JP2000180471A - ベアチップ検査用プローブ基板 - Google Patents
ベアチップ検査用プローブ基板Info
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- JP2000180471A JP2000180471A JP10352944A JP35294498A JP2000180471A JP 2000180471 A JP2000180471 A JP 2000180471A JP 10352944 A JP10352944 A JP 10352944A JP 35294498 A JP35294498 A JP 35294498A JP 2000180471 A JP2000180471 A JP 2000180471A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring layer
- bare chip
- substrate
- probe substrate
- plating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 チェック用電極としての突起部が配線層から
脱落することのないベアチップ検査用プローブ基板を提
供する。 【解決手段】 配線層２とこの上に形成されたチェック
用電極としての突起部３をめっき層４によって被覆し、
これにより配線層２と突起部３の結合力を強化する。
脱落することのないベアチップ検査用プローブ基板を提
供する。 【解決手段】 配線層２とこの上に形成されたチェック
用電極としての突起部３をめっき層４によって被覆し、
これにより配線層２と突起部３の結合力を強化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ベアチップ検査用
プローブ基板に関し、特に、構造的に安定したベアチッ
プ検査用プローブ基板に関する。
プローブ基板に関し、特に、構造的に安定したベアチッ
プ検査用プローブ基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】パッケージをしていないベアチップの複
数個を搭載したプリント基板をＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃ
ｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）という。このＭＣＭは電子機器
の発展とともに、本質的ニーズである軽薄短小に対応し
た有効な手段として、機器開発の重要な技術として位置
づけられるようになってきた。
数個を搭載したプリント基板をＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ Ｃ
ｈｉｐ Ｍｏｄｕｌｅ）という。このＭＣＭは電子機器
の発展とともに、本質的ニーズである軽薄短小に対応し
た有効な手段として、機器開発の重要な技術として位置
づけられるようになってきた。
【０００３】しかし、最大の障害は、品質保証されたベ
アチップ（ＫＧＤ：ｋｎｏｗｎ ｇｏｏｄ ｄｉｅ）選
別のための非破壊検査方法であり、そのためには、半導
体チップの電極パッドにチェック用電極を接触させ、こ
れによって電気的導通を確認する検査用プローブ基板の
開発がポイントになる。
アチップ（ＫＧＤ：ｋｎｏｗｎ ｇｏｏｄ ｄｉｅ）選
別のための非破壊検査方法であり、そのためには、半導
体チップの電極パッドにチェック用電極を接触させ、こ
れによって電気的導通を確認する検査用プローブ基板の
開発がポイントになる。
【０００４】従来の検査用プローブ基板としては、タン
グステンの針をチェック用電極として配置したものが多
用されているが、半導体チップの小型化と多ピン化によ
る電極パッドの増加、およびこれに伴うパッドの小ピッ
チ化が進むにつれ、小型化に限界があるこの種のプロー
ブ基板では、対処しきれなくなっている。
グステンの針をチェック用電極として配置したものが多
用されているが、半導体チップの小型化と多ピン化によ
る電極パッドの増加、およびこれに伴うパッドの小ピッ
チ化が進むにつれ、小型化に限界があるこの種のプロー
ブ基板では、対処しきれなくなっている。
【０００５】タングステン針を使用した基板に代わる新
しいタイプのプローブ基板として、フォトエッチング技
術と微小バンプ形成技術を応用した細密基板が提案され
ている。
しいタイプのプローブ基板として、フォトエッチング技
術と微小バンプ形成技術を応用した細密基板が提案され
ている。
【０００６】ポリイミド等の樹脂フィルムに、プローブ
基板として必要な所定のパターンの配線層をフォトエッ
チングにより形成し、配線層の所定の個所にチェック用
電極としての突起部を形成したもので、フォトエッチン
グによる微細配線に基づくこのプローブ基板は、半導体
チップの小型化と多ピン化に対処することのできる有効
な検査用基板として注目されている。
基板として必要な所定のパターンの配線層をフォトエッ
チングにより形成し、配線層の所定の個所にチェック用
電極としての突起部を形成したもので、フォトエッチン
グによる微細配線に基づくこのプローブ基板は、半導体
チップの小型化と多ピン化に対処することのできる有効
な検査用基板として注目されている。
【０００７】また、このプローブ基板においては、突起
部を小さく形成することによって、半導体チップの電極
パッド面の酸化膜、あるいは電極パッド上に形成された
はんだ層の酸化膜を破壊することが可能であり、従っ
て、突起部としては、できるだけ小さく形成することが
好ましいものとされている。
部を小さく形成することによって、半導体チップの電極
パッド面の酸化膜、あるいは電極パッド上に形成された
はんだ層の酸化膜を破壊することが可能であり、従っ
て、突起部としては、できるだけ小さく形成することが
好ましいものとされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のベアチ
ップ検査用プローブ基板によると、突起部を微細化する
と、配線層と突起部の結合力が低下するため、突起部が
脱落して半導体チップの検査に支障をきたすことがあ
る。
ップ検査用プローブ基板によると、突起部を微細化する
と、配線層と突起部の結合力が低下するため、突起部が
脱落して半導体チップの検査に支障をきたすことがあ
る。
【０００９】従って、本発明の目的は、チェック用電極
としての突起部が配線層から脱落するのを防止して、配
線層と突起部の結合力を安定化させたベアチップ検査用
プローブ基板を提供することにある。
としての突起部が配線層から脱落するのを防止して、配
線層と突起部の結合力を安定化させたベアチップ検査用
プローブ基板を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するため、絶縁性の基板と、前記基板の上に形成さ
れた所定のパターンの配線層と、前記配線層に形成され
て半導体チップの電極に接触させられるチェック用電極
としての突起部とから構成されるベアチップ検査用プロ
ーブ基板において、前記配線層と前記突起部をめっき層
で覆うことにより、前記配線層と前記突起部の結合力を
強化することを特徴とするベアチップ検査用プローブ基
板を提供するものである。
達成するため、絶縁性の基板と、前記基板の上に形成さ
れた所定のパターンの配線層と、前記配線層に形成され
て半導体チップの電極に接触させられるチェック用電極
としての突起部とから構成されるベアチップ検査用プロ
ーブ基板において、前記配線層と前記突起部をめっき層
で覆うことにより、前記配線層と前記突起部の結合力を
強化することを特徴とするベアチップ検査用プローブ基
板を提供するものである。
【００１１】上記の基板の構成材としては、たとえば、
繊維補強をしたエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等の合
成樹脂板、あるいはポリイミドフィルム、ポリエステル
フィルム等の樹脂フィルムが使用される。
繊維補強をしたエポキシ樹脂、ポリエステル樹脂等の合
成樹脂板、あるいはポリイミドフィルム、ポリエステル
フィルム等の樹脂フィルムが使用される。
【００１２】基板を樹脂フィルムのような可橈性材料で
構成する場合には、はんだボールのような形成高さにバ
ラツキのある電極を有した検査対象のときに有利とな
る。基板の可橈性が、チェック対象品の電極の高さバラ
ツキへの柔軟な対応を可能にし、従って、半導体チップ
の電極パッドとの間に接触不良が発生せず、高精度の品
質確認が可能となる。
構成する場合には、はんだボールのような形成高さにバ
ラツキのある電極を有した検査対象のときに有利とな
る。基板の可橈性が、チェック対象品の電極の高さバラ
ツキへの柔軟な対応を可能にし、従って、半導体チップ
の電極パッドとの間に接触不良が発生せず、高精度の品
質確認が可能となる。
【００１３】配線層と突起部を覆うめっき層としては、
金、ロジウム、パラジウム、白金、銀などの貴金属めっ
きが好ましく、これら貴金属のめっき層は、チェック用
電極としての突起部の接触抵抗を低減する性質を有して
いるので、品質検査を確実にする効果を与える。このめ
っき層の形成は、配線層全面、あるいは突起部周辺のい
ずれでもよい。
金、ロジウム、パラジウム、白金、銀などの貴金属めっ
きが好ましく、これら貴金属のめっき層は、チェック用
電極としての突起部の接触抵抗を低減する性質を有して
いるので、品質検査を確実にする効果を与える。このめ
っき層の形成は、配線層全面、あるいは突起部周辺のい
ずれでもよい。
【００１４】突起部は、多くの場合、ニッケルめっきに
よって形成されるが、たとえば、表面パラジウム／下地
ニッケル（下地にニッケルめっきをした上にパラジウム
めっき層を形成）、表面ロジウム／下地ニッケル、表面
ニッケル合金／下地ニッケル、あるいはダイヤモンド、
シリカ等の硬質皮膜とニッケル皮膜の組み合わせなどに
よって形成してもよい。突起部の大きさは、接触対象の
酸化膜を破壊する意味から、１００μｍ以下に設定する
ことが好ましい。
よって形成されるが、たとえば、表面パラジウム／下地
ニッケル（下地にニッケルめっきをした上にパラジウム
めっき層を形成）、表面ロジウム／下地ニッケル、表面
ニッケル合金／下地ニッケル、あるいはダイヤモンド、
シリカ等の硬質皮膜とニッケル皮膜の組み合わせなどに
よって形成してもよい。突起部の大きさは、接触対象の
酸化膜を破壊する意味から、１００μｍ以下に設定する
ことが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に、本発明によるベアチップ検
査用プローブ基板の実施の形態について説明する。図１
は、プローブ基板の一部断面を示したもので、１はポリ
イミドフィルム、２はフィルム１に所定のパターンに形
成された配線層、３は配線層２に形成されたチェック用
電極としての突起部を示す。
査用プローブ基板の実施の形態について説明する。図１
は、プローブ基板の一部断面を示したもので、１はポリ
イミドフィルム、２はフィルム１に所定のパターンに形
成された配線層、３は配線層２に形成されたチェック用
電極としての突起部を示す。
【００１６】この突起部３は、プリント基板に搭載され
たベアチップの電極パッドに合わせた位置に形成されて
いる。４は配線層２と突起部３を一括して被覆するよう
に形成されためっき層を示し、金めっきによって構成さ
れている。配線層２と突起部３は、このめっき層４によ
って相互の結合力を強化されている。
たベアチップの電極パッドに合わせた位置に形成されて
いる。４は配線層２と突起部３を一括して被覆するよう
に形成されためっき層を示し、金めっきによって構成さ
れている。配線層２と突起部３は、このめっき層４によ
って相互の結合力を強化されている。
【００１７】図２は、図１のプローブ基板の製造手順を
示したもので、（ａ）は準備された材料であり、厚さ２
５μｍのポリイミドフィルム１と厚さ１８μｍの銅箔
２′を厚さ１２μｍの接着剤（図示せず）を介して貼り
合わせたものである。
示したもので、（ａ）は準備された材料であり、厚さ２
５μｍのポリイミドフィルム１と厚さ１８μｍの銅箔
２′を厚さ１２μｍの接着剤（図示せず）を介して貼り
合わせたものである。
【００１８】（ｂ）は、配線層の形成工程を示し、銅箔
２′にポジ型フォトレジストを塗布した後、露光、現
像、エッチング、および残存レジスト除去の一連のフォ
トファブリケーションを施すことにより所定のパターン
の配線層２を形成する。
２′にポジ型フォトレジストを塗布した後、露光、現
像、エッチング、および残存レジスト除去の一連のフォ
トファブリケーションを施すことにより所定のパターン
の配線層２を形成する。
【００１９】（ｃ）は、突起部３を形成するための準備
工程を示す。配線層２の上にポジ型厚付け用レジスト
（たとえば、東京応化社製ＰＭＥＲ）を厚さ２０μｍに
塗布してレジスト層５を形成した後、露光と現像等を行
い、これによってレジスト層５に開口部６を形成する。
なお、この工程においては、塗料状のレジスト材の代わ
りに、ドライフィルムレジストを使用してもよい。
工程を示す。配線層２の上にポジ型厚付け用レジスト
（たとえば、東京応化社製ＰＭＥＲ）を厚さ２０μｍに
塗布してレジスト層５を形成した後、露光と現像等を行
い、これによってレジスト層５に開口部６を形成する。
なお、この工程においては、塗料状のレジスト材の代わ
りに、ドライフィルムレジストを使用してもよい。
【００２０】（ｄ）は開口部６へのめっき処理工程を示
し、全体を電解ニッケルめっき液に浸漬することによ
り、開口部６がほぼ埋まる約２０μｍ厚さのめっき部
３′を形成する。
し、全体を電解ニッケルめっき液に浸漬することによ
り、開口部６がほぼ埋まる約２０μｍ厚さのめっき部
３′を形成する。
【００２１】（ｅ）は、配線層２の上からレジスト層５
を除去して、突起部３を表出させる工程を示す。この時
点での配線層２と突起部３は、相互に密着はしているも
のの結合力が弱く、突起部３はわずかの力で脱落する。
を除去して、突起部３を表出させる工程を示す。この時
点での配線層２と突起部３は、相互に密着はしているも
のの結合力が弱く、突起部３はわずかの力で脱落する。
【００２２】（ｆ）は、最終のめっき工程を示し、厚さ
０．５μｍの金のめっき層４が、配線層２と突起部３を
一括して被覆するように形成される。以上の手順によっ
て製造されるベアチップ検査用プローブ基板における配
線層２と突起部３は、めっき層４によって強固に結合さ
れ、突起部３が脱落することはなくなる。
０．５μｍの金のめっき層４が、配線層２と突起部３を
一括して被覆するように形成される。以上の手順によっ
て製造されるベアチップ検査用プローブ基板における配
線層２と突起部３は、めっき層４によって強固に結合さ
れ、突起部３が脱落することはなくなる。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明によるベアチップ
検査用プローブ基板によれば、配線層とこの上に形成さ
れたチェック用電極としての突起部をめっき層で覆い、
これによって配線層と突起部の結合力を高めたため、使
用中に突起部が脱落する恐れがなく、従って、安定した
状態でベアチップの品質検査を行うことができる。
検査用プローブ基板によれば、配線層とこの上に形成さ
れたチェック用電極としての突起部をめっき層で覆い、
これによって配線層と突起部の結合力を高めたため、使
用中に突起部が脱落する恐れがなく、従って、安定した
状態でベアチップの品質検査を行うことができる。
【図１】本発明によるベアチップ検査用プローブ基板の
実施の形態を示す説明図。
実施の形態を示す説明図。
【図２】図１のプローブ基板の製造手順を示す説明図。
１ ポリイミドフィルム ２ 配線層 ３ 突起部 ４ めっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2G003 AA00 AA07 AG03 AG08 AG12 2G011 AA16 AA21 AB06 AB08 AC14 AE03 AE22 4M106 AA02 BA01 BA14 DD03 DD04 DD10
Claims (3)
- 【請求項１】絶縁性の基板と、前記基板の上に形成され
た所定のパターンの配線層と、前記配線層に形成されて
半導体チップの電極に接触させられるチェック用電極と
しての突起部とから構成されるベアチップ検査用プロー
ブ基板において、 前記配線層と前記突起部を被覆して両者の結合度を高め
るめっき層を有することを特徴とするベアチップ検査用
プローブ基板。 - 【請求項２】前記めっき層は、貴金属めっきによって構
成することを特徴とする請求項第１項記載のベアチップ
検査用プローブ基板。 - 【請求項３】前記基板は、可橈性材料によって構成する
ことを特徴とする請求項第１項記載のベアチップ検査用
プローブ基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10352944A JP2000180471A (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | ベアチップ検査用プローブ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10352944A JP2000180471A (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | ベアチップ検査用プローブ基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000180471A true JP2000180471A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18427528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10352944A Pending JP2000180471A (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | ベアチップ検査用プローブ基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000180471A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002174645A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Toppan Printing Co Ltd | 検査治具の製造方法 |
| WO2008120547A1 (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-09 | Advantest Corporation | コンタクタ及びコンタクタの製造方法 |
| JP2014032112A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Nidec-Read Corp | 接触子の製造方法 |
-
1998
- 1998-12-11 JP JP10352944A patent/JP2000180471A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002174645A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-21 | Toppan Printing Co Ltd | 検査治具の製造方法 |
| JP4552317B2 (ja) * | 2000-12-08 | 2010-09-29 | 凸版印刷株式会社 | 検査治具の製造方法 |
| WO2008120547A1 (ja) * | 2007-04-03 | 2008-10-09 | Advantest Corporation | コンタクタ及びコンタクタの製造方法 |
| JPWO2008120547A1 (ja) * | 2007-04-03 | 2010-07-15 | 株式会社アドバンテスト | コンタクタ及びコンタクタの製造方法 |
| US8441271B2 (en) | 2007-04-03 | 2013-05-14 | Advantest Corporation | Contactor and method of production of contactor |
| JP2014032112A (ja) * | 2012-08-03 | 2014-02-20 | Nidec-Read Corp | 接触子の製造方法 |
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