JP2614171B2 - 多列コンタクトピンおよびその製造方法 - Google Patents

多列コンタクトピンおよびその製造方法

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JP2614171B2
JP2614171B2 JP5127844A JP12784493A JP2614171B2 JP 2614171 B2 JP2614171 B2 JP 2614171B2 JP 5127844 A JP5127844 A JP 5127844A JP 12784493 A JP12784493 A JP 12784493A JP 2614171 B2 JP2614171 B2 JP 2614171B2
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  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、コンタクトピンに関
し、詳しくは、メモリカードやICカード等の端子に接
触する多列コンタクトピンおよびその製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来のメモリカードやICカード等の外
部から装着される電子、電気部品の多列の端子と接触す
る多列の接触ピン(あるいは接触端子、以下、この明細
書および特許請求の範囲では接触端子もピンの概念に含
めピンとして扱う。)は、ワイヤや板ばねを用いたもの
が多い。この種の接触ピンは、ICカードの幅やメモリ
カードの幅では、せいぜい三十数本程度である。一方、
これらに内蔵されるメモリの記憶容量は年々増加してい
る。しかも、近年、メモリカードやICカード等を使用
する電子機器のうち、ノート形の電子機器や電子手帳な
どの小型な電子機器が多く開発され、その厚さは比較的
薄くなっていている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】小型電子機器の厚さの
低減は、メモリカードやICカード等の薄形とダウンサ
イジングを要求し、しかも、内蔵されるメモリ容量の増
加とあいまって接触ピン数が増加する傾向にある。ま
た、その幅は小さくなる傾向にある。その結果として、
接触ピンのピッチの幅の低減の要求がなされていはいる
が、ワイヤや板ばねを用いたものでは、自ずと限界があ
る。また、コンタクトピンのピッチ幅の低減は、1本ピ
ンの幅の低減でもあるので、どうしても腰が弱くなり、
複数のピンすべての接触を安定に保持することが難し
い。これは、ピン数が増加すればするほど大きな問題に
なる。
【0004】かかる問題を解決せんとして、エッチング
によってコンタクトピンを作る方法が提案されている
が、ドライエッチングでは生産性が悪過ぎ、ウエットエ
ッチングではテーパエッチの発生等によりピンの断面形
状が悪くて必要なコンタクト力が確保できない。しか
も、コンタクト圧がばらつき易く接触抵抗が不安定で信
頼性に欠ける。
【0005】このため、エッチングにより製造されるこ
のようなコンタクトピンは、実験的あるいは限定的な使
用は別として、実用に耐えない。この発明の目的は、こ
のような従来技術の問題点を解決するものであって、例
えば、メモリカードやICカードのように同時に多数の
端子に接触する場合にコンタクト圧がばらつき難く、接
触時の信頼性が高く、しかも、コンタクトピン接触装置
部分の高さを薄くできる多列コンタクトピンおよびその
製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
のこの発明のコンタクトピンの特徴は、平坦な金属層上
にメッキ処理により多数線状に配列されて形成され金属
層が取り除かれたメッキ処理面を有する一端が直線状に
揃った多数の配線パターンと、その直線上に揃った端部
を露出させてこの多数の配線パターンを支持する基板層
あるいは基板とを有し、多数の配線パターンの露出させ
た端部においてメッキ処理面側を接触端子としてコンタ
クトピンとしたものである。
【0007】また、その製造方法の特徴は、平坦な基板
層の上にコンタクトピンの材質に被着又は結合する材質
の第1の金属層を形成する形成し、第1の金属層の上に
マスクを施してマスクされていない部分に、コンタクト
ピンに供される第2の金属層を所定間隔離して線状にメ
ッキ処理により形成し、マスクを取除いた第2の金属層
の上にコンタクトピンに供される部分以外をカバーする
基板を被着し、基板と前記第2の金属層とからなる部分
を第1の部分とし、基板層と第1の金属層とからなる部
を第2の部分とし、この第2の部分を除去して第1の
部分を分離し、コンタクトピンに供される部分を基板に
支持することなくその一端を直線状に揃えて露出し、こ
の一端における分離された第2の金属層の面側を接触端
子とするものである。
【0008】
【作用】このように、メッキ処理によってコンタクトピ
ンを形成するので、ピンの断面形状が不所望なテーパ状
となるのが防止されて、ほぼ矩形状の好ましい断面形状
のコンタクトピンとすることができる。また、平坦な基
板層の上にメッキしてコンタクトピン部分を造るので、
各コンタクトピンの接触点の位置が比較的揃っていて、
その面は平滑である。そこで、多ピン化、狭ピッチ化の
要求に対して十分なオーバードライブとほぼ一様で十分
なコンタクト圧を確保できる。その結果、基板上に多数
のコンタクトピンが並列に形成でき、支持されることに
なるので、周囲の支持構造が簡単になり、受入側のコン
タクトピン接触部分の高さを薄くできる。さらに、メッ
キ処理等の一般的な工程だけで製造できるので、ピンの
製造効率もよい。
【0009】
【実施例】以下、この発明の多列コンタクトピンの製造
方法の一実施例について図面を参照して詳細に説明す
る。図1に、各工程における断面模式図を示し、図2に
この発明の多列コンタクトピンのメモリカード接触装置
の部分断面図を示す。なお、コンタクトピン14等とフ
ィルム15との全体をピンフィルム体22と呼ぶ。ま
た、コンタクトピン14は、先端部14d(図2参照)
が本来のコンタクトピンに供する部分であり、それより
後は、先端部14dの支持と配線パターンの役割を果た
している。
【0010】ピンの製造工程は、主に、第1の金属層の
形成工程と、メッキ処理工程の前半部であるレジストパ
ターンの形成工程と、メッキ処理工程の後半部として第
2の金属層を形成する電解メッキ工程と、フィルムの被
着工程と、分離工程の前半部である剥離工程と、分離工
程の後半部である除去工程とからなる。なお、コンタク
トピン14の材質は、強度や靱性の観点からNiが良
い。さらに、Pd等を含ませることもある。また、導電
性を重視する場合には、金をコーテングして導電性を高
くするとよい。あるいは、Niに代えてベリリュウム銅
を用いても良い。以下、各工程をこの順に説明する。
【0011】第1の金属層の形成工程は、基板層として
のステンレス板10の上に、第1の金属層としての銅層
11を薄く電解メッキで形成する。第1の金属層として
銅を用いるのは、Ni製のコンタクトピン14等との被
着性に優れること、ステンレス板10に対する被着力が
Ni製のコンタクトピン14等に対するフィルム15の
被着力よりも弱いこと、良い電導体であることからであ
る。銅はステンレスよりも導電性に優れるので、電解メ
ッキが素早く且つ均一に行われる。なお、ステンレス板
10は、鏡面仕上げされて、その表面が平坦であり、し
かも平滑である。
【0012】レジストパターンの形成工程は、銅層11
の上にフォトレジスト12をコーティングし(図1の
(a)参照)、これにマスク13を介して露光する(図
1の(b)参照)。これにより、マスク13に対応する
パターンをレジスト12に転写する。さらに、これを現
像してマスク13に対応するパターンのレジスト12を
形成して、銅層11の上にレジストマスクを施こす(図
1の(c)参照)。
【0013】電解メッキ工程は、レジストマスクされて
いない部分に表れている銅層11の上方の空隙12a
に、Niを電解メッキにより付着成長させて形成する
(図1の(d)参照)。Niメッキの終了後は、レジス
ト12を除去してマスクを取り除く(図1の(d)参
照)。このようにして形成されたNi層は、コンタクト
ピン14に供されるものである。
【0014】フィルムの被着工程は、Ni層(14)の
上に先端部14d(図2参照)に供される部分以外のパ
ターン14e等をカバーするポリイミドのフィルム15
を被着する。具体的には、接着用プラスチック15aを
挟んでフィルム15の上方から平坦な押圧面の治具で熱
圧着する(図1の(f)参照)。これにより、プラスチ
ック側がコンタクトピン14に合わせて一部変形するの
で、Ni層(14)の上面に存在する微少な凹凸や厚さ
のむらが吸収される。その結果、ピンフィルム体22の
厚さを一様にすることができる。
【0015】また、フィルム15は、実質的なコンタク
トピン部分となるコンタクトピン14の先端部14dの
部分を基板に支持することなく露出させる(図2参
照)。この露出部分は、数mm程度である。これにより、
先端部14dの部分が片持ちばりの状態でフィルム15
に支持され、フィルム15が先端部14d等を纏めて一
体として支持する多列コンタクトぴの基板として利用さ
れる。
【0016】剥離工程は、銅層11とNi層(14)と
フィルム15とでなる部分を、ステンレス板10と銅層
11との間で、ステンレス板10から引き剥がして分離
する。第1の金属層の形成工程の説明で既述の如くステ
ンレス板10に対する被着力がNi製のピン14等に対
するフィルム15の被着力よりも弱いことから、フィル
ム15等を損なうことなく、これらは容易に分離する。
【0017】除去工程は、銅層11をNi層(14)か
らウエットエッチングで除去する。銅層11が薄いの
で、選択比の高いエッチング液を用いてNi層(14)
を損なうことなく、銅層11が除去される。これによ
り、フィルム15とコンタクトピン14とからなる部分
が、ステンレス層10および銅層11から分離される。
このようにして製造されたコンタクトピン14は、その
断面がほぼ矩形状(通常50μm×50μm)である。
そこで、片持ちばり状に曲げられてコンタクトしたとき
に、三角断面や円形断面等のものよりも大きなコンタク
ト圧とオーバードライブ能力を発揮することができる。
また、斜め方向の曲げ剛性が大きくて斜めに曲がること
が少ない。そこで、ピッチを狭くしても不都合がない
(約80μm)。
【0018】図2は、ノート側パーソナルコンピュータ
に内蔵されるメモリカード接触装置の部分断面図であ
る。メモリカード30の端子群として、例えば、並列に
42個程度設けられた端子30aがその端部平面に形成
されている。コンタクトする側面14a,14b,14
c,…(図1参照)は、ステンレス板10の表面が平坦
であることに対応して、それらの高さが揃っている。そ
こで、ピン先の高さ調整の作業をする必要が全くない。
【0019】なお、図2では、そのピン先端を14dと
して示すように、多少上方へ湾曲させてある。これは、
図1における製造工程を経た後にプレス加工により先端
を曲げればよい。カード挿入口24から挿入されたメモ
リカード30は、ストッパー21aで停止し、その端子
30aと先端部14dとが接触する。
【0020】21は、下側ベース板であり、ストッパー
21aは、これに固定された樹脂バーである。25は、
上側ベースであり、20は、上側ベース板20の先端側
に固定され、カード挿入口24に対して反対側となる後
部の下側が下向きに傾斜して突出した突出部を有するク
ランパーである。この突出部がコンタクトピン14の先
端側を傾斜させ、押圧している。22は、先に説明した
コンタクトピン14とフィルム15とからなるピンフィ
ルム体であり、23がピンフィルム体22の下側に設け
られた前記のクランパー20に対応する支持板である。
この支持板23は、カード挿入口24側にスルーホール
23aが設けらた配線基板であり、クランパー20の突
出部に対応してその先端側に下側に傾斜した傾斜部分を
有している。なお、この傾斜部分は、配線基板から分割
されて別の樹脂等の部材で構成されていてもよい。
【0021】ここで、スルーホール23aは、各コンタ
クトピン14を外部に引き出すために接続する配線の一
部をなす。各コンタクトピン14の配線は、後部広がり
の、いわゆる扇形配線になっていて、スルーホール23
aと接触する側の接触端子のピッチは、スルーホール2
3aのピッチに対応していて、先端部14dのピッチよ
り幅が広い。したがって、コンタクトピン14のパター
ン部分は放射状に配列されることになる。そして、外部
との接続は、支持板23の各スルーホール23aに接続
された端子(側面にあって、図では表れていない。)を
介して行われる。
【0022】ここで、先端部14dで代表される、メモ
リカード30とコンタクトしたときに引張応力が掛かる
側面14a,14b,14c,…(図1参照)は、ステ
ンレス板10の表面が平滑であることに対応して、表面
状態が滑らかである。そこで、表面の平滑度の影響を受
ける疲労強度が増して、繰り返し使用回数が向上する。
【0023】以上、説明してきたが、実施例では、メモ
リカードについての接触の例を挙げているが、ICカー
ドでも同様であり、このようなカード端子についてのコ
ンタクトピン限らず、配線基板やその他の多列の端子に
ついてのすべての多列コンタクトピンに適用できること
はもちろんである。また、図2では、クランパー20と
ピンフィルム体22、そして支持板23を固定状態にし
ているが、ストッパー21aと連動させて、メモリカー
ド30がストッパー21aに当たったときに、ストッパ
ー21aの移動に応じて前記クランパー20とピンフィ
ルム体22、そして支持板23を一体的に首振りさせて
先端部14aを端子30aに接触させるようにしてもよ
い。そして、メモリカード30を引き抜くときには先端
部14dを持ち上げる首振り機構を設けることができ
る。
【0024】
【発明の効果】以上の説明から理解できるように、この
発明のコンタクトピンおよびその製造方法にあっては、
平坦な基板層の上にコンタクトピンの材質に被着又は結
合する材質の第1の金属層を形成し、コンタクトピンに
供される第2の金属層をメッキ処理により形成するの
で、多ピン化、狭ピッチ化の要求に対して十分なオーバ
ードライブとほぼ一様で十分なコンタクト圧を確保でき
る。その結果、基板上に多数のコンタクトピンが並列に
形成でき、支持されることになるので、周囲の支持構造
が簡単になり、受入側のコンタクトピン接触部分の高さ
を薄くできる。さらに、メッキ処理等の一般的な工程だ
けで製造できるので、ピンの製造効率もよい。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、この発明の構成の多列コンタクトピン
の一実施例について、各工程における断面模式図を示
す。
【図2】図2は、この発明の多列コンタクトピンを使用
したメモリカード接触装置の部分断面図である。
【符号の説明】
10 ステンレス板 11 銅層 12 フォトレジスト 13 フォトマスク 14 ピン 15 フィルム 20 クランパー 22 ピンフィルム体 23 支持板 30 メモリカード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エッチ ダン ヒギンズ アメリカ合衆国、アリゾナ、ギルバー ト、スィート101、ノ−ステック ブー ルヴァード1478 フレッシュクエストコ ーポレーション内 (72)発明者 ピート ノーミントン アメリカ合衆国、アリゾナ、ギルバー ト、スィート101、ノ−ステック ブー ルヴァード1478 フレッシュクエストコ ーポレーション内 (56)参考文献 特開 平5−218608(JP,A)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】平坦な金属層上にメッキ処理により多数線
    状に配列されて形成され前記金属層が取り除かれたメッ
    キ処理面を有する一端が直線状に揃った多数の配線パタ
    ーンと、その直線上に揃った端部を露出させてこの多数
    の配線パターンを支持する基板層あるいは基板とを有
    し、前記多数の配線パターンの露出させた端部において
    前記メッキ処理面側を接触端子とすることを特徴とする
    多列コンタクトピン。
  2. 【請求項2】平坦な基板層の上にコンタクトピンの材質
    に被着又は結合する材質の第1の金属層を形成し、前記
    第1の金属層の上にマスクを施してマスクされていない
    部分に、前記コンタクトピンに供される第2の金属層を
    所定間隔離して線状にメッキ処理により形成し、前記マ
    スクを取除いた前記第2の金属層の上に前記コンタクト
    ピンに供される部分以外をカバーする基板を被着し、前
    記基板と前記第2の金属層とからなる部分を第1の部分
    とし、前記基板層と前記第1の金属層とからなる部分
    第2の部分とし、この第2の部分を除去して前記第1の
    部分を分離し、前記コンタクトピンに供される部分を前
    記基板に支持することなくその一端を直線状に揃えて露
    出し、この一端における分離された前記第2の金属層の
    面側を接触端子とする多列コンタクトピンの製造方法。
  3. 【請求項3】前記基板はフィルムであり、前記第1の金
    属層は前記基板層に対する被着力が前記第2の金属層に
    対する前記フィルムの被着力よりも弱い電導体であり、
    前記分離は、前記第2の部分において前記基板層と前記
    第1の金属層とを剥離により分離する第1工程と、この
    分離された前記第1の金属層を前記第1の部分における
    前記第2の金属層から除去する第2工程とからなること
    を特徴とする請求項2記載の多列コンタクトピンの製造
    方法。
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KR20030090383A (ko) * 2002-05-23 2003-11-28 한국과학기술원 인쇄회로기판의 제조방법 및 동 방법에 의해 제조한인쇄회로기판
KR20040017478A (ko) * 2002-08-21 2004-02-27 한국과학기술원 인쇄회로기판의 제조방법 및 다층 인쇄회로기판
CN102627258B (zh) * 2012-04-23 2015-07-15 中国科学院高能物理研究所 亚微米级自支撑聚酰亚胺薄膜及其制备方法

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