KR0167477B1 - 프로우브 침 - Google Patents

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KR0167477B1
KR0167477B1 KR1019910021565A KR910021565A KR0167477B1 KR 0167477 B1 KR0167477 B1 KR 0167477B1 KR 1019910021565 A KR1019910021565 A KR 1019910021565A KR 910021565 A KR910021565 A KR 910021565A KR 0167477 B1 KR0167477 B1 KR 0167477B1
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사토루 야마시타
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이노우에 쥰이치
도오교오 에레구토론 야마나시 가부시끼 가이샤
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Abstract

본 발명은 반도체 소자에 형성된 전극에 눌려 접속되는 접촉부에 의해 상기 반도체 소자의 내부회로와 전기적 접속을 얻기 위한 프로우브 침에 있어서, 상기 접촉부는, 74-76 중량%인 Au와, 24-26 중량%인 Cu와, 0.01 중량% 이하인 Ag, Ni, Fe, C, O로 이루어지는 군에서 함유되는 하나 이상의 불순물을 가지는 합금으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로우브 침이다. 이 프로우브 침은 상기 전극과의 접촉저항이 작으며, 또한 되풀이 사용해도 저항값을 안정되게 유지할 수 있다.

Description

프로우브 침
제1도는 실리콘 웨이퍼의 1예를 나타낸 평면도.
제2도는 프로우브 시험에서의 프로우브 침과 피검사체와의 관계를 나타낸 설명도.
제3도는 본 발명의 1실시예인 프로우브 침을 나타낸 단면도.
제4도는 본 발명의 다른 실시예인 프로우브 침을 나타낸 단면도.
제5a도는 본 발명의 프로우브 침을 사용한 프로우브 장치의 1예를 나타낸 도면.
제5b도는 종래의 프로우브 장치의 1예를 나타낸 도면.
제6a도 및 제6b도는 종래의 프로우브 침을 사용한 프로우브 장치의 동작 원리를 나타낸 설명도.
제7도 내지 제14도는 본 발명의 효과를 확인하기 위하여 실시한 시험 결과를 나타낸 그래프이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 프로우브 침 2 : 접촉부
3 : 지지부 4 : 선단부
10 : 실리콘 웨이퍼 20 :칩
21 : 전극패드 30 : 프로우브 침
40 : 프린트 배선기판 41 . 고정판
42,43 : 안내판 44a : 상부블록
44b : 중간블록 44c : 하부블록
45 : 핀구멍 46a,46b,46c : 고정나사
47 : 보강링 50 : 워크대
본 발명은, 예를 들면 반도체 소자의 특성 시험을 실시할 때에 사용되는 프로우브 침의 개량에 관한 것이다.
이 프로우브 침은 반도체 소자의 내부 회로에 대한 전기적 접속을 달성하기 위하여 반도체 소자의 전극패드에 눌러 접촉하여 사용된다.
예를 들어 LSI 등의 반도체 소자의 제조에 있어서는, 제1도에 나타낸 바와 같이, 디스크형상인 실리콘 웨이퍼(10)에 있어서 수 mm의 사각형태인 다수 영역(칩)(20)의 각각에 집적회로가 형성된다. 그리고 집적회로가 형성된 다수의 칩(20)은 실리콘 웨이퍼(10)로부터 잘려 나간다. 잘려진 개개의 칩(20)은 세라믹패키지 혹은 수지 패키지 등을 이용하여 실장 형태로 어셈블리된다. 수지 패키지인 경우에는 다이 본딩, 와이어 본딩, 수지몰드 등의 공정을 거침으로써, 예컨대 DIP타입과 같은 실장형태로 어셈블리된다.
그런데, 어셈블리공정을 종료한 최종 제품의 불량품 발생율을 최소한으로 억제하기 위해서는, 개개의 칩(20)의 좋고 나쁨을 검사하여, 불량칩이 어셈블리공정으로 도입되는 것을 배제할 필요가 있다. 그 때문에 개개의 칩(20)을 절단하기 전에 실리콘 웨이퍼(10)의 상태에서 각 칩(20)에 대하 미리 전기적 특성을 검사하고, 불량품에 대하여는 식별마크를 부여하는 것이 일반적으로 실시되고 있다.
이와 같은 실장 단자가 아직 형성되지 않는 칩(20)의 특성 검사를 실시하기 위하여, 도전성 재료로 이루어진 프로우브 침(30)을 사용하는 방법이 종래로부터 널리 채용되고 있다. 예를 들어 제2도에 나타낸 바와 같이, 칩(20)에 형성된 전극패드(21)에 대하여 프로우브 침(30)의 선단부를 접촉시킨다. 프로우브 침(30)의 기초단부는 전기 신호발생기나 파형(波型) 해석장치와 같은 측정 기기에 접속되어 있다.
따라서, 프로우브 침(30)의 선단부를 전극패드(21)에 접촉시킴으로써, 칩(20)에 형성된 집적회로와 측정기기의 전기적 접촉이 달성되어 특성 검사가 가능하게 된다.
상기와 같은 목적으로 사용되는 프로우브 침으로서는, 적어도 피검사체와의 접촉부(침 끝단부)가, 예를 들면 텅스텐(W), 은파라듐합금 (Ag-Pd), 동베릴륨 합금(Cu-Be)으로 이루어진 것이 종래부터 알려져 있으며, 피검사체 전극의 종류에 따라 사용되고 있다.
구체적으로, 알루미늄 전극(예컨대, 메모리IC 및 로직IC 등)에 접촉시키는 경우에는, 주로 텅스텐(W)으로 형성된 프로우브 침이 사용되고 있다. 또 금속제 범프전극(LCD 드라이버IC 및 CPU칩 등)에 접촉시키는 경우에는, 주로 은파라듐합금(Ag-Pd)으로 형성된 프로우브 침이 사용되고 있다. 한편 대전류 전원핀(예컨대, 리니어IC 및 트랜지스터 등)에 접촉시키는 경우에는, 주로 동베릴륨합금(Cu-Be)으로 형성된 프로우브 침이 사용되고 있다.
그러나, 종래의 어떠한 프로우브 침도 피검사체와의 사이에서 충분히 낮고,또 충분히 안정된 접촉저항을 달성할 수 없기 때문에, 항상 정확한 특성시험결과를 얻는 것은 곤란하였다.
예를 들어, 침 끝단을 텅스텐(W)으로 형성한 프로우브 침은 충분히 낮은 초기 접촉저항을 얻을 수 없다. 뿐만 아니라 안정성도 불충분하여 접촉횟수를 거듭함에 따라 접촉저항이 증대된다. 또한 침 끝단을 은파라듐합금 또는 동베릴륨합금으로 형성한 프로우브 침은, 초기 접촉저항에 대해서는 충분히 작은 값을 얻을 수 있으나, 안정성이 불충분하여 접촉횟수를 거듭함에 따라 접촉저항이 증대된다.
본 발명의 목적은 피검사체와의 사이에 충분히 낮은 접촉저항을 달성할 수 있으며, 또한 접촉횟수가 증대하더라도 낮은 접촉저항을 안정되게 유지할 수 있는 프로우브 침을 제공하는 것이다.
상기의 목적은, 반도체 소자에 형성된 전극에 눌려 접속되는 접촉부에 의해 상기 반도체 소자의 내부회로와 전기적 접속을 얻기 위한 프로우브 침에 있어서, 상기 접촉부는, 74-76 중량%인 Au와, 24-26 중량%인 Cu와, 0.01 중량%이하인 Ag, Ni, Fe, C,O로 이루어지는 군에서 함유되는 하나 이상의 불순물을 가지는 합금으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로우브 침에 의해 달성된다.
본 발명자는 종래의 프로우브 침의 특성이 불안정하고, 사용횟수를 거듭함에 따라 접촉저항이 증대하는 이유에 대해서 예의 검토하였다. 그 결과 이와 같은 불안정성은 금속제 범프전극이나, 알루미늄 패드 전극의 표면에 존재하는 불순물이, 프로우브 침의 선단부에 부착되기 때문이 아닌가 하고 생각하기에 이르렀다.
이러한 생각에 이르게 된 이유는, 특히 금속 범프전극인 경우에 실리콘 칩의 표면에 존재하는 Au와의 친화성(親和性)이 낮은 불순물이 Au범프를 형성할 때혹은 그후의 어닐링공정에서 Au범프의 표면으로 옮겨져서 집적된다는 것이 알려져 있기 때문이다.
이러한 생각에 따라 본 발명자는 텅스텐제 프로우브 침의 표면에 Au도금을 실시한 프로우브 침을 제안하고, 이에 대해서는 이미 일본국에 출원을 실시하였다(일본국 특원평 2-O04880). 단 이 출원은 본 발명의 우선일에 있어서는 아직도 미공개이며, 따라서 본 발명에 대한 종래 기술로서의 지위는 갖지 않는다.
이 Au도금을 실시한 프로우브 침에 의해 충분히 작은 접촉저항 및 안정성을 달성할 수 있었다. 접촉저항의 안정성을 달성할 수 있었던 이유는 접촉저항의 증대를 가져오는 불순물이 Au도금된 프로우브 침의 선단부에 부착되는 것이 어렵기 때문이라 생각된다.
그러나, 상기 Au도금을 실시한 프로우브 침은, 반도체 소자의 전극에 대하여 접촉을 되풀이 하는 동안에 침 끝단의 Au도금이 벗겨져 버린다는 문제가 있었다. 따라서 Au도금이 벗겨진 후에는 급격하게 접촉저항의 증대가 생기게 되어, 내구성 면에서 아직 불충분하였다.
그리하여, 본 발명자는 상기 Au도금을 행한 프로우브 침의 장점을 그대로 유지하는 동시에, 그 내구성을 높히기 위하여 Au합금을 침 선단부에 사용하는 것에 대해서 더욱 연구를 실시하였다. 그 결과 Au,Cu 및 불가피한 불순물로 이루어지는 합금은, Au도금과 동일한 낮은 접촉저항을 달성할 수 있다는 것을 발견하여 본 발명에 이르른 것이다. 본 발명에 의한 프로우브 침의 선단부는 합금제이기 때문에, 당연히 도금충이 벗겨진다는 문제가 생기지 않는다.
본 발명의 프로우브 침에 있어서, 상기 접촉부를 형성하는 합금은, 74-76 중량%인 Au와, 24-26 중량%인 Cu로 이루어지는 것이 바람직하다. 보다 바람직 하게는 75 중량%인 Au와, 25 중량%인 Cu로 이루어진 합금 조성(組成)이 좋다.또한 이 합금에 불가피하게 함유될 수 있는 불순물로서는, 예컨대 Ag,Ni,Fe,C,O 등의 원소를 들 수 있으며, 이들 불순물의 양은 0.01 %이하인 것이 바람직하다.
본 발명의 프로우브 침에 있어서, 접촉부에 사용하는 합금은 퍼검사체에 대하는 접촉저항이 작고 안정되어 있기 때문에, 피검사체로 부터 정확한 정보를 안정되게 취출하는 것이 가능하다. 또 상기 바람직한 조성을 가지는 합금은 적절한 정도의 유연성을 가지고 있으므로, 피검사체를 손상시키는 사태가 일어나는 경우도 매우 적다.
[실시예]
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
제3도는 본발명에 의한 프로우브 침의 1실시예를 나타낸 종단면도이다. 도시되어 있는 바와 같이, 이 실시예의 프로우브 침(1)은 끝단의 접촉부(2)와,지지부(3)를 구비하고 있다.
접촉부(2)는 본 발명에 있어서 바람직한 조성의 합금, 즉 Au의 함유율이 74-76 중량%이고, Cu의 함유율은 24-26 중량%이며, Ag의 함유율은 0-0.01중량%, Ni의 함유율은 0-0.01 중량%인 합금으로 형성되어 있다. 또한 지지부(3)는 텅스텐으로 이루어져 있다.
도시된 바와 같이, 이 실시예의 프로우브 침(1)은 선단부(4)가 반구 (半救)형상으로 둥글게 형성되어 있다. 이 선단부(4)는 예컨대 녹여 붙임에 의해 지지부(3)에 결합된다.
제4도는 본 발명의 다른 실시예인 프로우브 침(1)을 나타낸 종단면도이다. 이 실시예에서는 접촉부(2) 및 지치부(3)가 동일한 재료, 즉 제3도의 접촉부(2)와 같은 조성인 Au-Cu합금으로 형성되어 있다. 또 프로우브 침(1)의 형상은 지지부(3)로부터 선단부(4)까지 균일한 지름을 가지는 기등 형상이며, 평탄한 선단면을 가지고 있다.
그리고, 프로우브 침(1)의 선단부(4) 형상은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 원추형태로 뾰족하게 한 형상, 혹은 일자형 드라이버의 끝단부와 같이 평판형태로 뾰족하게 한 형상이라도 관계없다.
또한, 제3도의 실시 예에서와 같이, 지지부(3)를 접촉부(2)와 다른 재료로 형성하는 경우에, 지지부(3)의 재료로서는 예컨대 동베릴륨합금(Cu-Be)과 같이 텅스텐 이외의 재료를 사용하여도 좋다.
상기 실시예의 프로우브 침(1)은, 예를 들어 제5a도에 나타낸 바와 같은 프로우브 카드에 바람직하게 사용할 수 있다. 이 프로우브 카드에는 측정회로용 부품이 마운트된 프린트 배선기판(40)이 탑재되는 상부블록(44a)과, 중간블록(44b) 및 하부블록(44c)으로 이루어지고, 이들 사이의 중앙부에 고정판(41)과 안내판(42),(43)이 각각 장착되어 있다. 이들은 각각의 고정나사(46a),(46b),(46c)와, 상기 각 블록의 상대위치를 규제할 수 있도록 핀구멍(45)에 위치결정핀에 의해 결합되며, 상기 하부블록(44c)의 가장자리에는 보강링 (47)이 장착된다.
상기 프로우브 침(1)은 그 기초단부가 프린트 배선기판(40)의 도체패턴에 납점된다. 상기 프로우브 카드에 있어서 프로우브 침(1)은 도시된 바와 같이 수직으로 부착되고, 그 선단부가 피검사체인 실리콘 웨이퍼(10)의 표면에 형성된 전극패드(21)에 대응하도록 미리 위치결정된다.
프로우브 시험을 행할 경우에는 프로우브 카드에 탑재된 프린트 배선기판(40)을 이용한다. 프로우브 침(1)의 접촉부(2)를 워크대(50) 상에 유지한 실리콘 웨이퍼(10)의 전극패드(21)에 접촉시킴으로써, 칩 내부에 형성된 회로 특성을 측정할 수 있다. 이 때 상기 실시예의 프로우브 침(1)은 어느 것이나 접촉부(2)가 바람직한 조성의 Au-Cu합금으로 형성되어 있기 때문에, 전극패드(21)와의 사이에 충분히 낮은 접촉저항을 유지할 수 있다. 예컨대 전극패드(21)가 Al로 이루어질 경우에는 0.5Ω이하, 또 전극패드(21)가 Au로 이루어질 경우에는 0.05Ω이하의 접촉저항을 얻을 수 있다.
그리고, 상기 웨이퍼의 프로우브 시험을 행할 경우에, 도시된 워크대(50)를 상승시킴으로써, 전극패드(21)를 프로우브 침(1)의 접촉부(2)에 접촉시킨다. 이 때 접촉불량이 일어나지 않도록 전극패드(21)가 프로우브 침(1)에 접촉된 후, 다시 일정거리(O.D.)만큼 워크대(50)를 상승시켜서 오버 드라이브를 부여한다.
본 발명의 프로우브 침(1)은 제 5A 도에 나타낸 바와 같은 수직침형의 프로우브 카드에서 사용된 경우에 가장 좋게 그 효과를 발휘한다. 동 도면에서 고정판(41)은 프로우브 침(1)을 Z축방향으로 고정시키는 것으로, 프로우브 침(1)은 고정판(41)을 관통하여 수직으로 배치되어, 접착제 등에 의해 고정되어 있다. 프로우브 침(1)의 선단은 XY방향에서의 위치결정을 위해, 안내판(42),(43)에 형성된 안내구멍으로 끼워져 통하게 된다.
또, 프로우브 침(4)의 기초단부는 프린트 배선기판(40)의 소정 위치에 접속된다. 고정판(41) 및 안내판(42),(43)은 상하로 이동하지 않도록 프로우브 카드에 고정되어 있다.
제6a도에 나타낸 프로우브 카드를 이용하여 프로우브 시험을 행할 경우에는, 워크대(50)를 상승시켜 오버드라이브를 걸면, 제6b도에 나타낸 바와 같이 Z축방향으로 고정되어 있는 프로우브 침(1)은 구부러져 변형된다. 이것에의해 프로우브 침(1)은 소정의 힘으로 눌러져 침압력이 부여되어, 전극패드(21)와의 양호한 전기적 접촉을 얻을 수 있다. 상기의 프로우브 침(1)은 비교적 유연하여, 상기와 같은 좌굴(座屈) 변형을 일으키기 쉽다. 제6a도의 수직침형 프로우브 카드의 일반적인 이점은 오버 드라이브에 의한 응력이 프린트배선기판(40)에 가해지지 않는 것이다.
제5b도의 경사침형 프로우브 카드의 경우, 오버 드라이브에 의해 프린트배선기판(40)이 가상선으로 도시한 바와 같이 휘기 때문에, 실제의 침 압력이 설정값보다 작아지며, 접촉불량을 일으키는 일이 있다. 제5a도의 수직침형프로우브 카드인 경우에는 이와 같은 문제를 일으키지 않는다.
다음에, 구체적인 실시예에 의하여 본 발명을 예시한다.
[실시예1]
하기의 스펙(spec.)을 가지는 프로우브 침(1)을 제작하였다.
프로우브 침(1)의 스펙
지지부(3)와 접촉부(2) :
75 중량% Au, 25 중량% Cu의 조성을 가지는 합금.
선단부는 각도 약 90°의 원추가공(선단부 지름 14∼18㎛). 상기의 프로우브 침(1)을 제5a도에 나타낸 수직침형의 프로우브 카드에 조립하였다. 이 프로우브 카드를 사용하여, 하기 실리콘 웨이퍼의 샘플에 대하여 웨이퍼 프로우브 시험을 행하였다.
샘플웨이퍼의 스펙
직경 : 10cm
전극 : 막두께 18㎛인 Au패드
어닐링처리 : 350℃, 30분
전극패드에 대한 프로우브 침(1)의 접촉을 계속하여 106회 실시하고, 접촉저항값의 변화를 관찰하였다. 그 결과를 제7도에 나타낸다. 제7도의 결과에서 명백한 바와 같이, 본 발명의 프로우브 침은, 106회의 접촉을 실시한 후에도 초기값과 동일한 낮은 접촉저항이 얻어진다.
[실시예 2]
실시예 1에서 제작한 프로우브 침(1)을 사용하여 실시예 1과 동일한 방법으로 하기 실리콘 웨이퍼의 샘플에 대해서 웨이퍼 프로우브 시험을 행하였다.
샘플 웨이퍼의 스펙
직경 : 15cm
전극 : 1%의 Si를 함유하는 Al판을 사용한 스패터링에 의해 실리콘 표면에 직접 형성한 막두께 0.9㎛인 Al패드.
단, Al 전극패드에 대한 프로우브 침(1)의 접촉은 콘택 슬라이드 프로우브(Contact and Slide Probe) 방식에 따르고, 접촉 후에 10㎛ 또는 20㎛ 만큼 미끄럼 이동시킴으로써 실시되었다 이 접촉을 계속 106회 실시하여 접촉저항값의 변화를 관찰하였다. 그 결과를 제8도에 나타낸다.
제8도의 결과에서 명백한 바와 같이, 본 발명의 프로우브 침은 106회의 접촉을 실시한 후에도 초기값과 동일한 낮은 접촉저항이 얻어진다.
[참고예 1]
하기의 스펙을 가지는 프로우브 침(1)을 제작하였다.
프로우브 침(1)의 스펙
지지부(3) : W제,직경 70㎛
접촉부(2) : W제, 선단부는 각도 약 90°의 원추가공(선단부 지름 3∼5㎛).
상기 프로우브 침(1)을 제5a도에 나타낸 수직침형의 프로우브 카드에 조립하였다.
이 프로우브 카드를 사용하여, 실시예 1 에서 사용한 것과 같은 샘플 웨이퍼에 대하여 동일한 접촉방법에 의해 웨이퍼 프로우브 시험을 행하였다. 그 결과를 제9도에 나타낸다.
제9도의 결과에서 명백한 바와 같이, 이 참고예의 프로우브 침은, 접촉횟수를 거듭함에 따라서 접속저항이 현저하게 증대하였다.
[참고예 2]
참고예 1에서 제작한 프로우브 침(1)을 사용하여, 실시예 2와 웨이퍼 샘플에 대하여 동일한 방법으로 웨이퍼 프로우브시험을 실시하였다. 그 결과를 제10도에 나타낸다.
제10도의 결과에서, 이 참고예의 프로우브 침은, 접촉휫수를 거듭함에 따라서, 접촉저항이 현저하게 증대하였다.
[참고예 3]
하기의 스펙을 가지는 프로우브 침(1)을 제작하였다
프로우브 침(1)의 스펙
지지부(3) : BeCu제, 직경 70㎛
접촉부(2) : BeCu제, 선단부는 각도 90°원추가공(선단부 지름 14∼18㎛)
상기 프로우브 침(1)을 제5a도에 나타낸 수직침형의 프로우브카드에 조립하였다.
이 프로우브카드를 사용하여 실시예 1 에서 사용한 것과 동일한 샘플 웨이퍼에 대하여 동일한 접촉방법에 의해 웨이퍼 프로우브시험을 실시하였다. 그 결과를 제11도에 나타낸다.
제11도의 결과에서 명백한 바와 같이, 이 참고예의 프로우브 침은, 접촉횟수가 103회∼104회를 초과하면, 접촉저항이 현저하게 증대하였다.
[참고예 4]
하기의 스펙을 가지는 프로우브 침(1)에 대해서, 사용자로부터 전해들은 바에 의거하여, 상기와 같은 접촉저항의 변화를 그래프화하였다(제12도). 또한이 프로우브 카드는 제5b도에 나타낸 방식의 것이다.
프로우브 침(1)의 스펙
지지부(3) : Ag(60) Pd(40)제, 직경 250㎛
접촉부(2) : Ag(60) Pd(40)제, 선단부는 각도 약 3.5°의 원추가공(선단부 지름 40∼50㎛) .
제12도에 나타낸 바와 같이, 이 참고예의 프로우브 침은, 접촉횟수가 102-103회를 초과하면 접촉저항이 현저하게 증대한다. 그 때문에 매일 침 선단부를 연마할 필요가 있는 등, 정비 및 점검에 노력을 필요로 한다는 불평이 많다.
[참고예 5]
하기의 스펙을 가지는 프로우브 침(1)을 제작하였다.
프로우브 침(1)의 스펙
지지부(3) : W제, 직경 70㎛
접촉부(2) : W제, 선단부는 각도 약 90°의 원추가공(선단부 지름 3∼5㎛) Au도금 : Ni 밑바탕충 2㎛+Au도금 0.2㎛
상기 프로우브 침(1)을 제5a도에 나타낸 수직침형의 프로우브 카드에 조립하였다. 이 프로우브 카드를 사용하여 실시예 1에서 사용한 것과 동일한 샘플웨이퍼에 대해서 동일한 접촉방법에 의해 웨이퍼 프로우브시험을 실시하였다. 그 결과를 제 13 도에 나타낸다.
제13도의 결과에서 명백한 바와 같이, 이 참고예의 프로우브 침은 접촉횟수가 105회를 초과하면, 접촉저항이 현저하게 증대하였다. 이것은 Au도금의 내구 한계를 나타내는 것이라 생각된다.
[참고예 6]
참고예 5에서 제작한 프로우브 침(1)을 사용하여 실시예 2와 동일한 웨이퍼샘플에 대하여 동일한 방법으로 웨이퍼 프로우브시험을 실시하였다. 그 결과를 제14도에 나타낸다.
제14도의 결과에서 명백한 바와 같이, 이 참고예의 프로우브 침은 접촉횟수를 거듭함에 따라 접촉저항이 현저하게 증대하였다.

Claims (5)

  1. 반도체소자에 형성된 전극에 눌려 접속되는 접촉부에 의해 상기 반도체 소자의 내부회로와 전기적접속을 얻기 위한 프로우브 침에 있어서, 상기 접촉부는, 74-76 중량%인 Au와, 24-26 중량%인 Cu와, 0.01 중량%이하인 Ag, Ni, Fe, C,O로 이루어지는 군에서 함유되는 하나 이상의 불순물을 가지는 합금으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 프로우브 침.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 소자에 형성된 전극이 Au범프 또는 Au패드인 프로우브 침.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체 소자에 형성된 전극이 Al패드인 프로우브 침.
  4. 제1항에 있어서, 상기 프로우브 침이 수직침형의 프로우브 카드로서 사용되는 프로우브 침.
  5. 제1항에 있어서, 상기 프로우브 침은, 프로우브 침을 고정하는 고정판과, 프로우브 침이 관통하는 안내구멍이 형성된 안내판으로 구성된 수직침형의 프로우브 카드로서 이루어져 있는 프로우브 침.
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