JPH1172511A - コンタクトプローブの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 狭ピッチおよび断面縦横比のパターン配線
を、設計通りにパターニングできる、コンタクトプロー
ブの製造方法を提供する。 【解決手段】 ベースメタル層上にフォトレジスト層７
を形成した後、このフォトレジスト層７に、フォトマス
クを施して露光し、さらに、フォトレジスト層７を現像
して、断面高縦横比の複数のパターン配線を有する櫛状
パターンとなる部分を除去して、フォトレジスト層７に
開口部７ａを形成し、かつ残存する規定パターン７ｂの
後端よりそれぞれ延長する、一部が幅広部となっている
延長パターン７００〜７０５を形成する。したがって、
現像の際には、幅広の延長パターン７００〜７０５の前
記ベースメタル層との接着面積が大きくなって良好な密
着状態となるので、延長パターン７ｂは現像液により衝
撃を受けても、位置ずれしにくく、設計通りのまっすぐ
なパターン配線を形成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ＩＣチップ
や液晶デバイス等の各端子にコンタクトピンをそれぞれ
接触させて電気的なテストを行うコンタクトプローブの
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ＩＣチップやＬＳＩチップ等の
半導体チップ又はＬＣＤ（液晶表示体）の各端子に接触
させて電気的なテストを行うためには、プローブ装置が
用いらられている。ここで、このようなプローブ装置に
使用されるコンタクトプローブおよびその製造方法につ
いて順次説明する。

【０００３】図１４に示すように、コンタクトプローブ
１は、ポリイミド樹脂フィルム２の片面に金属で形成さ
れるパターン配線３を張り付けた構造となっており、前
記樹脂フィルム２の端部から前記パターン配線３の先端
が突出してコンタクトピン３ａとされている。なお、符
号４はコンタクトプローブ１を図示しないベース部材に
位置合せするための位置合わせ穴を示している。

【０００４】図１５は上記コンタクトプローブ１の製造
方法を工程順に示す要部断面図である。 〔ベースメタル層形成工程〕先ず、図１５（ａ）に示す
ように、Ｃｕ（銅）メッキにより、支持金属板５の上に
ベースメタル層６を形成する。

【０００５】〔レジストパターン形成工程〕このベース
メタル層６の上にフォトレジスト層７を形成した後、図
１５（ｂ）に示すように、写真製版技術によりフォトレ
ジスト層７に所定のパターンのフォトマスク８を施して
露光し、図１５（ｃ）に示すように、フォトレジスト層
７を現像して、フォトレジスト層７に前記パターン配線
３となる部分を除去して開口部７ａを形成する。ここ
で、図１６はフォトレジスト層７の平面図（ハッチング
を施した部分にフォトレジスト層７が存在する）であ
り、図１５（ｃ）および図１６に示すように、フォトレ
ジスト層７の各開口部７ａはパターン配線３を形成する
ための空間であり、各開口部７ａはそれぞれの一端（図
１６における右端）で開口している。この開口している
理由は、後述するコーティング工程において、メッキ法
によりパターン配線３に貴金属をコーティング処理する
際の共通電極を設けるためである。

【０００６】〔電解メッキ工程〕そして、図１５（ｄ）
に示すように、前記開口部７ａに前記パターン配線３と
なるＮｉまたはＮｉ合金層Ｎをメッキ処理により形成し
た後、図１５（ｅ）に示すように、フォトレジスト層７
を除去する。これにより、断面高縦横比（アスペクト
比）の複数のパターン配線３が共通電極（不図示）に狭
ピッチで接続された櫛状パターンが形成される。ここ
で、狭ピッチとは、ピッチが１００μｍ以下の場合をい
い、断面高縦横比（アスペクト比）とは、パターン配線
３の断面における高さ寸法ｈと幅寸法Ｂとの比、すなわ
ちｈ／Ｂを示し、これが１以上であると、断面縦横比が
高いすなわち高アスペクト比であるという。

【０００７】〔フィルム被着工程〕次に、図１５（ｆ）
に示すように、前記ＮｉまたはＮｉ合金層Ｎの上であっ
て、図１４に示した前記パターン配線３の先端、すなわ
ち、コンタクトピン３ａとなる部分以外に、前記樹脂フ
ィルム２を接着剤２ａにより接着する。この樹脂フィル
ム２は、例えばポリイミド樹脂ＰＩに金属フィルム（例
えば銅箔）５００が一体に設けられた二層テープであ
る。

【０００８】〔分離工程〕そして、図１５（ｇ）に示す
ように、樹脂フィルム２とパターン配線３とベースメタ
ル層６とからなる部分を、支持金属板５から分離させた
後、ベースメタル層６を取り除いて、樹脂フィルム２に
パターン配線３のみを接着させた状態とする。 〔金コーティング工程〕次に、前記櫛状パターンの共通
電極を使用して、露出状態のパターン配線３に、図１５
（ｈ）に示すように、Ａｕメッキを施し、表面にＡｕメ
ッキ層Ａを形成する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、特にＬＣＤ
（液晶表示体）の高集積化および微細化に伴って、その
端子が狭ピッチ化されるとともに、コンタクトピンの多
ピン狭ピッチ化が要望されている。これに応じて、ＬＣ
Ｄ用コンタクトプローブのパターン配線は、幅寸法が一
様に小さく、断面高縦横比のものが要求される。このよ
うな狭ピッチおよび断面高縦横比のパターン配線をメッ
キにて作製する際に、図１６に示したように、フォトレ
ジスト層７の複数の規定パターン７ｂも同様に、狭ピッ
チおよび断面高縦横比を満たしていなければならない。
ここで、前記規定パターン７ｂの断面縦横比とは、高さ
寸法ｈ（図１５（ｃ）参照）と幅寸法ｂ（図１５（ｃ）
参照）との比である。ところが、狭ピッチでありながら
断面高縦横比を達成しようとすると、例えば図１５
（ｃ）および図１６に示すように、前記規定パターン７
ｂの高さ寸法ｈおよびピッチＰ（図１５（ｃ）および図
１６参照）がそれぞれ１００μｍの場合、前記規定パタ
ーン７ｂの幅ｂは５０μｍしかなく（縦横比ｈ／ｂは
１）、前記規定パターン７ｂとベースメタル層（下地金
属）との接触面積が小さくなる。

【００１０】その結果、図１７に示すように、現像の際
に、前記規定パターン７ｂが特に現像液により大きな衝
撃を受けた場合、前記規定パターン７ｂの特に開口端側
（自由端側）が部分的にベースメタル層６（下地金属）
からはがれて、曲がり、結果的に、パターン配線３を所
望のパターン通りにメッキすることができないという問
題点がある。

【００１１】本発明は、上記従来技術の有する問題点に
鑑みてなされたものであり、狭ピッチで断面高縦横比の
パターン配線を、設計通りにまっすぐにパターンニング
できるコンタクトプローブの製造方法を提供することを
目的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、フィルム上に、断面高縦横比の複数のパタ
ーン配線を並列に形成し、これらのパターン配線の各先
端部を前記フィルムから突出状態に配してコンタクトピ
ンとされるコンタクトプローブの製造方法であって、ベ
ースメタル層上の一部領域に、フォトレジスト層を形成
した後、このフォトレジスト層に所定のパターンのフォ
トマスクを施して露光し、さらに、現像することによ
り、前記フォトレジスト層より、前記複数のパターン配
線、各パターン配線の各後端よりそれぞれ延びる配線延
長部、および各配線延長部が並列に接続される共通電極
から構成される櫛状パターンとなる部分を除去するレジ
ストパターン形成工程と、前記フォトレジスト層の前記
除去された部分に、前記櫛状パターンに供される金属層
をメッキ処理して前記櫛状パターンを形成するメッキ処
理工程と、前記パターン配線上に、前記コンタクトピン
に供される部分以外をカバーする前記フィルムを被着す
るフィルム被着工程と、前記フィルムと前記パターン配
線とからなる部分を、前記ベースメタル層から分離する
分離工程と、前記櫛状パターンの前記共通電極を利用し
て、前記パターン配線の表面に、貴金属をメッキしてコ
ーティグするコーティング工程と、前記パターン配線
を、前記配線延長部より分離するために切断する切断工
程と、を備えていることを特徴とするものである。

【００１３】本発明の作用としては、レジストパターン
形成工程において、露光後に、現像液により、フォトレ
ジスト層から、複数のパターン配線、各パターン配線の
各後端よりそれぞれ延びる配線延長部、および各配線延
長部が並列に接続される共通電極から構成される櫛状パ
ターンとなる部分を除去することにより、フォトレジス
ト層に、前記配線延長部を形成するための延長パターン
が形成される。したがって、この延長パターンが現像液
により衝撃を受けた場合でも、延長パターンの特に自由
端側のみがベースメタル層からはがれて、曲がるにとど
まり、配線パターンを形成するためのフォトレジスト層
のパターンに、前記曲がりの影響が及ぼされない。そし
て、この曲がった延長パターンにより形成されたパター
ン配線の配線延長部を正規のパターン配線より分離す
る。また、前記櫛状パターンの前記共通電極を利用し
て、一括して各パターン配線の表面に、貴金属をメッキ
してコーティングできる。

【００１４】ところで、パターン配線の狭ピッチ化や現
像能力（現像液の温度、圧力、現像時間等に依存する）
を高めるほど、フォトレジスト層の延長パターンの特に
自由端部がベースメタル層からはがれて大きく曲がる傾
向にあり、場合によっては、この曲がった自由端部が隣
の延長パターンに接触して、双方の延長パターン間が共
通電極から遮断される等の不具合が発生することがあ
る。このような不具合を解消するために、請求項２を採
用することが好ましい。すなわち、請求項２の発明のよ
うに、前記パターン配線の前記配線延長部を形成するた
めの、前記フォトレジスト層の延長パターンの少なくと
も一部を、前記パターン配線を形成するための規定パタ
ーンよりも幅広（補強部）にすることにより、この幅広
部の分だけ延長パターンとベースメタルとの接着面積が
高まるので、結果的に、延長パターンとベースメタル層
との接着強度が高まって良好な密着状態を得ることがで
きる。したがって、フォトレジスト層の規定パターンお
よび延長パターンが現像液により大きな衝撃を受けて
も、延長パターンが若干曲がるにとどまり、隣接する延
長パターンに接触しない。また、フォトレジスト層の前
記規定パターンの位置ずれは皆無となる。

【００１５】

【発明の実施の形態】次に、本発明のコンタクトプロー
ブの製造方法の一実施形態について図面を参照して説明
する。図１は本発明のコンタクトプローブの製造方法の
一実施形態に係わる、現像後のフォトレジストおよび櫛
状パターンの平面図、図２は本発明のコンタクトプロー
ブの製造方法の一実施形態に係わる、フォトマスクの平
面図である。 〔ベースメタル層形成工程（第１の金属層形成工程）〕
まず、図１５（ａ）に示すように、支持金属板５の上
に、Ｃｕ（銅）メッキにより、例えば厚さ２５μｍのベ
ースメタル層６を形成する。

【００１６】〔レジストパターン形成工程〕このベース
メタル層６上の一部領域にフォトレジスト層７を形成し
た後、図１５（ｂ）に示すように、写真製版技術により
フォトレジスト層７に、図２に示すような、複数の溝８
ａの後端が延長されて幅広の溝８００〜８０５となって
いるフォトマスク８を施す。この後、露光し、さらに、
図１５（ｃ）に示すように、フォトレジスト層７を現像
することにより、図１に示すように、フォトレジスト層
７より、断面高縦横比（断面縦横比が１以上）の複数の
パターン配線３、各パターン配線３の各後端よりそれぞ
れ延びる配線延長部３ｂ、および各配線延長部３ｂが並
列に接続される共通電極Ｄから構成される櫛状パターン
となる部分を除去する。これにより、フォトレジスト層
７には、各パターン配線３を形成するための規定パター
ン７ｂと、この規定パターン７ｂの後端よりそれぞれ延
長する延長パターン７００〜７０５が形成される。規定
パターン７ｂ間は従来と同様に開口部７ａとなってい
る。

【００１７】延長パターン７００〜７０５の一部として
の自由端部（図１では右端部）は、規定パターン７ｂよ
りも幅広となっており、この幅広部の具体的な形態とし
ては、符号７００のような逆Ｌ字型のものや、符号７０
１、７０３、７０４のように幅方向両側がテーパ状に徐
々に拡大して矩形状の幅広部となるものや、符号７０２
のようにほぼ円形のものや、符号７０５のように幅方向
片側のみがテーパ状に徐々に拡大して矩形状の幅広部と
なるもの等が挙げられる。

【００１８】上述のように、本実施形態の製造方法で
は、パターン形成工程において、露光後に、現像液によ
り、各規定パターン７ｂ の後端に延長パターン７００
〜７０５をそれぞれ形成する。そして、延長パターン７
００〜７０５の後端の幅広部がベースメタル層６（下地
金属）と大きな面積で良好に密着するので、断面高縦横
比の規定パターン７ｂや延長パターン７００〜７０５が
現像液により大きな衝撃を受けても、ベースメタル層６
からはがれたり曲がったりすることはなく、設計通りの
パターン配線３を形成できる。

【００１９】上記実施形態では、延長パターン７００〜
７０５の自由端部が規定パターン７ｂよりも幅広になっ
ているが、延長パターン７００〜７０５の中途部を幅広
にしてもよい。また、延長パターンはその全長において
規定パターン７ｂと同幅にしてもよい。この場合、延長
パターンが現像液により大きな衝撃を受けても、延長パ
ターンの特に自由端側のみがベースメタル層からはがれ
て、曲がるにとどまり、この曲がりの影響が規定パター
ンに及ぼされない。そして、この曲がった延長パターン
により形成されたパターン配線の配線延長部を正規のパ
ターン配線より分離することより、曲がった前記配線延
長部が製品に残らない。なお、パターン配線の狭ピッチ
化や現像能力（現像液の温度、圧力、現像時間等に依存
する）を高めるほど、フォトレジスト層の延長パターン
の特に自由端部がベースメタル層からはがれて大きく曲
がる傾向にあり、場合によっては、この曲がった自由端
部が隣の延長パターンに接触して、双方の延長パターン
間が共通電極から遮断される等の不具合が発生すること
がある。この不具合は図１の実施形態のものでは生じな
いが、延長パターンをその全長において規定パターンと
同幅にするものは、前記不具合を解消することはできな
いので、図１に示したものと比較して好ましくない。

【００２０】なお、本実施形態においては、フォトレジ
スト層７をネガ型フォトレジストによって形成して、フ
ォトレジスト層７に、フォトマスク８によって覆われた
部分に開口部を形成したが、これに限られず、ポジ型フ
ォトレジストを採用して所望の開口部７ａを形成しても
構わない。ポジ型フォトレジストを採用する場合には、
これに応じて、フォトマスクを図１に示したフォトレジ
ストと同じパターンのものを用いる。

【００２１】〔電解メッキ工程〕そして、図１５（ｄ）
に示すように、フォトレジスト層７の前記除去された部
分（開口部７ａや、各延長パターン７００〜７０５の間
等）に、前記櫛状電極となる、ＮｉまたはＮｉ合金層Ｎ
をメッキ処理により形成した後、図１５（ｅ）に示すよ
うに、フォトレジスト層７を除去する。

【００２２】〔フィルム被着工程〕次に、図１５（ｆ）
に示すように、前記ＮｉまたはＮｉ合金層Ｎの上であっ
て、図４に示すように、前記パターン配線３の先端、す
なわち、コンタクトピン３ａとなる部分以外に、前記樹
脂フィルム２を接着剤２ａにより接着する。この樹脂フ
ィルム２は、ポリイミド樹脂ＰＩに金属フィルム５００
が一体に設けられた二層テープである。このフィルム被
着工程の前までに、二層テープのうちの金属フィルム５
００に、写真製版技術を用いて、グラウンド面を形成し
ておき、このフィルム被着工程では、二層テープのうち
のポリイミド樹脂ＰＩを接着剤２ａを介して前記Ｎｉま
たはＮｉ合金層Ｎに被着させる。

【００２３】〔分離工程〕そして、図１５（ｇ）に示す
ように、樹脂フィルム２とパターン配線３とベースメタ
ル層６とからなる部分を、支持金属板５から分離させた
後、ベースメタル層６を取り除いて、樹脂フィルム２に
パターン配線３のみを接着させた状態とする。

【００２４】〔金コーティング工程〕次に、前記共通電
極Ｄを利用して、露出状態のパターン配線３や配線延長
部３ｂに、図１５（ｈ）に示すように、Ａｕメッキを施
し、表面にＡｕメッキ層Ａを形成する。このとき、樹脂
フィルム２から突出状態とされた前記コンタクトピン３
ａでは、全周に亙る表面全体にＡｕ層Ａが形成される。

【００２５】〔切断工程〕最後に、ＩＣプローブ用（あ
るいはＬＣＤプローブ用）の所定形状に切り出すととも
に、正規のパターン配線３をその延長配線部３ｂより分
離するために切断する（切断箇所は図１中の符号Ｋで示
される）。以上の工程により、図３および図４に示すよ
うな、樹脂フィルム２に、断面高縦横比（断面縦横比が
１以上）のパターン配線３を狭ピッチ（ピッチが１００
μｍ以下）で接着させたコンタクトプローブ１が作製さ
れる。

【００２６】図３は、前記コンタクトプローブ１をＩＣ
プローブとして所定形状に切り出したものを示す図であ
り、図４は、図３のＣ−Ｃ線断面図である。図３および
図４に示すように、コンタクトプローブ１の樹脂フィル
ム２には、コンタクトプローブ１を固定するための孔９
が設けられ、また、パターン配線３から得られた信号引
き出し用配線１０を介してプリント基板２０（図６参
照）に伝えるための窓１１が設けられている。

【００２７】次に、図５乃至図７を参照して、前記コン
タクトプローブ１をメカニカルパーツ６０に組み込んで
プローブ装置（プローブカード）７０にする構成につい
て説明する。なお、本実施形態に係るコンタクトプロー
ブ１は、全体が柔軟で曲げやすいため、プローブ装置に
組み込む際にフレキシブル基板として機能する。

【００２８】前記メカニカルパーツ６０は、マウンティ
ングベース３０と、トップクランプ４０と、ボトムクラ
ンプ５０とからなっている。まず、プリント基板２０の
上にトップクランプ４０を取付け、次に、コンタクトプ
ローブ１を取り付けたマウンティングベース３０をトッ
プクランプ４０にボルト穴４１にボルト４２を螺合させ
て取り付ける（図７参照）。そして、ボトムクランプ５
０でコンタクトプローブ１を押さえ込むことにより、パ
ターン配線３を一定の傾斜状態に保ち、該パターン配線
３の先端に位置するコンタクトピン３ａをＩＣチップＩ
に押しつける。

【００２９】図６は、組立終了後のプローブ装置７０を
示している。図７は、図６のＥ−Ｅ線断面図である。樹
脂フィルム２の先端側は、前記下面３２に当接して下方
に傾斜した状態で支持され、コンタクトピン３ａはＩＣ
チップＩに接触している。

【００３０】前記マウンティングベース３０には、コン
タクトプローブ１の位置を調整するための位置決めピン
３１が設けられており、この位置決めピン３１をコンタ
クトプローブ１の前記位置合わせ穴４に挿入することに
より、パターン配線３とＩＣチップＩとを正確に位置合
わせすることができるようになっている。コンタクトプ
ローブ１に設けられた窓１１の部分のパターン配線３
に、ボトムクランプ５０の弾性体５１を押しつけて、前
記引き出し用配線１０をプリント基板２０の電極２１に
接触させ、パターン配線３から得られた信号を電極２１
を通して外部に伝えることができるようになっている。

【００３１】上記のように構成されたプローブ装置７０
を用いて、ＩＣチップＩのプローブテスト等を行う場合
は、プローブ装置７０をプローバーに装着するとともに
テスターに電気的に接続し、所定の電気信号をパターン
配線３のコンタクトピン３ａからウェーハ上のＩＣチッ
プＩに送ることによって、該ＩＣチップＩからの出力信
号がコンタクトピン３ａからテスターに伝送され、ＩＣ
チップＩの電気的特性が測定される。

【００３２】なお、上記の実施形態においては、コンタ
クトプローブ１をプローブカードであるプローブ装置７
０に適用したが、他の測定用治具等に採用しても構わな
い。例えば、ＩＣチップを内側に保持して保護し、ＩＣ
チップのバーンインテスト用装置等に搭載されるＩＣチ
ップテスト用ソケット等に適用してもよい。

【００３３】次に、図８乃至図１３を参照して、コンタ
クトプローブおよびプローブ装置の他の例について説明
する。このコンタクトプローブ２００は、ＩＣプローブ
用として所定形状に切り出したコンタクトプローブ１
（図３および図４参照）を、それに代えてＬＣＤ用プロ
ーブ用として所定形状に切り出して使用するものであ
る。なお、符号２０１は樹脂フィルムである。

【００３４】図１１に示すように、ＬＣＤ用プローブ装
置（プローブ装置）１００は、コンタクトプローブ挟持
体１１０と、このコンタクトプローブ挟持体１１０を額
縁状フレーム１２０に固定してなる構造を有しており
（実際には複数個のコンタクトプローブ挟持体１１０が
取り付けられるがここでは１つのみを図示した）、この
コンタクトプローブ挟持体１１０から突出したコンタク
トピン３ａの先端がＬＣＤ（液晶表示体）９０の端子
（図示せず）に接触するようになっている。

【００３５】図１０に示すように、コンタクトプローブ
挟持体１１０は、トップクランプ１１１とボトムクラン
プ１１５とを備えている。トップクランプ１１１は、コ
ンタクトピン３ａの先端を押さえる第一突起１１２、ド
ライバーＩＣであるＴＡＢＩＣ（回路）３００側の端子
３０１を押さえる第二突起１１３およびリードを押さえ
る第三突起１１４を有している。ボトムクランプ１１５
は、傾斜板１１６、取付板１１７および底板１１８から
構成されている。

【００３６】コンタクトプローブ２００を傾斜板１１６
の上に載置し、さらにＴＡＢＩＣ３００の端子３０１が
コンタクトプローブ２００の樹脂フィルム２０１，２０
１間に位置するように載置する。その後、トップクラン
プ１１１を第一突起１１２が樹脂フィルム２０１の上で
かつ第二突起１１３が端子３０１に接触するように乗せ
ボルトにより組み立てる。

【００３７】図１２に示すように、コンタクトプローブ
２００を組み込み、ボルト１３０によりトップクランプ
１１１とボトムクランプ１１５を組み合わせることによ
り、コンタクトプローブ挟持体１１０が作製される。

【００３８】上記コンタクトプローブ挟持体１１０は、
図１３に示すように、ボルト１３１により固定されてＬ
ＣＤ用プローブ装置１００に組み立てられる。ＬＣＤ用
プローブ装置１００を用いたＬＣＤ９０の電気的テスト
は、ＬＣＤ用プローブ装置１００のコンタクトピン３ａ
の先端をＬＣＤ９０の端子（図示せず）に接触させた状
態で、ＴＡＢＩＣ３００を駆動させて種々のテスト用信
号を送り、該信号に反応してコンタクトピン３ａから得
られた信号をＴＡＢＩＣ３００を通して外部に取り出す
ことにより行われる。なお、ＬＣＤ９０の場合は、ＯＮ
−ＯＦＦのみがテストされるため、前記ＩＣのテストに
比べて、高周波特性は特に問題とされない。

【００３９】

【発明の効果】本発明は、以上説明したとおりに構成さ
れているので、以下に記載するような効果を奏する。請
求項１に記載の発明は、レジストパターン形成工程にお
いて、露光後に、現像液により、フォトレジスト層か
ら、複数のパターン配線、各パターン配線の各後端より
それぞれ延びる配線延長部、および各配線延長部が並列
に接続される共通電極から構成される櫛状パターンとな
る部分を除去する際に、フォトレジスト層に、前記配線
延長部を形成するための延長パターンが形成される。し
たがって、この延長パターンが現像液により衝撃を受け
た場合でも、延長パターンの特に自由端側のみがベース
メタル層からはがれて、曲がるにとどまり、配線パター
ンを形成するためのフォトレジスト層の規定パターン
に、前記曲がりの影響が及ぼされない。そして、この曲
がった延長パターンにより形成されたパターン配線の配
線延長部を正規のパターン配線より分離することによ
り、結果的に、各パターン配線をそれぞれまっすぐに設
計通りに形成できるという効果を奏する。また、櫛状パ
ターンの前記共通電極を利用して、一括して各パターン
配線の表面に、貴金属をメッキしてコーティグできる。

【００４０】請求項２の発明のように、前記パターン配
線の前記配線延長部を形成するための、前記フォトレジ
スト層の延長パターンの一部を、前記パターン配線を形
成するための規定パターンよりも幅広（補強部）にする
ことにより、この幅広部の分だけ延長パターンとベース
メタルとの接着面積が高まるので、延長パターンとベー
スメタル層との接着強度が高まって良好な密着状態を得
ることができる。したがって、パターン配線の狭ピッチ
化や現像能力を高めて、フォトレジスト層の規定パター
ンおよび延長パターンが現像液により大きな衝撃を受け
る場合でも、延長パターンが若干曲がるにとどまり、隣
接する延長パターンに接触しない。また、フォトレジス
ト層の前記規定パターンの位置ずれを確実に防止でき
る。そして、本発明は、特に前記パターン配線の断面縦
横比およびピッチがそれぞれ、１以上および１００μｍ
以下の場合に、上記効果をより発揮することができて、
極めて有用なものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のコンタクトプローブの製造方法の一
実施形態に係わる、現像後のフォトレジストおよび櫛状
パターン等の平面図である。

【図２】 本発明のコンタクトプローブの製造方法の一
実施形態に係わる、フォトマスクの平面面図である。

【図３】 本発明に係るコンタクトプローブの一例を示
す平面図である。

【図４】 図３のＣ−Ｃ線断面図である。

【図５】 本発明に係るコンタクトプローブの一例を組
み込んだプローブ装置の一例を示す分解斜視図である。

【図６】 本発明に係るコンタクトプローブの一例を組
み込んだプローブ装置の一例を示す要部斜視図である。

【図７】 図６のＥ−Ｅ線断面図である。

【図８】 本発明に係るコンタクトプローブの他の例を
示す斜視図である。

【図９】 図８のＡ−Ａ線断面図である。

【図１０】 図８に示したコンタクトプローブ用のコン
タクトプローブ挟持体を示す分解斜視図である。

【図１１】 本発明に係わるコンタクトプローブの他の
例を組み込んだプローブ装置を示す斜視図である。

【図１２】 図８に示したコンタクトプローブ用のコン
タクトプローブ挟持体を示す斜視図である。

【図１３】 図１０のＢ−Ｂ線断面図である。

【図１４】 従来技術を説明するためのコンタクトプロ
ーブの要部斜視図である。

【図１５】 従来技術および本発明を説明するための、
コンタクトプローブの製造方法を工程順に示す要部断面
図である。

【図１６】 従来のコンタクトプローブの製造方法に係
わる、現像後のフォトレジストの平面図である。

【図１７】 従来のコンタクトプローブの製造方法にお
ける問題点を説明するための、現像後のフォトレジスト
の平面図である。

【符号の説明】

１ コンタクトプローブ ２ フィルム（樹脂フィルム） ３ パターン配線 ３ａ コンタクトピン ３ｂ 配線延長部 ５ 基板層（支持金属板） ６ 第１の金属層（ベースメタル層） ７ フォトレジスト層 ７ａ 開口部 ７ｂ 規定パターン ２０ 基板（プリント基板） ２１ 端子（電極） ３０ 傾斜保持部材（マウンティングベース） ７０ プローブ装置（プローブカード） １００ プローブ装置 １１０ コンタクトプローブ挟持体 ２００ コンタクトプローブ ２０１ フィルム ３００ 回路（ＴＡＢＩＣ） ３０１ 端子 ５００ 金属フィルム ７００〜７０５ 延長パターン Ｄ 共通電極 Ｎ 第２の金属層（ＮｉまたはＮｉ合金層） Ｋ 切断箇所

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フィルム（２，２０１）上に、断面高縦
   横比の複数のパターン配線（３）を並列に形成し、これ
   らのパターン配線（３）の各先端部を前記フィルム
   （２，２０１）から突出状態に配してコンタクトピン
   （３ａ）とされるコンタクトプローブの製造方法であっ
   て、 ベースメタル層（６）上の一部領域に、フォトレジスト
   層（７）を形成した後、このフォトレジスト層（７）に
   所定のパターンのフォトマスク（８）を施して露光し、
   さらに、現像することにより、前記フォトレジスト層
   （７）より、前記複数のパターン配線（３）、前記各パ
   ターン配線（３）の各後端よりそれぞれ延びる配線延長
   部（３ｂ）、および各配線延長部（３ｂ）が並列に接続
   される共通電極（Ｄ）から構成される櫛状パターンとな
   る部分を除去するレジストパターン形成工程と、 前記フォトレジスト層（７）の前記除去された部分に、
   前記櫛状パターンに供される金属層（Ｎ）をメッキ処理
   して前記櫛状パターンを形成するメッキ処理工程と、 前記パターン配線（３）上に、前記コンタクトピン（３
   ａ）に供される部分以外をカバーする前記フィルム
   （２，２０１）を被着するフィルム被着工程と、 前記フィルム（２，２０１）と前記パターン配線（３）
   とからなる部分を、前記ベースメタル層（６）から分離
   する分離工程と、 前記櫛状パターンの前記共通電極（Ｄ）を利用して、前
   記パターン配線（３）の表面に、貴金属をメッキしてコ
   ーティグするコーティング工程と、 前記パターン配線（３）を、前記配線延長部（３ａ）よ
   り分離するために切断する切断工程と、を備えているこ
   とを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のコンタクトプローブの
   製造方法において、前記パターン配線（３）の前記配線
   延長部（３ｂ）を形成するための、前記フォトレジスト
   層（７）の延長パターン（７００〜７０５）の少なくと
   も一部は、前記パターン配線（３）を形成するための規
   定パターン（７ｂ）よりも幅広になっていることを特徴
   とするコンタクトプローブの製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載のコンタ
   クトプローブの製造方法において、前記パターン配線
   （３）の断面縦横比およびピッチはそれぞれ、１以上お
   よび１００μｍ以下となっていることを特徴とするコン
   タクトプローブの製造方法。