KR100446551B1 - 화산형 프로브, 이의 제조방법 및 이를 구비한프로브카드 - Google Patents

Abstract

본 발명은 화산형 프로브, 이의 제조방법 및 이를 구비한 프로브카드에 관한 것이다.

본 발명에 따른 화산형 프로브는, 중앙부에 중앙홀을 구비하는 본체부와 상기 본체부 단부에 팁부가 구비되는 화산형 프로브에 있어서, 소정의 도전성, 탄성 및 연성을 가진 재질의 시편을 프레스장치를 이용하여 가공함으로써 그릇형상으로 제조된 상기 본체부 및 레이저빔을 상기 본체부 단부에 가하여 절개함으로써 함몰부 및 접촉부를 구비한 상기 팁부를 구비하여 이루어지고, 본 발명에 따른 화산형 프로브의 제조방법은, 중앙부에 중앙홀을 구비하는 본체부와 상기 본체부 단부에 팁부가 구비되는 화산형 프로브의 제조방법에 있어서, 탄성력 및 연성을 지닌 도전성 금속재질의 얇은 시편을 준비하는 단계, 상기 시편을 프레스장치를 이용하여 중앙홀을 구비한 그릇형상의 본체부를 제조하는 단계, 상기 본체부의 하단에 레이저빔(Laser beam)을 가하여 상기 중앙홀이 외부로 개방되도록 상기 하단부를 소정형상으로 절개함으로써 함몰부 및 접촉부를 구비한 팁부를 제조하는 단계를 포함하여 이루어지고, 본 발명에 따른 화산형 프로브를 구비한 프로브카드는, 다층회로와 연결된 관통홀이 형성된 인쇄회로기판과 상기 관통홀에 삽입되어 하방으로 돌출된 탄성 재질의 전기적 접속핀과 상기 접속핀과 연결된 공간변환기와 상기 공간변환기 하부에 수직형으로 부착된 프로브와 상기 인쇄회로기판 및 공간변환기 상하부에 구비된 보강판을 구비하는 프로브카드에 있어서, 상기 프로브는 소정의 도전성,탄성 및 연성을 가진 재질의 시편을 프레스장치를 이용하여 가공함으로써 그릇형상으로 제조된 상기 본체부 및 레이저빔을 상기 본체부 단부에 가하여 절개함으로써 함몰부 및 접촉부를 구비한 상기 팁부를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

따라서, 고집적화된 반도체소자의 파인피치간격에 용이하게 대응할 수 있으며, 다양한 종류의 패드배열 형상에도 대응이 용이하고, MEMS공정의 제조설비 유지 비용의 상승 등과 같은 MEMS공정의 제반 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.

Description

화산형 프로브, 이의 제조방법 및 이를 구비한 프로브카드{Volcano type probe, its manufacturing method and probe card having it}

본 발명은 화산형 프로브, 이의 제조방법 및 이를 구비한 프로브카드에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 판상의 시편을 프레스장치를 이용하여 가공하여 그릇형상으로 제조한 후, 그 단부를 레이저빔을 이용하여 절개함으로써 제조되는 화산형 프로브, 이의 제조방법 및 이를 구비한 프로브카드에 관한 것이다.

통상, 반도체기판 즉, 웨이퍼 상에 산화공정, 확산공정, 이온주입공정, 사진식각공정 및 금속공정 등의 웨이퍼 가공공정에 의해서 256MDRAM 및 1GDRAM 등의 반도체소자를 구현하게 된다.

그리고, 이와 같은 반도체소자 제조공정을 수행한 후, 반도체기판 상에 구현된 각 칩(Chip)에 대해서 프로빙 테스트를 수행함으로써 정상 칩 및 비정상 칩을 선별하게 되고, 선별된 정상 칩만을 패키징(Packaging)하게 된다.

또한, 패키징된 반도체 제품에 대해서도 최악의 온도 및 전압 등의 테스트 조건 하에서 번인(Burn-in)공정을 수행 제거함으로써 열화한 반도체 제품의 출하를조기에 제거하고 있다.

이와 같은 프로빙 테스트는, 반도체기판 상에 구현된 각 칩의 전극패드에 접촉한 프로브카드의 프로브를 통해서 테스트장치가 소정의 전기신호를 인가한 후, 이에 대응하는 전기신호를 다시 테스트장치가 수신함으로써 반도체기판 상에 구현된 각 칩의 정상 및 비정상 유무를 테스트(Test)하게 된다.

그리고, 이와 같이 완성된 상태에 있는 웨이퍼 즉, 반도체 칩을 테스트하는 프로브카드는, 회로가 구성되 인쇄회로기판과, 인쇄회로기판의 상면 중앙에 설치되는 보강판과 웨이퍼의 전극패드에 접촉되는 프로브를 구비하며, 또한 인쇄회로기판의 회로와 연결되는 니들과 인쇄회로기판의 저면 중앙에 형성되어 프로브를 지지 고정하는 고정판과 프로브를 고정판에 고정하는 절연물로 이루어진다.

이때, 상기 프로브 팁의 소정부는 수평방향에서 하방 즉, 웨이퍼 상에 구현된 각 칩의 전극패드 방향으로 소정각도 절곡되어 있다.

상기와 같이 구성된 프로브카드는 지그에 의해서 상하로 이동하면서 프로브가 전극패드의 중심부에 접촉되도록 하여 반도체 칩의 이상 유무를 검사하게 된다.

그러나, 이와 같은 니들 타입의 프로브는 소정부가 수평방향에서 하방 즉, 전극패드 방향으로 소정각도 절곡됨으로써 고집적화된 반도체소자에 대응이 용이하지 않은 문제점이 있었다.

즉, 상기 프로브카드에 장착되는 프로브는 소정부가 수평방향에서 하방 즉, 전극패드 방향으로 소정각도 절곡되어 있음으로써 프로브카드의 고정판에 프로브를고밀도로 배열 설치가 불가능하여 고집적화된 반도체소자의 전극패드에 대응할 수없는 문제점이 있었다.

또한, 상기 니들 타입의 프로브는 최근에 주로 사용되는 볼타입의 전극패드 즉, 상부 표면이 상부로 돌출된 볼타입의 전극패드 상부에서는 프로브가 미끄러지는 등의 원인에 의해서 접촉이 어려운 문제점이 있었다.

그리고, 최근에는 고집적화된 반도체소자의 작은 피치간격에 대응이 용이하도록 포토리소그래피(Photolithography)공정 및 식각공정 등의 반도체 제조공정을 주공정으로 하는 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 기술을 이용한 프로브가 개발 사용되고 있다.

그러나, MEMS기술을 이용한 프로브는 반도체소자의 작은 피치간격에 대한 대응력 및 대량 생산성 등과 같은 많은 장점을 가지고 있으나 고가의 반도체 장비의 구매와 클린룸(Clean room)의 운영 등과 같은 원인에 의해서 제조 원가를 상승시키는 단점을 발생시키고 있다.

특히, MEMS기술을 이용한 프로브 역시 니들타입의 프로브와 동일하게 볼타입의 전극패드에 대응이 용이하지 않은 문제점이 있었다.

본 발명의 목적은, 제조 비용을 절감할 수 있는 화산형 프로브, 이의 제조방법 및 이를 구비한 프로브 카드를 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은, 반도체소자의 작은 피치간격에 대응이 용이한 수직타입의 화산형 프로브, 이의 제조방법 및 이를 구비한 프로브 카드를 제공하는 데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은, MEMS공정에서 발생하는 제반 문제점을 해결할 수 있는 화산형 프로브, 이의 제조방법 및 이를 구비한 프로브 카드를 제공하는 데 있다.

도 1a는 본 발명에 따른 화산형 프로브를 나타내는 사시도이고, 도 1b는 본 발명에 따른 화산형 프로브의 저면도이다.

도 2a는 본 발명에 따른 화산형 프로브가 볼타입의 패드와 접촉한 상태를 설명하기 위한 단면도이고, 도 2b는 본 발명에 따른 화산형의 프로브가 상면이 평탄한 패드와 접촉한 상태를 설명하기 위한 단면도이다.

도 3은 본 발명에 따른 화산형 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.

도 4는 본 발명에 따른 프로브를 구비한 프로브카드를 설명하기 위한 단면도이다.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따라 프로브카드의 공간변환기에 화산형 프로브를 본딩하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

2, 70 : 프로브 10 : 본체부

12 : 함몰부 14 : 접촉부

16 : 팁부 20, 22 : 패드

50 : 인쇄회로기판 52 : 상부 보강판

54 : 하부 보강판 56 : 공간변환기

58 : 포고핀 60 : 내부회로

62, 64 : 패드 80 : 가이드판

82 : 가이드홈

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 화산형 프로브는, 중앙부에 중앙홀을 구비하는 본체부와 상기 본체부 단부에 팁부가 구비되는 화산형 프로브에 있어서, 소정의 도전성, 탄성 및 연성을 가진 재질의 시편을 프레스장치를 이용하여 가공함으로써 그릇형상으로 제조된 상기 본체부; 및 레이저빔을 상기 본체부 단부에 가하여 절개함으로써 함몰부 및 접촉부를 구비한 상기 팁부;를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 프로브는 구리(Cu), 텅스텐(W), 구리합금 및 텅스텐합금 중의 어느 하나를 사용할 수 있고, 상기 접촉부는 사각형, 삼각형 및 사다리꼴 형상 중의 어느 하나의 형상으로 이루어질 수 있다.

그리고, 본 발명에 따른 화산형 프로브의 제조방법은, 중앙부에 중앙홀을 구비하는 본체부와 상기 본체부 단부에 팁부가 구비되는 화산형 프로브의 제조방법에 있어서, 탄성력 및 연성을 지닌 도전성 금속재질의 얇은 시편을 준비하는 단계: 상기 시편을 프레스장치를 이용하여 중앙홀을 구비한 그릇형상의 본체부를 제조하는 단계; 상기 본체부의 하단에 레이저빔(Laser beam)을 가하여 상기 중앙홀이 외부로 개방되도록 상기 하단부를 소정형상으로 절개함으로써 함몰부 및 접촉부를 구비한 팁부를 제조하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 프레스장치는 원기둥형상으로 이루어지는 홈이 상부에 형성된 스테이지를 구비하고, 상기 스테이지 상부에 상기 홈 내부에 정확하게 소정압력으로 삽입될 수 있는 가압봉을 구비하여 이루어질 수 있다.

그리고, 상기 레이저빔으로 펨토 세컨드 레이저(Femto second laser)를 사용할 수 있고, 상기 레이저빔은 10^-14내지 10^-16SEC의 펄스(pulse)를 가질 수 있다.

또한, 상기 도전성 금속 재질로 구리(Cu), 텅스텐(W), 구리합금 및 텅스텐합금 중의 어느 하나를 사용할 수 있다.

그리고, 본 발명에 따른 화산형 프로브를 구비하는 프로브카드는, 다층회로와 연결된 관통홀이 형성된 인쇄회로기판과 상기 관통홀에 삽입되어 하방으로 돌출된 탄성 재질의 전기적 접속핀과 상기 접속핀과 연결된 공간변환기와 상기 공간변환기 하부에 수직형으로 부착된 프로브와 상기 인쇄회로기판 및 공간변환기 상하부에 구비된 보강판을 구비하는 프로브카드에 있어서, 상기 프로브는 소정의 도전성, 탄성 및 연성을 가진 재질의 시편을 프레스장치를 이용하여 가공함으로써 그릇형상으로 제조된 상기 본체부 및 레이저빔을 상기 본체부 단부에 가하여 절개함으로써 함몰부 및 접촉부를 구비한 상기 팁부를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

여기서, 상기 프로브는 가이드판에 형성된 가이드홀 내부에 상기 화산형 프로브를 위치시킨 후, 플립칩 본딩(Flip-chip bonding)에 의해서 공간변형기에 부착될 수 있다.

그리고, 상기 가이드판에 형성된 가이드홈은 상기 공간변환기에 구비되는 패드와 서로 대응하는 위치에 각각 구비됨이 바람직하다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세히 설명한다.

도 1a는 본 발명에 따른 화산형 프로브를 설명하기 위한 사시도이고, 도 1b는 저면도이다.

본 발명에 따른 화산형 프로브(2)는, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이 소정의 연성(ductility) 및 탄성력을 구비함과 동시에 전도성을 가진 구리, 텅스텐, 구리합금 및 텅스텐합금 등의 재질로 이루어지는 시편을 준비한 후, 이를 프레스(Press)장치를 이용하여 그릇형상으로 가공하여 형성된 본체부(10)를 구비한다.

이때, 상기 본체부(10) 중앙에는 본체부(10) 하단부를 레이저빔을 이용하여 소정형상으로 절개함으로써 중앙홀(넘버링되지 않음)이 구비되고, 상기 본체부(10) 단부에는 피검사체와 직접 접촉하는 팁부(16) 구비되어 있다.

이때, 상기 팁부(16)는 소정의 상하 물리력(F)에 의해서 내측으로 오무라들었다가 탄성력에 의해서 다시 원래 위치로 복원되도록 함몰부(12) 및 접촉부(14)를 구비한다.

특히, 본 실시예에서 상기 본체부(10)의 단부는 레이저빔을 이용하여 별(Star) 형상으로 절개하였으나 당업자는 이에 한정하지 않고 삼각형, 사각형 및 사다리꼴형상 등과 같이 다양한 형상으로 변형이 가능함은 당연하다할 것이다.

도 2a는 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 화산형 프로브가 볼타입의 패드와 접촉한 상태를 설명하기 위한 단면도이고, 도 2b는 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 화산형의 프로브가 상면이 평탄한 패드와 접촉한 상태를 설명하기 위한 단면도이다.

본 발명에 따른 화산형 프로브는, 도 2a에 도시된 바와 같이 상부 표면이 상부로 돌출된 볼타입의 전극패드(20) 및 도 2b에 도시된 바와 같이 상부 표면이 평탄한 전극패드(22)와 수직방향으로 하강 접촉하게 된다.

이때, 상기 본체부(10), 함몰부(12)와 접촉부(14)로 이루어지는 팁부(16)를 구비하는 화산형 프로브는 도면에는 도시되지 않았으나 프로브카드의 공간변환기 등과 같은 구조물에 본딩 부착되어 하강하게 된다.

그리고, 상기 각 프로브는 하강하여 전극패드(20, 22)를 가압함에 따라 프로브의 팁부(16)의 접촉부(14)는 외부로 팽창되어 벌어지며 전극패드(20, 22)를 감싸안은 형상으로 소정길이 미끄러지며 전극패드(20, 22)와 접촉하게 된다.

다음으로, 상기 프로브가 상승하게 되면, 상기 벌어진 프로브의 접촉부(14)는 자체 탄성력에 의해서 다시 원래의 위치로 복원된다.

도 3은 본 발명에 따른 화산형 프로브의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.

본 발명에 따른 화산형 프로브는, 도 3에 도시된 바와 같이 소정의 연성(ductility) 및 탄성력을 구비함과 동시에 전도성을 가진 구리, 텅스텐, 구리합금 및 텅스텐합금 재질로 이루어지는 시편(30)을 준비한다.

이때, 상기 시편(30)은 수 마이크로미터(㎛)로써 매우 얇은 두께를 가지며, 그 형상은 본 실시예에서는 원판 형상으로 이루어진다.

다음으로, 상기 시편(3)을 공지의 프레스(Press)장치를 이용하여 그릇형상의본체부(32)를 가공한다.

이때, 상기 프레스장치는 본체부(32)의 형상과 동일한 형상의 홈이 형성된 스테이지를 구비하고, 상기 스테이지 상부에 상기 홈 내부에 정확하게 소정압력으로 삽입될 수 있는 가압봉을 구비하게 된다.

따라서, 상기 본체부(32)는 프레스장치의 스테이지의 홈 상부에 시편을 위치시킨 후, 그 상부에서 가압봉이 시편 방향으로 압력을 가하며 홈 내부에 삽입됨으로써 연성 재질의 시편은 도면에 도시된 바와 같이 절곡되어 중앙홀을 구비한 그릇형상의 본체부(32)로 형성된다.

마지막으로, 상기 중앙홀이 형성된 본체부(32)를 레이저 장비의 가공 테이블 상에 위치시켜 본체부(32)를 회전시키며 본체부(32)의 하단에 레이저빔(Laser beam)을 가하여 본체부(32)의 하단부를 절개함으로써 팁부(38)를 형성한다.

이때, 상기 팁부(38)는 내부로 함몰된 함몰부(34)부 및 함몰부(34)의 함몰에 의해서 외부로 돌출된 접촉부(36)를 구비하여 이루어진다.

그리고, 상기 접촉부(36)의 형상은 사각형, 삼각형 및 사다리꼴 형상 등과 같이 검사대상체의 패드와 용이하게 접촉할 수 있는 형상으로 선택적으로 형성할 수 있다.

또한, 상기 레이저빔은 정밀 가공이 가능한 펨토 세컨드 레이저(Femto second laser) 장치를 사용할 수 있으며, 상기 펨토 세컨 레이저 장치에서 발생되는 레이저빔은 10^-14내지 10^-16SEC의 펄스(pulse), 바람직하게는 10^-15SEC의 펄스(pulse)를 가질 수 있다.

도 4는 본 발명에 따른 화산형 프로브를 구비한 프로브카드를 설명하기 위한 단면도이다.

본 발명에 따른 프로브카드는, 도 4에 도시된 바와 같이 다층 내부 회로와 연결된 관통홀(넘버링되지 않음)이 형성된 인쇄회로기판(50)을 구비하고, 상기 인쇄회로기판(50)의 관통홀에 탄성 재질의 복수의 포고핀(Pogo pin :58)이 삽입되어 하방으로 돌출되어 있다.

이때, 상기 포고핀(58) 내부에는 스프링(Spring) 등의 탄성체가 구비됨으로써 상하로 소정의 유격이 발생하여 상하 간격이 조절될 수 있도록 되어 있다.

그리고, 상기 인쇄회로기판(50)의 관통홀에 삽입 돌출된 포고핀(58)과 다층 내부회로(60)가 구비되는 공간변환기(56) 상의 연결패드(62)가 납땜 등의 방법에 의해서 연결되어 있다.

또한, 상기 포고핀(58)에 의해서 연결된 인쇄회로기판(50)과 공간변환기(56) 상하부에 상부 보강판(52) 및 하부 보강판(54)이 구비되어 볼트(넘버링되지 않음)에 의해서 체결됨으로써 인쇄회로기판(50) 및 공간변환기(56)가 고정되어 있다.

그리고, 상기 공간변환기(56) 하측에 본 발명에 따른 프로브(70)가 에폭시수지 등과 같은 물질을 이용하여 연결수단(도시되지 않음)에 의해서 연결 구비되어 있다.

이때, 상기 공간변환기(56)는 본 발명에 따른 프로브(70)가 수직적으로 공간변환기(56)에 부착됨으로써 반도체소자의 작은 피치간격에 대응하기 위하여 극도로 조밀하게 배열 설치된 프로브(70)가 상대적으로 넓게 배열 설치되는인쇄회로기판(50)과 전기적으로 연결될 수 있도록 하는 기능을 수행한다.

그리고, 상기 프로브(70), 다층 내부회로(60)가 구비된 공간변환기(56), 포고핀(58) 및 인쇄회로기판(50)의 내부회로는 서로 전기적으로 연결되어 있다.

도 5a 내지 도 5c는 본 발명에 따라 프로브카드의 공간확장기에 화산형 프로브를 부착하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.

도 5a에 도시된 바와 같이, 프로브카드의 공간변환기(56)에 구비된 패드(64)와 대응하는 가이드홈(82)이 형성된 가이드판(80)을 준비한다.

이때, 상기 가이드홈(82)은 본 발명에 따른 프로브(70)가 삽입되어 홈(82) 외부로 이탈되지 않을 정도의 크기로 제작되며, 상기 가이드홈(82)은 초정밀 가공이 가능한 레이저장비를 이용하여 이루어진다.

특히, 상기 레이저장비의 레이저빔은 정밀 가공이 가능한 펨토 세컨드 레이저(Femto second laser) 장치를 사용할 수 있으며, 상기 펨토 세컨 레이저 장치에서 발생되는 레이저빔은 10^-14내지 10^-16SEC의 펄스(pulse), 바람직하게는 10^-15SEC의 펄스(pulse)를 가질 수 있다.

다음으로, 도 5b에 도시된 바와 같이 가이드판(80)의 가이드홈(82) 내부에 본 발명에 따른 화산형 프로브(70)를 삽입한다.

이때, 상기 본 발명에 따른 화산형 프로브(70)는 가이드홈(82) 내부에 완전히 삽입된다.

마지막으로, 도 5c에 도시된 바와 같이 상기 가이드판(56) 상에 복수의패드(64)가 구비된 공간확장기(56)를 위치시킨 후, 플립칩 본딩(Flip chip bonding) 방식에 의해서 가이드판(80)의 가이드홈(82) 내부에 삽입된 화산형 프로브(70)를 본딩한 후, 가이드판(80)을 제거한다.

본 발명에 의하면, 프로브카드의 공간변환기에 수직적으로 부착됨으로써 최근에 고집적화된 반도체소자의 파인피치간격에 용이하게 대응할 수 있으며, 다양한 종류의 패드배열 형상에도 대응이 용이한 효과가 있다.

보다 상세히 설명하면, 프로브카드의 공간변환기에 수직적으로 부착됨으로써 프로브와 프로브 사이의 간격을 극도로 조밀하게 부착이 가능하여 고집적화된 반도체소자의 파인피치 간격에 대응이 용이하다.

특히나, 최근의 반도체소자의 전극패드 배열 형상이 라인(Line) 형태의 LOC(Lead on center)와 LOTE(Lead On Two End)를 벗어나 에리어 어레이(Area array) 등과 같이 다양한 형상으로 변형되는 추세에 용이하게 대응할 수 있는 효과가 있다.

게다가, 본 발명에 따른 프로브는 MEMS공정의 제조설비 유지 비용의 상승 등과 같은 MEMS공정의 제반 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.

이상에서는 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (11)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
4. 중앙부에 중앙홀을 구비하는 본체부와 상기 본체부 단부에 팁부가 구비되는 화산형 프로브의 제조방법에 있어서,

   탄성력 및 연성을 지닌 도전성 금속재질의 얇은 시편을 준비하는 단계:

   상기 시편을 홈이 형성된 프레스장치의 스테이지 상에 위치시킨 후, 상기 스테이지 상부에 위치된 가압봉을 상기 홈으로 삽입시킴으로써 상기 얇은 시편을 절곡시켜 중앙홀을 구비한 그릇형상의 본체부를 제조하는 단계; 및

   상기 본체부의 하단에 레이저빔(Laser beam)을 가하여 상기 중앙홀이 외부로 개방되도록 상기 하단부를 소정형상으로 절개함으로써 함몰부 및 접촉부를 구비한 팁부를 제조하는 단계;

   를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화산형 프로브의 제조방법.
5. 삭제
6. 제 4 항에 있어서, 상기 레이저빔으로 펨토 세컨드 레이저(Femto second laser)를 사용하는 것을 특징으로 하는 화산형 프로브의 제조방법.
7. 삭제
8. 제 4 항에 있어서, 상기 도전성 금속 재질로 구리(Cu), 텅스텐(W), 구리합금 및 텅스텐합금 중의 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 화산형 프로브의 제조방법.
9. 다층회로와 연결된 관통홀이 형성된 인쇄회로기판과 상기 관통홀에 삽입되어 하방으로 돌출된 탄성 재질의 전기적 접속핀과 상기 접속핀과 연결된 공간변환기와 상기 공간변환기 하부에 수직형으로 부착된 프로브와 상기 인쇄회로기판 및 공간변환기 상하부에 구비된 보강판을 구비하는 프로브카드에 있어서,

   상기 프로브는 소정의 도전성, 탄성 및 연성을 가진 재질의 시편을 프레스장치를 이용하여 절곡 가공함으로써 그릇형상으로 제조된 본체부 및 상기 본체부 단부에 레이저빔을 가하여 절개함으로써 함몰부 및 접촉부를 구비한 팁부로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화산형 프로브를 구비하는 프로브카드.
10. 제 9 항에 있어서, 상기 프로브는 가이드판에 형성된 가이드홀 내부에 상기 화산형 프로브를 위치시킨 후, 플립칩 본딩(Flip-chip bonding)에 의해서 공간변형기에 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 화산형 프로브를 구비하는 프로브카드.
11. 제 10 항에 있어서, 상기 가이드판에 형성된 가이드홈은 상기 공간변환기에 구비되는 패드와 서로 대응하는 위치에 구비되는 것을 특징으로 하는 화산형 프로브를 구비하는 프로브카드.