JPH09159696A - テスト用コンタクトピンの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＣチップや液晶等のテストに適したテスト
用コンタクトピンを高アスペクト比で矩形の断面形状
で、しかも高い生産性で製造する。 【解決手段】 ベースメタル層１１を支持用金属板１０
上に形成し、層１１上にフォトレジスト層１２を形成
し、層１２に所定のパターンのマスク１３を施して露光
し、この層１２を現像することによりテスト用コンタク
トピンとなる部分を除去して層１２に開口部１２ａを形
成する。開口部１２ａの底部に層１１の金属と同一の金
属からなる金属被膜１６を形成し、被膜１６を形成した
開口部１２ａに金属層１４を形成し、層１２を除去す
る。ピンのコンタクト部となる部分を除いた金属層１４
上にフィルム１５を被着し、金属板１０から層１１を被
膜１６と金属層１４とフィルム１５とともに剥離した
後、層１１及び被膜１６を除去してフィルム１５に支持
された金属層１４からなるテスト用コンタクトピンを得
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプローブピンやソケ
ットピン等として用いられるテスト用コンタクトピンの
製造方法に関する。更に詳しくは、ＩＣチップや液晶の
各端子に接触して電気的なテストを行うためのテスト用
コンタクトピンの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のテスト用コンタクトピン
は、スプリング機構を有する可動式のスプリングピン
や、テーパ形状で片持ち式のプローブピンが一般的であ
る。もっとも、スプリングピンは機構上小さくすること
が困難なためプリント基板等の比較的大きなものに適用
が限られ、ＩＣチップや液晶のテストには専らプローブ
ピンが使用されている。このプローブピンは、電解研磨
等によってピン毎に製造される。

【０００３】このような従来のテスト用コンタクトピン
は、テーパ上のプローブピンを扇状に並べてプローブカ
ードに取り付ける工程や、ＩＣパッドの配置に合わせて
先端のコンタクト部を曲げて高さやピッチを揃える工程
を経て実用に供される。これらの工程は俗に針立てとも
呼ばれ、その作業には職人芸が要求される。特に高集積
ＩＣについては多ピン化、狭ピッチ化の要求が厳しく、
これに応え得る高度な技能者は極めて限られ、製品の性
能がばらついて信頼性が低下しがちである。また使用途
中にもしばしば困難な再調整作業が必要とされる。この
ため、従来のテスト用コンタクトピンを用いた場合に
は、カードやソケット等の生産性及び性能がＩＣの進歩
に追従できなくなりつつある。

【０００４】この問題を解決するために、エッチングに
よってコンタクトピンを作る方法が提案されているが、
ドライエッチングでは生産性が悪過ぎ、ウエットエッチ
ングではテーパエッチの発生等によりピンの断面形状が
悪くて必要なコンタクト力が確保できない等の欠陥があ
る。また異方性材料を用いて断面形状を確保しても材料
が限定されるため導電性が確保できない。更にはコンタ
クト部分をピンにすることを諦めて樹脂基板上の配線パ
ターンにパッドを付けて押し付ける方法もあるが、この
方法はいわゆるオーバードライブが確保できないことか
ら、コンタクト圧がばらつき易く接触抵抗が不安定で信
頼性に欠ける。結果として、エッチングにより製造され
るこのようなコンタクトピンは、実験的或いは限定的な
使用は別として実用に耐えない。

【０００５】以上の問題点を解決するために、光化学と
めっき処理の技術を利用したテスト用コンタクトピンの
製造方法が提案されている（特開平６−３１３７７
５）。この方法は、図８（ａ）〜図８（ｈ）に示すよう
に、支持用金属板６上にベースメタル層１を形成し、こ
のベースメタル層１上にフォトレジスト層２を形成し、
このフォトレジスト層２に所定のパターンのマスク３を
施して露光し、フォトレジスト層２を現像してテスト用
コンタクトピンとなる部分を除去して残存するフォトレ
ジスト層２に開口部２ａを形成し、この開口部２ａにテ
スト用コンタクトピンとなる金属層４をめっき処理によ
り形成し、金属層５の上にテスト用コンタクトピンに供
される部分以外をカバーするフィルム５を接着剤５ａを
介して被着した後、このフィルム５と金属層４とベース
メタル層１からなる部分と、支持用金属板６とを分離し
て、フィルム５を支持体とするテスト用コンタクトピン
４を製造する方法である。この方法によれば、ＩＣチッ
プや液晶等のテストに適したテスト用コンタクトピンを
高い生産性で製造することができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】テスト用コンタクトピ
ンには、導電性を確保するためにテストする電極部分を
スクラッビング（scrubbing）したときにピンが変形し
たり折損しないように、一体の強度と弾性が要求され
る。この要求に応えるためには、図３に示されるコンタ
クトピン１４の断面において、ピンの厚さｔに対するピ
ンの幅ｗの比（ｔ／ｗ）、即ちアスペクト比が高いテス
ト用コンタクトピンが求められる。上記特開平６−３１
３７７５号公報に示される方法で、この厚さｔが大き
い、高アスペクト比のテスト用コンタクトピンを製造し
ようとする場合には、フォトレジストの解像度が極端に
低下し、図９（ａ）に示すように露光・現像後にフォト
レジスト層２に形成される開口部２ａの底部が所望の形
状にならない。即ち、図９（ａ）のＣに示すように残存
するフォトレジスト層２がベースメタル層１から浮き上
がる場合には、この開口部２ａに金属層４を形成する
と、図９（ｂ）及び（ｃ）のＤに示すように隣接する金
属層４，４同士が連なってショートする。また図９
（ａ）のＥに示すように残存するフォトレジスト層２の
ベースメタル層１との接触部の一部が浸食する場合に
は、この開口部２ａに金属層４を形成すると、図９
（ｂ）及び（ｃ）のＦに示すようにピンのコンタク部の
エッジ（図のＧ部）がシャープな形状にならない。この
ため、上記方法により、ピン断面形状が高アスペクト比
であってしかも矩形であるテスト用コンタクトピンが依
然として得られない不具合があった。

【０００７】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点を解決するものであって、ＩＣチップや液晶等のテ
ストに適したテスト用コンタクトピンを高い生産性で製
造する方法を提供することにある。本発明の別の目的
は、ピン断面形状が高アスペクト比であってしかも矩形
であるテスト用コンタクトピンを製造する方法を提供す
ることにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１（ａ）〜図１（ｊ）に示すようにテスト用コンタク
トピンとなる金属層１４と結合可能なベースメタル層１
１をこのベースメタル層１１に対して剥離性のある平坦
かつ平滑な支持用金属板１０上にめっきにより形成する
工程と、このベースメタル層１１上にフォトレジスト層
１２を形成する工程と、このフォトレジスト層１２に所
定のパターンのマスク１３を施して露光する工程と、こ
の露光したフォトレジスト層１２を現像することにより
テスト用コンタクトピンとなる部分を除去して残存する
フォトレジスト層１２に開口部１２ａを形成する工程
と、この開口部１２ａの底部にベースメタル層１１の金
属と同一の金属からなる金属被膜１６をめっきにより形
成する工程と、金属被膜１６を形成した開口部１２ａに
テスト用コンタクトピンとなる金属層１４をめっきによ
り形成する工程と、残存するフォトレジスト層１２を除
去する工程と、テスト用コンタクトピンのコンタク部と
なる部分を除いた金属層１４上にフィルム１５を接着剤
１５ａを介して被着する工程と、支持用金属板１０から
ベースメタル層１１を金属被膜１６と金属層１４とフィ
ルム１５とともに剥離する工程と、ベースメタル層１１
及び金属被膜１６を除去してフィルム１５に支持された
金属層１４からなるテスト用コンタクトピンを得る工程
とを含むテスト用コンタクトピンの製造方法である。

【０００９】この請求項１に係る発明の製造方法では、
エッチングによって直接的にコンタクトピンを形成する
のではなく、マスクされていない部分にめっき処理によ
ってコンタクトピンを形成する。高アスペクト比のテス
ト用コンタクトピンを製造しようとして、フォトレジス
トの解像度が極端に低下し、図２（ａ）に示すように露
光・現像後にフォトレジスト層１２に形成される開口部
１２ａの底部が所望の形状にならない場合にも、図１
（ｄ）及び図２（ｂ）に示すように、金属被膜１６をベ
ースメタル層１１上に形成することにより、残存するフ
ォトレジスト層１２の浸食部分を金属被膜１６が補う。
図１（ｉ），（ｊ）及び図２（ｃ），（ｄ）に示すよう
にこの金属被膜１６は最終的にベースメタル層１１とと
もに除去される。これにより、ピンの断面形状が不所望
なテーパ状となったり、ピンコンタク部が異形になるの
を防止して、ほぼ矩形状で高アスペクト比の好ましい断
面形状のコンタクトピンを製造することができる。また
支持用金属板の上にめっきして後に分離するので、各コ
ンタクトピンの接触点の位置が比較的揃っていて、その
面は平滑である。そこで、多ピン化、狭ピッチ化の要求
に対しても十分なオーバードライブとほぼ一様で十分な
コンタクト圧を確保できるので、ＩＣのウエハやベアチ
ップ等のテストに好適である。更に、めっき処理等の一
般的な工程だけで製造できるので、ピンの製造効率も良
い。

【００１０】また図４及び図５に示すように、金属層１
４のうちテスト用コンタクトピンに供される部分以外が
フィルム１５でカバーされる。これにより、フィルム１
５が支持体となって、多数のコンタクトピン１４がフィ
ルムと一体的に形成されるので、プローブカードやＩＣ
ソケット等への組込みに際し、複数のコンタクトピンを
一括して取り扱うことができる。従って、針立て等の職
人芸が無くても容易に組立てができる。即ち、このテス
ト用コンタクトピンを用いると、カードやソケット等の
ピン組込み製品の生産性の向上をも図ることができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１に、各工程にお
ける断面模式図を示し、図４及び図５にテスト用コンタ
クトピン１４ｄとそれに連なる引出し用配線パターン１
４ｅ等とこれらが形成されたフィルム１５との全体模式
図を示す。これは説明用のものであり、実際には、テス
ト用コンタクトピンの数が数十から数百のものが一般的
であって、ピッチも一定とは限らない。なお、以下、テ
スト用コンタクトピンを単にピンと呼び、引出し用配線
パターンをパターンと呼び、ピン１４ｄとパターン１４
ｅを合わせてピン１４と呼ぶ。またピン１４等とフィル
ム１５との全体をフィルム付きテスト用コンタクトピン
２２と呼ぶ。ピンの製造工程は、主に、ベースメタル層
の形成工程と、めっき処理の最初の工程であるレジスト
パターンの形成工程と、めっき処理の中間工程である金
属被膜を形成する電解めっき工程と、めっき処理の最終
工程である金属層を形成する電解めっき工程と、フィル
ムの被着工程と、分離工程の前半部である剥離工程と、
分離工程の後半部である除去工程とからなる。なお、ピ
ン１４の材質は、強度や靭性の観点からＮｉが良い。更
に、Ｐｄ等を含ませることもある。また導電性を重視す
る場合には、金をコーテングして導電性を高くするとよ
い。或いはＮｉに代えてベリリウム銅を用いても良い。

【００１２】以下、各工程をこの順に説明する。ベース
メタル層の形成工程は、支持用金属板としてのステンレ
ス板１０の上に、ベースメタル層としての銅層１１を薄
く電解めっきで形成する。ベースメタル層に銅を用いる
のは、Ｎｉ製のピン１４等との被着性に優れること、ス
テンレス板１０に対する被着力がＮｉ製のピン１４等に
対するフィルム１５の被着力よりも弱いこと、良い電導
体であることからである。銅はステンレスよりも導電性
に優れるので、電解めっきが素早く且つ均一に行われ
る。なお、ステンレス板１０は、鏡面仕上げされて、そ
の表面は平坦であり、しかも平滑である。レジストパタ
ーンの形成工程は、銅層１１の上にフォトレジスト１２
をコーティングし（図１（ａ）参照）、これにマスク１
３を介して露光する（図１（ｂ）参照）。これにより、
マスク１３に対応するパターンをレジスト１２に転写す
る。更に、これを現像してマスク１３に対応するパター
ンのレジスト１２を形成して、銅層１１の上にレジスト
マスクを施す（図１（ｃ）参照）。

【００１３】電解めっき工程は、レジストマスクされて
いない部分に現れている銅層１１の上方の開口部１２ａ
に、まずベースメタル層と同一のＣｕを電解めっきによ
り形成する（図１（ｄ）及び図２（ｂ）参照）。このめ
っきの付着量は最終的なピンの断面形状を高アスペクト
比にするために、極力少ないことが望ましい。即ち金属
被膜１６の厚さは、図２（ｂ）に示すように開口部１２
ａの異形の底部を平坦にし得る最少量である。次いでこ
の金属被膜１６上にＮｉを電解めっきにより付着成長さ
せて形成する（図１（ｅ）参照）。Ｎｉめっきの終了後
は、レジスト１２を除去する（図１（ｆ）及び図２
（ｃ）参照）。このようにして形成されたＮｉ層１４は
開口部１２ａの底部が異形であっても金属被膜１６によ
り整形される。このＮｉ層１４はピンに供されるもので
ある。

【００１４】フィルムの被着工程は、図５に示されるピ
ンに供される部分１４ｄ以外のパターン１４ｅ等をカバ
ーするポリイミドのフィルム１５をＮｉ層１４の上に被
着する。具体的には、接着剤（接着用プラスチック）１
５ａを挟んでフィルム１５の上方から平坦な押圧面の治
具で熱圧着する（図１（ｇ）参照）。これにより、プラ
スチック側がピン１４に合わせて一部変形するので、Ｎ
ｉ層１４の上面に存在する微少な凹凸や厚さのむらが吸
収される。その結果、図５に示されるフィルム付きテス
ト用コンタクトピン２２の厚さを一様にすることができ
る。またフィルム１５は、窓孔１５ｂを有する（図５参
照）。この窓孔１５ｂの部分にピン１４の部分１４ｄを
臨ませてフィルム１５をピン（Ｎｉ層）１４に接着す
る。これにより、ピンの部分１４ｄが片持ち梁の状態で
フィルム１５に支持され、フィルム１５がピン１４ｄ等
を纏めて一体として支持する支持体として利用される。

【００１５】剥離工程は、銅層１１とＮｉ層１４とフィ
ルム１５とからなる部分を、ステンレス板１０と銅層１
１との間で、ステンレス板１０から引き剥がして分離す
る。ベースメタル層の形成工程の説明で説明したように
ステンレス板１０に対応する被着力がＮｉ製のピン１４
等に対応するフィルム１５の被着力よりも弱いことか
ら、フィルム１５等を損なうことなく、これらは容易に
分離する（図１（ｈ）参照）。除去工程は、金属被膜１
６と銅層１１をＮｉ層１４からウエットエッチングで除
去する。金属被膜１６及び銅層１１は極薄であるので、
選択比の高いエッチング液を用いてＮｉ層１４を損なう
ことなく、金属被膜１６及び銅層１１が除去される（図
１（ｉ），（ｊ）及び図２（ｄ）参照）。

【００１６】このようにして製造されたテスト用コンタ
クトピン１４は、その断面がほぼ矩形状（通常５０μｍ
×５０μｍ）で、高アスペクト比である。そこで、片持
ち梁状に曲げてＩＣチップや液晶等と接触したときに、
三角断面や円形断面等のピンよりも大きな接触圧とオー
バードライブ能力を発揮することができる。また斜め方
向の曲げ剛性が大きくて斜めに曲がることが少ない。そ
こで、ピッチを狭くしても不都合がない（約８０μ
ｍ）。またＩＣチップや液晶と接触するコンタクト部１
４ａ，１４ｂ，１４ｃは、ステンレス板１０の表面が平
坦であることに対応して、それらの高さが揃っている。
そこで、ピン先の高さ調整の作業をする必要が全くな
い。更に、ＩＣチップや液晶と接触したときに引張応力
が加わるコンタクト部１４ａ，１４ｂ，１４ｃは、ステ
ンレス板１０の表面が平滑であることに対応して、表面
状態が滑らかである。そこで、表面の平滑度の影響を受
ける疲労強度が増して、繰り返し使用回数が向上する。

【００１７】なお、図６及び図７に、このようにして製
造されたフィルム付きテスト用コンタクトピン２２を適
用した例として、テストに供すべきＩＣのベアチップ３
０を内側に保持する、いわゆるチップキャリアを示す。
図６及び図７において、２０はチップキャリア本体、２
１はフィルム付きピン固定用治具、２３はフィルム付き
ピン保持用治具、２４はピンをチップに圧接するための
スプリングメタル、２５は位置合わせ用支持体である。
また図示は割愛するが、フィルム付きテスト用コンタク
トピン２２はプローブカードにも適用される。

【００１８】

【発明の効果】以上述べたように、本発明のテスト用コ
ンタクトピンの製造方法によれば、光化学とめっき処理
の技術を用いて、ＩＣチップや液晶等のテストに適した
テスト用コンタクトピンを高い生産性で製造することが
でき、かつそのピン断面形状が高アスペクト比であって
矩形のものが得られる特長がある。これにより、ＩＣチ
ップや液晶等のテストに適した生産性の高いテスト用コ
ンタクトピンの製造方法を実現できるという効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のテスト用コンタクトピンの製造工程を
工程順に示す断面図。

【図２】その要部の工程を示す断面図。

【図３】そのテスト用コンタクトピンの要部斜視図。

【図４】そのフィルム付きテスト用コンタクトピンを示
す図５のＡ−Ａ線断面図。

【図５】そのフィルム付きテスト用コンタクトピンの平
面図。

【図６】そのフィルム付きテスト用コンタクトピンを用
いたチップキャリアの斜視図。

【図７】図６のＢ−Ｂ線拡大断面図。

【図８】従来のテスト用コンタクトピンの製造工程を工
程順に示す断面図。

【図９】その要部の工程を示す断面図。

【符号の説明】

１０ 支持用金属板 １１ 銅層（ベースメタル層） １２ フォトレジスト層 １２ａ 開口部 １３ マスク １４ Ｎｉ層（金属層），ピン １５ フィルム １５ａ 接着剤 １６ 金属被膜

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成８年４月２日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００５

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００５】以上の問題点を解決するために、光化学と
めっき処理の技術を利用したテスト用コンタクトピンの
製造方法が提案されている（特開平６−３１３７７
５）。この方法は、図８（ａ）〜図８（ｈ）に示すよう
に、支持用金属板６上にベースメタル層１を形成し、こ
のベースメタル層１上にフォトレジスト層２を形成し、
このフォトレジスト層２に所定のパターンのマスク３を
施して露光し、フォトレジスト層２を現像してテスト用
コンタクトピンとなる部分を除去して残存するフォトレ
ジスト層２に開口部２ａを形成し、この開口部２ａにテ
スト用コンタクトピンとなる金属層４をめっき処理によ
り形成し、金属層４の上にテスト用コンタクトピンに供
される部分以外をカバーするフィルム５を接着剤５ａを
介して被着した後、このフィルム５と金属層４とベース
メタル層１からなる部分と、支持用金属板６とを分離し
て、フィルム５を支持体とするテスト用コンタクトピン
４を製造する方法である。この方法によれば、ＩＣチッ
プや液晶等のテストに適したテスト用コンタクトピンを
高い生産性で製造することができる。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００６

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】テスト用コンタクトピ
ンには、導電性を確保するためにテストする電極部分を
スクラッビング（scrubbing）したときにピンが変形し
たり折損しないように、一体の強度と弾性が要求され
る。この要求に応えるためには、図３に示されるコンタ
クトピン１４の断面において、ピンの厚さｔに対するピ
ンの幅ｗの比（ｔ／ｗ）、即ちアスペクト比が高いテス
ト用コンタクトピンが求められる。上記特開平６−３１
３７７５号公報に示される方法で、この厚さｔが大き
い、高アスペクト比のテスト用コンタクトピンを製造し
ようとする場合には、フォトレジストの解像度が極端に
低下し、図９（ａ）に示すように露光・現像後にフォト
レジスト層２に形成される開口部２ａの底部が所望の形
状にならない。即ち、図９（ａ）のＣに示すように残存
するフォトレジスト層２がベースメタル層１から浮き上
がる場合には、この開口部２ａに金属層４を形成する
と、図９（ｂ）及び（ｃ）のＤに示すように隣接する金
属層４，４同士が連なってショートする。また図９
（ａ）のＥに示すように残存するフォトレジスト層２の
ベースメタル層１との接触部の一部が浸食する場合に
は、この開口部２ａに金属層４を形成すると、図９
（ｂ）及び（ｃ）のＦに示すようにピンのコンタクト部
のエッジ（図のＧ部）がシャープな形状にならない。こ
のため、上記方法により、ピン断面形状が高アスペクト
比であってしかも矩形であるテスト用コンタクトピンが
依然として得られない不具合があった。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００８

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１（ａ）〜図１（ｊ）に示すようにテスト用コンタク
トピンとなる金属層１４と結合可能なベースメタル層１
１をこのベースメタル層１１に対して剥離性のある平坦
かつ平滑な支持用金属板１０上にめっきにより形成する
工程と、このベースメタル層１１上にフォトレジスト層
１２を形成する工程と、このフォトレジスト層１２に所
定のパターンのマスク１３を施して露光する工程と、こ
の露光したフォトレジスト層１２を現像することにより
テスト用コンタクトピンとなる部分を除去して残存する
フォトレジスト層１２に開口部１２ａを形成する工程
と、この開口部１２ａの底部にベースメタル層１１の金
属と同一の金属からなる金属被膜１６をめっきにより形
成する工程と、金属被膜１６を形成した開口部１２ａに
テスト用コンタクトピンとなる金属層１４をめっきによ
り形成する工程と、残存するフォトレジスト層１２を除
去する工程と、テスト用コンタクトピンのコンタクト部
となる部分を除いた金属層１４上にフィルム１５を接着
剤１５ａを介して被着する工程と、支持用金属板１０か
らベースメタル層１１を金属被膜１６と金属層１４とフ
ィルム１５とともに剥離する工程と、ベースメタル層１
１及び金属被膜１６を除去してフィルム１５に支持され
た金属層１４からなるテスト用コンタクトピンを得る工
程とを含むテスト用コンタクトピンの製造方法である。

【手続補正５】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】０００９

【補正方法】変更

【補正内容】

【０００９】この請求項１に係る発明の製造方法では、
エッチングによって直接的にコンタクトピンを形成する
のではなく、マスクされていない部分にめっき処理によ
ってコンタクトピンを形成する。高アスペクト比のテス
ト用コンタクトピンを製造しようとして、フォトレジス
トの解像度が極端に低下し、図２（ａ）に示すように露
光・現像後にフォトレジスト層１２に形成される開口部
１２ａの底部が所望の形状にならない場合にも、図１
（ｄ）及び図２（ｂ）に示すように、金属被膜１６をベ
ースメタル層１１上に形成することにより、残存するフ
ォトレジスト層１２の浸食部分を金属被膜１６が補う。
図１（ｉ），（ｊ）及び図２（ｃ），（ｄ）に示すよう
にこの金属被膜１６は最終的にベースメタル層１１とと
もに除去される。これにより、ピンの断面形状が不所望
なテーパ状となったり、ピンコンタクト部が異形になる
のを防止して、ほぼ矩形状で高アスペクト比の好ましい
断面形状のコンタクトピンを製造することができる。ま
た支持用金属板の上にめっきして後に分離するので、各
コンタクトピンの接触点の位置が比較的揃っていて、そ
の面は平滑である。そこで、多ピン化、狭ピッチ化の要
求に対しても十分なオーバードライブとほぼ一様で十分
なコンタクト圧を確保できるので、ＩＣのウエハやベア
チップ等のテストに好適である。更に、めっき処理等の
一般的な工程だけで製造できるので、ピンの製造効率も
良い。

【手続補正６】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１２

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１２】以下、各工程をこの順に説明する。ベース
メタル層の形成工程は、支持用金属板としてのステンレ
ス板１０の上に、ベースメタル層としての銅層１１を薄
く電解めっきで形成する。ベースメタル層に銅を用いる
のは、Ｎｉ製のピン１４等との被着性に優れること、ス
テンレス板１０に対する被着力がＮｉ製のピン１４等に
対するフィルム１５の被着力よりも弱いこと、良い電導
体であることからである。銅はステンレスよりも導電性
に優れるので、電解めっきが素早く且つ均一に行われ
る。なお、ステンレス板１０は、鏡面仕上げされて、そ
の表面は平坦であり、しかも平滑である。レジストパタ
ーンの形成工程は、銅層１１の上にフォトレジスト１２
をコーティングし（図１（ａ）参照）、これにマスク１
３を介して紫外線を露光する（図１（ｂ）参照）。これ
により、マスク１３に対応するパターンをレジスト１２
に転写する。更に、これを現像してマスク１３に対応す
るパターンのレジスト１２を形成して、銅層１１の上に
レジストマスクを施す（図１（ｃ）参照）。

【手続補正７】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００１６

【補正方法】変更

【補正内容】

【００１６】このようにして製造されたテスト用コンタ
クトピン１４は、その断面がほぼ矩形状（通常５０μｍ
×５０μｍ）で、高アスペクト比である。そこで、片持
ち梁状に曲げてＩＣチップや液晶等と接触したときに、
三角断面や円形断面等のピンよりも大きな接触圧とオー
バードライブ能力を発揮することができる。また斜め方
向の曲げ剛性が大きくて斜めに曲がることが少ない。そ
こで、ピッチを狭くしても不都合がない（約８０μ
ｍ）。またＩＣチップや液晶と接触するコンタクト部１
４ａ，１４ｂ，１４ｃ（図１（ｊ）参照）は、ステンレ
ス板１０の表面が平坦であることに対応して、それらの
高さが揃っている。そこで、ピン先の高さ調整の作業を
する必要が全くない。更に、ＩＣチップや液晶と接触し
たときに引張応力が加わるコンタクト部１４ａ，１４
ｂ，１４ｃは、ステンレス板１０の表面が平滑であるこ
とに対応して、表面状態が滑らかである。そこで、表面
の平滑度の影響を受ける疲労強度が増して、繰り返し使
用回数が向上する。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 テスト用コンタクトピンとなる金属層(1
   4)と結合可能なベースメタル層(11)をこのベースメタル
   層(11)に対して剥離性のある平坦かつ平滑な支持用金属
   板(10)上にめっきにより形成する工程と、 前記ベースメタル層(11)上にフォトレジスト層(12)を形
   成する工程と、 前記フォトレジスト層(12)に所定のパターンのマスク(1
   3)を施して露光する工程と、 前記露光したフォトレジスト層(12)を現像することによ
   りテスト用コンタクトピンとなる部分を除去して前記残
   存するフォトレジスト層(12)に開口部(12a)を形成する
   工程と、 前記開口部(12a)の底部に前記ベースメタル層(11)の金
   属と同一の金属からなる金属被膜(16)をめっきにより形
   成する工程と、 前記金属被膜(16)を形成した開口部(12a)に前記テスト
   用コンタクトピンとなる金属層(14)をめっきにより形成
   する工程と、 前記残存するフォトレジスト層(12)を除去する工程と、 前記テスト用コンタクトピンのコンタク部となる部分を
   除いた前記金属層(14)上にフィルム(15)を接着剤(15a)
   を介して被着する工程と、 前記支持用金属板(10)から前記ベースメタル層(11)を前
   記金属被膜(16)と前記金属層(14)と前記フィルム(15)と
   ともに剥離する工程と、 前記ベースメタル層(11)及び前記金属被膜(16)を除去し
   て前記フィルム(15)に支持された金属層(14)からなるテ
   スト用コンタクトピンを得る工程とを含むテスト用コン
   タクトピンの製造方法。