JP4862017B2 - 中継基板、その製造方法、プローブカード - Google Patents
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
- Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
- Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
Description
第一の面と第二の面とを有し内部に配線が形成された基板本体と、前記第一の面に配置され、少なくとも第一のテスト専用パッドを含む複数の第一の電極パッドと、前記第二の面に配置された第二の電極パッドと、を備えたパッケージ基板と、
前記パッケージ基板の前記第一の面の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の前記第一の電極パッドに対応する位置に形成された貫通孔と、
前記貫通孔に形成された導電部材と、
前記貫通孔を覆い、上面および側面全面が絶縁層で覆われていない第三の電極パッドと、
前記第二の電極パッドに形成された外部接続端子と、
前記第二の面に配置され、電気信号を印加する第二のテスト専用パッドと、
を有し、
前記第一の電極パッドは、前記配線を介して前記第二の電極パッドに電気的に接続され、
前記第三の電極パッドは、前記導電部材を介して前記第一の電極パッドに電気的に接続され、
前記第一のテスト専用パッドと前記第二のテスト専用パッドとが前記配線を介して電気的に接続され、
前記第二のテスト専用パッドに外部接続端子が形成されていることを特徴とする中継基板が提供される。
検査対象であるLSIが形成された半導体ウェハと、前記半導体ウェハに形成された前記LSIに電気信号を印加し、前記半導体ウェハに形成された前記LSIの電気特性を測定する測定装置と、を電気的に接続するプローブカードであって、
第一の面と第二の面とを有し内部に配線が形成された基板本体と、前記第一の面に配置され、少なくとも第一のテスト専用パッドを含む複数の第一の電極パッドと、前記第二の面に配置された第二の電極パッドと、を備えたパッケージ基板と、
前記パッケージ基板の前記第一の面の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の前記第一の電極パッドに対応する位置に形成された貫通孔と、
前記貫通孔に形成された導電部材と、
前記貫通孔を覆い、上面および側面全面が絶縁層で覆われていない第三の電極パッドと、
前記第二の面に配置され、電気信号を印加する第二のテスト専用パッドと、
前記第二の電極パッドに形成された外部接続端子と、
を備える中継基板と、
前記第三の電極パッドに電気的に接続し、前記半導体ウェハに形成された電極に接触するプローブと、
を有し、
前記第一の電極パッドは、前記配線を介して前記第二の電極パッドと電気的に接続され、
前記第三の電極パッドは、前記導電部材を介して前記第一の電極パッドと電気的に接続され、
前記第一のテスト専用パッドと前記第二のテスト専用パッドとが前記配線を介して電気的に接続され、
前記第二のテスト専用パッドに外部接続端子が形成されていることを特徴とするプローブカードが提供される。
第一の面と第二の面とを有し内部に配線が形成された基板本体と、前記第一の面に配置され、少なくとも第一のテスト専用パッドを含む複数の第一の電極パッドと、前記第二の面に配置された第二の電極パッドと、を備えたパッケージ基板を準備する工程と、
前記第一の面に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の前記第一の電極パッドに対応する位置に貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に導電部材を形成する工程と、
前記貫通孔を第三の電極パッドで覆う工程と、
前記第二の電極パッドに外部接続端子を形成する工程と、
を含み、
前記パッケージ基板を準備する前記工程において、電気信号を印加する第二のテスト専用パッドを前記第二の面に有し、前記配線を介して前記第一の電極パッドが前記第二の電極パッドに電気的に接続されるとともに、前記第一のテスト専用パッドと前記第二のテスト専用パッドとが前記配線を介して電気的に接続される前記パッケージ基板を準備し、
前記貫通孔を第三の電極パッドで覆う前記工程において、前記導電部材を介して前記第一の電極パッドに電気的に接続される前記第三の電極パッドを、前記第三の電極パッドの上面および側面全面が絶縁層で覆われないように形成し、
前記第二の電極パッドに外部接続端子を形成する工程において、前記第二のテスト専用パッドに外部接続端子を形成することを特徴とする中継基板の製造方法が提供される。
(1)図4(a)で示す二つのパッケージ基板を準備する工程。一つはプローブカード搭載用パッケージ基板であり、もう一つは半導体素子搭載用パッケージ基板である。
(2)図3で示すプローブカード2を用いて半導体ウェハ601を検査する工程。
(3)半導体ウェハ601からLSIを含む半導体素子を個片化する工程。半導体素子30は、半導体プロセスによって作成することができる。ウェハ状態の半導体素子30の電極(図示せず)に、印刷,蒸着またはメッキ工程などによってバンプ603を形成する。これをダイシングし、個片化することにより半導体素子30(半導体チップ)を得る。また、半導体素子30は、半導体ウェハ601の電気的検査において、良品と判定されたLSIを含む半導体素子を選別してパッケージ化することができる。
(4)上記(1)で準備した半導体素子搭載用のパッケージ基板上に半導体素子をパッケージ化する工程。
(i)図4(a)で示すパッケージ基板の下面1aに、半導体素子を搭載し、半導体素子をパッケージ基板のパッド303及びテスト専用端子903に電気的に接続する工程。具体的には、パッド303に半田メッキ702を施し、レジスト701を形成する(図10(a))。そして、パッケージ基板の上面3a側に半導体素子30をリフロー実装する(図10(b))。
(ii)パッケージ基板のテスト専用パッド905の上には外部接続端子901を形成せず、パッケージ基板のパッド904の上に外部接続端子401を形成する工程。具体的には、半導体素子30とレジスト701との間にアンダーフィル樹脂32を充填する(図10(c))。最後に、パッド904に外部接続端子401を搭載し、半導体装置3を完成させる(図10(d))。なお、テスト専用パッド905には、外部接続端子401を搭載しない。
1a 下面
1b 上面
2 プローブカード
2a 上端部
2b 下端部
3 半導体装置
3a 上面
3b 下面
30 半導体素子
32 アンダーフィル樹脂
101 プローブ
102 ガイド板
103 スペーサー
104 ガイド板
201 プレート
300 パッケージ基板
301 基板
303 パッド
305 絶縁樹脂層
306 ビア
307 パッド
308 貫通孔
401 外部接続端子
402 配線
403 絶縁性保護膜
501 プローブカード基板
502 接続端子
601 半導体ウェハ
602 電極
603 バンプ
701 レジスト
702 半田層
706 中継基板
801 導電性保護膜
803 パッド
805 パッド
901 外部接続端子
902 配線
903 テスト専用パッド
904 パッド
905 テスト専用パッド
Claims (14)
- 第一の面と第二の面とを有し内部に配線が形成された基板本体と、前記第一の面に配置され、少なくとも第一のテスト専用パッドを含む複数の第一の電極パッドと、前記第二の面に配置された第二の電極パッドと、を備えたパッケージ基板と、
前記パッケージ基板の前記第一の面の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の前記第一の電極パッドに対応する位置に形成された貫通孔と、
前記貫通孔に形成された導電部材と、
前記貫通孔を覆い、上面および側面全面が絶縁層で覆われていない第三の電極パッドと、
前記第二の電極パッドに形成された外部接続端子と、
前記第二の面に配置され、電気信号を印加する第二のテスト専用パッドと、
を有し、
前記第一の電極パッドは、前記配線を介して前記第二の電極パッドに電気的に接続され、
前記第三の電極パッドは、前記導電部材を介して前記第一の電極パッドに電気的に接続され、
前記第一のテスト専用パッドと前記第二のテスト専用パッドとが前記配線を介して電気的に接続され、
前記第二のテスト専用パッドに外部接続端子が形成されていることを特徴とする中継基板。 - 前記第三の電極パッドは、導電性保護膜で覆われていることを特徴とする請求項1に記載の中継基板。
- 前記導電性保護膜は金メッキ膜であることを特徴とする請求項2に記載の中継基板。
- 前記第三の電極パッドは、前記絶縁層の表面に対して凸状に張り出していることを特徴とする請求項1乃至3いずれか1項に記載の中継基板。
- 前記第三の電極パッドは、前記第一の電極パッドよりも面積が大きいことを特徴とする請求項1乃至4いずれか1項に記載の中継基板。
- 前記第二の電極パッドのピッチは、前記第一の電極パッドのピッチよりも広く、
前記第三の電極パッドのピッチは、前記第一の電極パッドのピッチと等しいことを特徴とする請求項1乃至5いずれか1項に記載の中継基板。 - 前記第三の電極パッドが前記貫通孔の開口よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至6いずれか1項に記載の中継基板。
- 検査対象であるLSIが形成された半導体ウェハと、前記半導体ウェハに形成された前記LSIに電気信号を印加し、前記半導体ウェハに形成された前記LSIの電気特性を測定する測定装置と、を電気的に接続するプローブカードであって、
第一の面と第二の面とを有し内部に配線が形成された基板本体と、前記第一の面に配置され、少なくとも第一のテスト専用パッドを含む複数の第一の電極パッドと、前記第二の面に配置された第二の電極パッドと、を備えたパッケージ基板と、
前記パッケージ基板の前記第一の面の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の前記第一の電極パッドに対応する位置に形成された貫通孔と、
前記貫通孔に形成された導電部材と、
前記貫通孔を覆い、上面および側面全面が絶縁層で覆われていない第三の電極パッドと、
前記第二の面に配置され、電気信号を印加する第二のテスト専用パッドと、
前記第二の電極パッドに形成された外部接続端子と、
を備える中継基板と、
前記第三の電極パッドに電気的に接続し、前記半導体ウェハに形成された電極に接触するプローブと、
を有し、
前記第一の電極パッドは、前記配線を介して前記第二の電極パッドと電気的に接続され、
前記第三の電極パッドは、前記導電部材を介して前記第一の電極パッドと電気的に接続され、
前記第一のテスト専用パッドと前記第二のテスト専用パッドとが前記配線を介して電気的に接続され、
前記第二のテスト専用パッドに外部接続端子が形成されていることを特徴とするプローブカード。 - 前記第三の電極パッドは、導電性保護膜で覆われていることを特徴とする請求項8に記載のプローブカード。
- 前記導電性保護膜は金メッキ膜であることを特徴とする請求項9に記載のプローブカード。
- 前記第三の電極パッドは、前記絶縁層の表面に対して凸状に張り出した形状であることを特徴とする請求項8乃至10いずれか1項に記載のプローブカード。
- 前記第三の電極パッドは、前記第一の電極パッドよりも面積が大きいことを特徴とする請求項8乃至11いずれか1項に記載のプローブカード。
- 前記第二の電極パッドのピッチは、前記第一の電極パッドのピッチよりも広く、
前記第三の電極パッドのピッチは、前記第一の電極パッドのピッチと等しいこと
を特徴とする請求項8乃至12いずれか1項に記載のプローブカード。 - 第一の面と第二の面とを有し内部に配線が形成された基板本体と、前記第一の面に配置され、少なくとも第一のテスト専用パッドを含む複数の第一の電極パッドと、前記第二の面に配置された第二の電極パッドと、を備えたパッケージ基板を準備する工程と、
前記第一の面に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の前記第一の電極パッドに対応する位置に貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔に導電部材を形成する工程と、
前記貫通孔を第三の電極パッドで覆う工程と、
前記第二の電極パッドに外部接続端子を形成する工程と、
を含み、
前記パッケージ基板を準備する前記工程において、電気信号を印加する第二のテスト専用パッドを前記第二の面に有し、前記配線を介して前記第一の電極パッドが前記第二の電極パッドに電気的に接続されるとともに、前記第一のテスト専用パッドと前記第二のテスト専用パッドとが前記配線を介して電気的に接続される前記パッケージ基板を準備し、
前記貫通孔を第三の電極パッドで覆う前記工程において、前記導電部材を介して前記第一の電極パッドに電気的に接続される前記第三の電極パッドを、前記第三の電極パッドの上面および側面全面が絶縁層で覆われないように形成し、
前記第二の電極パッドに外部接続端子を形成する工程において、前記第二のテスト専用パッドに外部接続端子を形成することを特徴とする中継基板の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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