JPH0547976A - 集積回路ダイス用リードフレームのストリツプを連続的に製造する方法及び装置 - Google Patents
集積回路ダイス用リードフレームのストリツプを連続的に製造する方法及び装置Info
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- JPH0547976A JPH0547976A JP3353332A JP35333291A JPH0547976A JP H0547976 A JPH0547976 A JP H0547976A JP 3353332 A JP3353332 A JP 3353332A JP 35333291 A JP35333291 A JP 35333291A JP H0547976 A JPH0547976 A JP H0547976A
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積回路ダイス用リードフレームのストリツ
プを、単一の連続した製造方法及び装置によつて製造す
る。 【構成】 ストリツプの希望されない面積部分をエツチ
ングによつて取り除く前に、ストリツプの機能的な面積
部分に、予め、めつきを施すために、装置は、ストリツ
プの供給手段と、ストリツプにスポツトめつきする手段
と、感光フイルムの積層手段と、不透明なデザインを位
置決めする手段と、露光手段と、現像手段と、露光され
ない部分の洗い流し手段と、金属めつきの取り除き手段
と、エツチング手段とからなり。また、方法は、ストリ
ツプを供給する工程と、ストリツプをスポツトめつきす
る工程と、感光フイルムを積層する工程と、不透明なデ
ザインを位置決めする工程と、露光する工程と、現像す
る工程と、露光されない部分を洗い流す工程と、金属め
つきを取り除く工程とからなる。
プを、単一の連続した製造方法及び装置によつて製造す
る。 【構成】 ストリツプの希望されない面積部分をエツチ
ングによつて取り除く前に、ストリツプの機能的な面積
部分に、予め、めつきを施すために、装置は、ストリツ
プの供給手段と、ストリツプにスポツトめつきする手段
と、感光フイルムの積層手段と、不透明なデザインを位
置決めする手段と、露光手段と、現像手段と、露光され
ない部分の洗い流し手段と、金属めつきの取り除き手段
と、エツチング手段とからなり。また、方法は、ストリ
ツプを供給する工程と、ストリツプをスポツトめつきす
る工程と、感光フイルムを積層する工程と、不透明なデ
ザインを位置決めする工程と、露光する工程と、現像す
る工程と、露光されない部分を洗い流す工程と、金属め
つきを取り除く工程とからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロチツプ及び類
似の集積回路ダイス用のリードフレームの製造に関し、
もつと詳細には、リードフレームのストリツプを自動的
にまた連続的に製造する方法及び装置に関する。
似の集積回路ダイス用のリードフレームの製造に関し、
もつと詳細には、リードフレームのストリツプを自動的
にまた連続的に製造する方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロチツプのような集積回路ダイス
用のリードフレームは、これまで、単一の連続的な製造
方法及び装置において製造されていない。例えば、先行
技術の製造方法においては、リードフレームが製造され
た（エツチングされた）後に実施される単一の操作の中
で、めつき行程が実施されるのが慣例であつた。
用のリードフレームは、これまで、単一の連続的な製造
方法及び装置において製造されていない。例えば、先行
技術の製造方法においては、リードフレームが製造され
た（エツチングされた）後に実施される単一の操作の中
で、めつき行程が実施されるのが慣例であつた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の重要な目的
は、単一の連続した製造方法及び装置によつてリードフ
レームのストリツプを製造することである。
は、単一の連続した製造方法及び装置によつてリードフ
レームのストリツプを製造することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明においては、連続したストリツプの機能的な
面積部分が、ストリツプから希望されない面積部分をエ
ツチングによつて取り除く前に、予め、めつきされ、ま
た、連続的に供給されるストリツプが、ストリツプに行
われようとする処理を可能にする位置又はその近傍に停
止されることができるように、ストリツプの若干の位置
部分に、たるみが導入される。
に、本発明においては、連続したストリツプの機能的な
面積部分が、ストリツプから希望されない面積部分をエ
ツチングによつて取り除く前に、予め、めつきされ、ま
た、連続的に供給されるストリツプが、ストリツプに行
われようとする処理を可能にする位置又はその近傍に停
止されることができるように、ストリツプの若干の位置
部分に、たるみが導入される。
【０００５】すなわち、本発明は、集積回路ダイス及び
類似物用リードフレームのストリツプを連続的に製造す
る装置であつて、基板として働くめつき可能な選択され
た金属材料の柔軟なストリツプを連続的に供給する手段
と、前記連続的に供給される基板の予め決められた正確
な位置に金属で選択的にスポツトめつきする手段と、前
記連続的に供給されるスポツトめつきされた基板の両面
に感光フイルムを積層する手段と、前記連続的に供給さ
れる積層された基板の両面に特定の不透明なデザインを
整合して位置決めする手段と、前記不透明なデザインを
その上に位置決めされた感光フイルムを非常に強い光に
露光する手段と、前記露光された感光フイルムに現像薬
品を適用する手段と、金属めつきの選択された面積部分
を露光するために前記感光フイルムの露光されない部分
を洗い流す手段と、前記基板の表面から露光された金属
めつきを取り除く手段と、前記基板の露光された面積部
分をエツチングする手段とからなる集積回路ダイス用リ
ードフレームの製造装置を提供する。
類似物用リードフレームのストリツプを連続的に製造す
る装置であつて、基板として働くめつき可能な選択され
た金属材料の柔軟なストリツプを連続的に供給する手段
と、前記連続的に供給される基板の予め決められた正確
な位置に金属で選択的にスポツトめつきする手段と、前
記連続的に供給されるスポツトめつきされた基板の両面
に感光フイルムを積層する手段と、前記連続的に供給さ
れる積層された基板の両面に特定の不透明なデザインを
整合して位置決めする手段と、前記不透明なデザインを
その上に位置決めされた感光フイルムを非常に強い光に
露光する手段と、前記露光された感光フイルムに現像薬
品を適用する手段と、金属めつきの選択された面積部分
を露光するために前記感光フイルムの露光されない部分
を洗い流す手段と、前記基板の表面から露光された金属
めつきを取り除く手段と、前記基板の露光された面積部
分をエツチングする手段とからなる集積回路ダイス用リ
ードフレームの製造装置を提供する。
【０００６】また、本発明は、集積回路及び類似物用リ
ードフレームのストリツプを自動的に生産する製造方法
であつて、基板として働くめっき可能な金属材料の柔軟
なストリツプを連続的に供給する行程と、前記基板の予
め決められた位置部分を選択された金属で選択的にスポ
ツトめつきする行程と、前記スポツトめつきされた基板
の両面に感光フイルムを積層する行程と、前記積層され
た基板の両面に特定の不透明なデザインを位置決めする
行程と、前記不透明なデザインをその上に位置決めされ
た感光フイルムを非常に強い光に露光する行程と、感光
フイルムの不透明なデザイン部分を現像するために現像
薬品を適用する行程と、金属めつきの選択された面積を
露光するために、感光フイルムの露光されないで現像さ
れない部分を洗い流す行程と、前記露光された金属めつ
きを基板の表面から取り除く行程とからなる集積回路ダ
イス用リードフレームのストリツプの製造方法を提供す
るものである。
ードフレームのストリツプを自動的に生産する製造方法
であつて、基板として働くめっき可能な金属材料の柔軟
なストリツプを連続的に供給する行程と、前記基板の予
め決められた位置部分を選択された金属で選択的にスポ
ツトめつきする行程と、前記スポツトめつきされた基板
の両面に感光フイルムを積層する行程と、前記積層され
た基板の両面に特定の不透明なデザインを位置決めする
行程と、前記不透明なデザインをその上に位置決めされ
た感光フイルムを非常に強い光に露光する行程と、感光
フイルムの不透明なデザイン部分を現像するために現像
薬品を適用する行程と、金属めつきの選択された面積を
露光するために、感光フイルムの露光されないで現像さ
れない部分を洗い流す行程と、前記露光された金属めつ
きを基板の表面から取り除く行程とからなる集積回路ダ
イス用リードフレームのストリツプの製造方法を提供す
るものである。
【０００７】
【実施例】図１乃至図４において、参照番号６０は製造
装置全体を指摘する。参照番号１は、供給又は繰り出し
ステーシヨン又は区域を指摘し、供給ステーシヨン１
は、コイルから金属の基板材料のストリツプ（６１で示
される）を、１．２７乃至５．０８メートル毎分の速度
で供給するための機械式電子式処理機械である。供給速
度は、ストリツプの幅、リールのアーバの寸法、及び希
望の送り出し速度に適応するために調節可能である。ス
トリツプは矢印（６２で示される）の方向に移動する。
この形式の供給方式は、多数の製造者から商業的に入手
可能である。例えば、韓国、ソール、クロ区、７０５−
７１６・クロ・２・ドングのサング・ジエ・カンパニか
ら入手することができる。本発明に使用された装置は、
本特許出願の特別な要求に合うように改造された市販の
機械である。ストリツプ又は基板の材料は、鉄及びニツ
ケルの合金、好ましくは、４２・アロイであることがで
きるが、しかし、「フレツクス・サーキツト」として公
知のものに使用される全てのめつき可能な金属又は柔軟
な回路材料であることができる。参照番号２は、基板
が、好ましくはアルカリ性の溶液によつて、電解清浄さ
れる電解清浄ステーシヨン又は区域を指摘する。電解清
浄ステーシヨン２は、基板材料から油、土及びほこりを
清浄する。供給ステーシヨン１と電解清浄ステーシヨン
２との間に、動力ローラー１ａとたるみ装置１ｂと案内
ローラー１ｃとが設けられる。ここで、連続的に供給さ
れる基板に、たるみが導入される。この点でたるみを導
入する目的は、先行するリールの基板の後端を後続のリ
ールの基板の前端に結合することができるようにするこ
とである。供給ステーシヨン１は、材料のリールがなく
なつた時、停止するようになつている。２個のリールの
材料を結合した後に、供給が再び開始される。
装置全体を指摘する。参照番号１は、供給又は繰り出し
ステーシヨン又は区域を指摘し、供給ステーシヨン１
は、コイルから金属の基板材料のストリツプ（６１で示
される）を、１．２７乃至５．０８メートル毎分の速度
で供給するための機械式電子式処理機械である。供給速
度は、ストリツプの幅、リールのアーバの寸法、及び希
望の送り出し速度に適応するために調節可能である。ス
トリツプは矢印（６２で示される）の方向に移動する。
この形式の供給方式は、多数の製造者から商業的に入手
可能である。例えば、韓国、ソール、クロ区、７０５−
７１６・クロ・２・ドングのサング・ジエ・カンパニか
ら入手することができる。本発明に使用された装置は、
本特許出願の特別な要求に合うように改造された市販の
機械である。ストリツプ又は基板の材料は、鉄及びニツ
ケルの合金、好ましくは、４２・アロイであることがで
きるが、しかし、「フレツクス・サーキツト」として公
知のものに使用される全てのめつき可能な金属又は柔軟
な回路材料であることができる。参照番号２は、基板
が、好ましくはアルカリ性の溶液によつて、電解清浄さ
れる電解清浄ステーシヨン又は区域を指摘する。電解清
浄ステーシヨン２は、基板材料から油、土及びほこりを
清浄する。供給ステーシヨン１と電解清浄ステーシヨン
２との間に、動力ローラー１ａとたるみ装置１ｂと案内
ローラー１ｃとが設けられる。ここで、連続的に供給さ
れる基板に、たるみが導入される。この点でたるみを導
入する目的は、先行するリールの基板の後端を後続のリ
ールの基板の前端に結合することができるようにするこ
とである。供給ステーシヨン１は、材料のリールがなく
なつた時、停止するようになつている。２個のリールの
材料を結合した後に、供給が再び開始される。
【０００８】ストリツプ又は基板が電解清浄されるステ
ーシヨン２に続き、ストリツプは、ストリツプの表面か
ら薬品を取り除くために、ステーシヨン３及び４におい
て、冷たい水道水による水洗（ＣＴＷＲ）を与えられ
る。電解清浄液は、アルカリ性であり、酸性であるマイ
クロエツチングの前に、取り除かれなければならない。
次に、ストリツプは、ステーシヨン５において、基板材
料の表面にマイクロエツチングを作るために、好ましく
は酸性の薬品によつて、マイクロエツチングされる。マ
イクロエツチングの目的は、表面を粗くして表面の面積
を増大し、それによつて、後に適用される感光性マスク
材料の接着を促進することであり、また、チツプ又は集
積回路ダイスが適所に置かれてリードフレームに結合さ
れた後に、リードフレームに適用されるカプセル封じの
接着を促進することである。ストリツプは、マイクロエ
ツチング・ステーシヨン５を通過した後に、表面から薬
品を全て取り除いて、次のステーシヨンにおいて問題を
引き起こすかもしれない不純物を少なくするために、ス
テーシヨン６において、冷たい脱イオン水による水洗
（ＣＤＩＲ）にさらされる。次に、ステーシヨン７にお
いて、ストリツプは、表面及び結晶粒界から酸化物を全
て化学的に取り除くため、好ましくは、塩化水素酸によ
る酸性活性化にさらされる。結晶粒界とは金属の粒間の
面積部分である。ストリツプは、その後、ステーシヨン
８において、別の冷たい脱イオン水による水洗（ＣＤＩ
Ｒ）を与えられる。
ーシヨン２に続き、ストリツプは、ストリツプの表面か
ら薬品を取り除くために、ステーシヨン３及び４におい
て、冷たい水道水による水洗（ＣＴＷＲ）を与えられ
る。電解清浄液は、アルカリ性であり、酸性であるマイ
クロエツチングの前に、取り除かれなければならない。
次に、ストリツプは、ステーシヨン５において、基板材
料の表面にマイクロエツチングを作るために、好ましく
は酸性の薬品によつて、マイクロエツチングされる。マ
イクロエツチングの目的は、表面を粗くして表面の面積
を増大し、それによつて、後に適用される感光性マスク
材料の接着を促進することであり、また、チツプ又は集
積回路ダイスが適所に置かれてリードフレームに結合さ
れた後に、リードフレームに適用されるカプセル封じの
接着を促進することである。ストリツプは、マイクロエ
ツチング・ステーシヨン５を通過した後に、表面から薬
品を全て取り除いて、次のステーシヨンにおいて問題を
引き起こすかもしれない不純物を少なくするために、ス
テーシヨン６において、冷たい脱イオン水による水洗
（ＣＤＩＲ）にさらされる。次に、ステーシヨン７にお
いて、ストリツプは、表面及び結晶粒界から酸化物を全
て化学的に取り除くため、好ましくは、塩化水素酸によ
る酸性活性化にさらされる。結晶粒界とは金属の粒間の
面積部分である。ストリツプは、その後、ステーシヨン
８において、別の冷たい脱イオン水による水洗（ＣＤＩ
Ｒ）を与えられる。
【０００９】ステーシヨン８に続いて、ステーシヨン９
において、ストリツプは銅ストライクにさらされる。銅
ストライクの目的は、基板に後に適用される追加のめつ
きの接着を促進することである。銅めつきされたストリ
ツプは、５乃至１０マイクロインチ（０．１２７乃至
０．２５４ミクロン）の厚さを持つ。この銅ストライク
は、それが清浄剤として作用するという点で、鉄合金の
基板に対して重要であるが、しかし、銅材料に対しても
使用されることができる。次のステーシヨン、すなわ
ち、すくい出し（ＤＯ）ステーシヨン１０において、基
板は、機械の廃液の中の汚染物質の量を少なくするため
に、噴霧水洗にさらされる。すくい出し方式は、スプレ
ーセルとタンクとからなる。それは、廃液系統への通路
がない閉鎖された系統である。それは、薬品及び金属を
すくい出して捕らえるので、すくい出しと呼ばれる。次
に、ステーシヨン１１において、基板は、冷たい脱イオ
ン水による水洗（ＣＤＩＲ）にさらされる。
において、ストリツプは銅ストライクにさらされる。銅
ストライクの目的は、基板に後に適用される追加のめつ
きの接着を促進することである。銅めつきされたストリ
ツプは、５乃至１０マイクロインチ（０．１２７乃至
０．２５４ミクロン）の厚さを持つ。この銅ストライク
は、それが清浄剤として作用するという点で、鉄合金の
基板に対して重要であるが、しかし、銅材料に対しても
使用されることができる。次のステーシヨン、すなわ
ち、すくい出し（ＤＯ）ステーシヨン１０において、基
板は、機械の廃液の中の汚染物質の量を少なくするため
に、噴霧水洗にさらされる。すくい出し方式は、スプレ
ーセルとタンクとからなる。それは、廃液系統への通路
がない閉鎖された系統である。それは、薬品及び金属を
すくい出して捕らえるので、すくい出しと呼ばれる。次
に、ステーシヨン１１において、基板は、冷たい脱イオ
ン水による水洗（ＣＤＩＲ）にさらされる。
【００１０】その後、動力ローラー１１ａ及び１２ａ
が、ステーシヨン１２においてストリツプにたるみを入
れる。動力ローラー１１ａ及び１２ａは同調される。材
料のたるみは予め決められている。ローラー１１ａ及び
１２ａが、ステーシヨン１２における基板材料のたるみ
を維持する。動力ローラー１１ａ及び１２ａは、ストリ
ツプ材料を一定の速度で装置を通して移動する機械式電
子式ユニツトによつて制御される。ステーシヨン１３の
銀スポツトめつき装置が整合・停止・整合の機械である
ので、ステーシヨン１２及び１５において、たるみの部
分が必要である。ステーシヨン１３において、基板は、
予め決められたデザインのマスクを使用して、銀で選択
的にスポツトめつきされる。銀は好ましいが、金又は他
のめつき可能な金属が使用されることができる。めつき
の厚さは、１００乃至１５０マイクロインチ（２．５４
乃至３．８１ミクロン）である。ステーシヨン１４にお
ける設備は、めつきのために基板を正確な位置に置く整
合装置を含む。めつきサイクルは、次のとおりである。
ストリツプの整合、めつき用マスクの閉鎖、銀溶液を８
０ガロン（３０３リツトル）タンクからめつき用のマス
クセルに移すための薬品ポンプの運転開始、２乃至５秒
の直流電流（ＤＣ）の通電、直流電流の停止、ポンプの
運転停止、マスクの開放、及び、整合。スポツトめつき
サイクルは、所要の銀の厚さによつて、合計時間で６乃
至１２秒行われる。ステーシヨン１３及びステーシヨン
１４における銀スポツトめつきに続いて、スポツトめつ
きされた基板が、機械式電子式のたるみ及びすくい出し
ステーシヨン１５を通つて移動される。設備は、ステー
シヨン１２における設備と類似している。次に、銀めつ
きされた基板は、ステーシヨン１６及びステーシヨン１
７において、材料には薬品の痕跡が全くないこと、も
し、あるとしても、接着に干渉する薬品の痕跡は全くな
いことを保証するために、ステーシヨン１１における冷
たい脱イオン水による水洗と類似するが、しかし、それ
よりも長い時間の冷たい脱イオン水による水洗にさらさ
れる。
が、ステーシヨン１２においてストリツプにたるみを入
れる。動力ローラー１１ａ及び１２ａは同調される。材
料のたるみは予め決められている。ローラー１１ａ及び
１２ａが、ステーシヨン１２における基板材料のたるみ
を維持する。動力ローラー１１ａ及び１２ａは、ストリ
ツプ材料を一定の速度で装置を通して移動する機械式電
子式ユニツトによつて制御される。ステーシヨン１３の
銀スポツトめつき装置が整合・停止・整合の機械である
ので、ステーシヨン１２及び１５において、たるみの部
分が必要である。ステーシヨン１３において、基板は、
予め決められたデザインのマスクを使用して、銀で選択
的にスポツトめつきされる。銀は好ましいが、金又は他
のめつき可能な金属が使用されることができる。めつき
の厚さは、１００乃至１５０マイクロインチ（２．５４
乃至３．８１ミクロン）である。ステーシヨン１４にお
ける設備は、めつきのために基板を正確な位置に置く整
合装置を含む。めつきサイクルは、次のとおりである。
ストリツプの整合、めつき用マスクの閉鎖、銀溶液を８
０ガロン（３０３リツトル）タンクからめつき用のマス
クセルに移すための薬品ポンプの運転開始、２乃至５秒
の直流電流（ＤＣ）の通電、直流電流の停止、ポンプの
運転停止、マスクの開放、及び、整合。スポツトめつき
サイクルは、所要の銀の厚さによつて、合計時間で６乃
至１２秒行われる。ステーシヨン１３及びステーシヨン
１４における銀スポツトめつきに続いて、スポツトめつ
きされた基板が、機械式電子式のたるみ及びすくい出し
ステーシヨン１５を通つて移動される。設備は、ステー
シヨン１２における設備と類似している。次に、銀めつ
きされた基板は、ステーシヨン１６及びステーシヨン１
７において、材料には薬品の痕跡が全くないこと、も
し、あるとしても、接着に干渉する薬品の痕跡は全くな
いことを保証するために、ステーシヨン１１における冷
たい脱イオン水による水洗と類似するが、しかし、それ
よりも長い時間の冷たい脱イオン水による水洗にさらさ
れる。
【００１１】次のステーシヨン１８において、基板は、
めつきされた面積部分を含む基板の表面全部の液体を吹
き飛ばすエアーナイフ機械の中を通される。この装置
は、金属に対する水のフイルムの接着を破るために、清
浄な乾燥した圧縮空気のジエツトを使用する。次のステ
ーシヨン１９は、強制された熱い空気が、ヘヤードライ
ヤー型式であることができるヒートガンからストリツプ
に向けられる。これらのヒートガンは、ストリツプ材料
が、５０インチ（１．２７メートル）毎分の低速度、又
は、２００インチ（５．０８メートル）毎分のような非
常な高速度で移動されていても、ストリツプ材料を完全
に乾燥するように設計される。たるみステーシヨン２０
において、ストリツプは、たるみステーシヨン１２及び
１５における材料移動装置に似た材料移動装置の中を進
行する。動力ローラー１９ａが、ストリツプにたるみを
入れ、動力のない案内ローラー２０ａが、ストリツプを
案内して一直線にする。次に、ステーシヨン２１におい
て、ストリツプは、感光フイルム材料で積層される。基
本の積層設備は、カリフオルニア州、９０２４５、エル
セグンド、６００・フエアーポート・ストリートのウエ
スタン・マグナム・コーポレイシヨンによつて、ＤＹＮ
Ａ−ＣＨＥＭの商標のもとに販売されるユニツトとし
て、商業的に入手することができる。基本のユニツト
は、本発明のシステムの必要条件を満足させるように設
計された。このユニツトは、金属の基板の両面にフイル
ムを同時に適用するために、１連のローラーによつて乾
式のフオトマスクフイルム材料を供給する。乾式のフオ
トマスクフイルムが、現在、好ましい装置において使用
されているが、この方法は、また、湿式フイルム装置に
適応できる。ストリツプは、たるみステーシヨン２２に
おいて、ストリツプにたるみを入れて案内するために、
たるみステーシヨン１２、１５及び２０における材料移
動装置に似た追加の材料移動装置の中を通される。スト
リツプは、積層ステーシヨン２１において停止されな
い。たるみステーシヨン２０及び２２の目的は、機械の
停止なしに、乾式の積層用フイルムの１つのロールの端
を次のロールに結合するための時間を与えることであ
る。乾式フイルムは、１ロールの長さが１０００フイー
ト（３０４．８メートル）であり、２時間毎に枯渇す
る。
めつきされた面積部分を含む基板の表面全部の液体を吹
き飛ばすエアーナイフ機械の中を通される。この装置
は、金属に対する水のフイルムの接着を破るために、清
浄な乾燥した圧縮空気のジエツトを使用する。次のステ
ーシヨン１９は、強制された熱い空気が、ヘヤードライ
ヤー型式であることができるヒートガンからストリツプ
に向けられる。これらのヒートガンは、ストリツプ材料
が、５０インチ（１．２７メートル）毎分の低速度、又
は、２００インチ（５．０８メートル）毎分のような非
常な高速度で移動されていても、ストリツプ材料を完全
に乾燥するように設計される。たるみステーシヨン２０
において、ストリツプは、たるみステーシヨン１２及び
１５における材料移動装置に似た材料移動装置の中を進
行する。動力ローラー１９ａが、ストリツプにたるみを
入れ、動力のない案内ローラー２０ａが、ストリツプを
案内して一直線にする。次に、ステーシヨン２１におい
て、ストリツプは、感光フイルム材料で積層される。基
本の積層設備は、カリフオルニア州、９０２４５、エル
セグンド、６００・フエアーポート・ストリートのウエ
スタン・マグナム・コーポレイシヨンによつて、ＤＹＮ
Ａ−ＣＨＥＭの商標のもとに販売されるユニツトとし
て、商業的に入手することができる。基本のユニツト
は、本発明のシステムの必要条件を満足させるように設
計された。このユニツトは、金属の基板の両面にフイル
ムを同時に適用するために、１連のローラーによつて乾
式のフオトマスクフイルム材料を供給する。乾式のフオ
トマスクフイルムが、現在、好ましい装置において使用
されているが、この方法は、また、湿式フイルム装置に
適応できる。ストリツプは、たるみステーシヨン２２に
おいて、ストリツプにたるみを入れて案内するために、
たるみステーシヨン１２、１５及び２０における材料移
動装置に似た追加の材料移動装置の中を通される。スト
リツプは、積層ステーシヨン２１において停止されな
い。たるみステーシヨン２０及び２２の目的は、機械の
停止なしに、乾式の積層用フイルムの１つのロールの端
を次のロールに結合するための時間を与えることであ
る。乾式フイルムは、１ロールの長さが１０００フイー
ト（３０４．８メートル）であり、２時間毎に枯渇す
る。
【００１２】ステーシヨン２３は、露光ステーシヨン又
は室であり、ここで、特定の不透明なデザインを持つガ
ラス板の調和した１組が、同時に、ストリツプと一直線
になり、また、互いに一直線になる。ストリツプは、露
光ステーシヨン２３の中の正確な位置、又は、ステーシ
ヨン２４の整合装置によつて、できるだけ正確に近い位
置に置かれる。２枚のガラス板が、停止されたフイルム
被覆基板に接近し、シヤツターが開かれ、ストリツプが
強い光に露光される。その後、シヤツターが閉じられ、
ガラス板が開けられ、すなわち、基板から引つ込められ
る。露光されたフイルムの面積部分は、現像化学性質に
保持される。露出されない面積部分が、後に適用される
エツチング液にさらされる基板の上の希望されない銀又
は銅めつきを全て残しながら、洗い流される。ガラスマ
スクが基板から引つ込められた後に、整合サイクルが、
ステーシヨン２４において新たに始まる。この整合装置
は、ステーシヨン１４に関係して記述された整合装置と
類似する。整合装置の作用は、前もつて予めめつきされ
た銀スポツトに関係した位置に基板を停止することであ
る。露光時間は約４秒である。全サイクルは約７秒を要
する。ステーシヨン２４における工程は、「ネガチブレ
ジスト」工程として、言及されることができる。しか
し、本発明の方法は、「ポジチブレジスト」方法を使用
することもまたできる。ステーシヨン２３及び２４にお
ける露光及び整合に続いて、ステーシヨン２５におい
て、たるみが再び基板に導入される。その後、フイルム
は、ステーシヨン２６において現像される。ステーシヨ
ン２６において、基板は、非常に強い光に露光されない
フイルム（ネガチブレジスト）を全部洗い流すために計
画された溶液にさらされる。その後、ストリツプは、ス
テーシヨン２７及びステーシヨン２８において、熱い水
による水洗（ＨＴＷＲ）の中を通過する。熱い水は、現
像用薬品の痕跡を全部取り除くために使用される。次の
ステーシヨン２９において、露光された銀が、「リバー
ス」めつき、すなわち、ストリツプが陽極になるめつき
によつて、ストリツプから取り除かれる。取り除かれた
銀は再利用される。これは、本発明の連続方法における
斬新かつ重要な行程である。銀はエツチング液に溶解し
ない。それ故に、露光された銀は、露光されないフイル
ムが洗い流されて露光された銀が残された面積部分か
ら、取り除かれなければならない。言い換えると、ステ
ーシヨン１３において適用されて、いま、露光された選
択的な、すなわち、スポツトの銀めつきが、基板の表面
から取り除かれなければならない。もし、取り除かれな
いならば、それは、後に続く処理において基板のエツチ
ングに干渉する。
は室であり、ここで、特定の不透明なデザインを持つガ
ラス板の調和した１組が、同時に、ストリツプと一直線
になり、また、互いに一直線になる。ストリツプは、露
光ステーシヨン２３の中の正確な位置、又は、ステーシ
ヨン２４の整合装置によつて、できるだけ正確に近い位
置に置かれる。２枚のガラス板が、停止されたフイルム
被覆基板に接近し、シヤツターが開かれ、ストリツプが
強い光に露光される。その後、シヤツターが閉じられ、
ガラス板が開けられ、すなわち、基板から引つ込められ
る。露光されたフイルムの面積部分は、現像化学性質に
保持される。露出されない面積部分が、後に適用される
エツチング液にさらされる基板の上の希望されない銀又
は銅めつきを全て残しながら、洗い流される。ガラスマ
スクが基板から引つ込められた後に、整合サイクルが、
ステーシヨン２４において新たに始まる。この整合装置
は、ステーシヨン１４に関係して記述された整合装置と
類似する。整合装置の作用は、前もつて予めめつきされ
た銀スポツトに関係した位置に基板を停止することであ
る。露光時間は約４秒である。全サイクルは約７秒を要
する。ステーシヨン２４における工程は、「ネガチブレ
ジスト」工程として、言及されることができる。しか
し、本発明の方法は、「ポジチブレジスト」方法を使用
することもまたできる。ステーシヨン２３及び２４にお
ける露光及び整合に続いて、ステーシヨン２５におい
て、たるみが再び基板に導入される。その後、フイルム
は、ステーシヨン２６において現像される。ステーシヨ
ン２６において、基板は、非常に強い光に露光されない
フイルム（ネガチブレジスト）を全部洗い流すために計
画された溶液にさらされる。その後、ストリツプは、ス
テーシヨン２７及びステーシヨン２８において、熱い水
による水洗（ＨＴＷＲ）の中を通過する。熱い水は、現
像用薬品の痕跡を全部取り除くために使用される。次の
ステーシヨン２９において、露光された銀が、「リバー
ス」めつき、すなわち、ストリツプが陽極になるめつき
によつて、ストリツプから取り除かれる。取り除かれた
銀は再利用される。これは、本発明の連続方法における
斬新かつ重要な行程である。銀はエツチング液に溶解し
ない。それ故に、露光された銀は、露光されないフイル
ムが洗い流されて露光された銀が残された面積部分か
ら、取り除かれなければならない。言い換えると、ステ
ーシヨン１３において適用されて、いま、露光された選
択的な、すなわち、スポツトの銀めつきが、基板の表面
から取り除かれなければならない。もし、取り除かれな
いならば、それは、後に続く処理において基板のエツチ
ングに干渉する。
【００１３】すくい出し（ＤＯ）ステーシヨン３０にお
いて、基板は、機械の廃液の中の汚染物質の量を少なく
するために、３０ガロン（１１３リツトル）タンクから
の噴霧による水洗にさらされる。３０ガロン（１１３リ
ツトル）タンクの中の液体は低い濃度の金属及び薬品を
持つ。その後、基板は、ステーシヨン３１において、表
面の薬品を取り除くために、冷たい水道水による水洗
（ＣＴＷＲ）を与えられる。その後、ストリツプは、動
力ローラー３１ａ及び３１ｂによつて、途中、５つの似
たエツチング・ステーシヨン又は部屋又は区域３２−１
乃至３２−５を通過する。これら５つのエツチング・ス
テーシヨンにおいて、エツチング液、好ましくは、塩化
第二鉄（ＦｅＣｌ3 ）、しかし時には、塩化銅（ＣｕＣ
ｌ2 ）が、５０インチ（１．２７メートル）毎分のよう
な低速度、あるいは、１００インチ（２．５４メート
ル）毎分のような高速度であることができる速度で、装
置の中を移動される基板の露光された面積部分に噴霧さ
れる。各ステーシヨンは独立して操作される。取り除か
れるべき基板の厚さ及び模様のデザインにより、５つの
ステーシヨン３２−１乃至３２−５の全部が操作される
ことができ、あるいは、どれかのステーシヨンが停止さ
れることができる。例えば、材料が０．０１０ミル
（０．００２５４ミクロン）厚さの場合、４．５秒のエ
ツチングの時間が必要であるかもしれない。エツチング
・ステーシヨン３２−１乃至３２−５においてリードフ
レームが形成される。
いて、基板は、機械の廃液の中の汚染物質の量を少なく
するために、３０ガロン（１１３リツトル）タンクから
の噴霧による水洗にさらされる。３０ガロン（１１３リ
ツトル）タンクの中の液体は低い濃度の金属及び薬品を
持つ。その後、基板は、ステーシヨン３１において、表
面の薬品を取り除くために、冷たい水道水による水洗
（ＣＴＷＲ）を与えられる。その後、ストリツプは、動
力ローラー３１ａ及び３１ｂによつて、途中、５つの似
たエツチング・ステーシヨン又は部屋又は区域３２−１
乃至３２−５を通過する。これら５つのエツチング・ス
テーシヨンにおいて、エツチング液、好ましくは、塩化
第二鉄（ＦｅＣｌ3 ）、しかし時には、塩化銅（ＣｕＣ
ｌ2 ）が、５０インチ（１．２７メートル）毎分のよう
な低速度、あるいは、１００インチ（２．５４メート
ル）毎分のような高速度であることができる速度で、装
置の中を移動される基板の露光された面積部分に噴霧さ
れる。各ステーシヨンは独立して操作される。取り除か
れるべき基板の厚さ及び模様のデザインにより、５つの
ステーシヨン３２−１乃至３２−５の全部が操作される
ことができ、あるいは、どれかのステーシヨンが停止さ
れることができる。例えば、材料が０．０１０ミル
（０．００２５４ミクロン）厚さの場合、４．５秒のエ
ツチングの時間が必要であるかもしれない。エツチング
・ステーシヨン３２−１乃至３２−５においてリードフ
レームが形成される。
【００１４】エツチングに続いて、基板は、表面からエ
ツチング液の残りを取り除くため、ステーシヨン３３及
びステーシヨン３４において、熱い水道水による水洗
（ＨＴＷＲ）を与えられる。好ましいエツチング液は、
塩が熱い水道水に容易に溶解される塩化第二鉄である。
塩化第二鉄の痕跡を全部取り除くことが必要である。も
し、取り除かないならば、塩化第二鉄は基板と反応し続
ける。次に、動力ローラー３４ａが、ストリツプを、銀
が取り除かれる銀取り去りステーシヨン３５に移動す
る。目的は、銀がエツチング液に溶解しなかつた基板の
面積部分、例えば、レジストの端の下から、異質の銀を
取り除くことである。ステーシヨン３２−１乃至３２−
５におけるエツチング操作において、エツチング液は、
カプセル封じの後に電気故障を起こすことがないよう
に、取り除かれなければならない不溶性銀の張り出しを
残しながら、基板を通つて下向き及び横向きに広がる。
その後、基板は、ステーシヨン３６及びステーシヨン３
７において、追加の熱い水道水による水洗を与えられ
る。
ツチング液の残りを取り除くため、ステーシヨン３３及
びステーシヨン３４において、熱い水道水による水洗
（ＨＴＷＲ）を与えられる。好ましいエツチング液は、
塩が熱い水道水に容易に溶解される塩化第二鉄である。
塩化第二鉄の痕跡を全部取り除くことが必要である。も
し、取り除かないならば、塩化第二鉄は基板と反応し続
ける。次に、動力ローラー３４ａが、ストリツプを、銀
が取り除かれる銀取り去りステーシヨン３５に移動す
る。目的は、銀がエツチング液に溶解しなかつた基板の
面積部分、例えば、レジストの端の下から、異質の銀を
取り除くことである。ステーシヨン３２−１乃至３２−
５におけるエツチング操作において、エツチング液は、
カプセル封じの後に電気故障を起こすことがないよう
に、取り除かれなければならない不溶性銀の張り出しを
残しながら、基板を通つて下向き及び横向きに広がる。
その後、基板は、ステーシヨン３６及びステーシヨン３
７において、追加の熱い水道水による水洗を与えられ
る。
【００１５】これらの水洗に続いて、ステーシヨン３８
において、フオトレジストが、好ましくは、水及び苛性
ソーダの溶液のような高ｐＨのアルカリ性液により、基
板から取り除かれる。しかし、他のフオトレジスト除去
液が、フオトフイルムの性質によつて使用されることが
できる。これは、フオトレジストの下にあつた銀を露光
する。その後、基板は、再び、ステーシヨン３９及びス
テーシヨン４０において、噴霧の熱い水道水による水洗
を与えられる。廃液の水は循環使用されない。次に、ス
テーシヨン４１において、銅が、露光された基板から取
り除かれ、すなわち、取り去られる。銀の下の銅は保持
される。次のすくい出し（ＤＯ）ステーシヨン４２にお
いて、基板は、機械の廃液の中の汚染物質の量を少なく
するために、噴霧によつて水洗され、その後、その表面
から全ての薬品を取り除くため、冷たい脱イオン水によ
る水洗にさらされる。次のステーシヨン４４及びステー
シヨン４５において、基板は、熱い脱イオン水による噴
霧水洗を与えられて、水は捨てられる。この後に、ステ
ーシヨン４６において、ストリツプの全表面から液体を
吹き飛ばすように設計された清浄な乾燥した圧縮空気の
噴流を使用するエアーナイフによる空気乾燥が続く。次
のステーシヨン４７において、強制された熱い空気が、
ヒートガンから基板に向けられ、基板は、５０インチ
（１．２７メートル）毎分の低速度、又は、２００イン
チ（５．０８メートル）毎分の高速度で移動しながら、
完全に乾燥される。
において、フオトレジストが、好ましくは、水及び苛性
ソーダの溶液のような高ｐＨのアルカリ性液により、基
板から取り除かれる。しかし、他のフオトレジスト除去
液が、フオトフイルムの性質によつて使用されることが
できる。これは、フオトレジストの下にあつた銀を露光
する。その後、基板は、再び、ステーシヨン３９及びス
テーシヨン４０において、噴霧の熱い水道水による水洗
を与えられる。廃液の水は循環使用されない。次に、ス
テーシヨン４１において、銅が、露光された基板から取
り除かれ、すなわち、取り去られる。銀の下の銅は保持
される。次のすくい出し（ＤＯ）ステーシヨン４２にお
いて、基板は、機械の廃液の中の汚染物質の量を少なく
するために、噴霧によつて水洗され、その後、その表面
から全ての薬品を取り除くため、冷たい脱イオン水によ
る水洗にさらされる。次のステーシヨン４４及びステー
シヨン４５において、基板は、熱い脱イオン水による噴
霧水洗を与えられて、水は捨てられる。この後に、ステ
ーシヨン４６において、ストリツプの全表面から液体を
吹き飛ばすように設計された清浄な乾燥した圧縮空気の
噴流を使用するエアーナイフによる空気乾燥が続く。次
のステーシヨン４７において、強制された熱い空気が、
ヒートガンから基板に向けられ、基板は、５０インチ
（１．２７メートル）毎分の低速度、又は、２００イン
チ（５．０８メートル）毎分の高速度で移動しながら、
完全に乾燥される。
【００１６】次に、基板は動力ローラー４７ａを通過し
て、たるみステーシヨン４８において、たるみが基板ス
トリツプに導入される。その後、ストリツプは、ステー
シヨン４９において、例えば、希望の数個のリードフレ
ーム（図５に６３で示す）の小さいストリツプに切断さ
れ、ステーシヨン５０において降ろされ、ステーシヨン
５１において、テープを付けられて荷造りされる。これ
らの機能を遂行する装置は、香港、ニユーテリトリー
ズ、シャチン、ホタン、９−１３・ウオング・チユク・
イエウング・ストリートに住所を持つポスセール・エイ
チケイジー・プレジシヨン・マシーニング・カンパニー
から商業的に入手することができる。切断及び荷造操作
は必要であるが、降ろす操作とテープを付ける操作とは
選択的である。さらに、ステーシヨン１３及びステーシ
ヨン１４においては、銀スポツトが正確に設けられるよ
うに、基板が整合される。ステーシヨン１３及びステー
シヨン１４は、互いに正確な関係に位置決めされる。め
つき装置及び整合機構は、支持点の適当な配置を確実に
するために、同じステンレス鋼の支持板に取り付けられ
る。ステーシヨン２３及びステーシヨン２４において
は、同じ状況が存在し、ステーシヨン２３の露出装置と
ステーシヨン２４の整合機構とは、共通のステンレス鋼
の板に取り付けられる。
て、たるみステーシヨン４８において、たるみが基板ス
トリツプに導入される。その後、ストリツプは、ステー
シヨン４９において、例えば、希望の数個のリードフレ
ーム（図５に６３で示す）の小さいストリツプに切断さ
れ、ステーシヨン５０において降ろされ、ステーシヨン
５１において、テープを付けられて荷造りされる。これ
らの機能を遂行する装置は、香港、ニユーテリトリー
ズ、シャチン、ホタン、９−１３・ウオング・チユク・
イエウング・ストリートに住所を持つポスセール・エイ
チケイジー・プレジシヨン・マシーニング・カンパニー
から商業的に入手することができる。切断及び荷造操作
は必要であるが、降ろす操作とテープを付ける操作とは
選択的である。さらに、ステーシヨン１３及びステーシ
ヨン１４においては、銀スポツトが正確に設けられるよ
うに、基板が整合される。ステーシヨン１３及びステー
シヨン１４は、互いに正確な関係に位置決めされる。め
つき装置及び整合機構は、支持点の適当な配置を確実に
するために、同じステンレス鋼の支持板に取り付けられ
る。ステーシヨン２３及びステーシヨン２４において
は、同じ状況が存在し、ステーシヨン２３の露出装置と
ステーシヨン２４の整合機構とは、共通のステンレス鋼
の板に取り付けられる。
【００１７】
【発明の効果】本発明の連続的な製造装置及び方法は、
新規でありかつ独創的であると信じる多くの特徴を持
つ。従来の装置においては、エツチングされたシート又
は切断されたストリツプが別の操作で製造されるのに対
して、本発明においては、製品が連続操作で製造され
る。また、従来の方法が手による処理を増大し、その結
果、不合格品の数が増大するのに対して、本発明におい
ては、連続操作を使用することによつて、製造行程が数
日あるいは数週間さえも減少して、１時間以下、実際に
は、３０分以下になる。さらに、本発明の連続方法は、
繰り返されることができて、その結果、バツチ操作又は
別の操作によつて製造される製品と比較して、製品の量
が実質的に増大する。さらにまた、本発明の製造方法に
おいては、機能的な面積部分、すなわち、リードフレー
ムが、その基板がリールから連続的に供給されていて
も、正確な方法で、正確なスポツト位置に、めつきされ
ることができ、それによつて、切断されたリードフレー
ムの小さいストリツプを別々の操作で処理する必要性を
回避する。
新規でありかつ独創的であると信じる多くの特徴を持
つ。従来の装置においては、エツチングされたシート又
は切断されたストリツプが別の操作で製造されるのに対
して、本発明においては、製品が連続操作で製造され
る。また、従来の方法が手による処理を増大し、その結
果、不合格品の数が増大するのに対して、本発明におい
ては、連続操作を使用することによつて、製造行程が数
日あるいは数週間さえも減少して、１時間以下、実際に
は、３０分以下になる。さらに、本発明の連続方法は、
繰り返されることができて、その結果、バツチ操作又は
別の操作によつて製造される製品と比較して、製品の量
が実質的に増大する。さらにまた、本発明の製造方法に
おいては、機能的な面積部分、すなわち、リードフレー
ムが、その基板がリールから連続的に供給されていて
も、正確な方法で、正確なスポツト位置に、めつきされ
ることができ、それによつて、切断されたリードフレー
ムの小さいストリツプを別々の操作で処理する必要性を
回避する。
【図１】本発明の製造装置の実施例の全体を示す平面図
である。
である。
【図２】図１の実施例の入り口及び出口端の部分を示す
拡大平面図である。
拡大平面図である。
【図３】図１の実施例の中央の部分を示す拡大平面図で
ある。
ある。
【図４】図１の実施例の折り返し端の部分を示す拡大平
面図である。
面図である。
【図５】図１の実施例において、出口端の近くに見られ
る連続的に送り出されるリードフレームのストリツプの
一部分を拡大して示す略図である。
る連続的に送り出されるリードフレームのストリツプの
一部分を拡大して示す略図である。
１ ストリツプを供給する手段又は供給ステーシヨン １３ スポツトめつきする手段又はスポツトめつきステ
ーシヨン １４ スポツトめつきする手段又はスポツトめつきステ
ーシヨン ２１ 感光フイルムを積層する手段又は積層ステーシヨ
ン ２３ 露光する手段又は露光ステーシヨン ２４ 整合して位置決めする手段又は整合ステーシヨン ２６ 現像薬品を適用する手段及び露光されない部分を
洗い流す手段又は現像ステーシヨン ２９ 金属めつきを取り除く手段又は水洗ステーシヨン ３２ エツチングする手段又はエツチング・ステーシヨ
ン ６０ 製造装置 ６１ ストリツプ ６３ リードフレーム
ーシヨン １４ スポツトめつきする手段又はスポツトめつきステ
ーシヨン ２１ 感光フイルムを積層する手段又は積層ステーシヨ
ン ２３ 露光する手段又は露光ステーシヨン ２４ 整合して位置決めする手段又は整合ステーシヨン ２６ 現像薬品を適用する手段及び露光されない部分を
洗い流す手段又は現像ステーシヨン ２９ 金属めつきを取り除く手段又は水洗ステーシヨン ３２ エツチングする手段又はエツチング・ステーシヨ
ン ６０ 製造装置 ６１ ストリツプ ６３ リードフレーム
Claims (26)
- 【請求項１】 集積回路ダイス及び類似物用リードフレ
ームのストリツプを連続的に製造する装置であつて、基
板として働くめつき可能な選択された金属材料の柔軟な
ストリツプを連続的に供給する手段と、前記連続的に供
給される基板の予め決められた正確な位置に金属で選択
的にスポツトめつきする手段と、前記連続的に供給され
るスポツトめつきされた基板の両面に感光フイルムを積
層する手段と、前記連続的に供給される積層された基板
の両面に特定の不透明なデザインを整合して位置決めす
る手段と、前記不透明なデザインをその上に位置決めさ
れた感光フイルムを非常に強い光に露光する手段と、前
記露光された感光フイルムに現像薬品を適用する手段
と、金属めつきの選択された面積部分を露光するために
前記感光フイルムの露光されない部分を洗い流す手段
と、前記基板の表面から露光された金属めつきを取り除
く手段と、前記基板の露光された面積部分をエツチング
する手段とからなる集積回路ダイス用リードフレームの
ストリツプの製造装置。 - 【請求項２】 前記選択された金属材料のストリツプが
鉄及びニツケルの合金である請求項１記載の製造装置。 - 【請求項３】 前記鉄及びニツケルの合金が銅でめつき
される請求項２記載の製造装置。 - 【請求項４】 前記選択されたスポツトめつきのための
金属材料が銀である請求項１記載の製造装置。 - 【請求項５】 前記基板を供給する手段が調節可能な速
度で基板を供給する請求項１記載の製造装置。 - 【請求項６】 前記基板を供給する手段が、１．２７乃
至５．０８メートル毎分の調節可能な速度で基板を供給
する請求項５記載の製造装置。 - 【請求項７】 前記選択的にスポツトめつきする手段
が、銀の接着を促進するために銀の選択的なスポツトめ
つきの前に基板に銅のストライクを与える手段を備える
請求項１記載の製造装置。 - 【請求項８】 前記選択的にスポツトめつきする手段
が、基板ストリツプが停止している間に、選択的にスポ
ツトめつきすることができるように、整合・停止・整合
の運動を基板ストリツプに与えるために、基板ストリツ
プにたるみ部分を導入する手段が設けられる請求項１記
載の製造装置。 - 【請求項９】 前記積層された基板の両面に特定の不透
明なデザインを整合して位置決めする手段が、調和した
１組のガラス板と、前記ガラス板を前記積層された基板
の両面に同時に接近する手段とからなる請求項１記載の
製造装置。 - 【請求項１０】 前記両面に不透明なデザインを持つガ
ラス板の調和した１組と、感光フイルムを非常に強い光
に露光する手段とが、露光室の中に設けられる請求項９
記載の製造装置。 - 【請求項１１】 基板の面積部分から銀めつきの全部を
取り除く手段が設けられる請求項４記載の製造装置。 - 【請求項１２】 前記エツチングする手段が、基板の露
光された面積部分にエツチング液を噴霧する装置からな
る請求項１記載の製造装置。 - 【請求項１３】 前記エツチング液が塩化第二鉄である
請求項１記載の製造装置。 - 【請求項１４】 集積回路及び類似物用リードフレーム
のストリツプを自動的に生産する製造方法であつて、基
板として働くめっき可能な金属材料の柔軟なストリツプ
を連続的に供給する行程と、前記基板の予め決められた
位置部分を選択された金属で選択的にスポツトめつきす
る行程と、前記スポツトめつきされた基板の両面に感光
フイルムを積層する行程と、前記積層された基板の両面
に特定の不透明なデザインを位置決めする行程と、前記
不透明なデザインをその上に位置決めされた感光フイル
ムを非常に強い光に露光する行程と、感光フイルムの不
透明なデザイン部分を現像するために現像薬品を適用す
る行程と、金属めつきの選択された面積を露光するため
に、感光フイルムの露光されないで現像されない部分を
洗い流す行程と、前記露光された金属めつきを基板の表
面から取り除く行程とからなる集積回路ダイス用リード
フレームのストリツプの製造方法。 - 【請求項１５】 前記選択されたストリツプの材料が鉄
及びニツケルの合金である請求項１４記載の製造方法。 - 【請求項１６】 前記選択されたストリツプの材料が銅
でめつきされる請求項１４記載の製造方法。 - 【請求項１７】 前記選択的なスポツトめつきの材料が
銀であり、めつきがエツチング液に溶けなかつた基板の
面積部分から銀めつきを取り除く行程を含む請求項１４
記載の製造方法。 - 【請求項１８】 基板から銅を取り除く追加の行程を含
む請求項１６記載の製造方法。 - 【請求項１９】 ストリツプの供給速度を調節する行程
を含む請求項１４記載の製造方法。 - 【請求項２０】 前記ストリツプの供給速度が、１．２
７乃至５．０８メートル毎分に調節される請求項１９記
載の製造方法。 - 【請求項２１】 ストリツプを銀で選択的にスポツトめ
つきする請求項１４記載の製造方法。 - 【請求項２２】 基板のストリツプをめつきする前に清
潔にする工程を含む請求項１６記載の製造方法。 - 【請求項２３】 追加して後で適用される銀めつきの材
料の接着を促進するために、基板に銅のストライクを形
成する金属ストリツプを与える工程を含む請求項１７記
載の製造方法。 - 【請求項２４】 基板のストリツプを連続的に供給する
が、しかし、整合・停止・整合の選択的なスポツトめつ
きを適用する方法を提供するために、ストリツプを選択
された面積部分で停止する請求項２１記載の製造方法。 - 【請求項２５】 集積回路ダイス用リードフレームのス
トリツプを連続的に製造する製造方法であつて、上面及
び下面を持つた基板として働くようにリードフレームの
ストリツプを作る製造装置に、めつき可能な材料のスト
リツプを連続的に供給する行程と、前記製造装置の１乃
至８区域において、基板を銅でめつきするために清潔に
して準備する行程と、前記製造装置の９乃至１１区域に
おいて、基板の両面を連続的な方法によつて銅で０．１
２７乃至０．２５４ミクロンの厚さにめつきする行程
と、前記製造装置の１２乃至１９区域において、基板の
上面を２．５４乃至３．８１ミクロンの厚さに銀めつき
する行程と、基板の両面を感光フイルムで同時に積層す
る行程と、前記製造装置の２３乃至２８区域において、
前記感光フイルムの選択された部分を非常に強い光に露
光し、レジストフイルムとしてストリツプの上に保持さ
れる露光された感光フイルムを現像し、リードフレーム
の小さいストリツプの輪郭を明らかにするために、露光
されないで現像されない感光フイルムを洗い流す行程
と、前記装置の２９乃至３１区域において、銀を基板か
ら取り除く行程と、前記製造装置の３２乃至３４区域に
おいて、基板を塩化第二鉄よりエツチングすることによ
つて基板の露光された面積部分を取り除く行程と、前記
製造装置の３５乃至３７区域において、レジストフイル
ムの端の下の異質物から銀を奪い取る行程と、前記製造
装置の３８乃至４０区域において、基板からレジストフ
イルムを取り除く行程と、前記製造装置の４１乃至４３
区域において、基板から銅めつきの全部を取り除く行程
と、前記製造装置の４４乃至４７区域において、基板を
清潔に水洗して空気乾燥する行程と、基板にテープを付
け、降ろし、希望の個数のリードフレームの小さいスト
リツプに切断し、荷造りする行程とからなる集積回路ダ
イス用リードフレームのストリツプの製造方法。 - 【請求項２６】 集積回路ダイス用のリードフレームの
ストリツプを連続的に製造する製造方法であつて、連続
的に供給される基板の予め決められたスポツト位置を銀
で予めめつきする行程と、前記連続的に供給される基板
に感光フイルム及び予め決められたデザインを持つたフ
オトマスクを適用する行程と、その後に、感光フイルム
が停止されるが、しかし、連続的に供給される間に、感
光フイルムを露光する行程と、感光フイルムを現像する
行程と、露光された銀を取り除く行程と、リードフレー
ムを形成するために、エツチングする行程とからなる集
積回路ダイス用リードフレームのストリツプの製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US629,440 | 1990-12-18 | ||
| US07/629,440 US5183724A (en) | 1990-12-18 | 1990-12-18 | Method of producing a strip of lead frames for integrated circuit dies in a continuous system |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547976A true JPH0547976A (ja) | 1993-02-26 |
| JP2893226B2 JP2893226B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=24522998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3353332A Expired - Lifetime JP2893226B2 (ja) | 1990-12-18 | 1991-12-16 | 集積回路ダイス用リードフレームのストリツプを連続的に製造する方法及び装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5183724A (ja) |
| EP (1) | EP0492952B1 (ja) |
| JP (1) | JP2893226B2 (ja) |
| KR (1) | KR100233799B1 (ja) |
| AT (1) | ATE193616T1 (ja) |
| DE (1) | DE69132240T2 (ja) |
| TW (1) | TW227067B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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-
1991
- 1991-12-16 JP JP3353332A patent/JP2893226B2/ja not_active Expired - Lifetime
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-
1992
- 1992-02-27 TW TW081101462A patent/TW227067B/zh active
- 1992-08-27 US US07/936,927 patent/US5305043A/en not_active Expired - Fee Related
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