JP2003142189A - Ｉｃソケット用コンタクトピン - Google Patents
Ｉｃソケット用コンタクトピンInfo
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- JP2003142189A JP2003142189A JP2001339928A JP2001339928A JP2003142189A JP 2003142189 A JP2003142189 A JP 2003142189A JP 2001339928 A JP2001339928 A JP 2001339928A JP 2001339928 A JP2001339928 A JP 2001339928A JP 2003142189 A JP2003142189 A JP 2003142189A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極が狭ピッチ化した被検査物に対しても良
好に検査が行えるＩＣソケット用コンタクトピンを提供
する。 【解決手段】 基部３とプローブ７の間に弾性を生じさ
せるバネ部４が設けられたＩＣソケット用コンタクトピ
ン２において、コンタクトピン２の表面に下地としてＮ
ｉ−Ｐ合金が０．５〜１．５μｍの厚さに無電解めっき
されているＩＣソケット用コンタクトピン。 【効果】 下地にＮｉ−Ｐ合金が適度の厚さに無電解め
っきされているので、接点部となるプローブ先端が耐摩
耗性と耐食性に優れ、またバネ部が耐応力緩和特性に優
れる。従って、本発明のコンタクトピンによれば、プロ
ーブ先端が被検査物の電極と適正な圧力で良好に接触し
検査の信頼性が高い。前記信頼性はＮｉ−Ｐ合金のＰ量
を７〜９mass％に規定することで向上する。
好に検査が行えるＩＣソケット用コンタクトピンを提供
する。 【解決手段】 基部３とプローブ７の間に弾性を生じさ
せるバネ部４が設けられたＩＣソケット用コンタクトピ
ン２において、コンタクトピン２の表面に下地としてＮ
ｉ−Ｐ合金が０．５〜１．５μｍの厚さに無電解めっき
されているＩＣソケット用コンタクトピン。 【効果】 下地にＮｉ−Ｐ合金が適度の厚さに無電解め
っきされているので、接点部となるプローブ先端が耐摩
耗性と耐食性に優れ、またバネ部が耐応力緩和特性に優
れる。従って、本発明のコンタクトピンによれば、プロ
ーブ先端が被検査物の電極と適正な圧力で良好に接触し
検査の信頼性が高い。前記信頼性はＮｉ−Ｐ合金のＰ量
を７〜９mass％に規定することで向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩなどの電気
的特性の検査に用いられるＩＣソケット用コンタクトピ
ンの改良に関する。
的特性の検査に用いられるＩＣソケット用コンタクトピ
ンの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣソケットは、ベアチップのＩＣやＬ
ＳＩ、パッケージタイプのＩＣやＬＳＩなど（以下、被
検査物と総称する）の電気的特性を検査するための検査
器であり、その構造は、図１に示すように検査用回路が
配線された回路基板１上にコンタクトピン２がマトリッ
クス状に林立したものである。なお、図１ではコンタク
トピンは１本のみ示した。コンタクトピン２は、回路基
板１に接合される基部３、弾性を生じさせるバネ部４お
よびプローブ７からなり、プローブ７の先端８が被検査
物５の電極６と接触する。コンタクトピン２は、金属板
材から、プレス加工やエッチングにより一体に成形され
る。
ＳＩ、パッケージタイプのＩＣやＬＳＩなど（以下、被
検査物と総称する）の電気的特性を検査するための検査
器であり、その構造は、図１に示すように検査用回路が
配線された回路基板１上にコンタクトピン２がマトリッ
クス状に林立したものである。なお、図１ではコンタク
トピンは１本のみ示した。コンタクトピン２は、回路基
板１に接合される基部３、弾性を生じさせるバネ部４お
よびプローブ７からなり、プローブ７の先端８が被検査
物５の電極６と接触する。コンタクトピン２は、金属板
材から、プレス加工やエッチングにより一体に成形され
る。
【０００３】前記ＩＣソケットによる検査は、通常バー
ンインテストにより行われる。このテストは、プローブ
７上方に配した被検査物５を降下・上昇させて、被検査
物５の電極６とプローブ先端（接点部）８との間で触・
離を繰り返させて行われる。ここで、被検査物が降下し
て電極６がプローブ先端８に接触する都度バネ部４が弾
性変形する。テストは１００〜１５０℃の温度で、累計
数百〜数千時間行われる。各電極６下面の高さの不揃い
と、各プローブ先端８の高さの不揃いは、接触後にコン
タクトピン２のバネ部４が弾性変形することにより吸収
され、対をなす電極６とプローブ先端８とは各々ほぼ一
定の圧力で接触する。
ンインテストにより行われる。このテストは、プローブ
７上方に配した被検査物５を降下・上昇させて、被検査
物５の電極６とプローブ先端（接点部）８との間で触・
離を繰り返させて行われる。ここで、被検査物が降下し
て電極６がプローブ先端８に接触する都度バネ部４が弾
性変形する。テストは１００〜１５０℃の温度で、累計
数百〜数千時間行われる。各電極６下面の高さの不揃い
と、各プローブ先端８の高さの不揃いは、接触後にコン
タクトピン２のバネ部４が弾性変形することにより吸収
され、対をなす電極６とプローブ先端８とは各々ほぼ一
定の圧力で接触する。
【０００４】ところで、近年、各種電気・電子機器の小
型化、軽量化、多機能化を目的にＬＳＩなどの高密度実
装が進展し、それに応じて下面に端子となるボール電極
（ＢＧＡタイプ）或いはランド（ＬＧＡタイプ）をアレ
イ状またはマトリックス状に配列したＬＳＩなどが普及
し、前記ボール電極またはランド（以下、電極と総称す
る）は、その間隔が０．５ｍｍ程度にまで狭ピッチ化
し、それに伴いコンタクトピン２は細片化された。
型化、軽量化、多機能化を目的にＬＳＩなどの高密度実
装が進展し、それに応じて下面に端子となるボール電極
（ＢＧＡタイプ）或いはランド（ＬＧＡタイプ）をアレ
イ状またはマトリックス状に配列したＬＳＩなどが普及
し、前記ボール電極またはランド（以下、電極と総称す
る）は、その間隔が０．５ｍｍ程度にまで狭ピッチ化
し、それに伴いコンタクトピン２は細片化された。
【０００５】従来より、前記コンタクトピン２のプロー
ブ７と基部３には、それぞれ電極６との接触性或いは基
板１との接合性（半田付け性など）を良好にするためＡ
ｕが部分めっきされていたが、前述のようにコンタクト
ピン２が細片化されたため、部分めっきが困難になり、
コンタクトピン２全体がめっきされるようになった。そ
して、前記めっきは、従来、下地のＮｉ−Ｐ合金上にＡ
ｕが共に電気めっきにより施されていたが、コンタクト
ピン全体がめっきされるようになったため下地めっきは
低コストの無電解めっきにより行われるようになった。
ブ７と基部３には、それぞれ電極６との接触性或いは基
板１との接合性（半田付け性など）を良好にするためＡ
ｕが部分めっきされていたが、前述のようにコンタクト
ピン２が細片化されたため、部分めっきが困難になり、
コンタクトピン２全体がめっきされるようになった。そ
して、前記めっきは、従来、下地のＮｉ−Ｐ合金上にＡ
ｕが共に電気めっきにより施されていたが、コンタクト
ピン全体がめっきされるようになったため下地めっきは
低コストの無電解めっきにより行われるようになった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、下地にＮｉ−
Ｐ合金を無電解めっきしたコンタクトピンは、バーンイ
ンテストを行ったとき、応力緩和を起こして、電極との
間の接触抵抗が増加し、検査の信頼性が低下するという
問題があった。このため、本発明者等は、前記応力緩和
の発生原因について探究し、前記応力緩和は下地めっき
がある厚さに達するとコンタクトピンのバネ部が塑性変
形して起きること、このときの塑性変形量は下地めっき
の厚さとともに増加することを知見し、さらに検討を重
ねて本発明を完成させるに至った。本発明の目的は、Ｌ
ＳＩなどの被検査物を高い信頼性で検査できるＩＣソケ
ット用コンタクトピンを提供することにある。
Ｐ合金を無電解めっきしたコンタクトピンは、バーンイ
ンテストを行ったとき、応力緩和を起こして、電極との
間の接触抵抗が増加し、検査の信頼性が低下するという
問題があった。このため、本発明者等は、前記応力緩和
の発生原因について探究し、前記応力緩和は下地めっき
がある厚さに達するとコンタクトピンのバネ部が塑性変
形して起きること、このときの塑性変形量は下地めっき
の厚さとともに増加することを知見し、さらに検討を重
ねて本発明を完成させるに至った。本発明の目的は、Ｌ
ＳＩなどの被検査物を高い信頼性で検査できるＩＣソケ
ット用コンタクトピンを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基部とプローブの間に弾性を生じさせるバネ部が設けら
れたＩＣソケット用コンタクトピンにおいて、前記コン
タクトピンの表面に下地としてＮｉ−Ｐ合金が０．５〜
１．５μｍの厚さに無電解めっきされていることを特徴
とするＩＣソケット用コンタクトピンである。
基部とプローブの間に弾性を生じさせるバネ部が設けら
れたＩＣソケット用コンタクトピンにおいて、前記コン
タクトピンの表面に下地としてＮｉ−Ｐ合金が０．５〜
１．５μｍの厚さに無電解めっきされていることを特徴
とするＩＣソケット用コンタクトピンである。
【０００８】請求項２記載の発明は、前記Ｎｉ−Ｐ合金
のＰの含有量が７〜９mass％であることを特徴とする請
求項１記載のＩＣソケット用コンタクトピンである。
のＰの含有量が７〜９mass％であることを特徴とする請
求項１記載のＩＣソケット用コンタクトピンである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明は、下地にＮｉ−Ｐ合金を
無電解めっきしたコンタクトピンの応力緩和を、前記下
地めっきの厚さを規定することにより改良したＩＣソケ
ット用コンタクトピンである。本発明において、前記コ
ンタクトピンには、バネ弾性が劣化し難い任意の金属材
料が用いられるが、特にＣｕ−Ｂｅ系合金やＣｕ−Ｔｉ
系合金は加工性および成形性に優れ好適である。
無電解めっきしたコンタクトピンの応力緩和を、前記下
地めっきの厚さを規定することにより改良したＩＣソケ
ット用コンタクトピンである。本発明において、前記コ
ンタクトピンには、バネ弾性が劣化し難い任意の金属材
料が用いられるが、特にＣｕ−Ｂｅ系合金やＣｕ−Ｔｉ
系合金は加工性および成形性に優れ好適である。
【００１０】本発明において、Ｎｉ−Ｐ合金の下地めっ
きはコンタクトピンの耐摩耗性および耐食性を高める。
コンタクトピンのプローブ先端は、テスト中、電極と衝
撃的に接触するため摩耗し易く、プローブ先端には耐摩
耗性が要求される。また耐食性も接触性を良好に保つう
えで欠かせない特性である。前記下地めっき上にはＡ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔなどの貴金属がめっきされ、接触性およ
び耐食性が高められる。
きはコンタクトピンの耐摩耗性および耐食性を高める。
コンタクトピンのプローブ先端は、テスト中、電極と衝
撃的に接触するため摩耗し易く、プローブ先端には耐摩
耗性が要求される。また耐食性も接触性を良好に保つう
えで欠かせない特性である。前記下地めっき上にはＡ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔなどの貴金属がめっきされ、接触性およ
び耐食性が高められる。
【００１１】本発明において、前記Ｎｉ−Ｐ合金の下地
めっき厚さを０．５〜１．５μｍに規定する理由は、
０．５μｍ未満では十分な耐摩耗性および耐食性が得ら
れず、１．５μｍを超えると、バネ部の塑性変形量が増
大して、耐応力緩和特性が無視し得ないほど低下するた
めである。耐応力緩和特性が低下すると、プローブ先端
の高さが低くなり、電極の降下距離が一定の場合は、電
極がプローブ先端を押し下げる距離が短くなり、その結
果プローブ先端と電極間の接触圧力の低下、つまり接触
抵抗の増加が起きる。
めっき厚さを０．５〜１．５μｍに規定する理由は、
０．５μｍ未満では十分な耐摩耗性および耐食性が得ら
れず、１．５μｍを超えると、バネ部の塑性変形量が増
大して、耐応力緩和特性が無視し得ないほど低下するた
めである。耐応力緩和特性が低下すると、プローブ先端
の高さが低くなり、電極の降下距離が一定の場合は、電
極がプローブ先端を押し下げる距離が短くなり、その結
果プローブ先端と電極間の接触圧力の低下、つまり接触
抵抗の増加が起きる。
【００１２】本発明において、Ｎｉ−Ｐ合金（下地めっ
き）のＰの含有量が７mass％未満では十分な耐摩耗性が
得られなくなる場合があり、９mass％を超えると下地め
っきの硬さが増して、めっき厚さが薄い段階で塑性変形
が起きてしまう。このためＮｉ−Ｐ合金のＰの含有量は
７〜９mass％が望ましい。
き）のＰの含有量が７mass％未満では十分な耐摩耗性が
得られなくなる場合があり、９mass％を超えると下地め
っきの硬さが増して、めっき厚さが薄い段階で塑性変形
が起きてしまう。このためＮｉ−Ｐ合金のＰの含有量は
７〜９mass％が望ましい。
【００１３】
【実施例】以下に本発明を実施例により詳細に説明す
る。 （実施例１）ベリリウム銅板をプレス加工してコンタク
トピンを成形し、表面洗浄後、このコンタクトピンの全
面に、下地としてＮｉ−Ｐ合金（リン含有量７〜９mass
％の中リンタイプ）を無電解めっきし、その上にＡｕを
０．３〜０．６μｍの厚さに電気めっきした。下地めっ
きの厚さは本発明規定値内で種々に変化させた。次いで
前記めっき後のコンタクトピンを用いて図１に示したの
と同じ形状のＩＣソケットを組立てた。コンタクトピン
２の基部３と回路基板１とは半田接合した。
る。 （実施例１）ベリリウム銅板をプレス加工してコンタク
トピンを成形し、表面洗浄後、このコンタクトピンの全
面に、下地としてＮｉ−Ｐ合金（リン含有量７〜９mass
％の中リンタイプ）を無電解めっきし、その上にＡｕを
０．３〜０．６μｍの厚さに電気めっきした。下地めっ
きの厚さは本発明規定値内で種々に変化させた。次いで
前記めっき後のコンタクトピンを用いて図１に示したの
と同じ形状のＩＣソケットを組立てた。コンタクトピン
２の基部３と回路基板１とは半田接合した。
【００１４】（実施例２）下地めっき（Ｎｉ−Ｐ合金）
のＰの含有量を６mass％または１０mass％とした他は、
実施例１と同じ方法によりＩＣソケットを組立てた。
のＰの含有量を６mass％または１０mass％とした他は、
実施例１と同じ方法によりＩＣソケットを組立てた。
【００１５】（比較例１）下地めっき（Ｎｉ−Ｐ合金）
の厚さを本発明規定値外とした他は、実施例１と同じ方
法によりＩＣソケットを組立てた。実施例１、２、比較
例１のそれぞれのめっき条件を表１に示す。
の厚さを本発明規定値外とした他は、実施例１と同じ方
法によりＩＣソケットを組立てた。実施例１、２、比較
例１のそれぞれのめっき条件を表１に示す。
【００１６】実施例１、２および比較例１で組立てた各
々のＩＣソケットについて、バーンインテストを行っ
た。前記テストは、コンタクトピンのバネ部に負荷を掛
けた状態で１２５℃の温度に２４時間保持し、次いで室
温でバネ部に２０００回の繰り返し負荷を付与するサイ
クルを３回繰り返す条件で行った。
々のＩＣソケットについて、バーンインテストを行っ
た。前記テストは、コンタクトピンのバネ部に負荷を掛
けた状態で１２５℃の温度に２４時間保持し、次いで室
温でバネ部に２０００回の繰り返し負荷を付与するサイ
クルを３回繰り返す条件で行った。
【００１７】次に、バーンインテスト後の各ＩＣソケッ
ト（コンタクトピン数各１００本）について、下記特性
を調べ、評価した。コンタクトピンは全数を調査した。 （１）耐応力緩和特性：プローブ先端の高さをテストの
前後で測定し、その差（低下量）の平均値が２０μｍ未
満のものは極めて良好（◎）、２０〜６０μｍのものは
良好（○）、６０μｍ超のものは不良（×）と評価し
た。 （２）プローブ先端の接触抵抗：被検査物を徐々に降下
させて電極を各プローブ先端に接触させ、その後、さら
に０．３ｍｍ降下させて接触抵抗を測定し、その平均値
が４０ｍΩ未満のときは接触抵抗が小さく極めて良好
（◎）、４０〜１００ｍΩのときは良好（○）、１００
ｍΩ超のときは不良（×）と評価した。各コンタクトピ
ンには同じ電極を接触させた。 （３）ＩＣソケットの信頼性：被検査物を０．５ｍｍ押
し下げた状態で、対をなすプローブ先端と電極間の接触
抵抗を測定した。コンタクトピンの全数が接触抵抗１０
０ｍΩ未満のときは信頼性が極めて高い（◎）、１００
〜７００ｍΩのときは信頼性が良好（○）、７００ｍΩ
を超えるものが１本でもあれば信頼性が低い（×）と評
価した。 なお、下地めっきおよびＡｕめっきの厚さは蛍光Ｘ線測
定器により測定した。結果を表１に併記する。
ト（コンタクトピン数各１００本）について、下記特性
を調べ、評価した。コンタクトピンは全数を調査した。 （１）耐応力緩和特性：プローブ先端の高さをテストの
前後で測定し、その差（低下量）の平均値が２０μｍ未
満のものは極めて良好（◎）、２０〜６０μｍのものは
良好（○）、６０μｍ超のものは不良（×）と評価し
た。 （２）プローブ先端の接触抵抗：被検査物を徐々に降下
させて電極を各プローブ先端に接触させ、その後、さら
に０．３ｍｍ降下させて接触抵抗を測定し、その平均値
が４０ｍΩ未満のときは接触抵抗が小さく極めて良好
（◎）、４０〜１００ｍΩのときは良好（○）、１００
ｍΩ超のときは不良（×）と評価した。各コンタクトピ
ンには同じ電極を接触させた。 （３）ＩＣソケットの信頼性：被検査物を０．５ｍｍ押
し下げた状態で、対をなすプローブ先端と電極間の接触
抵抗を測定した。コンタクトピンの全数が接触抵抗１０
０ｍΩ未満のときは信頼性が極めて高い（◎）、１００
〜７００ｍΩのときは信頼性が良好（○）、７００ｍΩ
を超えるものが１本でもあれば信頼性が低い（×）と評
価した。 なお、下地めっきおよびＡｕめっきの厚さは蛍光Ｘ線測
定器により測定した。結果を表１に併記する。
【００１８】
【表１】
【００１９】表１から明らかなように、本発明例のコン
タクトピン（Ｎｏ．１〜６）はいずれも、下地めっき厚
さが１．５μｍ以下のため耐応力緩和特性が良好であ
り、また下地めっき厚さが０．５μｍ以上のためプロー
ブ先端の接触抵抗が小さく、従って本発明のＩＣソケッ
トは信頼性に優れた。特に下地めっきのＰの含有量が７
〜９mass％のものは極めて優れた。一方、比較例のＮ
ｏ．７は下地めっきが薄かったため耐摩耗性および耐食
性が劣りプローブ先端の接触抵抗が大きくなった。Ｎ
ｏ．８は下地めっきが厚かったため耐応力緩和特性が低
下した。このためいずれも検査の信頼性が劣った。
タクトピン（Ｎｏ．１〜６）はいずれも、下地めっき厚
さが１．５μｍ以下のため耐応力緩和特性が良好であ
り、また下地めっき厚さが０．５μｍ以上のためプロー
ブ先端の接触抵抗が小さく、従って本発明のＩＣソケッ
トは信頼性に優れた。特に下地めっきのＰの含有量が７
〜９mass％のものは極めて優れた。一方、比較例のＮ
ｏ．７は下地めっきが薄かったため耐摩耗性および耐食
性が劣りプローブ先端の接触抵抗が大きくなった。Ｎ
ｏ．８は下地めっきが厚かったため耐応力緩和特性が低
下した。このためいずれも検査の信頼性が劣った。
【００２０】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明のＩＣソ
ケット用コンタクトピンは、下地にＮｉ−Ｐ合金が適度
の厚さに無電解めっきされているので、接点部となるプ
ローブ先端が耐摩耗性と耐食性に優れ、またバネ部が耐
応力緩和特性に優れる。従って、本発明のコンタクトピ
ンによれば、プローブ先端が被検査物の電極と適正な圧
力で良好に接触し検査の信頼性が高い。前記信頼性はＮ
ｉ−Ｐ合金のＰ量を７〜９mass％に規定することで向上
する。依って、工業上顕著な効果を奏する。
ケット用コンタクトピンは、下地にＮｉ−Ｐ合金が適度
の厚さに無電解めっきされているので、接点部となるプ
ローブ先端が耐摩耗性と耐食性に優れ、またバネ部が耐
応力緩和特性に優れる。従って、本発明のコンタクトピ
ンによれば、プローブ先端が被検査物の電極と適正な圧
力で良好に接触し検査の信頼性が高い。前記信頼性はＮ
ｉ−Ｐ合金のＰ量を７〜９mass％に規定することで向上
する。依って、工業上顕著な効果を奏する。
【図１】ＩＣソケット用コンタクトピンの側面説明図で
ある。
ある。
１ 検査用回路が配線された回路基板
２ コンタクトピン
３ コンタクトピンの基部
４ コンタクトピンのバネ部
５ 被検査物
６ 被検査物の電極
７ コンタクトピンのプローブ
８ プローブ先端（接点部）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AC01 AG01 AG12
2G011 AA02 AA16 AB01 AC14 AE02
AF02
Claims (2)
- 【請求項１】 基部とプローブの間に弾性を生じさせる
バネ部が設けられたＩＣソケット用コンタクトピンにお
いて、前記コンタクトピンの表面に下地としてＮｉ−Ｐ
合金が０．５〜１．５μｍの厚さに無電解めっきされて
いることを特徴とするＩＣソケット用コンタクトピン。 - 【請求項２】 前記Ｎｉ−Ｐ合金のＰの含有量が７〜９
mass％であることを特徴とする請求項１記載のＩＣソケ
ット用コンタクトピン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001339928A JP2003142189A (ja) | 2001-11-05 | 2001-11-05 | Ｉｃソケット用コンタクトピン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001339928A JP2003142189A (ja) | 2001-11-05 | 2001-11-05 | Ｉｃソケット用コンタクトピン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003142189A true JP2003142189A (ja) | 2003-05-16 |
Family
ID=19154204
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001339928A Pending JP2003142189A (ja) | 2001-11-05 | 2001-11-05 | Ｉｃソケット用コンタクトピン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003142189A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005032708A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-02-03 | Alps Electric Co Ltd | 接続装置及びその製造方法 |
| JP2006228743A (ja) * | 2003-06-20 | 2006-08-31 | Alps Electric Co Ltd | 接続装置 |
| JP2006337229A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Micronics Japan Co Ltd | 通電試験用プローブ |
| WO2012173243A1 (ja) * | 2011-06-15 | 2012-12-20 | 株式会社神戸製鋼所 | 電気的接点部材 |
| KR101282325B1 (ko) | 2012-05-23 | 2013-07-04 | (주)마이크로컨텍솔루션 | 엘지에이 패키지용 콘택트 핀 |
| WO2016158568A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 株式会社エンプラス | 電気接触子及び電気部品用ソケット |
| JP2016192303A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 株式会社エンプラス | 電気接触子及び電気部品用ソケット |
| JP6221031B1 (ja) * | 2016-12-16 | 2017-11-01 | 日本電産リード株式会社 | コンタクトプローブ及び電気接続治具 |
| CN108931673A (zh) * | 2017-05-25 | 2018-12-04 | 日本电产理德股份有限公司 | 接触探针 |
-
2001
- 2001-11-05 JP JP2001339928A patent/JP2003142189A/ja active Pending
Cited By (23)
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