JP3204090B2 - 半導体チップテスト用コンタクトピン - Google Patents
半導体チップテスト用コンタクトピンInfo
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Description
SIチップなどの半導体チップの各端子に接触させて電
気的なテストを行うためのコンタクトピンに関するもの
である。
半導体チップの電気的なテストを行うには、コンタクト
ピンが用いられることが知られており、このコンタクト
ピンは、図5の斜視図に示されるように、ポリイミド樹
脂フィルム5の片面に、NiまたはNi合金にAuメッ
キされた金属で構成されているピン4の一部およびそれ
に連なる引き出し用配線(図5には図示せず)を張り付
けた構造になっており、ポリイミド樹脂フィルム5の端
部からピン4の一部が突出している。さらに位置合わせ
穴9も設けられている。
の断面説明図(a)〜(h´)に示される工程で作製さ
れる。即ち、ステンレス製の支持金属板6の上に、Cu
のベースメタル層1を形成し、このベースメタル層1上
にフォトレジスト層2を形成し(図6(a))、このフ
ォトレジスト層2に所定のパターンのマスク3を施して
露光し(図6(b))、フォトレジスト層2を現像して
コンタクトピン4となる部分を除去して残存するフォト
レジスト層2に開口部2aを形成し(図6(c))、こ
の開口部2aにピン4となるNi層をメッキ処理により
形成し(図6(d))、フォトレジスト層2を除去し
(図6(e))、NiまたはNi合金層の上にピン4の
先端部となる部分以外に樹脂フィルム5を接着剤5aを
介して接着し(図6(f´))、ついで、樹脂フィルム
5とピン4とベースメタル層1からなる部分を支持金属
板6から分離して(図6(g´))、ピン4に樹脂フィ
ルム5を接着したコンタクトピン10´を作製する(図
6(h´))。
0´の全体の平面図を図7に示し、さらに、図7のC−
C断面図を図8に示した。図7および図8に示に示され
るように、コンタクトピン10´にはコンタクトピン1
0´を固定するための孔18が設けられており、さらに
樹脂フィルム5にはピン4から得られた信号を引き出し
用配線7を介してプリント基板17に伝えるための窓1
9が設けられている。
LSIチップなどの半導体チップを電気的なテストを行
うために、コンタクトピン10´をセットしてメカニカ
ルピース20に組み立てるための方法を図9を用いてさ
らに具体的に説明する。まず、プリント基板17の上に
トップクランプ16を取り付ける。つぎにコンタクトピ
ン10´を取り付けたクランプ12をトップクランプ1
6にボルト穴11にボルトを通して取り付ける。最後に
額縁形状のボトムクランプ15でコンタクトピン10´
を押さえ込むことによりピン4を傾斜状態に保ち、コン
タクトピン10´の先端に突出しているピン4をチップ
に押しつける。図10は、組み立て終了後の一部斜視図
を示す。
した。図11に示されるように、ピン4の先端をクラン
プ12によってチップ13に接触させている。前記クラ
ンプ12にはコンタクトピン10´の接触圧および位置
を調整するための位置決めピン14が設けられており、
この位置決めピン14をコンタクトピン10´に設けら
れた位置合わせ穴9に挿入し、コンタクトピン10´の
ピン4とチップ13とを正確に位置合わせすることがで
きるようになっている。コンタクトピン10´に設けら
れた窓19の部分のピン4に、ボトムクランプ15の弾
性体22を押し付けて配線7をプリント基板17の電極
21に接触させ、ピン4から得られた信号をプリント基
板17の電極21を通して外部に伝えることができるよ
うになっている。
ピン10´は、図7のC−C断面図である図8に示され
るように、NiまたはNi合金にAuメッキされた金属
で構成されているピン4およびそれに連なる引き出し用
配線7をポリイミド樹脂フィルム5の片面に張り付けた
構造になっているが、ポリイミド樹脂フィルム5は水分
を吸収して伸びが生じ、そのために従来のコンタクトピ
ン10´は、図5のB方向から見た正面図の図12に示
されるように、ピン4とピン4の間の間隔tが変化し、
そのためにピン4の先端部部分が正確に半導体チップの
所定の位置に接触させることができず、正確な電気的な
テストを行うことができなかった。さらにコンタクトピ
ンには位置合わせ穴9が設けられているが、この位置合
わせ穴9は硬さの小さいポリイミド樹脂フィルム5に設
けられているために位置合わせ穴が変形しやすく、した
がって、正確なコンタクトピンの位置合わせができなか
った。
かかる課題を解決すべく研究を行った結果、図1の斜視
図に示されるように、従来のメッキ処理により形成され
たNiまたはNi合金製ピン4の先端部の一部がポリイ
ミド樹脂フィルム5から突出するようにかつメッキ処理
により形成されたNiまたはNi合金製ピン4およびそ
れに連なる引き出し用配線(図1には図示せず)をポリ
イミド樹脂フィルムに張り付けてなる従来の半導体チッ
プテスト用コンタクトピンのポリイミド樹脂フィルム5
側に、さらにCu合金フィルム8をに張り付けると、得
られたコンタクトピン10は、ポリイミド樹脂フィルム
5とメッキ処理により形成されたNiまたはNi合金製
ピン4からなる図5の斜視図に示される従来のコンタク
トピン10´よりもピン4とピン4の間の間隔tの変化
が少なく、さらに半導体チップテスト用コンタクトピン
の位置合わせ穴9は、従来の半導体チップテスト用コン
タクトピンの位置合わせ穴9よりも位置合わせピン14
を正確に挿入することができ、もって、正確にコンタク
トピンのピン先端部を半導体チップに接触させることが
できるという知見を得たのである。
たものであって、この発明のコンタクトピン10の斜視
図である図1および図1のA−A断面図である図2に示
されるように、ポリイミド樹脂フィルム5およびCu合
金フィルム8からなる複合フィルムのポリイミド樹脂フ
ィルム5側に、メッキ処理により形成されたNiまたは
Ni合金製ピン4の先端部の一部がポリイミド樹脂フィ
ルム5から突出するように、かつピン4およびそれに連
なる引き出し用配線7を複合フィルムのポリイミド樹脂
フィルム5側の面に張り付けてなる構造の半導体チップ
テスト用コンタクトピンに特徴を有するものである。
ンタクトピンを構成するメッキ処理により形成されたN
iまたはNi合金製ピン4およびそれに連なるNiまた
はNi合金製引き出し用配線7はAuメッキされてお
り、Cu合金フィルムはAuメッキされたCu合金フィ
ルムからなることが好ましい。
は、図3に示されるように、ステンレス製の支持金属板
6の上に、Cuのベースメタル層1を形成し、このベー
スメタル層1上にフォトレジスト層2を形成し(図3
(a))、このフォトレジスト層2に所定のパターンの
マスク3を施して露光し(図3(b))、フォトレジス
ト層2を現像してピン4となる部分を除去して残存する
フォトレジスト層2に開口部2aを形成し(図3
(c))、この開口部2aにピン4となるNi層をメッ
キ処理により形成し(図3(d))、フォトレジスト層
2を除去する(図3(e))。
方法と同じであるが、この発明のコンタクトピンの製造
方法では、Ni層の上にピン4の先端部分以外を樹脂フ
ィルム5およびCu合金フィルム8からなる複合フィル
ムを接着剤5aを介して接着し(図3(f))、つい
で、樹脂フィルム5とピン4とベースメタル層1からな
る部分を支持金属板6から分離し(図3(g))、ピン
4に樹脂フィルム5およびCu合金フィルム8からなる
複合フィルムを接着したコンタクトピン10を作製する
(図3(h))。
断面図に示されるように、メッキ処理により形成された
NiまたはNi合金製ピン4の両面に前記ポリイミド樹
脂フィルム5およびCu合金フィルム8からなる複合フ
ィルムを接着剤5aを介して接着したものであっても良
い。この発明のコンタクトピン10は、一体として作製
したのち、対角線に沿って切断することにより同時に4
個のコンタクトピンを作製することは従来と同じであ
り、さらにそのセット方法も従来と同じである。
ピン数:100ピンのメッキ処理により形成されたNi
製ピンを、厚さ:50μmのポリイミド樹脂フィルムお
よびベリリウム銅合金フィルムを張り付けた構造を有す
る両端のピン間距離:9.900mmの本発明コンタク
トピンを作製した。
m、ピン数:100ピンのメッキ処理により形成された
Ni製ピンを、厚さ:50μmのポリイミド樹脂フィル
ムを張り付けた構造を有する両端のピン間距離:9.9
00mmの従来コンタクトピンを作製した。
ンタクトピンを温度:25℃、湿度:70%の雰囲気に
3時間保持した後、本発明コンタクトピンおよび従来コ
ンタクトピンの両端のピン間距離を測定した結果、本発
明コンタクトピンの両端のピン間距離は9.8976m
mであり、従来コンタクトピンの両端のピン間距離は
9.8712mmであり、ベリリウム銅合金フィルムを
張り付けた構造の両端のピン間距離の変化は少ないこと
が分かる。
ンは、高温多湿の環境下にあってもコンタクトピンの両
端のピン間距離の変化が少なく、したがって、いかなる
環境下にあってもコンタクトピンのコンタクトピン先端
部を正確に半導体チップの所定の位置に正確に接触させ
ることができ、半導体チップの検査のミスが皆無になる
など半導体産業の発展に大いに貢献しうるものである。
である。
略説明図である。
断面図である。
る。
明図である。
方法を示す概略斜視説明図である。
た状態を示す概略斜視図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 メッキ処理により形成されたNiまたは
Ni合金製ピンおよびそれに連なる引き出し用配線がポ
リイミド樹脂フィルムに張り付けられており、かつ前記
NiまたはNi合金製ピンの先端部の一部がポリイミド
樹脂フィルムから突出している構造の半導体チップテス
ト用コンタクトピンであって、前記半導体チップテスト
用コンタクトピンのポリイミド樹脂フィルム側に、さら
にCu合金フィルムを張り付けてなることを特徴とする
半導体チップテスト用コンタクトピン。 - 【請求項2】 メッキ処理により形成されたNiまたは
Ni合金製ピンおよびそれに連なる引き出し用配線がポ
リイミド樹脂フィルムに張り付けられており、かつ前記
NiまたはNi合金製ピンの先端部の一部がポリイミド
樹脂フィルムから突出している構造の半導体チップテス
ト用コンタクトピンであって、前記NiまたはNi合金
製ピンの両面にポリイミド樹脂フィルムを形成し、さら
に前記両面のポリイミド樹脂フィルムの外側にさらにC
u合金フィルムを張り付けてなることを特徴とする半導
体チップテスト用コンタクトピン。 - 【請求項3】 前記Cu合金フィルムは、Cu合金にA
uメッキした金属フィルムからなることを特徴とする請
求項1または2記載の半導体チップテスト用コンタクト
ピン。
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US10/076,508 US6710608B2 (en) | 1996-05-23 | 2002-02-19 | Contact probe and probe device |
US10/776,326 US6900647B2 (en) | 1996-05-23 | 2004-02-12 | Contact probe and probe device |
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