比
較例プローブ針は、コンタクト回数が１０3 回〜１０4
回を越えると、接触抵抗が顕著に増大した。
較例プローブ針は、コンタクト回数が１０3 回〜１０4
回を越えると、接触抵抗が顕著に増大した。
【００４７】★比較例４ 下記の仕様を有するプローブ針１について、ユーザーか
らの伝聞に基づき、上記と同様の接触抵抗の変化をグラ
フ化した（図１３）。尚、このプローブカードは図６に
示す方式のものである。
らの伝聞に基づき、上記と同様の接触抵抗の変化をグラ
フ化した（図１３）。尚、このプローブカードは図６に
示す方式のものである。
【００４８】プローブ針１の仕様 支持部３： Ａｇ（６０）Ｐｄ（４０）製、直径２５０μｍ 接触部２： Ａｇ（６０）Ｐｄ（４０）製、先端は角度約３．５°の
円錐加工（先端径４０〜５０μｍ） 図１３に示したように、この比較例４のプローブ針は、
コンタクト回数が１０2 〜１０3 回を越えると接触抵抗
が顕著に増大する。そのため、毎日針先を研磨する必要
がある等、メンテナンスに労力を要する。
円錐加工（先端径４０〜５０μｍ） 図１３に示したように、この比較例４のプローブ針は、
コンタクト回数が１０2 〜１０3 回を越えると接触抵抗
が顕著に増大する。そのため、毎日針先を研磨する必要
がある等、メンテナンスに労力を要する。
【００４９】★比較例５ 下記の仕様を有するプローブ針１を作成した。
【００５０】プローブ針１の仕様 支持部３： Ｗ製、直径７０μｍ 接触部２： Ｗ製、先端は角度約９０°の円錐加工（先端径３〜５μ
ｍ） Ａｕメッキ： Ｎｉ下地層２μｍ＋Ａｕメッキ０．２μｍ 上記のプローブ針１を図５に示した垂直針型のプローブ
カードに組み立てた。このプローブカードを用い、実施
例１で用いたと同じサンプルウエハについて同じ接触方
法によりウエハプローブ試験を行った。その結果を図１
４に示す。
ｍ） Ａｕメッキ： Ｎｉ下地層２μｍ＋Ａｕメッキ０．２μｍ 上記のプローブ針１を図５に示した垂直針型のプローブ
カードに組み立てた。このプローブカードを用い、実施
例１で用いたと同じサンプルウエハについて同じ接触方
法によりウエハプローブ試験を行った。その結果を図１
４に示す。
【００５１】図１４の結果から明らかなように、この比
較例５のプローブ針は、コンタクト回数が１０5 回を越
えると、接触抵抗が顕著に増大した。これは、Ａｕメッ
キの耐久限界を示すものと思われる。
較例５のプローブ針は、コンタクト回数が１０5 回を越
えると、接触抵抗が顕著に増大した。これは、Ａｕメッ
キの耐久限界を示すものと思われる。
【００５２】★比較例６ 比較例５で作成したプローブ針１を用い、実施例２と同
じウエハサンプルに対して、同じ方法でウエハプローブ
試験を行った。その結果を図１５に示す。
じウエハサンプルに対して、同じ方法でウエハプローブ
試験を行った。その結果を図１５に示す。
【００５３】図１５の結果から明らかなように、この比
較例６のプローブ針は、コンタクト回数を重ねるに従っ
て接触抵抗が顕著に増大した。
較例６のプローブ針は、コンタクト回数を重ねるに従っ
て接触抵抗が顕著に増大した。
【００５４】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の半導
体ウエハ検査装置によれば、上記のように構成されてい
るので、プローブ針は半導体ウエハの電極パッドとの間
に十分に低い接触抵抗を達成でき、且つコンタクト回数
が増大してもこの低い接触抵抗を安定して維持できるの
で、耐用寿命の増大を図ることができる。
体ウエハ検査装置によれば、上記のように構成されてい
るので、プローブ針は半導体ウエハの電極パッドとの間
に十分に低い接触抵抗を達成でき、且つコンタクト回数
が増大してもこの低い接触抵抗を安定して維持できるの
で、耐用寿命の増大を図ることができる。
【図１】シリコンウエハの一例を示す平面図である。
【図２】プローブ試験におけるプローブ針と被検体との
関係を示す説明図である。
関係を示す説明図である。
【図３】この発明の一実施例のプローブ針を示す断面図
である。
である。
【図４】この発明の他の実施例のプローブ針を示す断面
図である。
図である。
【図５】この発明におけるプローブ針を用いたプローブ
カードの一例を示す断面図である。
カードの一例を示す断面図である。
【図６】従来のプローブカードの一例を示す概略断面図
である。
である。
【図７】この発明におけるプローブ針を用いたプローブ
カードの動作原理を示す説明図である。
カードの動作原理を示す説明図である。
【図８】この発明の効果を確認するために行った実施例
１の試験結果を示すグラフである。
１の試験結果を示すグラフである。
【図９】実施例２の試験結果を示すグラフである。
【図１０】比較例１の試験結果を示すグラフである。
【図１１】比較例２の試験結果を示すグラフである。
【図１２】比較例３の試験結果を示すグラフである。
【図１３】比較例４の試験結果を示すグラフである。
【図１４】比較例５の試験結果を示すグラフである。
【図１５】比較例６の試験結果を示すグラフである。
１ プローブ針 ２ 接触部４０ プリント回路基板（プローブカード） ４１ 固定板 ４２ 案内板 ４２ａ 案内孔 ４３ 案内板 ４３ａ 案内孔５０ ワーク台
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/66 C22C 5/02 G01R 1/067
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウエハの電極パッドに対応する位
置に配置され、上記半導体ウエハの表面と垂直なプロー
ブ針を有するプローブカードを備え、上記プローブ針を
上記電極パッドに接触させて上記半導体ウエハの電気的
特性を検査する半導体ウエハ検査装置において、 上記半導体ウエハを保持すると共に上昇させ、上記電極
パッドから上記プローブ針に接触した後更に一定距離半
導体ウエハを上昇させてオーバドライブを与えると共
に、半導体ウエハをプローブ針と垂直な方向に一定距離
スライドさせることができる保持手段と、 ７４〜７６重量％の金（Ａｕ）と、２４〜２６重量％の
銅（Ｃｕ）と、残部の不可避的不純物からなる合金で形
成され、オーバドライブの圧力により座屈変形するプロ
ーブ針と、 オーバドライブにより上記プローブ針にかかる圧力のた
めにプローブカードが撓むことを防止するための固定機
構と、 を具備することを特徴とする半導体ウエハ検査装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体ウエハ検査装置に
おいて、 上記不可避的不純物が、銀（Ａｇ），ニッケル（Ｎ
ｉ），鉄（Ｆｅ），炭素（Ｃ），酸素（Ｏ）からなる群
から選ばれる一以上の元素であり、その含有量が０．０
１重量％以下のプローブ針を用いたことを特徴とする半
導体ウエハ検査装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体ウエハ検査装置に
おいて、 上記プローブカードは、プローブ針固定部と、プローブ
針が貫通する案内孔が設けられた案内板とで構成された
垂直針型のプローブカードであることを特徴とする半導
体ウエハ検査装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33980390 | 1990-11-30 | ||
| JP2-339803 | 1990-11-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0541425A JPH0541425A (ja) | 1993-02-19 |
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3321557A Expired - Lifetime JP2873414B2 (ja) | 1990-11-30 | 1991-11-11 | 半導体ウエハ検査装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP2873414B2 (ja) |
| KR (1) | KR0167477B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020053734A1 (en) | 1993-11-16 | 2002-05-09 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of making same |
| JP2008185596A (ja) * | 1994-02-21 | 2008-08-14 | Renesas Technology Corp | 接続装置 |
| KR0150334B1 (ko) * | 1995-08-17 | 1998-12-01 | 남재우 | 수직형니들을 가지는 프로브카드 및 그 제조방법 |
| KR100202998B1 (ko) * | 1995-12-02 | 1999-06-15 | 남재우 | 마이크로 팁을 갖는 웨이퍼 프로브 카드 및 그 제조방법 |
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| DE69737599T2 (de) * | 1996-09-13 | 2007-12-20 | International Business Machines Corp. | Integrierte nachgiebige sonde für waferprüfung und einbrennen |
| US5760595A (en) * | 1996-09-19 | 1998-06-02 | International Business Machines Corporation | High temperature electromigration stress test system, test socket, and use thereof |
| IT1290127B1 (it) * | 1997-03-19 | 1998-10-19 | Circuit Line Spa | Ago rigido per il test elettrico di circuiti stampati |
| JP2001074777A (ja) | 1999-08-31 | 2001-03-23 | Kanai Hiroaki | プローブカード用プローブ針 |
| US6842029B2 (en) * | 2002-04-11 | 2005-01-11 | Solid State Measurements, Inc. | Non-invasive electrical measurement of semiconductor wafers |
| JP2005098895A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Kiyota Seisakusho:Kk | プローブ針 |
| US7304146B2 (en) * | 2004-01-16 | 2007-12-04 | Applera Corporation | Fluorogenic kinase assays and substrates |
| US20060066328A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Probelogic, Inc. | Buckling beam probe test assembly |
| EP1737075B1 (de) * | 2005-06-23 | 2017-03-08 | Feinmetall GmbH | Kontaktiervorrichtung |
| WO2007034921A1 (ja) * | 2005-09-22 | 2007-03-29 | Enplas Corporation | 電気接触子及び電気部品用ソケット |
| JP2008039639A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Hioki Ee Corp | 接触式計測用プローブ |
| JP5313156B2 (ja) | 2007-10-19 | 2013-10-09 | 日本発條株式会社 | 接続端子、半導体パッケージ、配線基板、コネクタ、およびマイクロコンタクタ |
| KR101251926B1 (ko) * | 2011-10-14 | 2013-04-08 | 황귀순 | 프로브 유닛 |
| TWI522624B (zh) * | 2014-06-06 | 2016-02-21 | 旺矽科技股份有限公司 | 探針及探針製造方法 |
| KR20240044081A (ko) | 2022-09-28 | 2024-04-04 | 엘티메탈 주식회사 | 프로브 핀용 Pd 합금 재료 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4225819A (en) * | 1978-10-12 | 1980-09-30 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Circuit board contact contamination probe |
| US4574235A (en) * | 1981-06-05 | 1986-03-04 | Micro Component Technology, Inc. | Transmission line connector and contact set assembly for test site |
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