JPH01147848A - Ｉｃ用リードフレームの製造方法 - Google Patents
Ｉｃ用リードフレームの製造方法Info
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- JPH01147848A JPH01147848A JP30579087A JP30579087A JPH01147848A JP H01147848 A JPH01147848 A JP H01147848A JP 30579087 A JP30579087 A JP 30579087A JP 30579087 A JP30579087 A JP 30579087A JP H01147848 A JPH01147848 A JP H01147848A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は特に、リード内側先端部に貴金属スポットメツ
キ膜を有する多ピンのリードフレームを製造する方法の
改善に関するものである。
キ膜を有する多ピンのリードフレームを製造する方法の
改善に関するものである。
樹脂モールド型集積回路（’ＩＣ）装置は、ＩＣ素子搭
載用のアイランド部を有するリードフレームを用い、該
アイランド部にＩＣ素子を接合し、リード端子と素子上
の電極をワイヤーボンドした後、素子とワイヤーボンド
部を覆うように樹脂でモールドして製造される。上記リ
ードフレームは例えば第２図に示すように、中央のＩＣ
素子搭載用のアイランド部１と該アイランドの周辺に放
射状に延びる多数のり−ド２及びこれらを支持するフレ
ーム部３とが一体に形成されたものであり、通常鉄−ニ
ッケル合金又は銅系の合金の板にフォトエツチング法又
はプレス打抜き法を適用することによって得られている
。リード間の結合部分４、アイランド部をフレーム部と
結合する部分５及びフレーム部３は樹脂モールド後に切
除される。
載用のアイランド部を有するリードフレームを用い、該
アイランド部にＩＣ素子を接合し、リード端子と素子上
の電極をワイヤーボンドした後、素子とワイヤーボンド
部を覆うように樹脂でモールドして製造される。上記リ
ードフレームは例えば第２図に示すように、中央のＩＣ
素子搭載用のアイランド部１と該アイランドの周辺に放
射状に延びる多数のり−ド２及びこれらを支持するフレ
ーム部３とが一体に形成されたものであり、通常鉄−ニ
ッケル合金又は銅系の合金の板にフォトエツチング法又
はプレス打抜き法を適用することによって得られている
。リード間の結合部分４、アイランド部をフレーム部と
結合する部分５及びフレーム部３は樹脂モールド後に切
除される。
上記のようなリードフレーム１の少くともり−ド２の内
側先端部には金、銀等の貴金属めっきを施している。こ
れはワイヤーボンドを容易にするためである。ところが
近年ＩＣ素子の集積度が向上するのに伴ってリード数の
多いリードフレームが必要になり、リードの厚さ及び幅
が一層薄く且つ細くなったため、このめっきを施す際に
内側リードにリード曲り等の不良が極めて発生し易くな
っている。高密度集積回路のリード数が１００本程度ま
でなら上記従来法で何とか製造し得るが１４０〜１５０
本のＩＣでは更にリードが細くなり、リード曲りを起さ
ずにめっきすることは至難である。
側先端部には金、銀等の貴金属めっきを施している。こ
れはワイヤーボンドを容易にするためである。ところが
近年ＩＣ素子の集積度が向上するのに伴ってリード数の
多いリードフレームが必要になり、リードの厚さ及び幅
が一層薄く且つ細くなったため、このめっきを施す際に
内側リードにリード曲り等の不良が極めて発生し易くな
っている。高密度集積回路のリード数が１００本程度ま
でなら上記従来法で何とか製造し得るが１４０〜１５０
本のＩＣでは更にリードが細くなり、リード曲りを起さ
ずにめっきすることは至難である。
本発明の目的は、上記従来法の欠点を解消し、リード内
側先端部に貴金属スポットメツキ膜を有する多ピンのリ
ードフレームを安定して製造し得る方法を提供すること
にある。
側先端部に貴金属スポットメツキ膜を有する多ピンのリ
ードフレームを安定して製造し得る方法を提供すること
にある。
上記目的を達成するため本発明の方法は、ＩＣ用リード
フレーム素材である金属板の少くとも内側リードを形成
する予定のエリアに貴金属をめっきし、少くとも該貴金
属膜を覆うようにフォトレジストを塗布し、該レジスト
膜に所望のスポット配列パターンを、該スポットが該貴
金属膜上に位置するようにして露光し、現像してスポッ
ト状に配列されたレジストを残すと共に他の部分は金属
面を露出せしめ、該露出部分の貴金属めっき膜を剥離除
去した後残留フォトレジストを剥離除去する第１の工程
と、第１の工程で得られるスポット状に配列めっきされ
た貴金属膜を有する金属板全面にフォトレジストを塗布
し、前記スポットめっき膜にインナーリードが重なるよ
うに位置合せしてリードフレームパターンを両面露光し
、現像してリードフレームの形状のレジストを残すと共
に他の部分は金属面を露出せしめ、該露出部分の金属面
をエツチングしてリードフレームを形成し、残留フォト
レジストを剥離除去する第２の工程と、を包含する点に
特徴がある。
フレーム素材である金属板の少くとも内側リードを形成
する予定のエリアに貴金属をめっきし、少くとも該貴金
属膜を覆うようにフォトレジストを塗布し、該レジスト
膜に所望のスポット配列パターンを、該スポットが該貴
金属膜上に位置するようにして露光し、現像してスポッ
ト状に配列されたレジストを残すと共に他の部分は金属
面を露出せしめ、該露出部分の貴金属めっき膜を剥離除
去した後残留フォトレジストを剥離除去する第１の工程
と、第１の工程で得られるスポット状に配列めっきされ
た貴金属膜を有する金属板全面にフォトレジストを塗布
し、前記スポットめっき膜にインナーリードが重なるよ
うに位置合せしてリードフレームパターンを両面露光し
、現像してリードフレームの形状のレジストを残すと共
に他の部分は金属面を露出せしめ、該露出部分の金属面
をエツチングしてリードフレームを形成し、残留フォト
レジストを剥離除去する第２の工程と、を包含する点に
特徴がある。
第１図は本発明によるリードフレーム製造法を工程順に
示す図である。以下図に従って説明すると、先ず第１図
（Ａ）に示すように素材金属板６上のアイランド部及び
内側リードを形成する予定のエリア部分に金、銀等の貴
金属めっき膜７を設け、次いで第１図（Ｂ）に示すよう
に金属板６の全面にフォトレジスト８を塗布する。この
フォトレジスト８に対し、インナーリードの先端に設け
るべき所望のスポット配列パターンを存する、マスクを
用いて該パターンが前記貴金属膜７上に位置するように
マスク合わせして露光し、これを現像して第１図（Ｃ）
に示すようにスポット状に配列したパターンでレジスト
を残すと共に他の部分の金属面を露出せしめる。この露
出金属面から第１図（Ｄ）に示すようにめっき貴金属膜
７の露出部分のみを剥離した後、残留フォトレジスト８
を剥離除去する。
示す図である。以下図に従って説明すると、先ず第１図
（Ａ）に示すように素材金属板６上のアイランド部及び
内側リードを形成する予定のエリア部分に金、銀等の貴
金属めっき膜７を設け、次いで第１図（Ｂ）に示すよう
に金属板６の全面にフォトレジスト８を塗布する。この
フォトレジスト８に対し、インナーリードの先端に設け
るべき所望のスポット配列パターンを存する、マスクを
用いて該パターンが前記貴金属膜７上に位置するように
マスク合わせして露光し、これを現像して第１図（Ｃ）
に示すようにスポット状に配列したパターンでレジスト
を残すと共に他の部分の金属面を露出せしめる。この露
出金属面から第１図（Ｄ）に示すようにめっき貴金属膜
７の露出部分のみを剥離した後、残留フォトレジスト８
を剥離除去する。
上記工程により得られるスポット状に配列めっきされた
貴金属膜を有する金属板から以下の工程でリードフレー
ムを得る。先ずこの金属板６の全面に第１図（Ｅ）に示
すようにフォトレジスト９を塗布した後、前記スポット
めっき膜にインナー。
貴金属膜を有する金属板から以下の工程でリードフレー
ムを得る。先ずこの金属板６の全面に第１図（Ｅ）に示
すようにフォトレジスト９を塗布した後、前記スポット
めっき膜にインナー。
リードが重なるように位置合せしてリードフレームパタ
ーンを両面露光し、これを現像して第１図（Ｆ）に示す
ようにリードフレームの形状でレジストを残すと共に他
の部分の金属面を露出せしめる。この露出金属面にエツ
チング液を噴射して第１図（Ｇ）に示すように素材金属
を両面エツチングしてリードフレームを形成し、最後に
第１図（Ｈ）に示すように残留付着するフォトレジスト
を剥離除去すれば、第１図に示すようなり−ド２の内側
先端部にスポット状の貴金属めっき膜を有するリードフ
レームが得られる。
ーンを両面露光し、これを現像して第１図（Ｆ）に示す
ようにリードフレームの形状でレジストを残すと共に他
の部分の金属面を露出せしめる。この露出金属面にエツ
チング液を噴射して第１図（Ｇ）に示すように素材金属
を両面エツチングしてリードフレームを形成し、最後に
第１図（Ｈ）に示すように残留付着するフォトレジスト
を剥離除去すれば、第１図に示すようなり−ド２の内側
先端部にスポット状の貴金属めっき膜を有するリードフ
レームが得られる。
本発明に用いるリードフレーム用素材６は鉄−ニッケル
合金、銅系合金何れであっても良い。この素材上に施す
部分めっきは従来法をそのまま適用して差支えなく、ス
ポット配列の貴金属めっき膜が予定されるエリアにの゛
み環状に部分めっきを施しても良い。素材金属をフォト
レジストで全面覆う工程以降の大部分は通常のフォトエ
ツチング技術で行うことができるが、貴金属めっき膜の
剥離工程にはめっきの分野でよく行われている剥離手段
を用いれば良く、シアン系溶液による溶解剥離、電解に
よる溶解剥離等が適用できる。このように剥離した貴金
属は回収して再びめっき原料に用いることができる。素
材金属のエツチングには塩化第二鉄溶液を用いることが
でき、これは鉄−ニッケル合金、銅合金の何れにも適用
可能であるが、他の適当なエツチング液ももちろん使用
することができる。
合金、銅系合金何れであっても良い。この素材上に施す
部分めっきは従来法をそのまま適用して差支えなく、ス
ポット配列の貴金属めっき膜が予定されるエリアにの゛
み環状に部分めっきを施しても良い。素材金属をフォト
レジストで全面覆う工程以降の大部分は通常のフォトエ
ツチング技術で行うことができるが、貴金属めっき膜の
剥離工程にはめっきの分野でよく行われている剥離手段
を用いれば良く、シアン系溶液による溶解剥離、電解に
よる溶解剥離等が適用できる。このように剥離した貴金
属は回収して再びめっき原料に用いることができる。素
材金属のエツチングには塩化第二鉄溶液を用いることが
でき、これは鉄−ニッケル合金、銅合金の何れにも適用
可能であるが、他の適当なエツチング液ももちろん使用
することができる。
本発明法において、素材金属上にスポット状に配列され
た貴金属めっき膜とリードフレームパターンを有する露
光マスクとの位置合せが重要であるが、位置合せ用のビ
ン孔を予め素材金属板に設け、このビン孔を基準にした
スポット配列パターン露光マスク及びリードフレームパ
ターン露光マスクを用意すれば充分な精度の位置合せが
できる。
た貴金属めっき膜とリードフレームパターンを有する露
光マスクとの位置合せが重要であるが、位置合せ用のビ
ン孔を予め素材金属板に設け、このビン孔を基準にした
スポット配列パターン露光マスク及びリードフレームパ
ターン露光マスクを用意すれば充分な精度の位置合せが
できる。
本発明によれば貴金属めっきがリードフレーム形成前に
行われるため、リード形成後のハンドリングが大幅に減
少し、リード曲り等の不良を生じる機会が減少する。こ
の結果貴金属めっき膜付きの多ピンのリードフレームを
安定に製造することができるようになった。
行われるため、リード形成後のハンドリングが大幅に減
少し、リード曲り等の不良を生じる機会が減少する。こ
の結果貴金属めっき膜付きの多ピンのリードフレームを
安定に製造することができるようになった。
なお本発明においてめっき膜の形状は限定されず、円形
、角型、帯状等任意の形状で良い。この形状寸法はその
上にボンディングするワイヤーのボール径、ひいてはワ
イヤー径によって定められるべきものである。
、角型、帯状等任意の形状で良い。この形状寸法はその
上にボンディングするワイヤーのボール径、ひいてはワ
イヤー径によって定められるべきものである。
第１図は本発明法によるリードフレームの製造工程を示
す図、第２図は本発明が適用できるリードフレームの１
例を示す図である。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 第１図 第２図
す図、第２図は本発明が適用できるリードフレームの１
例を示す図である。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 第１図 第２図
Claims (1)
- ＩＣ用リードフレーム素材である金属板の少くともイ
ンナーリードを形成する予定のエリアに貴金属をめっき
し、少くとも該貴金属めっき膜を覆うようにフォトレジ
ストを塗布し、該レジスト膜に所望のスポット配列パタ
ーンを、該スポットが該貴金属膜上に位置するようにし
て露光し、現像してスポット状に配列されたレジストを
残すと共に他の部分は金属面を露出せしめ、該露出部分
の貴金属めっき膜を剥離除去した後残留フォトレジスト
を剥離除去する第１の工程と、第１の工程で得られるス
ポット状に配列めっきされた貴金属膜を有する金属板全
面にフォトレジストを塗布し、前記スポットめっき膜に
インナーリードが重なるように位置合せしてリードフレ
ームパターンを両面露光し、現像してリードフレームの
形状のレジストを残すと共に他の部分は金属面を露出せ
しめ、該露出部分の金属面を両面エッチングしてリード
フレームを形成し、残留フォトレジストを剥離除去する
第２の工程と、を包含してなるＩＣ用リードフレームの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30579087A JPH01147848A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | Ｉｃ用リードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30579087A JPH01147848A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | Ｉｃ用リードフレームの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01147848A true JPH01147848A (ja) | 1989-06-09 |
Family
ID=17949387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30579087A Pending JPH01147848A (ja) | 1987-12-04 | 1987-12-04 | Ｉｃ用リードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01147848A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547976A (ja) * | 1990-12-18 | 1993-02-26 | Amkor Electron Inc | 集積回路ダイス用リードフレームのストリツプを連続的に製造する方法及び装置 |
| DE10124047A1 (de) * | 2001-05-16 | 2002-11-21 | Infineon Technologies Ag | Elektronische Bauteile mit Halbleiterchips und Systemträger und Verfahren zur Herstellung derselben |
| JP2013141009A (ja) * | 1999-06-30 | 2013-07-18 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-12-04 JP JP30579087A patent/JPH01147848A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0547976A (ja) * | 1990-12-18 | 1993-02-26 | Amkor Electron Inc | 集積回路ダイス用リードフレームのストリツプを連続的に製造する方法及び装置 |
| JP2013141009A (ja) * | 1999-06-30 | 2013-07-18 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
| US8969138B2 (en) | 1999-06-30 | 2015-03-03 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device |
| US9484288B2 (en) | 1999-06-30 | 2016-11-01 | Renesas Technology Corporation | Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device |
| DE10124047A1 (de) * | 2001-05-16 | 2002-11-21 | Infineon Technologies Ag | Elektronische Bauteile mit Halbleiterchips und Systemträger und Verfahren zur Herstellung derselben |
| DE10124047B4 (de) * | 2001-05-16 | 2006-12-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung elektronischer Bauteile mit Halbleiterchips und Systemträger |
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