JP3060147B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、表面に金属めっき被膜
層を設けた半導体装置用リードフレーム、コネクターピ
ン等の電子部品の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子部品の一例である半導体装置
に用られるリードフレームの製造方法は、図４（ａ）に
よれば、所定幅を有する銅系または鉄系の帯状の金属薄
板条材Ｍの全面に、フォトレジスト膜層を形成するレジ
スト膜形成部３０と単一のリードフレーム２１（図２
（ａ）参照）を所要数連接した短冊状のユニットフレー
ム２２（図２（ａ）参照）を配列して形成された図示し
ていないユニットフレームのマスクパターンを用い、前
記金属条材Ｍの表裏面の前記フォトレジスト膜を露光・
現像して前記フォトレジスト膜層上に不要部分の金属基
材を露出させるレジストパターン形成部３１と所要の長
さに切断する切断工程を備えたレジストパターンシート
形成加工工程３４と、前記レジストパターンシート１３
の金属基材Ｍの露出部分をエッチングにより除去し、複
数のユニットフレーム２２ａ（図２（ｂ）参照）が配列
されたレジスト膜を有するユニットフレーム２２のパタ
ーンシート２３（図２（ｂ）参照）を形成するエッチン
グ加工工程３２と、前記レジスト膜層の剥膜除去部３３
ａと洗浄部３３ｂとを設けた図示していない金属基材ユ
ニットパターンを形成する剥膜除去工程３３と、前記金
属基材ユニットパターンシートから前記ユニットフレー
ム２２（図２（ａ）参照）を切断分離する分離加工工程
３５と、前記ユニットフレーム２２（図２（ａ）参照）
の脱脂、水洗を行う洗浄部３６ａと基材表面の下地処理
部３６ｂを設けた前処理部３６と前記ユニットフレーム
２２の所要部分に金属めつき層を形成する金属めつき層
形成部３７と洗浄・乾燥を行う後処理部３８を設けた金
属めっき被膜層形成工程３９とを含む構成とされてい
る。これらの工程を順次行い前記ユニットフレームのレ
ジストパターンシート２３（図２（ｂ）参照）からレジ
スト膜を除去し、金属基材ユニットパターンシートを形
成した後、該金属基材ユニットパターンシートからユニ
ットフレーム２２を個々に切断分離し、前記金属めっき
被膜層形成工程３９に投入して前記ユニットフレーム２
２（図２（ａ）参照）の表面の洗浄を行い所要部分に所
定の金属めっき層を形成した図２（ａ）に示すユニット
フレーム２２が形成される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例におけるリードフレームの製造方法にあっては、エ
ッチング加工工程３２と剥膜除去工程３３と分離加工工
程３５と金属めつき被膜層形成工程３９とが別々に分断
されて配置されており、剥膜除去工程３３でレジスト膜
層の剥膜除去し、ユニットフレームのパタンシートの形
成及び分離を行って後、前記ユニットフレームの基材が
露出した状態で前記金属めつき被膜層形成工程３９に投
入されるので、滞留中に前記ユニットフレームの露出し
た金属基材表面に汚染物が付着する。したがって、次工
程の金属めっき被膜層を形成する際に、前記汚染物を除
去する再洗浄を行う洗浄部を設ける必要があった。その
ために前記剥膜工程に設けた洗浄部分と同様な工程を次
工程の金属めっき被膜層形成工程の前処理部に重複して
設ける必要が生じ、製造ラインの設置スペースの増加や
生産効率を低下させると共に、生産コストを増加させる
などの問題があった。

【０００４】さらに、前記ユニットフレームシートから
前記ユニットフレームを手作業、機械作業等により分離
及び次工程に個々に分離供給させる際に、前記ユニット
フレームの表面の損傷や変形を生じさせると共に、その
表面に酸化被膜を形成する等の問題があった。

【０００５】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、本発明の目的とするところは、リードフレーム
やコネクターピン等の金属めっき被膜層を設けた電子部
品の生産効率を向上させることのできる電子部品の製造
方法を提供することにある。さらに他の目的は、滞留中
または分離供給時に生じる汚染物の付着、損傷及び表面
酸化を防止ぎ、高品質の電子部品の製造コストを低減し
得る電子部品の製造方法を提供することにある。

【０００６】

【問題を解決するための手段】上記の目的に沿う請求項
１記載の電子部品の製造方法は、複数の電子部品を連接
したユニットフレームを所要数配列し、不要部分の金属
基材を露出させたレジストパターンシートから不要部分
を除去して前記ユニットフレームのパターンシートを形
成するエッチング加工工程と、前記パターンシート表裏
面上に残留した前記レジスト膜層のを除去部と洗浄部を
設けた金属基材のパターンシートを形成する剥膜加工工
程と、前記金属基材のパターンシートから前記ユニット
フレームを切断分離する分離加工工程と、前記ユニット
フレームの所要部分に金属めっき被膜層を形成する洗浄
部と下地めっき形成部を設けた前処理部を備えた金属め
っき被膜層形成加工工程とを含む電子部品の製造方法で
あって、前記剥膜加工工程を前記金属めっき被膜層形成
加工工程の上流に隣接配設し、前記剥膜加工工程と前記
金属めっき被膜層形成加工工程に設けた洗浄部のいずれ
か一方を省略した構成とし、エッチングにより前記ユニ
ットフレームのパターンシートを形成する形状加工を行
い、前記レジスト膜層を残した状態で前記パターンシー
トから前記ユニットフレームを切断分離する加工を行っ
て後、前記ユニットフレームに残した前記レジスト膜層
を剥膜除去すると共に、前記ユニットフレームの所要部
分に金属めっき被膜層を設けるように構成されている。

【０００７】

【作用】請求項１記載の電子部品の製造方法にあって
は、所要部分をレジスト膜で被覆し、エッチング加工に
より基材が露出した不要部分部を除去して形成された電
子部品のパターンシートから前記レジスト膜を残した状
態で前記ユニットフレームが分離されているので、従来
技術のように滞留中に前記ユニットフレームの基材表面
に直接汚染物が付着したり、擦り傷や変形などの損傷を
防ぐと共に、基材表面の酸化を防止することができる。
その結果として、不良品の発生が少なくなり製品歩留率
を著しく向上させることができる。

【０００８】さらに、前記剥膜加工工程の前記レジスト
膜の剥膜除去部を前記金属めつき被膜形成加工工程の上
流に配設した構成としているので、従来技術で必要とし
た、前記剥膜加工工程と前記金属めつき被膜形成加工工
程に重複して設けた洗浄部分のいずれか一方を省略する
ことができる。その結果として、設備スペースが削減で
きると共に、生産効率を向上させることができる。

【０００９】

【実施例】以下、本発明を具体化した実施の一例である
リードフレームの製造方法について、添付図面に基づき
説明する。

【００１０】ここに図１は本発明の実施例に係るリード
フレームの製造方法の概要示す工程図、図２は本発明の
実施例に係るリードフレームの製造方法による中間製造
物のユニットフレーム及びそのレジストパターンシート
を示す平面図、図３は本発明の他の実施例に係るリード
フレームの製造方法の概要工程図を示している。

【００１１】まず、請求項１記載の本発明の第１の実施
例に係る電子部品の一例であるリードフレームの製造工
程について説明する。

【００１２】図１に示すように、リードフレームを形成
する所要幅（例：４５０mm）の帯状の薄板条材Ｍから単
一のリードフレーム２１（図２（ａ）参照）を所要数連
接したユニットフレーム２２（図２（ａ）参照）を複数
配列し、不要部分の金属基材を露出したレジストパター
ンシート１３を準備するレジストパターンシート形成工
程１２を備え、該レジストパターンシート１３から金属
露出部分を除去し、その表裏面にレジスト膜層を残した
ユニットフレームのパターンシート２３（図２（ｂ）参
照）を形成するエッチング加工工程１４と、前記ユニッ
トフレームのパターンシート２３からレジスト膜層を残
したユニットフレーム２２ａ（図２（ｂ）参照）を個々
に切断分離する分離加工工程１５と、前記ユニットフレ
ーム２２ａに残されたレジスト膜層を除去する剥膜加工
工程１６を上流に隣接して配置した金属めっき被膜層形
成加工工程２０とを直線状に配置して構成されている。

【００１３】続いて、請求項１記載の本発明の第１の実
施例に係る電子部品の一例であるリードフレームの製造
方法のについて説明する。

【００１４】図１によれば、リール供給装置に巻回され
た銅系（例；アロイ１９４）または鉄系（例；４２Ｎｉ
合金）の金属基材Ｍを該リール供給装置より巻き出され
てユニットフレームのレジストパターン形成加工工程１
２に送られる。このとき前記金属基材Ｍは、前記レジス
トパターン形成加工工程１２においてい、フォトレジス
ト膜層形成部１０では、慣用の方法を用い、その全面に
フォトレジスト膜層（例；ＰＶＡ、カゼイン等の液状レ
ジストまたはドライフィルム）により６〜２５ミクロンの厚
みに被覆してフォトレジスト膜層の形成が行われる。次
いで、ユニットフレームのレジストパターン形成加工部
１１で、単一のリードフレーム２１（図２（ａ）参照）
を複数連結した短冊状のユニットフレーム２２（図２
（ａ）参照）を配列した図示していない前記ユニットフ
レームのマスクパターンを用いて、前記フォトレジスト
膜層の表裏面に前記マスクパターンの露光を行い、現像
して不要部分の金属基材が露出したユニットフレーム２
２ａ（図２（ｂ）参照）のレジストパターン群の形成が
おこなわれる。次いで、切断部で、前記レジストパター
ン群ごとに切断して略四辺形（例；４５０ｘ４５０mm）
のユニットフレームのレジストパターンシート１３の形
成が行われる。

【００１５】次に、図示しないシート供給装置上に前記
レジストパターンシート１３を載置する。図１に示すよ
うに、前記シート１３は個々に分離されてエッチング加
工工程１４に送られる。このとき前記シート１３は、前
記エッチング加工工程１４において、前記シート１３の
金属基材の露出部分のエッチング除去を行う。そうして
図２（ｂ）に示す表裏面にレジスト膜層を残したユニッ
トフレーム２２ａのパターンシート２３（図２（ｂ）参
照）の形状加工を行い、前記パターンシート２３に残存
するエッチング液を除去する洗浄が行われる。

【００１６】次に、図１に示すように、前記パターンシ
ート２３は分離加工工程１５に送られる。このとき前記
パターンシート２３は、前記分離加工工程１５におい
て、図２（ｂ）に示す前記パターンシート２３からユニ
ットフレーム２２ａを手作業または機械作業により切断
分離して表裏面にレジスト膜層を残したユニットフレー
ム２２ａの分離が行われる。これによって、従来技術で
生じていた滞留中に、前記ユニットフレームの基材表面
に汚染物が付着したり、擦り傷、変形等の損傷をなくす
ことができる。さらに、基材表面の酸化を防止すること
ができる。

【００１７】次に、図１に示すように、前記ユニットフ
レーム２２ａは金属めっき被膜層形成加工工程２０に送
られる。前記金属めっき被膜層形成加工工程２０におい
て、剥膜加工工程１６で前記ユニットフレーム２２ａの
表裏面に残したレジスト膜層に残した前記レジスト膜層
を除去する加工が行われる。次いで、前処理部１７にお
いては、酸洗、水洗、湯洗を備えた洗浄部１７ａで前記
金属基材のユニットフレーム２２の全面を前記剥膜加工
工程１６で残存した剥膜液等の汚染物の除去が行われ
る。次いで、下地層形成工程１７ｂで前記金属基材のユ
ニットフレーム２２の全面或いは所要部分に所定の金属
下地めっき層の形成が行われる。次いで、金属めっき被
膜層形成部１８で前記金属下地めっき層の上に貴金属の
めっき被膜層の形成が行われる。次いで、後処理工程１
９で前記金属基材のユニットフレーム２２に残存しため
っき液等の汚染物及び下地めっき層の不要部分やめっき
フラツシュ部分を除去する剥離・洗浄を行われる。上記
工程を順次行って金属被膜層を設けた半導体装置用リー
ドフレームを所要数連接したユニットフレームの形成が
行われる。これによって、従来技術で必要とした剥膜加
工工程１６の下流と金属めっき被膜層形成加工工程２０
の上流に重複して設けた洗浄部分のいずれか一方を省略
することができる。その結果として生産効率を向上させ
ることができると共に、設備スペースの削減ができ製造
コストを低減することができる。

【００１８】また、本発明の第２の実施例に係る電子部
品の一例であるリードフレームの製造工程を説明する。

【００１９】図３に示すように、リードフレームを形成
する所要幅（例：４５０mm）の帯状の薄板条材Ｍから単
一のリードフレーム２１（図２（ａ）参照）を所要数連
接したユニットフレーム２２（図２（ａ）参照）を複数
配列し、不要部分の金属基材を露出したレジストパター
ンシート１３を準備するレジストパターンシート形成工
程を備え、該レジストパターンシート１３から金属露出
部分を除去し、その表裏面にレジスト膜層を残したユニ
ットフレームのパターンシート２３（図２（ｂ）参照）
を形成するエッチング加工工程１４の側部近傍に、搬送
方向が反対となった前記ユニットフレーム２２ａの表裏
面に残したレジスト膜を除去する剥膜加工工程１６を前
工程の上流に隣接して配設せしめた金属めっき被膜層形
成加工工程２０の上流とが隣接するように配設せしめ、
前記ユニットフレームのパターンシート２３からレジス
ト膜層を残したユニットフレーム２２ａ（図２（ｂ）参
照）を個々に切断分離する分離加工工程１５を介して全
体がＵ字形状に成るように連結せしめた構成されたもの
である。そうして、上記第１の実施例で説明した製造方
法行って、前記ユニットフレーム２２ａに残されたレジ
スト膜層を除去する剥膜加工工程１６を上流に隣接して
配置した金属めっき被膜層形成加工工程２０とをＵ字状
に配置して構成されている。上記の工程を順次行って、
金属被膜層を設けた半導体装置用リードフレームを所要
数連接したユニットフレームの形成が行われる。これに
よって、加工物の供給と完成品の取り出しが隣接し、作
業間隔が著しく短縮することができ作業性が向上し、生
産効率を更に向上させることができる。以上、本発明の
実施例を説明したが、本発明はこれに限定されるもので
なく、要旨を逸脱しない範囲の設計変更があっても本発
明の範囲に含まれる。

【００２０】本発明は、以上の説明からも明らかなよう
に、剥膜加工工程を金属めっき被膜層形成加工工程の前
処理工程の上流に隣接して配設し、剥膜加工工程の下流
と金属めっき被膜層形成加工工程上流に重複して設けた
洗浄部分のいずれか一方を省略した構成としているの
で、設備スペースの削減ができると共に、製品の滞留時
間の短縮や複雑なハンドリングも省略でき、生産効率が
向上するなどの経済効果が期待できる。

【００２１】さらに、レジスト膜層を残した状態でユニ
ットフレームの形状加工が行われているので、従来技術
のようにフレーム間を挿間紙を用いて分離する必要がな
くなる。さらに、ユニットフレームの滞留中に、その表
面に酸化被膜の発生や汚染物の付着がなくなり、更に、
ユニットフレームを個々に分離供給する際に生じていた
損傷や変形がなくなり、製品歩留まりが著しく向上する
と共に、その品質を向上させることが期待できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る電子部品の一例で
あるリードフレームの製造方法の概要を示す工程図であ
る。

【図２】（ａ）は本発明の金属基材のユニットフレーム
の中間製造物を示す平面図、（ｂ）はユニットフレーム
を配列したユニットフレームのパターンシートを示す平
面図である。

【図３】本発明の第２の実施例に係る電子部品の一例で
あるリードフレームの製造方法の概要を示す工程図であ
る。

【図４】従来方法の一実施例に係る電子部品の一例であ
るリードフレームの製造方法の概要を示す工程図であ
る。

【符号の説明】

１０ フォトレジスト膜層形成部 １１ ユニットフレームのレジストパターン形成部 １２ ユニットフレームのレジストパターンシート形成
加工工程 １３ レジストパターンシート １４ エッチング加工工程 １５ 分離加工工程 １６ 剥膜加工工程 １７ 前処理部 １７（ａ） 洗浄部 １７（ｂ） 下地めっき処理部 １８ 金属めつき被膜形成部 １９ 後処理部 ２０ 金属めつき被膜層形成加工工程 ２１ 単一のリードフレーム ２１（ａ） レジスト膜を残した単一のリードフレーム ２２ ユニットフレーム ２２（ｂ） レジスト膜を残したユニットフレーム ２３ レジスト膜を残したユニットフレームのパターン
シート ３０ フォトレジスト膜層形成部 ３１ ユニットフレームのレジストパターン形成部 ３２ エッチング加工工程 ３３ 剥膜加工工程 ３３（ａ） 剥膜加工部 ３３（ｂ） 洗浄部 ３４ レジストパターンシート形成加工工程 ３５ 分離加工工程 ３６ 前処理部 ３６（ａ） 洗浄部 ３６（ｂ） 下地処理部 ３７ 金属めっき被膜層形成部 ３８ 後処理部 ３９ 金属めっき被膜層形成加工工程 Ｍ 金属基材

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の電子部品を連接したユニットフレ
   ームを所要数配列し、不要部分の金属基材を露出させた
   レジストパターンシートから不要部分を除去して前記ユ
   ニットフレームのパターンシートを形成するエッチング
   加工工程と、前記パターンシート表裏面上に残留した前
   記レジスト膜層のを除去部と洗浄部を設けた金属基材の
   パターンシートを形成する剥膜加工工程と、前記金属基
   材のパターンシートから前記ユニットフレームを切断分
   離する分離加工工程と、前記ユニットフレームの所要部
   分に金属めっき被膜層を形成する洗浄部と下地めっき形
   成部を設けた前処理部を備えた金属めっき被膜層形成加
   工工程とを含む電子部品の製造方法であって、 前記剥膜加工工程を前記金属めっき被膜層形成加工工程
   の上流に隣接配設し、前記剥膜加工工程と前記金属めっ
   き被膜層形成加工工程に設けた洗浄部のいずれか一方を
   省略した構成とし、エッチングにより前記ユニットフレ
   ームのパターンシートを形成する形状加工を行い、前記
   レジスト膜層を残した状態で前記パターンシートから前
   記ユニットフレームを切断分離する加工を行って後、前
   記ユニットフレームに残した前記レジスト膜層を剥膜除
   去すると共に、前記ユニットフレームの所要部分に金属
   めっき被膜層を設けるように構成されたことを特徴とす
   る電子部品の製造方法。