JP3482937B2 - 検査用プローブ基板及びその製造方法 - Google Patents
検査用プローブ基板及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外部端子と電気的
に接触して、半導体装置または電子装置の検査を行うた
めの検査用プローブ基板及びその製造法に関し、特に、
半導体集積回路チップ／ＣＳＰパッケージの品質を単体
のまま検査する検査用プローブ基板及びその製造法に適
用して有効な技術に関するものである。
に接触して、半導体装置または電子装置の検査を行うた
めの検査用プローブ基板及びその製造法に関し、特に、
半導体集積回路チップ／ＣＳＰパッケージの品質を単体
のまま検査する検査用プローブ基板及びその製造法に適
用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】パッケージしていないベアチップを複数
個搭載したプリント基板を、ＭＣＭ（Multi Chip Modul
e ）という。このＭＣＭは電子機器の発展とともに、本
質的ニーズである軽薄短小に対応する有効な手段とし
て、機器開発の重要な技術に位置付けられるようになっ
てきた。
個搭載したプリント基板を、ＭＣＭ（Multi Chip Modul
e ）という。このＭＣＭは電子機器の発展とともに、本
質的ニーズである軽薄短小に対応する有効な手段とし
て、機器開発の重要な技術に位置付けられるようになっ
てきた。
【０００３】また、パッケージをする場合でも、パッケ
ージ基材量を最小限とし、パッケージ面積（体積）がチ
ップとほぼ等しいくらいに小型化したＣＳＰ（Chip Siz
e ／Scale Package ）の開発が極めて活発で、デバイス
メーカから種々の形状の小型パッケージが発表されてい
る。このＣＳＰパッケージの多くは、外部端子がパッケ
ージの裏面にはんだボールを配列するＢＧＡ構造であ
る。
ージ基材量を最小限とし、パッケージ面積（体積）がチ
ップとほぼ等しいくらいに小型化したＣＳＰ（Chip Siz
e ／Scale Package ）の開発が極めて活発で、デバイス
メーカから種々の形状の小型パッケージが発表されてい
る。このＣＳＰパッケージの多くは、外部端子がパッケ
ージの裏面にはんだボールを配列するＢＧＡ構造であ
る。
【０００４】しかし、これらのベアチップやＣＳＰの最
大の障壁は、品質保証されたチップ／パッケージ（ＫＧ
Ｄ：Known Good Die）選別のための非破壊検査方法であ
り、そのためにはチップの電極パッドあるいはパッケー
ジの外部端子用はんだボールと接触して電気的導通を確
保するための突起を設けた、検査用プローブ基板の開発
がポイントとなる。
大の障壁は、品質保証されたチップ／パッケージ（ＫＧ
Ｄ：Known Good Die）選別のための非破壊検査方法であ
り、そのためにはチップの電極パッドあるいはパッケー
ジの外部端子用はんだボールと接触して電気的導通を確
保するための突起を設けた、検査用プローブ基板の開発
がポイントとなる。
【０００５】従来は、チップのアルミパッドの位置に合
わせてタングステン製の微小針を設けたプローブ基板が
使われていた。
わせてタングステン製の微小針を設けたプローブ基板が
使われていた。
【０００６】しかし、チップの小形化、多ピン化にとも
ない、パッド数や端子数が増大し、またパッドや端子ピ
ッチはますます狭くなっているため、タングステン針を
配置したプローブ基板では、基板自体の製造に大きな制
約が生じている。
ない、パッド数や端子数が増大し、またパッドや端子ピ
ッチはますます狭くなっているため、タングステン針を
配置したプローブ基板では、基板自体の製造に大きな制
約が生じている。
【０００７】そのため現在、テープキャリアと微小バン
プ製造技術を組み合わせたＫＧＤ判別用プローブ組み込
みソケットが開発されている。
プ製造技術を組み合わせたＫＧＤ判別用プローブ組み込
みソケットが開発されている。
【０００８】これらの構造は、微細配線を設けた基板
に、チップの電極パッドあるいはパッケージの外部端子
のはんだボールに対応する位置に突起を設け、このプロ
ーブ基板と上型の間にチップを挟む方式となっている。
に、チップの電極パッドあるいはパッケージの外部端子
のはんだボールに対応する位置に突起を設け、このプロ
ーブ基板と上型の間にチップを挟む方式となっている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のプロー
プ基板では、突起とチップの電極パッドとのアライメン
トに、画像認織などを用いることはなく、通常はチップ
をソケットに落とし込んで機械的な位置合わせで接触さ
せるので、プローブ基板の製造精度やチップの切断精度
等から、チップの電極パッドとプロープ基板の突起の位
置が数１０μｍずれることは普通である。
プ基板では、突起とチップの電極パッドとのアライメン
トに、画像認織などを用いることはなく、通常はチップ
をソケットに落とし込んで機械的な位置合わせで接触さ
せるので、プローブ基板の製造精度やチップの切断精度
等から、チップの電極パッドとプロープ基板の突起の位
置が数１０μｍずれることは普通である。
【００１０】このずれによって、接触部分が１点のみと
なってしまい、接触抵抗が増大することがある。また、
電極パッドは通常、酸化皮膜で覆われているため、接触
抵抗が大きくなりがちである。
なってしまい、接触抵抗が増大することがある。また、
電極パッドは通常、酸化皮膜で覆われているため、接触
抵抗が大きくなりがちである。
【００１１】このため、従来のプローブ基板では接触抵
抗が増大することにより、正確な検査ができないという
問題点があった。
抗が増大することにより、正確な検査ができないという
問題点があった。
【００１２】本発明の目的は、上記問題点を解決するた
めに成されたものであり、その目的は半導体チップとの
位置ずれが起きた場合でも、接触抵抗をより低くでき、
より正確な検査を行える検査用プローブ基板を提供する
ものである。
めに成されたものであり、その目的は半導体チップとの
位置ずれが起きた場合でも、接触抵抗をより低くでき、
より正確な検査を行える検査用プローブ基板を提供する
ものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明において開示され
る発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれ
ば、下記のとおりである。
る発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれ
ば、下記のとおりである。
【００１４】 （１）絶縁性を有する基板と、前記基板
上に形成された所定の配線パターンと、前記配線パター
ン上に電気的に接続されるように形成され、半導体装置
もしくは電子装置のはんだボールと接触する金属めっき
突起とを備えた検査用プローブ基板であって、前記金属
めっき突起は、前記はんだボールの径より小さいピッチ
で設けられた同一形状をした４つの三角柱のめっき突起
からなり、前記三角柱のめっき突起は、前記三角柱のめ
っき突起の底面の頂点のうち、前記はんだボールの接触
位置の中心側を向く頂点を通過する前記めっき突起の底
面の２等分線の延長上に前記はんだボールの接触位置の
中心があるように配置する。
上に形成された所定の配線パターンと、前記配線パター
ン上に電気的に接続されるように形成され、半導体装置
もしくは電子装置のはんだボールと接触する金属めっき
突起とを備えた検査用プローブ基板であって、前記金属
めっき突起は、前記はんだボールの径より小さいピッチ
で設けられた同一形状をした４つの三角柱のめっき突起
からなり、前記三角柱のめっき突起は、前記三角柱のめ
っき突起の底面の頂点のうち、前記はんだボールの接触
位置の中心側を向く頂点を通過する前記めっき突起の底
面の２等分線の延長上に前記はんだボールの接触位置の
中心があるように配置する。
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】 （２）絶縁性を有する基板と、前記基板
上に形成された所定の配線パターンと、前記配線パター
ン上に電気的に接続されるように形成され、半導体装置
もしくは電子装置のはんだボールと接触する金属めっき
突起とを備えた検査用プローブ基板であって、前記金属
めっき突起は、前記はんだボールの径より小さいピッチ
で設けられた４つの扇形柱のめっき突起からなり、前記
扇形柱のめっき突起は、前記扇形柱のめっき突起の底面
の頂点のうち、前記はんだボールの接触位置の中心側を
向く頂点を通過する前記めっき突起の底面の２等分線の
延長上に前記はんだボールの接触位置の中心があるよう
に配置する。
上に形成された所定の配線パターンと、前記配線パター
ン上に電気的に接続されるように形成され、半導体装置
もしくは電子装置のはんだボールと接触する金属めっき
突起とを備えた検査用プローブ基板であって、前記金属
めっき突起は、前記はんだボールの径より小さいピッチ
で設けられた４つの扇形柱のめっき突起からなり、前記
扇形柱のめっき突起は、前記扇形柱のめっき突起の底面
の頂点のうち、前記はんだボールの接触位置の中心側を
向く頂点を通過する前記めっき突起の底面の２等分線の
延長上に前記はんだボールの接触位置の中心があるよう
に配置する。
【００１９】 （３）絶縁性を有する基板と、前記基板
上に形成された所定の配線パターンと、前記配線パター
ン上に電気的に接続されるように形成され、半導体装置
もしくは電子装置のはんだボールと接触する金属めっき
突起とを備えた検査用プローブ基板であって、前記金属
めっき突起は、前記はんだボールの径より小さいピッチ
で設けられた３つの扇形柱のめっき突起からなり、前記
扇形柱のめっき突起は、前記扇形柱のめっき突起の底面
の頂点のうち、前記はんだボールの接触位置の中心側を
向く頂点を通過する前記めっき突起の底面の２等分線の
延長上に前記はんだボールの接触位置の中心があるよう
に配置する。
上に形成された所定の配線パターンと、前記配線パター
ン上に電気的に接続されるように形成され、半導体装置
もしくは電子装置のはんだボールと接触する金属めっき
突起とを備えた検査用プローブ基板であって、前記金属
めっき突起は、前記はんだボールの径より小さいピッチ
で設けられた３つの扇形柱のめっき突起からなり、前記
扇形柱のめっき突起は、前記扇形柱のめっき突起の底面
の頂点のうち、前記はんだボールの接触位置の中心側を
向く頂点を通過する前記めっき突起の底面の２等分線の
延長上に前記はんだボールの接触位置の中心があるよう
に配置する。
【００２０】 （４）（１）乃至（３）の何れか１つの
検査用プローブ基板において、前記金属めっき突起は、
無電解めっき法で形成された無電解金属めっき突起であ
る。
検査用プローブ基板において、前記金属めっき突起は、
無電解めっき法で形成された無電解金属めっき突起であ
る。
【００２１】 （５）（１）乃至（４）の何れか１つの
検査用プローブ基板において、前記配線パターン及びそ
の上に形成された前記金属めっき突起を酸化防止金属膜
で一括被覆形成する。
検査用プローブ基板において、前記配線パターン及びそ
の上に形成された前記金属めっき突起を酸化防止金属膜
で一括被覆形成する。
【００２２】 （６）（５）の検査用プローブ基板にお
いて、前記酸化防止金属膜は、貴金属めっきである。
いて、前記酸化防止金属膜は、貴金属めっきである。
【００２３】
【００２４】
【００２５】このようにすることで、検査時に半導体チ
ップのボール端子との位置ズレが起きても、金属めっき
突起との接触部分が１点のみとなることは無くなり、接
触抵抗を小さくすることが可能になる。
ップのボール端子との位置ズレが起きても、金属めっき
突起との接触部分が１点のみとなることは無くなり、接
触抵抗を小さくすることが可能になる。
【００２６】また、小めっき突起の各々の突起形状は、
上面を平坦にし、エッジを極力直角に近くなるように仕
上げてあるので、ボール端子との接触時に、エッジ部分
でボール端子の酸化皮膜をワイピングし、接触抵抗を低
下させることができ、より正確な検査を行うことが可能
になる。
上面を平坦にし、エッジを極力直角に近くなるように仕
上げてあるので、ボール端子との接触時に、エッジ部分
でボール端子の酸化皮膜をワイピングし、接触抵抗を低
下させることができ、より正確な検査を行うことが可能
になる。
【００２７】また、金属めっき突起のエッジ部分でボー
ル端子の酸化皮膜をワイピングし、接触抵抗を低下させ
ることが可能になる。これよって、より正確な検査を行
うことが可能になる。
ル端子の酸化皮膜をワイピングし、接触抵抗を低下させ
ることが可能になる。これよって、より正確な検査を行
うことが可能になる。
【００２８】さらに、金属めっき突起を無電解金属めっ
きで形成することにより、金属めっき突起の硬度が増す
ので、耐久性に優れた検査用プローブ基板を提供でき
る。
きで形成することにより、金属めっき突起の硬度が増す
ので、耐久性に優れた検査用プローブ基板を提供でき
る。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明にかかる一実施形態の検査
用プローブ基板を図面を用いて詳細に説明する。
用プローブ基板を図面を用いて詳細に説明する。
【００３０】 図１は、本実施形態の参考例である検査
用プローブ基板の構成を説明するための平面図である。
図２は、図１に示すＡ−Ａ線で切った断面図を示す。な
お、図１，図２は、主要部分の構成を説明し易いように
示してある。
用プローブ基板の構成を説明するための平面図である。
図２は、図１に示すＡ−Ａ線で切った断面図を示す。な
お、図１，図２は、主要部分の構成を説明し易いように
示してある。
【００３１】 図１，図２に示すように、本実施形態の
参考例である検査用プローブ基板１００は、ポリイミド
等の絶縁基板（絶縁テープ）１０と、検査する半導体チ
ップの外部端子の位置に合わせて絶縁テープ１０上に設
けられ銅箔等の導電性薄膜で形成された配線パターン１
１と、その配線パターン１１上における外部端子との接
続位置に設けられ、所定の配置ルールの基で、複数個の
小めっき突起を一組としためっき突起１２とから構成さ
れる。
参考例である検査用プローブ基板１００は、ポリイミド
等の絶縁基板（絶縁テープ）１０と、検査する半導体チ
ップの外部端子の位置に合わせて絶縁テープ１０上に設
けられ銅箔等の導電性薄膜で形成された配線パターン１
１と、その配線パターン１１上における外部端子との接
続位置に設けられ、所定の配置ルールの基で、複数個の
小めっき突起を一組としためっき突起１２とから構成さ
れる。
【００３２】この絶縁テープ１０は、絶縁性があり、且
つ半導体チップの外部端子の凸凹（例えば、ボール端子
の高さの誤差）を吸収するために変形しやすいフレキシ
ブル材料を用いる。
つ半導体チップの外部端子の凸凹（例えば、ボール端子
の高さの誤差）を吸収するために変形しやすいフレキシ
ブル材料を用いる。
【００３３】配線パターン１１は、導電性材料で加工し
やすい薄膜金属をエッチングして形成され、配線ケーブ
ル等を介して検査装置（ここでは図示せず）と電気的に
接続される。
やすい薄膜金属をエッチングして形成され、配線ケーブ
ル等を介して検査装置（ここでは図示せず）と電気的に
接続される。
【００３４】めっき突起１２は、図１，図２に示すよう
に、半導体チップの外部端子（ボール端子）との接触面
積を大きくするために、２つの四角柱形状の小めっき突
起１２ａ，１２ｂを所定の間隔で平行に並べた構成をと
る。なお、小めっき突起１２ａ，１２ｂの所定の間隔
は、少なくともボール端子の直径より小さくなる値をと
ればよく、ここでは０．５mm未満とする。
に、半導体チップの外部端子（ボール端子）との接触面
積を大きくするために、２つの四角柱形状の小めっき突
起１２ａ，１２ｂを所定の間隔で平行に並べた構成をと
る。なお、小めっき突起１２ａ，１２ｂの所定の間隔
は、少なくともボール端子の直径より小さくなる値をと
ればよく、ここでは０．５mm未満とする。
【００３５】これにより、検査時に半導体チップのボー
ル端子との位置ズレが起きても、接触部分が１点のみと
なることは無くなり、接触抵抗を小さくすることが可能
になる。
ル端子との位置ズレが起きても、接触部分が１点のみと
なることは無くなり、接触抵抗を小さくすることが可能
になる。
【００３６】また、小めっき突起１２ａ，１２ｂの各々
の突起形状は、上面を平坦にし、エッジを極力直角に近
くなるように仕上げてある。これにより、ボール端子と
の接触時に、エッジ部分でボール端子の酸化皮膜をワイ
ピングし、接触抵抗を低下させることができ、より正確
な検査を行うことが可能になる。
の突起形状は、上面を平坦にし、エッジを極力直角に近
くなるように仕上げてある。これにより、ボール端子と
の接触時に、エッジ部分でボール端子の酸化皮膜をワイ
ピングし、接触抵抗を低下させることができ、より正確
な検査を行うことが可能になる。
【００３７】このめっき突起１２は、導電性が高い材料
（金属）を電気めっき、または無電解めっきすることに
よって形成する。また、半導体チップのボール端子と押
圧接触するため、耐久性を高めるために硬質に形成する
必要がある。このため、特に無電解めっき法による金属
めっきで形成するのがよい。この無電解金属めっきは、
電解金属めっきに比べ、硬質に積層されるためである。
ここで、ニッケルを例に挙げると、無電解ニッケルめっ
きで形成された突起のピッカーズ硬度はＨｖ４５０〜６
００であり、電解ニッケルめっきで形成された突起のピ
ッカーズ硬度はＨｖ１８０程度であり、無電解めっき法
と電解めっき法とで形成された突起の硬度の差は明らか
である。
（金属）を電気めっき、または無電解めっきすることに
よって形成する。また、半導体チップのボール端子と押
圧接触するため、耐久性を高めるために硬質に形成する
必要がある。このため、特に無電解めっき法による金属
めっきで形成するのがよい。この無電解金属めっきは、
電解金属めっきに比べ、硬質に積層されるためである。
ここで、ニッケルを例に挙げると、無電解ニッケルめっ
きで形成された突起のピッカーズ硬度はＨｖ４５０〜６
００であり、電解ニッケルめっきで形成された突起のピ
ッカーズ硬度はＨｖ１８０程度であり、無電解めっき法
と電解めっき法とで形成された突起の硬度の差は明らか
である。
【００３８】無電解金属めっきの中でも、特に、無電解
ニッケルめっきは導電性が高く、硬質であるため、この
めっき突起１２には最適である。他に、無電解銅めっき
等を用いても構わない。
ニッケルめっきは導電性が高く、硬質であるため、この
めっき突起１２には最適である。他に、無電解銅めっき
等を用いても構わない。
【００３９】また、図３に示すように、この無電解金属
めっきで形成されためっき突起１２及び配線パターン１
１上に、ボール端子との接触部分の酸化防止のための金
属めっき（例えば、金めっき）１３を施すこともある。
なお、配線パターン１１とめっき突起１２を被覆するめ
っき層は、金めっき１３に限るものではなく、例えば、
ロジウム、パラジウム、白金、銀などの酸化されにくい
貴金属めっきが好ましい。また、これらの貴金属めっき
は、めっき突起１２の接触抵抗を軽減する性質を有する
ので、品質検査をより正確に行える。
めっきで形成されためっき突起１２及び配線パターン１
１上に、ボール端子との接触部分の酸化防止のための金
属めっき（例えば、金めっき）１３を施すこともある。
なお、配線パターン１１とめっき突起１２を被覆するめ
っき層は、金めっき１３に限るものではなく、例えば、
ロジウム、パラジウム、白金、銀などの酸化されにくい
貴金属めっきが好ましい。また、これらの貴金属めっき
は、めっき突起１２の接触抵抗を軽減する性質を有する
ので、品質検査をより正確に行える。
【００４０】次に、本実施形態の検査用プローブ基板１
００の製造方法について図面を用いて説明する。図４
は、本実施形態の検査用プローブ基板１００の製造方法
を説明するための図である。
００の製造方法について図面を用いて説明する。図４
は、本実施形態の検査用プローブ基板１００の製造方法
を説明するための図である。
【００４１】本実施形態の検査用プローブ基板１００
は、図４（ａ）に示すように、ポリイミドの絶縁テープ
１０に接着剤２２により銅箔２１を貼り付けた３層構造
のテープキャリア材を作成する。
は、図４（ａ）に示すように、ポリイミドの絶縁テープ
１０に接着剤２２により銅箔２１を貼り付けた３層構造
のテープキャリア材を作成する。
【００４２】次に、図４（ｂ）に示すように、そのテー
プキャリア材の銅箔２１の面に、ポジ型フォトレジスト
２３を塗布し、フォトレジスト塗布面に露光、現像、エ
ッチング、レジスト膜剥離等の一連のフォトファブリケ
ーションを施し、図４（ｃ）に示すように、配線パター
ン１１を形成する。
プキャリア材の銅箔２１の面に、ポジ型フォトレジスト
２３を塗布し、フォトレジスト塗布面に露光、現像、エ
ッチング、レジスト膜剥離等の一連のフォトファブリケ
ーションを施し、図４（ｃ）に示すように、配線パター
ン１１を形成する。
【００４３】次に、この配線パターン１１上に厚付け用
のポジ型フォトレジスト２３を塗布してレジスト膜を形
成し、図４（ｄ）に示すように、これに露光及び現像を
施し、半導体チップのアルミパッドまたはボール端子
（不図示）に合致する位置の配線パターン１１上にレジ
スト開口部２４ａ，２４ｂを形成する。なお、厚付け用
のポジ型フォトレジスト２３の代わりにドライフィルム
レジストを用いてもよい。
のポジ型フォトレジスト２３を塗布してレジスト膜を形
成し、図４（ｄ）に示すように、これに露光及び現像を
施し、半導体チップのアルミパッドまたはボール端子
（不図示）に合致する位置の配線パターン１１上にレジ
スト開口部２４ａ，２４ｂを形成する。なお、厚付け用
のポジ型フォトレジスト２３の代わりにドライフィルム
レジストを用いてもよい。
【００４４】次に、そのレジスト開口部２４ａ，２４ｂ
が形成された基板（絶縁テープ、配線パターンを含むテ
ープキャリア材）をニッケルめっき液に浸漬して無電解
めっきを行い、図４（ｅ）に示すように、レジスト開口
部２４ａ，２４ｂがほぼ埋まる厚さにレジスト開口部内
にニッケルめっき層１２（小めっき突起１２ａ，１２
ｂ）を施す。
が形成された基板（絶縁テープ、配線パターンを含むテ
ープキャリア材）をニッケルめっき液に浸漬して無電解
めっきを行い、図４（ｅ）に示すように、レジスト開口
部２４ａ，２４ｂがほぼ埋まる厚さにレジスト開口部内
にニッケルめっき層１２（小めっき突起１２ａ，１２
ｂ）を施す。
【００４５】次に、図４（ｆ）に示すように、めっき突
起１２が形成された基板を専用剥離液を用いてレジスト
２３を溶解除去した後、金めっき液中に浸して電解めっ
きを行い、無電解で形成されたニッケルのめっき突起１
２の表面に金めっき１３を形成する。
起１２が形成された基板を専用剥離液を用いてレジスト
２３を溶解除去した後、金めっき液中に浸して電解めっ
きを行い、無電解で形成されたニッケルのめっき突起１
２の表面に金めっき１３を形成する。
【００４６】次に、図４（ｇ）に示すように、配線パタ
ーン１１上に金めっき１３を施したニッケルのめっき突
起１２を形成する。このように、作成した基板を所望の
サイズに切断し、図５に示すように、検査する半導体チ
ップ３１のボール端子とニッケルめっき突起１２とを接
触するようにプローブソケット３０に設置する検査用プ
ローブ基板１００を形成する。
ーン１１上に金めっき１３を施したニッケルのめっき突
起１２を形成する。このように、作成した基板を所望の
サイズに切断し、図５に示すように、検査する半導体チ
ップ３１のボール端子とニッケルめっき突起１２とを接
触するようにプローブソケット３０に設置する検査用プ
ローブ基板１００を形成する。
【００４７】また、めっき突起１２の形成は、上記の金
めっき／ニッケルめっきの組み合わせに限定されるもの
ではなく、パラジウム、ロジウム、ニッケル合金、ダイ
ヤモンド、シリカなどの硬質粉末を含有した複合めっき
皮膜など、多様な組み合わせの使用が可能である。
めっき／ニッケルめっきの組み合わせに限定されるもの
ではなく、パラジウム、ロジウム、ニッケル合金、ダイ
ヤモンド、シリカなどの硬質粉末を含有した複合めっき
皮膜など、多様な組み合わせの使用が可能である。
【００４８】また、本実施形態のめっき突起１２は、同
一形状の２つの四角柱の小めっき突起１２ａ，１２ｂを
所定の間隔で平行に並べた構成に限るものではなく、ボ
ール端子が多少ずれた場合でも、ある程度の接触面積を
確保でき、接触部分が１点のみとならない構成であれ
ば、他の構成であっても構わない。
一形状の２つの四角柱の小めっき突起１２ａ，１２ｂを
所定の間隔で平行に並べた構成に限るものではなく、ボ
ール端子が多少ずれた場合でも、ある程度の接触面積を
確保でき、接触部分が１点のみとならない構成であれ
ば、他の構成であっても構わない。
【００４９】 図６乃至図９は、めっき突起１２の他の
構成例を示した図である。なお、各々の図中において、
めっき突起１２上にボール端子が全くずれることなく接
触した場合のボール端子の理論的な位置の中心を中心Ｇ
として配線パターン１１上に示してある。
構成例を示した図である。なお、各々の図中において、
めっき突起１２上にボール端子が全くずれることなく接
触した場合のボール端子の理論的な位置の中心を中心Ｇ
として配線パターン１１上に示してある。
【００５０】図６に示すめっき突起１２は、同一形状を
した４つの四角柱の小めっき突起１２ｃ〜１２ｆを、ボ
ール端子の理論的な接触位置の中心Ｇを中心とし、互い
に所定間隔（例えば、０．１２５mm）を有する格子状に
配置した構成をとる。
した４つの四角柱の小めっき突起１２ｃ〜１２ｆを、ボ
ール端子の理論的な接触位置の中心Ｇを中心とし、互い
に所定間隔（例えば、０．１２５mm）を有する格子状に
配置した構成をとる。
【００５１】 図７に示すめっき突起１２は、４つの三
角柱の小めっき突起１２ｇ〜１２ｊを、ボール端子の理
論的な接触位置の中心Ｇを中心とし、互いに所定間隔
（例えば、０．１２５ｍｍ）を有する格子状に並べた構
成をとる。その際に、各小めっき突起１２ｇ〜１２ｊの
三角柱は、底面の２等分線の延長上に理論的な接触位置
の中心Ｇがあるようにし、且つその２等分線が通る底面
の頂点が理論的な接触位置の中心Ｇ側を向くように配置
される。
角柱の小めっき突起１２ｇ〜１２ｊを、ボール端子の理
論的な接触位置の中心Ｇを中心とし、互いに所定間隔
（例えば、０．１２５ｍｍ）を有する格子状に並べた構
成をとる。その際に、各小めっき突起１２ｇ〜１２ｊの
三角柱は、底面の２等分線の延長上に理論的な接触位置
の中心Ｇがあるようにし、且つその２等分線が通る底面
の頂点が理論的な接触位置の中心Ｇ側を向くように配置
される。
【００５２】また、このとき各小めっき突起１２ｇ〜１
２ｊの三角柱は、それぞれ理論的な接触位置の中心Ｇに
対して点対称になる。
２ｊの三角柱は、それぞれ理論的な接触位置の中心Ｇに
対して点対称になる。
【００５３】 図８に示すめっき突起１２は、４つの扇
形柱型（円柱を底面に対して垂直に切って４等分したも
の）の小めっき突起１２ｋ〜１２ｎを、ボール端子の理
論的な接触位置の中心Ｇを中心とし、互いに所定間隔
（例えば、０．１２５ｍｍ）を有する格子状に並べた構
成をとる。その際に、各小めっき突起１２ｋ〜１２ｎの
扇形柱は、底面の２等分線の延長上に理論的な接触位置
の中心Ｇがあるようにし、且つその２等分線が通る底面
の頂点が理論的な接触位置の中心Ｇ側を向くように配置
される。
形柱型（円柱を底面に対して垂直に切って４等分したも
の）の小めっき突起１２ｋ〜１２ｎを、ボール端子の理
論的な接触位置の中心Ｇを中心とし、互いに所定間隔
（例えば、０．１２５ｍｍ）を有する格子状に並べた構
成をとる。その際に、各小めっき突起１２ｋ〜１２ｎの
扇形柱は、底面の２等分線の延長上に理論的な接触位置
の中心Ｇがあるようにし、且つその２等分線が通る底面
の頂点が理論的な接触位置の中心Ｇ側を向くように配置
される。
【００５４】また、このとき理論的な接触位置の中心Ｇ
を介した対面の小めっき突起１２ｋ〜１２ｎの扇型柱
は、それぞれ理論的な接触位置の中心Ｇに対して点対称
になる。
を介した対面の小めっき突起１２ｋ〜１２ｎの扇型柱
は、それぞれ理論的な接触位置の中心Ｇに対して点対称
になる。
【００５５】図９に示すめっき突起１２は、３つの扇形
柱型（円柱を底面に対して垂直に切って多等分したも
の）の小めっき突起１２ｐ〜１２ｒを、ボール端子の理
論的な接触位置の中心Ｇから所定間隔を有し、その中心
Ｇを中心として互いに同一間隔（ここでは、１２０度）
を有する位置に並べた構成をとる。その際に、各小めっ
き突起１２ｐ〜１２ｒの扇形柱は、底面の２等分線の延
長上に理論的な接触位置の中心Ｇがあるようにし、且つ
底面の最鋭角の頂点（２等分線が通る底面の頂点）が理
論的な接触位置の中心Ｇ側を向くように配置する。
柱型（円柱を底面に対して垂直に切って多等分したも
の）の小めっき突起１２ｐ〜１２ｒを、ボール端子の理
論的な接触位置の中心Ｇから所定間隔を有し、その中心
Ｇを中心として互いに同一間隔（ここでは、１２０度）
を有する位置に並べた構成をとる。その際に、各小めっ
き突起１２ｐ〜１２ｒの扇形柱は、底面の２等分線の延
長上に理論的な接触位置の中心Ｇがあるようにし、且つ
底面の最鋭角の頂点（２等分線が通る底面の頂点）が理
論的な接触位置の中心Ｇ側を向くように配置する。
【００５６】また、上述の所定間隔は少なくともボール
端子の直径より小さくなる値であれば他の値でもよい。
なお、これらめっき突起１２の小めっき突起数は３，ま
たは４つと限るものではなく、４つ以上あっても構わな
い。
端子の直径より小さくなる値であれば他の値でもよい。
なお、これらめっき突起１２の小めっき突起数は３，ま
たは４つと限るものではなく、４つ以上あっても構わな
い。
【００５７】したがって、上述したように、絶縁性があ
る基板と、その基板上に形成された所定の配線パターン
と、その配線パターン上に電気的に接続されるように形
成され、半導体装置もしくは電子装置の外部端子と接触
する金属めっき突起とを備えた検査用プローブ基板であ
って、金属めっき突起は、所定の配置ルールの基で、前
記外部端子の径より小さいピッチで設けられた複数個の
めっき突起を有することにより、検査時に半導体チップ
のボール端子との位置ズレが起きても、接触部分が１点
のみとなることは無くなり、接触抵抗を小さくすること
が可能になる。
る基板と、その基板上に形成された所定の配線パターン
と、その配線パターン上に電気的に接続されるように形
成され、半導体装置もしくは電子装置の外部端子と接触
する金属めっき突起とを備えた検査用プローブ基板であ
って、金属めっき突起は、所定の配置ルールの基で、前
記外部端子の径より小さいピッチで設けられた複数個の
めっき突起を有することにより、検査時に半導体チップ
のボール端子との位置ズレが起きても、接触部分が１点
のみとなることは無くなり、接触抵抗を小さくすること
が可能になる。
【００５８】また、小めっき突起の各々の突起形状は、
上面を平坦にし、エッジを極力直角に近くなるように仕
上げてあるので、ボール端子との接触時に、エッジ部分
でボール端子の酸化皮膜をワイピングし、接触抵抗を低
下させることができ、より正確な検査を行うことが可能
になる。
上面を平坦にし、エッジを極力直角に近くなるように仕
上げてあるので、ボール端子との接触時に、エッジ部分
でボール端子の酸化皮膜をワイピングし、接触抵抗を低
下させることができ、より正確な検査を行うことが可能
になる。
【００５９】また、めっき突起を無電解金属めっきで形
成することにより、めっき突起１２の硬度が増すので、
耐久性に優れた検査用プローブ基板を提供できる。
成することにより、めっき突起１２の硬度が増すので、
耐久性に優れた検査用プローブ基板を提供できる。
【００６０】なお、本実施形態では、半導体チップ３１
を検査する場合について説明してきたが、本発明はこの
半導体チップの限るものではなく、電子装置の検査にも
適応できる。
を検査する場合について説明してきたが、本発明はこの
半導体チップの限るものではなく、電子装置の検査にも
適応できる。
【００６１】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
前記実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、
前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論で
ある。
【００６２】
【発明の効果】本発明において開示される発明のうち代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００６３】接触面積を増大させるので、接触抵抗が低
下し、半導体チップとの位置ずれが起きた場合でも、よ
り正確な検査を行うことが可能になる。
下し、半導体チップとの位置ずれが起きた場合でも、よ
り正確な検査を行うことが可能になる。
【００６４】また、めっき突起における小めっき突起の
各々の突起形状は、上面を平坦にし、エッジを極力直角
に近くなるように仕上げてあるので、ボール端子との接
触時に、エッジ部分でボール端子の酸化皮膜をワイピン
グし、接触抵抗を低下させることができ、より正確な検
査を行うことが可能になる。
各々の突起形状は、上面を平坦にし、エッジを極力直角
に近くなるように仕上げてあるので、ボール端子との接
触時に、エッジ部分でボール端子の酸化皮膜をワイピン
グし、接触抵抗を低下させることができ、より正確な検
査を行うことが可能になる。
【００６５】また、めっき突起を無電解金属めっきで形
成することにより、めっき突起の硬度が増すので、耐久
性に優れた検査用プローブ基板を提供できる。
成することにより、めっき突起の硬度が増すので、耐久
性に優れた検査用プローブ基板を提供できる。
【図１】本発明の参考例の検査用プローブ基板の構成を
説明するための平面図である。
説明するための平面図である。
【図２】図１に示すＡ−Ａ線で切った断面図である。
【図３】金めっきを施した検査用プローブ基板の構成を
説明するための平面図である。
説明するための平面図である。
【図４】本実施形態の検査用プローブ基板１００の製造
方法を説明するための図である。
方法を説明するための図である。
【図５】検査用プローブ基板を用いるプローブソケット
の構成を説明するための図である。
の構成を説明するための図である。
【図６】本発明の参考例を示す検査用プローブ基板にお
けるめっき突起の形状について説明するための図であ
る。
けるめっき突起の形状について説明するための図であ
る。
【図７】めっき突起１２の他の形状について説明するた
めの図である。
めの図である。
【図８】めっき突起１２の他の形状について説明するた
めの図である。
めの図である。
【図９】めっき突起１２の他の形状について説明するた
めの図である。
めの図である。
１０ 絶縁テープ
１１ 配線パターン
１２ めっき突起
１２ａ〜１２ｒ 小めっき突起
１３ 金めっき
２１ 銅箔
２２ 接着剤
２３ レジスト
２４ａ，２４ｂ 開口部
３０ プローブソケット
３１ 半導体チップ
１００，１００ａ 検査用プローブ基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/66
G01R 1/067
G01R 1/073
G01R 31/26
Claims (6)
- 【請求項１】絶縁性を有する基板と、前記基板上に形成
された所定の配線パターンと、前記配線パターン上に電
気的に接続されるように形成され、半導体装置もしくは
電子装置のはんだボールと接触する金属めっき突起とを
備えた検査用プローブ基板であって、 前記金属めっき突起は、前記はんだボールの径より小さ
いピッチで設けられた同一形状をした４つの三角柱のめ
っき突起からなり、 前記三角柱のめっき突起は、前記三角柱のめっき突起の
底面の頂点のうち、前記はんだボールの接触位置の中心
側を向く頂点を通過する前記めっき突起の底面の２等分
線の延長上に前記はんだボールの接触位置の中心がある
ように配置された ことを特徴とする検査用プローブ基
板。 - 【請求項２】絶縁性を有する基板と、前記基板上に形成
された所定の配線パターンと、前記配線パターン上に電
気的に接続されるように形成され、半導体装置もしくは
電子装置のはんだボールと接触する金属めっき突起とを
備えた検査用プローブ基板であって、 前記金属めっき突起は、前記はんだボールの径より小さ
いピッチで設けられた４つの扇形柱のめっき突起からな
り、 前記扇形柱のめっき突起は、前記扇形柱のめっき突起の
底面の頂点のうち、前記はんだボールの接触位置の中心
側を向く頂点を通過する前記めっき突起の底面の２等分
線の延長上に前記はんだボールの接触位置の中心がある
ように 配置されたことを特徴とする検査用プローブ基
板。 - 【請求項３】絶縁性を有する基板と、前記基板上に形成
された所定の配線パターンと、前記配線パターン上に電
気的に接続されるように形成され、半導体装置もしくは
電子装置のはんだボールと接触する金属めっき突起とを
備えた検査用プローブ基板であって、 前記金属めっき突起は、前記はんだボールの径より小さ
いピッチで設けられた３つの扇形柱のめっき突起からな
り、 前記扇形柱のめっき突起は、前記扇形柱のめっき突起の
底面の頂点のうち、前記はんだボールの接触位置の中心
側を向く頂点を通過する前記めっき突起の底面の２等分
線の延長上に前記はんだボールの接触位置の中心がある
ように配置された ことを特徴とする検査用プローブ基
板。 - 【請求項４】前記請求項１乃至３の何れか１つに記載の
検査用プローブ基板において、 前記金属めっき突起は、無電解めっき法で形成された無
電解金属めっき突起であることを特徴とする検査用プロ
ーブ基板。 - 【請求項５】前記請求項１乃至４の何れか１つに記載の
検査用プローブ基板において、 前記配線パターン及びその上に形成された前記金属めっ
き突起を酸化防止金属膜で一括被覆形成したことを特徴
とする検査用プローブ基板。 - 【請求項６】前記請求項５に記載の検査用プローブ基板
において、 前記酸化防止金属膜は、貴金属めっきであることを特徴
とする検査用プローブ基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000118483A JP3482937B2 (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | 検査用プローブ基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000118483A JP3482937B2 (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | 検査用プローブ基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001298059A JP2001298059A (ja) | 2001-10-26 |
| JP3482937B2 true JP3482937B2 (ja) | 2004-01-06 |
Family
ID=18629610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000118483A Expired - Fee Related JP3482937B2 (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | 検査用プローブ基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3482937B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005069813A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の測定治具 |
| JP2007324226A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Mitsumi Electric Co Ltd | 基板及びこれを利用した半導体装置検査装置 |
| JP6085916B2 (ja) * | 2012-08-29 | 2017-03-01 | 株式会社村田製作所 | バンプ電極を有する検査対象物の電気特性の検査方法およびバンプ電極を有する検査対象物の電気特性の検査装置 |
| JP6039633B2 (ja) * | 2013-12-03 | 2016-12-07 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池の測定装置 |
-
2000
- 2000-04-14 JP JP2000118483A patent/JP3482937B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2001298059A (ja) | 2001-10-26 |
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