JP3204090B2 - 半導体チップテスト用コンタクトピン - Google Patents
半導体チップテスト用コンタクトピンInfo
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- JP3204090B2 JP3204090B2 JP12857096A JP12857096A JP3204090B2 JP 3204090 B2 JP3204090 B2 JP 3204090B2 JP 12857096 A JP12857096 A JP 12857096A JP 12857096 A JP12857096 A JP 12857096A JP 3204090 B2 JP3204090 B2 JP 3204090B2
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- Japan
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- resin film
- alloy
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣチップやＬ
ＳＩチップなどの半導体チップの各端子に接触させて電
気的なテストを行うためのコンタクトピンに関するもの
である。
ＳＩチップなどの半導体チップの各端子に接触させて電
気的なテストを行うためのコンタクトピンに関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＩＣチップやＬＳＩチップなどの
半導体チップの電気的なテストを行うには、コンタクト
ピンが用いられることが知られており、このコンタクト
ピンは、図５の斜視図に示されるように、ポリイミド樹
脂フィルム５の片面に、ＮｉまたはＮｉ合金にＡｕメッ
キされた金属で構成されているピン４の一部およびそれ
に連なる引き出し用配線（図５には図示せず）を張り付
けた構造になっており、ポリイミド樹脂フィルム５の端
部からピン４の一部が突出している。さらに位置合わせ
穴９も設けられている。
半導体チップの電気的なテストを行うには、コンタクト
ピンが用いられることが知られており、このコンタクト
ピンは、図５の斜視図に示されるように、ポリイミド樹
脂フィルム５の片面に、ＮｉまたはＮｉ合金にＡｕメッ
キされた金属で構成されているピン４の一部およびそれ
に連なる引き出し用配線（図５には図示せず）を張り付
けた構造になっており、ポリイミド樹脂フィルム５の端
部からピン４の一部が突出している。さらに位置合わせ
穴９も設けられている。
【０００３】このコンタクトピン１０´は、通常、図６
の断面説明図（ａ）〜（ｈ´）に示される工程で作製さ
れる。即ち、ステンレス製の支持金属板６の上に、Ｃｕ
のベースメタル層１を形成し、このベースメタル層１上
にフォトレジスト層２を形成し（図６（ａ））、このフ
ォトレジスト層２に所定のパターンのマスク３を施して
露光し（図６（ｂ））、フォトレジスト層２を現像して
コンタクトピン４となる部分を除去して残存するフォト
レジスト層２に開口部２ａを形成し（図６（ｃ））、こ
の開口部２ａにピン４となるＮｉ層をメッキ処理により
形成し（図６（ｄ））、フォトレジスト層２を除去し
（図６（ｅ））、ＮｉまたはＮｉ合金層の上にピン４の
先端部となる部分以外に樹脂フィルム５を接着剤５ａを
介して接着し（図６（ｆ´））、ついで、樹脂フィルム
５とピン４とベースメタル層１からなる部分を支持金属
板６から分離して（図６（ｇ´））、ピン４に樹脂フィ
ルム５を接着したコンタクトピン１０´を作製する（図
６（ｈ´））。
の断面説明図（ａ）〜（ｈ´）に示される工程で作製さ
れる。即ち、ステンレス製の支持金属板６の上に、Ｃｕ
のベースメタル層１を形成し、このベースメタル層１上
にフォトレジスト層２を形成し（図６（ａ））、このフ
ォトレジスト層２に所定のパターンのマスク３を施して
露光し（図６（ｂ））、フォトレジスト層２を現像して
コンタクトピン４となる部分を除去して残存するフォト
レジスト層２に開口部２ａを形成し（図６（ｃ））、こ
の開口部２ａにピン４となるＮｉ層をメッキ処理により
形成し（図６（ｄ））、フォトレジスト層２を除去し
（図６（ｅ））、ＮｉまたはＮｉ合金層の上にピン４の
先端部となる部分以外に樹脂フィルム５を接着剤５ａを
介して接着し（図６（ｆ´））、ついで、樹脂フィルム
５とピン４とベースメタル層１からなる部分を支持金属
板６から分離して（図６（ｇ´））、ピン４に樹脂フィ
ルム５を接着したコンタクトピン１０´を作製する（図
６（ｈ´））。
【０００４】このようにして得られたコンタクトピン１
０´の全体の平面図を図７に示し、さらに、図７のＣ−
Ｃ断面図を図８に示した。図７および図８に示に示され
るように、コンタクトピン１０´にはコンタクトピン１
０´を固定するための孔１８が設けられており、さらに
樹脂フィルム５にはピン４から得られた信号を引き出し
用配線７を介してプリント基板１７に伝えるための窓１
９が設けられている。
０´の全体の平面図を図７に示し、さらに、図７のＣ−
Ｃ断面図を図８に示した。図７および図８に示に示され
るように、コンタクトピン１０´にはコンタクトピン１
０´を固定するための孔１８が設けられており、さらに
樹脂フィルム５にはピン４から得られた信号を引き出し
用配線７を介してプリント基板１７に伝えるための窓１
９が設けられている。
【０００５】前記コンタクトピンを用いてＩＣチップや
ＬＳＩチップなどの半導体チップを電気的なテストを行
うために、コンタクトピン１０´をセットしてメカニカ
ルピース２０に組み立てるための方法を図９を用いてさ
らに具体的に説明する。まず、プリント基板１７の上に
トップクランプ１６を取り付ける。つぎにコンタクトピ
ン１０´を取り付けたクランプ１２をトップクランプ１
６にボルト穴１１にボルトを通して取り付ける。最後に
額縁形状のボトムクランプ１５でコンタクトピン１０´
を押さえ込むことによりピン４を傾斜状態に保ち、コン
タクトピン１０´の先端に突出しているピン４をチップ
に押しつける。図１０は、組み立て終了後の一部斜視図
を示す。
ＬＳＩチップなどの半導体チップを電気的なテストを行
うために、コンタクトピン１０´をセットしてメカニカ
ルピース２０に組み立てるための方法を図９を用いてさ
らに具体的に説明する。まず、プリント基板１７の上に
トップクランプ１６を取り付ける。つぎにコンタクトピ
ン１０´を取り付けたクランプ１２をトップクランプ１
６にボルト穴１１にボルトを通して取り付ける。最後に
額縁形状のボトムクランプ１５でコンタクトピン１０´
を押さえ込むことによりピン４を傾斜状態に保ち、コン
タクトピン１０´の先端に突出しているピン４をチップ
に押しつける。図１０は、組み立て終了後の一部斜視図
を示す。
【０００６】さらに図１０のＥ−Ｅ断面面を図１１に示
した。図１１に示されるように、ピン４の先端をクラン
プ１２によってチップ１３に接触させている。前記クラ
ンプ１２にはコンタクトピン１０´の接触圧および位置
を調整するための位置決めピン１４が設けられており、
この位置決めピン１４をコンタクトピン１０´に設けら
れた位置合わせ穴９に挿入し、コンタクトピン１０´の
ピン４とチップ１３とを正確に位置合わせすることがで
きるようになっている。コンタクトピン１０´に設けら
れた窓１９の部分のピン４に、ボトムクランプ１５の弾
性体２２を押し付けて配線７をプリント基板１７の電極
２１に接触させ、ピン４から得られた信号をプリント基
板１７の電極２１を通して外部に伝えることができるよ
うになっている。
した。図１１に示されるように、ピン４の先端をクラン
プ１２によってチップ１３に接触させている。前記クラ
ンプ１２にはコンタクトピン１０´の接触圧および位置
を調整するための位置決めピン１４が設けられており、
この位置決めピン１４をコンタクトピン１０´に設けら
れた位置合わせ穴９に挿入し、コンタクトピン１０´の
ピン４とチップ１３とを正確に位置合わせすることがで
きるようになっている。コンタクトピン１０´に設けら
れた窓１９の部分のピン４に、ボトムクランプ１５の弾
性体２２を押し付けて配線７をプリント基板１７の電極
２１に接触させ、ピン４から得られた信号をプリント基
板１７の電極２１を通して外部に伝えることができるよ
うになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記従来のコンタクト
ピン１０´は、図７のＣ−Ｃ断面図である図８に示され
るように、ＮｉまたはＮｉ合金にＡｕメッキされた金属
で構成されているピン４およびそれに連なる引き出し用
配線７をポリイミド樹脂フィルム５の片面に張り付けた
構造になっているが、ポリイミド樹脂フィルム５は水分
を吸収して伸びが生じ、そのために従来のコンタクトピ
ン１０´は、図５のＢ方向から見た正面図の図１２に示
されるように、ピン４とピン４の間の間隔ｔが変化し、
そのためにピン４の先端部部分が正確に半導体チップの
所定の位置に接触させることができず、正確な電気的な
テストを行うことができなかった。さらにコンタクトピ
ンには位置合わせ穴９が設けられているが、この位置合
わせ穴９は硬さの小さいポリイミド樹脂フィルム５に設
けられているために位置合わせ穴が変形しやすく、した
がって、正確なコンタクトピンの位置合わせができなか
った。
ピン１０´は、図７のＣ−Ｃ断面図である図８に示され
るように、ＮｉまたはＮｉ合金にＡｕメッキされた金属
で構成されているピン４およびそれに連なる引き出し用
配線７をポリイミド樹脂フィルム５の片面に張り付けた
構造になっているが、ポリイミド樹脂フィルム５は水分
を吸収して伸びが生じ、そのために従来のコンタクトピ
ン１０´は、図５のＢ方向から見た正面図の図１２に示
されるように、ピン４とピン４の間の間隔ｔが変化し、
そのためにピン４の先端部部分が正確に半導体チップの
所定の位置に接触させることができず、正確な電気的な
テストを行うことができなかった。さらにコンタクトピ
ンには位置合わせ穴９が設けられているが、この位置合
わせ穴９は硬さの小さいポリイミド樹脂フィルム５に設
けられているために位置合わせ穴が変形しやすく、した
がって、正確なコンタクトピンの位置合わせができなか
った。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
かかる課題を解決すべく研究を行った結果、図１の斜視
図に示されるように、従来のメッキ処理により形成され
たＮｉまたはＮｉ合金製ピン４の先端部の一部がポリイ
ミド樹脂フィルム５から突出するようにかつメッキ処理
により形成されたＮｉまたはＮｉ合金製ピン４およびそ
れに連なる引き出し用配線（図１には図示せず）をポリ
イミド樹脂フィルムに張り付けてなる従来の半導体チッ
プテスト用コンタクトピンのポリイミド樹脂フィルム５
側に、さらにＣｕ合金フィルム８をに張り付けると、得
られたコンタクトピン１０は、ポリイミド樹脂フィルム
５とメッキ処理により形成されたＮｉまたはＮｉ合金製
ピン４からなる図５の斜視図に示される従来のコンタク
トピン１０´よりもピン４とピン４の間の間隔ｔの変化
が少なく、さらに半導体チップテスト用コンタクトピン
の位置合わせ穴９は、従来の半導体チップテスト用コン
タクトピンの位置合わせ穴９よりも位置合わせピン１４
を正確に挿入することができ、もって、正確にコンタク
トピンのピン先端部を半導体チップに接触させることが
できるという知見を得たのである。
かかる課題を解決すべく研究を行った結果、図１の斜視
図に示されるように、従来のメッキ処理により形成され
たＮｉまたはＮｉ合金製ピン４の先端部の一部がポリイ
ミド樹脂フィルム５から突出するようにかつメッキ処理
により形成されたＮｉまたはＮｉ合金製ピン４およびそ
れに連なる引き出し用配線（図１には図示せず）をポリ
イミド樹脂フィルムに張り付けてなる従来の半導体チッ
プテスト用コンタクトピンのポリイミド樹脂フィルム５
側に、さらにＣｕ合金フィルム８をに張り付けると、得
られたコンタクトピン１０は、ポリイミド樹脂フィルム
５とメッキ処理により形成されたＮｉまたはＮｉ合金製
ピン４からなる図５の斜視図に示される従来のコンタク
トピン１０´よりもピン４とピン４の間の間隔ｔの変化
が少なく、さらに半導体チップテスト用コンタクトピン
の位置合わせ穴９は、従来の半導体チップテスト用コン
タクトピンの位置合わせ穴９よりも位置合わせピン１４
を正確に挿入することができ、もって、正確にコンタク
トピンのピン先端部を半導体チップに接触させることが
できるという知見を得たのである。
【０００９】この発明は、かかる知見に基づいてなされ
たものであって、この発明のコンタクトピン１０の斜視
図である図１および図１のＡ−Ａ断面図である図２に示
されるように、ポリイミド樹脂フィルム５およびＣｕ合
金フィルム８からなる複合フィルムのポリイミド樹脂フ
ィルム５側に、メッキ処理により形成されたＮｉまたは
Ｎｉ合金製ピン４の先端部の一部がポリイミド樹脂フィ
ルム５から突出するように、かつピン４およびそれに連
なる引き出し用配線７を複合フィルムのポリイミド樹脂
フィルム５側の面に張り付けてなる構造の半導体チップ
テスト用コンタクトピンに特徴を有するものである。
たものであって、この発明のコンタクトピン１０の斜視
図である図１および図１のＡ−Ａ断面図である図２に示
されるように、ポリイミド樹脂フィルム５およびＣｕ合
金フィルム８からなる複合フィルムのポリイミド樹脂フ
ィルム５側に、メッキ処理により形成されたＮｉまたは
Ｎｉ合金製ピン４の先端部の一部がポリイミド樹脂フィ
ルム５から突出するように、かつピン４およびそれに連
なる引き出し用配線７を複合フィルムのポリイミド樹脂
フィルム５側の面に張り付けてなる構造の半導体チップ
テスト用コンタクトピンに特徴を有するものである。
【００１０】そしてこの発明の半導体チップテスト用コ
ンタクトピンを構成するメッキ処理により形成されたＮ
ｉまたはＮｉ合金製ピン４およびそれに連なるＮｉまた
はＮｉ合金製引き出し用配線７はＡｕメッキされてお
り、Ｃｕ合金フィルムはＡｕメッキされたＣｕ合金フィ
ルムからなることが好ましい。
ンタクトピンを構成するメッキ処理により形成されたＮ
ｉまたはＮｉ合金製ピン４およびそれに連なるＮｉまた
はＮｉ合金製引き出し用配線７はＡｕメッキされてお
り、Ｃｕ合金フィルムはＡｕメッキされたＣｕ合金フィ
ルムからなることが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】この発明のコンタクトピン１０
は、図３に示されるように、ステンレス製の支持金属板
６の上に、Ｃｕのベースメタル層１を形成し、このベー
スメタル層１上にフォトレジスト層２を形成し（図３
（ａ））、このフォトレジスト層２に所定のパターンの
マスク３を施して露光し（図３（ｂ））、フォトレジス
ト層２を現像してピン４となる部分を除去して残存する
フォトレジスト層２に開口部２ａを形成し（図３
（ｃ））、この開口部２ａにピン４となるＮｉ層をメッ
キ処理により形成し（図３（ｄ））、フォトレジスト層
２を除去する（図３（ｅ））。
は、図３に示されるように、ステンレス製の支持金属板
６の上に、Ｃｕのベースメタル層１を形成し、このベー
スメタル層１上にフォトレジスト層２を形成し（図３
（ａ））、このフォトレジスト層２に所定のパターンの
マスク３を施して露光し（図３（ｂ））、フォトレジス
ト層２を現像してピン４となる部分を除去して残存する
フォトレジスト層２に開口部２ａを形成し（図３
（ｃ））、この開口部２ａにピン４となるＮｉ層をメッ
キ処理により形成し（図３（ｄ））、フォトレジスト層
２を除去する（図３（ｅ））。
【００１２】ここまでは、従来のコンタクトピンの製造
方法と同じであるが、この発明のコンタクトピンの製造
方法では、Ｎｉ層の上にピン４の先端部分以外を樹脂フ
ィルム５およびＣｕ合金フィルム８からなる複合フィル
ムを接着剤５ａを介して接着し（図３（ｆ））、つい
で、樹脂フィルム５とピン４とベースメタル層１からな
る部分を支持金属板６から分離し（図３（ｇ））、ピン
４に樹脂フィルム５およびＣｕ合金フィルム８からなる
複合フィルムを接着したコンタクトピン１０を作製する
（図３（ｈ））。
方法と同じであるが、この発明のコンタクトピンの製造
方法では、Ｎｉ層の上にピン４の先端部分以外を樹脂フ
ィルム５およびＣｕ合金フィルム８からなる複合フィル
ムを接着剤５ａを介して接着し（図３（ｆ））、つい
で、樹脂フィルム５とピン４とベースメタル層１からな
る部分を支持金属板６から分離し（図３（ｇ））、ピン
４に樹脂フィルム５およびＣｕ合金フィルム８からなる
複合フィルムを接着したコンタクトピン１０を作製する
（図３（ｈ））。
【００１３】この発明のコンタクトピン１０は、図４の
断面図に示されるように、メッキ処理により形成された
ＮｉまたはＮｉ合金製ピン４の両面に前記ポリイミド樹
脂フィルム５およびＣｕ合金フィルム８からなる複合フ
ィルムを接着剤５ａを介して接着したものであっても良
い。この発明のコンタクトピン１０は、一体として作製
したのち、対角線に沿って切断することにより同時に４
個のコンタクトピンを作製することは従来と同じであ
り、さらにそのセット方法も従来と同じである。
断面図に示されるように、メッキ処理により形成された
ＮｉまたはＮｉ合金製ピン４の両面に前記ポリイミド樹
脂フィルム５およびＣｕ合金フィルム８からなる複合フ
ィルムを接着剤５ａを介して接着したものであっても良
い。この発明のコンタクトピン１０は、一体として作製
したのち、対角線に沿って切断することにより同時に４
個のコンタクトピンを作製することは従来と同じであ
り、さらにそのセット方法も従来と同じである。
【００１４】実施例 図３に示される方法で、常温で、ピッチ：１００μｍ、
ピン数：１００ピンのメッキ処理により形成されたＮｉ
製ピンを、厚さ：５０μｍのポリイミド樹脂フィルムお
よびベリリウム銅合金フィルムを張り付けた構造を有す
る両端のピン間距離：９．９００ｍｍの本発明コンタク
トピンを作製した。
ピン数：１００ピンのメッキ処理により形成されたＮｉ
製ピンを、厚さ：５０μｍのポリイミド樹脂フィルムお
よびベリリウム銅合金フィルムを張り付けた構造を有す
る両端のピン間距離：９．９００ｍｍの本発明コンタク
トピンを作製した。
【００１５】一方、比較のために、常温で幅：１００μ
ｍ、ピン数：１００ピンのメッキ処理により形成された
Ｎｉ製ピンを、厚さ：５０μｍのポリイミド樹脂フィル
ムを張り付けた構造を有する両端のピン間距離：９．９
００ｍｍの従来コンタクトピンを作製した。
ｍ、ピン数：１００ピンのメッキ処理により形成された
Ｎｉ製ピンを、厚さ：５０μｍのポリイミド樹脂フィル
ムを張り付けた構造を有する両端のピン間距離：９．９
００ｍｍの従来コンタクトピンを作製した。
【００１６】これら本発明コンタクトピンおよび従来コ
ンタクトピンを温度：２５℃、湿度：７０％の雰囲気に
３時間保持した後、本発明コンタクトピンおよび従来コ
ンタクトピンの両端のピン間距離を測定した結果、本発
明コンタクトピンの両端のピン間距離は９．８９７６ｍ
ｍであり、従来コンタクトピンの両端のピン間距離は
９．８７１２ｍｍであり、ベリリウム銅合金フィルムを
張り付けた構造の両端のピン間距離の変化は少ないこと
が分かる。
ンタクトピンを温度：２５℃、湿度：７０％の雰囲気に
３時間保持した後、本発明コンタクトピンおよび従来コ
ンタクトピンの両端のピン間距離を測定した結果、本発
明コンタクトピンの両端のピン間距離は９．８９７６ｍ
ｍであり、従来コンタクトピンの両端のピン間距離は
９．８７１２ｍｍであり、ベリリウム銅合金フィルムを
張り付けた構造の両端のピン間距離の変化は少ないこと
が分かる。
【００１７】
【発明の効果】上述のように、この発明のコンタクトピ
ンは、高温多湿の環境下にあってもコンタクトピンの両
端のピン間距離の変化が少なく、したがって、いかなる
環境下にあってもコンタクトピンのコンタクトピン先端
部を正確に半導体チップの所定の位置に正確に接触させ
ることができ、半導体チップの検査のミスが皆無になる
など半導体産業の発展に大いに貢献しうるものである。
ンは、高温多湿の環境下にあってもコンタクトピンの両
端のピン間距離の変化が少なく、したがって、いかなる
環境下にあってもコンタクトピンのコンタクトピン先端
部を正確に半導体チップの所定の位置に正確に接触させ
ることができ、半導体チップの検査のミスが皆無になる
など半導体産業の発展に大いに貢献しうるものである。
【図１】この発明のコンタクトピンの一部の斜視概略図
である。
である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】この発明のコンタクトピンの製造方法を示す概
略説明図である。
略説明図である。
【図４】この発明のコンタクトピンの他の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】従来のコンタクトピンの一部の斜視概略図であ
る。
る。
【図６】従来のコンタクトピンの製造方法を示す概略説
明図である。
明図である。
【図７】コンタクトピンの平面図である。
【図８】図７におけるＣ−Ｃ断面図である。
【図９】コンタクトピンをメカニカルピースに仕上げる
方法を示す概略斜視説明図である。
方法を示す概略斜視説明図である。
【図１０】コンタクトピンをメカニカルピースに仕上げ
た状態を示す概略斜視図である。
た状態を示す概略斜視図である。
【図１１】図１０のＥ−Ｅ断面図である。
【図１２】図５のＢ方向から見た正面図である。
１ ベースメタル層 ２ フォトレジスト層 ３ マスク ４ ＮｉまたはＮｉ合金製ピン ５ ポリイミド樹脂フィルム ６ 支持金属板 ７ 配線 ８ Ｃｕ合金フィルム ９ 位置合わせ穴 １０ コンタクトピン １０´ コンタクトピン １１ ボルト １２ クランプ １３ チップ １４ 位置決めピン １５ ボトムプクランプ １６ トップクランプ １７ プリント基板 １８ 孔 １９ 窓 ２０ メカニカルピース ２１ 電極 ２２ 弾性体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松田 厚 兵庫県三田市テクノパ−ク12−６ 三菱 マテリアル株式会社 三田工場内 (72)発明者 植木 光芳 兵庫県三田市テクノパ−ク12−６ 三菱 マテリアル株式会社 三田工場内 (72)発明者 吉田 秀昭 兵庫県三田市テクノパ−ク12−６ 三菱 マテリアル株式会社 三田工場内 (56)参考文献 特開 平７−321170（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−129387（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G01R 1/073 H01L 21/66
Claims (3)
- 【請求項１】 メッキ処理により形成されたＮｉまたは
Ｎｉ合金製ピンおよびそれに連なる引き出し用配線がポ
リイミド樹脂フィルムに張り付けられており、かつ前記
ＮｉまたはＮｉ合金製ピンの先端部の一部がポリイミド
樹脂フィルムから突出している構造の半導体チップテス
ト用コンタクトピンであって、前記半導体チップテスト
用コンタクトピンのポリイミド樹脂フィルム側に、さら
にＣｕ合金フィルムを張り付けてなることを特徴とする
半導体チップテスト用コンタクトピン。 - 【請求項２】 メッキ処理により形成されたＮｉまたは
Ｎｉ合金製ピンおよびそれに連なる引き出し用配線がポ
リイミド樹脂フィルムに張り付けられており、かつ前記
ＮｉまたはＮｉ合金製ピンの先端部の一部がポリイミド
樹脂フィルムから突出している構造の半導体チップテス
ト用コンタクトピンであって、前記ＮｉまたはＮｉ合金
製ピンの両面にポリイミド樹脂フィルムを形成し、さら
に前記両面のポリイミド樹脂フィルムの外側にさらにＣ
ｕ合金フィルムを張り付けてなることを特徴とする半導
体チップテスト用コンタクトピン。 - 【請求項３】 前記Ｃｕ合金フィルムは、Ｃｕ合金にＡ
ｕメッキした金属フィルムからなることを特徴とする請
求項１または２記載の半導体チップテスト用コンタクト
ピン。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12857096A JP3204090B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 半導体チップテスト用コンタクトピン |
| KR1019970020023A KR100471341B1 (ko) | 1996-05-23 | 1997-05-22 | 콘택트프로브및그것을구비한프로브장치 |
| US08/862,414 US20010019276A1 (en) | 1996-05-23 | 1997-05-23 | Contact probe and probe device |
| US10/076,508 US6710608B2 (en) | 1996-05-23 | 2002-02-19 | Contact probe and probe device |
| US10/776,326 US6900647B2 (en) | 1996-05-23 | 2004-02-12 | Contact probe and probe device |
| US10/903,012 US6917211B2 (en) | 1996-05-23 | 2004-08-02 | Contact probe and probe device |
| US10/902,861 US6937042B2 (en) | 1996-05-23 | 2004-08-02 | Contact probe and probe device |
| US10/902,859 US6919732B2 (en) | 1996-05-23 | 2004-08-02 | Contact probe and probe device |
| US10/902,860 US6903563B2 (en) | 1996-05-23 | 2004-08-02 | Contact probe and probe device |
| US10/902,779 US7015710B2 (en) | 1996-05-23 | 2004-08-02 | Contact probe and probe device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12857096A JP3204090B2 (ja) | 1996-05-23 | 1996-05-23 | 半導体チップテスト用コンタクトピン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09311142A JPH09311142A (ja) | 1997-12-02 |
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